CN115206833A - 基片液处理装置和基片液处理方法 - Google Patents

基片液处理装置和基片液处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：处理槽；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承；升降机构，其使基片支承部件在处理槽内的处理位置与处理槽的上方的退避位置之间升降；摄像部，其设置于能够拍摄处理槽所贮存的处理液内的多个基片的位置；基片位置判断部，其基于摄像部拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由基片支承部件支承的多个基片的实际位置与基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和控制基片液处理装置的动作的控制部。根据本发明，能够确认基片在被浸渍于处理槽所贮存的处理液中的状态下是否被基片支承部件适当地保持。

Description

基片液处理装置和基片液处理方法
技术领域
本发明涉及基片液处理装置和基片液处理方法。
背景技术
半导体装置的制造工艺中，包括将半导体晶片等的基片浸渍在处理槽所贮存的磷酸水溶液中，来对形成于基片表面的氮化硅膜进行湿蚀刻的氮化硅膜蚀刻工序。基片在以铅直姿态在水平方向上等间隔地排列的状态下且在由基片支承部件支承的状态下浸渍在磷酸水溶液中。
在基片的处理中，在处理槽内形成从底部向液面的处理液流动，另外，为了提高处理的均匀性而进行氮气鼓泡。因此，基片受到从基片保持件浮起的方向的力。在专利文献1的基片液处理装置中，为了防止由于基片从处理液受到的力而使基片从基片支承部件脱落或者错位，在处理槽的盖设置有防止基片向上方的变位的基片按压部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-067995号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供一种确认基片在被浸渍于处理槽所贮存的处理液中的状态下是否被基片支承部件适当地保持的技术。
用于解决问题的技术手段
依据本发明的一个实施方式，提供一种基片液处理装置，其包括：贮存处理液的处理槽，其具有基片送入送出用的上部开口；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承所述多个基片；升降机构，其使所述基片支承部件通过所述上部开口在所述处理槽内的处理位置与所述处理槽的上方的退避位置之间升降；摄像部，其设置于能够拍摄在所述处理槽所贮存的处理液内由所述基片支承部件支承的所述多个基片的位置；基片位置判断部，其基于所述摄像部所拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由所述基片支承部件支承的所述多个基片的实际位置与所述基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和控制所述基片液处理装置的动作的控制部。
发明效果
依据上述实施方式，能够确认基片在被浸渍于处理槽所贮存的处理液中的状态下是否被基片支承部件适当地保持。
附图说明
图1是表示基片液处理系统的整体结构的概略平面图。
图2是表示组装在基片液处理系统中的蚀刻装置的结构的系统图。
图3是蚀刻装置的处理槽的概略横截方向纵截面图。
图4是处理槽的概略长边方向纵截面图。
图5是处理槽的概略平面图。
图6是仅将处于封闭位置的盖体及其周边的部件取出而详细地表示的处理槽的横截方向纵截面图。
图7是盖体的立体图。
图8是表示将盖体从图6所示的封闭位置移动至开放位置的横截方向纵截面图。
图9是表示配置在处理槽的上方的摄像机和照明的概略图。
图10是表示基片在基片支承部件与基片按压件之间被适当地配置的状态的概略图。
图11是表示由摄像机拍摄的图像的概略图。
图12是表示灰度值的分布的图表。
图13是表示基片在基片支承部件与基片按压件之间没有被适当地配置的状态(产生了架桥的状态)的概略图。
图14表示产生了架桥时的灰度值的分布的概略图。
图15是对刚将基片沉入处理槽中之后的基片的摇动进行说明的图表。
图16是表示摄像机和照明的其他配置的概略图。
附图标记的说明
34、34A 处理槽
36B 基片支承部件
36 升降机构
90 摄像部
94 基片位置判断部
7 控制部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。首先，对于组装有本发明的一个实施方式的基片液处理装置1的基片液处理系统1A整体进行说明。
如图1所示，基片液处理系统1A具有载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部7。
其中载体送入送出部2进行载体9的送入和送出，该载体9将多个(例如25个)基片(硅晶片)8以水平姿态上下排列地收纳。
在该载体送入送出部2中设置有：载置多个载体9的载体台10；进行载体9的输送的载体输送机构11；暂时保管载体9的载体库12、13；和载置载体9的载体载置台14。在此，载体库12将成为产品的基片8在批次处理部6中进行处理前暂时地保管。另外，载体库13将成为产品的基片8在批次处理部6中进行处理后暂时保管。
并且，载体送入送出部2将从外部送入载体台10中的载体9，利用载体输送机构11输送到载体库12或载体载置台14中。另外，载体送入送出部2将载置在载体载置台14的载体9利用载体输送机构11输送到载体库13或载体台10。输送到载体台10的载体9被向外部送出。
批次形成部3使收纳在1个或多个载体9中的基片8相组合来形成由同时被处理的多个(例如50个)基片8构成的批次。此外，在形成批次时，可以以相邻的各2个基片8的形成有图案的表面彼此相对的方式形成批次，另外，也可以以形成有图案的基片8的表面全部朝向相同方向的方式形成批次。
在该批次形成部3中设置有输送多个基片8的基片输送机构15。此外，基片输送机构15在基片8的输送途中能够使基片8的姿态从水平姿态变更为垂直姿态以及从垂直姿态变更为水平姿态。
并且，批次形成部3利用基片输送机构15将基片8从载置在载体载置台14的载体9输送到批次载置部4，将形成批次的基片8载置在批次载置部4。另外，批次形成部3将载置在批次载置部4的批次通过基片输送机构15向载置在载体载置台14的载体9输送。此外，基片输送机构15，作为用于支承多个基片8的基片支承部，具有支承处理前(由批次输送部5输送前)的基片8的处理前基片支承部和支承处理后(由批次输送部5输送后)的基片8的处理后基片支承部这2种。由此，防止附着在处理前的基片8等的颗粒等转附到处理后的基片8等。
批次载置部4将通过批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次在批次载置台16暂时载置(待机)。
在该批次载置部4设置有载置处理前(由批次输送部5输送前)的批次的送入侧批次载置台17和载置处理后(由批次输送部5输送后)的批次的送出侧批次载置台18。1批次量的多个基片8以垂直姿态前后排列地载置在送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18。
