CN113451525A - 电子器件、其制造方法、电子设备和移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子器件、其制造方法、电子设备和移动体。电子器件包括下部电极、覆盖各下部电极的端部的绝缘层、覆盖绝缘层和各下部电极的上表面的电极区域的有机化合物层、和覆盖有机化合物层的上部电极。上表面的电极区域位于端部的内侧。有机化合物层包括包含第一有机材料和具有比第一有机材料低的空穴迁移率的第二有机材料的混合层。绝缘层包括相对于下部电极的上表面倾斜的倾斜面。第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率在混合层的倾斜面上的第二部分中比在混合层的电极区域上的第一部分中高。

Description

电子器件、其制造方法、电子设备和移动体
技术领域
本发明涉及电子器件、其制造方法、电子设备和移动体。
背景技术
作为使用有机层的电子器件,提出包括发光元件或光电转换元件的电子器件。发光元件为其中有机层配置在上部电极与下部电极之间的元件,并且通过激发有机层中包含的有机化合物来发光。近年来,各自包括有机发光元件的设备受到关注。在包括有机发光元件的半导体设备中,多个发光元件可以共用共同的有机层。在该构成中,可以在相邻的发光元件之间经由有机层产生漏电流。相邻的发光元件之间的漏电流会引起发光元件的意外发光。例如,如果将电子器件应用于显示装置,则意外发光使表示显示装置的表现性能的色域变窄。此外,即使在单个发光元件中,如果期望引起连续有机层的部分范围发光,则漏电流也引起意外发光。另一方面,有机层越薄,相邻的发光元件之间的漏电流倾向于越小。然而,有机层越薄,越可能产生上部电极与下部电极之间的漏电流。
日本专利特开No.2014-123528(下文中,PTL 1)记载了抑制有机发光元件的发光元件之间的漏电流的发光设备。PTL 1中的发光设备包括第一下部电极和第二下部电极、在第一下部电极与第二下部电极之间形成的分隔壁、配置在第一下部电极和第二下部电极上的上部电极、和各自配置在第一下部电极和第二下部电极与上部电极之间的高导电性层和发光层。高导电性层具有高于发光层但是低于第一下部电极、第二下部电极和上部电极中的每一者的导电性。分隔壁包括位于第一下部电极侧的第一斜面和位于第二下部电极侧的第二斜面。关于夹持在第一下部电极、分隔壁和第二下部电极与上部电极之间的高导电性层和发光层的总膜厚度,沿垂直于第一斜面的方向的总膜厚度与沿垂直于第二斜面的方向的总膜厚度不同。即,使沿垂直于第一斜面的方向的总膜厚度和沿垂直于第二斜面的方向的总膜厚度中的一者小于另一者。
在PTL 1中记载的发光设备中,通过降低沿垂直于斜面的方向的总膜厚度,使斜面中的上部电极与下部电极之间的电阻减小,并且这会增大上部电极与下部电极之间的漏电流。
发明内容
本发明的目的在于提供在包括多个下部电极的电子器件中在抑制上部电极与下部电极之间的漏电流和抑制相邻的发光元件之间的漏电流方面有利的技术。
本发明的第一方面提供一种电子器件,其包括多个下部电极、覆盖多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层、覆盖绝缘层和多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层、和覆盖有机化合物层的上部电极,所述上表面的电极区域位于端部的内侧,其中有机化合物层包括混合层,并且混合层包含第一有机材料和具有低于第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料,绝缘层包括相对于下部电极的上表面倾斜的倾斜面,并且第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率在混合层的倾斜面上的第二部分中比在混合层的电极区域上的第一部分中高。
本发明的第二方面提供一种电子设备,其包括:构成为拍摄被摄体的摄像单元;和构成为基于来自摄像单元的数据来显示图像的如本发明的第一方面限定的电子器件。
本发明的第三方面提供一种移动体,其包括:构成为拍摄被摄体的摄像单元;和构成为基于来自摄像单元的数据来显示图像的如本发明的第一方面限定的电子器件。
本发明的第四方面提供一种电子器件,其包括多个下部电极、覆盖多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层、覆盖绝缘层和多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层、和覆盖有机化合物层的上部电极,所述电极区域位于端部的内侧,其中有机化合物层包括由第一有机材料形成的第一有机材料层和由具有低于第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料形成的第二有机材料层,绝缘层包括相对于下部电极的上表面倾斜的倾斜面,并且第二有机材料层的膜厚度与第一有机材料层的膜厚度的比率在倾斜面上的第二部分中比在电极区域上的第一部分中高。
本发明的第五方面提供一种电子设备,其包括:构成为拍摄被摄体的摄像单元;和构成为基于来自摄像单元的数据来显示图像的如本发明的第四方面限定的电子器件。
本发明的第六方面提供一种移动体,其包括:构成为拍摄被摄体的摄像单元;和构成为基于来自摄像单元的数据来显示图像的如本发明的第四方面限定的电子器件。
本发明的第七方面提供一种电子器件的制造方法,所述方法包括:制备包括配置在基板上的多个下部电极和覆盖多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层的结构体,和形成覆盖绝缘层和多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层,所述电极区域位于端部的内侧,其中有机化合物层包括混合层,并且混合层包含第一有机材料和具有低于第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料,绝缘层包括相对于下部电极的上表面倾斜的倾斜面,并且在形成中,形成混合层以使第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率在混合层的倾斜面上的第二部分中比在混合层的电极区域上的第一部分中高。
附图说明
图1为示意性地示出根据第一实施方案的发光器件的构成的截面图;
图2为示意性地示出图1中示出的发光器件的一部分的构成的平面图;
图3为示意性地示出根据第一实施方案的发光器件的一部分的构成的截面图;
图4为示意性地示出蒸镀设备的构成的图;
图5A和图5B为用于说明根据第一实施方案的电子器件的制造方法的图;
图6为示出由化合物1和化合物2形成的混合层中的空穴迁移率的测量结果的图;
图7为示出通过混合具有不同的电子亲和力的掺杂剂来获得的混合膜中的电子迁移率的测量结果的图;
图8为示意性地示出根据第二实施方案的发光器件的一部分的构成的截面图;
图9为示出根据实施方案的显示设备的实例的示意性截面图;
图10为示出根据实施方案的显示设备的实例的示意图;
