KR20230071903A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230071903A
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transistor
gate
scan period
display device
voltage
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KR1020210157593A
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박윤환
김용재
김지혜
신윤지
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 제1 게이트 선, 발광 제어선, 바이어스 게이트 선, 및 데이터 선과 연결되는 화소, 어드레스 스캔 구간에 제1 게이트 선으로 제1 게이트 신호를 공급하고 셀프 스캔 구간에 바이어스 게이트 선으로 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 어드레스 스캔 구간 및 셀프 스캔 구간에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 구동부, 및 어드레스 스캔 구간에 데이터 선으로 제1 데이터 전압을 공급하고 셀프 스캔 구간에 데이터 선으로 제2 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함하고, 제2 데이터 전압은 제1 데이터 전압에 기초하여 설정된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게는, 본 발명은 가변 주파수로 구동되는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 복수의 트랜지스터들 및 상기 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함한다. 상기 트랜지스터들은 배선을 통해 제공되는 신호들에 각각 응답하여 턴온되고, 그에 따라 소정의 구동 전류가 생성된다. 발광 소자는 상기 구동 전류에 대응하여 발광한다.
최근에는 표시 장치의 구동 효율을 향상하고, 소비 전력을 최소화하기 위하여 표시 장치를 가변 주파수로 구동하는 방법이 사용된다. 따라서, 표시 장치의 주파수가 변경되는 타이밍에서 표시 품질을 향상시킬 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 게이트 선, 발광 제어선, 바이어스 게이트 선, 및 데이터 선과 연결되는 화소, 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 선으로 제1 게이트 신호를 공급하고, 셀프 스캔 구간에 상기 바이어스 게이트 선으로 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 상기 어드레스 스캔 구간 및 상기 셀프 스캔 구간에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 구동부, 및 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 데이터 선으로 제1 데이터 전압을 공급하고, 상기 셀프 스캔 구간에 상기 데이터 선으로 제2 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함하고, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압에 기초하여 설정될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압과 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압보다 오프셋 전압만큼 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 오프셋 전압은 대략 0.2V 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압보다 오프셋 전압만큼 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 오프셋 전압은 대략 0.2V 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 일 프레임은 상기 어드레스 스캔 구간 및 상기 어드레스 스캔 구간에 후속하는 상기 셀프 스캔 구간을 포함하고, 상기 게이트 구동부는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호 및 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하며, 상기 게이트 구동부는 상기 셀프 스캔 구간에 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 게이트 구동부는 상기 셀프 스캔 구간 동안 상기 제1 게이트 신호를 공급하지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 일 프레임의 주파수가 작아질수록, 상기 셀프 구간의 개수가 증가할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 데이터 전압은 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 화소로 기입되고, 상기 제2 데이터 전압은 상기 셀프 스캔 구간 동안 상기 화소로 기입되지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 게이트 구동부는 제1 주파수로 상기 제1 게이트 신호를 공급하고, 제2 주파수로 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하며, 상기 제1 주파수와 상기 제2 주파수는 서로 상이할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소는 발광 소자, 상기 발광 소자로 구동 전류를 제공하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 입력 전극으로 상기 제1 데이터 전압을 제공하는 제2 트랜지스터, 및 상기 바이어스 기입 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 입력 전극으로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 기입 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소는 제2 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 출력 전극과 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극을 다이오드 연결시키는 제3 트랜지스터 및 제3 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극을 게이트 초기화 전압으로 초기화시키는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터들이고, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터들 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소는 상기 발광 제어 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 입력 전극으로 제1 전원 전압을 제공하는 제5 트랜지스터, 상기 발광 제어 신호에 응답하여, 상기 발광 소자의 애노드 전극으로 상기 구동 전류를 제공하는 제6 트랜지스터, 및 상기 바이어스 기입 게이트 신호에 응답하여, 상기 발광 소자의 상기 애노드 전극을 애노드 초기화 전압으로 초기화시키는 제7 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 가변 주파수로 구동될 수 있으며, 일 프레임은 어드레스 스캔 구간 및 적어도 하나의 셀프 스캔 구간을 가질 수 있다. 상기 표시 장치의 데이터 구동부는 상기 어드레스 스캔 구간 동안 제1 데이터 전압을 제공하고, 상기 셀프 스캔 구간 동안 제2 데이터 전압을 제공할 수 있다. 상기 제2 데이터 전압이 상기 제1 데이터 전압에 기초하여 설정됨에 따라, 상기 어드레스 스캔 구간에 후속하는 상기 셀프 스캔 구간이 시작되는 타이밍 동안, 상기 표시 장치의 광파형이 안정적으로 반복될 수 있다. 그에 따라, 상기 표시 장치의 플리커 현상이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 표시 장치가 구동하는 방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소를 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 9는 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 설명하기 위한 블록도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 구동부를 포함할 수 있다. 상기 구동부는 제어부(200), 게이트 구동부(300), 감마 기준 전압 생성부(400), 데이터 구동부(500), 및 발광 구동부(600)를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(100)은 적어도 하나의 게이트 선, 적어도 하나의 발광 제어선, 적어도 하나의 바이어스 게이트 선, 및 적어도 하나의 데이터 선을 포함할 수 있다. 또한, 상기 표시 패널(100)은 상술한 선들과 연결되는 적어도 하나의 화소를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 표시 패널(100)은 제1 게이트 선(GWL), 제2 게이트 선(GCL), 제3 게이트 선(GIL), 바이어스 게이트 선(GBL), 발광 제어선(EML), 및 데이터 선(DL)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 표시 패널(100)은 상기 제1 게이트 선(GWL), 상기 제2 게이트 선(GCL), 상기 제3 게이트 선(GIL), 상기 바이어스 게이트 선(GBL), 상기 발광 제어선(EML), 및 상기 데이터 선(DL)과 연결되는 화소(PX)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 게이트 선(GWL), 상기 제2 게이트 선(GCL), 상기 제3 게이트 선(GIL), 상기 바이어스 게이트 선(GBL), 및 상기 발광 제어선(EML)은 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 상기 데이터 선(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장할 수 있다.
