CN115151845A - 荧光体板和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的荧光体板(100)是具有板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和母材中含有的荧光体，母材包含尖晶石，荧光体包含具有Si元素的荧光体，在使用Cu－Kα射线的荧光体板的X射线衍射图案中，以如下方式构成：在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与上述尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。

Description

荧光体板和发光装置
技术领域
本发明涉及荧光体板和发光装置。
背景技术
至今为止一直使用在密封树脂中分散无机荧光体而得的部件作为波长转换部件，但是如果以树脂为母材，则存在由于使用LED的光源发出热、光而使得树脂劣化的问题，因此也进行了以母材为无机物的波长转换部件的研究。在专利文献1中记载了在作为母材的玻璃中分散无机荧光体而成的波长转换部件(专利文献1的权利要求1)。根据该文献，还记载了波长转换部件的形状没有限定，以及制成板状的荧光体板(段落0054)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－199640号公报
发明内容
然而，本发明人进行了研究，结果发现，在上述专利文献1所记载的荧光体板中，在发光强度方面存在改善的余地。
根据本发明人的研究，可知：通过在无机母材中包含相对透明的尖晶石，荧光体板内的光的过度散射得到抑制，因此可以提高荧光体板的发光强度。
本发明人进一步进行了研究，结果发现，在使用具有Si元素的荧光体作为上述无机荧光体时，有在包含尖晶石的荧光体板中发光强度降低的风险。
基于这样的见解进一步进行了深入研究，结果发现，在荧光体板的X射线衍射图案中，将归属于尖晶石的特定的峰的强度与在规定的2θ的范围内存在的峰的合计强度之比作为指标，从而可以稳定地评价光学特性，而且，通过将这样的峰强度比的上限设为规定值以下，可以改善荧光体板的发光强度，以至完成了本发明。
根据本发明，提供一种荧光体板，
是具备板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和上述母材中含有的荧光体，
上述母材包含尖晶石，
上述荧光体包含具有Si元素的荧光体，
在使用Cu－Kα射线测定的上述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与上述尖晶石对应的峰强度设为1时，
衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
另外，根据本发明，提供一种发光装置，具备：
第III族氮化物半导体发光元件、和
设置于上述第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述的荧光体板。
根据本发明，提供发光强度优异的荧光体板和使用它的发光装置。
附图说明
图1是表示本实施方式的荧光体板的构成的一个例子的示意图。
图2(a)是示意性地表示倒装芯片型的发光装置的构成的截面图，(b)是示意性地表示引线接合型的发光元件的构成的截面图。
图3是用于测定荧光体板的发光效率的装置的概略图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式使用附图进行说明。应予说明，在全部的附图中，对同样的构成要素标以同样的符号，适当省略说明。另外，图是概略图，与实际的尺寸比率不一致。
对本实施方式的荧光体板进行概述。
对本实施方式的荧光体板的概要进行说明。
本实施方式的荧光体板具备包含含有尖晶石的母材和存在于母材中的具有Si元素的荧光体的板状的复合体(板状部件)。
包含α型赛隆(Sialon)荧光体作为具有Si元素的荧光体的荧光体板可以作为将照射的蓝色光转换为橙色光而发光的波长转换体发挥作用。
荧光体板构成为：在按照下述步骤测定的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
(X射线衍射图案的测定方法)
对于荧光体板，基于下述测定条件使用X射线衍射装置测定衍射图案。
测定对象的荧光体板使用厚度约为0.18～0.22mm的荧光体板。
(测定条件)
X射线源：Cu－Kα射线