图11A为示出摄像设备的实例的示意图;
图11B为示出根据实施方案的电子设备的实例的示意图;
图12A为示出根据实施方案的显示设备的另一实例的示意图;
图12B为示出可折叠显示设备的实例的示意图;
图13A为示出根据实施方案的照明设备的实例的示意图;
图13B为示出根据实施方案的包括车辆用灯具的汽车的实例的示意图;
图14A和图14B为各自示出根据实施方案的电子设备的图。
具体实施方式
下文中,将参考附图详细地描述实施方案。注意,以下实施方案不旨在限制请求保护的发明的范围。实施方案中记载了多个特征,但是不限定要求所有此类特征的发明,并且多个此类特征可以适当地组合。此外,在附图中,对相同或相似的构成给予相同的附图标记,并且省略重复的说明。
根据实施方案的电子器件具体为例如有机发光器件,并且,在该情况下,有机层可以包括例如发光层。可选地,根据实施方案的电子器件具体为光电转换设备,并且,在该情况下,有机层可以包括例如光电转换层。
(第一实施方案)
根据第一实施方案的电子器件形成为发光器件。图1为根据第一实施方案的发光器件100的一部分的示意性截面图。图2为发光器件100的一部分的上部鸟瞰图。图3为图1中的虚线部B的放大图。沿着图2中的线A-A'截取的截面对应于图1。
在本实施方案中,将示出其中三个元件10形成一个像素(主像素)的实例。三角形排列的像素的实例将在本实施方案中示出,但是本发明不限于此,并且可以使用另一排列例如条形排列或正方形排列等。
发光器件100包括具有由绝缘体形成的表面的元件基板1和配置在元件基板1上的多个发光元件10。图1示出发光器件100中包括的多个发光元件10中的三个发光元件10R、10G和10B。附图标记10R的"R"表示元件发出红光。类似地,附图标记10G的"G"表示元件发出绿光,并且附图标记10B的"B"表示元件发出蓝光。在本说明书中,在指多个发光元件10中的特定的发光元件时,在附图标记后添加后缀,例如发光元件"10R"。在指任意发光元件时,其简单地表示为发光元件"10"。这也适用于其它组件。
发光器件100可以包括配置在元件基板1(绝缘体)上的多个下部电极2、和配置在元件基板1上以覆盖多个下部电极2中的每一个的端部EP的绝缘层3。发光器件100可以进一步包括覆盖绝缘层3和多个下部电极2中的每一者的上表面的电极区域RE的有机化合物层4、和覆盖有机化合物层4的上部电极5,电极区域RE位于端部EP的内侧。对于各发光元件,借助绝缘层3使下部电极2彼此分离。
发光器件100可以形成为从上部电极5提取光的顶部发光型器件,但是本发明不限于此。除了上述组件,发光器件100还可以包括配置为覆盖上部电极5的保护层6、和配置在保护层6上以分别对应多个发光元件10的多个滤色器7。发光器件100可以进一步在保护层6与滤色器7之间包括平坦化层8,从而在可以存在于保护层6的上表面的凹凸上形成平坦的表面。平坦化层8可以由有机化合物形成。有机化合物可以为低分子物质或高分子物质,但是优选为高分子物质。平坦化层8可以设置在滤色器7的上方和下方,并且可以将相同或不同的构成材料用于它们。可以由聚乙烯基咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、有机硅树脂、和脲树脂等形成平坦化层8。
在本说明书中,"上"和"下"分别指图1中的上和下。在元件基板1的两个主面中,其上配置有下部电极2等的表面称为元件基板1的上表面。下部电极2的在元件基板1侧的表面称为下部电极2的下表面。这里,下部电极2的下表面可以为与由绝缘体形成并且形成元件基板1的最上表面的表面(例如,层间绝缘层的上表面)接触的表面。因此,例如,如果将用于连接至另一配线的插头等连接至下部电极2的下表面,则除了具有插头等的部分以外的几乎为平面的部分可以为下部电极2的下表面。
虽然未在图1中示出,元件基板1可以包括具有连接至下部电极2的晶体管的驱动电路、配线、插头和层间绝缘层,并且最上表面(与下部电极2接触的表面)可以由层间绝缘层形成。例如,层间绝缘层可以由例如硅氧化物或硅氮化物等无机物形成,或者可以由例如聚酰亚胺或聚丙烯酸类(polyacryl)等有机物形成。由于水分会使有机化合物层劣化,因此,从抑制水分侵入的观点,层间绝缘层优选由无机材料形成。由于使用层间绝缘层来减少其上形成有下部电极2的表面中的凹凸,因此层间绝缘层有时称为平坦化层。
对于下部电极2,可以使用对有机化合物层4的发光波长的反射率为80%以上的金属材料。可以由例如,如Al或Ag等金属或者通过向金属中添加Si、Cu、Ni或Nd等来获得的合金形成下部电极2。这里,发光波长是指从有机化合物层4发出的光的光谱范围。如果下部电极2对有机化合物层4的发光波长的反射率高,则下部电极2可以具有包括阻挡层的层叠结构。作为阻挡层的材料,可以使用例如Ti、W、Mo或Au等金属或其合金。阻挡层可以为配置在下部电极2的上表面UF上的金属层。
绝缘层3可以配置在下部电极2与有机化合物层4之间、同时还覆盖下部电极2的端部EP。下部电极2的端部EP可以包括下部电极2的上表面UF的周边部和下部电极2的侧面。下部电极2的端部EP可以被绝缘层3覆盖。下部电极2的电极区域RE未被绝缘层3覆盖但是可以被有机化合物层4覆盖。电极区域RE可以为电荷注入至有机化合物层4中的区域。下部电极2的电极区域RE可以与有机化合物层4(空穴输送层41)接触。在对下部电极2的下表面的正投影(平面视图)中,电极区域RE可以与绝缘层3的开口重叠。在该平面视图中,电极区域RE可以为发光元件10的发光区域。即,电极区域RE的从上方俯瞰的形状可以由绝缘层3的开口来限定。绝缘层3仅需要具有使各发光元件10的下部电极2彼此分离的功能和限定发光区域(电极区域)的功能,并且其形状不限于如图1中所示的形状。
绝缘层3可以包括相对于下部电极2的上表面UF各自倾斜的倾斜面31。可以使倾斜面31倾斜以降低朝向下部电极2的上表面UF的高度。倾斜面31可以包括平面部分,或者可以仅由曲面形成。可以设置倾斜面31的角度、级数和高度等的任何细节,只要它们给出不丧失作为发光器件的功能的形状即可。绝缘层3可以进一步包括在电极区域RE上方的平坦部421。
绝缘层3可以通过例如,如化学蒸镀法(CVD法)或物理蒸镀法(PVD法)等蒸镀法来形成。绝缘层3可以由例如硅氮化物(SiN)、硅氧氮化物(SiON)或硅氧化物(SiO)等形成。可选地,绝缘层3可以为由上述物质制成的膜形成的层叠膜。绝缘层3的倾斜面31的倾斜角可以通过各向异性蚀刻或各向同性蚀刻的条件来控制。可以通过例如绝缘层3的上表面的最高高度和最低高度的平均高度来评价倾斜面31的倾斜角。可以使用例如下部电极2的下表面或上表面作为基准来评价最高高度和最低高度。
可以通过例如控制绝缘层3正下方的层的倾斜角来控制倾斜面31的倾斜角。例如,通过在形成元件基板1的最上表面的层间绝缘层中形成包括倾斜的侧面的凹部和控制侧面的倾斜角度,可以控制绝缘层3的倾斜面31的倾斜角。绝缘层3可以具有通过例如蚀刻等加工或层堆叠产生的在上表面中的凹凸。
有机化合物层4可以配置在上部电极5下方以覆盖多个下部电极2中的每一者的上表面UF的电极区域RE和绝缘层3。有机化合物层4可以由多个下部电极2共有,并且,从另一观点,由多个元件10共有。例如,有机化合物层4可以由形成发光器件100的所有元件10共有。换言之,可以在发光器件100的显示区域的整个区域上配置有机化合物层4。
