CN115241063A - 一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体器件制造领域，具体的说是一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，该制备方法步骤如下；首先取衬底，在衬底的正面形成场氧层，利用终端保护环光刻版光刻和刻蚀场氧层，并且使用离子注入设备往刻蚀开区域的衬底内注入P型离子，并使用调节装置进行控制调节，形成终端保护环；在对绝缘栅双极型晶体管的制备时，使用离子注入设备进行注入，配合使用调节装置对晶片适应性固定，并控制调节最佳注入位置和方向，有效的降低对晶片的结构损伤，注入的速度也就随着距离的缩短随之提高，有效的降低注入速度对晶片的结构影响，同时利用转动组件对晶片进行适应性固定，并进行方向调节，便于精准的控制注入方向，提高对晶片的离子注入效果。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件制造领域，具体的说是一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管是一种半导体器件，并且是由双极型三极管和金属氧化物半导体场效应管组成的。
公开号为CN104425247A的一项中国专利公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成场氧层，并形成终端保护环；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向衬底内注入N型离子；在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积并形成多晶硅栅，在多晶硅栅上形成保护层；对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区；通过在用有源区光刻版将有源区区域的场氧层刻开时，就进行N型离子的注入，以增加沟道中载流子浓度，形成载流子增强区，从而降低了导通压降。
在制造绝缘栅双极型晶体管的过程中，需要使用离子注入机进行离子注入，目前的离子注入系统中，离子束在电场作用下沿单一方向照射至晶片表面，由于半导体晶片的大小形状不一，从而不能很好的控制注入的方向和位置，导致对半导体晶片的结构造成损伤，甚至造成产品损坏。
为此，本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，该制备方法步骤如下；
S1：首先取衬底，在衬底的正面形成场氧层，利用终端保护环光刻版光刻和刻蚀场氧层，并且使用离子注入设备往刻蚀开区域的衬底内注入P型离子，并使用调节装置进行控制调节，形成终端保护环；
S2：接着使用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，并以光刻胶向衬底内注入N型离子，在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积多晶硅，并形成保护层，使用多晶硅光刻版光刻并刻蚀掉多余的多晶硅和保护层,形成多晶硅栅,然后对N型离子的注入区域进行推结后，形成载流子增强区；
S3：接着用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区，然后利用多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子,推结后形成N型重掺杂区，在多晶硅栅两侧形成侧墙,再向所述N型重掺杂区内注入P型离子,推结后形成P型重掺杂区；
S4：接着在去除保护层后，向多晶硅栅进行多晶硅注入掺杂，形成层间介质，对绝缘栅双极型晶体管的正面金属化工艺,进行背面减薄、P型离子注入及退火工艺，最后对绝缘栅双极型晶体管的背面进行金属化工艺，即可制备完成；在制造绝缘栅双极型晶体管的过程中，需要使用离子注入设备进行离子注入，目前的离子注入系统中，离子束在电场作用下沿单一方向照射至晶片表面，由于半导体晶片的大小形状不一，从而不能很好的控制注入的方向和位置，导致对半导体晶片的结构造成损伤，甚至造成产品损坏，在使用离子注入设备进行注入时，配合使用调节装置对晶片适应性固定，并控制调节最佳注入位置和方向，有效的降低对晶片的结构损伤，增强晶片注入的效果。