Figure BDA0003806242220000031
输出设定：40kV·40mA
测定时光学条件：扩散狭缝＝2/3°
散射狭缝＝8mm
受光狭缝＝开放
衍射峰的位置＝2θ(衍射角)
测定范围：2θ＝20°～70°
扫描速度：2度(2θ)/sec，连续扫描
扫描轴：2θ/θ
试样制备：将板状的荧光体板置于样品架。
峰强度是进行背景校正而得到的值。
根据本发明人的见解，可知通过将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于尖晶石的峰的强度(Iα)与在规定的2θ的范围内存在的峰的强度的合计(Iβ)之比作为指标，可以评价包含具有Si元素的荧光体的荧光体板的光学特性，对与Iβ对应的2θ范围进一步进行了研究，结果发现，通过使用衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度作为Iβ1，可以稳定地评价荧光体板的光学特性。
进而，可知通过将这样发现的指标Iβ1/Iα的上限设为特定的值以下，荧光体板的发光强度提高。
在本发明的荧光体板中，将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的最大峰设为来自尖晶石的峰。
衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内包含的峰优选包含归属于α型赛隆的峰，另外，也可以包含归属于β型赛隆的峰。
将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时的衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度Iβ1的上限为0.5以下，优选为0.3以下。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
另一方面，上述合计强度Iβ1的下限没有特别限定，但是在具有Si元素的荧光体包含α型赛隆荧光体的情况下，例如为0.005以上，优选为0.01以上。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时的衍射角2θ为60.2°～62.0°的范围内的峰的合计强度Iβ2的上限例如可以为0.2以下，也可以为0.1以下。由此，可以提供荧光体板的发光强度。
另一方面，合计强度Iβ2的下限例如为0.005以上，优选为0.01以上，更优选为0.02以上。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时的衍射角2θ为29.0°～31.0°的范围内的峰的合计强度Iβ3的下限例如为0.01以上，优选为0.03以上，更优选为0.05以上。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
另一方面，上述合计强度Iβ3的上限没有特别限定，但是例如可以为0.5以下，也可以为0.3以下。由此，可以提高荧光体板的制造稳定性。
衍射角2θ为60.2°～62.0°的范围内包含的峰、衍射角2θ为29.0°～31.0°的范围内包含的峰优选包含归属于α型赛隆的峰。
在本实施方式中，例如通过适当选择荧光体板中的荧光体中包含的各成分的种类、配合量、荧光体、荧光体板的制备方法等，可以控制上述合计强度Iβ1、Iβ2、Iβ3。其中，作为将上述合计强度Iβ1、Iβ2、Iβ3设为所期望的数值范围的要素，例如，可以举出适当调整尖晶石原料粉末中的Mg/Al比等。
在上述荧光体板中，在照射波长455nm的蓝色光的情况下，从荧光体板发出的波长转换光的峰值波长优选为570nm～605nm。另外，由此，通过将荧光体板组合到发出蓝色光的发光元件，能够得到发出亮度高的橙色的发光装置。
对本实施方式的荧光体板的构成进行详细描述。
(母材)
在构成上述荧光体板的复合体中，成为荧光体与包含尖晶石的无机母材混合存在的状态。具体而言，复合体可以具有在构成无机母材的化合物的烧结物中分散有荧光体的结构。该荧光体也可以在粒子状态下均匀分散于包含尖晶石的无机母材中。
母材可以是复合体中的主要成分。在这种情况下，母材的含量相对于复合体，以体积换算计例如可以为50Vol％以上。
母材由包含尖晶石的无机母材构成。该尖晶石可以包含由通式M2xAl4－4xO6－4x(其中，M为Mg、Mn、Zn中的至少一种，0.2＜x＜0.6)表示的尖晶石。
尖晶石通常通过将由通式MO(M为Mg、Mn、Zn中的至少一种)表示的金属氧化物的粉末与Al2O3的粉末混合并进行烧结来得到。