상기 제어부(200)는 외부 장치(예를 들어, GPU)로부터 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)를 수신한다.
일 실시예에서, 상기 입력 영상 데이터(IMG)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터, 및 청색 영상 데이터를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 입력 영상 데이터(IMG)는 백색 영상 데이터를 더 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 입력 영상 데이터(IMG)는 마젠타색(magenta) 영상 데이터, 황색(yellow) 영상 데이터, 및 시안색(cyan) 영상 데이터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 입력 제어 신호(CONT)는 마스터 클럭 신호, 데이터 인에이블 신호를 포함할 수 있다. 또한, 상기 입력 제어 신호(CONT)는 수직 동기 신호 및 수평 동기 신호를 더 포함할 수 있다.
상기 제어부(200)는, 상기 입력 영상 데이터(IMG) 및 상기 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여, 제1 제어 신호(CONT1), 제2 제어 신호(CONT2), 제3 제어 신호(CONT3), 제4 제어 신호(CONT4), 및 데이터 신호(DS)를 생성할 수 있다.
상기 제어부(200)는 상기 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 상기 제1 제어 신호(CONT1)를 생성할 수 있다. 상기 제1 제어 신호(CONT1)는 상기 게이트 구동부(300)로 제공되며, 상기 게이트 구동부(300)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 제어 신호(CONT1)는 수직 개시 신호 및 클럭 신호를 포함할 수 있다.
상기 제어부(200)는 상기 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 상기 제2 제어 신호(CONT2)를 생성할 수 있다. 상기 제2 제어 신호(CONT2)는 상기 데이터 구동부(500)로 제공되며, 상기 데이터 구동부(500)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 제어 신호(CONT2)는 수평 개시 신호 및 로드 신호를 포함할 수 있다.
상기 제어부(200)는 상기 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 상기 제3 제어 신호(CONT3)를 생성할 수 있다. 상기 제3 제어 신호(CONT3)는 상기 감마 기준 전압 생성부(400)로 제공되며, 상기 감마 기준 전압 생성부(400)의 동작을 제어할 수 있다.
상기 제어부(200)는 상기 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 상기 제4 제어 신호(CONT4)를 생성할 수 있다. 상기 제4 제어 신호(CONT4)는 상기 발광 구동부(600)로 제공되며, 상기 발광 구동부(600)의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 제어 신호(CONT4)는 수직 개시 신호 및 클럭 신호를 포함할 수 있다.
상기 게이트 구동부(300)는 상기 제1 제어 신호(CONT1)에 기초하여 게이트 신호(GS)를 생성할 수 있다. 상기 게이트 신호(GS)는 상기 화소(PX)로 제공되며, 상기 화소(PX)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 신호(GS)는 제1 게이트 신호(예를 들어, 도 4의 제1 게이트 신호(GW)), 제2 게이트 신호(예를 들어, 도 4의 제2 게이트 신호(GC)), 및 제3 게이트 신호(예를 들어, 도 4의 제3 게이트 신호(GI))를 포함할 수 있다.
상기 게이트 구동부(300)는 상기 제1 게이트 선(GWL)으로 상기 제1 게이트 신호(GW)를 공급할 수 있고, 상기 제2 게이트 선(GCL)으로 상기 제2 게이트 신호(GC)를 공급할 수 있으며, 상기 제3 게이트 선(GIL)으로 상기 제3 게이트 신호(GI)를 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 게이트 구동부(300)는 어드레스 스캔 구간(예를 들어, 도 3의 어드레스 스캔 구간(AD))에 상기 제1 게이트 신호(GW)를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 구동부(300)는 셀프 스캔 구간(예를 들어, 도 3의 셀프 스캔 구간(SF))에 상기 제1 게이트 신호(GW)를 공급하지 않을 수 있다.
또한, 상기 게이트 구동부(300)는 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에 상기 제2 게이트 신호(GC) 및 상기 제3 게이트 신호(GI)를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 구동부(300)는 상기 셀프 스캔 구간(SF)에 상기 제2 게이트 신호(GC) 및 상기 제3 게이트 신호(GI)를 공급하지 않을 수 있다.
상기 게이트 구동부(300)는 상기 제1 제어 신호(CONT1)에 기초하여 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 생성할 수 있다. 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)는 상기 화소(PX)로 제공되며, 상기 화소(PX)의 구동을 제어할 수 있다.
