CN115148764A - 发光设备、显示设备、摄像设备和电子器材 - Google Patents

Abstract

发光设备、显示设备、摄像设备和电子器材。发光设备包括：第一下部电极；第二下部电极；覆盖第一下部电极和第二下部电极的功能层；和功能层上的上部电极，发光设备还包括第一下部电极和第二下部电极之间的第三下部电极，其中，第三下部电极具有相对于第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部，并且第三下部电极、绝缘层、功能层以及上部电极在垂直于倾斜部的方向上依此顺序配置。

Description

发光设备、显示设备、摄像设备和电子器材

技术领域

本公开涉及发光设备、显示设备、摄像设备和电子器材。

背景技术

近年来，显示设备和具有显示设备的电子器材已被广泛使用。其中，具有有机EL元件的发光设备已被广泛使用，这是因为它们的高对比度、轻重量和因为采用了挠性基板而具有的形状的高度灵活性。

有机发光元件具有第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的有机化合物层，并且当从第一电极和第二电极供给电荷时发光。有机发光元件排列成矩阵并控制显示设备中的发光。第一电极是下部电极，第二电极被设置为用于多个有机发光元件的一个电极。换言之，已知第二电极是共用电极。

有机发光元件的有机化合物层可以被构造为被多个有机发光元件共用。在这种情况下，从第一电极供给的电荷可以通过有机化合物层供给到相邻的有机发光元件。已经积极地进行了各种研究以减少这种有机发光元件之间的漏电流。

日本专利公开No.2020-194673(专利文件1)记载了一种显示设备，其包括每个有机发光元件的像素电极和上部电极，并且上部电极被多个有机发光元件共用。该显示设备在像素电极之间具有像素间电极，并在像素间电极和上部电极之间施加电压以减少与相邻像素的电气干涉。

尽管专利文献1公开了对像素间电极施加的电压减少了与相邻的有机发光元件的电气干涉，但是被施加了电压的有机化合物层具有与像素电极上的有机化合物层几乎相同的厚度，这为改善电压施加以减少电气干涉留下了空间。

发明内容

本公开提供了一种发光设备，其具有被施加了电压的像素间电极相对于像素电极倾斜的部分，从而具有显著的电压施加效果并减少了有机发光元件之间的漏电流。

发光设备包括第一下部电极、第二下部电极、覆盖第一下部电极和第二下部电极的功能层、功能层上的上部电极以及在第一下部电极和第二下部电极之间的第三下部电极。

第三下部电极具有相对于第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部。

第三下部电极、绝缘层、功能层和上部电极在垂直于倾斜部的方向上依此顺序配置。

根据参照附图对示例性实施方式的以下说明，本公开的其它特征将变得显而易见。

附图说明

图1A是根据本公开的实施方式的发光设备的平面图。

图1B是沿着图1A的线IB-IB截取的发光设备的示意性截面图。

图1C是沿着图1A的线IC-IC截取的发光设备的示意性截面图。

图2是用于说明根据本公开的实施方式的发光设备的漏电流减少的原理的示意性截面图。

图3A是根据本公开的实施方式的发光设备的倾斜部的形状的示意性截面图。

图3B是另一个实施方式的示意性截面图。

图3C是另一个实施方式的示意性截面图。

图4A是根据本公开的实施方式的发光设备的平面图。

图4B是沿着图4A的线B-B'-B"截取的发光设备的示意性截面图。

图5是下部电极下方的具有光学干涉结构的根据本公开的实施方式的发光设备的示意图。

图6A是具有滤色器和透镜的根据本公开的实施方式的发光设备的变形例的示意图。

图6B是除了滤色器和透镜之外还具有遮光构件的根据本公开的实施方式的发光设备的示意图。

图7A是根据本公开的实施方式的显示设备的像素的示例的示意性截面图。

图7B是根据本公开的实施方式的包括有机发光元件的显示设备的示例的示意性截面图。

图8是根据本公开的实施方式的显示设备的示例的示意图。

图9A是根据本公开的实施方式的摄像设备的示例的示意图。

图9B是根据本公开的实施方式的电子器材的示例的示意图。

图10A是根据本公开的实施方式的显示设备的示例的示意图。

图10B是可折叠显示设备的示例的示意图。

图11A是根据本公开的实施方式的可穿戴装置的示例的示意图。

图11B是具有摄像设备的根据本公开的实施方式的可穿戴装置的示例的示意图。

具体实施方式

根据本公开的实施方式的发光设备是如下的发光设备，其包括：第一下部电极；第二下部电极；功能层，其覆盖第一下部电极和第二下部电极；和在功能层上的上部电极，发光设备还包括在第一下部电极和第二下部电极之间的第三下部电极，其中，第三下部电极具有相对于第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部，并且第三下部电极、绝缘层、功能层和上部电极在垂直于倾斜部的方向上依此顺序配置。

发光设备的第三下部电极具有倾斜部，并且可以向倾斜部中的功能层施加电压。倾斜部中的功能层的厚度减小可以导致电压施加的效果增强。这可以减少漏电流。

在平面图中，功能层的与倾斜部重叠的部分的厚度小于功能层的与第一下部电极接触的部分的厚度。这可以减少漏电流。

[第一实施方式]

