CN115261016B - 蓝紫色发光材料及其制备方法、白光led - Google Patents

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Abstract

本申请涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种蓝紫色发光材料及其制备方法、白光LED。蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+；其中，A选自Sr元素和Ba元素中的至少一种，B选自Ca元素和Mg元素中的至少一种，C选自Ga元素、Al元素和In元素中的至少一种，D包括O元素，且，0.9≤m≤1.1，0.9≤n≤1.1，3.8≤q≤4.2，7≤p≤10，0＜x≤0.2。本申请的蓝紫色发光材料可以实现发射光谱覆盖到400～430nm区域，从而形成适用于紫外激发的新型短波蓝紫色荧光粉，用于白光LED器件中时，更容易实现全光谱照明，因此在白光器件领域中具有很好的应用前景。

Description

蓝紫色发光材料及其制备方法、白光LED
技术领域
本申请属于发光材料技术领域，尤其涉及一种蓝紫色发光材料及其制备方法、白光LED。
背景技术
发光二极管(LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。其中，白光LED因节能环保、使用寿命长、光色可调等诸多优势被广泛开发和使用，被认为是第四代绿色白光光源，其在应用领域如灯具市场渗透率逐年增加，市场潜能巨大。尽管白光LED历经二十多年发展，其各种技术参数水平已达到较高水平，足以满足生活需要，但随着生活质量的不断提升，人们对白光品质追求也越发苛刻。全光谱白光LED光谱因无限接近太阳光，即健康光源，近几年在行业内掀起了广泛的研究和应用热潮，然而该技术目前尚处于开发初期，仍有诸多需要改善的空间。
当前采用蓝光LED芯片组合氮氧化物青色荧光粉、YAG:Ce或硅酸盐黄绿色荧光粉以及氮化物红色荧光粉可获得显色指数高、发光效率强的白光LED器件，尽管该方式产生的白光光谱较早期的白光LED光谱在光谱连续上和显色指数等方面得到了很大改善，但是相对于太阳光谱，其相似度还是相差较大，主要是在短波蓝紫光区域和远红光区域缺失较为严重。作为一种改善方案，(近)紫外芯片组合包括蓝紫色、青色、绿色、红色等荧光粉的方案得到了广为认可，但是现阶段可使用的蓝紫色荧光粉发射光谱主要位于450nm处，相比太阳光，封装后的紫外激发的白光LED器件在400～430nm处缺失较为严重，因此开发(近)紫外芯片激发的短波长蓝紫色荧光粉具有较大意义。
发明内容
本申请的目的在于提供一种蓝紫色发光材料及其制备方法、白光LED，旨在解决如何提供一种短波蓝光区域发光强的蓝紫色发光材料的技术问题。
为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
第一方面，本申请提供一种蓝紫色发光材料，蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+；其中，
A选自Sr元素和Ba元素中的至少一种，
B选自Ca元素和Mg元素中的至少一种，
C选自Ga元素、Al元素和In元素中的至少一种，
D包括O元素，
且，0.9≤m≤1.1，0.9≤n≤1.1，3.8≤q≤4.2，7≤p≤10，0＜x≤0.2。
第二方面，本申请提供一种蓝紫色发光材料的制备方法，包括如下步骤：
按照本申请蓝紫色发光材料的化学式AmBnCqDp:xBi3+的计量比称量各元素的化合物原料，然后混合研磨得到原料混合物；
将原料混合物进行烧结处理，得到蓝紫色发光材料。
第三方面，本申请提供一种白光LED，包括紫外光芯片和被紫外光芯片激发的红色荧光粉、绿色荧光粉、青色荧光粉和蓝紫色荧光粉，蓝紫色荧光粉为本申请的蓝紫色发光材料或本申请的制备方法制得的蓝紫色发光材料。
本申请第一方面提供的蓝紫色发光材料化学通式为AmBnCqDp:xBi3+，是一种正交晶系的蓝紫色荧光粉，该蓝紫色发光材料可以通过调控基质材料AmBnCqDp组分、比例以及相应激活剂浓度等手段，实现发射光谱可以覆盖到400～430nm区域，从而形成适用于紫外激发的新型短波蓝紫色荧光粉，可以弥补现有蓝色荧光粉在400～430nm波段发光非常弱或没有的缺陷。本申请的蓝紫色发光材料用于白光LED器件中时，更容易实现全光谱照明，因此在白光器件领域中具有很好的应用前景。
本申请第二方面提供的蓝紫色发光材料的制备方法，将按照化学分子通式AmBnCqDp:xBi3+的计量比的各元素的化合物原料混合研磨，然后烧结得到。该制备方法工艺简单，制备条件温和，合成温度容易实现，而且原材料成本低，最终可以得到发射光谱覆盖到400～430nm区域的蓝紫色发光材料，因此本申请的制备方法在发光材料合成领域中具有很好的应用前景。