在化学计量上，尖晶石是由x＝0.5(即通式MAl2O4)表示的组成。但是，根据原料的MO的量与Al2O3的量之比，尖晶石成为MO或Al2O3过度固溶的非化学计量组成的化合物。
包含由上述通式表示的尖晶石的烧结体相对透明。因此，荧光体板内的光的过度散射得到抑制。从透明性的观点出发，上述通式中的M优选为Mg。
(荧光体)
本实施方式的荧光体包含具有Si元素的荧光体。
作为具有Si元素的荧光体，可以使用公知的荧光体，例如可以使用α型赛隆荧光体。可以单独使用它们，也可以组合使用2种以上。
α型赛隆荧光体包含由下述通式(1)表示的含有Eu元素的α型赛隆荧光体。
(M)m(1－x)/p(Eu)mx/2(Si)12－(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16－n··通式(1)
上述通式(1)中，M表示选自Li、Mg、Ca、Y和镧系元素(不包括La和Ce)中的1种以上的元素，p表示M元素的价数，0＜x＜0.5，1.5≤m≤4.0，0≤n≤2.0。n例如可以为2.0以下，可以为1.0以下，也可以为0.8以下。
α型赛隆的固溶组成是将α型氮化硅的晶胞(Si12N16)的m个Si－N键取代为Al－N键，将n个Si－N键取代为Al－O键，为了保持电中性，使m/p个阳离子(M、Eu)渗入固溶于晶格内，如上述通式那样地表示。特别是如果使用Ca作为M，则α型赛隆在宽广的组成范围稳定化，通过用成为发光中心的Eu取代其中一部分，从而激发从紫外到蓝色的宽广的波长范围的光，得到显示橙色的可见发光的荧光体。
一般来说，对于α型赛隆，由于与该α型赛隆不同的第二晶相、不可避免地存在的非晶相，所以不能通过组成分析等来严格规定固溶组成。α型赛隆可以包含作为其他晶相的β型赛隆、氮化铝或其多型体、Ca2Si5N8、CaAlSiN3等。
作为α型赛隆荧光体的制造方法，有将包含氮化硅、氮化铝和渗入固溶元素的化合物的混合粉末在高温的氮气氛中加热并使其反应的方法。将合成后的α型赛隆荧光体的多个等轴状的一次粒子烧结，从而形成块状的二次粒子。本实施方式中的一次粒子是指粒子内的结晶方位相同且能够单独存在的最小粒子。
荧光体的平均粒径的下限例如优选为1μm以上，更优选为2μm以上。由此，可以提高发光强度。另外，荧光体的平均粒径的上限优选为30μm以下，更优选为20μm以下。平均粒径是荧光体的上述二次粒子的尺寸。
通过使荧光体的平均粒径为5μm以上，可以进一步提高复合体的透明性。另一方面，通过使荧光体的平均粒径为30μm以下，可以在用切粒机等切断加工荧光体板时抑制切屑产生。
这里，平均粒径是指，在通过激光衍射散射式粒度分布测定法(Beckman Coulter,Inc.制，LS13－320)进行测定而得到的体积基准粒度分布中，从小粒径侧起的通过量累计(累计通过分率)50％的粒径D50。
可以认为，荧光体板中的荧光体的粒径与作为原料使用的荧光体的粒径大致相同。这是因为在板制造工序中原料荧光体的粒径几乎不会由于加热等而变动。
相对于复合体整体，荧光体的含量的下限值以体积换算计，例如为5Vol％以上，优选为10Vol％以上，更优选为15Vol％以上。由此，能够提高薄层的荧光体板的发光强度。另外，能够提高荧光体板的光转换效率。另一方面，相对于复合体整体，荧光体的含量的上限值以体积换算计，例如为50Vol％以下，优选为45Vol％以下，更优选为40Vol％以下。能够抑制荧光体板的热传导性的降低。
可以对上述荧光体板的至少主面或主面和背面这两面的表面进行表面处理。荧光体板的主面是与发光元件的发光面相对的面。
作为表面处理，例如，可以举出使用金刚石砂轮等的研削、擦光、抛光等研磨等。
上述荧光体板的主面的表面粗糙度Ra例如为0.1μm～2.0μm，优选为0.3μm～1.5μm。
另一方面，上述荧光体板的背面的表面粗糙度Ra例如为0.1μm～2.0μm，优选为0.3μm～1.5μm。
通过使上述表面粗糙度为上述上限值以下，能够抑制光的取出效率、面内方向的光强度的偏差。通过使上述表面粗糙度为上述下限值以上，从而期待提高与粘附物的密合性。
在上述荧光体板中，450nm的蓝色光的光线透射率的上限值例如为10％以下，优选为5％以下，更优选为1.5％以下。由此，能够抑制蓝色光透过荧光体板，因此能够发出亮度高的橙色光。通过适当调整α型赛隆荧光体的含量、荧光体板的厚度，能够减少450nm的蓝色光的光线透射率。
应予说明，450nm的蓝色光的光线透射率的下限值没有特别限定，但是例如可以为0.01％以上。
