JP2024098819A - 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、および、照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画質の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】基板の主面の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極の間に配された絶縁層と、前記複数の下部電極および前記絶縁層を覆うように配された少なくとも１層の発光層を含む有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、を含む発光装置であって、前記絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、前記複数の下部電極または前記複数の下部電極に電気的に接続された導電部と、前記傾斜部と、の間に導電層がさらに配され、前記導電層の電位は、前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高い。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、および、照明装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの自発光素子を用いた発光装置への関心が高まっている。発光装置においてカラー表示を行うために、白色発光する発光素子とカラーフィルタとを用いる方式（白＋ＣＦ方式）が知られている。白＋ＣＦ方式は、複数の発光素子が１つの発光層を共有し、発光素子ごとに発光層を形成する必要がないため高精細化に有利である。一方、発光素子間で発光層を介したクロストークが発生し、画質の低下が起きる可能性がある。特許文献１には、下部電極の周縁部を覆うように配された絶縁部材が、下部電極の上方部において傾斜面を有し、傾斜面上の有機化合物層を薄膜化させることによって、クロストークを抑制することが示されている。

特開２０２０－１９４６７３号公報 特開２０２１－０７２２８２号公報

有機化合物層が薄膜化すると、有機化合物層の薄膜化した部分を介した下部電極と上部電極との間のリーク電流が生じやすくなりうる。表示装置の画質の低下を抑制するためには、クロストークの抑制に加えて、有機化合物層の介した電極間のリーク電流の抑制が必要である。

本発明は、画質の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、基板の主面の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極の間に配された絶縁層と、前記複数の下部電極および前記絶縁層を覆うように配された少なくとも１層の発光層を含む有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、を含む発光装置であって、前記絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、前記複数の下部電極または前記複数の下部電極に電気的に接続された導電部と、前記傾斜部と、の間に導電層がさらに配され、前記導電層の電位は、前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高いことを特徴とする。

本発明によれば、画質の向上に有利な技術を提供することができる。

本実施形態の発光装置の構成例を示す図。 図１の発光装置の構成例を示す平面図。 図１の発光装置の構成例を示す断面図。 比較例の発光装置の構成例を示す断面図。 図１の発光装置を形成する際の蒸着シミュレーションを説明する図。 図１の発光装置を形成する際の蒸着シミュレーション結果を説明する図。 図１の発光装置の画素の構成例を示す断面図。 本実施形態の発光装置を用いた画像形成装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた光電変換装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた電子機器の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた照明装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた移動体の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いたウェアラブルデバイスの一例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１～図６を参照して、本開示の実施形態による発光装置について説明する。図１は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す平面図である。図２は、図１に示される発光装置１０のうち表示領域３０００の一部の拡大図である。図３は、図２に示される平面図におけるＡ－Ａ'間の断面図である。

図１に示されるように、発光装置１０は、表示領域３０００と表示領域３０００の周辺に設けられた外周領域２０００とを含む。表示領域３０００は、発光素子１００（画素または副画素とも呼ばれうる）が配列された領域であり、画像や文字などを表示してもよいし、後述する応用例のように照明などに用いる光源として使用されてもよい。外周領域２０００には、表示領域３０００で適当な表示を行うための駆動回路などが配されうる。外周領域２０００は、図１に示される構成では、表示領域３０００を取り囲むように配されているが、これに限られることはない。例えば、外周領域２０００は、表示領域３０００の１つの辺のみに沿って設けられていてもよいし、表示領域３０００の２辺または３辺に沿って設けられていてもよい。

図２、３を参照して、発光装置１０について、より詳細に説明する。発光装置１０の表示領域３０００には、複数の発光素子１００が配されている。ここで、複数の発光素子１００のうち特定の発光素子を示す場合、発光素子１００「ａ」のように、参照番号の後に添え字する。特に区別しない場合は、「発光素子１００」と表記する。他の構成要素についても同様である。

発光装置１０は、基板１の主面１３の上に配された絶縁層３０と、絶縁層３０の上に配された複数の下部電極２と、絶縁層３０の上に配され、かつ、複数の下部電極２の間に配された絶縁層３と、複数の下部電極２および絶縁層３を覆うように配された少なくとも１層の発光層を含む有機層４０と、有機層４０を覆うように配された上部電極５と、を含みうる。絶縁層３は、図３に示されるように、下部電極２のそれぞれの外周部を覆っていてもよい。さらに、基板１の主面１３と絶縁層３０との間には、反射層１０２が配されていてもよい。

発光素子１００は、それぞれ電気的に独立して配される下部電極２によって位置が決定されうる。一方、有機層４０および上部電極５は、複数の発光素子１００によって共有されうる。表示領域３０００の全体にわたって、１つの有機層４０および１つの上部電極５が配されていてもよい。つまり、有機層４０は、発光装置１０の画像などを表示する表示領域３０００の全面において、一体的に形成されていてもよい。同様に、上部電極５は、発光装置１０の画像などを表示する表示領域３０００の全面において、一体的に形成されていてもよい。発光素子１００は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの自発光素子でありうる。

基板１には、下部電極２、絶縁層３、３０、有機層４０、上部電極５などの各構成要素を支持可能な材料が用いられる。基板１として、例えば、ガラス、プラスチック、シリコンなどが適用できる。基板１には、トランジスタなどのスイッチング素子２１や、導電体１１、層間絶縁層２２などが形成されうる。

発光素子１００の下部電極２は、有機層４０の発光層から発せられる光を透過してもよい。下部電極２には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電酸化物が用いられうる。また、下部電極２に、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）などの金属やその合金の薄膜が用いられてもよい。下部電極２の膜厚は、発光素子１００ａ、発光素子１００ｂ、発光素子１００ｃのそれぞれで異なっていてもよい。発光素子１００ａ、発光素子１００ｂ、発光素子１００ｃのそれぞれで異なる光共振器構造を有してよい。光共振器構造は、それぞれの下部電極２の下（基板１の側）に光反射層（反射層１０２）を設け、それぞれに異なる長さの光学距離を設けることで構成されていてもよい。

有機層４０は、発光素子１００の下部電極２の上に配される。本実施形態において、有機層４０は、それぞれ発光層を含む複数の機能層４１、４３と、発光層を含む機能層４１と発光層を含む機能層４３との間に配される電荷発生層４２と、を含む、所謂、タンデム型である。機能層の数は２層に限られることはなく、３層以上のそれぞれ発光層を含む機能層が積層されていてもよい。また、３層以上の機能層が積層されている場合、各機能層間に電荷発生層が配されていてもよい。すなわち、電荷発生層は、発光層と他の発光層との間に配されてよい。発光層を有する機能層４１と、他の発光層を有する機能層４３と、の間に配されるからである。

機能層４１、４３は、少なくとも発光層を含む層であり、複数の層から構成されていてもよい。発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などが挙げられる。機能層４１、４３は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが発光層において再結合することによって、発光層から光を出射する。発光層の構成は単層構造であってもよいし複層構造であってもよい。発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料を含むことができ、各発光色を混合することによって、白色光を得ることも可能である。また、発光層が、青色発光材料および黄色発光材料など補色の関係の発光材料を含んでいてもよい。例えば、機能層４１に配された発光層が赤色発光材料と緑色発光材料とを含み、機能層４３に配された発光層が青色発光材料を含んでいてもよい。