图1A是根据本公开的实施方式的发光设备的平面图。图1A示出了包括有机EL元件矩阵的发光设备的示例。在本实施方式中，像素是四边形，但可以是六边形、五边形或圆形。尽管本实施方式以条形配置示出，但可以使用德尔塔配置、PenTile配置或其它配置。发光设备具有第一下部电极101，其端部覆盖有像素分离层。下部电极101与像素分离层的开口102中的功能层(即，有机化合物层)接触。有机化合物层在开口102中发光。第三下部电极103位于第一下部电极101和第二下部电极之间，第二下部电极是相邻的有机EL元件的下部电极。在图1中位于第一下部电极101周围的第三下部电极103可以在第一下部电极以及与第一下部电极相邻的第二下部电极之间采取另一种形式。

图1B是沿着图1A的线IB-IB截取的发光设备的示意性截面图。图1B示出了第一下部电极110、包括发光层的有机化合物层111、上部电极112、保护层113、像素分离层114、第二下部电极115和第三下部电极116。上部电极112在平面图中与第一下部电极110和第二下部电极115两者重叠。第一下部电极110和第二下部电极115的端部覆盖有像素分离层114。像素分离层114、有机化合物层111和上部电极依此顺序配置在第三下部电极上。第三下部电极具有相对于第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部。像素分离层114、有机化合物层111和上部电极112在垂直于倾斜部的方向上依此顺序配置。第三下部电极116具有第一倾斜部以及比第一倾斜部靠近第二电极的第二倾斜部。第一倾斜部和第二倾斜部形成凹部117。

凹部可以是在垂直于第一下部电极的上表面的第一方向上突出的突起。第一方向在图1B中被绘制为向下。图中的“向下”是指从上部电极到第一下部电极的方向。

第三下部电极的倾斜部中的有机化合物层111的厚度小于有机化合物层的与第一下部电极接触的部分的厚度。更具体地，第三下部电极的倾斜部中的有机化合物层的厚度119小于有机化合物层的与第一下部电极接触的部分的厚度118。

在有机化合物层的具有较小厚度的倾斜部中，在第三下部电极116和上部电极112之间施加电压。因此，倾斜部比有机化合物层的厚度没有减小的部分更有效地减少漏电流。

在图1B中，像素分离层从覆盖第一下部电极的端部的部分延伸到覆盖第三下部电极116和第二下部电极115的端部的部分。然而，如果像素分离层具有覆盖第一下部电极的端部的部分、覆盖第三下部电极的部分和覆盖第二下部电极的端部的部分，则像素分离层可以是不连续的。

下部电极可称为像素电极。也可以将由多个像素共用的上部电极112称为共用电极。本实施方式中的有机化合物层111是功能层。有机化合物层可以由多个层构成。尽管有机化合物层111被示出为由多个像素共用，但是可以为每个像素提供有机化合物层111。由绝缘体形成的像素分离层也可以称为绝缘层。

[第二实施方式]

图1C是沿着图1A的线IC-IC截取的发光设备的示意性截面图。在整个图1C和图1B中，相同的附图标记表示相同的部件。在图1C中，第三下部电极的倾斜部沿与第一实施方式相反的方向突出。更具体地，图中的第一方向(其在第一实施方式中是向下的)在本实施方式中是向上的。如在第一实施方式的凹部117中，本实施方式中的突起117'的倾斜部减小了有机化合物层111的厚度。与第一实施方式中的有机化合物层的厚度119类似，突起的倾斜部中的有机化合物层的厚度119'小于有机化合物层的与第一下部电极接触的部分的厚度118。施加到具有较小厚度的有机化合物层的电压比施加到厚度未被倾斜部减小的有机化合物层的电压更有效，因此导致更有效地减小漏电流。

图2是用于解释根据本公开的减小漏电流的原理的示意性截面图。在图2所示的发光设备中，与第一实施方式中一样，第三下部电极的倾斜部在图中向下突出。从第一下部电极110注入的空穴120的一部分通过有机化合物层111移动到第三下部电极的倾斜部。在该倾斜部中，从上部电极注入的电子121的一部分与空穴120接触，引起再结合122，并减少到达第二下部电极115的空穴120的数量。为此，可以在第三下部电极116和上部电极112之间施加电压，以引起空穴120和电子121之间的再结合。在图2中，在第三下部电极的表面上产生的感应电荷123与在上部电极的表面上产生的感应电荷124之间的电场125促进空穴120与电子121之间的再结合。

因为第三下部电极的倾斜部中的有机化合物层111的厚度小于有机化合物层的与第一下部电极接触的部分的厚度118，所以有机化合物层的电容分量126和像素分离层的电容分量大。因此，电场125比第三下部电极不具有倾斜部的情况下的电场强，这促进了空穴120与电子121之间的再结合。

尽管第三下部电极的倾斜部在图2中向下突出，但是通过该原理，在倾斜部在图中向上突出(即在第二实施方式中)的情况下，也可以有效地减小漏电流。

[第三实施方式]

图3A是根据本公开的实施方式的发光设备的倾斜部的优选形状的示意性截面图。在本实施方式中，下部电极和上部电极之间的有机化合物层111从下部电极开始依次具有第一有机化合物层130、电荷产生层129和第二有机化合物层128。

当在下部电极和上部电极之间施加电压时，电荷产生层产生空穴和电子。电荷产生层包含可以容易地接受来自其它有机化合物的电子的化合物。更具体地，电荷产生层包含最低未占分子轨道(LUMO)为-5.0eV以下的有机化合物。LUMO为-5.0eV以下的有机化合物的具体示例包括六氮杂苯并菲化合物和轴烯化合物。这些化合物可以具有氰基或氟原子作为取代基。

在图中，有机化合物层具有厚度L0，第一有机化合物层具有厚度L1。第三下部电极的倾斜部中的第一有机化合物层具有小于L1的厚度L1'。由第三下部电极的倾斜部形成的凹部具有宽度W和深度D。为了减小从第一下部电极到第二下部电极的漏电流，凹部可以满足以下条件。

