CN115207040A - 显示装置 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 61
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 101100058967 Arabidopsis thaliana CALS8 gene Proteins 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 101100058964 Arabidopsis thaliana CALS5 gene Proteins 0.000 description 14
- 101100192828 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PXA2 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100377798 Arabidopsis thaliana ABCD1 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100191603 Arabidopsis thaliana PRT6 gene Proteins 0.000 description 10
- 101150020779 PXA1 gene Proteins 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 101000639970 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 1 Proteins 0.000 description 8
- 102100033927 Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 1 Human genes 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101001094079 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Proteins 0.000 description 6
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 6
- 102100035242 Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Human genes 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 5
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 5
- 101100058961 Arabidopsis thaliana CALS2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100287040 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ARG82 gene Proteins 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100058970 Arabidopsis thaliana CALS11 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100341076 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) IPK1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
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- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
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- G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
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Abstract
一种显示装置可以包括设置成彼此相邻的多个像素电路,所述多个像素电路包括设置成分别与所述多个像素电路相对应的多个有源图案。所述多个有源图案中的每一者包括施加有初始化电压的第一初始化沟道区、施加有所述初始化电压的第二初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第三初始化沟道区,所述多个有源图案中的所述每一者的所述第二初始化沟道区连接到相邻的所述有源图案的所述第一初始化沟道区,并且所述第三初始化沟道区的第一端部区连接在所述第一初始化沟道区与所述第二初始化沟道区之间。
Description
技术领域
实施例涉及一种显示装置。更具体地,实施例涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
显示装置可以通过像素显示图像。为此,像素可以包括像素电路和发光元件。像素电路可以包括产生驱动电流的多个晶体管以及电容器。发光元件可以基于驱动电流而发射光。
为了形成晶体管,必须形成接触孔以将设置在上级的导电材料和设置在下级的导电材料彼此连接。然而,在接触孔形成在有限区域的区中,接触孔可能不会正常形成。因此,由于有缺陷的接触孔,信号可能无法通过导电材料传输。
此外,每个像素电路的晶体管可以包括包含半导体材料的有源图案。同时,当有源图案彼此电分离时,有源图案可能被在显示装置的制造过程或使用期间引入的静电损坏。
发明内容
实施例可以提供一种具有改善的显示质量的显示装置。