优选的，所述S1中的离子注入设备使用时，配合使用设备内的调节装置对晶片进行方向和位置的调节，用于控制对晶片的注入速度和注入剂量；当使用离子注入设备对晶片注入离子时，使用调节装置配合，调节晶片所注入的方向和位置，控制晶片的注入距离可以控制注入的速度，降低对晶片注入时的结构损伤。
优选的，所述S1中的离子注入设备包括操作箱和离子注入器；所述离子注入器固接在操作箱的内部；所述操作箱的内部固接有电缸；所述电缸的输出端固接有滑动板；所述滑动板的顶端设置有晶片；所述滑动板的顶端设置有转动组件，转动组件用于对晶片转动使用；将晶片放入操作箱的内部，并依靠转动组件对使用晶片的侧壁进行固定，配合电缸的输出端上升或下降，带动滑动板上的转动组件升降，调节晶片的注入距离，当晶片靠近离子注入器的注射口较近时，注入的速度也就随着距离的缩短随之提高，有效的降低注入速度对晶片的结构影响，同时利用转动组件对晶片进行适应性固定，并进行方向调节，便于精准的控制注入方向，提高对晶片的离子注入效果。
优选的，所述转动组件包括电机、转动盒、滑动压板和橡胶块；所述电机固接在滑动板的内部；所述转动盒固接在电机的输出端；所述滑动压板滑动连接在转动盒的内侧壁；所述橡胶块固接在滑动压板的内侧壁；所述晶片插接在两组橡胶块之间；当晶片放入操作箱的内部时，将晶片卡入两组橡胶块的内部，橡胶块紧密包裹晶片的侧壁，配合滑动压板起到对晶片固定的作用，当调节晶片的注入距离后，可以利用电机输出端的转动，带动转动盒转动调节方向，晶片随之转动调节注入的位置，提高对晶片离子注入时的方位精准把控。
优选的，所述转动盒的内侧壁固接有固定杆；所述滑动压板的内侧壁固接有一号弹性件，且一号弹性件一端固接转动盒侧壁；所述一号弹性件套接在固定杆侧壁；所述固定杆的内侧壁通过转轴转动连接有吹风扇叶；将晶片卡入两组橡胶块的内部，并依靠滑动压板挤压一号弹性件，提高对晶片夹持固定的紧密效果，配合转动盒随电机转动时，带动吹风扇叶随转轴转动在固定杆的内侧壁抽风，起到对晶片处抽风散热的效果，同时一号弹性件套接在固定杆的侧壁，利用固定杆起到对一号弹性件支撑的效果，并且当晶片注入的剂量过大时容易产生有害气体，利用电机转动带动吹风扇叶抽风，可以快速对有害气体散发。
优选的，所述滑动板的侧壁固接有一号支撑板；所述滑动板的侧壁固接有二号支撑板；所述操作箱的内侧壁固接有固定板；所述固定板的内侧壁通过弹簧滑动连接有滑杆；所述滑杆的底端固接有密封块；弹簧推动密封块紧密贴合在一号支撑板和二号支撑板上，使得操作箱内部密封，起到防尘防杂质的效果，并当离子剂量注入过大时，会产生有害气体，利用一号支撑板和二号支撑板将操作箱内部密封，减少有害气体的散发。
优选的，所述一号支撑板的内部开设有导气通道；所述一号支撑板的内侧壁固接有马达，且位于导气通道内；所述马达的输出端固接有抽风扇叶；所述操作箱的内部开设有存储空腔；所述操作箱的内部安装有净化器，且位于存储空腔内；利用转动盒转动时带动吹风扇叶将晶片处的有害气体向周围散发，配合马达的输出端带动抽风扇叶转动抽风，马达时可以远程控制开关的，将向周围散发的有害气体抽入导气通道内，顺着导气通道进入存储空腔内，利用净化器对有害气体进行净化，降低有害气体的散发。
优选的，所述操作箱的内侧壁固接有固定块；所述固定块的侧壁呈圆弧形状；所述固定块的底端固接有弹性拉绳；所述弹性拉绳的底端固接有密封板，且密封板位于存储空腔内；所述一号支撑板的底端固接有波纹管，且波纹管一端固接操作箱内侧壁；利用抽风扇叶将有害气体抽入导气通道内，有害气体掺和风力冲击密封板上，将弹性拉绳冲击伸长，气体进入操作箱内部的存储空腔内存储，当风力减小时，弹性拉绳拉拽密封板将存储空腔密封，波纹管起到与一号支撑板底端连接的作用，用于连通操作箱内部的存储空腔，使用净化器进行空气净化，起到对有害气体密封净化的效果，同时起到降低有害气体的散发。