本申请第三方面提供的白光LED包括紫外光芯片和被紫外光芯片激发的红色荧光粉、绿色荧光粉、青色荧光粉和蓝紫色荧光粉，其中的蓝紫色荧光粉为本申请特有的蓝紫色发光材料或本申请的制备方法制得的蓝紫色发光材料，因而本申请的白光LED具有短波蓝光区域发光强的特点，可以更好地实现接近太阳光的光谱，从而具有很好的白光品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例1提供的蓝紫色发光材料XRD图；
图2是本申请实施例1-6提供的蓝紫色发光材料对应的激发和发射光谱图。
具体实施方式
为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请中，“至少一种”是指一种或者多种，“多种”是指两种或两种以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。
应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
本申请实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本申请实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本申请实施例说明书公开的范围之内。具体地，本申请实施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，在不脱离本申请实施例范围的情况下，第一XX也可以被称为第二XX，类似地，第二XX也可以被称为第一XX。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
本申请实施例第一方面提供一种蓝紫色发光材料，蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+；其中，
A选自Sr(锶)元素和Ba(钡)元素中的至少一种，
B选自Ca(钙)元素和Mg(镁)元素中的至少一种，
C选自Ga(镓)元素、Al(铝)元素和In(铟)元素中的至少一种，
D包括O(氧)元素，
且，0.9≤m≤1.1，0.9≤n≤1.1，3.8≤q≤4.2，7≤p≤10，0＜x≤0.2。
本申请实施例提供的蓝紫色发光材料化学通式为AmBnCqDp:xBi3+，是一种正交晶系的蓝紫色荧光粉，该蓝紫色发光材料可以通过调控基质材料AmBnCqDp组分、比例以及相应激活剂浓度等手段，实现发射光谱可以覆盖到400～430nm区域，从而形成适用于紫外激发的新型短波蓝紫色荧光粉，可以弥补现有蓝色荧光粉在400～430nm波段发光非常弱或没有的缺陷。本申请的蓝紫色发光材料用于白光LED器件中时，更容易实现全光谱照明，因此在白光器件领域中具有很好的应用前景。
在一实施例中，蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+；其中，0.9≤m≤1.1，0.95≤n≤0.995，3.8≤q≤4.2，7.6≤p≤8.4，0.005≤x≤0.05。本申请实施例可以通过调控基质材料比例以及激活剂浓度，而Bi(铋)元素取代的是化学通式中的B位置，从而实现对本申请实施例的蓝紫色发光材料发射光谱峰值波长具有较好的可调控性。进一步地，m＝1，0.95≤n≤0.995，q＝4，7.6≤p≤8.4，0.005≤x≤0.05。
在一实施例中，蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+；其中，A为Ba元素，B为Ca元素，C为Ga元素，D为O元素。且m为1，n为0.97，q＝4，p为8，x为0.03。通过确定纯基质BaCaGa4O8中激活剂Bi3+离子的较佳浓度，确定较佳发射强度、纯基质下样品的峰值波长位置，激活剂Bi3+浓度的原因是：一般情况下，激活剂最佳浓度就表示荧光粉发光强度最强，当小于这个浓度时，由于发光中心离子数量不足(激活剂离子)，其发射出的光子数目有限，其发光强度就较小，发光强度是所有光子数发射出能量的积分(总和)；当大于最佳激活剂浓度时，其发光中心离子在晶格中临界距离会减小，发射出的能量会因为相互吸收而下降，最终发光强度也会减弱。选BaCaGa4O8作为基质的原因是因为纯基质结构稳定，形貌规则且发光强度较强，同时可以确定激活剂Bi3+离子的较佳浓度0.005≤x≤0.05。这样的蓝紫色发光材料与青色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉搭配在紫外芯片LED激发下产生的白光光谱连续性强，更接近于太阳光谱，且光效高，显色指数高，色温较低。