電荷発生層４２は、電子供与性の材料と電子受容性の材料とを含み電荷を発生する層である。電子供与性の材料と電子受容性の材料とは、それぞれ、電子を与える材料とその電子を受け取る材料である。これによって、電荷発生層４２には正および負の電荷が発生するため、電荷発生層４２よりも上方および下方に配された機能層４１、４３に、正または負の電荷を供給することができる。

電子供与性の材料には、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属が用いられてもよい。また、電子供与性の材料には、例えば、フッ化リチウム、リチウム錯体、炭酸セシウム、セシウム錯体などが用いられてもよい。この場合、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムのような還元性の材料が共に含まれることによって、電子供与性が発現してもよい。また、電子供与性の材料は、正孔輸送性の材料であってもよい。正孔輸送性の材料として、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、およびポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子などの有機化合物が用いられうる。また、電子供与性の材料は、電子輸送性の材料に含まれていてもよい。電子輸送性の材料として、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体などの有機化合物が用いられうる。

電子受容性の材料には、例えば、酸化モリブデンのような無機物が用いられてもよいし、［ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル］のような有機物が用いられてもよい。電荷発生層４２は、電子受容性の材料と電子供与性の材料とが混合された層であってもよい。また、例えば、電荷発生層４２は、電子受容性の材料を含む層と電子供与性の材料を含む層とが積層された層であってもよい。つまり、電荷発生層４２は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。

有機層４０は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法などのドライプロセスを用いて形成することができる。また、ドライプロセスに代えて、適当な溶媒に上述のような材料を溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、インクジェット法など）を用いて有機層４０を形成するウェットプロセスを用いることもできる。例えば、真空蒸着法や塗布法などを用いて有機層４０を形成すると、有機層４０の結晶化などが起こり難く、経時安定性に優れた有機層４０を得ることができる。また、例えば、塗布法で有機層４０を成膜する場合、適当なバインダ樹脂と組み合わせて有機層４０が形成可能である。

バインダ樹脂として、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。しかしながら、バインダ樹脂は、これらに限られるものではない。また、これらのバインダ樹脂は、ホモポリマまたは共重合体として１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を併用してもよい。

有機層４０は、下部電極２と上部電極５との間に配置されている。有機層４０は、上述のように、基板１の上面に連続的に形成され、複数の発光素子１００によって共有されていてもよい。また、有機層４０のすべて、または、一部が、発光素子１００ごとにパターニングされていてもよい。有機層４０は、表示領域３０００の周辺に配される外周領域２０００の一部まで形成されていてもよい。

上部電極５は、有機層４０に配される発光層で発せられる光を透過する。また、上部電極５は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を備える半透過性の材料であってもよい。上部電極５には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電酸化物や、ＡｌやＡｇ、金（Ａｕ）などの単体金属、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）やカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属、これらの金属材料を含んだ合金材料などが用いられる。半透過材料として、ＭｇやＡｇを主成分とする合金が用いられてもよい。ここで主成分とは、それぞれの構成要素に含まれる材料のうち最も質量％濃度が高い成分でありうる。また、上部電極５は、適当な透過率を有するならば、上述した材料を用いた層を積層した積層構造であってもよい。上部電極５は、上述のように、基板１の上面に連続的に形成され、複数の発光素子１００によって共有されていてもよい。また、上部電極５は、有機層４０と同様に、表示領域３０００の周辺に配される外周領域２０００の一部まで形成されていてもよい。この場合、上部電極５は、外周領域２０００において有機層４０よりも外側まで配されていてもよい。発光素子１００において、下部電極２が陽極、上部電極５が陰極であってもよい。また、下部電極２が陰極、上部電極５が陽極であってもよい。

図３に示されるように、下部電極２の外周部を覆うように、かつ、それぞれの下部電極２の間に、絶縁層３が設けられている。絶縁層３には、下部電極２の一部が露出するように開口部が設けられ、下部電極２と有機層４０とが接する発光領域１０１を画定している。絶縁層３は、発光領域１０１を正確に所望の形状にするために形成されうる。また、絶縁層３は、複数の下部電極２のそれぞれを電気的に絶縁するように、下部電極２の間にも配されている。絶縁層３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）など無機材料で形成されうる。絶縁層３の形成には、スパッタリング法や化学気相堆積法（ＣＶＤ法）など公知の技術が用いられうる。また、絶縁層３は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂のような有機材料を用いて形成することも可能である。

発光装置１０の表示領域３０００には、さらに、上部電極５を覆うように配された保護層６、保護層６を覆うように配された平坦化層７、平坦化層７の上に配されたカラーフィルタ１２１およびマイクロレンズ１２２などが配されていてもよい。保護層６は、保護層６よりも基板１の側に配された各構成要素を大気中の水分などから保護する。保護層６は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯなどの無機材料で形成されうる。また、保護層６は、各種の樹脂など有機材料を用いて形成されてもよい。また、保護層６は、これらの積層構造であってもよい。平坦化層７は、後述する絶縁層３０の厚さの違いなどによって生じる段差を抑制するために配される。平坦化層７は、上述したような無機材料を用いて形成されてもよいし、有機材料を用いて形成されてもよい。カラーフィルタ１２１は、絶縁層３０の厚さに起因する光学干渉に応じた色の光を透過する。例えば、カラーフィルタ１２１ａは、赤色系の光を透過し、カラーフィルタ１２１ｂは緑色系の光を透過し、カラーフィルタ１２１ｃは、青色系の光を透過しうる。マイクロレンズ１２２は、有機層４０に含まれる発光層で発せられた光の利用効率を向上させる。カラーフィルタ１２１およびマイクロレンズ１２２は、公知の成膜手法を用いて形成することができる。また、カラーフィルタ１２１とマイクロレンズ１２２との間に、平坦化層などの適当な層が配されていてもよい。

本実施形態において、発光素子１００には、反射層１０２を含む積層部１０４が配されている。積層部１０４には、反射層１０２が配されており、基板１の主面１３に対する正射影において、反射層１０２は、下部電極２の発光領域１０１に重なるように配される。また、電蝕抑制層１０３が、反射層１０２の上に形成される。基板１の主面１３に対する正射影において、発光領域１０１と重なる領域の少なくとも一部において、積層部１０４の電蝕抑制層１０３は、反射層１０２が露出するように開口を有する。この構成によって、有機層４０に配された発光層で発せられた光は、下部電極２を透過し、反射層１０２で効率よく反射される。電蝕抑制層１０３の開口の大きさは、発光効率向上の観点から、発光領域１０１と同じ大きさであってもよいし、発光領域１０１よりも大きくてもよい。図３に示される構成では、基板１の主面１３に対する正射影において、発光領域１０１は、電蝕抑制層１０３の開口に重なるように配され、電蝕抑制層１０３の開口の大きさは、発光領域１０１よりも大きい。

反射層１０２で反射した光は、上部電極５から光出射側に取り出されるため、本実施形態の発光装置１０は、高い発光効率を得ることができる。ここで、光出射側とは、下部電極２に対する上部電極５の側を示す。