优选的，所述固定块的顶端转动连接有转杆；所述转杆的侧壁固接有配合扇叶；所述固定块的内侧壁通过扭簧转动连接有连接板；所述连接板的底端固接有磁球；所述操作箱的内侧壁固接有磁块；所述磁球与磁块相互靠近时能够异性相吸；风力吹动配合扇叶随转杆转动在固定块顶端，增强风力的冲击，风力将连接板冲击转动，磁球远离磁块，有害气体掺和风力进入操作箱内部的存储空腔内净化，当抽风扇叶停止转动时磁球与磁块磁吸作用，利用连接板对固定块部位进行密封，进一步提高密封效果。
优选的，所述二号支撑板的内侧壁滑动连接有压块；所述二号支撑板的内部固接有控制开关；所述控制开关的端部固接有二号弹性件，且二号弹性件一端固接压块底端；所述控制开关通过线缆分别连接有空气质量传感器和警报器，且空气质量传感器与警报器之间信号连接；利用密封块挤压压块下滑，压块压合控制开关上实现将空气质量传感器和磁块的电源同时开启，二号弹性件收缩受力，当操作箱内部的有害气体或者操作箱内部工作高温时，空气质量传感器会监测到问题并发送信号给警报器，警报器发出闪光并警报，起到警示的效果，并且降低对空气质量传感器和警报器的电源使用，同时利用二号弹性件挤压压块压合密封块上，进一步提高对操作箱内部的密封效果。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，在对绝缘栅双极型晶体管的制备时，使用离子注入设备进行注入，配合使用调节装置对晶片适应性固定，并控制调节最佳注入位置和方向，有效的降低对晶片的结构损伤，增强晶片离子注入的效果，注入的速度也就随着距离的缩短随之提高，有效的降低注入速度对晶片的结构影响，同时利用转动组件对晶片进行适应性固定，并进行方向调节，便于精准的控制注入方向，提高对晶片的离子注入效果。
2.本发明所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，通过设置的电缸输出端升降，控制晶片与离子注入器之间的距离，提高离子注入的速度，并且配合电机输出端转动，带动晶片调节注入的方向，进一步提高离子注入的效果，利用一号弹性件配合滑动压板内的橡胶块对晶片夹持固定，适应性对不同大小的晶片进行离子注入，最后当晶片注入剂量过大时产生有害气体，配合转动盒转动带动吹风扇叶转动抽风，将有害气体向周围散发，并使用一号支撑板和二号支撑板对操作箱内部密封进行净化。
3.本发明所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，通过设置的马达输出端转动，带动抽风扇叶转动抽风，将吹风扇叶抽出的有害气体抽入操作箱内部的存储空腔内净化，降低有害气体的泄漏，使用弹性拉绳拉拽密封板对存储空腔密封，减少有害气体的飘散，最后利用有害气体掺和风力吹动连接板打开，并从密封板的侧壁进入存储空气内，当马达停止转动时，进一步提高对存储空气的密封效果。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的绝缘栅双极型晶体管制备方法流程图；
图2是本发明的立体图；
图3是本发明的结构剖视图；
图4是图3的A处放大图；
图5是图3的B处放大图；
图6是本发明中二号支撑板的结构示意图。
图中：1、操作箱；12、离子注入器；13、电缸；14、滑动板；15、晶片；2、电机；21、转动盒；22、滑动压板；23、橡胶块；3、固定杆；31、一号弹性件；32、吹风扇叶；4、一号支撑板；41、二号支撑板；42、固定板；43、滑杆；44、密封块；5、马达；51、抽风扇叶；52、净化器；6、固定块；61、弹性拉绳；62、密封板；63、波纹管；7、转杆；71、配合扇叶；72、连接板；73、磁球；74、磁块；8、压块；81、控制开关；82、二号弹性件；83、空气质量传感器；84、警报器。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1所示，本发明实施例所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，该制备方法步骤如下；
S1：首先取衬底，在衬底的正面形成场氧层，利用终端保护环光刻版光刻和刻蚀场氧层，并且使用离子注入设备往刻蚀开区域的衬底内注入P型离子，并使用调节装置进行控制调节，形成终端保护环；
