JP2023179068A - 半導体装置、表示装置、撮像装置、電子機器および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光学的な機能を有する半導体装置において、マイクロレンズ上の反射防止膜の光学特性を考慮して、ボンディングパッドを保護した半導体装置を提供できる。【解決手段】半導体装置は、機能素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、前記端子領域に形成される接続端子と、前記機能素子よりも、光入射側または光出射側に配された反射防止膜と、前記接続端子の表面に、２０ｎｍ以下の厚さで形成される保護膜と、を有し、前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なることを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、表示装置、撮像装置、電子機器および画像形成装置に関する。

半導体装置の表面には、電気的導通を取るためのアルミニウム（Ａｌ）あるいはＡｌ合金で形成されたボンディングパッドが露出している。露出したボンディングパッドはボンディングパッド上のフッ素成分に起因するコロージョンおよびガルバニック腐食などの問題が生じやすい。特許文献１には、ボンディングパッドの腐食を防止するため、無機絶縁材料により保護層を形成する技術が開示されている。

特開２００９－２７２４９４号公報

特許文献１では、無機絶縁材料によりボンディングパッドの保護層が形成されるが、光学的な機能を有する半導体装置についての記載がなく、マイクロレンズ上の反射防止膜の光学特性と、ボンディングパッドの保護との両立は考慮されていない。

そこで、本発明は、光学的な機能を有する半導体装置において、マイクロレンズ上の反射防止膜の光学特性を考慮して、ボンディングパッドを保護した半導体装置を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、
機能素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、
前記端子領域に形成される接続端子と、
前記機能素子よりも、光入射側または光出射側に配された反射防止膜と、
前記接続端子の表面に、２０ｎｍ以下の厚さで形成される保護膜と、
を有し、
前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なる
ことを特徴とする。

本発明によれば、光学的な機能を有する半導体装置において、マイクロレンズ上の反射防止膜の光学特性を考慮して、ボンディングパッドを保護した半導体装置を提供できる。

半導体装置の一例を説明する模式図である。 半導体装置の製造方法を説明する断面模式図である。 半導体装置の製造方法を説明する断面模式図である。 半導体装置の製造方法を説明する断面模式図である。 半導体装置の製造方法を説明する断面模式図である。 実施形態２に係る表示装置を示す模式図である。 実施形態２に係る撮像装置および電子機器を示す模式図である。 実施形態２に係る表示装置を示す模式図である。 実施形態２に係る照明装置および移動体を示す模式図である。 実施形態２に係るウェアラブルデバイスを示す模式図である。 実施形態２に係る画像形成装置を示す模式図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。

＜実施形態１＞
図１（ａ）および図１（ｂ）は、半導体装置２００の一例を説明する模式図である。図１（ａ）は、半導体装置２００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体装置２００のＸ－Ｘ断面図である。

半導体装置２００は、素子基板１００、パッシベーション膜１０２、下部平坦化膜１０３、カラーフィルタ２０３、上部平坦化膜１０７、マイクロレンズ１０８、および反射防止膜１０９を有する。また、半導体装置２００は、ボンディングパッド１０１（接続端子）および保護膜１１１を有し、ボンディングパッド１０１上に開口部１１０が形成されている。以下の説明では、半導体装置２００の反射防止膜１０９が形成されている側を上側、素子基板１００が形成されている側を下側とし、各部材の上側の面は上面、下側の面は下面と記載される。

半導体装置２００は、複数の有機発光素子（機能素子）が配された画素領域２０１、およびボンディングパッド１０１が形成される外部接続端子領域２０２（端子領域）を有する。本実施形態の半導体装置２００は、例えば撮像装置または表示装置に用いることができる。半導体装置２００が撮像装置に用いられる場合、素子基板１００は撮像素子基板であり、画素領域２０１には撮像素子が配される。また、半導体装置２００が表示装置に用いられる場合、素子基板１００は表示素子基板であり、画素領域２０１には発光素子が配される。外部接続端子領域２０２は、素子基板１００上で画素領域２０１とは異なる位置に配される。