W≥2L1' (1)

D≥L1(2)

也可以满足下面的(3)。

D≥L0 (3)

这些公式表明，在垂直于第一下部电极的上表面的方向上，突起的长度大于从第一下部电极的上表面到电荷产生层的下表面的长度。

这些公式还表明，突起在平行于第一下部电极的上表面的方向上的长度是在垂直于第一下部电极的上表面的方向上从第一下部电极的上表面到电荷产生层的下表面的长度的至少两倍。

满足这些条件减小了有机化合物层111的厚度，特别是在第一有机化合物层130的倾斜部中，使得能够更有效地施加第三下部电极和上部电极之间的电场，并且有效地减小了漏电流。

图3B是根据另一实施方式的发光设备的示意性截面图。凹部的宽度W小于图3A中的宽度。不像图3A那样满足公式(1)。在本实施方式中，倾斜部中的有机化合物层111的厚度没有充分减小，并且施加到有机化合物层111的电场小于图3A中的电场，使得漏电流减小不像图3A中那样多。因此，如图3A所示，发光设备可以满足公式(1)。

图3C是根据另一实施方式的发光设备的示意性截面图。凹部的深度小于图3A中的深度。不像图3A那样满足公式(2)。在本实施方式中，倾斜部中的有机化合物层111的厚度没有充分减小，并且施加到有机化合物层111的电场小于图3A中的电场，使得漏电流减小不像图3A中那样多。因此，如图3A所示，发光设备可以满足公式(2)。

[第四实施方式]

图4A是根据本公开的实施方式的发光设备的平面图。与图1A不同，像素不是四边形的。每个像素均设置有用于向下部电极供应电流的供应单元。触点131可以是下部电极和电源之间的连接部。当在下部电极下方设置附加电极时，触点131可以是与附加电极的连接部。触点131可以在不与下部电极中的像素分离层的开口重叠的部分中与下部电极接触。

图4B是沿着图4A的线B-B'-B"截取的示意性截面图。B-B'截面是触点131的示意性截面图132。B'-B"是第三下部电极的示意性截面图133。两个截面图可以是相同的。因此，可以制造第三下部电极以形成触点。相同形状的相同层可以通过相同的工艺制造。尽管在本实施方式中比较了触点131的截面图132和第三下部电极的截面图133，但是要比较的截面图可以是触点131的宽度最小的截面图或第三下部电极的宽度最小的截面图。

[第五实施方式]

图5是根据本公开的实施方式的发光设备的示例的示意性截面图。根据本实施方式的发光设备具有在下部电极下方的电极。下部电极110是透明电极134，并且光学调整层135和反射层136位于透明电极下方。图中的“向下”是指从上部电极到透明电极的方向。光学调整层135可以与像素分离层114一体地形成或与像素分离层114分离地形成。反射层136由具有高反射率的材料形成。当穿过反射表面的电荷被供给到有机化合物层时，反射层也可以被称为反射电极。光学调整层可以具有在平面图中与第一下部电极重叠的第一光学调整层和在平面图中与第二下部电极重叠的第二光学调整层。第一光学调整层可以与第二光学调整层一体地形成或与第二光学调整层分离地形成。当第一光学调整层与第二光学调整层一体地形成时，可以将第一光学调整层限定为在平面图中与第一下部电极重叠的部分，并且可以以相同的方式限定第二光学调整层。该平面图是在垂直于第一下部电极的上表面的方向上的平面图。

调整光学调整层135，使得从发光表面到反射层的光学距离137是强化距离。光学距离可以从发光表面测量，并且还可以从发光层和相邻层之间的界面测量。本文所用的术语“强化”是指通过从有机化合物层111发射的光和来自反射层136的光之间的干涉来增加光强度。为此，可以调整光学调整层的厚度，使得光学距离为λ/4，其中λ表示要强化的波长。这不是唯一的强化距离，而是允许±45nm。要强化的波长λ可以是从发光设备观察到的波长。当要强化的波长在像素之间不同时，第一下部电极中的光学距离不同于第二下部电极中的光学距离。更具体地，光学距离可以在蓝色的强化与另一种颜色(诸如绿色或红色)的强化之间不同。光学调整层可以由任何透明材料形成，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、ITO或IZO。

在本实施方式中，通过第三下部电极的倾斜部减小了厚度的透明电极134'经由阻挡金属138联接到反射层136。可以选择阻挡金属138以便不增加触点139的电阻。阻挡金属的示例包括钨、钛和钼。此外，为了减少由于在凹部117中再结合的光而引起的混色，阻挡金属层可以由光学反射率比反射电极的光学反射率低的材料形成。

在本实施方式中，与其它实施方式中一样，厚度被第三下部电极的倾斜部减小的有机化合物层111有助于减小漏电流。

[第六实施方式]

图6A和图6B是根据本公开的实施方式的发光设备的示例的示意性截面图。在图6A中，滤色器140和透镜141位于保护层上。换言之，滤色器和透镜位于上部电极上。滤色器由在平面图中与第一下部电极重叠的第一滤色器和在平面图中与第二下部电极重叠的第二滤色器构成。第一滤色器和第二滤色器可以透射相同波长或不同波长的光。更具体地，第一滤色器可以透射蓝色，并且第二滤色器可以透射绿色。此外，可以设置第三滤色器。

