CN115172064A - 一种改善固态smd型电容器回流焊凸胶粒的方法 - Google Patents

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张超
姚兴旺
艾立华
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Abstract

本发明公开了一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，涉及电容器加工技术领域；包括以下步骤：将组立封口的电容器半成品清洗干净；将处理后的电容器半成品加热至热处理装置；热处理温度设置为105～200℃，热处理加热时间为30min～48H；热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；取样，过回流焊测试。本发明在固态SMD电容器耐高温性能优异，且回流焊后无胶塞凸起现象。

Description

一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法
技术领域
本发明涉及电容器加工技术领域，具体是一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法。
背景技术
固态SMD铝电解电容器回流焊凸橡胶塞的直接原因是当电容器受外界高温条件时，电容器内部气压急剧升高，从而导致橡胶塞凸起。电容器凸橡胶塞后必须马上更换，即使很轻微的凸橡胶塞也不能继续使用，以免造成电路中其他元器件的损坏。
回流焊的过程实质就是模拟客户端电容使用环境的一个过程，即过高温过程。随着电容器技术的不断发展，对电容器性能的要求也越来越高，为了满足客户的要求，研制出能够耐受住高温的铝电解电容器具有实际意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可改善固态SMD电容器回流焊凸橡胶塞的方法，从而改善电容器在客户应用端上上机不良，以及产品失效等风险。
为解决以上问题，本发明主要针对固态SMD电容器内部残留溶剂、水汽、或者受热易分解的物质等问题进行预处理，避免其电容器在回流焊中高温橡胶塞凸起造成失效。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
将组立封口的电容器半成品清洗干净；
将处理后的电容器半成品加热至热处理装置；
热处理温度设置为105～200℃，热处理加热时间为30min～48H；
热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
取样，过回流焊测试
作为本发明进一步的方案：包括以下步骤：
将组立封口的电容器半成品清洗干净；
将处理后的电容器半成品加热至热处理装置；
热处理温度设置为130～170℃，热处理加热时间为4H～30H；
热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
取样，过回流焊测试。
作为本发明再进一步的方案：所述热处理温度设置为150℃。
作为本发明再进一步的方案：所述热处理加热时间为24H。
作为本发明再进一步的方案：所述热处理装置为高温烤箱。
作为本发明再进一步的方案：将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘。
作为本发明再进一步的方案：将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：在固态SMD电容器耐高温性能优异，且回流焊后无胶塞凸起现象。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细地说明。
实施例1
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为200℃，热处理加热时间为48H；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
所述热处理装置为高温烤箱。
实施例2
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为105℃，热处理加热时间为30minH；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
所述热处理装置为高温烤箱。
实施例3
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为170℃，热处理加热时间为30H；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
所述热处理装置为高温烤箱。
实施例4
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为130℃，热处理加热时间为4H；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
所述热处理装置为高温烤箱。
实施例5
一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，包括以下步骤：
1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为150℃，热处理加热时间为24H；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
所述热处理装置为高温烤箱。
实施例6
本实施例中选取的电容器规格为VZ 820/2.5V 6.3*8的固态SMD电解电容器，其需耐回流焊标准的高温标准为Tmax=250℃，above 217℃时间为60s。
具体步骤：1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置；
3）热处理温度设置为175℃，热处理加热时间为6H；
4）热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
5）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
对比例1
传统制备方法具体步骤：1）将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘；
2）取样，过回流焊测试，确保无回流焊凸橡胶塞等不良情况。
按本发明实施例5提供的工艺方法和对比例1传统制备方法分别来制备固态电容，并分别选取了100颗产品进行测试，测试结果如表1所示：
Figure 1
由上可知，本实施例提供的固态电容制备方法，在固态SMD电容器耐高温性能优异，且回流焊后无胶塞凸起现象。
上面对本发明的较佳实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (6)

1.一种改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将组立封口的电容器半成品清洗干净；
将处理后的电容器半成品加热至热处理装置；
热处理温度设置为105～200℃，热处理加热时间为30min～48H；
热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
取样，过回流焊测试。
2.根据权利要求1所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将组立封口的电容器半成品清洗干净；
将处理后的电容器半成品加热至热处理装置；
热处理温度设置为130～170℃，热处理加热时间为4H～30H；
热处理加热完毕后，冷却至室温对其进行再次清洗干燥；
取样，过回流焊测试。
3.根据权利要求1所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，所述热处理温度设置为150℃。
4.根据权利要求3所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，所述热处理加热时间为24H
根据权利要求1-4任一所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，所述热处理装置为高温烤箱。
5.根据权利要求1所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法，其特征在于，将组立封口的电容器半成品清洗干净，除去铝壳和橡胶塞表面的油污及灰尘。
6.根据权利要求1所述的改善固态SMD型电容器回流焊凸胶粒的方法的制备方法，其特征在于，将处理后的电容器半成品用载具平铺放置在可加热的热处理装置。
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