进一步地，在BaCaGa4O8:Bi3+中，通过引入一定比例的Sr，Mg，Al，In等同族或离子半径相近且价态相同的元素可实现基质材料成分调控，从而调控Bi周围晶体场环境，实现发射光谱峰值波长可控调节，其峰值波长范围在430～450nm可调。通过掺杂Mg、Sr调控Bi周围晶体场实现光谱调控原理是：当小离子半径Sr和Mg分别取代部分Ba和Ca时，阳离子Ba和Ca占据的多面体体积减小发生收缩现象，提供给Bi占据的多面体体积缩小，导致其共价键键长减小，同时晶体结构对称性降低，晶格畸变增强，导致Bi离子能级劈裂增强而光谱发生红移。类似的现象，当小离子半径的Al取代Ga或者F取代O时候，与Bi占据的多面体相连的多面体收缩，导致Bi占据的多面体体积膨胀，晶体场减小，最终导致光谱发生蓝移。
具体地，AmBnCqDp:xBi3+中，A位掺杂的Sr的百分含量不超过30％，即Sr取代Ba的原子量比例范围为0～30％，B位掺杂的Mg的百分含量不超过25％，即Mg取代Ca的原子量比例范围为0～25％，C位掺杂的Al/In的百分含量不超过30％，即Al/In取代Ga的原子量比例范围为0～30％。
在BaCaGa4O8:Bi3+中，在保证发光材料基质主结构不变的情况下，通过添加少量可替换性元素形成成分多样的固溶体发光材料。而添加的这些元素有如下特点：a.添加量不是很大；b.具有相近的离子半径、电负性、价态等；c.在元素周期表中一般是同族元素或周围临近的元素。
进一步地，在蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3+中，D可以引入一定比例的N(氮)元素和/或F(氟)元素。N和F这两种元素部分取代O，可以实现蓝紫色发光材料的光谱红移效果。
本申请实施例第二方面提供一种蓝紫色发光材料的制备方法，包括如下步骤：
S01：按照本申请实施例提供的蓝紫色发光材料的化学式AmBnCqDp:xBi3+的计量比称量各元素的化合物原料，然后混合研磨得到原料混合物；
S02：将原料混合物进行烧结处理，得到蓝紫色发光材料。
本申请实施例提供的蓝紫色发光材料的制备方法，将按照化学分子通式AmBnCqDp:xBi3+的计量比的各元素的化合物原料混合研磨，然后烧结得到。该制备方法工艺简单，制备条件温和，合成温度容易实现，而且原材料成本低，最终可以得到发射光谱覆盖到400～430nm区域的蓝紫色发光材料，因此本申请的制备方法在发光材料合成领域中具有很好的应用前景。
进一步地，步骤S01中的化合物原料主要选自于相应元素的氧化物、碳酸盐、氟化物、氮化物等，原料纯度不低于99.9％。化合物原料可以放置于研磨里混合研磨20～30min，然后转移装入氧化铝坩埚中进行后续烧结。
进一步地，镓酸盐类氧化物因合成温度较低、制备方法简单、光色性能可调等优势，对于镓酸盐氧化物BaCaGa4O8作为一种全新的基质材料，为正交晶系，通过三价Bi3+激活的该类镓酸盐短波长蓝紫色荧光粉制备，且采用了更为便宜的非稀土氧化物Bi2O3作为激活剂原料，实现非稀土激活剂离子Bi3+作为发光中心。
进一步地，步骤S02中烧结条件为温度为1150～1300℃，时间为5～10h，该条件下的烧结效果更佳。该蓝紫色发光材料其制备条件温和，原材料成本低。具体地，烧结处理是在空气气氛或还原气氛中进行，还原条件可以是氮氢气还原(氢气体积比例不高于20％)。最后烧结结束后，随炉冷却至室温(25～27℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料，即为蓝紫色荧光粉。
本申请实施例第三方面提供一种白光LED，包括紫外光芯片和被紫外光芯片激发的红色荧光粉、绿色荧光粉、青色荧光粉和蓝紫色荧光粉，蓝紫色荧光粉为本申请实施例的蓝紫色发光材料或本申请的制备方法制得的蓝紫色发光材料。
本申请实施例提供的白光LED包括紫外光芯片和被紫外光芯片激发的红色荧光粉、绿色荧光粉、青色荧光粉和蓝紫色荧光粉，其中的蓝紫色荧光粉为本申请实施例特有的蓝紫色发光材料或本申请实施例的制备方法制得的蓝紫色发光材料，因而本申请实施例的白光LED具有短波蓝光区域发光强的特点，可以更好地实现接近太阳光的光谱，从而具有很好的白光品质。
在一实施例中，白光LED的绿色荧光粉选自(Ca,Sr)2SiO4:Eu2+，红色荧光粉选自(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+，青色荧光粉选自BaSi2O2N2:Eu2+，蓝紫色荧光粉为本申请实施例上述蓝紫色发光材料。
目前常用的蓝光全光谱和低光效的紫光全光谱相比太阳光光谱，在短波低蓝光区域缺少，因此要想实现接近太阳光的光谱，需采用更短芯片激发(360nm)技术，需要除黄、绿、红色荧光材料以外，还需要覆盖短波长400～430nm的蓝紫色发光材料用来弥补该部分发光不足的问题。本申请实施例提供的蓝紫色荧光粉发射峰值波长可以位于430nm左右，由于发射光谱具有一定的半峰宽，因此其发射光谱可以覆盖到400～430nm区域，而目前应用的峰值波长为450nm蓝色荧光粉在400～430nm波段发光非常弱，甚至没有。因此本申请的蓝紫色发光材料在白光LED中可以很好地实现接近太阳光的光谱。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种蓝紫色发光材料，其化合物组成式为BaCa0.97Ga4O8:0.03Bi3+。