反射層１０２には、例えば、広い波長帯域の光に対して高い反射率を有するＡｇやＡｌが用いられてもよい。また、電蝕抑制層１０３には、例えば、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｐｔ、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）などが用いられてもよい。反射層１０２および電蝕抑制層１０３は、合金や化合物であってもよい。例えば、反射層１０２としてＡｌを主成分とする材料が用いられ、電蝕抑制層１０３としてＴｉまたはＴｉＮを主成分とする材料が用いられてもよい。さらに、反射層１０２には、Ａｌを主成分とし銅（Ｃｕ）が含有されていてもよい。また、電蝕抑制層１０３には、ＴｉＮが主成分として含まれていてもよい。また、積層部１０４の基板１の側にはＴｉやＴｉＮなどのバリアメタルが設けられていてもよい。

反射層１０２および電蝕抑制層１０３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）などの公知の成膜手法を用いて形成することができる。反射層１０２は、高反射率の材料を基板１の上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることによって形成することが可能である。また、電蝕抑制層１０３も、材料を基板１の上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることによって形成することが可能である。また、積層部１０４に設けた電蝕抑制層１０３の開口部は、公知のエッチングプロセスで電蝕抑制層１０３を取り除くことによって形成することが可能である。

本実施形態において、積層部１０４の反射層１０２と下部電極２との間に、光学干渉層として機能する絶縁層３０が配されている。絶縁層３０の厚みを調整することによって、発光素子１００の有機層４０に含まれる発光層と反射層１０２との光学距離を最適化することが可能になる。これによって、光学干渉を利用した発光装置１０の発光効率の向上が可能となる。絶縁層３０は、単層構造であってもよいし、複数の層を含む積層構造であってもよい。

図３に示されるように、複数の下部電極２は、互いに隣り合う下部電極２ａと下部電極２ｂとを含む。また、複数の下部電極２は、互いに隣り合う下部電極２ｂと下部電極２ｃとを含む。このとき、絶縁層３０のうち下部電極２ａに対応して配された反射層１０２ａと下部電極２ａとの間に配された部分の厚さと、絶縁層３０のうち下部電極２ｂに対応して配された反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間に配された部分の厚さと、は互いに異なっている。また、絶縁層３０のうち反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間に配された部分の厚さと、絶縁層３０のうち下部電極２ｃに対応して配された反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間に配された部分の厚さと、は互いに異なっている。さらに、図３に示されるように、絶縁層３０のうち反射層１０２ａと下部電極２ａとの間に配された部分の厚さと、絶縁層３０のうち反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間に配された部分の厚さと、は互いに異なっていてもよい。

発光素子１００ａ、発光素子１００ｂ、発光素子１００ｃの絶縁層３０の厚みをそれぞれ異ならせることによって、それぞれの発光素子１００ａ～１００ｃから発せられる光の色を調整することが可能である。絶縁層３０は、複数の層の積層構造とすることも可能である。例えば、発光素子１００ａ、発光素子１００ｂ、発光素子１００ｃの順に絶縁層３０を薄くする場合、発光素子１００ａに配される反射層１０２ａと下部電極２ａとの間に、絶縁層３０として絶縁層３１、絶縁層３２、絶縁層３３を設ける。また、発光素子１００ｂに配される反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間に、絶縁層３２、絶縁層３３を設け、さらに、発光素子１００ｃに配される反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間に、絶縁層３３を設ける。これによって、光学調整層として機能する絶縁層３０が形成できる。

絶縁層３０は、有機層４０に配された発光層で発せられる光に対して、透明な材料で構成されうる。例えば、絶縁層３０（絶縁層３１～３３）として、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどが用いられうる。この場合、絶縁層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの公知技術を用いて形成されうる。

また、図２、３に示されるように、積層部１０４は、導電体１１を介して下部電極２に電気的に接続される。積層部１０４（反射層１０２および電蝕抑制層１０３）は、下部電極２に電気的に接続された導電部の少なくとも一部を構成しているといえる。例えば、発光素子１００において、基板１に配されたスイッチング素子２１から積層部１０４（反射層１０２および電蝕抑制層１０３）および導電体１１などを介して下部電極２に電位を供給（例えば、給電）することができる。例えば、下部電極２には、発光素子１００の発光強度に応じた信号（電位）が供給される。

絶縁層３０を設ける場合には、絶縁層３０にビアホールを設け、ビアホール内に導電体１１を形成することによって、下部電極２と積層部１０４とを電気的に接続できる。導電体１１には、下部電極２と同じ材料が用いられてもよい。また、導電体１１には、ＷやＴｉ、ＴｉＮのような公知の導電材料を用いることが可能である。また、ビアホールを通じて、下部電極２と積層部１０４とが接していてもよい。積層部１０４において導電体１１と接する部分には、電蝕抑制の観点から電蝕抑制層１０３が配されうる。

導電体１１を配する領域は、例えば、図２、３に示されるように、積層部１０４のうち電蝕抑制層１０３がある領域であってもよい。積層部１０４と下部電極２とが直接、接する場合、電蝕抑制層１０３と下部電極２とはガルバニック腐食を起こしにくい組み合わせであると、発光装置１０の信頼性が向上する。例えば、電蝕抑制層１０３にＴｉＮを主成分とする材料が用いられ、下部電極２（導電体１１）として、ＩＴＯ、ＩＺＯが用いられてもよい。

図３には、光学干渉層として機能する絶縁層３０や反射層１０２を用いた発光素子１００示したが、これに限られることはない。絶縁層３０が、発光素子１００ａ～１００ｃの間で同じ厚さを備えていてもよい。この場合、反射層１０２が配されずに、下部電極２が光の反射性を有する材料で形成されていてもよい。

次いで、図３に示される、絶縁層３に設けられた傾斜部３４、３５、および、導電層１２について説明する。傾斜部３４、３５は、絶縁層３の有機層４０に向かい合う表面に配され、基板１の主面１３に対して傾きを有している。有機層４０は、絶縁層３のうち基板１の主面１３と平行な平坦部よりも傾斜部３４、３５の上に配された部分において、電荷発生層４２の膜厚が薄く成膜されやすい。そのため、電荷発生層４２を高抵抗化することができる。結果として、発光素子１００間のクロストーク電流を抑制することができる。

しかしながら、有機層４０のうち絶縁層３の傾斜部３４、３５の上に配された部分おいて、有機層４０の層厚も薄くなってしまう。それによって、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が増加する可能性がある。そこで、図３に示されるように、複数の下部電極２または複数の下部電極２に電気的に接続された導電部（例えば、積層部１０４）と、傾斜部３４、３５と、の間に導電層１２がさらに配される。導電層１２には、導電性の材料が用いられる。導電層１２は、例えば、下部電極２と同様な材料で形成されてよい。例えば、下部電極２を形成する際のパターニングにおいて、導電層１２も同時に形成されてもよい。そのため、図３に示されるように、複数の下部電極２の下面の一部と、導電層１２の下面のうち少なくとも一部と、が基板１の主面１３から同じ高さに配されていてもよい。また、例えば、複数の下部電極２の主成分と、導電層１２の主成分と、が同じであってもよい。導電層１２と下部電極２とを同じプロセスで同時に形成することによって、発光装置１０を製造する工程の簡略化が実現できる。発光装置１０は、例えば、特許文献２に示される有機デバイスと同様な工程を用いて製造することが可能である。