透镜可以是在垂直于第一下部电极的上表面的第一方向上的凸透镜。在本实施方式中，第一方向在图中是向上的，但可以是向下的。透镜由在平面图中与第一下部电极重叠并在第一方向上突出的第一凸部、在平面图中与第二下部电极重叠并在第一方向上突出的第二凸部以及位于第一凸部和第二凸部之间并在与第一方向相反的第二方向上突出的第三凸部142构成。

在平面图中，第三凸部与第三下部电极重叠。特别地，在平面图中，第三下部电极的倾斜部可以与第三凸部重叠。第三下部电极的倾斜部促进空穴和电子之间的再结合，并且可以发射弱光。即使当发生这种光发射时，透镜的第三凸部也与可能发生再结合的部分重叠，并且防止光被提取。第三凸部142也被称为透镜边界。

在图6B中，除了滤色器140和透镜141之外，遮光构件143位于保护层上。除了减少第三凸部提取的光之外，遮光构件143还减少从第三下部电极发射的光。

遮光构件143可以是光吸收树脂，诸如光致抗蚀剂，或者可以是通过第一滤色器和第二滤色器之间的重叠而形成的光吸收体。在滤色器之间重叠的情况下，平面图中第一滤色器与第二滤色器之间的重叠是光吸收体。第一滤色器和第二滤色器可以吸收不同波长的光。更具体地，第一滤色器可以透射红色，并且第二滤色器可以透射绿色。

遮光构件可以是光吸收体。尽管光反射构件也可以起到遮光作用，但是不希望反射光束被提取为非预期光。因此，遮光构件可以是光吸收体。

[有机发光元件的结构]

下面说明包括有机化合物层作为功能层的有机发光元件的结构。有机发光元件也称为有机EL元件。

有机发光元件包括基板上的绝缘层、第一电极、有机化合物层和第二电极。可以在负极上设置保护层、滤色器、微透镜等。当设置有滤色器时，可以在滤色器和保护层之间设置平坦化层。平坦化层可以由丙烯酸树脂等构成。这同样适用于设置在滤色器和微透镜之间的平坦化层。

[基板]

基板可以由石英、玻璃、硅晶片、树脂、金属等形成。基板可以具有开关元件(诸如晶体管)和配线，在基板上可以设置绝缘层。绝缘层可以由任何材料构成，只要绝缘层可以具有用于在绝缘层和第一电极之间布线的接触孔并且绝缘层与未连接的配线绝缘即可。例如，绝缘层可以由诸如聚酰亚胺、氧化硅或氮化硅等的树脂形成。

[电极]

一对电极可以用作电极。该对电极可以是正电极和负电极。当在有机发光元件发光的方向上施加电场时，具有高电位的电极是正电极，而另一个电极是负电极。换言之，对发光层供给空穴的电极是正电极，供给电子的电极是负电极。

正电极的构成材料可以具有尽可能大的功函数。构成材料的示例包括金属元素(诸如金、铂、银、铜、镍、钯、钴、硒、钒和钨)、它们的混合物、它们的合金和金属氧化物(诸如氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌)。也可以使用导电聚合物，诸如聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。

这些电极材料可以单独使用或组合使用。正电极可以由单个层或多个层构成。

当用作反射电极时，可以使用例如铬、铝、银、钛、钨、钼、它们的合金或堆叠体。这些材料也可以用作不具有电极作用的反射膜。当用作透明电极时，可以使用氧化物透明导电层，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌。然而，本公开不限于此。电极可以通过光刻形成。

负电极的构成材料可以是功函数小的材料。例如，可以使用诸如锂的碱金属、诸如钙的碱土金属、诸如铝、钛、锰、银、铅或铬的金属元素或它们的混合物。也可以使用这些金属元素的合金。例如，可以使用镁-银、铝-锂、铝-镁、银-铜或锌-银。也可以使用金属氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)。这些电极材料可以单独使用或组合使用。负电极可以由单个层或多个层构成。其中，可以使用银，并且可以使用银合金以减少银的凝集。只要可以减少银的凝集，合金就可以具有任何比率。例如，银与其它金属的比率可以为1:1、3:1等。

对于顶部发射装置，负电极可以是氧化物导电层，诸如ITO，或者对于底部发射装置，负电极可以是反射电极，诸如铝(Al)。负电极可以通过任何方法形成。直流或交流溅射法可以实现良好的膜覆盖并且容易地降低电阻。

[有机化合物层]

有机化合物层可以由单个层或多个层形成。根据其功能，可以将多个层称为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层。有机化合物层主要由有机化合物构成，并且可以包含无机原子或无机化合物。例如，化合物层可以包含铜、锂、镁、铝、铱、铂、钼、锌等。有机化合物层可以位于第一电极和第二电极之间，并且可以与第一电极和第二电极接触。

[保护层]

可以在负电极上设置保护层。例如，可以将具有吸湿剂的玻璃板附接到负电极以减少进入有机化合物层的水等的量并减少显示缺陷的发生。在另一个实施方式中，可以在负电极上设置诸如氮化硅的钝化膜以减少进入有机化合物层的水等的量。例如，在形成负电极之后，将负电极转移到另一个室而不破坏真空，并且可以通过CVD方法形成厚度为2μm的氮化硅膜作为保护层。保护层可以通过CVD方法以及随后的原子层沉积(ALD)方法形成。通过ALD方法形成的膜可以由诸如氮化硅、氧化硅或氧化铝等的任何材料形成。可以在由ALD方法形成的膜上通过CVD方法进一步沉积氮化硅。通过ALD方法形成的膜的厚度可以小于通过CVD方法形成的膜的厚度。更具体地，通过ALD方法形成的膜的厚度可以是通过CVD方法形成的膜的厚度的50％以下或甚至10％以下。