根据实施例的显示装置可以包括设置成彼此相邻的多个像素电路,所述多个像素电路包括设置成分别与所述多个像素电路相对应的多个有源图案。所述多个有源图案中的每一者包括施加有初始化电压的第一初始化沟道区、施加有所述初始化电压的第二初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第三初始化沟道区,所述多个有源图案中的所述每一者的所述第二初始化沟道区可以连接到相邻的所述有源图案的所述第一初始化沟道区,并且所述第三初始化沟道区的第一端部区连接在所述第一初始化沟道区与所述第二初始化沟道区之间。
在实施例中,所述多个像素电路可以沿着在第一方向上延伸的多个像素行以及在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个像素列布置,与一个像素行相对应的所述多个有源图案彼此连接,并且与一个像素列相对应的所述多个有源图案彼此连接。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括在一个方向上延伸并且设置在所述有源图案上的初始化控制信号传输线。所述初始化控制信号传输线可以与所述第一初始化沟道区的一部分、所述第二初始化沟道区的一部分以及所述第三初始化沟道区的一部分重叠。
在实施例中,所述多个有源图案中的所述每一者可以进一步包括初始化电压传输区,所述初始化电压传输区连接到与所述第三初始化沟道区的所述第一端部区相对的第二端部区。
在实施例中,所述多个有源图案中的所述每一者可以进一步包括与数据信号相对应的驱动电流所流过的驱动沟道区。所述显示装置可以进一步包括驱动栅极电极,所述驱动栅极电极设置在所述有源图案的所述驱动沟道区上以与所述驱动沟道区重叠并且施加所述初始化电压。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括连接电极,所述连接电极设置在所述初始化电压传输区和所述驱动栅极电极上,并且连接所述初始化电压传输区和所述驱动栅极电极。
在实施例中,所述多个像素电路中的所述每一者可以进一步包括设置在所述驱动栅极电极上的电容器电极。电源电压被施加到所述电容器电极。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括初始化电压传输线,所述初始化电压传输线在一个方向上延伸,施加所述初始化电压,并且设置在所述有源图案上。所述初始化电压传输线可以与所述第一初始化沟道区的一部分重叠。
在实施例中,所述多个像素电路可以包括包括设置成沿着所述一个方向彼此相邻的第一像素电路和第二像素电路,并且所述第一像素电路的第二初始化沟道区可以连接到所述第二像素电路的第一初始化沟道区。
在实施例中,所述初始化电压从所述初始化电压传输线被施加到所述第一像素电路的第一初始化沟道区,并且所述第一像素电路的所述第二初始化沟道区可以接收来自所述第二像素电路的所述第一初始化沟道区的所述初始化电压。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括设置在所述初始化电压传输线上的连接电极。所述连接电极可以连接所述初始化电压传输线和所述有源图案的所述第一初始化沟道区。
根据实施例的显示装置可以包括第一像素电路以及第二像素电路,所述第二像素电路设置成沿着第一方向与所述第一像素电路相邻,并且连接到所述第一像素电路。所述第一像素电路可以第一有源图案,所述第一有源图案包括施加有初始化电压的第一初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第二初始化沟道区,所述第二像素电路可以第二有源图案,所述第二有源图案包括施加有所述初始化电压的第三初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第四初始化沟道区,并且所述第三初始化沟道区可以连接到所述第二初始化沟道区,并且将所述初始化电压从所述第三初始化沟道区传送到所述第二初始化沟道区。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括第三像素电路,所述第三像素电路设置成沿着与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一像素电路相邻,并且电连接到所述第一像素电路。所述第三像素电路可以包括连接到所述第一有源图案的第三有源图案。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括初始化控制信号传输线,所述初始化控制信号传输线在所述第一方向上延伸,施加栅极信号,并且设置在所述第一有源图案和所述第二有源图案上。所述初始化控制信号传输线可以与所述第一初始化沟道区至第三初始化沟道区重叠。
在实施例中,所述第一有源图案可以包括连接在所述第一初始化沟道区与所述第二初始化沟道区之间的第五初始化沟道区以及连接到所述第五初始化沟道区的第一初始化电压传输区,所述第二有源区图案可以包括连接在所述第三初始化沟道区与所述第四初始化沟道区之间的第六初始化沟道区以及连接到所述第六初始化沟道区的第二初始化电压传输区,并且所述初始化控制信号传输线可以与所述第五初始化沟道区的一部分以及所述第六初始化沟道区的一部分重叠。
在实施例中,所述第一有源图案可以包括与第一数据信号相对应的驱动电流所流过的第一驱动沟道区并且所述第二有源图案包括与第二数据信号相对应的驱动电流所流过的第二驱动沟道区,并且所述显示装置可以进一步包括:第一驱动栅极电极,所述第一驱动栅极电极设置在所述第一驱动沟道区上,与所述第一驱动沟道区重叠,并且施加所述初始化电压;以及第二驱动栅极电极,所述第二驱动栅极电极设置在所述第二驱动沟道区上,与所述第二驱动沟道区重叠,并且施加所述初始化电压。
在实施例中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的所述每一者可以进一步包括:第一连接电极,所述第一连接电极设置在所述第一初始化电压传输区和所述第一驱动栅极电极上,并且连接所述第一初始化电压传输区和所述第一驱动栅极电极;以及第二连接电极,所述第二连接电极设置在所述第二初始化电压传输区和所述第二驱动栅极电极上,并且连接所述第二初始化电压传输区和所述第二驱动栅极电极。