導電層１２は、図２、３に示されるように、発光素子１００のそれぞれの下部電極２（発光領域１０１）を取り囲むように配されていてもよい。また、下部電極２（発光領域１０１）を取り囲む導電層１２のそれぞれが、図２に示されるように連結し、互いに電気的に接続されていてもよい。また、導電層１２が、上部電極５に電気的に接続されていてもよい。そのため、導電層１２の電位が、上部電極５の電位と同じであってもよい。一方で、導電層１２は、複数の下部電極２および下部電極２に電気的に接続された導電部（例えば、反射層１０２および電蝕抑制層１０３を含む積層部１０４）に電気的に接続されていない。

複数の下部電極２または複数の下部電極２に電気的に接続された導電部と、絶縁層３の表面に設けられた傾斜部３４、３５と、の間に、例えば、上部電極５と同電位の導電層１２が配される。そのため、傾斜部３４、３５の上に配された有機層４０に掛かる、図３に示される方向Ｂの、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を促進する電界強度を弱めることができる。それによって、薄膜化した有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制できる。ここで、方向Ｂの電界は、下部電極２が陽極であり、上部電極５が陰極である場合のリーク電流を促進する電界の方向を例として図示したものある。下部電極２が陰極であり、上部電極５が陽極である場合は、方向Ｂの向きは、図３に示される無機とは反対の下向きになる。

ここで、下部電極２または下部電極に電気的に接続された導電部（例えば、反射層１０２および電蝕抑制層１０３を含む積層部１０４）と、絶縁層３に設けられた傾斜部３４、３５と、の間に導電層１２を配置するとは、下部電極２または下部電極２に電気的に接続される導電部と、絶縁層３の傾斜部３４、３５上の点と、の最短経路Ｃ上に、導電層１２を配置することでありうる。最短経路Ｃ上の、下部電極２または下部電極２に電気的に接続される導電部と、絶縁層３に設けられる傾斜部３４、３５と、は互いに同じ発光素子１００内に配されうる。図３に示される例では、最短経路Ｃは、発光素子１００ｂに配されている。例えば、基板１の主面１３に対する正射影において、発光素子１００の領域は、発光素子１００に配されるカラーフィルタ１２１の領域と同一であってもよい。

導電層１２が、上部電極５と同電位であることを上述したが、導電層１２の電位は、上部電極５と同電位であることに限られることはない。例えば、導電層１２は、フローティング状態であってもよい。また、例えば、導電層１２は所定の電源に接続され、電源から導電層１２に所定の電位が供給されていてもよい。具体的には、以下の電位の関係であれば、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制する効果が発現される。

導電層１２の電位は、下部電極２が陽極、上部電極５が陰極の場合、下部電極２よりも低く設定される。つまり、導電層１２の電位をＶ、下部電極２の電位をＶ_Ｄとした場合に、
Ｖ ＜ Ｖ_Ｄ ・・・ （１）
の関係であってもよい。それによって、上部電極５に対する下部電極２の電位差よりも、上部電極５に対する導電層１２の電位差が小さくなる。結果として、有機層４０のうち絶縁層３の傾斜部３４、３５上に配された部分における電界強度が、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５とのリーク電流を抑制する方向に改善する。

また、導電層１２の電位は、下部電極２が陰極、上部電極５が陽極の場合、下部電極２よりも高く設定される。つまり、導電層１２の電位をＶ、下部電極２の電位をＶ_Ｄとした場合に、
Ｖ ＞ Ｖ_Ｄ ・・・ （２）
の関係であってもよい。それによって、上部電極５に対する下部電極２の電位差よりも、上部電極５に対する導電層１２の電位差が大きくなる。結果として、有機層４０のうち絶縁層３の傾斜部３４、３５上に配された部分における電界強度が、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５とのリーク電流を抑制する方向に改善する。

導電層１２の電位と上部電極５の電位との差が、導電層１２の電位と下部電極２の電位との差よりも小さくてもよい。それによって、上部電極５と導電層１２との間に印加される電界強度が小さくなりうる。例えば、導電層１２の電位と上部電極５の電位との差が、１Ｖ以下であってもよい。さらに、上述のように、導電層１２の電位と上部電極５の電位とが同電位であってもよい。

有機層４０は、上述のようにそれぞれ発光層を有する複数の機能層４１、４３を備え、機能層４１と機能層４３との間（機能層４１に配された発光層と機能層４３に配された発光層との間）に電荷発生層４２を有していてもよい。有機層４０に掛かる方向Ｂの電界は、電荷発生層４２における電荷分離を促進し、電荷が発生する。傾斜部３４、３５の上に形成された層厚の薄い有機層４０に多くの電荷がある場合、電荷が薄い有機層４０を通じて、電荷再結合せずに対向電極まで流れてしまう。つまり、電荷発生層４２を備える有機層４０は、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流源となってしまう。つまり、上述の傾斜部３４、３５と導電層１２とを備える構成は、複数の機能層４１、４３と電荷発生層４２とを備える有機層４０に対して、特に効果が大きくなりうる。

図３に示される構成は、有機層４０に対して基板１とは反対側に光を取り出すトップエミッション型の発光装置１０を示している。しかしながら、基板１の側に光を取り出すボトムエミッション型の発光装置においても、有機層４０に対して基板１の側の電極を下部電極２、基板１とは反対側の電極を上部電極５と考えることができる。つまり、ボトムエミッション型の発光装置においても、傾斜部３４、３５および導電層１２を配することによって、上述と同様の効果を得ることができる。

比較例として、図４に示されるような断面を備える、導電層１２を有していない発光装置１９を考える。発光装置１９において、発光素子１００ａを発光させるために、下部電極２と上部電極５との間に電位差を与えると、有機層４０のうち傾斜部３４や傾斜部３５の上に配された部分にも方向Ｂの電界が印加されてしまう。この電界によって、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が増加しやすくなってしまう。上述のように導電層１２を配することによって、発光素子１００間のクロストークを抑制しつつ、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制することができる。

図３を参照して、本実施形態の発光装置１０の構成についてさらに説明する。導電層１２は、絶縁層３よりも基板１の側、基板１の主面１３と絶縁層３との間に配されている。より具体的には、導電層１２は、絶縁層３と絶縁層３０との間に配されている。有機層４０と導電層１２との間に絶縁層３が配されることによって、導電層１２と有機層４０とが接していない。それによって、有機層４０から導電層１２へリーク電流が流れることを抑制することができ、発光装置１０における発光効率の低下を抑制することができる。