[滤色器]

可以在保护层上设置滤色器。例如，可以在另一基板上设置与有机发光元件的尺寸匹配的滤色器，并且可以将该滤色器接合到其上设置有机发光元件的基板上，或者可以通过光刻在保护层上对滤色器图案化。滤色器可以由聚合物构成。

[平坦化层]

可以在滤色器和保护层之间设置平坦化层。设置平坦化层以降低下层的粗糙度。在不限制目的的情况下，平坦化层有时被称为材料树脂层。平坦化层可以由有机化合物构成，并且尽管平坦化层可以由低分子量化合物构成，但也可以由高分子量化合物构成。

平坦化层可以设置在滤色器的上方和下方，并且其构成材料可以相同或不同。具体示例包括聚乙烯基咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、有机硅树脂和脲醛树脂。

[微透镜]

有机发光元件可以在光输出侧包括光学元件，诸如微透镜。微透镜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂等构成。微透镜可以用于增加从有机发光元件提取的光的量并控制所提取的光的方向。微透镜可以具有半球形形状。对于半球形微透镜，微透镜的顶点是半球和接触半球的切线中的平行于绝缘层的切线之间的接触点。可以以相同的方式确定截面图中的微透镜的顶点。更具体地，截面图中的微透镜的顶点是微透镜的半圆与接触半圆的切线中的平行于绝缘层的切线之间的接触点。

也可以定义微透镜的中点。在微透镜的截面中，从弧的一个端点到另一个端点的线段的中点可以被称为微透镜的中点。顶点和中点被确定的截面可以垂直于绝缘层。

[对向基板]

可以在平坦化层上设置对向基板。对向基板之所以这样称呼是因为它面对基板。对向基板可以由与基板相同的材料构成。当基板是第一基板时，对向基板可以是第二基板。

[有机层]

通过以下方法形成构成根据本公开的实施方式的有机发光元件的有机化合物层(空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等)。

构成根据本公开的实施方式的有机发光元件的有机化合物层可以通过干法形成，诸如真空蒸发方法、电离沉积方法、溅射或等离子体。代替干法，也可以采用湿法，其中使用适当的溶剂通过已知的涂布方法(例如，旋涂、浸渍、浇注方法、LB方法、喷墨方法等)来形成层。

通过真空蒸发方法、溶液涂布方法等形成的层很少经历结晶等，并且具有高的时间稳定性。当通过涂布方法形成膜时，也可以与适当的粘合剂树脂组合形成膜。

粘合剂树脂的示例包括但不限于聚乙烯基咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、有机硅树脂和脲醛树脂。

这些粘合剂树脂可以作为均聚物或共聚物单独使用，或者可以组合使用。如果需要，还可以使用添加剂，诸如已知的增塑剂、氧化抑制剂和/或紫外线吸收剂。

[像素电路]

发光设备可以包括联接到发光元件的像素电路。像素电路可以是独立地控制第一发光元件和第二发光元件的发光的有源矩阵型。有源矩阵电路可以是电压编程或电流编程。驱动电路具有用于每个像素的像素电路。像素电路可以包括发光元件、用于控制发光元件的亮度的晶体管、用于控制发光时机的晶体管、用于保持控制亮度用的晶体管的栅电压的电容器以及用于不穿过发光元件进行GND连接的晶体管。

发光设备包括显示区域和围绕显示区域的外围区域。显示区域包括像素电路，周边区域包括显示控制电路。构成像素电路的晶体管的迁移率(mobility)可以小于构成显示控制电路的晶体管的迁移率。

构成像素电路的晶体管的电流-电压特性的梯度可以小于构成显示控制电路的晶体管的电流-电压特性的梯度。电流-电压特性的梯度可以通过所谓的Vg-Ig特性来确定。

构成像素电路的晶体管是联接到诸如第一发光元件等的发光元件的晶体管。

[像素]

有机发光元件具有多个像素。每个像素均具有发射不同颜色的光的子像素。例如，子像素可以具有RGB发光色。

在每个像素中，也称为像素孔径的区域发光。该区域与第一区域相同。像素孔径可以是15μm以下或者5μm以上。更具体地，像素孔径可以是11μm、9.5μm、7.4μm或6.4μm。

子像素之间的距离可以是10μm以下，更具体地，可以是8μm、7.4μm或6.4μm。

在平面图中，像素可以以已知的形式配置。示例包括条形配置、德尔塔配置、PenTile配置和拜耳配置。每个子像素在平面图中均可以具有任何已知的形状。示例包括诸如矩形和菱形等的四边形以及六边形。当然，不是严格矩形而是接近矩形的图形也包括在矩形中。可以组合使用每个子像素的形状和像素阵列。

[根据本公开的实施方式的有机发光元件的应用]

根据本公开的实施方式的有机发光元件可用作显示设备或照明设备的构件。其它应用包括电子照相图像形成设备的曝光光源、液晶显示器的背光以及在白光源中具有滤色器的发光设备。

显示设备可以包括用于从区域CCD、线性CCD、存储卡等输入图像信息的图像输入单元，并且可以包括用于处理输入信息的信息处理单元，并且可以是用于在显示单元上显示输入图像的图像信息处理设备。

摄像设备或喷墨打印机的显示单元可以具有触摸面板功能。触摸面板功能的驱动系统可以是但不限于红外辐射系统、静电电容系统、电阻膜系统或电磁感应系统。显示设备可用于多功能打印机的显示单元。