S2：接着使用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，并以光刻胶向衬底内注入N型离子，在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积多晶硅，并形成保护层，使用多晶硅光刻版光刻并刻蚀掉多余的多晶硅和保护层,形成多晶硅栅,然后对N型离子的注入区域进行推结后，形成载流子增强区；
S3：接着用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区，然后利用多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子,推结后形成N型重掺杂区，在多晶硅栅两侧形成侧墙,再向所述N型重掺杂区内注入P型离子,推结后形成P型重掺杂区；
S4：接着在去除保护层后，向多晶硅栅进行多晶硅注入掺杂，形成层间介质，对绝缘栅双极型晶体管的正面金属化工艺,进行背面减薄、P型离子注入及退火工艺，最后对绝缘栅双极型晶体管的背面进行金属化工艺，即可制备完成；在制造绝缘栅双极型晶体管的过程中，需要使用离子注入设备进行离子注入，目前的离子注入系统中，离子束在电场作用下沿单一方向照射至晶片15表面，由于半导体晶片15的大小形状不一，从而不能很好的控制注入的方向和位置，导致对半导体晶片15的结构造成损伤，甚至造成产品损坏，在使用离子注入设备进行注入时，配合使用调节装置对晶片15适应性固定，并控制调节最佳注入位置和方向，有效的降低对晶片15的结构损伤，增强晶片15注入的效果。
所述S1中的离子注入设备使用时，配合使用设备内的调节装置对晶片15进行方向和位置的调节，用于控制对晶片15的注入速度和注入剂量；当使用离子注入设备对晶片15注入离子时，使用调节装置配合，调节晶片15所注入的方向和位置，控制晶片15的注入距离可以控制注入的速度，降低对晶片15注入时的结构损伤。
实施例一
如图2至图3所示，所述S1中的离子注入设备包括操作箱1和离子注入器12；所述离子注入器12固接在操作箱1的内部；所述操作箱1的内部固接有电缸13；所述电缸13的输出端固接有滑动板14；所述滑动板14的顶端设置有晶片15；所述滑动板14的顶端设置有转动组件，转动组件用于对晶片15转动使用；当对晶片15进行离子注入时，将晶片15放入操作箱1的内部，并依靠转动组件对使用晶片15的侧壁进行固定，配合电缸13的输出端上升或下降，带动滑动板14上的转动组件升降，调节晶片15的注入距离，当晶片15靠近离子注入器12的注射口较近时，注入的速度也就随着距离的缩短随之提高，有效的降低注入速度对晶片15的结构影响，同时利用转动组件对晶片15进行适应性固定，并进行方向调节，便于精准的控制注入方向，提高对晶片15的离子注入效果。
所述转动组件包括电机2、转动盒21、滑动压板22和橡胶块23；所述电机2固接在滑动板14的内部；所述转动盒21固接在电机2的输出端；所述滑动压板22滑动连接在转动盒21的内侧壁；所述橡胶块23固接在滑动压板22的内侧壁；所述晶片15插接在两组橡胶块23之间；当晶片15放入操作箱1的内部时，将晶片15卡入两组橡胶块23的内部，橡胶块23紧密包裹晶片15的侧壁，配合滑动压板22起到对晶片15固定的作用，当调节晶片15的注入距离后，可以利用电机2输出端的转动，带动转动盒21转动调节方向，晶片15随之转动调节注入的位置，提高对晶片15离子注入时的方位精准把控。
如图2至图4所示，所述转动盒21的内侧壁固接有固定杆3；所述滑动压板22的内侧壁固接有一号弹性件31，且一号弹性件31一端固接转动盒21侧壁；所述一号弹性件31套接在固定杆3侧壁；所述固定杆3的内侧壁通过转轴转动连接有吹风扇叶32；由于需要对不同大小的晶片15进行固定适应，将晶片15卡入两组橡胶块23的内部，并依靠滑动压板22挤压一号弹性件31，提高对晶片15夹持固定的紧密效果，配合转动盒21随电机2转动时，带动吹风扇叶32随转轴转动在固定杆3的内侧壁抽风，起到对晶片15处抽风散热的效果，同时一号弹性件31套接在固定杆3的侧壁，利用固定杆3起到对一号弹性件31支撑的效果，并且当晶片15注入的剂量过大时容易产生有害气体，利用电机2转动带动吹风扇叶32抽风，可以快速对有害气体散发。