在实施例中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的所述每一者可以进一步包括电容器电极,所述电容器电极设置在所述第一驱动栅极电极和所述第二驱动栅极电极中的每一者上,并且施加电源电压。
在实施例中,所述显示装置可以进一步包括初始化电压传输线,所述初始化电压传输线沿着第一方向延伸,施加所述初始化电压,并且设置在所述第一有源图案和所述第二有源图案上。所述初始化电压传输线可以与所述第一初始化沟道区的一部分和所述第三初始化沟道区的一部分重叠。
在实施例中,所述初始化电压可以从所述初始化电压传输线被施加到所述第一初始化沟道区,并且所述第二初始化沟道区可以传输来自所述第三初始化沟道区的所述初始化电压。
在实施例中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的每一者可以进一步包括:第一连接电极,所述第一连接电极设置在所述初始化电压传输线上,并且连接所述初始化电压传输线和所述第一初始化沟道区;以及第二连接电极,所述第二连接电极设置在所述初始化电压传输线上,并且连接所述初始化电压传输线和所述第三初始化沟道区。
在根据本发明构思的实施例的显示装置中,一个像素的有源图案可以连接到相邻像素的有源图案。因此,一个像素可以接收来自相邻像素的电信号(例如,初始化电压等),并且因而,即使当由于在一个像素中形成了不良接触孔而导致信号不能被正常传输时,这一个像素也可以通过接收来自相邻像素的信号而被正常地驱动。
附图说明
从以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
图2是示出包括在图1的显示装置中的一个像素的电路图。
图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是示出包括在图1的显示装置中的像素的布局图。
图10是示出沿着图9的线I-I'截取的截面的截面图。
图11是示出沿着图9的线II-II'截取的截面的截面图。
图12是示出根据实施例的电子装置的方框图。
图13是示出图12的电子装置实现为电视机的示例的图。
图14是示出图12的电子装置实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图对根据实施例的显示装置进行详细地说明。
图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
参照图1,显示装置可以包括显示面板DP、数据驱动器DDV、栅极驱动器GDV以及时序控制器CON。
显示装置可以通过显示面板DP显示图像。为此,显示面板DP可以包括多个像素P。多个像素P中的每一者可以包括像素电路PCP(参照图2)以及连接到像素电路PCP的发光元件LD(参照图2)。在一些实施例中,显示面板DP可以被配置为单个面板。或者,在实施例中,显示面板DP可以包括多个面板。
时序控制器CON可以响应于从外部提供的控制信号CTRL和输入图像数据IDAT而产生栅极控制信号GCTRL、数据控制信号DCTRL以及输出图像数据ODAT。例如,控制信号CTRL可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号等。例如,输入图像数据IDAT可以是包括红色(R)图像数据、绿色(G)图像数据以及蓝色(B)图像数据的RGB数据。或者,输入图像数据IDAT可以包括品红色图像数据、青色图像数据以及黄色图像数据。
栅极驱动器GDV可以响应于从时序控制器CON提供的栅极控制信号GCTRL而产生栅极信号。例如,栅极控制信号GCTRL可以包括垂直起始信号和时钟信号等。在实施例中,栅极驱动器GDV可以是栅极驱动器集成芯片(IC),并且栅极驱动器IC可以连接到显示面板DP。栅极驱动器GDV可以电连接到显示面板DP,并且顺序地输出栅极信号。像素P中的每一者可以根据对栅极信号中的每一者的控制来接收数据信号DATA(参照图2)。
数据驱动器DDV可以响应于从时序控制器CON提供的数据控制信号DCTRL和输出图像数据ODAT而产生数据信号DATA(参照图2)。例如,数据控制信号DCTRL可以包括输出数据使能信号、水平起始信号和负载信号等。在实施例中,数据驱动器DDV可以是数据驱动器IC,并且数据驱动器IC可以电连接到显示面板DP。数据驱动器DDV可以电连接到显示面板DP,并且可以产生多个数据信号DATA。像素P中的每一者可以显示具有与数据信号DATA中的每一者相对应的亮度的图像。
在实施例中,像素P可以布置在第一方向DR1以及与第一方向交叉的第二方向DR2上。也就是说,像素P可以以矩阵形式布置。因此,像素P可以包括在第一方向DR1上延伸的多个像素行PR以及在第二方向DR2上延伸的多个像素列PC。尽管在图1中示出像素P以矩阵形式布置,但是这是示例性的,并且像素P的布置不局限于此。与一个像素行PR相对应的有源图案彼此连接,并且与一个像素列PC相对应的有源图案彼此连接。
图2是示出包括在图1的显示装置中的一个像素的电路图。
参照图2,像素P中的每一者可以包括像素电路PCP和发光部分EP。像素电路PCP可以包括多个晶体管T1、T2、T3-1、T3-2、T4-1、T4-2、T5、T6、T7、T8以及存储电容器CST。发光部分EP可以包括发光元件LD。晶体管T1、T2、T3-1、T3-2、T4-1、T4-2、T5、T6、T7、T8可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3-1和T3-2、第四晶体管T4-1和T4-2、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7以及第八晶体管T8。
第一晶体管T1可以电连接到提供第一电源电压ELVDD的线和发光元件LD的第一电极,并且可以将与数据信号DATA相对应的驱动电流提供到发光元件LD。换句话说,第一晶体管T1可以是驱动晶体管。
第二晶体管T2可以连接到第一晶体管T1的第一电极,并且可以响应于数据控制信号GW而将数据信号DATA提供到第一晶体管T1的第一电极。换句话说,第二晶体管T2可以是开关晶体管。
第三晶体管T3-1和T3-2可以连接在第一晶体管T1的栅极电极与第二电极之间,并且可以通过响应于数据控制信号GW而二极管式连接第一晶体管T1来补偿第一晶体管T1的阈值电压。换句话说,第三晶体管T3-1和T3-2可以是补偿晶体管。