接下来，参照附图说明根据本实施方式的显示设备。

图7A和图7B是包括有机发光元件以及联接到有机发光元件的晶体管的显示设备的示意性截面图。晶体管是有源元件的示例。晶体管可以是薄膜晶体管(TFT)。

图7A示出了用作根据本实施方式的显示设备的构件的像素。像素具有子像素10。子像素是发光色不同的10R、10G及10B。发光色可以通过发光层所发射的波长来区分，或者每个子像素所发射的光可以选择性地透过或利用滤色器等进行颜色转换。每个子像素在层间绝缘层1上均具有作为第一电极的反射电极2、覆盖反射电极2的端部的绝缘层3、覆盖第一电极和绝缘层的有机化合物层4、第二电极5、保护层6和滤色器7。

晶体管和/或电容器元件可以设置在层间绝缘层1的下方或内侧。晶体管可以经由接触孔(未示出)等电连接到第一电极。

绝缘层3也被称为堤(bank)或像素分离膜。绝缘层3覆盖第一电极的端部并包围第一电极。第一电极的未覆盖有绝缘层的部分与有机化合物层4接触并用作发光区域。

有机化合物层4包括空穴注入层41、空穴传输层42、第一发光层43、第二发光层44和电子传输层45。

第二电极5可以是透明电极、反射电极或半透明电极。

保护层6减少渗透到有机化合物层中的水分。保护层被示出为单个层，但也可以是多个层。保护层可包括无机化合物层和有机化合物层。

根据颜色将滤色器7分成7R、7G和7B。滤色器可以形成在平坦化膜(未示出)上。此外，可以在滤色器上设置树脂保护层(未示出)。滤色器可以形成在保护层6上。可替代地，滤色器可以在设置在诸如玻璃基板等的对向基板上之后被接合。

图7B中的显示设备100包括有机发光元件26和作为晶体管示例的TFT 18。显示设备100包括由玻璃、硅等制成的基板11和基板11上的绝缘层12。显示设备100在绝缘层上包括诸如TFT等的有源元件18以及有源元件的栅电极13、栅极绝缘膜14和半导体层15。TFT 18还包括漏电极16和源电极17。TFT 18覆盖有绝缘膜19。有机发光元件26的正电极21穿过绝缘膜中形成的接触孔20联接到源电极17。

有机发光元件26的电极(正电极和负电极)与TFT的电极(源电极和漏电极)之间的电连接不限于图7B所示。更具体地，只需要将正电极和负电极中的一者电连接到TFT的源电极和漏电极中的一者。TFT是指薄膜晶体管。

尽管有机化合物层22在图7B所示的显示设备100中是单个层，但是有机化合物层22可以由多个层构成。在负电极23上设置用于减少有机发光元件的劣化的第一保护层24和第二保护层25。

在图7B所示的显示设备100中用作开关元件的晶体管可以用另一个开关元件代替。

在图7B中的显示设备100中使用的晶体管不限于包括单晶硅晶片的晶体管，并且还可以是包括基板的绝缘表面上的有源层的薄膜晶体管。有源层可以是单晶硅、非单晶硅(诸如非晶硅或微晶硅)或非单晶氧化物半导体(诸如氧化铟锌或氧化铟镓锌)。薄膜晶体管也被称为TFT元件。

图7B的显示设备100中的晶体管可以形成在诸如Si基板的基板内。短语“形成在基板内”是指诸如Si基板的基板自身被加工以形成晶体管。因此，基板内的晶体管可以被认为是基板和晶体管一体地形成。

在根据本实施方式的有机发光元件中，利用作为开关元件示例的TFT控制亮度。有机发光元件可以设置在多个平面上，以各种亮度显示图像。根据本实施方式的开关元件不限于TFT，并且可以是由低温多晶硅形成的晶体管或形成在诸如Si基板的基板上的有源矩阵驱动器。“在基板上”也可以被称为“在基板内”。是在基板内设置晶体管还是使用TFT取决于显示单元的尺寸。例如，对于大约0.5英寸的显示单元，可以在Si基板上设置有机发光元件。

图8是根据本实施方式的显示设备的示例的示意图。显示设备1000可包括上盖1001和下盖1009之间的触摸面板1003、显示面板1005、框架1006、电路基板1007和电池1008。触摸面板1003和显示面板1005分别联接到柔性印刷电路FPC 1002和1004。晶体管被印刷在电路基板1007上。当显示设备不是移动装置时，可以不设置电池1008，或者即使当显示设备是移动装置时，也可以在另一位置设置电池1008。

根据本实施方式的显示设备可以包括红色、绿色和蓝色的滤色器。滤色器可以被配置成使得红色、绿色和蓝色以德尔塔配置来配置。

根据本实施方式的显示设备可以用于移动终端的显示单元。这样的显示设备可以具有显示功能和操作功能两者。移动终端的示例包括诸如智能电话的移动电话、平板电脑和头戴式显示器。

根据本实施方式的显示设备可以用在摄像设备的显示单元中，摄像设备包括具有多个透镜的光学单元和用于接收穿过光学单元的光的摄像元件。摄像设备可以包括用于显示由摄像元件获取的信息的显示单元。显示单元可以是从摄像设备露出于外的显示单元或位于取景器中的显示单元。摄像设备可以是数字相机或数字摄像机。

图9A是根据本实施方式的摄像设备的示例的示意图。摄像设备1100可以包括取景器1101、后显示器1102、操作单元1103和外壳单元1104。取景器1101可以包括根据本实施方式的显示设备。在这种情况下，显示设备可以显示环境信息、摄像指令等以及要拍摄的图像。环境信息可以包括外部光的强度和方向、被摄体的行进速度以及被摄体被遮盖物遮盖的可能性。