并且，在批次载置部4中，由批次形成部3形成的批次载置在送入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5被送入到批次处理部6。另外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5送出的批次被载置在送出侧批次载置台18，该批次被输送到批次形成部3。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间或者批次处理部6的内部之间进行批次的输送。
在该批次输送部5中设置有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19由沿着批次载置部4和批次处理部6配置的导轨20以及一边保持多个基片8一边沿着导轨20移动的移动体21构成。在移动体21以可进退的方式设置有对以垂直姿态前后排列的多个基片8进行保持的基片保持体22。
并且，批次输送部5通过批次输送机构19的基片保持体22接收载置在送入侧批次载置台17的批次，并将该批次交接到批次处理部6。另外，批次输送部5通过批次输送机构19的基片保持体22接收由批次处理部6处理后的批次，并将该批次交接到送出侧批次载置台18。并且，批次输送部5通过批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6将以垂直姿态前后排列的多个基片8作为1批次进行蚀刻、清洗或干燥等的处理。
在该批次处理部6中并排地设置有：进行基片8的干燥处理的干燥处理装置23；进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24；进行基片8的清洗处理的清洗处理装置25；和进行基片8的蚀刻处理的2台本发明的蚀刻处理装置(基片液处理装置)1。
干燥处理装置23具有处理槽27和以可升降的方式设置在处理槽27中的基片升降机构28。对处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。在基片升降机构28中，以垂直姿态前后排列地保持1批次量的多个基片8。干燥处理装置23通过基片升降机构28从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，通过基片升降机构28使该批次升降，由此通过对处理槽27供给的干燥用的处理气体进行基片8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将批次从基片升降机构28交接到批次输送机构19的基片保持体22。
基片保持体清洗处理装置24具有处理槽29，构成为能够对该处理槽29中供给清洗用的处理液和干燥气体，通过在对批次输送机构19的基片保持体22供给清洗用的处理液后供给干燥气体来进行基片保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31可升降地设置有基片升降机构32、33。在清洗用的处理槽30贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35中可升降地设置有基片升降机构36、37。蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。如上所述，蚀刻处理装置1成为基于本发明的基片液处理装置。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1成为相同的结构。关于蚀刻处理装置(基片液处理装置)1进行说明，在基片升降机构36中以垂直姿态前后排列地保持1批次量的多个基片8。在蚀刻处理装置1中，由基片升降机构36从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，通过基片升降机构36使该批次升降，由此使批次浸渍在处理槽34的蚀刻用的处理液中，从而进行基片8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1将批次从基片升降机构36交接到批次输送机构19的基片保持体22。另外，由基片升降机构37从批次输送机构19的基片保持体22接收批次，通过基片升降机构37使该批次升降，从而使批次浸渍在处理槽35的冲洗用的处理液中进行基片8的冲洗处理。之后，将批次从基片升降机构37交接到批次输送机构19的基片保持体22。
控制部7控制基片液处理系统1A的各部(载体送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、蚀刻处理装置1)的动作。
该控制部7例如由计算机构成，具有由计算机能够读取的M。在存储介质38中保存有控制在基片液处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部7读取存储在存储介质38中的程序并执行，由此来控制基片液处理装置1的动作。此外，程序是存储在通过计算机能够读取的存储介质38中的程序，但也可以是从其他的存储介质安装在控制部7的存储介质38中的程序。作为能够由计算机读取的存储介质38，例如由硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如上所述在蚀刻处理装置1的处理槽34中，将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)作为处理液(蚀刻液)来使用，对基片8实施液处理(蚀刻处理)。
接着，关于蚀刻处理装置(基片液处理装置)1的概略结果和配管系统参照图2进行说明。
蚀刻处理装置1具有上述的处理槽34，其贮存作为处理液的规定浓度的磷酸水溶液。处理槽34具有内槽34A和外槽34B。在外槽34B中，从内槽34A流入溢出的磷酸水溶液。外槽34B的液位维持为比内槽34A的液位低。
在外槽34B的底部连接有循环管路50的上游端。循环管路50的下游端连接于在内槽34A内所设置的处理液供给喷嘴49。在循环管路50，从上游侧起依次地插设有泵51、加热器52和过滤器53。通过驱动泵51，形成从外槽34B经由循环管路50和处理液供给喷嘴49输送到内槽34A内然后再从内槽34A向外槽34B流出的磷酸水溶液的循环流。
由处理槽34、循环管路50和循环管路50内的设备(51、52、53等)形成液处理部39。另外，通过处理槽34和循环管路50构成循环系统。
在内槽34A内的处理液供给喷嘴49的下方设置有用于对处于内槽34A内的磷酸水溶液中排出非活泼性气体例如氮气的气泡的(用于进行鼓泡的)气体喷嘴60。对于气体喷嘴60，从气体供给源60B经由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成的流量调节器60C，供给非活泼性气体例如氮气。
在处理槽34设有上述的基片升降机构36。基片升降机构36能够将多个基片8以垂直地竖起的姿态在水平方向上隔开间隔地排列的状态保持，另外，也能够以该状态进行升降。