在实施例中,第三晶体管T3-1和T3-2可以包括第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2。第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2可以彼此串联连接。换句话说,第一补偿晶体管T3-1的栅极电极与第二补偿晶体管T3-2的栅极电极彼此连接,并且第一补偿晶体管T3-1的第二电极与第二补偿晶体管T3-2的第一电极彼此连接。
第四晶体管T4-1和T4-2可以连接到第一晶体管T1的栅极电极,并且可以响应于初始化控制信号GI而将初始化电压VINT提供到第一晶体管T1的栅极电极。换句话说,第四晶体管T4-1和T4-2可以是驱动初始化晶体管。
在实施例中,第四晶体管T4-1和T4-2可以包括第一驱动初始化晶体管T4-1和第二驱动初始化晶体管T4-2。第一驱动初始化晶体管T4-1和第二驱动初始化晶体管T4-2可以彼此串联连接。换句话说,第一驱动初始化晶体管T4-1的栅极电极和第二驱动初始化晶体管T4-2的栅极电极可以彼此连接。第一驱动初始化晶体管T4-1的第二电极和第二驱动初始化晶体管T4-2的第一电极可以彼此连接。
第五晶体管T5可以连接在提供第一电源电压ELVDD的线与第一晶体管T1的第一电极之间,并且第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1的第二电极与发光元件LD的第一电极之间。第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者可以响应于发光控制信号EM而将与数据信号DATA相对应的驱动电流提供到发光元件LD的第一电极。换句话说,第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者可以是发光控制晶体管。
第七晶体管T7可以连接在提供初始化电压VINT的线与发光元件LD的第一电极之间,并且可以响应于二极管初始化控制信号GB而将初始化电压VINT提供到发光元件LD的第一电极。换句话说,第七晶体管T7可以是二极管初始化晶体管。
第八晶体管T8可以连接到第一晶体管T1的栅极电极,并且可以响应于初始化控制信号GI而将初始化电压VINT提供到第一晶体管T1的栅极电极。换句话说,第八晶体管T8可以是驱动初始化晶体管。第八晶体管T8可以与第四晶体管T4-1和T4-2一起将初始化电压VINT提供到第一晶体管T1的栅极电极,从而可以改善显示装置的显示性能。例如,甚至当晶体管T4-2和T8中的一个不操作时,剩余的晶体管也可以将初始化电压VINT提供到第一晶体管T1的栅极电极。
发光部分EP可以以各种方式设置。例如,发光部分EP可以包括依次布置的发射红光、绿光和蓝光的发光元件LD。发光部分EP可以是以发射绿光、蓝光、绿光和红光的发光元件LD依次布置的PENTILETM方式来布置的。另外,发光元件LD可以包括以DIAMOND PIXELTM形状布置的一个红色发光元件、一个蓝色发光元件以及两个绿色发光元件。另外,在发光部分EP中,发光元件LD可以以S-stripe方式设置。
图3至图9是示出包括在图1的显示装置中的像素的布局图。
参照图1、图2和图3,显示装置可以包括有源层ACT。有源层ACT可以包括有源图案。可以连接有源图案以形成有源层ACT。有源图案可以分别设置成与像素电路区PXA1、PXA2、PXA3、PXA4、PXA5、PXA6相对应。有源图案中的每一者可以包括在像素电路PCP中。像素电路PCP可以设置成与像素电路区PXA1、PXA2、PXA3、PXA4、PXA5、PXA6相对应。例如,第一像素电路可以设置在第一像素电路区PXA1中,并且第二像素电路可以设置成沿着第一方向DR1与第一像素电路相邻。另外,第三像素电路可以设置成沿着第二方向DR2与第一像素电路相邻。
有源层ACT可以包括半导体材料。例如,有源层ACT可以包括氧化物基半导体材料或硅基半导体材料。
有源图案中的每一者可以包括第一初始化沟道区VI1、第二初始化沟道区VI2、第三初始化沟道区VI3以及初始化电压传输区VI4。初始化电压VINT可以被施加到第一初始化沟道区VI1、第二初始化沟道区VI2、第三初始化沟道区VI3以及初始化电压传输区VI4。在实施例中,设置在第一像素电路区PXA1中的有源图案的第二初始化沟道区VI2可以接收来自设置在第二像素电路区PXA2中的有源图案的第一初始化沟道区VI1的初始化电压VINT。为此,设置在第一像素电路区PXA1中的有源图案的第二初始化沟道区VI2可以连接到设置在第二像素电路区PXA2中的有源图案的第一初始化沟道区VI1。例如,设置在第一像素电路区PXA1中的有源图案的第二初始化沟道区VI2可以直接连接到设置在第二像素电路区PXA2中的有源图案的第一初始化沟道区VI1。
设置在像素电路区PXA1、PXA2、PXA3、PXA4、PXA5、PXA6中的有源图案可以彼此连接。也就是说,有源图案可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此连接。因此,有源层ACT可以具有网状结构。
由于有源图案在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此连接,所以被施加到有源图案的一部分的电荷分布在第一方向DR1和第二方向DR2上。因此,显示装置可以防止由静电引起的缺陷。
在平面图中,第三初始化沟道区VI3可以设置在第一初始化沟道区VI1与第二初始化沟道区VI2之间。被施加到第一初始化沟道区VI1的初始化电压VINT可以通过有源图案传送到第三初始化沟道区VI3。被施加到第二初始化沟道区VI2的初始化电压VINT可以通过有源图案传送到第三初始化沟道区VI3。
初始化电压传输区VI4的第一端部区可以连接到第三初始化沟道区VI3。例如,初始化电压传输区VI4的第一端部区可以直接连接到第三初始化沟道区VI3。初始化电压传输区VI4的第二端部区可以电连接到稍后描述的第二连接电极BE2(参照图8)。
尽管在图3中有源层ACT被示为包括六个有源图案,但是有源层ACT可以包括更多个在第一方向DR1和/或第二方向DR2上连接的有源图案。