在一实例中,有机化合物层4可以包括空穴输送层41、混合层42和电子输送层43。可以从发光效率、驱动寿命和光学干涉等的观点选择形成有机化合物层4的各层的材料。空穴输送层41可以起到电子阻挡层或空穴注入层的作用,或者可以具有由例如空穴注入层、空穴输送层和电子阻挡层等多个层形成的层叠结构。混合层42可以起到发光层的作用。混合层42可以具有由发出不同颜色的光的多个层形成的层叠结构,或者可以为其中混合有发出不同颜色的光的发光掺杂剂的层。电子输送层43可以起到空穴阻挡层或电子注入层的作用,或者可以具有由例如电子注入层、电子输送层和空穴阻挡层等多个层形成的层叠结构。空穴输送层41和/或电子输送层43可以包括其中混合有多种有机材料的混合层。
混合层42可以包括多个发光层和配置在多个发光层之间的中间层,并且具有其中中间层为电荷产生层的串联结构。串联结构可以在电荷产生层与发光层之间包括例如空穴输送层或电子输送层等电荷输送层。电荷产生层可以为包含给电子性材料和电子接受性材料并且产生电荷的层。给电子性材料为给予电子的材料,并且电子接受性材料为接受电子的材料。由此,在电荷产生层中产生正电荷和负电荷,从而可以将正电荷或负电荷供给至电荷产生层上方或下方的各层。给电子性材料可以为例如,如锂或铯等碱金属。此外,给电子性材料可以为例如氟化锂、锂配合物、碳酸铯或铯配合物。在该情况下,可以通过与例如铝、镁或钙等还原性材料一起包含来显示给电子性。电子接受性材料可以为例如,如氧化钼等无机物,或者如[二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈]等有机物。在混合层42中,电子接受性材料和给电子性材料可以是混合的或层叠的。
可以在有机化合物层4上配置上部电极5。上部电极5在多个发光元件10上连续地形成,并且可以由多个发光元件10共有。与有机化合物层4类似地,可以在发光器件100的显示区域的整个区域上配置上部电极5。上部电极5可以为使到达上部电极5的下表面的光的至少一部分透过的电极。上部电极5可以起到使一部分光透过并且反射另一部分光的半透过反射层(即,具有半透过反射性的层)的作用。上部电极5可以由例如,如镁或银等金属、包含镁或银作为主要组分的合金、或者包含碱金属或碱土类金属的合金材料形成。可以使用氧化物导电体等作为上部电极5。上部电极5可以具有层叠结构,只要其具有适当的透过率即可。
保护层6可以由例如对来自外部的氧和水分具有低透过性的材料(例如硅氮化物、硅氧氮化物、铝氧化物、硅氧化物和钛氧化物)形成。可以使用例如CVD法来形成硅氮化物和硅氧氮化物。另一方面,可以使用原子层沉积法(ALD法)来形成铝氧化物、硅氧化物和钛氧化物。
保护层6的构成材料和制造方法不限于以上示例的那些,并且可以考虑要形成的层的厚度和形成层所需的时间来确定。保护层6可以具有单层结构或层叠结构,只要其使透过上部电极5的光透过并且具有足够的水分遮断性能即可。可以在保护层6上配置滤色器7。与图1中示出的滤色器7R和滤色器7G一样,彼此相邻的滤色器7可以彼此接触而没有间隙。此外,可以配置不同颜色的滤色器以使其彼此重叠。
如图3中示例的,可以配置绝缘层3以使其一部分在下部电极2的端部EP上延伸,并且这可以在绝缘层3中形成向上(沿远离下部电极2的下表面的方向)突出的突出部PP。突出部PP可以包括相对于下部电极2的电极区域RE倾斜的倾斜面31。可以使倾斜面31倾斜以降低朝向下部电极2的上表面UF的高度。由于存在这样的倾斜面31或突出部PP,覆盖电极区域RE和绝缘层3的有机化合物层4可以包括位于电极区域RE上的平坦部(第一部分)421和位于倾斜面31上的倾斜部(第二部分)422。
混合层42可以包含第一有机材料和具有比第一有机材料低的空穴迁移率的第二有机材料。混合层42可以为通过将第一有机材料和第二有机材料混合而获得的层。混合层42可以包含与第一有机材料和第二有机材料不同的一种或多种有机材料。第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率优选在混合层42的倾斜面31上的倾斜部(第二部分)422中比在混合层42的电极区域RE上的平坦部(第一部分)421中高。在以下描述中将其称为重量比条件。注意,只要满足重量比条件,则在倾斜部中,第二有机材料的重量可以大于第一有机材料的重量。
因此,在混合层42的倾斜部(第二部分)422中,空穴经由混合层42的移动受到抑制。结果,在下部电极2R与下部电极2G之间、在下部电极2R与下部电极2B之间和在下部电极2B与下部电极2G之间,空穴经由有机化合物层4的移动受到抑制。即,相邻的发光元件10之间的漏电流受到抑制。因此,不需要降低有机化合物层4的覆盖绝缘层3(倾斜面31)的倾斜部422的厚度来抑制相邻的发光元件10之间的漏电流。这遏制了降低有机化合物层4的覆盖绝缘层3(倾斜面31)的倾斜部422的厚度的缺点,即,抑制由于上部电极5与下部电极2之间的电阻减小而倾向于发生的上部电极5与下部电极2之间的漏电流。另一方面,在电极区域RE(发光区域)上的平坦部(第一部分)421中,空穴在下部电极2与上部电极5之间的移动变得容易。因此,可以降低要施加在下部电极2与上部电极5之间以引起发光元件10发光的电压。
可以将如上所述的混合层42应用于空穴输送层41。由于空穴输送层41负责将空穴注入至发光层中,因此,在有机化合物层4中,空穴输送层41的空穴迁移率通常较高。然而,根据本实施方案中的混合层42可知,空穴在倾斜部(第二部分)422中的移动受到抑制。因此,在形成空穴输送层的混合层42的倾斜部(第二部分)422中,空穴经由混合层42的移动受到抑制。结果,在下部电极2R与下部电极2G之间、在下部电极2R与下部电极2B之间和在下部电极2B与下部电极2G之间,空穴经由有机化合物层4的移动受到抑制。即,相邻的发光元件10之间的漏电流受到抑制。
混合层42可以为例如通过共蒸镀或气相共沉积(vapor phase co-deposition)形成的共蒸镀层。例如,通过使用如图4中示例的蒸镀设备,可以使用空穴迁移率彼此不同的两种有机材料来进行共蒸镀。图4中示例的蒸镀设备可以在腔室中包括供给第一有机材料的第一蒸镀源201和供给第二有机材料的第二蒸镀源202。这里,对于配置在基板203上的发光元件204,将考虑用于满足重量比条件的制造条件。h1为供给第一有机材料的第一蒸镀源201与配置在基板203上的发光元件204之间的垂直距离,并且h2为供给第二有机材料的第二蒸镀源202与配置在基板203上的发光元件204之间的垂直距离。在该情况下,如果满足h1>h2,则可以满足重量比条件。将参考图5对此进行说明。
这里,假定当用于蒸镀的有机材料分子垂直地入射在蒸镀对象面上时形成最厚的膜。在图5中,上下关系与图1中的上下关系相反。如果配置在基板203上的发光元件204与蒸镀源之间的垂直距离大,则如图5A中所示,有机材料分子相对于绝缘层3的倾斜面31的入射角θ3a减小,并且在绝缘层3的倾斜面31上形成薄的有机化合物膜。这里,入射角为由有机材料分子入射的表面与有机材料分子飞来的方向形成的角度。如果配置在基板203上的发光元件204与蒸镀源之间的垂直距离大,则有机材料分子相对于电极区域RE的入射角θ2a变得接近直角,并且在电极区域RE上形成厚的有机化合物膜。