蚀刻处理装置1具有：对液处理部39供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部40；对液处理部39供给纯水的纯水供给部41；对液处理部39供给硅溶液的硅供给部42；和从液处理部39将磷酸水溶液排出的磷酸水溶液排出部43。
磷酸水溶液供给部40对由处理槽34和循环管路50构成的循环系统内即液处理部39内的任意的部位，优选如图示那样对外槽34B供给规定浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给部40具有：由贮存磷酸水溶液的罐构成的磷酸水溶液供给源40A；连接磷酸水溶液供给源40A与外槽34B的磷酸水溶液供给管路40B；在磷酸水溶液供给管路40B从上游侧起依次地插设的流量计40C；流量控制阀40D和开闭阀40E。磷酸水溶液供给部40能够经由流量计40C和流量控制阀40D按所控制的流量将磷酸水溶液供给到外槽34B。
纯水供给部41供给纯水，用于补给由于将磷酸水溶液加热而蒸发了的水分。该纯水供给部41包括供给规定温度的纯水的纯水供给源41A，该纯水供给源41A经由流量调节器41B连接于外槽34B。流量调节器41B能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部42具有由罐构成的硅供给源42A和流量调节器42B，该罐中贮存分散有含硅化合物溶液例如胶体硅的液。流量调节器42B能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
磷酸水溶液排出部43为了将处于由液处理部39和循环管路50构成的循环系统内即液处理部39内的磷酸水溶液排出而设置。磷酸水溶液排出部43具有：从循环管路50分支的排出管路43A；和在排出管路43A中从上游侧起依次设置的流量计43B、流量控制阀43C、开闭阀43D和冷却罐43E。磷酸水溶液排出部43能够经由流量计43B和流量控制阀43C按所控制的流量将磷酸水溶液排出。
冷却罐43E将在排出管路43A中流通的磷酸水溶液暂时贮存并进行冷却。从冷却罐43E流出了的磷酸水溶液(参照附图标记43F)可以在工厂废液系统(未图示)中废弃，也可以将在该磷酸水溶液中含有的硅通过再生装置(未图示)除去后，输送到磷酸水溶液供给源40A进行再利用。
在图示例子中，排出管路43A连接于循环管路50(图中过滤器排放口的位置)，但并不限定于此，也可以连接于循环系统内的其他部位，例如内槽34A的底部。
在排出管路43A设置有测量磷酸水溶液中的硅浓度的硅浓度计43G。另外，在从循环管路50分支而连接于外槽34B的分支管路55A，插设有测量磷酸水溶液中的磷酸浓度的磷酸浓度计55B。在外槽34B设置有检测外槽34B内的液位的液位计44。
接着，参照图3～图7关于蚀刻处理装置1的处理槽34的结构进行详细地说明。为了说明的方便，设定XYZ正交坐标系，根据需要进行参照。其中，将X负方向称为“前侧”或者“前方”，将X正方向称为“后侧”或者“后方”，将Y负方向称为“右侧”或者“右方”，将Y正方向称为“左侧”或者“左方”。
如上所述，处理槽34具有使上部开放的内槽34A和使上部开放的外槽34B。内槽34A收纳在外槽34B的内部。从内槽34A溢出的磷酸水溶液流入到外槽34B中。在执行液处理期间，包含内槽34A的底部的大部分浸渍在外槽34B内的磷酸水溶液中。
外槽34B被收纳在液接收纳器(水槽)80的内部，在外槽34B与液接收纳器80之间形成有排放空间81。在排放空间81的底部连接有排放管路82。
处理液供给喷嘴49由在内槽34A内沿着X方向(水平方向)延伸的筒状体构成。处理液供给喷嘴49从在其周面上穿设的多个排出口49D(参照图3和图4)向被基片升降机构36所保持的基片8排出处理液。在图中设置有2个处理液供给喷嘴49，但也可以设置3个以上的处理液供给喷嘴49。对于处理液供给喷嘴49，从在铅直方向上延伸的配管49A供给处理液(磷酸水溶液)。
气体喷嘴60由在内槽34A内的比处理液供给喷嘴49低的高度位置在X方向(水平方向)上延伸的筒状体构成。气体喷嘴60从设置在其周面的多个排出口60D(参照图3和图4)排出非活泼性气体(例如氮气)的气泡。通过非活泼性气体的鼓泡，能够使在内槽34A内的磷酸水溶液的沸腾状态稳定化。对于气体喷嘴60，从在铅直方向上延伸的配管60A供给处理液(磷酸水溶液)。
基片升降机构36具有未图示的通过升降机构进行升降的在铅直方向(Z方向)上延伸的支承板36A；和由支承板36A支承一端的在水平方向(X方向)上延伸的一对基片支承部件36B(也参照图9)。各基片支承部件36B具有在水平方向(X方向)上隔开间隔地排列的多个(例如50～52个)基片保持槽(未图示)。基片8的周边缘部被插入基片保持槽中。基片升降机构36能够将多个(例如50～52个)基片8以铅直姿态在水平方向(X方向)上以隔开间隔的状态保持。这样的基片升降机构36在该技术领域是公知的，详细构造的图示和说明省略。
在处理槽34设置有用于开闭内槽34A的上部开口的第一盖体71和第二盖体72。第一盖体71和第二盖体72分别与在水平方向(X方向)上延伸的旋转轴71S、72S结合。旋转轴71S、72S连结于固定在液接收纳器80的轴承83和旋转致动器84(参照图4、图5)。通过使旋转致动器84动作，第一盖体71和第二盖体72以在水平方向(X方向)上延伸的各个旋转轴线为中心，能够在分别覆盖内槽34A的上部开口的第一区域(左半部)和第二区域(右半部)的封闭位置(在图3和图6中所示的位置)、与成为大致直立状态而将内槽34A的上部开口的第一区域和第二区域开放的开放位置(图8中所示的位置)之间旋转(转动)(参照图3中的箭头SW1、SW2)。
第一盖体71和第二盖体72没有覆盖内槽34A的上部开口之中的设置有支承板36A、配管49A、60A的区域。
在蚀刻处理装置1的通常运转中，第一盖体71和第二盖体72除了在进行由基片升降机构36保持的基片8的向内槽34A的送入/送出时以外，位于封闭位置，防止处于内槽34A内的磷酸水溶液的温度降低，并且抑制从沸腾的磷酸水溶液产生的水蒸气逸散到处理槽34的外部。
第一盖体71具有：从正上方看大致矩形的主体部71A；在X方向延伸的第一飞沫遮蔽部71B、第二飞沫遮蔽部71C以及封闭部71D；和在Y方向上延伸的第三飞沫遮蔽部71E。同样地，第二盖体72具有：大致矩形的主体部72A；在X方向上延伸的第一飞沫遮蔽部72B、第二飞沫遮蔽部72C和封闭部72D；和在Y方向上延伸的第三飞沫遮蔽部72E。
在主体部71A的上表面形成有较大的矩形的凹部71R。凹部71R由底壁711R和4个侧壁712R、713R、714R、715R划分。
第一盖体71处于封闭位置时，以不妨碍从内槽34A向外槽34B的磷酸水溶液的溢出(参照图6的箭头OF)的方式，在内槽34A的侧壁和与其靠近地相面对的侧壁712R、713R之间设置有间隙。此外，虽然未图示，在内槽34A的4个侧壁的上端，为了使溢出顺畅地进行，隔开间隔地形成有多个V字形的缺口。
第一盖体71的底壁711R以在Y方向上随着与第二盖体72远离(在Y方向上随着靠近内槽34A的侧壁)而变高的方式倾斜。由于该倾斜，上述的溢出能够顺畅地进行。
