CN116981291A - 发光装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体 - Google Patents

Abstract

提供了发光装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体。发光装置包括多个第一电极、定位在多个第一电极上方并包括发光层的有机层、定位在有机层上方的第二电极、以及将多个第一电极彼此分开的绝缘层。多个第一电极中的每一者的上表面包括与有机层接触的内侧区域以及与绝缘层接触的外侧区域。绝缘层包括限定内侧区域的开口和定位在远离开口并且与外侧区域重叠的位置处的台阶。

Description

发光装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、 照明装置和移动体

技术领域

本发明涉及发光装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体。

背景技术

近年来，使用有机EL元件的显示装置中的像素密度在增加。与此同时，容易通过针对多个像素共用地设置的有机层在像素之间产生漏电流。如果漏电流产生，则非发光像素受到发光元件的影响，并轻微发光。这导致混色和发光效率的降低。日本特开2012-216338号公报提出，为了减少像素之间的漏电流，在将有机EL元件的阳电极彼此分开的绝缘层中形成槽，以减小槽中的低电阻有机层的膜厚。通过如上所述的在绝缘层中的位于像素之间的位置处形成槽的方法，电流通过低电阻有机层流至槽附近。由于该电流，发光不仅在有机层的与阳电极接触的部分中发生，也在该部分附近发生。在具有通过光的干涉效应增加发光强度的结构的发光装置中，如果发光部分的扩展范围大，则发光效率可能降低。

发明内容

本公开的一些方面提供了一种用于改善发光装置的发光效率的技术。

根据一个实施方式，发光装置包括：多个第一电极；有机层，其定位在所述多个第一电极上方并且包括发光层；第二电极，其定位在所述有机层上方；以及绝缘层，其将所述多个第一电极彼此分开。所述多个第一电极中的每一者的上表面包括与所述有机层接触的内侧区域以及与所述绝缘层接触的外侧区域。所述绝缘层包括限定所述内侧区域的开口以及定位在远离所述开口并且与所述外侧区域重叠的位置处的台阶。根据另一实施方式，制造发光装置的方法包括：在多个第一电极上形成绝缘层；在所述绝缘层中与所述多个第一电极中的每一者的外侧区域重叠的位置处形成台阶；在所述绝缘层中与所述多个第一电极中的每一者的内侧区域重叠的位置处形成开口；在已经形成所述台阶和所述开口的所述绝缘层上形成包括发光层的有机层；以及在所述有机层上形成第二电极。

从以下参考附图对示例性实施方式的说明，本发明的其它特征将变得明显。

附图说明

图1是用于说明根据第一实施方式的发光装置的配置示例的截面图；

图2是用于说明根据第一实施方式的发光装置的配置示例的放大图；

图3是用于说明根据第一实施方式的发光装置的配置示例的平面图；

图4是用于说明根据第一实施方式的发光装置的发光强度的曲线图；

图5A至图5E是用于说明根据第一实施方式的发光装置的制造方法的示例的截面图；

图6是用于说明根据第一实施方式的低电阻层的沉积方法的示例的示意图；

图7A至图7C是用于说明根据第一实施方式的变型例的发光装置的制造方法的示例的截面图；

图8A至图8C是用于说明根据第一实施方式的另一变型例的发光装置的制造方法的示例的截面图；

图9A至图9C是分别用于说明根据第二实施方式的发光装置的配置示例的截面图；

图10A是用于说明根据第三实施方式的发光装置的配置示例的截面图；

图10B是用于说明根据第四实施方式的发光装置的配置示例的截面图；

图11A是用于说明根据第五实施方式的发光装置的配置示例的截面图；

图11B是用于说明根据第五实施方式的发光装置的配置示例的平面图；

图12是示出使用根据实施方式的发光装置的显示装置的示例的图；

图13A是示出使用根据实施方式的发光装置的光电转换装置的示例的图；

图13B是示出使用根据实施方式的发光装置的电子设备的示例的图；

图14A和图14B是分别示出使用根据实施方式的发光装置的显示装置的示例的图；

图15A是示出使用根据实施方式的发光装置的照明装置的示例的图；

图15B是示出使用根据实施方式的发光装置的移动体的示例的图；以及

图16A和图16B是分别示出使用根据实施方式的发光装置的可穿戴装置的示例的图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细说明实施方式。注意，以下实施方式并不旨在限制所要求保护的发明的范围。在实施方式中说明了多个特征，但不限制要求所有这些特征的发明，并且多个这样的特征可以适当地组合。此外，在附图中，对相同或相似的构造赋予相同的附图标记，并省略其重复说明。

<第一实施方式>

参考图1至图3，将说明根据第一实施方式的发光装置100的配置示例。图1示出了沿着穿过发光回路101的平面截取的发光装置100的示意性截面图。发光装置100包括多个发光回路101。当发光装置100用于显示装置时，多个发光回路101中的每一者均可以作为像素发挥作用。以下对多个发光回路101中的一个发光回路101的说明可以类似地应用于多个发光回路101中的各个发光回路101。

发光装置100包括基板102和形成在基板102上的各种部件。基板102包括晶体管103。多个发光回路101中的每一者均可以包括单独的晶体管103。发光装置100包括在基板102上的绝缘层104。绝缘层104的上表面已经被平坦化。发光装置100包括在绝缘层104中的导电图案105和106。导电图案105通过接触插塞(contact plug)连接到形成在基板102中的回路元件(例如晶体管103)。导电图案106通过接触插塞连接到导电图案105。形成在基板102中的回路元件(例如晶体管103)、导电图案105和106以及连接它们的接触插塞形成驱动回路107，驱动回路107构造成驱动稍后说明的发光元件。

发光装置100包括在绝缘层104上的绝缘层108。绝缘层108的上表面被平坦化。发光装置100包括在绝缘层108中的接触插塞109。接触插塞109延伸穿过绝缘层108，并连接导电图案106和稍后说明的下部电极110。

发光装置100包括在绝缘层108上的多个下部电极110。多个下部电极110彼此分开。多个发光回路101中的每一者均可以包括单独的下部电极110。多个下部电极110中的每一者的上表面均是平坦的。发光装置100包括在多个下部电极110上的有机层112。有机层112配置在多个发光回路101上方。发光装置100包括在有机层112上的上部电极113。上部电极113配置在多个发光回路101上方。发光装置100包括在绝缘层108与有机层112之间的绝缘层111。

绝缘层111将多个下部电极110彼此分开。绝缘层111接触绝缘层108的未被多个下部电极110覆盖的部分、多个下部电极110中的每一者的侧面以及多个下部电极110中的每一者的上表面。在绝缘层111中的与单独的下部电极110重叠的位置处形成有开口117。有机层112通过开口117与单独的下部电极110的上表面的一部分接触。在绝缘层111中形成槽118。将在稍后说明槽118的细节。