所述滑动板14的侧壁固接有一号支撑板4；所述滑动板14的侧壁固接有二号支撑板41；所述操作箱1的内侧壁固接有固定板42；所述固定板42的内侧壁通过弹簧滑动连接有滑杆43；所述滑杆43的底端固接有密封块44；当晶片15离子注入时，利用滑动板14随电缸13输出端上升，带动一号支撑板4和二号支撑板41同时向上移动，一号支撑板4和二号支撑板41分别挤压密封块44上的滑杆43上滑，弹簧收缩受力，弹簧推动密封块44紧密贴合在一号支撑板4和二号支撑板41上，使得操作箱1内部密封，起到防尘防杂质的效果，并当离子剂量注入过大时，会产生有害气体，利用一号支撑板4和二号支撑板41将操作箱1内部密封，减少有害气体的散发。
所述一号支撑板4的内部开设有导气通道；所述一号支撑板4的内侧壁固接有马达5，且位于导气通道内；所述马达5的输出端固接有抽风扇叶51；所述操作箱1的内部开设有存储空腔；所述操作箱1的内部安装有净化器52，且位于存储空腔内；当操作箱1的内部产生有害气体时，利用转动盒21转动时带动吹风扇叶32将晶片15处的有害气体向周围散发，配合马达5的输出端带动抽风扇叶51转动抽风，马达5时可以远程控制开关的，将向周围散发的有害气体抽入导气通道内，顺着导气通道进入存储空腔内，利用净化器52对有害气体进行净化，降低有害气体的散发。
如图2至图5所示，所述操作箱1的内侧壁固接有固定块6；所述固定块6的侧壁呈圆弧形状；所述固定块6的底端固接有弹性拉绳61；所述弹性拉绳61的底端固接有密封板62，且密封板62位于存储空腔内；所述一号支撑板4的底端固接有波纹管63，且波纹管63一端固接操作箱1内侧壁；当操作箱1内部产生的有害气体较多时，利用抽风扇叶51将有害气体抽入导气通道内，有害气体掺和风力冲击密封板62上，将弹性拉绳61冲击伸长，气体进入操作箱1内部的存储空腔内存储，当风力减小时，弹性拉绳61拉拽密封板62将存储空腔密封，波纹管63起到与一号支撑板4底端连接的作用，用于连通操作箱1内部的存储空腔，使用净化器52进行空气净化，起到对有害气体密封净化的效果，同时起到降低有害气体的散发。
所述固定块6的顶端转动连接有转杆7；所述转杆7的侧壁固接有配合扇叶71；所述固定块6的内侧壁通过扭簧转动连接有连接板72；所述连接板72的底端固接有磁球73；所述操作箱1的内侧壁固接有磁块74；所述磁球73与磁块74相互靠近时能够异性相吸；当有害气体掺和风力吹入导气通道时，风力吹动配合扇叶71随转杆7转动在固定块6顶端，增强风力的冲击，风力将连接板72冲击转动，磁球73远离磁块74，有害气体掺和风力进入操作箱1内部的存储空腔内净化，当抽风扇叶51停止转动时磁球73与磁块74磁吸作用，利用连接板72对固定块6部位进行密封，进一步提高密封效果。
实施例二
如图6所示，对比实施例一，其中本发明的另一种实施方式为：所述二号支撑板41的内侧壁滑动连接有压块8；所述二号支撑板41的内部固接有控制开关81；所述控制开关81的端部固接有二号弹性件82，且二号弹性件82一端固接压块8底端；所述控制开关81通过线缆分别连接有空气质量传感器83和警报器84，且空气质量传感器83与警报器84之间信号连接；当二号支撑板41和一号支撑板4上升被密封块44挤压密封操作箱1时，利用密封块44挤压压块8下滑，压块8压合控制开关81上实现将空气质量传感器83和磁块74的电源同时开启，二号弹性件82收缩受力，当操作箱1内部的有害气体或者操作箱1内部工作高温时，空气质量传感器83会监测到问题并发送信号给警报器84，警报器84发出闪光并警报，起到警示的效果，并且降低对空气质量传感器83和警报器84的电源使用，同时利用二号弹性件82挤压压块8压合密封块44上，进一步提高对操作箱1内部的密封效果。
工作原理，当对晶片15进行离子注入时，将晶片15放入操作箱1的内部，并依靠转动组件对使用晶片15的侧壁进行固定，配合电缸13的输出端上升或下降，带动滑动板14上的转动组件升降，调节晶片15的注入距离，当晶片15靠近离子注入器12的注射口较近时，注入的速度也就随着距离的缩短随之提高，有效的降低注入速度对晶片15的结构影响，同时利用转动组件对晶片15进行适应性固定，并进行方向调节，便于精准的控制注入方向，提高对晶片15的离子注入效果；当晶片15放入操作箱1的内部时，将晶片15卡入两组橡胶块23的内部，橡胶块23紧密包裹晶片15的侧壁，配合滑动压板22起到对晶