由于内槽34A内的磷酸水溶液处于沸腾状态或者被实施了鼓泡，与从内槽34A溢出到外槽34B的磷酸水溶液一起，磷酸水溶液的飞沫也从内槽34A飞出。该飞出的飞沫与处于封闭位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B碰撞，落到内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间中，不飞散到外槽34B的外侧。处于封闭位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B的下端，优选处于至少比邻近的内槽34A侧壁的上端低的位置。
第二飞沫遮蔽部71C在第一盖体71处于开放位置时，起到与第一盖体71处于封闭位置时的第一飞沫遮蔽部71B同样的作用。处于开放位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B的下端，优选处于至少比邻近的内槽34A侧壁的上端低的位置。
封闭部71D在第一盖体71处于开放位置时(参照图8)，覆盖内槽34A的侧壁的上端与外槽34B的侧壁的上端之间的间隙之中的、从旋转轴71S至外槽34B的侧壁的区域的上方。封闭部71D将在第一盖体71处于封闭位置时附着在主体部71A的上表面的液体(例如当润湿的基片通过处理槽34的上方时从该基片落下的液体)，在第一盖体71位于开放位置时被引导到外槽34B与液接收纳器80之间的排放空间81中，防止该液流入到外槽34B内。进入到排放空间81中的液从排放管路82被废弃。
第三飞沫遮蔽部71E以在离基片升降机构36较远一侧，在内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间的上方延伸的方式设置。第三飞沫遮蔽部71E沿着第一盖体71的端缘遍及该端缘的全长从旋转轴71S起在Y方向上延伸。第三飞沫遮蔽部71E在第一盖体71处于封闭位置时，发挥与第一飞沫遮蔽部71B同样的作用。处于开放位置的第一盖体71的第三飞沫遮蔽部71E的下端，优选位于至少比邻近的内槽34A侧壁的上端低的位置。
在靠近基片升降机构36一侧，也可以不设置沿着第一盖体71的在Y方向延伸的端缘延伸的飞沫遮蔽部。这是因为，向X正方向飞散的磷酸水溶液由于与基片升降机构36的支承板36A、配管49A、60A等碰撞，因此几乎不能到达外槽34B。
第二盖体72相对于第一盖体71形成为大致镜面对称，第一盖体71和第二盖体72的各自彼此大致相同。两者的不同点在于后述的附属部件(板状体73P、基片按压件74)的有无。因此，关于第一盖体71的结构和作用的说明，能够引用关于第二盖体72的结构和作用的说明。第一盖体71和第二盖体72的彼此对应的部件(处于对称位置的部件、具有相同功能的部件)的参照符号的末尾标注相同字母，仅参照符号的前两位是“71”或者是“72”的不同。
如图6所示，第一盖体71和第二盖体72处于封闭位置时，从第一盖体71的底壁711R向上方延伸的侧壁712R与从第二盖体72的底壁721R向上方延伸的侧壁722R彼此面对，在两侧壁之间形成高度H的间隙G。通过设置凹部71R、72R，能够抑制因设置高度H的间隙而引起的第一盖体71和第二盖体72的重量的增大。
如图6所示，处于封闭位置的第一盖体71的主体部71A的下表面(底壁711R的下表面)和第二盖体72的主体部72A的下表面(底壁721R的下表面)与内槽34A内的处理液的液面相接触的情况下，存在沸腾的或者被鼓泡的磷酸水溶液从第一盖体71与第二盖体之间的间隙向上方飞出，并向周围飞散的情况。但是，如上所述通过设置高度H的间隙G，处理液难以从间隙G向外方飞出。为了实现该效果，高度H例如能够形成为大约5cm以上。
内槽34A内的处理液为磷酸水溶液的情况下，第一盖体71和第二盖体72之中至少主体部71A、72A不被处理液侵入，例如由石英等的材料形成。在主体部71A、72A由石英形成的情况下，石英彼此碰撞有可能发生破裂或缺损，为了防止这样的状况，优选在第一盖体71和第二盖体72处于封闭位置时，以主体部71A、72A彼此不接触的方式在两者之间设置间隙。在主体部71A、72A彼此之间设置有间隙的情况下，处理槽34内尤其是内槽34A内的磷酸水溶液有可能通过该间隙向外方飞散。但是，通过设置上述那样的高度H的间隙G，至少能够大幅地抑制从间隙G的磷酸水溶液的飞散。
另外，为了使溢出顺畅，如上所述对底壁711R(721R)赋予倾斜，且使底壁711R(721R)与内槽34A内的磷酸水溶液接触的情况下，当没有从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)时，底壁711R(721R)的前端没入磷酸水溶液中。但是，如上所述通过设置从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)，能够使磷酸水溶液的液面的高度位置比侧壁712R(722R)的上端低。
如图6所示，优选在第一盖体71的主体部71A和第二盖体72的主体部72A的任意一方(在此为主体部71A)，设置延伸至另一方(在此为主体部72A)的前端的上方或者超过上方，从上方覆盖间隙G的覆盖部73。通过设置覆盖部73，能够防止处理液从间隙G向上方飞出。此外，请注意在图3～图5中，为了防止附图的繁杂化，没有记载覆盖部73(和板状体73P)。
此外，由于间隙G具有高度H，从内槽34A内的磷酸水溶液的液面飞散的处理液的液滴的势头，在与覆盖部73碰撞时变弱。因此，与覆盖部73碰撞的处理液不向侧方飞出。
覆盖部73例如如图6所示，能够通过将与第一盖体71的凹部71R的轮廓相匹配的具有大致矩形的切除部73Q的板状体73P，安装在第一盖体71的主体部71A的上表面而设置。在该情况下，由板状体73P的端缘部构成覆盖部73。
如图6所示，在第一盖体71和第二盖体72处于封闭位置时，也可以在覆盖部73与第二盖体72之间设置间隙。也可以代替该结构，在第一盖体71和第二盖体72处于封闭位置时，覆盖部73与第二盖体72相接触。在该情况下，覆盖部73发挥作为将间隙G的上端部封闭的密封件的作用。
在使覆盖部73接触第二盖体72的情况下，优选由具有即使与石英碰撞也不会发生损伤且不使石英损伤的程度的柔软性，并且，具有比较高的耐腐蚀性的树脂材料，例如PTFE、PFA等的氟类树脂材料形成覆盖部73。
也可以将覆盖部73与第一盖体71一体地形成。另外，也可以不设置覆盖部73。在没有设置覆盖部73的情况下，与设置了的情况下相比优选使上述高度H更高。
另外，在第一盖体71的主体部71A和第二盖体72的主体部72A的任意一者(在图示例子中第二盖体72的主体部72A的前端部)设置有基片按压件74。在基片按压件74的下表面，形成有沿着基片8的排列方向(X方向)、以与基片支承部件36B的基片保持槽36BG(参照图10)相同间距且在相同X方向位置配置的多个基片保持槽74G(参照图7和图10)。在基片保持槽74G的各个槽中收纳1个基片8的周边缘部。此外，在图7的立体图中，能够看到基片按压件74的下端部(形成有基片保持槽74G的部分)，但请注意，实际上隐藏在凹部72R的底壁721R，不能看见。
在图示的实施方式中，基片按压件74由与第二盖体72分别形成的细长的板状体构成，通过螺纹固定被固定在第二盖体72的主体部72A。也可以代替该结构，将基片按压件74与第二盖体72一体地形成。在任意的情况下，基片按压件74构成第二盖体72的主体部72A的侧壁722R的一部分。