单独的下部电极110、有机层112和上部电极113形成发光元件。由于发光元件包括有机层112，所以发光元件可以被称为有机电致发光(EL)元件。单独的下部电极110可以作为发光元件的阳极发挥作用。上部电极113可以作为发光元件的阴极发挥作用。多个发光元件共同使用一个有机层112和一个上部电极113。

发光装置100包括在上部电极113上的防湿层114。防湿层114配置在多个发光回路101上方。发光装置100包括在防湿层114上的平坦化层115。平坦化层115配置在多个发光回路101上方。平坦化层115的上表面被平坦化。发光装置100包括在平坦化层115上的多个滤色器116。多个发光回路101中的每一者均可以包括单独的滤色器116。多个发光回路101的所有发光元件都可以构造成发出白光。当白光透过滤色器116时，其被分成红、绿和蓝的相应颜色并被发出。

参考图2，将详细说明槽118。图2是图1中由虚线119包围的部分的放大图。本实施方式中的有机层112具有包括低电阻层201和发光层202的堆叠结构。低电阻层201和发光层202中的每一者均由有机材料形成。低电阻层201和发光层202中的每一者均配置在多个发光回路101上方。低电阻层201定位在发光层202与多个下部电极110之间。低电阻层201的电阻值小于发光层202的电阻值。低电阻层201可以是空穴注入层、空穴输送层或电荷生成层，或者可以是这些层的组合。发光层202随着电流流过发光层202而发光。在图2所示的示例中，有机层112包括一个低电阻层201和一个发光层202。替选地，有机层112可以包括对应于多种发光颜色的发光层，并发出白光。

单独的下部电极110的上表面包括内侧区域203和外侧区域204。外侧区域204定位在内侧区域203的外侧。内侧区域203可以被外侧区域204完全包围。内侧区域203由绝缘层111的开口117限定。换言之，在单独的下部电极110的上表面中，未被绝缘层111覆盖的部分(与开口117重叠的部分)充当内侧区域203。内侧区域203与有机层112(更具体地，其低电阻层201)接触。外侧区域204与绝缘层111接触。

槽118定位在远离开口117并且与外侧区域204的平坦部重叠的位置处。槽118形成台阶206和207。台阶可以是如下的结构：该结构由具有不同的距基准面(例如，外侧区域204的平坦部)的高度的两个平坦部和连接这两个平坦部的部分形成。台阶206和207是不同于面向开口117的台阶205的台阶。槽118未到达下部电极110。即，槽118的底面由绝缘层111的一部分形成。台阶206和207中的每一者的斜面(即，槽118的侧壁)的倾斜度可以比台阶205的斜面(即，面向开口117的侧壁)的倾斜度更陡。

有机层112已经进入槽118。如将在稍后说明的，当通过气相沉积来形成低电阻层201时，低电阻层201在槽118中可能具有减小的厚度或者被中断。换言之，槽118的底部与发光层202之间的距离小于槽118的附近与发光层202之间的距离。在图2所示的示例中，低电阻层201在槽118中中断。如果低电阻层201的厚度以这种方式减小，则对应部分中的电阻值增加。结果，从单独的下部电极110流向低电阻层201的电流几乎不会流经槽118。由此，能够减少槽118外侧(即远离内侧区域203的一侧)的发光层202的发光量。另外，能够减小彼此相邻的发光回路101之间的漏电流。

参考图3，将说明发光装置100的平面图。更具体地，图3示出了关于基板102的主面(已经形成有绝缘层104等的表面)的平面图中的接触插塞109、下部电极110和槽118的配置。由于基板102的主面平行于内侧区域203，所以关于基板102的主面的平面图与关于内侧区域203的平面图一致。

如上所述，下部电极110的上表面包括内侧区域203和外侧区域204。在图3所示的示例中，在关于内侧区域203的平面图中，槽118完全包围内侧区域203。通过这种配置，能够在所有方向上减小从内侧区域203流经槽118的电流。替选地，槽118可以被分成多个部分，并且在关于内侧区域203的平面图中部分地包围内侧区域203。即使在这种情况下，也能够在槽118所定位的方向上减小流经槽118的电流。

内侧区域203的面积可以小于外侧区域204的面积。如果外侧区域204的面积相对较大，则从内侧区域203到下部电极110的外侧的距离增加。因此，通过在与外侧区域204重叠的位置处形成槽118，能够减小流过低电阻层201的电流的范围。此外，在关于内侧区域203的平面图中，槽118可以定位在接触插塞109与内侧区域203之间。以这种方式，通过将槽118配置在内侧区域203近旁，能够减小流过低电阻层201的电流的范围。替选地，槽118可以定位在与接触插塞109重叠的位置处，或者可以定位在接触插塞109的外侧。

槽118具有能够减小槽118中的低电阻层201的厚度的纵横比。纵横比是槽118的深度D1与槽118的宽度W1的比率(D1/W1)。槽118的宽度W1可以是与槽118的延伸方向正交的截面(例如，图2所示的截面)中的两个侧壁之间的距离。如果两个侧壁之间的距离依据槽118的深度改变，则槽118的宽度W1可以是在两个侧壁之间的中间深度处的距离，或者可以是在两个侧壁之间的多个深度处的距离的平均值。槽118的深度D1可以是在与基准面(例如，基板102的主面)正交的方向上的槽118的底部与槽118周围的部分之间的距离。如果槽118周围的部分的高度在槽118的两侧之间改变，则槽118的深度D1可以是各侧的深度的平均值。

槽118的纵横比可以例如是0.02(含本数)至20(含本数)，并且可以例如是0.3(含本数)至20(含本数)。换言之，槽118的深度D1可以是槽118的宽度W1的0.02倍(含本数)至20倍(含本数)，并且可以例如是宽度W1的0.3倍(含本数)至20倍(含本数)。此外，槽118的纵横比可以是1或更大。为了设定上述纵横比，槽118的深度D1可以落在例如10nm至200nm的范围内，并且槽118的宽度W1可以落在例如10nm至500nm的范围内。槽118的宽度W1可以大于低电阻层201的膜厚。

槽118可以具有能够抑制上部电极113的电阻局部增加的纵横比。例如，槽118的纵横比可以是1或更大。由此，例如，能够抑制诸如明暗(由上部电极113的表面中的电压下降导致的亮度不均匀)等的显示性能的劣化。

槽118的宽度W1和深度D1可以依据槽118的位置而改变。例如，可以基于发光区域中的发光元件的形状和配置、上部电极113的电阻分布等来选择槽118的宽度W1和深度D1。为了抑制由不同发光颜色的发光回路之间的漏电流导致的发光特性的劣化(由于混色导致的颜色再现范围的劣化)，可以在不同发光颜色的发光回路之间相对地增加槽118的纵横比。