另一方面,如果配置在基板203上的发光元件204与蒸镀源之间的垂直距离小,则如图5B中所示,有机材料分子相对于绝缘层3的倾斜面31的入射角θ3b变得接近直角,并且在绝缘层3的倾斜面31上形成厚的有机化合物膜。此外,如果配置在基板203上的发光元件204与蒸镀源之间的垂直距离小,则使有机材料分子相对于电极区域RE的入射角θ2b减小,并且在电极区域RE上形成薄的有机化合物膜。
因此,通过使用满足h1>h2的蒸镀设备,可以制造满足重量比条件的发光器件。为了支持这一点,使用蒸镀法来进行蒸镀模拟。在图4中,作为实例,设定R1=210mm、R2=210mm、r=16mm、h1=510mm和h2=100mm,并且将由倾斜面31与下部电极2形成的角设定为50°。
通过蒸镀模拟,在混合层42的电极区域RE上的平坦部(第一部分)421中,第一有机材料的重量与第二有机材料的重量的比率为2:1。此外,通过蒸镀模拟,在混合层42的倾斜面31上的倾斜部(第二部分)422中,第一有机材料的重量与第二有机材料的重量的比率为11:9。因此,确认到第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率在混合层42的倾斜面31上的倾斜部(第二部分)422中(=9/11)比在混合层42的电极区域RE上的平坦部(第一部分)421中(=1/2)高。这里,对于平坦部(第一部分)421,评价平面视图中每单位面积的电极区域RE的第一有机材料的重量与第二有机材料的重量的比率。对于倾斜部(第二部分)422,评价平面视图中每单位面积的倾斜面31的第一有机材料的重量与第二有机材料的重量的比率。
在满足h1>h2的情况下,优选供给第二有机材料的第二蒸镀源202不位于供给第一有机材料的第一蒸镀源201的正上方。这是因为,如果第二蒸镀源202存在于第一蒸镀源201的正上方,则第二蒸镀源202妨碍来自第一蒸镀源201的有机材料分子,而使有机材料会难以蒸镀在发光元件204上。
此外,在满足h1>h2的情况下,优选供给第一有机材料的第一蒸镀源201与基板203的中心之间的水平距离R1与供给第二有机材料的第二蒸镀源202与基板203的中心之间的水平距离R2不同。通过适当地选择各蒸镀源与基板之间的水平距离并且例如配置第一蒸镀源201以将有机材料分子相对于绝缘层3的倾斜面31的入射角θ设定为较小,使形成在绝缘层3的倾斜面31上的有机化合物层的厚度降低。此外,通过配置第二蒸镀源202以将有机材料分子相对于绝缘层3的倾斜面31的入射角θ设定为接近直角,使形成在绝缘层3的倾斜面31上的有机化合物层的厚度增加。因此,与混合层42的电极区域RE上的平坦部421相比,第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率可以在混合层42的倾斜面31上的倾斜部422中足够高。
只要可以形成混合层42以满足重量比条件,则要使用的蒸镀设备可以不是图4中示例的蒸镀设备。
根据本实施方案的发光器件100(电子器件)的制造方法可以包括使用图4中示例的蒸镀设备形成混合层42的步骤。在另一方面,发光器件100的混合层42可以使用图4中示例的蒸镀设备来形成。发光器件100的制造方法可以包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中,制备包括配置在基板1上的多个下部电极2和覆盖多个下部电极2中的每一者的端部EP的绝缘层3的结构体。在第二步骤中,形成覆盖绝缘层3和多个下部电极2中的每一者的上表面的电极区域RE的有机化合物层,电极区域RE位于端部EP的内侧。在第二步骤中,首先,可以将在第一步骤中制备的结构体配置在图4中示例的蒸镀设备的腔室中。在第二步骤中,随后,可以使用第一蒸镀源201和第二蒸镀源202通过共蒸镀来形成混合层42。
在混合层42的倾斜部422中,优选第二有机材料的HOMO(最高占据分子轨道)能级低于第一有机材料的HOMO能级。在该情况下,由于在混合层42的倾斜部422中获得捕获电荷的效果并且空穴在倾斜部422中的移动受到限制,因此改善抑制相邻的发光元件之间的漏电流的效果。
倾斜部422中的第一有机材料的质量百分比浓度优选为1%以上且30%以下。图6示出通过借助TOF(飞行时间)法测量由下述化合物1和化合物2形成的混合层中的空穴迁移率而获得的结果。
化合物1
Figure BDA0002994151450000141
化合物2
Figure BDA0002994151450000151
使用TOF测量装置(由Optel cooperation制造的TOF-301)来进行测量。使用测量用样品,其各自通过借助真空蒸镀法形成膜厚度为2μm至4μm的由化合物1和化合物2形成的混合薄膜并且在薄膜上蒸镀铝作为对电极来获得。横轴表示混合层中化合物2的质量百分比浓度,并且纵轴表示在36kV/cm的电场强度下的空穴迁移率。化合物1和化合物2的电离电势分别为5.70eV和5.49eV。可以看出在其中化合物2以1wt%至30wt%混合的情况下的空穴迁移率低于仅包含化合物1的薄膜的空穴迁移率。此外,可以看出在其中化合物2以10wt%混合的情况下,空穴迁移率是最低的并且化合物2捕获电荷的效果强。因此,在混合层42的倾斜部422中,如果第一有机材料的质量百分比浓度落在1wt%与30wt%之间的范围内,则如图6中所示,空穴迁移率低于其中单独使用第一有机材料的情况。此外,如果第一有机材料的质量百分比浓度落在1wt%与30wt%之间的范围内,则捕获电荷的效果大,以使空穴难以在倾斜部422中移动。因此,可以获得大的抑制相邻的发光元件之间的漏电流的效果。
在混合层42的倾斜部422中,优选第一有机材料的HOMO能级与第二有机材料的HOMO能级之差满足下述关系。即,优选第一有机材料的HOMO能级高于第二有机材料的HOMO能级,并且第一有机材料的HOMO能级与第二有机材料的HOMO能级之差等于或大于0.15eV。
第一有机材料的HOMO能级–第二有机材料的HOMO能级≥0.15eV
图7示出通过借助TOF法测量样品并且测量其电荷迁移率获得的结果。通过将具有不同的电子亲和力的分别用作掺杂剂的各种材料以10wt%的浓度与用作主体的上述化合物1混合来获得所述样品。横轴表示掺杂剂的电子亲和力(EAD)与化合物1的电子亲和力(EAH)之差(EAD-EAH),并且纵轴表示在36kV/cm的电场强度下的电荷迁移率。注意,在图7中,在EAD–EAH=0处的标绘点表示主体的电荷迁移率。如果电子亲和力之差等于或大于0.15eV,则可以看出电荷迁移率显著降低(至1/5以下)并且捕获电荷的效果起作用。因此,如果第一有机材料的HOMO能级与第二有机材料的HOMO能级之差等于或大于0.15eV,则电荷迁移率降低并且捕获电荷的效果变大。因此,变得使空穴难以在混合层42的倾斜部422中移动,并且可以获得更大的抑制相邻的发光元件之间的漏电流的效果。