상기 게이트 구동부(300)는 상기 바이어스 게이트 선(GBL)으로 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 공급할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 게이트 구동부(300)는 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 및 셀프 스캔 구간(SF)에 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 게이트 구동부(300)는 제1 주파수로 상기 제1 게이트 신호(GW)를 공급하고, 제2 주파수로 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 주파수와 상기 제2 주파수는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 클 수 있다. 상기 제1 주파수는 대략 120Hz 이고, 상기 제2 주파수는 대략 240Hz일 수 있다.
상기 감마 기준 전압 생성부(400)는 상기 제3 제어 신호(CONT3)에 기초하여 감마 기준 전압(VGREF)을 생성할 수 있다. 상기 감마 기준 전압(VGREF)은 상기 데이터 신호(DS)와 대응하는 값을 가질 수 있으며, 상기 데이터 구동부(500)로 제공될 수 있다.
예를 들어, 상기 감마 기준 전압 생성부(400)는 상기 제어부(200) 내에 배치되거나, 상기 데이터 구동부(500) 내에 배치될 수 있다.
상기 데이터 구동부(500)는 상기 제어부(200)로부터 상기 제2 제어 신호(CONT2) 및 상기 데이터 신호(DS)를 제공받을 수 있고, 상기 감마 기준 전압 생성부(400)로부터 상기 감마 기준 전압(VGREF)을 제공받을 수 있다.
상기 데이터 구동부(500)는 상기 감마 기준 전압(VGREF)을 이용하여 상기 데이터 신호(DS)를 데이터 전압으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 전압은 제1 데이터 전압(VDATA1) 및 제2 데이터 전압(VDATA2)을 포함할 수 있다. 상기 데이터 구동부(500)는 상기 데이터 선(DL)으로 상기 제1 데이터 전압(VDATA1) 및 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)을 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에 제공되고, 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 셀프 스캔 구간(SF)에 제공될 수 있다. 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 동안 상기 화소(PX)로 기입될 수 있다. 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 화소(PX)로 기입되지 않을 수 있다.
상기 발광 구동부(600)는 상기 제4 제어 신호(CONT4)에 기초하여 발광 제어 신호(EM)를 생성할 수 있다. 상기 발광 제어 신호(EM)는 상기 발광 제어선(EML)을 통해 상기 화소(PX)로 제공되며, 상기 화소(PX)의 구동을 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 구동부(600)는 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 및 상기 셀프 스캔 구간(SF)에 상기 발광 제어 신호(EM)를 공급할 수 있다.
도 1에서는 상기 게이트 구동부(300)가 상기 표시 패널(100)의 제1 측에 배치되고, 상기 발광 구동부(600)가 상기 표시 패널(100)의 제2 측에 배치되는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 상기 게이트 구동부(300) 및 상기 발광 구동부(600)는 모두 상기 표시 패널(100)의 상기 제1 측에 배치될 수 있다. 또한, 상기 게이트 구동부(300) 및 상기 발광 구동부(600)는 일체로 형성될 수도 있다.
도 2 및 도 3은 도 1의 표시 장치가 구동하는 방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 2를 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 가변 주파수로 구동될 수 있다. 제1 프레임(FR1)은 제1 액티브 구간(AC1) 및 제1 블랭크 구간(BL1)을 포함할 수 있다. 상기 제1 블랭크 구간(BL1)은 상기 제1 액티브 구간(AC1)에 후속할 수 있다. 제2 프레임(FR2)은 제2 액티브 구간(AC2) 및 제2 블랭크 구간(BL2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 액티브 구간(AC2)은 상기 제1 블랭크 구간(BL1)에 후속할 수 있고, 상기 제2 블랭크 구간(BL2)은 상기 제2 액티브 구간(AC2)에 후속할 수 있다. 제3 프레임(FR3)은 제3 액티브 구간(AC3) 및 제3 블랭크 구간(BL3)을 포함할 수 있다. 상기 제3 액티브 구간(AC3)은 상기 제2 블랭크 구간(BL2)에 후속할 수 있고, 상기 제3 블랭크 구간(BL3)은 상기 제3 액티브 구간(AC3)에 후속할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 프레임(FR1), 상기 제2 프레임(FR2), 및 상기 제3 프레임(FR3)은 서로 다른 주파수를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 프레임(FR1)은 대략 120 Hz의 주파수를 가질 수 있고, 상기 제2 프레임(FR2)은 대략 80 Hz의 주파수를 가질 수 있으며, 상기 제3 프레임(FR3)은 대략 60 Hz의 주파수를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액티브 구간(AC1)은 상기 제2 액티브 구간(AC2)과 동일한 길이를 가질 수 있다. 상기 제2 액티브 구간(AC2)은 상기 제3 액티브 구간(AC3)과 동일한 길이를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 블랭크 구간(BL1)은 상기 제2 블랭크 구간(BL2)과 상이한 길이를 가질 수 있다. 상기 제2 블랭크 구간(BL2)은 상기 제3 블랭크 구간(BL3)과 상이한 길이를 가질 수 있다.