参考图4，将说明依据槽118的位置的发光回路101的发光强度的差异。图4的曲线图的横坐标表示发光波长，纵坐标表示从发光回路101发出的光的强度。图4示出了在除了槽118与内侧区域203之间的距离在三个距离之间切换之外其它条件相同的情况下进行的实验的结果。曲线301示出了槽118与内侧区域203之间的距离最大的情况下的结果。曲线303示出了槽118与内侧区域203之间的距离最小的情况下的结果。曲线302示出了槽118与内侧区域203之间的距离是中等距离的情况下的结果。从图4所示的结果可以看出，槽118与内侧区域203之间的距离越小，发光强度越高。因此，如在本实施方式中那样，当绝缘层111在与上部电极113重叠的位置处包括槽118时，能够改善发光回路101的发光效率。

参考图5A至图5E，将说明发光装置100的制造方法的示例。在图5A至图5E中的每一者中，通过在与图1中相同的位置处截取的截面图示出了发光装置100的制造途中状态。首先，在基板102和绝缘层104中形成驱动回路107。可以通过现有的金属氧化物半导体(MOS)工艺形成驱动回路107，将省略其详细说明。在图5A至图5E中的每一者中，未示出基板102和绝缘层104。

如图5A所示，在绝缘层104上形成包括接触插塞109的绝缘层108，并且在绝缘层108上形成多个下部电极110。例如，可以通过用例如等离子体化学气相沉积(CVD)法、高密度等离子体法或其组合沉积绝缘膜(诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)等)来形成绝缘层108。在沉积之后，可以通过化学机械抛光(CMP)法使绝缘层108的表面平坦化。通过光刻法和干法蚀刻法在绝缘层108的预定位置处形成多个开口。例如，各开口中均配置有钨(W)，通过CMP法或回蚀法去除多余部分，剩余部分充当接触插塞109。

然后，通过例如溅射法在绝缘层108上沉积由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝合金和钛形成的堆叠金属膜。接下来，使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将堆叠金属膜图案化为预定形状，从而形成多个下部电极110。

随后，如图5B所示，通过用等离子体CVD法在多个下部电极110上沉积绝缘层(诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx))来形成绝缘层111。绝缘层111的膜厚可以例如是1nm至500nm。绝缘层111的沉积法不限于上述方法，并且可以使用形成绝缘层的任意方法。例如，作为上述方法之外的制造方法，可以使用高密度等离子体CVD法、原子层沉积(ALD)法、溅射法或涂布材料的旋涂或狭缝涂覆。可以通过堆叠多个层来形成绝缘层111。多个层可以由相同的材料形成，或者可以混合由不同材料制成的层。

接下来，如图5C所示，通过使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将绝缘层111图案化为预定形状来形成槽118。在与单独的下部电极110的外侧区域204重叠的位置处形成槽118。此外，如图5D所示，通过使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将绝缘层111图案化为预定形状来形成开口117。在与单独的下部电极110的内侧区域203重叠的位置处形成开口117。与形成开口117一起，可以形成如下的开口：其用于将待在后续步骤中形成的上部电极113连接到与下部电极110处于同一层中的金属层。槽118可以在开口117之后形成。然后，通过清洁下部电极110和绝缘层111的表面而从表面去除异物。在清洁步骤之后，执行脱水处理以去除基板表面上的水。

接下来，如图5E所示，在已经形成有槽118和开口117的绝缘层111上形成包括发光层202的有机层112。如上所述，有机层112可以包括低电阻层201。低电阻层201可以是空穴注入层、空穴输送层、电荷生成层或其组合。可以通过用例如真空气相沉积法对有机材料进行气相沉积来形成低电阻层201和发光层202。在发光层202上还可以形成电子输送层。可以使用例如旋转气相沉积法、线型气相沉积法、转印气相沉积法等作为真空气相沉积法。

随后，在没有连续地将减压气氛释放到大气的情况下，通过真空气相沉积法在有机层112上形成上部电极113。然后，通过例如等离子体CVD法、溅射法、ALD法或其组合以覆盖上部电极113的方式沉积防湿层114。防湿层114的沉积温度可以等于或低于形成有机层112的有机材料的分解温度，例如等于或低于120℃。然后，在防湿层114上形成用于改善粘接性的平坦化层115。然后，通过涂布红色滤色器的材料并通过光刻将其图案化，在平坦化层115上形成红色滤色器。通过以类似的方式顺次形成绿色滤色器和蓝色滤色器来形成滤色器116。然后，通过光刻法和干法蚀刻法图案化成预定形状来形成发光装置100中的端子取出用焊盘部。以这种方式来制造图1所示的发光装置100。

参考图6，将说明低电阻层201的气相沉积法。用于形成低电阻层201的有机材料从气相沉积源600朝向绝缘层111的表面排出。当形成低电阻层201时，由正交于绝缘层111的表面的方向601和有机材料的朝向槽118的轨迹602形成的角度θ被设定为大于0°。在真空气相沉积中，从气相沉积源600蒸发的有机物质的朝向槽118的轨迹602大致为直线。因此，在槽118中出现明暗，并且低电阻层201的膜厚变化。更具体地，低电阻层201的膜厚在槽118中减小，并且在一些情况下，膜厚变为0(即，低电阻层201中断)。以这种方式形成具有图2所示的形状的低电阻层201。

参考图7A至图7C，将说明绝缘层111的形成方法的变型例。在该变型例中，代替图5B至图5D所示的步骤，执行图7A至图7C所示的步骤。其余步骤可以类似于上述实施方式中的步骤。

如图7A所示，在多个下部电极110上形成具有包括绝缘层701和绝缘层702的堆叠结构的绝缘层111。更具体地，首先，通过用等离子体CVD法在多个下部电极110上沉积诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)等的绝缘层来形成绝缘层701。绝缘层701的膜厚可以例如是1nm至50nm。此后，通过用等离子体CVD法在绝缘层701上沉积诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)等的绝缘层来生成绝缘层702。绝缘层702的膜厚可以例如是10nm至500nm。绝缘层702的材料不同于绝缘层701的材料。例如，绝缘层701可以是氮化硅膜(SiNx)，绝缘层702可以是氧化物膜(SiOx)。

绝缘层701和702中的每一者的沉积方法均不限于上述方法，并且可以使用形成绝缘层的任意方法。例如，可以使用高密度等离子体CVD法、原子层沉积(ALD)法、溅射法或涂布材料的旋涂或狭缝涂覆作为上述方法之外的制造方法。

可以通过堆叠多个层来形成绝缘层701。例如，可以通过在沉积氧化物膜(SiOx)之后沉积氮化硅膜(SiNx)来形成绝缘层701。如果下部电极110由氧化铟锡(ITO)形成，则使用硅烷气体的CVD法可能无法均匀地沉积氮化硅膜(SiNx)。因此，可以通过沉积氧化物膜(SiOx)并在其上堆叠氮化硅膜(SiNx)而在由ITO形成的下部电极110上形成绝缘层701。