絶縁層３の表面に配される傾斜部３４、３５は、下部電極２（発光領域１０１）の周囲に沿って、下部電極２（発光領域１０１）を取り囲むように配されていてもよい。例えば、図２に示される導電層１２の上に、傾斜部３４、３５が配されていてもよい。それによって、発光素子１００間のクロストーク電流を効果的に抑制することが可能になりうる。例えば、図２、３に示されるように、絶縁層３の表面には、複数の下部電極２のそれぞれを取り囲むように溝３６が設けられており、傾斜部３４、３５が、溝３６の側壁を構成していてもよい。溝３６は、図２、３に示されるように、導電層１２の上に配されていてもよい。溝３６の一部として、傾斜部３４と傾斜部３５とのような対向した傾斜がある場合、有機層４０を成膜する際の有機化合物粒子が、一方の傾斜部を有する絶縁層３に阻害され、他方の傾斜部へ到達し難くなる。それによって、電荷発生層４２が薄膜化されうる。結果として、発光素子１００間のクロストーク電流が抑制されうる。

傾斜部３４、３５を含む溝３６が配される場合、図３に示されるように、電荷発生層４２の一部が、溝３６に没入していてもよい。つまり、電荷発生層４２の少なくとも一部が、溝３６の開口の上端よりも下方（基板１の側）に配されていてもよい。それによって、電荷発生層４２が薄膜化しやすくなる。

溝３６の深さは、例えば、下部電極２の厚みよりも深くてもよい。それによって、電荷発生層４２が溝３６に没入し、電荷発生層４２が薄膜化しやすくなる。一方、溝３６の深さは、下部電極２の厚みよりも浅くてもよい。それによって、有機層４０が薄膜化し過ぎることなく、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が抑制されうる。発光素子１００間のクロストーク電流と、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流と、の特性に応じて、溝３６の深さは、適宜、設定されればよい。

本実施形態において、下部電極２は透光性を備え、下部電極の下方に光学調整層として機能する絶縁層３０を有し、絶縁層３０と基板１の主面１３との間に反射層１０２が配される。それぞれの発光素子１００から発せられる色に応じて、光学調整層として機能する絶縁層３０の厚みを調整する。それによって、有機層４０が複数の発光素子１００にまたがる共通の層である場合においても、それぞれの発光素子１００の発光効率を高めることができる。発光素子１００の発光色に応じて厚みが異なる絶縁層３０を用いる場合、絶縁層３の上面に傾斜部３４、３５以外にも傾斜した部分が配されやすくなる。そのため、傾斜部３４、３５以外の部分おいても有機層４０が薄膜化しやすく、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が流れやすくなってしまう。したがって、上述の傾斜部３４、３５および導電層１２を配する効果が大きくなる。

下部電極２の端部は、電蝕抑制層１０３の開口部の端部と、発光領域１０１の端部の間に配置されていてもよい。それによって、電蝕抑制層１０３の端部の形状を反映してできる、絶縁層３の傾斜部での電界強度を小さくすることができる。結果として、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制することができる。

次に、傾斜部３４、３５の傾斜角についての知見を得るための、蒸着法による成膜シミュレーションについて説明する。図５は、蒸着シミュレーションにおける各部材の配置図である。有機層４０の蒸着源２０１、基板１、基板１に配された発光素子１００の位置関係を、それぞれ図５に示されるように設定した。ここで、Ｒ＝２００ｍｍ、ｒ＝９５ｍｍ、ｈ＝３４０ｍｍである。

以下の式（３）で表される、蒸着分布を示すＮをＮ＝２とした。
Φ＝Φ_０ＣＯＳ^ＮＡ ・・・ （３）
ここで、Ａは、発光素子１００における傾斜の角度、Φは、角度Ａにおける蒸気流密度、Φ_０はＡ＝０における蒸気流密度である。また、基板１は、図５に示されるように、基板１の中心を軸として回転することを前提とした。

基板１上の発光素子１００の位置に、傾斜角０°～９０°の傾斜部３４、３５がある場合を仮定し、傾斜角０°における有機層の層厚を７６ｎｍとした際の、各傾斜角における、傾斜部３４、３５の上に成膜される有機層４０の層厚を計算した。

図６は、蒸着シミュレーションの結果を示す。図６に示される結果から、傾斜角が５０°以上の場合、傾斜部３４、３５の上に形成される有機層４０の層厚が薄くなりやすい。一方、傾斜角が５０°よりも小さい場合、傾斜部３４、３５の上に形成される有機層４０の層厚は厚くなりやすいことがわかる。したがって、傾斜部３４、３５の基板１の主面１３に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であってもよい。また、傾斜角の上限は特になく、例えば、傾斜部３４、３５が逆テーパー状であってもよい。例えば、傾斜部３４、３５の基板１の主面１３に平行な仮想面に対する角度は、５０°以上かつ１８０°未満であってもよい。それによって、電荷発生層４２を薄膜化することが可能であり、発光素子１００間のクロストーク電流を抑制することができる。

発光素子１００の発光領域１０１間の距離（発光素子１００が配されるピッチ）は、例えば、１０μｍ以内であってもよく、さらに、５μｍ以内であってもよい。このような高精細な画素配列に際して、発光素子１００間のクロストーク電流が大きくなりやすい。そのため、上述した傾斜部３４、３５および導電層１２を配する効果が大きくなりうる。

ここで、本実施形態の発光装置１０を画像形成装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図７（ａ）、７（ｂ）～図１５（ａ）、１５（ｂ）を用いて説明する。上述のように、発光装置１０の表示領域３０００に配された発光素子１００には、例えば、有機ＥＬ素子などの有機発光素子が配されているとして説明する。また、発光素子１００は、以下では画素、副画素とも呼ばれうる。まず、上述の発光装置１０のうち表示領域３０００に配される各構成の詳細を示した後に、応用例を説明する。

有機発光素子の構成
有機発光素子は、基板の上に、絶縁層、第１電極、有機化合物層、第２電極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズなどが設けられていてもよい。カラーフィルタを設ける場合には、保護層とカラーフィルタとの間に平坦化層が設けられていてもよい。平坦化層は、アクリル樹脂などを用いて構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。

基板
基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属などが挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線パターンなどが備わり、その上に絶縁層が備わっていてもよい。絶縁層は、第１電極と基板との間に配線パターンが形成可能なように、コンタクトホールが形成可能で、かつ、接続しない配線パターンとの絶縁が確保できれば、材料は問わない。例えば、絶縁層には、ポリイミドなどの樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどが用いられてもよい。

電極
電極として、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極とであってもよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料として、仕事関数が大きい材料が選択されてもよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステンなどの金属単体やこれらを含む混合物、あるいは、これらを組み合わせた合金、また、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウムなどの金属酸化物が使用できる。また、陽極の構成材料として、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性ポリマも使用できる。

これらの電極物質は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は１層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

電極を反射電極として用いる場合には、例えば、クロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、またはこれらの合金、これらを積層したものなどを用いることができる。上記の材料にて、電極としての役割を有さない、反射膜として機能することも可能である。また、電極として透明電極を用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料として、仕事関数が小さな材料が選択されてもよい。例えば、リチウムなどのアルカリ金属、カルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、チタン、マンガン、銀、鉛、クロムなどの金属単体やこれらを含む混合物が挙げられる。あるいは、これら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀などが使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用して使用してもよい。また、陰極は、１層構成でもよく、多層構成でもよい。陰極として、銀が用いられてもよく、銀の凝集を低減するため、銀合金としてもよい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀：他の金属が、１：１、３：１などであってもよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流または交流スパッタリング法などを用いると、形成される膜のカバレッジがよく、陰極の抵抗が小さくなりうる。