(第二实施方案)
以下将描述第二实施方案。未作为第二实施方案提及的事项可以遵循第一实施方案。在第二实施方案中,混合层ML可以包括由彼此不同的有机材料形成的两个有机材料层(第一有机材料层44和第二有机材料层45)。混合层ML可以满足上述重量比条件。以下将参考图8来描述第二实施方案。图8为图1中的虚线部B的放大图。
在图8中示出的实例中,有机化合物层4包括空穴输送层41、混合层ML和电子输送层43,并且混合层ML可以起到发光层的作用。在另一实例中,混合层ML可以形成空穴输送层41和/或电子输送层43。混合层ML可以包括由第一有机材料形成的第一有机材料层44和由具有比第一有机材料低的空穴迁移率的第二有机材料形成的第二有机材料层45。第一有机材料层44可以包括位于电极区域RE上的第一平坦部441和位于倾斜面31上的第一倾斜部442。第二有机材料层45可以包括位于电极区域RE上的第二平坦部451和位于倾斜面31上的第二倾斜部452。第一平坦部441和第二平坦部451可以形成平坦部(第一部分)461。第一倾斜部442和第二倾斜部452可以形成倾斜部(第二部分)462。
第二有机材料的重量与第一有机材料的重量的比率在混合层ML的倾斜面31上的倾斜部(第二部分)462中比在混合层ML的电极区域RE上的平坦部(第一部分)461中高。在一实例中,第一有机材料层44的第一平坦部441的厚度大于第一有机材料层44的第一倾斜部442的厚度,并且第二有机材料层45的第二平坦部451的厚度小于第二有机材料层45的第二倾斜部452的厚度。如果混合层ML满足第一实施方案中记载的重量比条件,则可以在第二实施方案中获得与第一实施方案类似的效果。
在另一方面,第二有机材料层45的膜厚度(t45)(未示出)与第一有机材料层44的膜厚度(t44)(未示出)的比率(t45/t44)在倾斜部462中比在平坦部461中高。在该情况下,也可以获得与第一实施方案类似的效果。
根据第二实施方案的发光器件100(电子器件)的制造方法可以包括使用图4中示例的蒸镀设备形成混合层ML的步骤。在另一方面,根据第二实施方案的发光器件100的混合层ML可以使用图4中示例的蒸镀设备来形成。根据第二实施方案的发光器件100的制造方法可以包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中,制备包括配置在基板1上的多个下部电极2和覆盖多个下部电极2中的每一者的端部EP的绝缘层3的结构体。在第二步骤中,形成覆盖绝缘层3和多个下部电极2中的每一者的上表面的电极区域RE的有机化合物层,电极区域RE位于端部EP的内侧。在第二步骤中,首先,将在第一步骤中制备的结构体配置在图4中示例的蒸镀设备的腔室中。在第二步骤中,随后,可以使用第一蒸镀源201和第二蒸镀源202中的第一蒸镀源201来形成第一有机材料层44,然后可以使用第一蒸镀源201和第二蒸镀源202中的第二蒸镀源202来形成第二有机材料层45。
(具体实例)
以下将描述根据第一和第二实施方案中的每一者的发光器件的组件的具体实例。
[发光元件]
发光元件10也可以理解为具有其中在最外表面上包括层间绝缘层的元件基板1上配置阳极、有机化合物层和阴极的构成。在一实例中,下部电极2可以为阳极,并且上部电极5可以为阴极。
[基板]
元件基板1可以包括例如石英、玻璃、硅晶片、树脂或金属等基板。元件基板1可以包括配置在基板上的例如晶体管等开关元件和配线、和配置在其上的层间绝缘层。层间绝缘层可以由任意材料制成,只要可以形成用于确保阳极(下部电极)与配线之间的导通的接触孔并且可以确保与未连接的配线绝缘即可。例如,可以使用例如聚酰亚胺、硅氧化物或硅氮化物等树脂。层间绝缘层可以由例如,如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiON)等无机材料、或者如丙烯酸类(acryl)或聚酰亚胺等有机材料形成。
[电极]
下部电极2和上部电极5形成一对电极。一对电极可以为阳极和阴极。当沿有机发光元件发光的方向施加电场时,具有高的电位的电极为阳极,并且另一者为阴极。也可以说将空穴供给至发光层的电极为阳极,并且供给电子的电极为阴极。
作为阳极的构成材料,具有尽可能大的功函数的材料是优选的。例如,可以使用如金、铂、银、铜、镍、钯、钴、硒、钒或钨等金属,包含它们中的一些的混合物,或者通过将它们中的一些组合而获得的合金。例如,还可以使用例如氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)或氧化锌铟等金属氧化物。此外,也可以使用例如聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩等导电性聚合物。可以单独使用这些电极物质中的一种,或者可以组合使用它们中的两种以上。阳极可以由单层或多个层形成。
当使用电极作为反射电极时,可以使用例如铬、铝、银、钛、钨、钼、其合金、或其层叠的层等。当使用电极作为透明电极时,可以使用由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌等制成的氧化物透明导电层,但是本发明不限于此。可以使用光刻技术来形成电极。
另一方面,作为阴极的构成材料,具有小的功函数的材料是优选的。该材料的实例包括例如锂等碱金属,例如钙等碱土类金属,例如铝、钛、锰、银、铅或铬等金属,和包含它们中的一些的混合物。可选地,也可以使用通过将这些金属组合而获得的合金。例如,可以使用镁-银合金、铝-锂合金、铝-镁合金、银-铜合金、或锌-银合金等。也可以使用例如氧化铟锡(ITO)等金属氧化物。可以单独使用这些电极物质中的一种,或者可以组合使用它们中的两种以上。阴极可以具有单层结构或多层结构。在上述材料中,优选使用银,并且更优选使用银合金以抑制银的聚集。对合金的比率没有限制,只要可以抑制银的聚集即可。例如,该比率可以为1:1。
阴极可以为使用由ITO等制成的氧化物导电层的顶部发光元件,或者可以为使用由铝(Al)等制成的反射电极的底部发光元件,并且没有特别限制。对用于形成阴极的方法没有特别限制,但是更优选使用直流溅射或交流溅射,这是因为使用这些方法提供良好的膜覆盖率并且容易使电阻降低。
[保护层]
可以在阴极上设置保护层6。例如,通过在阴极上粘接设置有吸湿剂的玻璃,可以抑制水等向有机化合物层中的浸入并且可以抑制显示缺陷的发生。此外,作为另一实施方案,可以在阴极上设置由硅氮化物等制成的钝化膜来抑制水等向有机EL层中的浸入。例如,在形成阴极并且在不破坏真空的情况下将其输送至另一腔室中之后,可以通过借助CVD法形成厚度为2μm的硅氮化物膜来形成保护层。可以在使用CVD法成膜之后使用原子沉积法(ALD法)来设置保护层。
[滤色器]
可以在保护层6上设置滤色器7。例如,考虑有机发光元件的尺寸的滤色器7可以设置在另一基板上,并且可以贴合至其上设置有有机发光元件的基板。可选地,可以使用光刻技术使滤色器在上述保护层上图案化。滤色器可以由高分子物质形成。
[平坦化层]