对本实施方式的荧光体板的制造工序进行详细描述。
本实施方式的荧光体板的制造方法可以具有工序(1)和工序(2)：工序(1)：得到包含金属氧化物和荧光体的混合物；工序(2)：将得到的混合物进行煅烧。
另外，荧光体板的制造方法也可以将金属氧化物熔融并在得到的熔融物中混合荧光体的粒子。
在工序(1)中，作为原料使用的荧光体、金属氧化物的粉末优选尽量为高纯度，优选除构成元素以外的元素的杂质为0.1％以下。
原料粉末的混合可以应用干式、湿式的各种方法，但是优选尽量不粉碎作为原料使用的荧光体粒子、另外混合时尽量不混入来自装置的杂质的方法。
作为荧光体的一个例子，使用粉末状的α型赛隆荧光体。
作为原料的金属氧化物的一个例子，使用尖晶石原料粉末。
金属氧化物可以是微粉末，其平均粒径例如可以为1μm以下。
作为原料的金属氧化物，也可以使用尖晶石原料粉末。
这里，“尖晶石原料粉末”例如为(i)包含由上述通式M2xAl4－4xO6－4x表示的尖晶石的粉末和/或(ii)由通式MO(M为Mg、Mn、Zn中的至少一种)表示的金属氧化物的粉末与Al2O3的粉末的混合物。
在工序(2)中，可以将尖晶石原料粉末例如在1300℃～1650℃进行煅烧。烧结工序中的加热温度更优选为1500℃以上。为了使复合体致密化，煅烧温度优选高的温度，但是如果煅烧温度过高，则荧光体板的荧光强度降低，因此优选上述范围。
另外，在煅烧温度为约1600℃～1650℃的高温区域的情况下，保持该温度的保持时间例如为20分钟以下，优选为15分钟以下，也可以为0分钟。由此，能够提高荧光体板的发光强度。
在上述的制造方法中，煅烧方法可以是常压烧结也可以是加压烧结，但是为了抑制荧光体的特性降低且得到致密的复合体，优选比常压烧结更容易致密化的加压烧结。
作为加压烧结方法，可以举出热压烧结、放电等离子体烧结(SPS)、热等静压烧结(HIP)等。在热压烧结、SPS烧结的情况下，压力为10MPa以上，优选为30MPa以上，优选为100MPa以下。
为了防止α赛隆的氧化，煅烧气氛优选为氮、氩等非氧化性的非活性气体或真空气氛下。
由此，得到本实施方式的荧光体板。
也可以在不损害本发明效果的范围内对得到的荧光体板中的板状的复合体的表面实施研磨处理、等离子体处理、表面涂覆处理等公知的表面处理等。
对本实施方式的发光装置进行说明。
本实施方式的发光装置具备第III族氮化物半导体发光元件(发光元件20)和设置于第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述荧光体板10。
第III族氮化物半导体发光元件例如是由AlGaN、GaN、InAlGaN系材料等第III族氮化物半导体构成的具备n层、发光层和p层的元件。作为第III族氮化物半导体发光元件，可以使用发蓝色光的蓝色LED。
荧光体板10可以直接配置于发光元件20的一面上，可以介由透光性部件或隔离物来配置。
配置于发光元件20上的荧光体板10可以使用图1所示的圆板形状的荧光体板100(荧光体晶片)，可以使用将荧光体板100分片化而得的荧光体板。
图1所示的荧光体板100的厚度的下限例如为50μm以上，优选为80μm以上，更优选为100μm以上。荧光体板100的厚度的上限例如为1mm以下，优选为500μm以下，更优选为300μm以下。
荧光体板100的厚度可以在上述制造工序中得到后通过研削等来适当调整。
应予说明，与四边形的情况相比，圆板形状的荧光体板100抑制角部的缺口、破裂的产生，因此耐久性、搬运性优异。
将上述半导体装置的一个例子示于图2(a)、(b)。图2(a)是示意性地表示倒装芯片型的发光装置110的构成的截面图，图2(b)是示意性地表示引线接合型的发光装置120的构成的截面图。
图2(a)的发光装置110具备基板30、介由焊料40(固晶材料(ダイボンド材))而与基板30电连接的发光元件20以及设置于发光元件20的发光面上的荧光体板10。倒装芯片型的发光装置110可以是面朝上型和面朝下型的任意结构。
另外，图2(b)的发光装置120具备基板30、介由接合引线60和电极50而与基板30电连接的发光元件20以及设置于发光元件20的发光面上的荧光体板10。
图2中，用公知的方法粘贴发光元件20与荧光体板10，例如可以用有机硅系粘合剂、热熔接等方法粘合。
另外，发光装置110、发光装置120可以用透明密封材料将整体密封。