画素分離層
画素分離層は、化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成された窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）などの所謂シリコン酸化物で形成されてもよい。有機化合物層の面内方向の抵抗を上げるために、有機化合物層の膜厚、特に正孔輸送層は、画素分離層の側壁において薄く成膜されてもよい。具体的には、画素分離層の側壁のテーパー角や画素分離層の膜厚を大きくし、蒸着時のケラレを増加させることによって、側壁の有機加工物層の膜厚を薄く成膜することができる。

一方で、画素分離層は、その上に形成される保護層に空隙が形成されない程度に、画素分離層の側壁テーパー角や画素分離層の膜厚が調整されうる。保護層に空隙が形成されないことによって、保護層に欠陥が発生することを低減できる。保護層の欠陥の発生が低減されるため、ダークスポットの発生や、第２電極の導通不良の発生などの信頼性低下が低減されうる。

本実施形態によれば、画素分離層の側壁のテーパー角が急峻でなくとも、隣接画素への電荷漏れを効果的に抑制することが可能になる。本検討の結果、テーパー角が６０度以上かつ９０度以下の範囲であれば十分低減できることが分かった。画素分離層の膜厚は１０ｎｍ以上から１５０ｎｍ以下であってもよい。また、画素分離層を有さない画素電極のみで構成されていても同様の効果が得られる。ただし、この場合の画素電極の膜厚は、有機層の半分以下するか、画素電極端部を６０°未満の順テーパーにすることによって、有機発光素子の短絡が低減できる。

また、第１電極を陰極、第２電極を陽極とした場合についても電子輸送性材料および電荷輸送層、および、電荷輸送層上に発光層を形成することで高色域と低電圧駆動が可能になる。

有機化合物層
有機化合物層は、単層で形成されてもよいし、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などと呼ばれてもよい。有機化合物層は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子や無機化合物を含んでいてもよい。有機化合物層は、例えば、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛などを有してよい。有機化合物層は、第１電極と第２電極との間に配されていてもよく、第１電極および第２電極に接して配されていてもよい。

保護層
陰極の上に、保護層が設けられてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水分などの浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態として、陰極上に窒化シリコンなどのパッシベーション層を設け、有機化合物層に対する水分などの浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化シリコンを形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法を用いた保護層の成膜の後に、原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いた保護層が設けられてもよい。ＡＬＤ法による保護層の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどであってもよい。ＡＬＤ法で形成した保護層の上に、さらにＣＶＤ法で窒化シリコンを形成してよい。ＡＬＤ法で形成した保護層は、ＣＶＤ法で形成した保護層よりも小さい膜厚であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法で形成した保護層の膜厚は、ＣＶＤ法で形成した保護層の膜厚の５０％以下、さらには、１０％以下であってもよい。

カラーフィルタ
保護層の上にカラーフィルタが設けられていてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、カラーフィルタが形成された基板と有機発光素子を設けた基板とが貼り合わされてもよい。また、例えば、上述した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されていてもよい。

平坦化層
カラーフィルタと保護層との間に平坦化層が配されていてもよい。平坦化層は、平坦化層よりも下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよい。凹凸の低減を考慮し、平坦化層に、高分子の有機化合物が用いられてもよい。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよい。その場合に、それぞれの平坦化層の構成材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが、平坦化層の材料として挙げられる。

マイクロレンズ
有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズなどの光学部材を有していてもよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などで構成されうる。マイクロレンズは、有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてもよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。

マイクロレンズは凸部を有する第１面と、第１面と反対の第２面を有する。第２面が第１面よりも機能層（発光層）側に配されうる。このような構成を取るためには、発光装置上にマイクロレンズを形成する必要がある。機能層が有機層の場合には、マイクロレンズの製造工程において高温になるプロセスは避けてもよい。また、第２面が第１面よりも機能層側に配されている構成を取る場合には、有機層を構成する有機化合物のガラス転移温度がすべて１００℃以上であってもよく、例えば、１３０℃以上であることが適している。

対向基板
平坦化層の上に、対向基板が配されていてもよい。対向基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってもよい。対向基板は、前述の基板を第１基板とした場合、第２基板であってよい。

有機層
本開示の実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成されてもよい。

本開示の実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマなどのドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法など）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法などによって層を形成すると、結晶化などが起こり難く、経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダ樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

上記バインダ樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、これらバインダ樹脂は、ホモポリマまたは共重合体として１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を併用してもよい。

画素回路
発光装置は、発光素子に接続されている画素回路を有してよい。画素回路は、第１発光素子、第２発光素子をそれぞれ独立に発光制御するアクティブマトリックス型であってよい。アクティブマトリックス型の回路は電圧プログラミングであっても、電流プログラミングであってもよい。駆動回路は、画素毎に画素回路を有する。画素回路は、発光素子、発光素子の発光輝度を制御するトランジスタ、発光タイミングを制御するトランジスタ、発光輝度を制御するトランジスタのゲート電圧を保持する容量、発光素子を介さずにＧＮＤに接続するためのトランジスタを有してよい。

発光装置は、表示領域と、表示領域の周囲に配されている周辺領域とを有する。表示領域には画素回路を有し、周辺領域には表示制御回路を有する。画素回路を構成するトランジスタの移動度は、表示制御回路を構成するトランジスタの移動度よりも小さくてよい。

画素回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きは、表示制御回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きよりも小さくてよい。電流電圧特性の傾きは、いわゆるＶｇ－Ｉｇ特性により測定できる。

画素回路を構成するトランジスタは、第１発光素子など、発光素子に接続されているトランジスタである。

画素
有機発光装置は、複数の画素を有する。画素は互いに他と異なる色を発光する副画素を有する。副画素は、例えば、それぞれＲＧＢの発光色を有してよい。

画素は、画素開口とも呼ばれる領域が発光する。画素開口は１５μｍ以下であってよく、５μｍ以上であってよい。より具体的には、１１μｍ、９．５μｍ、７．４μｍ、６．４μｍなどであってよい。

副画素間の間隔は、１０μｍ以下であってよく、具体的には、８μｍ、７．４μｍ、６．４μｍであってよい。

画素は、平面図において、公知の配置形態をとりうる。例えば、ストライプ配置、デルタ配置、ペンタイル配置、ベイヤー配置であってよい。副画素の平面図における形状は、公知のいずれの形状をとってもよい。例えば、長方形、ひし形などの四角形、六角形などである。もちろん、正確な図形ではなく、長方形に近い形をしていれば、長方形に含まれる。副画素の形状と、画素配列と、を組み合わせて用いることができる。

本開示の実施形態に係る有機発光素子の用途
本開示の実施形態に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置などの用途がある。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカードなどからの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に、図面を参照しながらさらに説明を行う。図７（ａ）は、上述の表示領域３０００の構成要素である画素の一例である。画素は、副画素８１０（上述の発光素子１００に対応する）を有している。副画素はその発光により、８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂに分けられている。発光色は、発光層から発光される波長で区別されても、副画素から出射する光がカラーフィルタなどによって、選択的透過または色変換が行われてもよい。それぞれの副画素は、層間絶縁層８０１の上に第１電極である反射電極８０２、反射電極８０２の端を覆う絶縁層８０３、第１電極と絶縁層とを覆う有機化合物層８０４、第２電極である透明電極８０５、保護層８０６、カラーフィルタ８０７を有している。

