CN115233156A - 约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结制备方法，包括以下步骤：向工艺腔内通入氩气和氮气，在氩气和氮气的作用下通过靶材对工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法的有益效果在于：通过向密闭的工艺腔内通入氩气和氮气，并电离氩气和氮气得到氮离子体和氩离子体，氩离子体轰击工艺腔上侧的靶材得到靶材的原子团，靶材的原子团与氮离子体结合在约瑟夫森结的表面形成一层靶材氮化物，靶材氮化物层的形成能够避免约瑟夫森结的顶层金属层于空气接触，避免顶层金属层氧化，进而能够提升约瑟夫森结的稳定性，降低约瑟夫森结造成的器件扰动频次以及幅度。

Description

约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结
技术领域
本发明涉及超导芯片技术领域，尤其涉及一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。
背景技术
量子计算机是基于量子力学进行信息处理和运算的装置，相较于经典计算机，在计算速度上展现了极强的优越性，其出现标志着量子科技时代的到来。量子芯片是实现量子计算的关键器件。到目前为止，大量的研究热点集中在基于约瑟夫森结(阵列)的超导量子比特系统，因其具有高的门操作保真度、好的系统集成度和可兼容传统半导体的成熟加工工艺等优势而被广泛研究，使得约瑟夫森结的超导量子比特体系是实现量子计算的重要体系之一。
制备高品质、高稳定性的约瑟夫森结是保证量子比特性能的关键。现有的超导约瑟夫森结是一种三层薄膜构成的结构，上下两层均为可在低温超导的金属，如铌膜或者铝膜，中间夹一层绝缘层，通常是一层三氧化二铝。约瑟夫森结主要基于超导体的量子隧穿效应，因此除了中间的绝缘层外，超导金属层本身的质量也对器件的特性有着很大的影响。
约瑟夫森结大多以串联结阵的方式共同组成系统，因此要求所有的器件性能都高度一致，任何一个器件出现的小的扰动都会造成系统整体特性的退化。由于约瑟夫森结自身结构的特点，容易造成器件性能不同幅度的波动。
因此，需要设计一种高品质、高稳定性且可规模化的约瑟夫森结。
发明内容
本发明的目的在于提供一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结，用以解决现有技术中约瑟夫森结稳定性差、容易造成器件性能波动的问题。
第一方面，本发明提供了一种约瑟夫森结制备方法，包括以下步骤：
向工艺腔内通入氩气和氮气，在所述氩气和所述氮气的作用下通过靶材对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。
本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法的有益效果在于：通过向密闭的工艺腔内通入氩气和氮气，并电离所述氩气和所述氮气得到氮离子体和氩离子体，所述氩离子体轰击所述工艺腔上侧的靶材得到靶材的原子团，所述靶材的原子团与氮离子体结合在所述约瑟夫森结的表面形成一层靶材氮化物，所述靶材氮化物层的形成能够避免所述约瑟夫森结的顶层金属层于空气接触，避免所述顶层金属层氧化，进而能够提升所述约瑟夫森结的稳定性，降低所述约瑟夫森结造成的器件扰动频次以及幅度。
在一种可行的方案中，所述进行镀膜时，所述工艺腔内的真空度为3×10-8Torr至5×10-8Torr。
在一种可行的方案中，所述向工艺腔内通入氩气时，所述氩气的流速为60sccm至80sccm。
在一种可行的方案中，所述向工艺腔内通入氮气时，所述氮气的流速为40sccm至60sccm。
在一种可行的方案中，所述进行镀膜时用于电离所述氩气、所述氮气和所述靶材的射频功率为3800W至5200W。
在一种可行的方案中，所述氮化层的厚度为所述约瑟夫森结厚度的3％至8％。
在一种可行的方案中，在所述向工艺腔内通入氩气和氮气之前，还包括：在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备；完成后对所述工艺腔进行抽真空。其有益效果在于：通过在所述工艺腔内进行所述约瑟夫森结的制备，并在所述工艺腔内完成所述靶材氮化物层的制备，可以最大限度减少转移过程造成的干扰。
在一种可行的方案中，所述在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备，具体包括：将衬底移动至所述工艺腔内，在所述衬底上对所述约瑟夫森结的底层金属层进行制备；将镀有所述底层金属层的所述衬底移动至介质镀膜室，进行绝缘层的制备；将镀有所述绝缘层和所述底层金属层的所述衬底移动至所述工艺腔，进行顶层金属层的制备，所述衬底、所述底层金属层、所述绝缘层和所述顶层金属层构成所述约瑟夫森结。其有益效果在于：通过在所述工艺腔内完成所述约瑟夫森结的顶层金属层和底层金属层的制备，使得所述顶层金属层和所述底层金属层的制备工位相同，提升所述工艺腔的使用频次，降低工艺设备的占地空间。
在一种可行的方案中，所述氮化层的厚度为所述顶层金属层厚度的10％至20％。
在一种可行的方案中，在所述将衬底移动至所述工艺腔内之前，还包括：对所述衬底进行清洗。其有益效果在于：这样设置能够保证镀膜前衬底的清洁度。
第二方面，本发明提供了一种约瑟夫森结，所述约瑟夫森结通过上述第一方面中任意一种可行的方案中所述的约瑟夫森结制备方法得到。
附图说明
图1为本发明实施例中约瑟夫森结的结构示意图。
图中标号：
1、衬底；
2、底层金属层；
3、绝缘层；
4、顶层金属层；
5、氮化物层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题，本发明的实施例提供了一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。
本发明的一些实施例中，所述约瑟夫森结制备方法包括以下步骤：向工艺腔内通入氩气和氮气，在所述氩气和所述氮气的作用下通过靶材对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。
本发明的一些具体实施例中，所述工艺腔为进行沉积镀膜的密闭腔室，腔室设置有电离器件对腔室内的气体进行电离，腔室的侧壁连接有供气单元用于向所述工艺腔内通入氩气和氮气，腔体内部空间的上侧部分设有用于沉积的靶材，通过电离使氩气成为氩等离子体，等离子体轰击靶材，靶材的原子团向下方运动，同时电离所述氮气产生氮等离子体，靶材的原子团与所述氮等离子体结合，对位于靶材下方的所述约瑟夫森结进行沉积镀膜，使得所述约瑟夫森结表面形成一层靶材氮化物层5，能够避免所述约瑟夫森结的顶层金属层4与空气接触，避免所述顶层金属层4发生氧化，提升制备后约瑟夫森结的稳定性和质量，降低约瑟夫森结连接在系统时系统内的器件波动。