参照图1、图2、图3和图4,显示装置可以进一步包括第一导电层GAT1。第一导电层GAT1可以设置在有源层ACT上。绝缘层可以设置在第一导电层GAT1与有源层ACT之间。绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。
第一导电层GAT1可以包括发光控制信号传输线GSL1、初始化控制信号传输线GSL2、数据控制信号传输线GSL3以及多个栅极电极GED1。
发光控制信号EM可以被施加到发光控制信号传输线GSL1,初始化控制信号GI或二极管初始化控制信号GB可以被施加到初始化控制信号传输线GSL2,并且数据控制信号GW可以被施加到数据控制信号传输线GSL3,并且栅极电极GED1可以通过稍后描述的第二连接电极BE2(参照图8)连接到有源层ACT的初始化电压传输区VI4。
参照图1、图2、图3、图4和图5,第一导电层GAT1和有源层ACT可以部分重叠。第一导电层GAT1和有源层ACT重叠的部分可以构成晶体管。也就是说,有源层ACT的每个重叠部分可以构成沟道区,并且沟道区的相邻区可以构成晶体管的源极区和漏极区。晶体管T1、T2、T3-1、T3-2、T4-1、T4-2、T5、T6、T7、T8设置在第一像素电路区PXA1中的区示出为图5中的示例。这在其它像素电路区PXA2、PXA3、PXA4、PXA5、PXA6中可以是相同的。
初始化控制信号传输线GSL2可以在第一方向DR1上延伸。初始化控制信号传输线GSL2可以与第一初始化沟道区VI1、第二初始化沟道区VI2以及第三初始化沟道区VI3重叠。因此,第一初始化沟道区VI1可以与初始化控制信号传输线GSL2一起构成第八晶体管T8,第二初始化沟道区VI2可以与初始化控制信号传输线GSL2一起构成第二驱动初始化晶体管T4-2,并且第三初始化沟道区VI3可以与初始化控制信号传输线GSL2一起构成第一驱动初始化晶体管T4-1。
数据控制信号传输线GSL3可以在第一方向DR1上延伸。数据控制信号传输线GSL3与有源图案重叠的部分可以分别构成第二晶体管T2、第一补偿晶体管T3-1以及第二补偿晶体管T3-2。
发光控制信号传输线GSL1与有源图案重叠的部分可以分别构成第五晶体管T5和第六晶体管T6。
驱动栅极电极GED1与有源图案重叠的部分可以构成第一晶体管T1。有源图案与驱动栅极电极GED1重叠的部分可以是驱动沟道区,与数据信号DATA相对应的驱动电流通过驱动沟道区流向发光元件LD。
参照图1、图2、图4和图6,显示装置可以进一步包括第二导电层GAT2。第二导电层GAT2可以设置在第一导电层GAT1上。绝缘层可以设置在第二导电层GAT2与第一导电层GAT1之间。
第二导电层GAT2可以包括电容器电极GED2和初始化电压传输线GSL4。第一电源电压ELVDD可以被施加到电容器电极GED2,并且初始化电压VINT可以被施加到初始化电压传输线GSL4。
参照图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7,电容器电极GED2可以设置成与驱动栅极电极GED1重叠。因此,电容器电极GED2可以与驱动栅极电极GED1一起构成存储电容器CST。
初始化电压传输线GSL4可以在第一方向DR1上延伸。初始化电压传输线GSL4可以与第一初始化沟道区VI1重叠。
参照图1、图2、图6和图8,显示装置可以进一步包括第三导电层SD。第三导电层SD可以设置在第二导电层GAT2上。绝缘层可以设置在第三导电层SD与第二导电层GAT2之间。
第三导电层SD可以包括数据传输线VSL1、电源电压传输线VSL2、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2以及第三连接电极BE3。
数据信号DATA可以被施加到数据传输线VSL1,并且第一电源电压ELVDD可以被施加到电源电压传输线VSL2。
参照图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9,第一连接电极BE1可以使有源层ACT和初始化电压传输线GSL4彼此连接。在实施例中,第一连接电极BE1可以电连接初始化电压传输线GSL4和有源图案的第一初始化沟道区VI1。第一连接电极BE1可以通过暴露第一初始化沟道区VI1和初始化电压传输线GSL4的接触孔分别连接到第一初始化沟道区VI1和初始化电压传输线GSL4。通过此,通过初始化电压传输线GSL4施加的初始化电压VINT可以通过第一连接电极BE1被施加到有源图案的第一初始化沟道区VI1。此后,初始化电压VINT可以被传送到相邻有源图案的第二初始化沟道区VI2。此外,初始化电压VINT可以被传送到第三初始化沟道区VI3。
第二连接电极BE2可以将从初始化电压传输区VI4传输的初始化电压VINT传送到驱动栅极电极GED1。第二连接电极BE2可以电连接有源层ACT和驱动栅极电极GED1。为此,第二连接电极BE2可以通过暴露有源层ACT和驱动栅极电极GED1的接触孔分别连接到有源层ACT和驱动栅极电极GED1。
第三连接电极BE3可以连接到发光元件LD。第三连接电极BE3可以连接到第六晶体管T6,并且可以在预定时间内将从第六晶体管T6传输的第一电源电压ELVDD施加到发光元件LD的阳极电极(即,参照图2描述的发光元件LD的第一电极)。也就是说,第三连接电极BE3可以通过形成于设置在第三连接电极BE3上方的绝缘层中的单独接触孔而连接到发光元件LD的阳极电极。
图10是示出沿着图9的线I-I'截取的截面的截面图。图10可以是包括在一个像素电路区中的第一初始化沟道区VI1和第三初始化沟道区VI3。
参照图9和图10,显示装置可以包括基底SUB、缓冲层BUF、有源层ACT、栅极绝缘层GI、初始化控制信号传输线GSL2和第一层间绝缘层ILD1、初始化电压传输线GSL4、第二层间绝缘层ILD2、第一连接电极BE1以及第二连接电极BE2。
基底SUB可以是由透明或不透明材料形成的。例如,基底SUB可以是石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底或无碱玻璃基底等。可选地,基底SUB可以包括柔性透明树脂基底。例如,透明树脂基底可以是聚酰亚胺基底。
缓冲层BUF可以设置在基底SUB上。缓冲层BUF可以防止金属原子或杂质从基底SUB扩散到有源层ACT。另外,缓冲层BUF可以在用于形成有源层ACT的结晶工艺中控制传热速率以获得基本上均匀的有源层ACT。