当基片8被处理时，在位于封闭位置的第二盖体72设置的基片按压件74，与由基片支承部件36B支承的基片8卡合，能够防止或者抑制该基片8向上方的变位。因此，即使从处理液供给喷嘴49以大流量排出处理液，或者即使内槽34A内的处理液的沸腾水平变高，或者即使剧烈地进行氮气鼓泡，也能够消除基片8从基片支承部件36B脱落的可能性。
如图9中概略地表示，在处理槽34的上方设置有摄像机90和照明92。只要能够取得后述的图像处理所必要的图像，也能够省略摄像机90专用的照明92。从摄像机90通过有线或者无线通信将图像信号输出到具有图像处理功能的基片位置判断部94。基片位置判断部94可以是控制部7的一部分，也可以是另外的运算处理单元。
摄像机90能够配置在内槽34A的上部开口的正上、且比由基片支承部件36B支承的基片8的上限位置(在基片升降机构36的基片支承部件36B与批次输送机构19的基片保持体22之间进行基片8的交接的高度位置)靠上方。也可以代替该结构，将摄像机90设置在较低的位置(靠近内槽34A的上部开口的高度位置)，并且设置能够使摄像机90在内槽34A的正上方的位置与从内槽34A的正上方偏离的位置之间移动的移动机构。只要能够取得后述的基片位置判断所必要的图像，也可以将摄像机90设置在与上述不同的位置。
在摄像机90的更上方配置有风扇过滤单元(FFU)100。从风扇过滤单元100向下吹出清洁空气。通过该清洁空气的向下流动，例如即使存在使摄像机90的透镜模糊或者使摄像机90腐蚀的可能性的、来自处理液(药液)的气体或者雾气从处理槽34上升，这样的气体或者雾也不会到达摄像机90。
通过设置包围摄像机90的覆盖件(未图示)，在覆盖件内流通适当的屏蔽气体(清洁空气或者非活泼性气体)，由此能够相对于来自处理液的气体或者雾气而保护摄像机90。
此外，在处理槽34内存储的处理液为磷酸的情况下，向处理槽34的上方上升的气体实质上是水蒸气，对摄像机90的影响较小。
接着，关于上述蚀刻处理装置1的作用进行说明。首先，磷酸水溶液供给部40将磷酸水溶液供给到液处理部39的外槽34B。在磷酸水溶液的供给开始后经过规定时间时，循环管路50的泵51进行动作，形成在上述的循环系统内进行循环的循环流。
并且，循环管路50的加热器52进行动作，以内槽34A内的磷酸水溶液成为规定温度(例如160℃)的方式加热磷酸水溶液。最迟至基于加热器52进行的加热开始时刻为止，使第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置。160℃的磷酸水溶液成为沸腾状态(优选微沸腾状态)。通过磷酸浓度计55B检测到由于因沸腾产生的水分的蒸发而磷酸浓度超过了预先决定的管理上限值的情况下，从纯水供给部41供给纯水。
在将1个批次的基片8投入内槽34A内的磷酸水溶液中前，进行在循环系统(包括内槽34A、外槽34B和循环管路50)内存在的磷酸水溶液中的硅浓度(其对相对硅氧化膜的氮化硅膜的蚀刻选择比造成影响)的调节。硅浓度的调节能够通过将模拟基片浸渍在内槽34A内的磷酸水溶液中，或者从硅供给部42向外槽34B供给含硅化合物溶液来进行。为了确认在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度处于预先设定的范围内，可以在排出管路43A中流通磷酸水溶液，利用硅浓度计43G测量硅浓度。
硅浓度调节结束后，使第一盖体71和第二盖体72移动到开放位置。这时，在处理槽34的上方，从批次输送机构19的移动体21的基片保持体22接收基片8的基片升降机构36的基片支承部件36B待机。基片支承部件36B适当地支承多个、即形成1个批次(也称为处理批次或者批)的多个例如50个基片8。所谓“适当地支承”的意思是，如作为示意图的图10的下半部分所示，基片8的下侧周边缘部在基片支承部件36B的各基片保持槽36BG中各嵌入1个，且基片8以铅直姿态在水平方向上按规定的排列间距(例如5mm程度)排列。接着，基片支承部件36B下降，由此被基片支承部件36B支承的基片8沉入内槽34A内的磷酸水溶液中。这时，为了防止基片9从基片支承部件36B浮起，优选停止鼓泡。
基片8沉入内槽34A内的磷酸水溶液中经过了规定时间(例如5秒程度)后，使第二盖体72移动到封闭位置。设置于第二盖体72的基片按压件74与基片8的上侧周边缘部卡合，约束基片8。接着，利用摄像机90拍摄基片8。基于该拍摄结果，能够判断(以下称为“基片位置判断”)是否全部的基片8处于适当的位置(尤其是基片按压件74是否与基片8适当地卡合)。关于该判断的方法后述。如果判断为全部的基片8处于适当的位置，使第一盖体71移动到封闭位置。
接着，开始从气体喷嘴60排出氮气的鼓泡。通过将基片8在磷酸水溶液中浸渍规定时间，对基片8实施湿式蚀刻处理(液处理)。
在基片8的蚀刻处理中预先使第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置，由此，能够抑制内槽34A内的磷酸水溶液的液面附近的温度降低，从而能够将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。另外，由于内槽34A浸渍在外槽34B内的磷酸水溶液中，因此能够抑制从内槽34A的壁体的散热导致的内槽34A内的磷酸水溶液的温度降低，另外，能够将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。因此，能够较高地维持基片8的蚀刻量的面内均匀性和面间均匀性。
在1个批次的基片8的处理中，由于从基片8溶出硅，因此在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度上升。在1个批次的基片8的处理中，为了维持在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度，或者有意图地使其改变，能够一边通过磷酸水溶液排出部43将处于循环系统内的磷酸水溶液排出，一边通过磷酸水溶液供给部40供给磷酸水溶液。
如上所述，一个批次的基片8的处理结束后，使第一盖体71和第二盖体72移动到开放位置。并且，使基片支承部件36B上升将基片8从内槽34A送出。
在基片8的处理结束后且将基片8从内槽34A送出前，保持第二盖体72位于封闭位置不变而使第一盖体71移动到开放位置，且在该状态下，进行基片位置判断。通过这样做，能够检测出有可能在处理中产生的基片8的错位(虽然发生概率非常低)。
之后，再次将第一盖体71和第二盖体72移动到封闭位置，进行处于循环系统内的磷酸水溶液的温度、磷酸浓度、硅浓度的调节后，与上述同样地进行另外的批次的基片8的处理。
接着，关于基片位置判断的一个实施方式进行说明。在基片位置判断前，由基片支承部件36B支承的多个例如50个基片8被沉入到内槽34A所贮存的处理液中。这时，各基片8的整体位于比处理液的液面靠下的位置。之后，在经过了规定时间(例如5秒)后，保持第一盖体71位于开放位置(图9中用虚线表示)不变，使附有基片按压件74的第二盖体72移动到封闭位置。接着，实施基片位置判断。