層間絶縁層８０１は、その下層または内部にトランジスタ、容量素子を配されていてもよい。トランジスタと第１電極とは不図示のコンタクトホールなどを介して電気的に接続されていてもよい。

絶縁層８０３は、バンク、画素分離膜とも呼ばれうる。絶縁層８０３は、第１電極の端を覆っており、第１電極を囲って配されている。第１電極のうち絶縁層８０３の配されていない部分が、有機化合物層８０４と接し、発光領域となる。

有機化合物層８０４は、正孔注入層８４１、正孔輸送層８４２、第一発光層８４３、第二発光層８４４、電子輸送層８４５を有する。

第２電極は、透明電極であっても、反射電極であっても、半透過電極であってもよい。

保護層８０６は、有機化合物層に水分が浸透することを低減する。保護層は、一層のように図示されているが、複数層であってよい。層ごとに無機化合物層、有機化合物層があってよい。

カラーフィルタ８０７は、その色により８０７Ｒ、８０７Ｇ、８０７Ｂに分けられる。カラーフィルタは、不図示の平坦化膜上に形成されてよい。また、カラーフィルタ上に不図示の樹脂保護層が配されていてもよい。また、カラーフィルタは、保護層８０６上に形成されてよい。また、カラーフィルタは、ガラス基板などの対向基板上に設けられた後に、貼り合わせられてもよい。

図７（ｂ）の表示装置８００（上述の発光装置１０に対応する）は、有機発光素子８２６とトランジスタの一例としてＴＦＴ８１８とが記載されている。ガラス、シリコンなどの基板８１１とその上部に絶縁層８１２とが設けられている。絶縁層の上には、ＴＦＴ８１８などの能動素子が配されており、能動素子のゲート電極８１３、ゲート絶縁膜８１４、半導体層８１５が配置されている。ＴＦＴ８１８は、他にも半導体層８１５とドレイン電極８１６とソース電極８１７とで構成されている。ＴＦＴ８１８の上部には絶縁膜８１９が設けられている。絶縁膜に設けられたコンタクトホール８２０を介して有機発光素子８２６を構成する陽極８２１とソース電極８１７とが接続されている。

有機発光素子８２６に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図１２（ｂ）に示される態様に限られるものではない。つまり、陽極または陰極のうちいずれか一方とＴＦＴソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。ＴＦＴは、薄膜トランジスタを指す。

図７（ｂ）の表示装置８００では有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層８２２は、複数層であってもよい。陰極８２３の上には有機発光素子の劣化を低減するための第１保護層８２４や第２保護層８２５が設けられている。

図７（ｂ）の表示装置８００ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子として用いてもよい。

また、図７（ｂ）の表示装置８００に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの非単結晶酸化物半導体が挙げられる。なお、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。

図７（ｂ）の表示装置８００に含まれるトランジスタは、シリコン基板などの基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、シリコン基板などの基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

本実施形態に係る有機発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴによって発光輝度が制御され、有機発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。ここで、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、シリコン基板などの基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、シリコン基板上に有機発光素子を設けてもよい。

図８（ａ）～８（ｃ）は、本実施形態の発光装置１０を用いた画像形成装置の一例を表す模式図である。図８（ａ）に示される画像形成装置９２６は、感光体９２７、露光光源９２８、現像部９３１、帯電部９３０、転写器９３２、搬送部９３３（図８（ａ）の構成において、搬送ローラー）、定着器９３５を含む。

露光光源９２８から光９２９が照射され、感光体９２７の表面に静電潜像が形成される。この露光光源９２８に、発光装置１０が適用できる。現像部９３１は、現像剤としてトナーなどを含み、露光された感光体９２７に現像剤を付与する現像器として機能しうる。帯電部９３０は、感光体９２７を帯電させる。転写器９３２は、現像された画像を記録媒体９３４に転写する。搬送部９３３は、記録媒体９３４を搬送する。記録媒体９３４は、例えば、紙やフィルムなどでありうる。定着器９３５は、記録媒体に形成された画像を定着させる。

図８（ｂ）および図８（ｃ）には、露光光源９２８に発光部９３６が長尺状の基板に長手方向に沿って複数配置されている様子を示す模式図である。この発光部９３６に、発光装置１０が適用されうる。つまり、表示領域３０００に配された複数の発光素子１００が、基板の長手方向に沿って配される。方向９３７は、感光体９２７の軸に平行な方向である。この列方向は、感光体９２７が回転する際の軸の方向と同じである。この方向９３７は、感光体９２７の長軸方向と呼ぶこともできる。

図８（ｂ）は、発光部９３６を感光体９２７の長軸方向に沿って配置した形態である。図８（ｃ）は、図８（ｂ）に示される発光部９３６の配置の変形例であり、第１列と第２列とのそれぞれにおいて発光部９３６が列方向に交互に配置されている形態である。第１列と第２列とでは、行方向に異なる位置に発光部９３６が配置されている。第１列には、複数の発光部９３６が間隔をあけて配され、第２列には、第１列の発光部９３６同士の間隙に対応する位置に発光部９３６が配される。また、行方向にも、複数の発光部９３６が間隔をあけて配されている。図８（ｃ）に示される発光部９３６の配置は、例えば、格子状に配置されている状態、千鳥格子に配置されている状態、あるいは、市松模様と言い換えることもできる。

図９は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８を有していてもよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー１００８は、表示装置１０００が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル１００５に、発光装置１０が適用できる。表示パネル１００５として機能する発光装置１０の表示領域３０００に配された発光素子１００は、回路基板１００７に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。

図９に示される表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置（撮像装置とも呼ばれうる。）の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

図１０は、本実施形態の発光装置１０を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。光電変換装置１１００は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。この場合、発光装置１０の表示領域３０００は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。

撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機ＥＬ素子などの有機発光材料を用いた発光素子１００が表示領域３０００に配される発光装置１０が、ビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に用いられてもよい。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置１０は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。

光電変換装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体１１０４内に収容されている光電変換素子（不図示）に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

発光装置１０は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。

図１１は、本実施形態の発光装置１０を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部１２０２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部１２０１に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。

図１２（ａ）、１２（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図１２（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタなどの表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。表示装置１３００は、額縁１３０１と表示部１３０２とを支える土台１３０３を有していてもよい。土台１３０３は、図１２（ａ）の形態に限られない。例えば、額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねていてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図１２（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図１２（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とに、本実施形態の発光装置１０が適用できる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部と第２表示部とで１つの画像を表示してもよい。

図１３は、本実施形態の発光装置１０を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有していてもよい。光源１４０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。光学フィルム１４０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置１４００は、光学フィルム１４０４と光拡散部１４０５との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。

照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２として機能する発光装置１０の表示領域３０００に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置１４００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。

図１４は、本実施形態の発光装置１０を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ１５０１を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置１０は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。

テールランプ１５０１に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。テールランプ１５０１は、テールランプ１５０１として機能する発光装置１０を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、ヘッドアップディスプレイなど透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置１０が用いられてもよい。この場合、発光装置１０が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。