其制备方法包括：按照化学式BaCa0.97Ga4O8:0.03Bi3+的化学计量比，准确称量BaCO3、CaCO3、Ga2O3、Bi2O3原料原料放置于研磨里，研磨20min后转移装入氧化铝坩埚中，在高温炉空气气氛下1200℃烧结6h，随炉冷却至室温(25℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料，其XRD衍射图如图1所示，激发发射光谱如图2所示。
实施例2
一种蓝紫色发光材料，除Bi3+掺杂浓度不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例3
一种蓝紫色发光材料，除Bi3+掺杂浓度不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例4
一种蓝紫色发光材料，除Bi3+掺杂浓度不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例5
一种蓝紫色发光材料，除Bi3+掺杂浓度不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例6
一种蓝紫色发光材料，除Bi3+掺杂浓度不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例7
一种蓝紫色发光材料，其化合物组成式为Ba0.9Sr0.1Ca0.97Ga4O8:0.03Bi3+。
其制备方法包括：按照化学式Ba0.9Sr0.1Ca0.97Ga4O8:0.03Bi3+的化学计量比，准确称量BaCO3、SrCO3、CaCO3、Ga2O3、Bi2O3原料原料放置于研磨里，研磨20min后转移装入氧化铝坩埚中，在高温炉空气气氛下1200℃烧结6h，随炉冷却至室温(25℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料。
实施例8
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ba位掺杂的Sr百分含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例7保持一致，相应参数见表1。
实施例9
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ba位掺杂的Sr百分含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例7保持一致，相应参数见表1。
实施例10
一种蓝紫色发光材料，其化合物组成式为BaCa0.87Mg0.1Ga4O8:0.03Bi3+。
其制备方法包括：按照化学式BaCa0.87Mg0.1Ga4O8:0.03Bi3+的化学计量比，准确称量BaCO3、CaCO3、MgCO3、Ga2O3、Bi2O3原料原料放置于研磨里，研磨20min后转移装入氧化铝坩埚中，在高温炉空气气氛下1150℃烧结6h，随炉冷却至室温(25℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料。
实施例11
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ca位掺杂的Mg百分含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例10保持一致，相应参数见表1。
实施例12
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ca位掺杂的Mg百分含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例10保持一致，相应参数见表1。
实施例13
一种蓝紫色发光材料，其化合物组成式为BaCa0.97Ga3.6Al0.4O8:0.03Bi3+。
其制备方法包括：按照化学式BaCa0.97Ga3.6Al0.4O8:0.03Bi3+的化学计量比，准确称量BaCO3、CaCO3、Ga2O3、Al2O3、Bi2O3原料原料放置于研磨里，研磨20min后转移装入氧化铝坩埚中，在高温炉空气气氛下1250℃烧结6h，随炉冷却至室温(25℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料。
实施例14
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ga位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例13保持一致，相应参数见表1。