가변 주파수를 지원하는 상기 표시 장치(1000)는 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 상기 화소(PX)로 기입되는 데이터 기입 구간(예를 들어, 도 6의 제8 구간(P8)) 및 상기 데이터 전압이 상기 화소(PX)로 기입되지 않는 셀프 스캔 구간(SF)을 포함할 수 있다. 상기 데이터 기입 구간은 상기 제1 액티브 구간(AC1), 상기 제2 액티브 구간(AC2), 및 상기 제3 액티브 구간(AC3) 내에 각기 배치될 수 있다. 상기 셀프 스캔 구간(SF)은 상기 제1 블랭크 구간(BLL1), 상기 제2 블랭크 구간(BL2), 및 상기 제3 블랭크 구간(BL3) 내에 각기 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 프레임(FR1)은 하나의 상기 어드레스 주사 구간(AD) 및 하나의 상기 셀프 주사 구간(SF)을 가질 수 있다. 상기 제1 프레임(FR1)에 포함된 상기 어드레스 주사 구간(AD)은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제1 액티브 구간(AC1)과 대응할 수 있다. 상기 제1 프레임(FR1)에 포함된 상기 셀프 주사 구간(SF)은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제1 블랭크 구간(BL1)과 대응할 수 있다.
상기 제2 프레임(FR1)은 하나의 어드레스 주사 구간 및 두 개의 셀프 스캔 구간들을 포함할 수 있다. 상기 두 개의 셀프 스캔 구간들은 서로 연속될 수 있다. 상기 제2 프레임(FR2)에 포함된 상기 어드레스 주사 구간은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제2 액티브 구간(AC2)과 대응할 수 있다. 상기 제2 프레임(FR2)에 포함된 상기 셀프 주사 구간들은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제2 블랭크 구간(BL2)과 대응할 수 있다.
상기 제3 프레임(FR3)은 하나의 어드레스 주사 구간 및 세 개의 셀프 스캔 구간들을 포함할 수 있다. 상기 세 개의 셀프 스캔 구간들은 서로 연속될 수 있다. 상기 제3 프레임(FR3)에 포함된 상기 어드레스 주사 구간은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제3 액티브 구간(AC3)과 대응할 수 있다. 상기 제3 프레임(FR3)에 포함된 상기 셀프 주사 구간들은 도 2를 참조하여 설명한 상기 제3 블랭크 구간(BL3)과 대응할 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소를 설명하기 위한 회로도이다.
도 4를 참조하면, 상기 화소(PX)는 발광 소자(LED), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 제7 트랜지스터(T7), 바이어스 기입 트랜지스터(T8), 홀드 커패시터(CHOLD), 및 스토리지 커패시터(CST)를 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(LED)는 애노드 전극(예를 들어, 도 5의 애노드 전극(ADE)), 발광층(예를 들어, 도 5의 발광층(EL)), 및 캐소드 전극(예를 들어, 도 5의 캐소드 전극(CTE))을 포함할 수 있다. 상기 애노드 전극은 구동 전류를 제공받을 수 있으며, 상기 발광층은 상기 구동 전류와 대응하는 휘도의 광을 방출할 수 있다. 상기 캐소드 전극은 제2 전원 전압(EVLSS)과 연결될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 입력 전극은 제1 노드(N1)와 연결될 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 출력 전극은 제4 노드(N4)를 통해 상기 발광 소자(LED)의 상기 애노드 전극과 연결될 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 전극은 상기 스토리지 커패시터(CST)를 통해 제2 노드(N2)와 연결될 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 발광 소자(LED)로 상기 구동 전류를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)의 상기 입력 전극은 상기 데이터 선(DL)과 연결될 수 있다. 그에 따라, 상기 제2 트랜지스터(T2)의 상기 입력 전극에는 상기 제1 데이터 전압(VDATA1) 및 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 제공될 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)의 상기 출력 전극은 상기 제1 노드(N1)와 연결될 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트 전극은 상기 제1 게이트 신호(GW)를 제공받을 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 제1 게이트 신호(GW)에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터(T1)로 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)을 전달할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에 상기 제2 트랜지스터(T2)를 통해 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 상기 화소(PX)로 기입될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 트랜지스터(T2)는 데이터 기입 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)의 상기 입력 전극은 상기 제4 노드(N4)와 연결될 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)의 상기 출력 전극은 제3 노드(N3)를 통해 상기 제2 노드(N2)와 연결될 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)의 상기 게이트 전극은 상기 제2 게이트 신호(GC)를 제공받을 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제2 게이트 신호(GC)에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 출력 전극과 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 전극을 다이오드 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제4 트랜지스터(T4)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)의 상기 입력 전극은 게이트 초기화 전압(VINT)을 제공받을 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)의 상기 출력 전극은 상기 제2 노드(N2)와 연결될 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)의 상기 게이트 전극은 상기 제3 게이트 신호(GI)를 제공받을 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)는 상기 제3 게이트 신호(GI)에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 전극을 상기 게이트 초기화 전압(VINT)으로 초기화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제5 트랜지스터(T5)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)의 상기 입력 전극은 제1 전원 전압(ELVDD)을 제공받을 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)의 상기 출력 전극은 상기 제1 노드(N1)와 연결될 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)의 상기 게이트 전극은 상기 발광 제어 신호(EM)를 제공받을 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)는 상기 발광 제어 신호(EM)에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 입력 전극으로 상기 제1 전원 전압(ELVDD)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 제5 트랜지스터(T5)는 제1 발광 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제6 트랜지스터(T6)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)의 상기 입력 전극은 상기 제4 노드(N4)와 연결될 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)의 상기 출력 전극은 제5 노드(N5)를 통해 상기 발광 소자(LED)와 연결될 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)의 상기 게이트 전극은 상기 발광 제어 신호(EM)를 제공받을 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)는 