有源层ACT可以设置在缓冲层BUF上。在实施例中,有源层ACT可以包括多晶硅。在实施例中,有源层ACT可以包括氧化物半导体。例如,氧化物半导体可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)以及锌(Zn)中的至少一者的氧化物。
有源层ACT可以包括多个有源图案,并且有源图案可以设置成分别与多个像素电路区相对应。例如,有源图案可以设置成与图3的像素电路区PXA1、PXA2、PXA3、PXA4、PXA5、PXA6相对应。
栅极绝缘层GI可以设置成覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以包括硅化合物或金属氧化物等。
初始化控制信号传输线GSL2可以设置在栅极绝缘层GI上。初始化控制信号传输线GSL2与有源层ACT重叠的区域可以分别构成晶体管T4-1和T8。
第一层间绝缘层ILD1可以覆盖第二初始化控制信号传输线GSL2,并且可以设置在栅极绝缘层GI上。第一层间绝缘层ILD1可以包括硅化合物或金属氧化物等。
初始化电压传输线GSL4可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。图2的初始化电压VINT可以被施加到初始化电压传输线GSL4。
第二层间绝缘层ILD2可以覆盖初始化电压传输线GSL4,并且可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第二层间绝缘层ILD2可以包括硅化合物或金属氧化物等。
第一连接电极BE1和第二连接电极BE2可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一连接电极BE1可以通过接触孔连接到有源层ACT和初始化电压传输线GSL4。通过此,被施加到初始化电压传输线GSL4的初始化电压VINT(参照图2)可以通过第三初始化沟道区VI3而被传输到第二连接电极BE2。第二连接电极BE2可以通过接触孔而连接到有源层ACT。
图11是示出沿着图9的线II-II'截取的截面的截面图。图11的第三初始化沟道区VI3和第二初始化沟道区VI2以及图11的第一初始化沟道区VI1可以设置在不同的像素电路区中。即,图11的第三初始化沟道区VI3和第二初始化沟道区VI2可以设置在图9的第二像素电路区PXA2中,以及图11的第一初始化沟道区VI1可以设置在第三像素电路区PXA3中。
参照图9和图11,显示装置可以包括基底SUB、缓冲层BUF、有源层ACT、栅极绝缘层GI、初始化控制信号传输线GSL2、第一层间绝缘层ILD1、初始化电压传输线GSL4、第二层间绝缘层ILD2、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2、数据传输线VSL1以及电源电压传输线VSL2。
基底SUB可以由透明或不透明材料形成。缓冲层BUF可以设置在基底SUB上。有源层ACT可以设置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以设置成覆盖有源层ACT。
初始化控制信号传输线GSL2可以设置在栅极绝缘层GI上。初始化控制信号传输线GSL2与有源层ACT重叠的区域可以分别构成晶体管T4-1和T4-2的沟道区。
第一层间绝缘层ILD1可以覆盖初始化控制信号传输线GSL2,并且可以设置在栅极绝缘层GI上。初始化电压传输线GSL4可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。图2的初始化电压VINT可以被施加到初始化电压传输线GSL4。
第二层间绝缘层ILD2可以覆盖初始化电压传输线GSL4,并且可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。
第一连接电极BE1、第二连接电极BE2、数据传输线VSL1以及电源电压传输线VSL2可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一连接电极BE1可以通过暴露有源层ACT和初始化电压传输线GSL4的接触孔连接到有源层ACT和初始化电压传输线GSL4。通过此,被施加到初始化电压传输线GSL4的初始化电压VINT(参照图2)可以通过第二初始化沟道区VI2和第三初始化沟道区VI3传送到第二连接电极BE2。第二连接电极BE2可以通过接触孔连接到有源层ACT。
虽然已参考第二像素电路区PXA2和第三像素电路区PXA3描述了图11,但是图11的描述可以应用于其它像素电路区。例如,图11的描述可以同样地应用于第一像素电路区PXA1和第二像素电路区PXA2。在本发明构思中,为了提供初始化电压VINT(参照图2),即使在有限区域中形成有接触孔的区中的接触孔中出现缺陷,也可以通过额外路径施加初始化电压VINT。
图12是示出根据实施例的电子装置的方框图,图13是示出图12的电子装置实现为电视机的示例的视图,并且图14是示出图12的电子装置实现为电视机的示例的视图。
参照图12、图13和图14,电子装置500可以包括处理器510、存储器装置520、储存装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550以及显示装置560。在这种情况下,显示装置560可以与参考前述附图所描述的显示装置相对应。电子装置500可以进一步包括能够与显卡、声卡、存储卡和通用串行总线(USB)装置等通信的多个端口。在实施例中,如图13中所示,电子装置500可以实现为电视机。在另一实施例中,如图14中所示,电子装置500可以实现为智能电话。然而,电子装置500不局限于此,并且例如,电子装置500可以实现为移动电话、可视电话、智能平板、智能手表、平板计算机(PC)、车载导航系统。它可以实现为计算机监视器、笔记本计算机或头戴式显示器(HMD)等。
处理器510可以执行特定计算或任务。在实施例中,处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)或应用处理器(AP)等。处理器510可以通过地址总线、控制总线或数据总线等连接到其它组件。在实施例中,处理器510也可以连接到诸如外围组件互连(PCI)总线这样的扩展总线。