可以在滤色器7与保护层6之间设置平坦化层8。平坦化层8可以由有机化合物形成。所述有机化合物可以为低分子物质或高分子物质,但是优选为高分子物质。可以在滤色器的上方和下方设置平坦化层8,并且可以将相同或不同的材料用于它们。更具体地,材料的实例包括聚乙烯基咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、有机硅树脂、和脲树脂等。
[相对基板(Counter Substrate)]
可以在平坦化层上设置相对基板。相对基板由于其设置在面向上述基板的位置处而称为相对基板。相对基板的构成材料可以与上述基板的构成材料相同。
[有机化合物层]
形成根据实施方案的发光元件的有机层(空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层和电子注入层等)通过下述方法来形成。形成根据实施方案的发光元件的有机层可以通过使用例如真空蒸镀法、离子化蒸镀法、溅射或等离子体法等干法来形成。代替干法,可以使用通过将溶质溶解于适当的溶剂中并且使用公知的涂布法(例如,旋涂、浸渍、流延法、LB法或喷墨法等)来形成层的湿法。这里,当通过真空蒸镀法或溶液涂布法等来形成层时,几乎不发生结晶等,并且获得优异的经时稳定性。此外,当使用涂布法来形成膜时,可以在与适当的粘结剂树脂组合的同时形成膜。
粘结剂树脂的实例包括聚乙烯基咔唑树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、ABS树脂、丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、有机硅树脂和脲树脂等。这些为实例,并且粘结剂树脂不限于此。这些粘结剂树脂中的一种可以单独作为均聚物或共聚物使用,或者可以组合使用它们中的两种以上。此外,还可以根据需要使用例如公知的增塑剂、抗氧化剂和紫外线吸收剂等添加剂。
(电子器件的应用例)
可以使用根据第一和第二实施方案中的每一者的电子器件作为显示设备或照明设备的构成部件。此外,本发明可应用于电子照相图像形成设备的曝光光源或液晶显示设备的背光等。
显示设备可以为包括用于输入来自面阵CCD、线阵CCD或存储卡等的图像信息的图像输入单元和用于处理所输入信息的信息处理单元、并且在显示单元上显示输入图像的图像信息处理设备。
此外,摄像设备或喷墨打印机中包括的显示单元可以具有触摸面板功能。触摸面板功能的驱动方式可以为红外线型、电容型、阻抗膜型或电磁感应型,并且没有特别限制。显示设备可以用于多功能打印机的显示单元。
接下来,将参考附图描述根据本实施方案的显示设备。图9为示出包括有机发光器件和连接至有机发光器件的TFT元件的显示设备的实例的示意性截面图。TFT元件为有源元件的实例。图9中示出的显示设备1000包括由玻璃等制成的基板S、和用于保护基板S上的TFT元件或有机化合物层的防潮膜112。附图标记13表示金属栅电极。附图标记14表示栅绝缘膜,并且附图标记15表示半导体层。TFT元件18包括半导体层15、漏电极16和源电极17。在TFT元件18上部设置绝缘膜19。形成发光元件的阳极2经由接触孔20连接至源电极17。
注意,有机发光元件中包括的电极(阳极和阴极)与TFT中包括的电极(源电极和漏电极)之间的电连接方式不限于图9中示出的方式。即,仅需要阳极或阴极电连接至TFT元件的源电极或漏电极。在图9中示出的显示设备1000中,有机层示出为一个层,但是有机化合物层4可以包括多个层。在阴极上设置用于抑制有机发光元件的劣化的第一保护层24和第二保护层25。
在图9中示出的显示设备1000中,使用晶体管作为开关元件,但是也可以使用MIM元件作为开关元件。用于图9中示出的显示设备1000的晶体管不限于使用单晶硅晶片的晶体管,而是可以为在基板的绝缘性表面上具有活性层的薄膜晶体管。活性层的实例包括单晶硅、非晶硅、例如微晶硅等非单晶硅、和例如氧化铟锌和氧化铟镓锌等非单晶氧化物半导体。薄膜晶体管也称为TFT元件。
可以在例如Si基板等基板内形成图9中示出的显示设备1000中包括的晶体管。这里,在基板内形成意味着通过对例如Si基板等基板自身进行加工来形成晶体管。换言之,在基板内包括晶体管可以看作一体化地形成基板和晶体管。
通过作为开关元件的实例的TFT来控制发光元件10的发光亮度,并且在多个面内设置发光元件10以根据各发光元件的发光亮度来显示图像。注意,根据本实施方案的开关元件不限于TFT,而是可以为由低温多晶硅形成的晶体管或者形成在例如Si基板等基板上的有源矩阵驱动器。术语"基板上"可以意指"基板内"。基于显示单元的尺寸来选择是否在基板内设置晶体管或TFT。例如,如果尺寸为约0.5英寸,则优选在Si基板上设置发光元件。
图10为示意性地示出根据本实施方案的显示设备的实例的视图。显示设备1000可以在上盖1001与下盖1009之间包括触摸面板1003、形成为显示面板的电子器件1005、框架1006、电路板1007和电池1008。触摸面板1003和电子器件1005分别连接至柔性印刷电路FPC1002和1004。在电路板1007上印刷晶体管。如果显示设备不是便携式设备,则可以不设置电池1008,或者即使显示设备是便携式设备也可以在另一位置设置电池1008。
根据本实施方案的显示设备可以用于包括具有多个透镜的光学单元和接收通过该光学单元的光的图像传感器的摄像设备的显示单元。摄像设备可以包括显示由摄像单元中包括的多个图像传感器获取的信息的显示单元。可选地,可以使用由图像传感器获取的信息来获取信息,并且显示单元可以显示与由图像传感器获取的信息不同的信息。
图像传感器可以为通过用光电转换层替换根据第一和第二实施方案中的每一者的电子器件的有机化合物层来获得的光电转换元件。在该情况下,摄像设备在摄像单元中包括多个光电转换元件。显示单元可以为露出摄像设备的外部的显示单元或者配置在取景器内的显示单元。摄像设备可以为数字照相机或数字摄像机。
图11A为示意性地示出根据本实施方案的摄像设备的实例的视图。摄像设备1100可以包括取景器1101、背面显示器1102、操作单元1103和壳体1104。取景器1101可以包括构成为显示设备的发光器件100。在该情况下,显示设备不仅可以显示要拍摄的图像,还可以显示环境信息和摄像指示等。环境信息可以包括环境光的强度、环境光的方向、被摄体的移动速度、或被摄体被遮蔽物遮蔽的可能性等。
由于适合于拍摄图像的时机为短时间,因此优选尽可能快地显示信息。因此,优选应用使用本发明的有机发光元件的显示设备。这是因为有机发光元件具有高的响应速度。在要求高的显示速度的设备中,与液晶显示设备相比,可以更适合采用使用有机发光元件的显示设备。
摄像设备1100包括光学单元(未示出)。光学单元包括多个透镜并且在容纳在壳体1104中的图像传感器上形成图像。可以通过调整多个透镜的相对位置来调整焦点。该操作可以自动进行。根据本实施方案的显示设备可以包括具有红色、绿色和蓝色的滤色器。在滤色器中,可以使红色、绿色和蓝色以三角形排列来配置。根据本实施方案的显示设备可以用于移动终端的显示单元。在该情况下,可以提供显示功能和操作功能二者。移动终端的实例包括例如智能手机等移动电话、平板电脑和头戴式显示器。