상기 발광 제어 신호(EM)에 응답하여, 상기 발광 소자(LED)의 상기 애노드 전극으로 상기 구동 전류를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 트랜지스터(T6)는 제2 발광 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 제7 트랜지스터(T7)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)의 상기 입력 전극은 애노드 초기화 전압(AINT)을 제공받을 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)의 상기 출력 전극은 상기 제5 노드(N5)를 통해 상기 발광 소자(LED)와 연결될 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)의 상기 게이트 전극은 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 제공받을 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)는 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)에 응답하여, 상기 발광 소자(LED)의 상기 애노드 전극을 상기 애노드 초기화 전압(AINT)으로 초기화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제7 트랜지스터(T7)는 애노드 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
상기 바이어스 기입 트랜지스터(T8)는 입력 전극, 출력 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 바이어스 기입 트랜지스터(T8)의 상기 입력 전극은 바이어스 전압(VEH)을 제공받을 수 있다. 상기 바이어스 기입 트랜지스터(T8)의 상기 출력 전극은 상기 제1 노드(N1)와 연결될 수 있다. 상기 바이어스 기입 트랜지스터(T8)의 상기 게이트 전극은 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)를 제공받을 수 있다. 상기 바이어스 기입 트랜지스터(T8)는 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)에 응답하여, 상기 바이어스 전압(VEH)을 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 입력 전극으로 전달할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1, 제2, 제5, 제6, 제7 트랜지스터들(T1, T2, T5, T6, T7)은 PMOS 트랜지스터들 일 수 있고, 상기 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4)은 NMOS 트랜지스터들 일 수 있다.
상기 스토리지 커패시터(CST)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 전극 및 상기 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있고, 상기 홀드 커패시터(CHOLD)는 상기 제1 전원 전압(ELVDD) 및 상기 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 기판(SUB), 버퍼층(BFR), 제1 액티브 패턴(ACT1), 제2 액티브 패턴(ACT2), 제1 절연층(IL1), 제1 게이트 전극(GAT1), 상기 제1 게이트 선(GWL), 제2 절연층(IL2), 제2 게이트 전극(GAT2), 제3 절연층(IL3), 제3 액티브 패턴(ACT3), 제4 절연층(IL4), 상기 제2 게이트 선(GCL), 제5 절연층(IL5), 제1 연결 패턴(CP1), 제2 연결 패턴(CP2), 제3 연결 패턴(CP3), 제4 연결 패턴(CP4), 제6 절연층(IL6), 상기 데이터 선(DL), 제7 절연층(IL7), 상기 애노드 전극(ADE), 화소 정의막(PDL), 상기 발광층(EL), 및 상기 캐소드 전극(CTE)을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 유리, 석영, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다. 상기 플라스틱으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate,　PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride), 폴리불화비닐리덴(polyvinylidene difluoride, PVDF), 폴리스티렌(polystyrene), 에틸렌-비닐알코올 공중합체(ethylene vinylalcohol copolymer), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 트리아세틸 셀룰로오스(tri-acetyl cellulose, TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)　등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 버퍼층(BFR)은 상기 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 버퍼층(BFR)은 무기 물질로 형성될 수 있다. 상기 무기 물질의 예로는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다. 상기 버퍼층(BFR)은 금속 원자들이나 불순물들이 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)으로 침투되지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(BFR)은 상기 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절할 수 있다.
상기 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)은 상기 버퍼층(BFR) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)은 실리콘 반도체 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)로 사용될 수 있는 상기 실리콘 반도체 물질의 예로는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제1 절연층(IL1)은 상기 버퍼층(BFR) 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 액티브 패턴들(ACT1, ACT2)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 절연층(IL1)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(IL1)으로 사용될 수 있는 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제1 게이트 전극(GAT1) 및 상기 제1 게이트 선(GWL)은 상기 제1 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극(GAT1)은 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 중첩할 수 있다. 상기 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 제1 게이트 전극(GAT1)은 상기 제1 트랜지스터(T1)를 구성할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 게이트 선(GWL)은 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 중첩할 수 있다. 상기 제2 액티브 패턴(ACT2) 및 제1 게이트 선(GWL)은 상기 제2 트랜지스터(T2)를 구성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극(GAT1) 및 상기 제1 게이트 선(GWL)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물, 투명 도전 물질 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(GAT1) 및 상기 제1 게이트 선(GWL)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제2 절연층(IL2)은 상기 제1 절연층(IL1) 상에 배치되고, 상기 제1 게이트 전극(GAT1) 및 제1 게이트 선(GWL)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 절연층(IL2)은 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 게이트 전극(GAT2)은 상기 제2 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 게이트 전극(GAT2)은 상기 제1 게이트 전극(GAT1)과 중첩할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(GAT1) 및 상기 제2 게이트 전극(GAT2)은 상기 스토리지 커패시터(CST)를 구성할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 게이트 전극(GAT2) 은 금속, 합금, 도전 금속 산화물, 투명 도전 물질 등으로 형성될 수 있다.