然后，如图7B所示，通过使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将绝缘层111图案化为预定形状来形成槽118。在与单独的下部电极110的外侧区域204重叠的位置处形成槽118。在该蚀刻中，绝缘层701充当蚀刻停止层。因此，槽118延伸穿过绝缘层702并到达绝缘层701。绝缘层701充当槽118的底部。由于绝缘层701充当蚀刻停止层，因此槽118在多个位置处的深度变化减小，并且可以均匀地实现减小漏电流的效果。

此外，如图7C所示，通过使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将绝缘层111图案化为预定形状来形成开口117。在与单独的下部电极110的内侧区域203重叠的位置处形成开口117。可以在形成开口117之后形成槽118。在开口117中，绝缘层701部分和绝缘层702部分可以具有彼此不同的锥角。

参考图8A至图8C，将说明绝缘层111的形成方法的另一变型例。在该变型例中，代替图5B和图5C所示的步骤，执行图8A至图8C所示的步骤。其余步骤可以类似于上述实施方式中的步骤。

如图8A所示，在多个下部电极110上形成绝缘层801。更具体地，通过用等离子体CVD法在多个下部电极110上沉积诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)等的绝缘层来形成绝缘层801。

然后，如图8B所示，通过使用光刻法和干法蚀刻法或湿法蚀刻法将绝缘层801图案化为预定形状来形成槽802。在与单独的下部电极110的外侧区域204重叠的位置处形成槽802。

然后，如图8C所示，在绝缘层801上形成绝缘层803。更具体地，通过用等离子体CVD法在绝缘层801上沉积诸如氧化物膜(SiOx)、氮氧化物膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)等的绝缘层来形成绝缘层803。绝缘层803的一部分进入槽802，从而形成槽118。绝缘层801和绝缘层803的组合充当绝缘层111。以这种方式，通过在形成槽802之后进一步沉积绝缘层803，可以形成纵横比比槽802高的槽118。

绝缘层801和803中的每一者的沉积方法均不限于上述方法，并且可以使用形成绝缘层的任意方法。例如，可以使用高密度等离子体CVD法、原子层沉积(ALD)法、溅射法或涂布材料的旋涂或狭缝涂覆作为上述方法之外的制造方法。

<第二实施方式>

参考图9A至图9C，将说明根据第二实施方式的发光装置900的配置示例。在下面的说明中，将说明与第一实施方式的差异，并且将省略与第一实施方式共同的部分的说明。在第一实施方式中说明的变型例也适用于第二实施方式。图9A示出了在与图1中相同的位置处截取的发光装置900的截面图。

除了发光装置100的部件之外，发光装置900还包括反射层901和绝缘层902。反射层901定位在单独的下部电极110下方。反射层901例如由金属制成。发光装置900的下部电极110具有透光性。在有机层112中生成并透过下部电极110的光被反射层901反射，再次通过下部电极110，并发出到发光装置900的外部。由此，能够增加从发光装置900发出的光的强度。反射层901与下部电极110之间的距离被设定为增加光的强度的光路长度。

绝缘层902配置在反射层901与下部电极110之间。在关于下部电极110的内侧区域203的平面图中，下部电极110的一部分接合到反射层901。在关于内侧区域203的平面图中，槽118定位在下部电极110和反射层901接合的部分与内侧区域203之间。

下部电极110的外侧区域204包括与反射层901的上表面的形状一起从内向外上升的台阶903。槽118定位在台阶903的外侧的与外侧区域204的平坦部重叠的位置处。

参考图9B，将说明发光装置900的变型例。在该变型例中，槽118定位在与下部电极110接合到反射层901的部分重叠的位置处。在用于在该位置形成槽118的光刻中，可以使用多层抗蚀工艺来减少台阶的影响并改善聚焦深度。

参考图9C，将说明发光装置900的另一变型例。在该变型例中，槽118定位在台阶903的内侧的与外侧区域204的平坦部重叠的位置处。由此，槽118可以定位成靠近内侧区域203。

<第三实施方式>

参考图10A，将说明根据第三实施方式的发光装置1000的配置示例。在下面的说明中，将说明与第一实施方式的差异，并且将省略与第一实施方式共同的部分的说明。在第一实施方式中说明的变型例也适用于第三实施方式。第一实施方式与第三实施方式之间的差异可以应用于第二实施方式。图10A示出了在与图1中相同的位置处截取的发光装置1000的截面图。

发光装置1000与发光装置100的差异在于绝缘层111包括凸部1001而不是槽118。凸部1001定位在远离开口117并且与外侧区域204的平坦部重叠的位置处。通过凸部1001形成两个台阶(即，靠近内侧区域203的台阶和远离内侧区域203的台阶)。

如上所述，当通过沉积在包括上述的凸部1001的绝缘层111上形成低电阻层201时，低电阻层201的在覆盖凸部1001的侧壁的部分中的厚度变得小于低电阻层201的在覆盖凸部1001附近和凸部1001的上部的部分中的厚度。结果，与第一实施方式一样，能够减小流经凸部1001的漏电流。与参考图3说明的槽118类似，在关于内侧区域203的平面图中，凸部1001可以完全包围内侧区域203。与槽118类似，可以通过图案化绝缘层111来形成凸部1001。

<第四实施方式>

参考图10B，将说明根据第四实施方式的发光装置1050的配置示例。在下面的说明中，将说明与第一实施方式的差异，并且将省略与第一实施方式共同的部分的说明。在第一实施方式中说明的变型例也适用于第四实施方式。第一实施方式与第四实施方式之间的差异可以应用于第二实施方式。图10B示出了在与图1中相同的位置处截取的发光装置1050的截面图。

发光装置1050与发光装置100的差异在于绝缘层111包括台阶1051而不是槽118。台阶1051定位在远离开口117并且与外侧区域204的平坦部重叠的位置处。

当通过沉积在包括上述台阶1051的绝缘层111上形成低电阻层201时，低电阻层201的在覆盖台阶1051的侧壁的部分中的厚度变得小于低电阻层201的在覆盖台阶1051附近的部分中的厚度。结果，与第一实施方式一样，能够减小流经台阶1051的漏电流。类似于参考图3说明的槽118，在关于内侧区域203的平面图中，台阶1051可以完全包围内侧区域203。与槽118类似，可以通过图案化绝缘层111来形成台阶1051。

<第五实施方式>

参考图11A和图11B，将说明根据第五实施方式的发光装置1100的配置示例。在下面的说明中，将说明与第一实施方式的差异，并且将省略与第一实施方式共同的部分的说明。在第一实施方式中说明的变型例也适用于第五实施方式。第一实施方式与第五实施方式之间的差异可应用于第二实施方式至第四实施方式中的任何一者。图11A示出了在与图1中相同的位置处截取的发光装置1100的截面图。