在进行基片位置判断时，点亮照明92，在该状态下利用摄像机90(摄像部)拍摄基片8的图像。这时，通过内槽34A的上部开口之中没有被第一盖体71关闭的区域，照明光到达基片8，另外，来自基片8的反射光(物体光)到达摄像机90。由此，通过摄像机90能够取得具有能够无障碍地实施下述的基片位置判断的程度的鲜明度的图像。在该图像内，实质上，仅各基片8的整个表面中的APEX(基片的最外周边缘)及其附近显现，基片的表面(器件形成面)和背面不显现(参照图11的示意图)。照明92优选从能够将各基片8的APEX映现得最明亮的位置照射照明光。
基片位置判断部94以包含各基片8的靠近液面的部分在内的方式切取图像的一部分区域AR(参照图11的示意图)。区域AR例如能够形成为以基片8的排列方向为长边方向的条状区域。在区域AR的图像中，在图11中看到的各基片8的APEX(尤其是与照明光的光轴垂直的部分)，由于良好地反射照明光，在图像内的亮度变得最高。
基片位置判断部94求取区域AR内的沿着基片8的排列方向(其为沿着与图11中的X轴平行的箭头XS的方向)的灰度值(与图像的亮度对应的值)的分布。
作为灰度值的分布能够使用沿着线的分布，其中，该线具有沿着基片8的排列方向(X方向)延伸的多个像素相应量的宽度(例如与区域AR的宽度相应的像素个数相应量的Y方向宽度)。在该情况下，可以将基于来自处于相同X方向位置的在Y方向上排列的多个像素的信号所计算出的灰度值的平均值，作为在某X方向位置的灰度值处理。通过这样处理，能够提高检测精度。
也可以代替上述方式，作为灰度值的分布能够使用沿着线的分布，其中，该线具有沿着箭头XS的方向延伸的1像素相应量的宽度(Y方向的宽度)。在该情况下，作为摄像部，能够代替摄像机90使用线列传感器。线列传感器例如能够设置在第一盖体71或者第二盖体72。第一盖体71或者第二盖体72如果是透明的，也可以将线列传感器设置在例如凹部71R、72R的内部，在该情况下，线列传感器接收透过第一盖体71或者第二盖体72的物体光。
在图12中表示沿着图11中的箭头XS的灰度值的分布的一例。与各基片8的APEX相当的图像部分的亮度最高，灰度值呈现峰值。与相邻的基片8的间隙相当的图像部分的灰度值呈现谷值。在全部的基片8中，各基片8的实际位置(X坐标)与该基片8应当位于的基准位置的偏差如果处于容许范围中，峰值在基片8的规定的排列间隔(例如5mm±允许范围内的偏移量)，并且在相邻的峰值之间存在谷值。这时，如图10中概略地表示，在基片支承部件36B的各基片保持槽36BG的每一个中嵌入了1个基片8的下部周边缘部，并且，在基片按压件74的各基片保持槽74G的每一个嵌入了一个基片8的上侧周边缘部。将其称为“适当的基片保持状态”。
图13中表示了产生不适当的基片保持状态的原因。如图13的左侧所示，在某1个基片8的上侧周边缘部与相邻的基片8的上侧周边缘部靠近的状态下，当关闭第二盖体72将基片按压件74靠近基片8时，产生在相邻的基片8的上侧周边缘部彼此接触的状态下嵌入相同基片保持槽74G中的现象。这称为“架桥(晶片架桥)”。在产生架桥的2个基片8之间处理液的流动变差，因此，有可能不能得到按原意图的基片处理结果(例如面内均匀性的恶化)。
图12表示相对于50个基片8得到的灰度值分布的一例。在图12中，在基片排列的端部，相邻的灰度值峰值彼此的间隔变宽。这是由于产生了上述的架桥。即，当产生如图13的右侧所示的架桥时，如图14中虚线所示，相邻的2个基片8的APEX的图像的灰度值的峰值，作为不能分离的1个峰值被检测出来。另外，相邻的峰值间的距离也变大。利用该状况，能够检测出架桥的产生。此外，在图14中，实线为在适当的基片保持状态时得到的曲线。
此外，是否产生了架桥的判断，至少包含在1个基片8的实际位置与基准位置的偏差是否在允许范围内的判断中。
刚将带基片按压件74的第二盖体72关闭后进行基片位置判断，在确认了没有发生架桥的情况下(即全部的基片8处于适当的保持状态)，开始氮气的鼓泡并且关闭第一盖体71，保持这样进行液处理(例如湿式蚀刻处理)。
在没有产生架桥的情况下，打开第二盖体72，然后再关闭(重试)。这时，不需要将第二盖体72打开至全开状态(即使其移动至开放位置)，只要基片按压件74暂且离开基片8就足够。在基片按压件74离开基片8的期间，可以使基片支承部件36B上下地微少量往复，摇晃基片8。在关闭第二盖体72后，再次进行基片位置判断。确认了基片8被收纳在适当的位置(即没有发生架桥)后，从气体喷嘴60(参照图2～图4)排出氮气开始鼓泡，并且关闭第一盖体71继续进行处理。
尽管进行了上述的操作但架桥没有被消除的情况下，反复进行第二盖体72的开闭和基片位置判断直至架桥被消除。也可以代替该方法，在将第二盖体72的开闭和基片位置判断进行了预定的次数后，无论架桥是否已消除，都开始鼓泡并且关闭第一盖体71继续进行液处理。或者也可以代替该方法，即使在起初关闭第二盖体72时发生了架桥，也开始鼓泡并且关闭第一盖体71继续进行液处理。
氮气的鼓泡是为了提高基片8的处理的面内均匀性和面间均匀性等的目的而进行的。因此，不进行鼓泡而将基片8继续浸渍在处理液中并不太优选。从该观点考虑，优选对第二盖体72的开闭和基片位置判断的试验次数设置限制。但是，根据处理的种类也存在不产生上述的问题的情况，因此也可以不对再试验次数设置限制。
此外，如果没有利用基片按压件74按压基片8，则由于鼓泡，基片8从基片支承部件36B浮起，存在基片8的下侧周边缘部从基片支承部件36B的基片保持槽脱离的可能性。因此，无论按什么样的顺序进行处理，均优选鼓泡在使第二盖体72位于封闭位置的状态下进行。
也可以对产生了架桥的基片8实施软件打标。所谓软件打标是指，例如在控制部7的存储介质38中存储例如“在处理槽34中对于批次M(M为批次的ID)基片8进行了湿蚀刻时，第N个基片8与第N+1个基片8产生了架桥”这样的内容的意思。基于软件打标，可以在后工序中，对产生了架桥的基片8或者由该基片8所得到的半导体装置进行仔细的检查。可以将即使发生过一次架桥的全部基片8作为软件打标的对象。也可以代替该方法，而仅将发生了预先设定次数以上的架桥的基片8作为软件打标的对象。也可以代替该方法，仅将保持发生了架桥的状态进行了液处理的基片8作为软件打标的对象。
如果在起初的基片位置判断中发生了架桥，之后也可以不进行第二盖体72的开闭操作(重试)，保持原样地进行处理。在该情况下，对发生了架桥的基片8实施软件打标。在最初的基片位置判断中发生了架桥后是否进行第二盖体72的开闭操作，能够由操作员经由基片液处理系统1A的未图示的用户接口(键盘、触摸面板等)设定。
如果检测出架桥的发生，操作员也可以经由基片液处理系统1A的未图示的用户接口(显示器、警报灯、警报蜂鸣器等)进行警告通知。
也能够利用上述的基片位置判断决定将带基片按压件74的第二盖体72关闭的时刻。将基片8利用基片支承部件36B以铅直姿态在水平方向上保持等间隔的状态下沉入到在内槽34A中所贮存的处理液内的过程中，由于拉普拉斯压力的影响，基片8摇动，相邻的基片8的上部周边缘部间的距离发生变动。在图15中表示了以将基片8沉入处理液内的瞬间为基准(0秒)，数组相邻的基片8间的距离的随时间经过的变化。根据图15的图表可知，将基片8沉入处理液内后经过一定程度的时间(例如5秒程度)后基片的摇动结束。基片8的摇动降低到没有问题的水平后，可以关闭带基片按压件74的第二盖体72。