在一些实施例中，所述靶材为金属材料制成。
本发明的一些实施例中，所述工艺腔内的真空度为3×10-8Torr至5×10-8Torr。
本发明的一些具体实施例中，向所述工艺腔内通入氩气和氮气腔，对所述工艺腔进行抽真空，所述工艺腔内的真空度为4×10-8Torr。
在一些实施例中，所述工艺腔内的真空度为3×10-8Torr或5×10-8Torr。
本发明的一些实施例中，所述向工艺腔内通入氩气时，所述氩气的流速为60sccm至80sccm。
本发明的一些具体实施例中，所述向工艺腔内通入氩气时，所述氩气的流速为70sccm。
在一些实施例中，所述向工艺腔内通入氩气时，所述氩气的流速为60sccm或80sccm。
本发明的一些实施例中，所述向工艺腔内通入氮气时，所述氮气的流速为40sccm至60sccm。
本发明的一些具体实施例中，所述向工艺腔内通入氮气时，所述氮气的流速为50sccm。
在一些实施例中，所述向工艺腔内通入氮气时，所述氮气的流速为40sccm或60sccm。
本发明的一些实施例中，所述进行镀膜时用于电离所述氩气、所述氮气和所述靶材的射频功率为3800W至5200W。
本发明的一些具体实施例中，所述进行镀膜时用于电离所述氩气、所述氮气和所述靶材的射频功率为4500W。
在一些实施例中，所述进行镀膜时用于电离所述氩气、所述氮气和所述靶材的射频功率为3800W、4000W、5000W或5200W。
本发明的一些实施例中，所述氮化层的厚度为所述约瑟夫森结厚度的3％至8％。
本发明的一些具体实施例中，所述氮化层的厚度为所述约瑟夫森结厚度的5％。
在一些实施例中，所述氮化层的厚度为所述约瑟夫森结厚度的3％或8％。
本发明的一些实施例中，在所述向工艺腔内通入氩气和氮气之前，还包括：在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备；完成后对所述工艺腔进行抽真空。
本发明的一些具体实施例中，所述在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备指的是在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结的顶层金属层4进行制备，完成后对所述工艺腔进行抽真空操作，之后向所述工艺腔内通入氩气和氮气对进行顶层金属层4制备后的所述约瑟夫森结进行氮化层的制备。
在一些实施例中，所述氮化层的靶材与所述金属层的靶材相同，这样在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结的顶层金属层4完成制备后无需更换靶材。
在一些实施例中，所述靶材的制成材料为铌、铝或钛。
在一些实施例中，所述氮气和所述氩气通过不同的管路输送至所述工艺腔内。
本发明的一些实施例中，所述在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备，具体包括：将衬底1移动至所述工艺腔内，在所述衬底1上对所述约瑟夫森结的底层金属层2进行制备；将镀有所述底层金属层2的所述衬底1移动至介质镀膜室，进行绝缘层3的制备；将镀有所述绝缘层3和所述底层金属层2的所述衬底1移动至所述工艺腔，进行顶层金属层4的制备，所述衬底1、所述底层金属层2、所述绝缘层3和所述顶层金属层4构成所述约瑟夫森结。
在一些实施例中，对所述底层金属层2进行制备具体包括：对所述工艺腔进行抽真空，向所述工艺腔内通入氩气，电离所述氩气产生氩等离子体，氩等离子体轰击所述工艺腔上侧的靶材产生靶材原子团，靶材原子团向下运动对位于下侧的衬底1进行镀膜。
在一些实施例中，完成底层金属层2的制备后，对所述工艺腔进行抽真空。
本发明的一些实施例中，所述氮化层的厚度为所述顶层金属层4厚度的10％至20％。
本发明的一些具体实施例中，所述氮化层的厚度为所述顶层金属层4厚度的10％、15％或20％。
在一些实施例中，在所述将衬底1移动至所述工艺腔内之前，还包括：对所述衬底1进行清洗。
图1为本发明实施例中约瑟夫森结的结构示意图。
本发明的一些实施例中，参照图1，所述约瑟夫森结通过上述任意一种实施例中所述的约瑟夫森结制备方法得到。
本发明的一些具体实施例中，所述约瑟夫森结为五层结构，从下至上依次为衬底1、底层金属层2、绝缘层3、顶层金属层4和氮化物层5。
实施例1
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为70sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例2
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到5×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为70sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例3
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为80sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例4
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为70sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以5000W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例5
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例6
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为40sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例7
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到4×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4000W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例8