存储器装置520可以存储电子装置500的操作所需的数据。例如,存储器装置520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置和相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置的非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置的易失性存储器装置。
储存装置530可以包括固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、或只读光盘存储器(CD-ROM)等。输入/输出装置540可以包括诸如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏以及鼠标的输入装置以及诸如扬声器和打印机的输出装置。
根据实施例的显示装置可以应用于包括在计算机(例如,笔记本计算机)、移动电话、智能电话、智能平板、可携式媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)或动态影像专家压缩标准音频层面3(MP3)播放器等中的显示装置。
尽管已经参考附图描述了根据实施例的显示装置,但是图示的实施例是示例,并且可以由在相关技术领域具有普通知识的人在不脱离本公开的技术精神的情况下做出修改和改变。因此,本公开的范围不应受到所公开的实施例的限制,而是应根据包括实施例的等效物的所附的权利要求书来解释。
Claims (21)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
多个像素电路,所述多个像素电路设置成彼此相邻,所述多个像素电路包括设置成分别与所述多个像素电路相对应的多个有源图案,
其中,所述多个有源图案中的每一者包括施加有初始化电压的第一初始化沟道区、施加有所述初始化电压的第二初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第三初始化沟道区,
其中,所述多个有源图案中的所述每一者的所述第二初始化沟道区连接到相邻的所述有源图案的所述第一初始化沟道区,并且
其中,所述第三初始化沟道区的第一端部区连接在所述第一初始化沟道区与所述第二初始化沟道区之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个像素电路沿着在第一方向上延伸的多个像素行以及在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个像素列布置,与一个像素行相对应的所述多个有源图案彼此连接,并且与一个像素列相对应的所述多个有源图案彼此连接。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括在一个方向上延伸并且设置在所述有源图案上的初始化控制信号传输线,并且
其中,所述初始化控制信号传输线与所述第一初始化沟道区的一部分、所述第二初始化沟道区的一部分以及所述第三初始化沟道区的一部分重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述多个有源图案中的所述每一者进一步包括初始化电压传输区,所述初始化电压传输区连接到与所述第三初始化沟道区的所述第一端部区相对的第二端部区。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述多个有源图案中的所述每一者进一步包括与数据信号相对应的驱动电流所流过的驱动沟道区,并且
其中,所述显示装置进一步包括驱动栅极电极,所述驱动栅极电极设置在所述有源图案的所述驱动沟道区上以与所述驱动沟道区重叠并且施加所述初始化电压。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括连接电极,所述连接电极设置在所述初始化电压传输区和所述驱动栅极电极上,并且连接所述初始化电压传输区和所述驱动栅极电极。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个像素电路中的所述每一者进一步包括设置在所述驱动栅极电极上的电容器电极,并且
其中,电源电压被施加到所述电容器电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括初始化电压传输线,所述初始化电压传输线在一个方向上延伸,施加所述初始化电压,并且设置在所述有源图案上,并且
其中,所述初始化电压传输线与所述第一初始化沟道区的一部分重叠。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述多个像素电路包括设置成沿着所述一个方向彼此相邻的第一像素电路和第二像素电路,并且
其中,所述第一像素电路的第二初始化沟道区连接到所述第二像素电路的第一初始化沟道区。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述初始化电压从所述初始化电压传输线被施加到所述第一像素电路的第一初始化沟道区,并且
其中,所述第一像素电路的所述第二初始化沟道区接收来自所述第二像素电路的所述第一初始化沟道区的所述初始化电压。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括设置在所述初始化电压传输线上的连接电极,并且
其中,所述连接电极连接所述初始化电压传输线和所述有源图案的所述第一初始化沟道区。
12.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
第一像素电路;以及
第二像素电路,所述第二像素电路设置成沿着第一方向与所述第一像素电路相邻,并且连接到所述第一像素电路,
其中,所述第一像素电路包括第一有源图案,所述第一有源图案包括施加有初始化电压的第一初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第二初始化沟道区,
其中,所述第二像素电路包括第二有源图案,所述第二有源图案包括施加有所述初始化电压的第三初始化沟道区以及施加有所述初始化电压的第四初始化沟道区,并且