図１５（ａ）、１５（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０のさらなる適用例について説明する。発光装置１０は、例えば、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。

図１５（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態の発光装置１０が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る発光装置１０に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と発光装置１０の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１５（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、発光装置１０が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、発光装置１０からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および発光装置１０に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および発光装置１０の動作を制御する。制御装置１６１２は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザの視線が検出される。

本開示の実施形態に係る発光装置１０は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。

具体的には、発光装置１０は、視線情報に基づいて、ユーザが注視する第１視界領域と、第１視界領域以外の第２視界領域とを決定する。第１視界領域、第２視界領域は、発光装置１０の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。発光装置１０の表示領域において、第１視界領域の表示解像度を第２視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第２視界領域の解像度を第１視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第１表示領域、第１表示領域とは異なる第２表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１表示領域および第２表示領域から優先度が高い領域が決定される。第１表示領域、第２表示領域は、発光装置１０の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第１視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、発光装置１０が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、発光装置１０に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

本明細書の開示は、以下の発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、および、照明装置を含む。

（項目１）
基板の主面の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極の間に配された絶縁層と、前記複数の下部電極および前記絶縁層を覆うように配された少なくとも１層の発光層を含む有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、を含む発光装置であって、
前記絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、
前記複数の下部電極または前記複数の下部電極に電気的に接続された導電部と、前記傾斜部と、の間に導電層がさらに配され、
前記導電層の電位は、
前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、
前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高いことを特徴とする発光装置。

（項目２）
前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、前記導電層の電位と前記複数の下部電極の電位との差よりも小さいことを特徴とする項目１に記載の発光装置。

（項目３）
前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、１Ｖ以下であることを特徴とする項目１または２に記載の発光装置。

（項目４）
前記導電層の電位が、前記上部電極の電位と同じことを特徴とする項目１乃至３の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目５）
前記導電層が、前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする項１乃至４の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目６）
前記導電層が、前記主面と前記絶縁層との間に配されていることを特徴とする項目１乃至５の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目７）
前記導電層が、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように配されていることを特徴とする項目１乃至６の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目８）
前記絶縁層の前記表面には、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように溝が設けられており、
前記傾斜部が、前記溝の側壁を構成していることを特徴とする項目１乃至７の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目９）
前記有機層は、前記発光層として第１発光層および第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配された電荷発生層と、を含むことを特徴とする項目１乃至８の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１０）
前記有機層は、前記発光層として第１発光層および第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配された電荷発生層と、を含み、
前記電荷発生層の一部が、前記溝に没入していることを特徴とする項目８に記載の発光装置。

（項目１１）
前記傾斜部の前記主面に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であることを特徴とする項目１乃至１０の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１２）
前記絶縁層を第１絶縁層として、
前記主面と、前記複数の下部電極および前記第１絶縁層と、の間に第２絶縁層がさらに配され、
前記導電層が、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配されていることを特徴とする項目１乃至１１の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１３）
前記複数の下部電極は、透光性を備え、
前記主面と前記第２絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように複数の反射層が配されていることを特徴とする項目１２に記載の発光装置。

（項目１４）
前記複数の反射層のそれぞれが、前記複数の下部電極のうち対応する下部電極に電気的に接続され、前記導電部の少なくとも一部を構成していることを特徴とする項目１３に記載の発光装置。

（項目１５）
前記複数の下部電極は、第１下部電極と第２下部電極とを含み、
前記複数の反射層は、前記第１下部電極に対応して配された第１反射層と前記第２下部電極に対応して配された第２反射層とを含み、
前記第２絶縁層のうち前記第１下部電極と前記第１反射層との間に配された部分と、前記第２絶縁層のうち前記第２下部電極と前記第２反射層との間に配された部分と、で厚さが異なることを特徴とする項目１３または１４に記載の発光装置。

（項目１６）
前記導電層が、前記複数の下部電極および前記導電部に電気的に接続されていないことを特徴とする項目１乃至１５の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１７）
前記複数の下部電極の下面の一部と、前記導電層の下面のうち少なくとも一部と、が前記主面から同じ高さに配されていることを特徴とする項目１乃至１６の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１８）
前記複数の下部電極の主成分と、前記導電層の主成分と、が同じであることを特徴とする項目１乃至１７の何れか１項目に記載の発光装置。

（項目１９）
項目１乃至１８の何れか１項目に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。

（項目２０）
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示し、かつ、項目１乃至１８の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。

（項目２１）
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目１乃至１８の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。

（項目２２）
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目１乃至１８の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：基板、２：下部電極、３：絶縁層、５：上部電極、１０：発光装置、１２：導電層、１３：主面、３４，３５：傾斜部、４０：有機層

Claims (22)

1. 基板の主面の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極の間に配された絶縁層と、前記複数の下部電極および前記絶縁層を覆うように配された少なくとも１層の発光層を含む有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、を含む発光装置であって、
   前記絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、
   前記複数の下部電極または前記複数の下部電極に電気的に接続された導電部と、前記傾斜部と、の間に導電層がさらに配され、
   前記導電層の電位は、
   前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、
   前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高いことを特徴とする発光装置。
2. 前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、前記導電層の電位と前記複数の下部電極の電位との差よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、１Ｖ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記導電層の電位が、前記上部電極の電位と同じことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. 前記導電層が、前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 前記導電層が、前記主面と前記絶縁層との間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
7. 前記導電層が、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
8. 前記絶縁層の前記表面には、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように溝が設けられており、
   前記傾斜部が、前記溝の側壁を構成していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
9. 前記有機層は、前記発光層として第１発光層および第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配された電荷発生層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
10. 前記有機層は、前記発光層として第１発光層および第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配された電荷発生層と、を含み、
    前記電荷発生層の一部が、前記溝に没入していることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
11. 前記傾斜部の前記主面に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
12. 前記絶縁層を第１絶縁層として、
    前記主面と、前記複数の下部電極および前記第１絶縁層と、の間に第２絶縁層がさらに配され、
    前記導電層が、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
13. 前記複数の下部電極は、透光性を備え、
    前記主面と前記第２絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように複数の反射層が配されていることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記複数の反射層のそれぞれが、前記複数の下部電極のうち対応する下部電極に電気的に接続され、前記導電部の少なくとも一部を構成していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
15. 前記複数の下部電極は、第１下部電極と第２下部電極とを含み、
    前記複数の反射層は、前記第１下部電極に対応して配された第１反射層と前記第２下部電極に対応して配された第２反射層とを含み、
    前記第２絶縁層のうち前記第１下部電極と前記第１反射層との間に配された部分と、前記第２絶縁層のうち前記第２下部電極と前記第２反射層との間に配された部分と、で厚さが異なることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
16. 前記導電層が、前記複数の下部電極および前記導電部に電気的に接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
17. 前記複数の下部電極の下面の一部と、前記導電層の下面のうち少なくとも一部と、が前記主面から同じ高さに配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
18. 前記複数の下部電極の主成分と、前記導電層の主成分と、が同じであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
19. 請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
20. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示し、かつ、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
21. 表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
22. 光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
    前記光源は、請求項１乃至１８の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。

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