应予说明，可以对贴装于基板30的发光元件20粘贴分片化的荧光体板10。可以将多个发光元件20粘贴于大面积的荧光体板100后，通过切割来对每个带荧光体板10的发光元件20进行分片化。另外，可以将大面积的荧光体板100粘贴于在表面形成有多个发光元件20的半导体晶片，然后将半导体晶片和荧光体板100一并进行分片化。
以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是它们是本发明的示例，可以采用除上述以外的各种构成。另外，本发明不限定于上述实施方式，能够实现本发明的目的的范围内的变形、改良等包含在本发明中。
实施例
以下，参照实施例对本发明详细进行说明，但是本发明不限定于这些实施例的记载。
＜荧光体板的制作＞
(比较例1)
通过以下步骤来制造荧光体板。
(1)使用聚乙烯制的钵和氧化铝制的球，将α型赛隆荧光体(ALONBRIGHT YL－600B，电化株式会社制，中值径15μm)和尖晶石原料粉(MgO：富士胶片和光纯药株式会社制的氧化镁，平均粒径0.2μm，纯度99.9％和Al2O3：AA－03(住友化学株式会社制))在乙醇溶剂中湿式混合30分钟，将得到的浆料进行抽滤而去除溶剂，然后进行干燥。然后，将混合后的原料通过网眼75μm的尼龙制网状筛而解开凝集，得到原料混合粉末。
在尖晶石原料粉全部反应而成为尖晶石时，调整为α赛隆荧光体的量在荧光体板中成为30体积％(剩余部分为MgO和Al2O3)。
尖晶石原料粉中的MgO与Al2O3的比率以质量比计为MgO：Al2O3＝37：63(在摩尔量中为Mg：Al＝3：4)。
(2)将原料混合粉末填充于热压夹具内。具体而言，将约10g的原料混合粉末填充于设置有碳制下冲头的内径30mm的碳制模头。然后，设置碳制上冲头，夹入原料粉末。
为了防止原料混合粉末与碳夹具之间粘结，设置厚度0.127mm的碳片(GraTech公司制，GRAFOIL)。
(3)将填充有原料混合粉末的热压夹具放于具备碳加热器的多用途高温炉(富士电波工业株式会社制，HIGHMULTI 5000)。将炉内真空排气至0.1Pa以下，保持减压状态用55MPa的压力加压上下冲头。维持加压状态，以每分钟5℃的速度升温至1600℃。到达1600℃后停止加热，逐渐冷却至室温，进行除压。然后，回收外径30mm的煅烧物，使用平面磨床和圆筒磨床研削主面、背面和侧面。由此，得到直径25mm的圆板状的荧光体板(厚度记载于表)。
(实施例1～4)
将上述(1)中的尖晶石原料粉末中的MgO与Al2O3的比率在实施例1中以质量比计成为MgO：Al2O3＝28：72(在摩尔量中为Mg：Al＝1：2)，在实施例2中以质量比计成为MgO：Al2O3＝24：76(在摩尔量中为Mg：Al＝9：22)，在实施例3中以质量比计成为MgO：Al2O3＝21：79(在摩尔量中为Mg：Al＝1：3)，在实施例4中以质量比计成为MgO：Al2O3＝14：86(在摩尔量中为Mg：Al＝3：14)，除此之外，与实施例1同样地得到荧光体板。
表1
Figure BDA0003806242220000121
对于得到的荧光体板，对以下评价项目进行评价。
[X射线衍射图案]
对于各实施例·各比较例的荧光体板，使用X射线衍射装置(产品名：UltimaIV，Rigaku公司制)，在下述测定条件下测定衍射图案。
(测定条件)
X射线源：Cu－Kα射线
Figure BDA0003806242220000131
输出设定：40kV·40mA
测定时光学条件：扩散狭缝＝2/3°
散射狭缝＝8mm
受光狭缝＝开放
衍射峰的位置＝2θ(衍射角)
测定范围：2θ＝20°～70°
扫描速度：2度(2θ)/sec，连续扫描
扫描轴：2θ/θ
试样制备：将板状的荧光体板置于样品架。
峰强度是进行背景校正而得到的值。
从得到的X射线衍射图案确认了，在荧光体板中均存在作为主相的α型赛隆和尖晶石。
作为XRD衍射分析图案的结果，在2θ为36.0～37.4°的范围、2θ为32.5～34.5°的范围、2θ为60.2～62.0°的范围内，在实施例1～4和比较例1的荧光体板中观察到峰。另一方面，在2θ为29.0～31.0°的范围内，在实施例1～4中观察到峰，但是在比较例1中没有观察到峰。
确认了2θ为36.0～37.4°的范围的最大峰对应于尖晶石。
表1表示将与该最大峰对应的峰强度设为1时的各范围内包含的峰的合计强度(相对强度)、各范围内包含的峰的峰位置(°)。
另外，为了进行SEM观察，对得到的荧光体板进行研磨，用SEM观察其研磨面。其结果在实施例1～4的荧光体板中观察到在包含尖晶石的基体相之间分散有α型赛隆荧光体粒子的状态。