根据试验确认了从将基片8沉入内槽34A内的处理液中起至基片8的摇动变得充分小的时间(例如5秒程度)是大致一定的。因此，从将基片8投入内槽34A中起经过了规定时间(例如从稍微的安全裕度来看6秒程度)后，可以不进行基片位置判断，关闭第二盖体72。即使这样，也几乎不产生架桥的问题。假如即使产生了架桥，通过关闭第二盖体72后的基片位置判断也能够掌握架桥的发生，根据需要应对。
代替上述方式，也可以从将基片8沉入处理液中，基于例如经过5秒后、经过6秒后、经过7秒后所取得的图像进行基片位置判断，如果能够确认相对基片8的基准位置的基片8的实际位置的偏移(位置偏差)稳定且收敛在规定范围内，则关闭第二盖体72。在该情况下，能够更可靠地防止架桥的发生。
依据上述实施方式，能够利用基片支承部件36B和基片按压件74将基片8稳固地限定在适当的位置(基准位置)的状态下进行批量处理。如果发生架桥，有可能基片8的处理结果(例如蚀刻量)的面内均匀性和面间均匀性降低，依据本实施方式，不会发生这样的状况。
在上述实施方式中，在基片位置判断中仅考虑了架桥的有无，但并不限定于此。在基片位置判断中，也可以分别地判断各基片8的基准X坐标与实际X坐标的偏差。各基片8的基准X坐标，与该基片8应该卡合的基片支承部件36B的基片保持槽36BG的X坐标(或者基片按压件74的基片保持槽74G的X坐标)相等。关于各基片8分别求取基准X坐标与实际X坐标的偏差，在1个以上的基片8中偏差超过了预先设定的阈值的情况下，可以判断为产生了不适当的基片保持状态。
在上述实施方式中，对全部的基片8进行拍摄并对全部的基片8进行位置判断，但也可以仅拍摄一部分基片仅对一部分基片8进行位置判断。由于内槽34A和喷嘴类的配置，也存在仅处于特定场所的基片8产生位置偏移的情况，在这样的情况下，也可以进行仅以一部分的基片为对象的拍摄和基片位置判断。因此，也可以设置基于过去的基片位置判断调整摄像机90的拍摄范围的功能。通过这样做，能够减轻运算处理的负担，使基片位置判断的精度提高。
在上述实施方式中，摄像机配置在内槽34A的上部开口的上方，在使第一盖体71位于开放位置的状态下进行基片8的拍摄。即，从物体射出的物体光(来自照明92的照明光由基片8反射后向摄像机90去的光)不通过处理槽34的构成部件或者盖体71、72地入射到摄像机90。即，物体光实质上只有在处理液中通过时、和在处理液的液面(气液界面)通过时才被干扰。根据上述实施方式的图示的结构能够明确，从参与基片8的基片位置判断的部分(上部周边缘部)至处理液的液面的距离比较小。因此，能够利用摄像机90拍摄具有能够无障碍地实施基片位置判断的程度的鲜明度的图像。
此外，如图3所示当第一盖体71处于封闭位置时，如果第一盖体71与处理液的液面密接，并且第一盖体71由石英等的透明材料形成，则即使令第一盖体71位于封闭位置，也存在能够利用摄像机90拍摄具有能够无障碍地实施基片位置判断的程度的鲜明度的图像的情况。在这样的情况下，基于使第一盖体71处于封闭位置的状态下所得到的图像，也可以进行基片位置判断。
另外，如果处理槽34透明，也可以从处理槽34的下方拍摄基片8。在该情况下，能够判断在基片支承部件36B中的跳跃槽的有无。这里所说的跳跃槽，例如是指在将基片大力地沉入处理液中时，对基片8施加向上的力，基片8的下侧周边缘部从基片支承部件36B的基片保持槽36BG脱离，基片8移动到不适当的位置的意思。此外，通常，在处理槽34的下方的空间中，设置有液供给管路、排液管路和附设在这些管路的各种机器类，优选这些管路和机器类以不妨碍拍摄的方式配置。
另外，如果处理槽34是透明的(例如处理槽为石英制的情况下)，摄像机90也可以从内槽34A的侧方拍摄基片8。在该情况下，从得到更鲜明的图像的观点考虑，如图16所示，能够使用外槽(34B)仅包围内槽(34A)的上部的类型的处理槽。在该情况下，也可以将摄像机90以摄像机透镜与内槽34A的侧面紧贴的方式设置。此外，如果能够得到具有能够无障碍地实施基片位置判断的程度的鲜明度的图像，则也可以经由外槽(34B)和内槽(34A)拍摄基片8的图像。
也存在不使用基片8的保持用的基片按压件(74)而在利用基片支承部件(36B)仅从下方支承基片的状态下进行基片的处理的类型的基片液处理装置。在该情况下，在使处理液剧烈沸腾的情况下，或者为了鼓泡而使气体剧烈地排出的情况下，基片从基片支承部件浮起，有可能发生跳跃槽。这样的跳跃槽的发生，基于通过处理槽34的侧方或者下方设置的摄像机所拍摄的影像，通过进行与上述同样的基片位置判断能够检测出来。
另外，也可以追加设置用于确认从液中拉起的被基片支承部件36B所保持的基片8的位置的摄像机。由此，能够检测出在基片的处理中产生的基片的位置偏移、或者将基片从处理液拉起时产生的基片的位置偏移。
在上述实施方式中，处理液为磷酸水溶液，但并不限定于此，例如也可以使用SC1或在磷酸水溶液中混合有醋酸等的添加物的处理液。另外，在上述实施方式中，被蚀刻的膜为氮化硅膜，但并不限定于此，也可以是其他的成为蚀刻对象的膜。另外，在处理槽内对基片实施的处理也可以不包含蚀刻工序，可以仅包含清洗工序。即，在处理槽中，在能够从处理液的液面产生飞沫的条件下进行处理的情况下，能够适用本发明。基片不限定于半导体晶片，也可以是由玻璃、陶瓷等的其他材料构成的基片。
此外，请注意，在说明书中在部件之前附带的“第一”、“第二”这样的序号，和在技术方案中记载的构成要素之前附带的序数不一定一致(例如关于“盖体”)。

Claims (19)

1.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
贮存处理液的处理槽，其具有基片送入送出用的上部开口；
基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承所述多个基片；
升降机构，其使所述基片支承部件通过所述上部开口在所述处理槽内的处理位置与所述处理槽的上方的退避位置之间升降；
摄像部，其设置于能够拍摄在所述处理槽所贮存的处理液内由所述基片支承部件支承的所述多个基片的位置；
基片位置判断部，其基于所述摄像部所拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由所述基片支承部件支承的所述多个基片的实际位置与所述基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和
控制所述基片液处理装置的动作的控制部。
2.如权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片支承部件构成为以使得各所述基片能够向上方移位的方式，从下方支承各所述基片的下半部的周边缘部，
所述基片液处理装置包括：
能够将所述上部开口的至少一部分封闭的第一盖体；
使所述第一盖体开闭的第一盖体开闭机构；和
基片按压件部件，其设置在所述第一盖体，并且在支承有所述多个基片的基片支承部件位于所述处理位置且所述第一盖体位于封闭位置时，与由所述基片支承部件支承的各所述基片的上半部的周边缘部卡合，防止各所述基片向上方的移位并且还防止所述水平方向的移位。
3.如权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述控制部基于在第一时刻和第二时刻中的至少一个时刻拍摄得到的基片的图像数据，使所述基片位置判断部进行所述基片位置判断，其中，