因为摄像的适当时机是短暂的，所以最好尽快显示信息。因此，可以使用包括根据本公开的有机发光元件的显示设备。这是因为有机发光元件具有高响应速度。包括有机发光元件的显示设备比要求高显示速度的这些设备和液晶显示器更适合使用。

摄像设备1100包括光学单元(未示出)。光学单元具有多个透镜并且将图像聚焦在外壳1104中的摄像元件上。可以通过调节透镜的相对位置来调节透镜的焦点。该操作也可以自动地执行。摄像设备也可以被称为光电转换设备。作为摄像方法，光电转换设备可以具有检测与先前图像的差异的方法或切出永久记录的图像的方法，而不是一个接一个地拍摄图像。

图9B是根据本实施方式的电子器材的示例的示意图。电子器材1200包括显示单元1201、操作单元1202和外壳1203。外壳1203可以包括电路、包括该电路的印刷电路板、电池和通信单元。操作单元1202可以是按钮或触摸面板响应单元。操作单元可以是识别指纹并解除锁定的生物识别单元。具有通信单元的电子器材也可以被称为通信器材。电子器材可以具有透镜和摄像元件，从而还具有相机功能。由相机功能拍摄的图像被显示在显示单元上。电子器材可以是智能电话、笔记本计算机等。

图10A和图10B是根据本实施方式的显示设备的示例的示意图。图10A示出了诸如电视监视器或PC监视器等的显示设备。显示设备1300包括框架1301和显示单元1302。根据本实施方式的发光设备可以用于显示单元1302。

框架1301和显示单元1302由基座1303支撑。基座1303不限于图10A所示的结构。框架1301的下侧也可以用作基座。

框架1301和显示单元1302可以弯曲。曲率半径可以在5000mm至6000mm的范围内。

图10B是根据本实施方式的显示设备的另一示例的示意图。图10B所示的显示设备1310是可折叠的，并且是所谓的可折叠显示设备。显示设备1310包括第一显示单元1311、第二显示单元1312、外壳1313和折叠点1314。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以包括根据本实施方式的发光设备。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以是没有接头的单个显示设备。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以通过折叠点分开。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以显示不同的图像或一个图像。

根据本实施方式的移动体可以是船、飞机、无人机等。移动体可以包括主体和设置在主体上的灯。灯可以发光以指示主体的位置。灯包括根据本实施方式的有机发光元件。

下面参照图11A和图11B说明根据每个实施方式的显示设备的应用例。显示设备可以应用于可以作为可穿戴装置而穿戴的系统，诸如智能眼镜、头戴式显示器(HMD)或智能隐形眼镜。在这种应用中使用的摄像和显示设备包括可以对可见光进行光电转换的摄像设备和可以发射可见光的显示设备。

图11A示出了根据一个应用例的眼镜1600(智能眼镜)。诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器或单光子雪崩光电二极管(SPAD)的摄像设备1602设置在眼镜1600的透镜1601的前侧。根据一个实施方式的显示设备设置在透镜1601的后侧。

眼镜1600还包括控制器1603。控制器1603用作用于向根据一个实施方式的摄像设备1602和显示设备供电的电源。控制器1603控制摄像设备1602和显示设备的操作。透镜1601具有用于将光聚焦在摄像设备1602上的光学系统。

图11B示出了根据一个应用例的眼镜1610(智能眼镜)。眼镜1610具有控制器1612，控制器1612包括显示设备以及与摄像设备1602相对应的摄像设备。透镜1611包括用于投射来自控制器1612的摄像设备和显示设备的光的光学系统，并且图像被投射在透镜1611上。控制器1612用作用于向摄像设备和显示设备供电的电源，并控制摄像设备和显示设备的操作。控制器可以包括用于检测佩戴者视线的视线检测单元。红外辐射可以用于检测视线。红外辐射单元将红外光发射到正在注视显示图像的用户的眼球。来自眼球的反射的红外光被包括受光元件的摄像单元检测到从而拍摄眼球的图像。设置了用于减少在平面图中从红外辐射单元到显示单元的光的减少单元，以减少图像品质的劣化。

从通过捕获红外光获得的眼球图像中检测用户对于显示图像的视线。任何已知的技术可以应用于使用眼球图像的视线检测。例如，可以使用基于角膜对照射光的反射而获得的浦肯野图像的视线检测方法。

更具体地，执行基于瞳孔-角膜反射方法的视线检测过程。通过使用瞳孔-角膜反射方法、基于包括在眼球的拍摄图像中的瞳孔图像和浦肯野图像计算表示眼球的方向(转动角度)的视线矢量来检测用户的视线。

根据本公开的实施方式的显示设备可以包括具有受光元件的摄像设备，并且可以基于来自摄像设备的用户视线信息来控制显示图像。

更具体地，基于视线信息，显示设备确定用户注视的第一可见性(visibility)区域和除了第一可见性区域之外的第二可见性区域。第一可见性区域和第二可见性区域可以由显示设备的控制器确定或可以从外部控制器接收。在显示设备的显示区域中，可以将第一可见性区域控制成具有比第二可见性区域高的显示分辨率。换言之，第二可见性区域可以具有比第一可见性区域低的分辨率。

显示区域具有第一显示区域和不同于第一显示区域的第二显示区域，并且第一显示区域和第二显示区域的优先级取决于视线信息。第一可见性区域和第二可见性区域可以由显示设备的控制器确定或可以从外部控制器接收。可以将具有较高优先级的区域控制成具有比另一区域高的分辨率。换言之，具有较低优先级的区域可以具有较低的分辨率。