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到5×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4500W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
实施例9
对所述工艺腔进行抽真空，直至所述工艺腔内的真空度达到3×10-8Torr，停止抽真空操作，之后以流速为60sccm的速度向所述工艺腔内通入氩气，并以流速为50sccm的速度向所述工艺腔内通入氮气，同时以4000W的功率设定开启电离器件对所述工艺腔内的氮气、氩气和靶材进行电离，对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行氮化层的镀膜工作。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (11)

1.一种约瑟夫森结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
向工艺腔内通入氩气和氮气，在所述氩气和所述氮气的作用下通过靶材对所述工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行镀膜时，所述工艺腔内的真空度为3×10-8Torr至5×10-8Torr。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向工艺腔内通入氩气时，所述氩气的流速为60sccm至80sccm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向工艺腔内通入氮气时，所述氮气的流速为40sccm至60sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行镀膜时用于电离所述氩气、所述氮气和所述靶材的射频功率为3800W至5200W。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为所述约瑟夫森结厚度的3％至8％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述向工艺腔内通入氩气和氮气之前，还包括：
在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备；
完成后对所述工艺腔进行抽真空。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述工艺腔内对所述约瑟夫森结进行制备，具体包括：
将衬底移动至所述工艺腔内，在所述衬底上对所述约瑟夫森结的底层金属层进行制备；
将镀有所述底层金属层的所述衬底移动至介质镀膜室，进行绝缘层的制备；
将镀有所述绝缘层和所述底层金属层的所述衬底移动至所述工艺腔，进行顶层金属层的制备，所述衬底、所述底层金属层、所述绝缘层和所述顶层金属层构成所述约瑟夫森结。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为所述顶层金属层厚度的10％至20％。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将衬底移动至所述工艺腔内之前，还包括：
对所述衬底进行清洗。
11.一种约瑟夫森结，其特征在于，所述约瑟夫森结通过权利要求1至10中任意一种所述的约瑟夫森结制备方法得到。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115835768A (zh) * 2023-02-10 2023-03-21 材料科学姑苏实验室 一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560350A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 被覆件及其制造方法
US20150119252A1 (en) * 2012-03-08 2015-04-30 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits
US20210313507A1 (en) * 2020-04-01 2021-10-07 Alibaba Group Holding Limited Hard mask and preparation method thereof, preparation method of josephson junction, and superconducting circuit
CN114361325A (zh) * 2021-12-21 2022-04-15 华东计算技术研究所（中国电子科技集团公司第三十二研究所） 集成分子束外延的新型约瑟夫森结制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560350A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 被覆件及其制造方法
US20150119252A1 (en) * 2012-03-08 2015-04-30 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits
US20210313507A1 (en) * 2020-04-01 2021-10-07 Alibaba Group Holding Limited Hard mask and preparation method thereof, preparation method of josephson junction, and superconducting circuit
CN114361325A (zh) * 2021-12-21 2022-04-15 华东计算技术研究所（中国电子科技集团公司第三十二研究所） 集成分子束外延的新型约瑟夫森结制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115835768A (zh) * 2023-02-10 2023-03-21 材料科学姑苏实验室 一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片

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