发光装置1100与发光装置100的差异在于，发光装置1100还包括在上部电极113上方的多个微透镜1101。其余部分可以类似于发光装置100的那些部分。微透镜1101具有透光性。多个发光回路101中的每一者均形成有单独的微透镜1101。微透镜1101从滤色器116向上突出。微透镜1101为凸面。微透镜可以是球面透镜，或者可以是非球面透镜。微透镜1101的构成材料可以是具有透光性和绝缘性的材料。例如，微透镜1101的构成材料可以是诸如氧化硅等的无机硅材料，或者诸如丙烯酸树脂等的树脂材料。

参考图11B，将说明发光装置1100的平面图。更具体地，图11B示出了关于基板102的主面的平面图中的接触插塞109、下部电极110、槽118和微透镜1101的配置。

微透镜1101在平面图中的形状没有特别限制，但在图11B所示的示例中是圆形。一个微透镜1101配置成对应于一个下部电极110。在平面图中，微透镜1101与内侧区域203完全重叠。替选地，微透镜1101可以仅与内侧区域203的一部分重叠。在关于基板102的主面的平面图中，微透镜1101的面积大于内侧区域203的面积。替选地，微透镜1101的面积可以等于或小于内侧区域203的面积。

在图11B所示的示例中，绝缘层111的槽118定位在与微透镜1101重叠的位置处。替选地，绝缘层111的槽118可以定位在与微透镜1101部分重叠的位置处，或者可以定位在不与微透镜1101重叠的位置处。多个微透镜1101可以具有不同的尺寸。通过设计成使得槽118的内侧的内侧区域203中发出的光可以进入微透镜1101，能够在抑制混色的同时通过微透镜1101改善视野角特性。

在上述实施方式中，有机层112包括低电阻层201，并且通过在包括槽118、凸部1001或台阶1051的绝缘层111上形成低电阻层201来减小低电阻层201的厚度。替选地，有机层112可以不包括低电阻层201。在这种情况下，发光层202可以与下部电极110的内侧区域203和绝缘层111接触。即使在这种配置的情况下，通过在包括槽118、凸部1001或台阶1051的绝缘层111上形成发光层202，也可以部分地减小发光层202的厚度。结果，漏电流减小。

[有机发光元件的配置]

通过在基板上形成绝缘层、第一电极、有机化合物层和第二电极来形成有机发光元件。可以在阴极上设置保护层、滤色器、微透镜等。如果设置滤色器，则可以在保护层与滤色器之间设置平坦化层。平坦化层可以由丙烯酸树脂等制成。这同样适用于在滤色器与微透镜之间设置平坦化层的情况。

[基板]

可以使用石英、玻璃、硅晶片、树脂、金属等作为基板。此外，可以在基板上设置诸如晶体管等的开关元件和配线，并且可以在基板上设置绝缘层。绝缘层可以由任何材料制成，只要能够形成接触孔以便能够在绝缘层与第一电极之间形成配线，并且能够确保与未连接配线绝缘即可。例如，可以使用诸如聚酰亚胺的树脂、氧化硅或氮化硅。

[电极]

可以使用一对电极作为电极。这对电极可以是阳极和阴极。如果沿有机发光元件发光的方向施加电场，则具有高电位的电极是阳极，另一电极是阴极。也可以说，为发光层供应空穴的电极是阳极，而供应电子的电极是阴极。

优选地使用功函数尽可能大的材料作为阳极的构成材料。例如，可以使用诸如金、铂、银、铜、镍、钯、钴、硒、钒或钨等的金属、包含这些金属中的一些的混合物或通过组合这些金属中的一些获得的合金，或者可以使用诸如氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)或氧化锌铟等的金属氧化物。此外，也可以使用诸如聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩的导电聚合物。

可以单独使用这些电极材料中的一种，或者可以组合使用它们中的两种或多种。阳极可以由单层或多层形成。

当使用阳极作为反射电极时，例如可以使用铬、铝、银、钛、钨、钼、它们的合金、它们的堆叠层等。以上材料不是作为电极而是可以作为反射膜发挥作用。当使用阳极作为透明电极时，可以使用由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌等制成的氧化物透明导电层，但是本发明不限于这些。可以使用光刻技术来形成电极。

另一方面，优选地使用功函数较小的材料作为阴极的构成材料。材料的示例包括碱金属(诸如锂)、碱土金属(诸如钙)、金属(诸如铝、钛、锰、银、铅或铬)以及含有这些金属中的一些的混合物。替选地，也可以使用通过组合这些金属而获得的合金。例如，可以使用镁-银合金、铝-锂合金、铝-镁合金、银-铜合金、锌-银合金等。也可以使用诸如氧化铟锡(ITO)等的金属氧化物。可以单独地使用这些电极材料中的一种，或者也可以组合使用这些电极材料中的两种或多种。阴极可以具有单层结构或多层结构。特别地，可以使用银。为了抑制银的聚集，可以使用银合金。合金的比例不受限制，只要能够抑制银的聚集即可。例如，银与另一种金属之间的比例可以是1:1、3:1等。

阴极可以是使用由ITO等制成的氧化物导电层的顶部发射元件，或者也可以是使用由铝(Al)等制成的反射电极的底部发射元件，并且没有特别限制。形成阴极的方法没有特别的限制，但使用直流溅射或交流溅射以提供良好的膜覆盖并且容易地降低电阻。

[有机化合物层]

有机化合物层可以由单层或多个层形成。如果有机化合物层包括多个层，则根据各层的功能，这些层可以被称为空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层和电子注入层。有机化合物层主要由有机化合物形成，但也可以包含无机原子和无机化合物。例如，有机化合物层可以包含铜、锂、镁、铝、铱、铂、钼、锌等。有机化合物层可以配置在第一电极与第二电极之间，并且有机化合物层可以配置成与第一电极和第二电极接触。

[保护层]

可以在阴极上设置保护层。例如，通过将设置有吸湿剂的玻璃粘附在阴极上，能够抑制水等渗透到有机化合物层中，并且能够抑制显示不良的发生。此外，作为另一实施方式，可以在阴极上设置由氮化硅等制成的钝化膜，以抑制水等渗透到有机化合物层中。例如，可以通过形成阴极并且在不破坏真空的情况下将其转移到另一室，并通过CVD法形成厚度为2μm的氮化硅膜来形成保护层。在使用CVD法形成膜之后，可以使用原子层沉积法(ALD法)来设置保护层。由ALD法形成的膜的材料不受限制，但可以是氮化硅、氧化硅、氧化铝等。还可以在通过ALD法形成的膜上通过CVD法形成氮化硅膜。通过ALD法形成的膜可以具有小于通过CVD法形成的膜的膜厚度。更具体地，通过ALD法形成的膜的膜厚度可以是通过CVD法形成的膜的膜厚度的50％或更小、或者10％或更小。