可以通过人工智能(AI)确定第一可见性区域或具有较高优先级的区域。AI可以是如下的模型：其被构造为使用眼球图像和眼球在图像中实际观看的方向作为教导数据来估计视线角度和从眼球图像到视线前方的目标的距离。AI程序可以存储在显示设备、摄像设备或外部装置中。存储在外部装置中的AI程序经由通信被发送到显示设备。

对于基于视觉识别检测的显示控制，本公开可以应用于还具有用于对外部摄像的摄像设备的智能眼镜。智能眼镜可以实时显示捕获的外部信息。

如上所述，包括根据本实施方式的有机发光元件的设备可以用于长时间稳定地显示高品质图像。

本发明可以提供减小有机EL元件之间的漏电流的发光设备。

虽然已经参照示例性实施方式说明了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施方式。所附权利要求的范围应符合最广泛的解释，以便涵盖所有此类修改和等效结构和功能。

Claims (18)

1.一种发光设备，包括：

第一下部电极；

第二下部电极；

功能层，其覆盖所述第一下部电极和所述第二下部电极；

上部电极，其在所述功能层上；以及

第三下部电极，其在所述第一下部电极和所述第二下部电极之间，

其特征在于，所述第三下部电极具有相对于所述第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部，并且

所述第三下部电极、绝缘层、所述功能层和所述上部电极在垂直于所述倾斜部的方向上依此顺序配置。

2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述绝缘层覆盖所述第一下部电极的端部并延伸到所述第二下部电极。

3.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述倾斜部在从所述上部电极到所述第一下部电极的方向上形成突起。

4.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述倾斜部在从所述第一下部电极到所述上部电极的方向上形成突起。

5.根据权利要求3所述的发光设备，其中，在垂直于所述第一下部电极的上表面的方向上所述突起具有比所述功能层的长度大的长度。

6.根据权利要求3所述的发光设备，其中，

所述功能层包括电荷产生层，并且

在垂直于所述第一下部电极的上表面的方向上所述突起的长度大于从所述第一下部电极的上表面到所述电荷产生层的下表面的长度。

7.根据权利要求6所述的发光设备，其中，所述突起在平行于所述第一下部电极的上表面的方向上的长度是在垂直于所述第一下部电极的上表面的方向上从所述第一下部电极的上表面到所述电荷产生层的下表面的长度的至少两倍。

8.根据权利要求1所述的发光设备，包括：

第一反射层，其被构造为反射光；

第一光学调整层，其在所述第一反射层和所述第一下部电极之间；

第二反射层，其被构造为反射光；以及

第二光学调整层，其在所述第二反射层与所述第二下部电极之间，

其中，所述第一光学调整层与所述第二光学调整层具有不同的厚度。

9.根据权利要求8所述的发光设备，其中，

在平面图中，所述第一反射层与所述功能层的与所述第一下部电极重叠的部分之间的光学距离是强化距离，并且

在平面图中，所述第二反射层与所述功能层的与所述第二下部电极重叠的部分之间的光学距离是强化距离。

10.根据权利要求1所述的发光设备，包括：

在所述上部电极上的透镜，其中，所述透镜具有在平面图中与所述第一下部电极重叠并且在垂直于所述第一下部电极的上表面的第一方向上突出的第一凸部、在平面图中与所述第二下部电极重叠并且在所述第一方向上突出的第二凸部以及在所述第一凸部和所述第二凸部之间的在与所述第一方向相反的第二方向上突出的第三凸部，并且

在平面图中，所述第三凸部与所述第三下部电极的倾斜部重叠。

11.根据权利要求1所述的发光设备，包括：

在所述上部电极上的遮光构件，其中，所述遮光构件在平面图中与所述第三下部电极的倾斜部重叠。

12.根据权利要求1所述的发光设备，包括：

在平面图中与所述第一下部电极重叠的第一滤色器以及与所述第二下部电极重叠的第二滤色器，

其中，在平面图中，所述第一滤色器与所述第二滤色器之间的接触点与所述第三下部电极的倾斜部重叠。

13.根据权利要求12所述的发光设备，包括：

重叠区域，其在从所述第一下部电极到所述上部电极的方向上位于所述第一滤色器与所述第二滤色器之间，其中，在平面图中，所述重叠区域与所述第三下部电极的倾斜部重叠。

14.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述功能层是由有机化合物构成的有机化合物层。

15.一种发光设备，包括：

第一下部电极；

第二下部电极；

功能层，其覆盖所述第一下部电极和所述第二下部电极；以及

上部电极，其在所述功能层上，

所述发光设备还包括在所述第一下部电极和所述第二下部电极之间的第三下部电极，

其特征在于，所述第三下部电极具有相对于所述第一下部电极的上表面倾斜的倾斜部，并且

在平面图中，所述功能层的与所述倾斜部重叠的部分的厚度小于所述功能层的与所述第一下部电极接触的部分的厚度。

16.一种显示设备，包括：

根据权利要求1至15中的任一项所述的发光设备；以及

联接到所述发光设备的晶体管。

17.一种摄像设备，包括：

光学单元，其具有多个透镜；

摄像元件，其被构造为接收穿过所述光学单元的光；以及

显示单元，其被构造为显示由所述摄像元件拍摄的图像，

其特征在于，所述显示单元包括根据权利要求1至15中的任一项所述的发光设备。

18.一种电子器材，包括：

显示单元，其包括根据权利要求1至15中的任一项所述的发光设备；

外壳，所述显示单元设置在所述外壳中；以及

通信单元，其设置在所述外壳中并被构造为与外部通信。

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