图11B为示意性地示出根据本实施方案的电子机器的实例的视图。电子机器1200包括显示单元1201、操作单元1202和壳体1203。可以将发光器件100应用于显示单元1201。壳体1203可以包括电路、包括该电路的印刷电路板、电池和通信单元。操作单元1202可以为按钮或触摸面板型传感单元。操作单元可以为识别指纹并且解锁等生物识别单元。包括通信单元的电子机器也可以称为通信机器。
图12A和图12B为示意性地示出根据本实施方案的显示设备的实例的视图。图12A示出例如电视监视器或PC监视器等显示设备。显示设备1300包括框架1301和显示单元1302。可以将发光器件100应用于显示单元1302。显示设备1300包括支承框架1301和显示单元1302的基座1303。基座1303不限于图12A中示出的形式。框架1301的下侧可以用作基座。框架1301和显示单元1302可以是弯曲的。曲率半径可以为5,000mm以上且6,000mm以下。
图12B为示意性地示出根据本实施方案的显示设备的另一实例的视图。图12B中示出的显示设备1310构成为可弯曲的,并且为所谓的可折叠显示设备。显示设备1310包括第一显示单元1311、第二显示单元1312、壳体1313和弯曲点1314。可以将发光器件100应用于第一显示单元1311和第二显示单元1312中的每一者。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以是一个无缝显示设备。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以在弯曲点处分开。第一显示单元1311和第二显示单元1312可以显示不同的图像,或者可以用第一和第二显示单元显示一幅图像。
图13A为示意性地示出根据本实施方案的照明设备的实例的视图。照明设备1400可以包括壳体1401、光源1402、电路板1403、光学膜1404和光扩散单元1405。可以将发光器件100应用于光源1402。光学滤波器可以为改善光源的演色性的滤波器。光扩散单元可以有效地使来自光源的光扩散以照亮宽的范围用于照明等。可以在照明的光射出侧设置光学滤波器和光扩散单元。可以根据需要在最外部设置盖子。
照明设备为例如对室内进行照明的设备。照明设备可以发出白色、昼白色、或者从蓝色至红色的任意其它颜色的光。可以设置用于控制光的颜色的光控制电路。照明设备可以包括根据本发明的有机发光元件和与其连接的电源电路。电源电路为将交流电压转换为直流电压的电路。注意,白光的色温为4200K,并且昼白光的色温为5000K。照明设备可以包括滤色器。此外,根据本实施方案的照明设备可以包括散热部。散热部将设备内的热量释放至设备的外部,并且其实例包括具有高的比热的金属和液体硅等。
图13B为示意性地示出作为根据本实施方案的移动体的实例的汽车的视图。汽车包括作为照明单元的实例的尾灯。汽车1500包括尾灯1501,并且在进行制动操作等时可以打开尾灯。可以将发光器件100应用于尾灯1501。尾灯可以包括保护发光元件的保护构件。保护构件具有一定程度的强度,并且可以由任何材料制成,只要所述材料是透明的即可,但是优选由聚碳酸酯等制成。可以将呋喃二羧酸衍生物或丙烯腈衍生物等与聚碳酸酯混合。
汽车1500可以包括车体1503和安装至其上的窗1502。窗可以为透明显示器,只要其不是用于确认汽车的前后的窗即可。可以将发光器件100应用于透明显示器。在该情况下,有机发光元件中包括的例如电极等组件由透明构件形成。根据本实施方案的移动体可以为轮船、航空器或无人机等。移动体可以包括机体和设置在该机体中的照明单元。照明单元可以发光以指示机体的位置。可以将发光器件100应用于照明单元。
将参考图14A和图14B来描述根据上述各实施方案的显示设备的应用例。显示设备可应用于例如可以作为例如智能眼镜、HMD或智能隐形眼镜等可穿戴装置来穿戴的系统。用于这样的应用例的摄像/显示设备包括可以对可见光进行光电转换的摄像设备和可以发出可见光的显示设备。
图14A示出一副根据应用例的眼镜1600(智能眼镜)。在眼镜1600的透镜1601的正面侧设置例如CMOS传感器或SPAD等摄像设备1602。另外,在透镜1601的背面侧设置应用了发光器件100的显示设备。
眼镜1600进一步包括控制设备1603。控制设备1603起到向摄像设备1602和根据各实施方案的显示设备供给电力的电源的作用。控制设备1603控制摄像设备1602的操作和显示设备的操作。在透镜1601上形成用于使光聚焦于摄像设备1602的光学系统。
图14B示出一副根据另一应用例的眼镜1610(智能眼镜)。眼镜1610包括控制设备1612,并且在控制设备1612中搭载相当于摄像设备1602的摄像设备和显示设备。在控制设备1612中形成用于将从控制设备1612内的摄像设备和显示设备发出的光投影的光学系统,并且将图像投影至透镜1611上。除了起到向摄像设备和显示设备供给电力的电源的作用以外,控制设备1612还控制摄像设备的操作和显示设备的操作。控制设备还可以包括检测穿戴者的视线的视线检测单元。红外线可以用于视线检测。红外发光单元向注视显示图像的使用者的眼球发射红外线。当所发射的红外线被眼球反射并且被包括光接收元件的摄像单元检测到时,可以获得眼球所捕获的图像。通过设置减少平面视图中从红外发光单元至显示单元的光的减少装置(reduction means)来减少图像品质降低。
从通过利用红外线的摄像操作获得的眼球所捕获的图像来检测使用者对显示图像的视线。可以将任意已知的方法应用于利用所捕获的眼球图像的视线检测。作为实例,可以使用基于由照射光在角膜上的反射引起的浦肯野图像的视线检测方法。
更具体地,视线检测处理基于瞳孔-角膜反射法来进行。通过使用瞳孔-角膜反射法,基于眼球所捕获的图像中包括的瞳孔的图像和浦肯野图像计算表示眼球的方向(旋转角度)的视线矢量来检测使用者的视线。
根据本发明的一个实施方案的显示设备可以包括具有光接收元件的摄像设备,并且基于从摄像设备获得的使用者的视线信息控制显示设备上的显示图像。
更具体地,在显示设备中,基于视线信息来确定使用者注视的第一视野区域和除第一视野区域以外的第二视野区域。可以通过显示设备的控制设备来确定第一视野区域和第二视野区域。可选地,可以通过外部控制设备来确定第一视野区域和第二视野区域并且显示设备可以接收与该确定相对应的信息。可以在显示设备的显示区域中进行控制以使第一视野区域的显示分辨率将高于第二视野区域的显示分辨率。即,第二视野区域的分辨率可以比第一视野区域的分辨率低得多。
此外,显示区域包括第一显示区域和与第一显示区域不同的第二显示区域,并且基于视线信息从显示区域的第一显示区域和第二显示区域确定具有高的优先级的区域。可以通过显示设备的控制设备来确定第一显示区域和第二显示区域。可选地,可以通过外部控制设备来确定第一显示区域和第二显示区域并且显示设备可以接收与该确定相对应的信息。可以进行控制从而将具有高的优先级的区域的分辨率设定为高于除具有高的优先级的区域以外的区域的分辨率。即,可以将具有相对较低的优先级的区域的分辨率设定为较低。
注意,AI可以用于确定第一视野区域和具有高的优先级的区域。AI可以为构成为通过使用眼球的图像和该图像的由眼球实际注视的方向作为教学数据从眼球的图像推定视线的角度和与作为注视目标物的被摄体的距离的模型。显示设备、摄像设备或外部设备可以包括AI程序。如果外部设备中包括AI程序,则由AI程序确定的信息将通过通信被发送至显示设备。