상기 제3 절연층(IL3)은 상기 제2 절연층(IL2) 상에 배치되고, 상기 제2 게이트 전극(GAT2)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 절연층(IL3)은 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 제3 액티브 패턴(ACT3)은 상기 제3 절연층(IL3) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 액티브 패턴(ACT3)은 산화물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 상기 제3 액티브 패턴(ACT3)으로 사용될 수 있는 상기 산화물 반도체 물질의 예로는 IGZO(InGaZnO), ITZO(InSnZnO) 등일 수 있다. 또한, 상기 산화물 반도체 물질은 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti), 아연(Zn)을 더 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 제4 절연층(IL4)은 상기 제3 액티브 패턴(ACT3) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제4 절연층(IL4)은 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 게이트 선(GCL)은 상기 제4 절연층(IL4) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 게이트 선(GCL)은 상기 제3 액티브 패턴(ACT3)과 중첩할 수 있다. 상기 제3 액티브 패턴(ACT3) 및 상기 제2 게이트 선(GCL)은 상기 제3 트랜지스터(T3)를 구성할 수 있다.
상기 제5 절연층(IL5)은 상기 제4 절연층(IL4) 상에 배치되고, 상기 제2 게이트 선(GCL)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제5 절연층(IL5)은 절연 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제4 연결 패턴들(CP1, CP2, CP3, CP4)은 상기 제5 절연층(IL5) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 연결 패턴들(CP1, CP2)은 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 접촉할 수 있다. 상기 제3 및 제4 연결 패턴들(CP3, CP4)은 상기 제3 액티브 패턴(ACT3)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 연결 패턴들(CP1, CP2, CP3, CP4)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물, 투명 도전 물질 등으로 형성될 수 있다.
상기 제6 절연층(IL6)은 제5 절연층(IL5) 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제4 연결 패턴들(CP1, CP2, CP3, CP4)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제6 절연층(IL6)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 상기 유기 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다. 그에 따라, 상기 제6 절연층(IL6)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 데이터 선(DL)은 상기 제6 절연층(IL6) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 데이터 선(DL)은 상기 제1 연결 패턴(CP1)과 접촉할 수 있다. 상기 데이터 선(DL)에는 상기 제1 데이터 전압(VDATA1) 및 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 데이터 선(DL)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물, 투명 도전 물질 등으로 형성될 수 있다.
상기 제7 절연층(IL7)은 제6 절연층(IL6) 상에 배치되고, 상기 데이터 선(DL)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제7 절연층(IL7)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
상기 애노드 전극(ADE)은 상기 제7 절연층(IL7) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 애노드 전극(ADE)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물, 투명 도전 물질 등으로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제7 절연층(IL7) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 상기 애노드 전극(ADE)을 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 애노드 전극(ADE) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(EL)은 광을 방출하는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 발광층(EL)에서 방출된 광은 상기 캐소드 전극(CTE)을 향해 출사될 수 있다.
상기 캐소드 전극(CTE)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 캐소드 전극(CTE)은 상기 제2 전원 전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 애노드 전극(ADE) 및 상기 캐소드 전극(CTE) 사이의 전압차에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 상기 캐소드 전극(CTE)에 제공되는 상기 제2 전원 전압(ELVSS)은 고정된 값을 갖는 정전압일 수 있다. 이 경우, 상기 발광층(EL)에서 방출되는 광파형(예를 들어, 도 6의 광파형(LW))은 상기 애노드 전극(ADE)의 전위값에 기초하여 변경될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 데이터 선(DL) 및 상기 애노드 전극(ADE) 사이에 기생 커패시턴스가 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 데이터 선(DL)에 흐르는 상기 데이터 전압이 변경되는 경우, 상기 애노드 전극(ADE)의 전위값이 변경될 수 있다. 따라서, 상기 데이터 선(DL)에 제공되는 상기 데이터 전압이 변경되는 경우, 상기 광파형(LW)이 불안정하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에서 상기 셀프 스캔 구간(SF)으로 진행하는 타이밍 동안, 상기 경계 광파형(예를 들어, 도 6의 경계 광파형(LW1))이 불안정하게 변경될 수 있다. 그에 따라, 표시 장치의 플리커 현상이 악화될 수 있다.
상기 표시 장치(1000)에 포함된 상기 데이터 선(DL)에는 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF)에 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 제공될 수 있다. 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)에 기초하여 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)과 동일할 수 있다. 그에 따라, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)에서 상기 셀프 스캔 구간(SF)으로 진행하는 타이밍 동안, 상기 경계 광파형(LW1)이 안정적으로 반복될 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치(1000)의 플리커 현상이 개선될 수 있다.
도 6은 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3, 4, 및 6을 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 상기 제1 프레임(FR1) 동안 대략 120 Hz로 구동될 수 있다. 상기 제1 프레임(FR1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 및 상기 셀프 스캔 구간(SF)을 포함할 수 있다.
상기 발광 제어 신호(EM)는 제1 구간(P1), 제3 구간(P3), 및 제5 구간(P5) 동안 턴온 전압을 가질 수 있고, 제2 구간(P2) 및 제4 구간(P4)에서 턴오프 전압을 가질 수 있다. 상기 발광 제어 신호(EM)가 상기 턴온 전압을 가지는 동안, 상기 표시 장치(1000)는 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 발광 제어 신호(EM)는 상기 제2 주파수(예를 들어, 대략 240 Hz)로 제공될 수 있다.