[光学特性的评价]
使用板上芯片型(COB型)的LED封装体130评价荧光体板的发光效率。图3是用于测定荧光体板100的发光光谱的装置(LED封装体130)的概略图。
首先，准备形成有凹部70的铝基板(基板30)。凹部70的底面的直径φ为13.5mm，凹部70的开口部的直径φ为16mm。在该基板30的凹部70的内部安装蓝色LED(发光元件20)作为蓝色发光光源。
然后，以堵住基板30的凹部70的开口部的方式，在蓝色LED的上部设置圆形状的荧光体板100，制作图3所示的装置(板上芯片型(COB型)的LED封装体130)。
使用总光通量测定系统(HalfMoon/φ1000mm积分球系统，大塚电子株式会社制)，测定将制作的LED封装体130的蓝色LED点亮时的荧光体板100的表面的发光光谱。
在得到的发光光谱中，求出波长为585nm～605nm的橙色光(Orange)的发光强度(荧光强度)的最大值(W/nm)。表1表示对于荧光强度的最大值，将实施例1设为100％进行规格化时的其他实施例·比较例的相对值(％)。
另外，从得到的发光光谱求出波长450nm下的蓝色光的光线透射率(％)。将其结果示于表1。
与比较例1相比，实施例1～4的荧光体板显示荧光强度优异的结果。
本申请基于2020年3月18日提交的日本申请特愿2020－047298号要求优先权，并将其公开的全部内容纳入本文。
符号说明
10 荧光体板
20 发光元件
30 基板
40 焊料
50 电极
60 接合引线
70 凹部
100 荧光体板
100 发光装置
120 发光装置
130 LED封装体

Claims (11)

1.一种荧光体板，是具备板状的复合体的荧光体板，所述板状的复合体包含母材和所述母材中含有的荧光体，
所述母材包含尖晶石，
所述荧光体包含具有Si元素的荧光体，
在使用Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与所述尖晶石对应的峰强度设为1时，
衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
2.根据权利要求1所述的荧光体板，其中，
具有所述Si元素的荧光体包含α型赛隆荧光体。
3.根据权利要求2所述的荧光体板，其中，
在使用所述Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时，
衍射角2θ为60.2°～62.0°的范围内的峰的合计强度满足0.005～0.2。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体板，其中，
在使用所述Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的归属于所述尖晶石的峰强度设为1时，
衍射角2θ为29.0°～31.0°的范围内的峰的合计强度满足0.01以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体板，其中，
所述尖晶石包含由通式M2xAl4－4xO6－4x表示的尖晶石，且M为Mg、Mn、Zn中的至少一种，0.2＜x＜0.6。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体板，其中，
所述荧光体的含量以体积换算计，在所述复合体中为5Vol％～50Vol％。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的荧光体板，其中，
所述荧光体的平均粒径D50为1μm～30μm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体板，其中，
该荧光体板的厚度为50μm～1mm。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的荧光体板，
其作为将照射的蓝色光转换为橙色光并发光的波长转换体使用。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的荧光体板，其中，
455nm的蓝色光的光线透射率为10％以下。
11.一种发光装置，具备：
第III族氮化物半导体发光元件、和
设置于所述第III族氮化物半导体发光元件的一面上的权利要求1～10中任一项所述的荧光体板。
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