[滤色器]

滤色器可以设置在保护层上。例如，可以在另一基板上设置考虑到有机发光元件的尺寸的滤色器，并且该基板可以与设置有有机发光元件的基板结合。替选地，可以使用光刻技术在上述保护层上进行滤色器的图案化处理。滤色器可以由聚合物材料形成。

[平坦化层]

可以在滤色器与保护层之间设置平坦化层。设置平坦化层以减少下层的不平整度。平坦化层可以称为材料树脂层，但不限制层的用途。平坦化层可以由有机化合物形成，并且可以由低分子材料或聚合物材料制成。平坦化层可以由聚合物材料制成。

平坦化层可以设置在滤色器的上方和下方，并且平坦化层可以使用相同或不同的材料。更具体地，材料的示例包括聚乙烯咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅酮树脂和尿素树脂。

[微透镜]

有机发光装置在光出射侧可以包括光学构件、诸如微透镜。微透镜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂等制成。微透镜的目的是增加从有机发光装置提取的光的量，并控制要提取的光的方向。微透镜可以具有半球形状。如果微透镜具有半球形状，则在接触半球的切线中存在平行于绝缘层的切线，并且该切线与半球之间的接触点是微透镜的顶点。可以在任意的截面图中以相同的方式确定微透镜的顶点。即，在截面图中接触微透镜的半圆的切线中，存在平行于绝缘层的切线，并且该切线和半圆之间的接触点是微透镜的顶点。

此外，也可以定义微透镜的中点。在微透镜的截面中，从一个弧形的结束点到另一弧形的结束点之间虚构一条线段，该线段的中点可以被称为微透镜的中点。用于确定顶点和中点的截面可以是垂直于绝缘层的截面。

[对向基板]

可以在平坦化层上设置对向基板。对向基板之所以被称为对向基板是因为它被设置在对应于上述基板的位置。对向基板的构成材料可以与上述基板的构成材料相同。当上述基板是第一基板时，对向基板可以是第二基板。

[有机层]

通过以下说明的方法来形成根据本发明的实施方式的有机发光元件的有机化合物层(空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等)。

形成根据本发明的实施方式的有机发光元件的有机化合物层可以通过使用真空沉积法、离子化沉积法、溅射法、等离子体法等的干法处理来形成。代替干法处理，还可以使用湿法处理，其中通过将溶质溶解在适当的溶剂中并使用公知的涂布法(例如，旋涂法、浸渍法、浇铸法、LB法、喷墨法等)来形成层。

在此，当通过真空沉积法、溶液涂布法等形成层时，几乎不发生结晶等，并且获得优异的长期稳定性。此外，当使用涂布法形成层时，可以与合适的粘合树脂组合形成膜。

粘合树脂的示例包括聚乙烯咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅酮树脂和尿素树脂。然而，粘合树脂不限于这些。

这些粘合树脂中的一种可以作为均聚物或共聚物单独使用，或者也可以组合使用这些粘合树脂中的两种或更多种。此外，也可以根据需要使用诸如如公知的增塑剂、抗氧化剂和紫外线吸收剂等添加剂。

[像素回路]

发光装置可以包括连接到发光元件的像素回路。像素回路可以是有源矩阵回路，其独立控制第一发光元件和第二发光元件的发光。有源矩阵回路可以是电压或电流编程回路。驱动回路包括用于各像素的像素回路。像素回路可以包括发光元件、用于控制发光元件的发光亮度的晶体管、用于控制发光时序的晶体管、用于保持控制发光亮度用的晶体管的栅极电压的电容器、以及用于连接到GND且不干涉发光元件的晶体管。

发光装置包括显示区域和配置在显示区域周围的周边区域。发光装置包括显示区域中的像素回路和周边区域中的显示控制回路。形成像素回路的晶体管的迁移率可以小于形成显示控制回路的晶体管的迁移率。

形成像素回路的晶体管的电流-电压特性的斜率可以小于形成显示控制回路的晶体管的电流-电压特性的斜率。电流-电压特性的斜率可以通过所谓的Vg-Ig特性来测量。

形成像素回路的晶体管是连接到诸如第一发光元件等的发光元件的晶体管。

[像素]

有机发光装置包括多个像素。各像素均包括发出不同颜色的光成分的子像素。子像素分别包括例如R、G和B的发光颜色。

在各像素中，被称为像素开口的区域发光。该区域与第一区域相同。像素开口可以具有5μm(含本数)到15μm(含本数)的尺寸。更具体地，像素开口可以具有11μm、9.5μm、7.4μm、6.4μm等的尺寸。

子像素之间的距离可以是10μm或更小，并且更具体地可以是8μm、7.4μm或6.4μm。

像素在平面图中可以具有已知的配置形式。例如，像素可以具有条纹配置、delta配置、pentile配置或Bayer配置。平面图中的各子像素的形状可以是任何已知的形状。例如，六边形、诸如矩形或菱形等的四边形等是可能的。即使形状不完全准确但是接近矩形的形状也包含在矩形中。子像素的形状和像素配置可以组合使用。

[本发明实施方式的有机发光元件的应用]

可以使用根据本发明的实施方式的有机发光元件作为显示装置或照明装置的构成构件。另外，有机发光元件可应用于电子照相成像装置的曝光光源、液晶显示装置的背光源、在白色光源中包括滤色器的发光装置等。

显示装置可以是包括图像输入单元和信息处理单元的图像信息处理装置，其中，图像输入单元用于从面阵CCD、线阵CCD、存储卡等输入图像信息，信息处理单元用于处理输入的信息并将输入的图像显示在显示单元上。

另外，摄像装置或喷墨打印机中包括的显示单元可以具有触摸面板功能。触摸面板功能的驱动类型可以是红外型、电容型、电阻膜型或电磁感应型，并且没有特别限制。显示装置可以用于多功能打印机的显示单元。

接下来，参考附图，将说明根据本实施方式的显示装置。在下面的实施方式中，显示装置可以由根据上述实施方式中的任一者的发光装置(例如，发光装置100)形成。

图12是示出根据本实施方式的显示装置的示例的示意图。显示装置1200可以包括在上盖1201与下盖1209之间的触摸面板1203、显示面板1205、框架1206、回路板1207和电池1208。触摸面板1203和显示面板1205分别连接到柔性印刷回路FPC 1202和1204。晶体管印刷在回路板1207上。如果显示装置不是便携式设备，则电池1208可以不设置，或者即使显示装置是便携式设备，电池1208也可以设置在另一位置。