片15固定的作用，当调节晶片15的注入距离后，可以利用电机2输出端的转动，带动转动盒21转动调节方向，晶片15随之转动调节注入的位置，提高对晶片15离子注入时的方位精准把控；由于需要对不同大小的晶片15进行固定适应，将晶片15卡入两组橡胶块23的内部，并依靠滑动压板22挤压一号弹性件31，提高对晶片15夹持固定的紧密效果，配合转动盒21随电机2转动时，带动吹风扇叶32随转轴转动在固定杆3的内侧壁抽风，起到对晶片15处抽风散热的效果，同时一号弹性件31套接在固定杆3的侧壁，利用固定杆3起到对一号弹性件31支撑的效果，并且当晶片15注入的剂量过大时容易产生有害气体，利用电机2转动带动吹风扇叶32抽风，可以快速对有害气体散发；当晶片15离子注入时，利用滑动板14随电缸13输出端上升，带动一号支撑板4和二号支撑板41同时向上移动，一号支撑板4和二号支撑板41分别挤压密封块44上的滑杆43上滑，弹簧收缩受力，弹簧推动密封块44紧密贴合在一号支撑板4和二号支撑板41上，使得操作箱1内部密封，起到防尘防杂质的效果，并当离子剂量注入过大时，会产生有害气体，利用一号支撑板4和二号支撑板41将操作箱1内部密封，减少有害气体的散发；当操作箱1的内部产生有害气体时，利用转动盒21转动时带动吹风扇叶32将晶片15处的有害气体向周围散发，配合马达5的输出端带动抽风扇叶51转动抽风，马达5时可以远程控制开关的，将向周围散发的有害气体抽入导气通道内，顺着导气通道进入存储空腔内，利用净化器52对有害气体进行净化，降低有害气体的散发；当操作箱1内部产生的有害气体较多时，利用抽风扇叶51将有害气体抽入导气通道内，有害气体掺和风力冲击密封板62上，将弹性拉绳61冲击伸长，气体进入操作箱1内部的存储空腔内存储，当风力减小时，弹性拉绳61拉拽密封板62将存储空腔密封，波纹管63起到与一号支撑板4底端连接的作用，用于连通操作箱1内部的存储空腔，使用净化器52进行空气净化，起到对有害气体密封净化的效果，同时起到降低有害气体的散发；当有害气体掺和风力吹入导气通道时，风力吹动配合扇叶71随转杆7转动在固定块6顶端，增强风力的冲击，风力将连接板72冲击转动，磁球73远离磁块74，有害气体掺和风力进入操作箱1内部的存储空腔内净化，当抽风扇叶51停止转动时磁球73与磁块74磁吸作用，利用连接板72对固定块6部位进行密封，进一步提高密封效果。
上述前、后、左、右、上、下均以说明书附图中的图1为基准，按照人物观察视角为标准，装置面对观察者的一面定义为前，观察者左侧定义为左，依次类推。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：该制备方法步骤如下；
S1：首先取衬底，在衬底的正面形成场氧层，利用终端保护环光刻版光刻和刻蚀场氧层，并且使用离子注入设备往刻蚀开区域的衬底内注入P型离子，并使用调节装置进行控制调节，形成终端保护环；
S2：接着使用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，并以光刻胶向衬底内注入N型离子，在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积多晶硅，并形成保护层，使用多晶硅光刻版光刻并刻蚀掉多余的多晶硅和保护层,形成多晶硅栅,然后对N型离子的注入区域进行推结后，形成载流子增强区；
S3：接着用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区，然后利用多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子,推结后形成N型重掺杂区，在多晶硅栅两侧形成侧墙,再向所述N型重掺杂区内注入P型离子,推结后形成P型重掺杂区；
S4：接着在去除保护层后，向多晶硅栅进行多晶硅注入掺杂，形成层间介质，对绝缘栅双极型晶体管的正面金属化工艺,进行背面减薄、P型离子注入及退火工艺，最后对绝缘栅双极型晶体管的背面进行金属化工艺，即可制备完成。
2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述S1中的离子注入设备使用时，配合使用设备内的调节装置对晶片(15)进行方向和位置的调节，用于控制对晶片(15)的注入速度和注入剂量。