其中,所述第三初始化沟道区连接到所述第二初始化沟道区,并且将所述初始化电压从所述第三初始化沟道区传送到所述第二初始化沟道区。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括:
第三像素电路,所述第三像素电路设置成沿着与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一像素电路相邻,并且电连接到所述第一像素电路,
其中,所述第三像素电路包括连接到所述第一有源图案的第三有源图案。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括初始化控制信号传输线,所述初始化控制信号传输线在所述第一方向上延伸,施加栅极信号,并且设置在所述第一有源图案和所述第二有源图案上,并且
其中,所述初始化控制信号传输线与所述第一初始化沟道区至第三初始化沟道区重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置,
其中,所述第一有源图案包括连接在所述第一初始化沟道区与所述第二初始化沟道区之间的第五初始化沟道区以及连接到所述第五初始化沟道区的第一初始化电压传输区,
其中,所述第二有源区图案包括连接在所述第三初始化沟道区与所述第四初始化沟道区之间的第六初始化沟道区以及连接到所述第六初始化沟道区的第二初始化电压传输区,并且
其中,所述初始化控制信号传输线与所述第五初始化沟道区的一部分以及所述第六初始化沟道区的一部分重叠。
16.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,所述第一有源图案包括与第一数据信号相对应的驱动电流所流过的第一驱动沟道区并且所述第二有源图案包括与第二数据信号相对应的驱动电流所流过的第二驱动沟道区,并且
其中,所述显示装置进一步包括:第一驱动栅极电极,所述第一驱动栅极电极设置在所述第一驱动沟道区上,与所述第一驱动沟道区重叠,并且施加所述初始化电压;以及第二驱动栅极电极,所述第二驱动栅极电极设置在所述第二驱动沟道区上,与所述第二驱动沟道区重叠,并且施加所述初始化电压。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的所述每一者进一步包括:第一连接电极,所述第一连接电极设置在所述第一初始化电压传输区和所述第一驱动栅极电极上,并且连接所述第一初始化电压传输区和所述第一驱动栅极电极;以及第二连接电极,所述第二连接电极设置在所述第二初始化电压传输区和所述第二驱动栅极电极上,并且连接所述第二初始化电压传输区和所述第二驱动栅极电极。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的所述每一者进一步包括电容器电极,所述电容器电极设置在所述第一驱动栅极电极和所述第二驱动栅极电极中的每一者上,并且施加电源电压。
19.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括:
初始化电压传输线,所述初始化电压传输线沿着第一方向延伸,施加所述初始化电压,并且设置在所述第一有源图案和所述第二有源图案上,并且
其中,所述初始化电压传输线与所述第一初始化沟道区的一部分和所述第三初始化沟道区的一部分重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置,
其中,所述初始化电压从所述初始化电压传输线被施加到所述第一初始化沟道区,并且
其中,所述第二初始化沟道区传输来自所述第三初始化沟道区的所述初始化电压。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述第一像素电路和所述第二像素电路中的每一者进一步包括:第一连接电极,所述第一连接电极设置在所述初始化电压传输线上,并且连接所述初始化电压传输线和所述第一初始化沟道区;以及第二连接电极,所述第二连接电极设置在所述初始化电压传输线上,并且连接所述初始化电压传输线和所述第三初始化沟道区。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0048129 | 2021-04-14 | ||
KR1020210048129A KR20220142555A (ko) | 2021-04-14 | 2021-04-14 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115207040A true CN115207040A (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=83574528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210338040.1A Pending CN115207040A (zh) | 2021-04-14 | 2022-03-31 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220336558A1 (zh) |
KR (1) | KR20220142555A (zh) |
CN (1) | CN115207040A (zh) |
-
2021
- 2021-04-14 KR KR1020210048129A patent/KR20220142555A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-02-15 US US17/672,381 patent/US20220336558A1/en active Pending
- 2022-03-31 CN CN202210338040.1A patent/CN115207040A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220142555A (ko) | 2022-10-24 |
US20220336558A1 (en) | 2022-10-20 |
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