根据本实施方式的显示装置可以包括红色、绿色和蓝色滤色器。红色、绿色和蓝色滤色器可以配置成delta阵列。

根据本实施方式的显示装置还可以用于便携式终端的显示单元。此时，显示单元可以兼具显示功能和操作功能。便携式终端的示例是诸如智能手机的便携式电话、平板电脑和头戴式显示器。

根据本实施方式的显示装置可以用于摄像装置的显示单元，摄像装置包括具有多个透镜的光学单元和用于接收已经穿过光学单元的光的图像传感器。摄像装置可以包括用于显示由图像传感器获取的信息的显示单元。另外，显示单元可以是暴露在摄像装置外部的显示单元，或者是配置在取景器中的显示单元。摄像装置可以是数码相机或数码摄像机。

图13A是示出根据本实施方式的摄像装置的示例的示意图。摄像装置1300可以包括取景器1301、背面显示器1302、操作单元1303和壳体1304。取景器1301可以包括根据本实施方式的显示装置。在这种情况下，显示装置不仅可以显示待拍摄的图像，还可以显示环境信息、图像拍摄指令等。环境信息的示例包括外部光的强度和方向、被摄体的移动速度以及被摄体被障碍物覆盖的可能性。

适于摄像的时机是非常短的时间，所以优选尽可能快地显示信息。因此，可以使用使用了本发明的有机发光元件的显示装置。这是因为有机发光元件具有高响应速度。在需要高显示速度的设备中，使用有机发光元件的显示装置优于液晶显示装置。

摄像装置1300包括光学单元(未示出)。该光学单元包括多个透镜，并且在容纳在壳体1304中的图像传感器上形成图像。多个透镜的焦点可以通过调整相对位置来调整。也可以自动执行该操作。摄像装置可以被称为光电转换装置。除了顺次拍摄外，光电转换装置还可以采用检测与先前图像的差异的方法、从始终记录的图像中提取图像的方法等作为摄像方法。

图13B是示出根据本实施方式的电子设备的示例的示意图。电子设备1350包括显示单元1351、操作单元1352和壳体1353。壳体1353可以容纳回路、包括该回路的印刷板、电池和通信单元。操作单元1352可以是按钮或触摸面板型反应单元。操作单元也可以是生物验证单元，其通过验证指纹来执行解锁等。包括通信单元的电子设备也可以被视为通信设备。通过包括透镜和图像传感器，电子设备还可以具有相机功能。通过相机功能拍摄的图像被显示在显示单元上。电子设备的示例是智能手机和笔记本电脑。

图14A和图14B是示出根据本实施方式的显示装置的示例的示意图。图14A示出了诸如电视监视器或PC监视器的显示装置。显示装置1400包括框架1401和显示单元1402。根据本实施方式的发光装置可以在显示单元1402中使用。

显示装置1400包括支撑框架1401和显示单元1402的基部1403。基部1403不限于图14A所示的形式。框架1401的下侧也可以发挥基部的作用。

另外，框架1401和显示单元1402可以弯曲。曲率半径可以是5000mm(含本数)到6000mm(含本数)。

图14B是示出根据本实施方式的显示装置的另一示例的示意图。图14B所示的显示装置1450被构造成可折叠，即显示装置1450是所谓的可折叠显示装置。显示装置1450包括第一显示单元1451、第二显示单元1452、壳体1453和弯曲点1454。第一显示单元1451和第二显示单元1452中的每一者均可以包括根据本实施方式的发光元件。第一显示单元1451和第二显示单元1452也可以是一个无缝显示装置。第一显示单元1451和第二显示单元1452可以通过弯曲点来划分。第一显示单元1451和第二显示单元1452可以显示不同的图像，也可以一起显示一个图像。

图15A是示出根据本实施方式的照明装置的示例的示意图。照明装置1500可以包括壳体1501、光源1502、回路板1503、光学膜1504和光扩散单元1505。光源可以包括根据本实施方式的有机发光元件。光学膜可以是改善光源的显色性的滤色器。在执行照明等时，光扩散单元可以通过有效地扩散光而将光源的光投射到宽广的范围内。光学膜和光扩散单元可以设置在照明光出射侧。根据需要，照明装置还可以在最外部包括盖。

照明装置例如是用于室内照明的装置。照明装置可以发出白光、昼白光或者从蓝色到红色的别的颜色的光。照明装置可以包括用于控制这些光成分的光控制回路。照明装置可以包括根据本发明的有机发光元件和连接到有机发光元件的电源回路。电源回路是用于将AC电压转换成DC电压的回路。白色的色温为4200K，而昼白色的色温为5000K。照明装置还可以包括滤色器。

另外，根据本实施方式的照明装置可以包括散热单元。散热单元将装置内部的热量散发到装置外部，散热单元的示例是液态硅以及具有较高比热的金属。

图15B是作为根据本实施方式的移动体的示例的汽车的示意图。汽车具有作为照明器具的示例的尾灯。汽车1550具有尾灯1551，并且可以具有在执行制动操作等时点亮尾灯的形式。

尾灯1551可以包括根据本实施方式的有机发光元件。尾灯可以包括用于保护有机EL元件的保护构件。保护构件的材料不受限制，只要材料是具有一定强度的透明材料即可，并且可以由聚碳酸酯等制成。可以在聚碳酸酯中混合呋喃二羧酸衍生物、丙烯腈衍生物等。

汽车1550可以包括车体1553和附接到车体1553的车窗1552。该车窗可以是透明显示器，只要其不是用于检查汽车前后的车窗即可。该透明显示器可以包括根据本实施方式的有机发光元件。在这种情况下，有机发光元件的电极等的构成材料由透明构件形成。

根据本实施方式的移动体可以是船、飞机、无人机等。移动体可以包括主体和设置在主体上的照明器具。照明器具可以发出用于通知主体位置的光。照明器具包括根据本实施方式的有机发光元件。

将参考图16A和图16B说明根据上述各实施方式的显示装置的应用示例。显示装置可以应用于可以作为诸如智能眼镜、HMD或智能隐形眼镜等的可穿戴装置而穿戴的系统。在这种应用示例中使用的摄像显示装置包括能够对可见光进行光电转换的摄像装置和能够发出可见光的显示装置。

将参考图16A说明根据一个应用示例的眼镜1600(智能眼镜)。在眼镜1600的透镜1601的表面侧设置诸如CMOS传感器或SPAD等的摄像装置1602。另外，上述各实施方式的显示装置设置在透镜1601的后表面侧。

眼镜1600还包括控制装置1603。控制装置1603发挥为摄像装置1602和根据各实施方式的显示装置供应电力的电源的作用。另外，控制装置1603控制摄像装置1602和显示装置的操作。在透镜1601上形成构造为将光汇集到摄像装置1602的光学系统。