实施例15
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ga位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例13保持一致，相应参数见表1。
实施例16
一种蓝紫色发光材料，除阳离子格位Ga位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例13保持一致，相应参数见表1。
实施例17
一种蓝紫色发光材料，除阴离子氧格位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例18
一种蓝紫色发光材料，除阴离子氧格位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例19
一种蓝紫色发光材料，除阴离子氧格位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
实施例20
一种蓝紫色发光材料，除阴离子氧格位掺杂不同元素和相对含量不一样以外，其他的制备和表征手段与实施例1保持一致，相应参数见表1。
对比例1
一种蓝紫色发光材料，其化合物组成式为Sr4.92(PO4)3Cl:0.08Eu2+。
其制备方法包括：按照化学式Sr4.92(PO4)3Cl:0.08Eu2+的化学计量比，准确称量SrCO3、NH4H2PO4、NH4Cl、Eu2O3原料原料放置于研磨里，研磨20min后转移装入氧化铝坩埚中，在高温马弗炉5％H2和95％N2的气氛下1200℃烧结6h，随炉冷却至室温(25℃)，将焙烧产物进行破碎、研磨处理，获得粒度较为均一的蓝紫色发光材料。
性能测试
实施例1-20和对比例1的样品的分子式以及相关的测试数据如下表1所示。
其中，器件显色指数的测试器件为白光LED器件，该白光LED器件包括紫外InGaN芯片以及红色荧光粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、青色荧光粉BaSi2O2N2:Eu2+、绿色荧光粉(Ca,Sr)2SiO4:Eu2+和蓝紫色荧光粉；蓝紫色荧光粉对应上述实施例和对比例制备得到的蓝紫色发光材料，从而对应各自封装后的器件显色指数。
表1
Figure GDA0004235066880000121
Figure GDA0004235066880000131
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种蓝紫色发光材料，其特征在于，所述蓝紫色发光材料的化学通式为AmBnCqDp:xBi3 +；其中，
A选自Sr元素和Ba元素，A中Sr元素的原子百分含量不超过30%，
B选自Ca元素和Mg元素中的至少一种，
C选自Ga元素、Al元素和In元素中的至少一种，
D包括O元素，D还包括N元素和F元素中的至少一种；
且，0.9≤m≤1.1，0.9≤n≤1.1，3.8≤q≤4.2，7≤p≤10，0＜x≤0.2。
2.如权利要求1所述的蓝紫色发光材料，其特征在于，0.95≤n≤0.995，7.6≤p≤8.4，0.005≤x≤0.05。
3.如权利要求2所述的蓝紫色发光材料，其特征在于，m=1，q=4。
4.一种蓝紫色发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
按照权利要求1-3任一项所述蓝紫色发光材料的化学式AmBnCqDp:xBi3+的计量比称量各元素的化合物原料，然后混合研磨得到原料混合物；
将所述原料混合物进行烧结处理，得到所述蓝紫色发光材料。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的温度为1150~1300℃，时间为5~10h。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述烧结处理在空气气氛或还原气氛中进行。
7.一种白光LED，其特征在于，包括紫外光芯片和被所述紫外光芯片激发的红色荧光粉、绿色荧光粉、青色荧光粉和蓝紫色荧光粉，所述蓝紫色荧光粉为权利要求1-3任一项所述的蓝紫色发光材料或权利要求4-6任一项所述的制备方法制得的蓝紫色发光材料。
8.如权利要求7所述的白光LED，其特征在于，所述绿色荧光粉选自(Ca,Sr)2SiO4:Eu2+；和/或，
所述红色荧光粉选自(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+；和/或，
所述青色荧光粉选自BaSi2O2N2:Eu2+。
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