상기 제3 게이트 신호(GI)는 제6 구간(P6) 동안 턴온 전압을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제6 구간(P6)은 상기 제2 구간(P2)과 중첩할 수 있다. 상기 제6 구간(P6) 동안, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 전극이 초기화될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 게이트 신호(GI)는 상기 제1 주파수(예를 들어, 대략 120 Hz)로 제공될 수 있다.
상기 제2 게이트 신호(GC)는 제7 구간(P7) 동안 턴온 전압을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제7 구간(P7)은 상기 제2 구간(P2)과 중첩할 수 있다. 상기 제7 구간(P7) 동안, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 게이트 신호(GC)는 상기 제1 주파수로 제공될 수 있다.
상기 제1 게이트 신호(GW)는 제8 구간(P8) 동안 턴온 전압을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제8 구간(P8)은 상기 제2 구간(P2) 및 상기 제7 구간(P7)과 중첩할 수 있다. 상기 제8 구간(P8) 동안, 상기 화소(PX)로 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 기입될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 게이트 신호(GW)는 상기 제1 주파수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제8 구간(P8)은 상기 데이터 기입 구간으로 지칭될 수 있다.
상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)는 제9 구간(P9) 및 제10 구간(P10) 동안 턴온 전압을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제9 구간(P9)은 상기 제2 구간(P2)과 중첩할 수 있고, 상기 제10 구간(P10)은 상기 제4 구간(P4)과 중첩할 수 있다. 상기 제9 구간(P9) 및 상기 제10 구간(P10) 동안 상기 바이어스 전압(VEH)이 상기 화소(PX)로 기입될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 바이어스 기입 게이트 신호(GB)는 상기 제2 주파수로 제공될 수 있다.
상기 데이터 선(DL)에는 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD)이 끝나는 타이밍에 제1 전압(V1)을 가질 수 있다. 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)은 상기 셀프 스캔 구간(SF)이 시작하는 타이밍에 제2 전압(V2)을 가질 수 있다. 상기 제2 전압(V2)은 상기 제1 전압(V1)과 동일할 수 있다.
상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)과 동일하게 설정됨에 따라, 상기 광파형(LW)이 안정적으로 반복될 수 있다. 다시 말하면, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 상기 데이터 선(DL)으로 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)과 동일한 상기 제2 데이터 전압(VDATA2)이 상기 데이터 선(DL)으로 제공됨에 따라, 상기 표시 장치(1000)는 안정적인 경계 광파형(LW1)을 가질 수 있다.
도 6에서는 하나의 어드레스 스캔 구간(AD) 및 하나의 셀프 스캔 구간(SF)을 가지는 제1 프레임(FR1)에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 일 프레임은 하나의 어드레스 스캔 구간 및 복수의 셀프 스캔 구간들을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 어드레스 스캔 구간 및 상기 셀프 스캔 구간들 동안, 상기 데이터 전압이 상기 데이터 선(DL)으로 동일하게 제공될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3, 4, 6, 및 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1100)는 상기 제1 프레임(FR1) 동안 대략 120 Hz로 구동될 수 있다. 다만, 상기 표시 장치(1100)는 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 데이터 선(DL)에 제공되는 제2 데이터 전압(VDATA2')을 제외하고는, 상술한 표시 장치(1000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 데이터 선(DL)에는 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제2 데이터 전압(VDATA2')이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 데이터 전압(VDATA2')은 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 오프셋 전압(OFV)만큼 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD)이 끝나는 타이밍에 상기 제1 전압(V1)을 가질 수 있다. 상기 제2 데이터 전압(VDATA2')은 상기 셀프 스캔 구간(SF)이 시작하는 타이밍에 제2 전압(V2')을 가질 수 있다. 상기 제2 전압(V2')은 상기 제1 전압(V1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 클 수 있다. 상기 오프셋 전압(OFV)은 상기 광파형(LW)을 안정적으로 하는 임의의 전압일 수 있다. 예를 들어, 상기 오프셋 전압(OFV)은 대략 0.2V 일 수 있다.
상기 제2 데이터 전압(VDATA2')이 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 크게 설정됨에 따라, 상기 광파형(LW)이 안정적으로 반복될 수 있다. 다시 말하면, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 상기 데이터 선(DL)으로 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 큰 상기 제2 데이터 전압(VDATA2')이 상기 데이터 선(DL)으로 제공됨에 따라, 상기 표시 장치(1100)는 안정적인 경계 광파형(LW1)을 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3, 4, 6, 및 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(1200)는 상기 제1 프레임(FR1) 동안 대략 120 Hz로 구동될 수 있다. 다만, 상기 표시 장치(1200)는 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 데이터 선(DL)에 제공되는 제2 데이터 전압(VDATA2'')을 제외하고는, 상술한 표시 장치(1000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 데이터 선(DL)에는 상기 어드레스 스캔 구간(AD) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제2 데이터 전압(VDATA2'')이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 데이터 전압(VDATA2'')은 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 오프셋 전압(OFV)만큼 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)은 상기 어드레스 스캔 구간(AD)이 끝나는 타이밍에 상기 제1 전압(V1)을 가질 수 있다. 상기 제2 데이터 전압(VDATA2'')은 상기 셀프 스캔 구간(SF)이 시작하는 타이밍에 제2 전압(V2'')을 가질 수 있다. 상기 제2 전압(V2'')은 상기 제1 전압(V1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 클 수 있다. 상기 오프셋 전압(OFV)은 상기 광파형(LW)을 안정적으로 하는 임의의 전압일 수 있다. 예를 들어, 상기 오프셋 전압(OFV)은 대략 0.2V 일 수 있다.