将参考图16B说明根据一个应用示例的眼镜1650(智能眼镜)。眼镜1650包括控制装置1652，对应于摄像装置1602的摄像装置和显示装置安装在控制装置1652上。控制装置1652中的摄像装置和构造为对显示装置发出的光进行投影的光学系统形成在透镜1651中，并且图像被投影到透镜1651。控制装置1652发挥为摄像装置和显示装置提供电力的电源的作用，并且控制摄像装置和显示装置的操作。控制装置可以包括视线检测单元，视线检测单元检测佩戴者的视线。可以使用红外线来完成视线检测。红外线发光单元向注视所显示的图像的用户的眼球发出红外线。包括光接收元件的摄像单元检测所发出的红外线从眼球反射的反射光，从而获得眼球的拍摄图像。设置减光单元，用于在平面图中减少从红外线发光单元到显示单元的光，从而降低图像品质的劣化。

从通过拍摄红外线获得的眼球的拍摄图像来检测用户对所显示的图像的视线。可以将任意已知的方法应用于使用眼球的拍摄图像的视线检测。作为示例，可以使用基于通过角膜反射照射光获得的Purkinje图像的视线检测方法。

更具体地，基于瞳孔中心角膜反射执行视线检测处理。使用瞳孔中心角膜反射，基于眼球的拍摄图像中所包括的瞳孔图像和Purkinje图像来计算代表眼球方向(旋转角度)的视线矢量，从而检测用户的视线。

根据本发明的实施方式的显示装置可以包括摄像装置，该摄像装置包括光接收元件，并且可以基于来自摄像装置的用户的视线信息来控制显示装置上所显示的图像。

更具体地，显示装置基于视线信息来确定用户正在注视的第一视野区域和除了第一视野区域之外的第二视野区域。第一视野区域和第二视野区域可以由显示装置的控制装置确定，或者可以接收由外部控制装置确定的第一视野区域和第二视野区域。在显示装置的显示区域中，第一视野区域的显示分辨率可以被控制为高于第二视野区域的显示分辨率。即，第二视野区域的分辨率可以低于第一视野区域的分辨率。

另外，显示区域包括第一显示区域和不同于第一显示区域的第二显示区域，并且基于视线信息从第一显示区域和第二显示区域中确定较高优先级区域。第一显示区域和第二显示区域可以由显示装置的控制装置确定，或者可以接收由外部控制装置确定的第一显示区域和第二显示区域。较高优先级区域的分辨率可以被控制为高于较高优先级区域以外的区域的分辨率。即，优先级相对较低的区域的分辨率可以较低。

注意，可以使用AI确定第一视野区域或较高优先级区域。AI可以是构造为执行如下功能的模型：使用眼球的图像和该图像中眼球的实际观察方向作为监督数据来推定视线角度和视线前方目标距眼球图像的距离。AI程序可以由显示装置、摄像装置或外部装置持有。如果外部装置持有AI程序，则经由通信将其输送到显示装置。

当基于视线检测执行显示控制时，可以应用还包括构造成拍摄外部的摄像装置的智能眼镜。智能眼镜可以实时显示拍摄的外部信息。

虽然已经参考示例性实施方式说明了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施方式。以下权利要求的范围应给予最广泛的解释，以便涵盖所有此类变型例和等价结构和功能。

Claims (18)

1.一种发光装置，其包括：

多个第一电极；

有机层，其定位在所述多个第一电极上方并且包括发光层；

第二电极，其定位在所述有机层上方；以及

绝缘层，其将所述多个第一电极彼此分开，

其特征在于，

所述多个第一电极中的每一者的上表面包括与所述有机层接触的内侧区域以及与所述绝缘层接触的外侧区域，并且

所述绝缘层包括：

开口，其限定所述内侧区域，以及

台阶，其定位在远离所述开口并且与所述外侧区域重叠的位置处。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述绝缘层包括定位在远离所述开口并且与所述外侧区域重叠的位置处的槽，并且

所述绝缘层的台阶由所述绝缘层的槽形成。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

在关于所述内侧区域的平面图中，所述槽完全包围所述内侧区域。

4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

所述绝缘层具有包括第一绝缘层和第二绝缘层的堆叠结构，所述第二绝缘层定位在所述第一绝缘层上方并且由与所述第一绝缘层的材料不同的材料形成，并且

所述槽延伸穿过所述第二绝缘层并且到达所述第一绝缘层。

5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

所述槽的深度不小于所述槽的宽度的0.3倍且不大于所述槽的宽度的20倍。

6.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

所述有机层还包括在所述发光层与所述多个第一电极之间的空穴注入层、空穴输送层和电荷生成层中的一者，并且

所述绝缘层的槽的底部与所述发光层之间的距离小于所述绝缘层的槽的附近与所述发光层之间的距离。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述绝缘层包括定位在远离所述开口并且与所述外侧区域重叠的位置处的凸部，并且

所述绝缘层的台阶由所述绝缘层的凸部形成。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述第一电极具有透光性，

所述发光装置还包括在所述多个第一电极中的每一者下方的反射层，并且

在关于所述内侧区域的平面图中，所述绝缘层的台阶定位在所述第一电极接合到所述反射层的部分与所述内侧区域之间。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括

接触插塞，所述接触插塞连接到所述第一电极，

其中在关于所述内侧区域的平面图中，所述绝缘层的台阶定位在所述接触插塞与所述内侧区域之间。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括

在所述第二电极上方的微透镜，

其中所述绝缘层的台阶定位在与所述微透镜重叠的位置处。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述内侧区域的面积小于所述外侧区域的面积。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述有机层还包括在所述发光层与所述多个第一电极之间的空穴注入层、空穴输送层和电荷生成层中的一者。

13.一种显示装置，其包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置和连接到所述发光装置的有源元件。

14.一种光电转换装置，其包括光学单元、图像传感器和显示单元，所述光学单元包括多个透镜，所述图像传感器构造成接收已经穿过所述光学单元的光，所述显示单元构造成显示图像，

其中，所述显示单元显示由所述图像传感器拍摄的图像，并且包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置。

15.一种电子设备，其包括壳体和通信单元，所述壳体设置有显示单元，所述通信单元设置在所述壳体中并且构造成与外部设备通信，

其中，所述显示单元包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置。

16.一种照明装置，其包括光扩散单元和光学膜中的至少一者和光源，

其中，所述光源包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置。

17.一种移动体，其包括主体和设置在所述主体中的照明器具，

其中，所述照明器具包括根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置。

18.一种制造发光装置的方法，所述方法包括

在多个第一电极上形成绝缘层；

在所述绝缘层中与所述多个第一电极中的每一者的外侧区域重叠的位置处形成台阶；

在所述绝缘层中与所述多个第一电极中的每一者的内侧区域重叠的位置处形成开口；

在已经形成所述台阶和所述开口的所述绝缘层上形成包括发光层的有机层；以及

在所述有机层上形成第二电极。