所述第一时刻是将支承有所述多个基片的基片支承部件沉入到所述处理槽所贮存的处理液中之后且关闭所述第一盖体之前的时刻，
所述第二时刻是将支承有所述多个基片的基片支承部件沉入到所述处理槽所贮存的处理液中之后且关闭了所述第一盖体之后的时刻。
4.如权利要求3所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片位置判断部基于在所述第一时刻拍摄得到的基片的图像数据进行所述基片位置判断，在所述基片位置判断部判断为所述偏差处于所述允许范围内的情况下，所述控制部通过所述第一盖体开闭机构使所述第一盖体移动到封闭位置。
5.如权利要求3或4所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片位置判断部基于在所述第二时刻拍摄得到的基片的图像数据进行所述基片位置判断，在所述基片位置判断部判断为所述偏差没有在所述允许范围内的情况下，所述控制部使所述第一盖体开闭机构执行打开所述第一盖体然后再使所述第一盖体移动到封闭位置的开闭操作。
6.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述控制部根据所述基片位置判断的结果，使所述第一盖体开闭机构以预先设定的次数为上限反复执行所述开闭操作，直到使所述第一盖体最后一次移动到封闭位置之后的所述偏差收敛于所述允许范围内。
7.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述控制部在打开所述第一盖体然后再使所述第一盖体移动到封闭位置的期间，通过所述升降机构使所述基片支承部件升降来摇晃由所述基片支承部件支承的所述基片。
8.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于，还包括：
气体喷嘴，其在位于所述处理位置的所述基片支承部件的下方设置于所述处理槽内，排出鼓泡用的气体；和
对所述气体喷嘴供给气体的气体供给机构，
所述控制部控制所述气体供给机构，在从打开所述第一盖体起到之后再使所述第一盖体移动到封闭位置为止的期间，停止从所述气体喷嘴排出鼓泡用气体。
9.如权利要求5所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述上部开口由第一区域和第二区域构成，所述第一盖体设置成能够将所述第一区域封闭，
所述基片液处理装置还包括：
设置成能够将所述第二区域封闭的第二盖体；和
使所述第二盖体开闭的第二盖体开闭机构，
当要在所述第二时刻进行基片的拍摄时，所述控制部利用所述第二盖体开闭机构将所述第二盖体设为打开的状态，经由所述上部开口的所述第二区域进行所述基片的拍摄。
10.如权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于，还包括：
气体喷嘴，其在位于所述处理位置的所述基片支承部件的下方设置于所述处理槽内，排出鼓泡用的气体；和
对所述气体喷嘴供给气体的气体供给机构，
所述控制部控制所述气体供给机构，在由所述基片支承部件支承的所述多个基片被沉入到所述处理槽所贮存的处理液中之后起到使所述第一盖体移动至封闭位置为止，停止从所述气体喷嘴排出鼓泡用气体，在所述第一盖体移动至封闭位置之后使鼓泡用的气体从所述气体喷嘴排出。
11.如权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片位置判断部在所述基片位置判断中，在由所述基片支承部件支承的所述多个基片中的至少相邻的2个基片之间的距离比预先设定的阈值小时，判断为所述偏差没有在允许范围内。
12.如权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片位置判断部在所述基片位置判断中，分别地求出由所述基片支承部件支承的各基片的所述基准位置与所述实际位置的偏差，对于各基片分别地判断所述偏差是否在允许范围内。
13.如权利要求1～4、6～12中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述摄像部设置在能够从规定方向拍摄所述多个基片的位置，在从该规定方向拍摄所述多个基片时，能够使位于所述处理位置的由所述基片支承部件保持的所述多个基片的实质上仅APEX显现在图像上。
14.如权利要求13所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述摄像部还包括照明单元，其照射为了拍摄所述基片而所需的照明光，所述照明单元配置在能够以所述APEX最明亮地映现的方式照射所述照明光的位置。
15.如权利要求13所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片位置判断部构成为：视为在由所述摄像部获取的图像中的呈现亮度的峰值的位置存在各基片的APEX，并将各峰值的位置视为各基片的所述实际位置来进行所述基片位置判断。
16.如权利要求1～4、6～12、14、15中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述摄像部包含1个以上的摄像机，所述1个以上的摄像机设置在所述处理槽的上方的位置、所述处理槽的侧方的位置和所述处理槽的下方的位置中的1个以上的位置。
17.如权利要求1～4、6～12、14、15中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述摄像部包含线列图像传感器，其具有沿着由所述基片支承部件支承的所述多个基片的排列方向配置的摄像元件。
18.如权利要求1～4、6～12、14、15中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
在由所述基片位置判断部判断为相邻的2个基片接触了的情况下，所述控制部将该2个基片的每一个作为有与其他基片的接触记录的基片来进行存储。
19.一种使用基片液处理装置来进行的基片液处理方法，
所述基片液处理装置包括：
贮存处理液的处理槽，其具有基片送入送出用的上部开口；
基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承所述多个基片；和
升降机构，其使所述基片支承部件通过所述上部开口在所述处理槽内的处理位置与所述处理槽的上方的退避位置之间升降，
所述基片液处理方法的特征在于，包括以下步骤，即：
用摄像部拍摄在所述处理槽所贮存的处理液内由所述基片支承部件支承的所述多个基片；
由基片位置判断部基于所述摄像部所拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由所述基片支承部件支承的所述多个基片的实际位置与所述基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和
由控制部根据所述基片位置判断的结果来控制所述基片液处理装置的动作。
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