在要基于视觉识别检测来进行显示控制的情况下,可以优选将根据实施方案的显示设备应用于进一步包括构成为拍摄外部的摄像设备的一副智能眼镜。智能眼镜可以实时显示所拍摄的外部信息。
如上所述,通过利用使用根据本实施方案的有机发光元件的设备,即使对于具有良好的图像品质的长时间显示,也可以进行稳定的显示。
以上描述了本发明的优选实施方案。然而,本发明不限于这些实施方案,并且可以在本发明的精神和范围内作出各种变化和修改。
根据本发明,提供在包括多个下部电极的电子器件中在抑制上部电极与下部电极之间的漏电流和抑制相邻的发光元件之间的漏电流方面有利的技术。
虽然已经参考示例性实施方案描述了本发明,但是应当理解的是,本发明不限于公开的示例性实施方案。所附权利要求的范围要符合最宽泛的解释从而涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (20)

1.一种电子器件,其特征在于,其包括多个下部电极、覆盖所述多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层、覆盖所述绝缘层和所述多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层、和覆盖所述有机化合物层的上部电极,所述上表面的电极区域位于所述端部的内侧,
其中,所述有机化合物层包括混合层,并且所述混合层包含第一有机材料和具有低于所述第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料,
所述绝缘层包括相对于所述下部电极的所述上表面倾斜的倾斜面,并且
所述第二有机材料的重量与所述第一有机材料的重量的比率在所述混合层的所述倾斜面上的第二部分中比在所述混合层的所述电极区域上的第一部分中高。
2.根据权利要求1所述的器件,其中
所述混合层为其中所述第一有机材料和所述第二有机材料混合的层。
3.根据权利要求2所述的器件,其中
所述混合层为由所述第一有机材料和所述第二有机材料形成的共蒸镀层。
4.根据权利要求1所述的器件,其中
所述混合层包括由所述第一有机材料形成的第一有机材料层和由所述第二有机材料形成的第二有机材料层,并且
所述第二有机材料层的膜厚度与所述第一有机材料层的膜厚度的比率在所述第二部分中比在所述第一部分中高。
5.根据权利要求1所述的器件,其中
所述混合层为空穴输送层。
6.根据权利要求1所述的器件,其中
所述混合层包括电荷产生层。
7.根据权利要求1所述的器件,其中
在所述混合层的所述电极区域上的第一部分中,所述第一有机材料的重量大于所述第二有机材料的重量。
8.根据权利要求1所述的器件,其中
在所述混合层的所述倾斜面上的第二部分中,所述第一有机材料的重量小于所述第二有机材料的重量。
9.根据权利要求1所述的器件,其中
在所述混合层中,所述第二有机材料的最高占据分子轨道HOMO能级低于所述第一有机材料的HOMO能级。
10.根据权利要求1所述的器件,其中
在所述第二部分中,所述第一有机材料的质量百分比浓度为1%以上且30%以下。
11.根据权利要求1所述的器件,其中
在所述第二部分中,所述第一有机材料的HOMO能级高于所述第二有机材料的HOMO能级,并且所述第一有机材料的HOMO能级与所述第二有机材料的HOMO能级之差为0.15eV以上。
12.一种电子设备,其特征在于,其包括:
构成为拍摄被摄体的摄像单元;和
构成为基于来自所述摄像单元的数据来显示图像的权利要求1至11中任一项限定的电子器件。
13.一种移动体,其特征在于,其包括:
构成为拍摄被摄体的摄像单元;和
构成为基于来自所述摄像单元的数据来显示图像的权利要求1至11中任一项限定的电子器件。
14.一种电子器件,其特征在于,其包括多个下部电极、覆盖所述多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层、覆盖所述绝缘层和所述多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层、和覆盖所述有机化合物层的上部电极,所述电极区域位于所述端部的内侧,
其中所述有机化合物层包括由第一有机材料形成的第一有机材料层和由具有低于所述第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料形成的第二有机材料层,
所述绝缘层包括相对于所述下部电极的所述上表面倾斜的倾斜面,并且
所述第二有机材料层的膜厚度与所述第一有机材料层的膜厚度的比率在所述倾斜面上的第二部分中比在所述电极区域上的第一部分中高。
15.一种电子设备,其特征在于,其包括:
构成为拍摄被摄体的摄像单元;和
构成为基于来自所述摄像单元的数据来显示图像的权利要求14限定的电子器件。
16.一种移动体,其特征在于,其包括:
构成为拍摄被摄体的摄像单元;和
构成为基于来自所述摄像单元的数据来显示图像的权利要求14限定的电子器件。
17.一种电子器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
制备包括配置在基板上的多个下部电极和覆盖所述多个下部电极中的每一者的端部的绝缘层的结构体,和
形成覆盖所述绝缘层和所述多个下部电极中的每一者的上表面的电极区域的有机化合物层,所述电极区域位于所述端部的内侧,
其中所述有机化合物层包括混合层,并且所述混合层包含第一有机材料和具有低于所述第一有机材料的空穴迁移率的空穴迁移率的第二有机材料,
所述绝缘层包括相对于所述下部电极的所述上表面倾斜的倾斜面,并且
在所述形成中,形成所述混合层以使所述第二有机材料的重量与所述第一有机材料的重量的比率在所述混合层的所述倾斜面上的第二部分中比在所述混合层的所述电极区域上的第一部分中高。
18.根据权利要求17所述的方法,其中
在所述形成中,使用供给所述第一有机材料的第一蒸镀源和供给所述第二有机材料的第二蒸镀源来形成所述混合层,并且
将所述结构体、所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源配置在蒸镀设备的腔室中,以使所述结构体与所述第一蒸镀源之间的垂直距离大于所述结构体与所述第二蒸镀源之间的垂直距离。
19.根据权利要求17所述的方法,其中
在所述形成中,使用所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源通过共蒸镀来形成所述混合层。
20.根据权利要求17所述的方法,其中
在所述形成中,在形成由所述第一有机材料形成的第一有机材料层和由所述第二有机材料形成的第二有机材料层中的一者之后,形成所述第一有机材料层和所述第二有机材料层中的另一者,
所述混合层包括所述第一有机材料层和所述第二有机材料层,并且
使用所述第一蒸镀源来形成所述第一有机材料层,并且使用所述第二蒸镀源来形成所述第二有机材料层。
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