3.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述S1中的离子注入设备包括操作箱(1)和离子注入器(12)；所述离子注入器(12)固接在操作箱(1)的内部；所述操作箱(1)的内部固接有电缸(13)；所述电缸(13)的输出端固接有滑动板(14)；所述滑动板(14)的顶端设置有晶片(15)；所述滑动板(14)的顶端设置有转动组件，转动组件用于对晶片(15)转动使用。
4.根据权利要求3所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述转动组件包括电机(2)、转动盒(21)、滑动压板(22)和橡胶块(23)；所述电机(2)固接在滑动板(14)的内部；所述转动盒(21)固接在电机(2)的输出端；所述滑动压板(22)滑动连接在转动盒(21)的内侧壁；所述橡胶块(23)固接在滑动压板(22)的内侧壁；所述晶片(15)插接在两组橡胶块(23)之间。
5.根据权利要求4所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述转动盒(21)的内侧壁固接有固定杆(3)；所述滑动压板(22)的内侧壁固接有一号弹性件(31)，且一号弹性件(31)一端固接转动盒(21)侧壁；所述一号弹性件(31)套接在固定杆(3)侧壁；所述固定杆(3)的内侧壁通过转轴转动连接有吹风扇叶(32)。
6.根据权利要求3所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述滑动板(14)的侧壁固接有一号支撑板(4)；所述滑动板(14)的侧壁固接有二号支撑板(41)；所述操作箱(1)的内侧壁固接有固定板(42)；所述固定板(42)的内侧壁通过弹簧滑动连接有滑杆(43)；所述滑杆(43)的底端固接有密封块(44)。
7.根据权利要求6所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述一号支撑板(4)的内部开设有导气通道；所述一号支撑板(4)的内侧壁固接有马达(5)，且位于导气通道内；所述马达(5)的输出端固接有抽风扇叶(51)；所述操作箱(1)的内部开设有存储空腔；所述操作箱(1)的内部安装有净化器(52)，且位于存储空腔内。
8.根据权利要求7所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述操作箱(1)的内侧壁固接有固定块(6)；所述固定块(6)的侧壁呈圆弧形状；所述固定块(6)的底端固接有弹性拉绳(61)；所述弹性拉绳(61)的底端固接有密封板(62)，且密封板(62)位于存储空腔内；所述一号支撑板(4)的底端固接有波纹管(63)，且波纹管(63)一端固接操作箱(1)内侧壁。
9.根据权利要求8所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述固定块(6)的顶端转动连接有转杆(7)；所述转杆(7)的侧壁固接有配合扇叶(71)；所述固定块(6)的内侧壁通过扭簧转动连接有连接板(72)；所述连接板(72)的底端固接有磁球(73)；所述操作箱(1)的内侧壁固接有磁块(74)；所述磁球(73)与磁块(74)相互靠近时能够异性相吸。
10.根据权利要求6所述的一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述二号支撑板(41)的内侧壁滑动连接有压块(8)；所述二号支撑板(41)的内部固接有控制开关(81)；所述控制开关(81)的端部固接有二号弹性件(82)，且二号弹性件(82)一端固接压块(8)底端；所述控制开关(81)通过线缆分别连接有空气质量传感器(83)和警报器(84)，且空气质量传感器(83)与警报器(84)之间信号连接。
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2022
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