상기 제2 데이터 전압(VDATA2'')이 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 작게 설정됨에 따라, 상기 광파형(LW)이 안정적으로 반복될 수 있다. 다시 말하면, 상기 어드레스 스캔 구간(AD)동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)이 상기 데이터 선(DL)으로 제공되고, 상기 셀프 스캔 구간(SF) 동안 상기 제1 데이터 전압(VDATA1)보다 상기 오프셋 전압(OFV)만큼 작은 상기 제2 데이터 전압(VDATA2'')이 상기 데이터 선(DL)으로 제공됨에 따라, 상기 표시 장치(1200)는 안정적인 경계 광파형(LW1)을 가질 수 있다.
도 9는 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 9를 참조하면, 전자 기기(4100)는 프로세서(4110), 메모리 장치(4120), 저장 장치(4130), 입출력 장치(4140), 파워 서플라이(4150) 및 표시 장치(4160)를 포함할 수 있다.
상기 전자 기기(4100)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.
상기 프로세서(4110)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 프로세서(4110)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 상기 프로세서(4110)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 프로세서(4110)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
상기 메모리 장치(4120)는 상기 전자 기기(4100)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(4120)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
상기 저장 장치(4130)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(4140)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(4150)는 상기 전자 기기(4100)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 상기 표시 장치(4160)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.
상기 전자 기기(4100)는 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 컴퓨터(Tablet Computer), 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(Portable Multimedia Player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(Portable Game Console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 상기 표시 장치(4160)를 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1000, 1100, 1200: 표시 장치 300: 게이트 구동부
500: 데이터 구동부 600: 발광 구동부
PX: 화소 GWL: 제1 게이트 선
GCL: 제2 게이트 선 GIL: 제3 게이트 선
GBL: 바이어스 게이트 선 EML: 발광 제어선
VDATA1: 제1 데이터 전압 VDATA2: 제2 데이터 전압
AD: 어드레스 스캔 구간 SF: 셀프 스캔 구간
DL: 데이터 선

Claims (16)

  1. 제1 게이트 선, 발광 제어선, 바이어스 게이트 선, 및 데이터 선과 연결되는 화소;
    어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 선으로 제1 게이트 신호를 공급하고, 셀프 스캔 구간에 상기 바이어스 게이트 선으로 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부;
    상기 어드레스 스캔 구간 및 상기 셀프 스캔 구간에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 구동부; 및
    상기 어드레스 스캔 구간에 상기 데이터 선으로 제1 데이터 전압을 공급하고, 상기 셀프 스캔 구간에 상기 데이터 선으로 제2 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함하고,
    상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압에 기초하여 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압과 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압보다 오프셋 전압만큼 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 오프셋 전압은 0.2V 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제2 데이터 전압은 상기 제1 데이터 전압보다 오프셋 전압만큼 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 오프셋 전압은 0.2V 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 일 프레임은 상기 어드레스 스캔 구간 및 상기 어드레스 스캔 구간에 후속하는 상기 셀프 스캔 구간을 포함하고,
    상기 게이트 구동부는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호 및 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하며,
    상기 게이트 구동부는 상기 셀프 스캔 구간에 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 상기 셀프 스캔 구간 동안 상기 제1 게이트 신호를 공급하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 일 프레임의 주파수가 작아질수록, 상기 셀프 구간의 개수가 증가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 제1 데이터 전압은 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 화소로 기입되고,
    상기 제2 데이터 전압은 상기 셀프 스캔 구간 동안 상기 화소로 기입되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 제1 주파수로 상기 제1 게이트 신호를 공급하고, 제2 주파수로 상기 바이어스 기입 게이트 신호를 공급하며,
    상기 제1 주파수와 상기 제2 주파수는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 화소는
    발광 소자;
    상기 발광 소자로 구동 전류를 제공하는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 입력 전극으로 상기 제1 데이터 전압을 제공하는 제2 트랜지스터; 및
    상기 바이어스 기입 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 입력 전극으로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 기입 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 화소는
    제2 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 출력 전극과 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극을 다이오드 연결시키는 제3 트랜지스터; 및
    제3 게이트 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극을 게이트 초기화 전압으로 초기화시키는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터들이고,
    상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제14 항에 있어서, 상기 화소는
    상기 발광 제어 신호에 응답하여, 상기 제1 트랜지스터의 상기 입력 전극으로 제1 전원 전압을 제공하는 제5 트랜지스터;
    상기 발광 제어 신호에 응답하여, 상기 발광 소자의 애노드 전극으로 상기 구동 전류를 제공하는 제6 트랜지스터; 및
    상기 바이어스 기입 게이트 신호에 응답하여, 상기 발광 소자의 상기 애노드 전극을 애노드 초기화 전압으로 초기화시키는 제7 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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