素子基板１００は、半導体基板、トランジスタ、金属配線、絶縁部材等を有する。半導体基板の材料としては、例えばシリコンを用いることができる。半導体基板の代わりにガラス基板またはプラスチック基板が用いられてもよい。金属配線の材料としてはＡｌ、Ｃｕ等の金属を用いることができる。絶縁層への金属拡散を抑制するため、絶縁部材と配線構造との界面に、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ等のバリアメタルが設けられてもよい。ボンディングパッド１０１の材料としては、例えばＡｌまたはＡｌＣｕなどのＡｌ合金が用いられる。ボンディングパッド１０１は、素子基板１００の上に形成される。

パッシベーション膜１０２の材料としては、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの無機材料が用いられる。パッシベーション膜１０２は、素子基板１００の上に形成され、単層構造を有していてもよく、異なる組成の複数の膜からなる積層構造を有していてもよい。パッシベーション膜１０２の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

下部平坦化膜１０３の材料としては、例えば有機材料が用いられる。下部平坦化膜１０３は、パッシベーション膜１０２の上面のうち少なくとも画素領域２０１に形成され、カラーフィルタ２０３の下側に形成される。下部平坦化膜１０３の膜厚は、例えば１ｎｍ以
上１００μｍ以下とすることができる。パッシベーション膜１０２の表面が平坦で、カラーフィルタ２０３とパッシベーション膜１０２との密着性があれば、下部平坦化膜１０３は省略してもよい。

カラーフィルタ２０３は、例えば、緑フィルタ１０４、赤フィルタ１０５、または青フィルタ１０６の３種類からなる。カラーフィルタ２０３の材料としては、顔料系材料、染料系材料等の有機材料が用いられる。カラーフィルタ２０３は、下部平坦化膜１０３の上面のうち少なくとも画素領域２０１に形成される。緑フィルタ１０４、赤フィルタ１０５、および青フィルタ１０６は、それぞれ緑、赤、および青の透過率が他の色よりも高いフィルタである。例えば緑フィルタ１０４は、主に緑色の光を透過する。

カラーフィルタ２０３の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上１００μｍ以下とすることができる。各色のフィルタ（緑フィルタ１０４、赤フィルタ１０５、青フィルタ１０６）の膜厚は同じであっても異なってもよい。１つの色のフィルタと、これに対応するマイクロレンズ１０８とを含む発光部（有機発光素子）の平面形状（垂直方向から見た場合の形状）は、正方形または六角形であってもよく、その他の形状でもよい。発光部の形状が多角形の場合、対辺間の距離は、例えば１００ｎｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

図１（ａ）は、画素領域２０１で、緑フィルタ１０４と赤フィルタ１０５とが交互に配置される列、緑フィルタ１０４と青フィルタ１０６とが交互に配置される列が、行方向に交互に配列されている例を示す。画素領域２０１でのカラーフィルタ２０３の配置は、これに限られず、図１（ｂ）に示すように、各行において緑フィルタ１０４、赤フィルタ１０５、青フィルタ１０６の順に繰り返し配置されてもよい。このように、カラーフィルタ２０３は、半導体装置２００の用途に応じて、画素領域２０１に任意に配置することが可能である。

上部平坦化膜１０７の材料としては、例えば有機材料が用いられる。上部平坦化膜１０７は、カラーフィルタ２０３層の上面のうち少なくとも画素領域２０１に形成される。上部平坦化膜１０７の膜厚は例えば１ｎｍ以上１００μｍ以下とすることができる。カラーフィルタ２０３の上面が平坦であれば、マイクロレンズ１０８の下に形成される上部平坦化膜１０７は省略してもよい。

マイクロレンズ１０８の材料としては、例えば有機材料が用いられる。マイクロレンズ１０８は、上部平坦化膜１０７の上面のうち少なくとも画素領域２０１に形成される。マイクロレンズ１０８の高さは半導体装置２００の構造によって異なり、例えば１００ｎｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

反射防止膜１０９の材料としては、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの無機材料が用いられる。反射防止膜１０９は、有機発光素子（機能素子）よりも、光入射側または光出射側に配され、マイクロレンズ１０８の上面のうち少なくとも画素領域２０１にマイクロレンズ１０８を覆うように形成される。反射防止膜１０９の膜厚は、半導体装置２００の用途および構造により決定される。反射防止膜１０９の膜厚は、反射を防止する光の波長および反射防止膜１０９の屈折率に応じて決定することができ、例えば３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができる。

ボンディングパッド１０１上の開口部１１０は、ボンディングパッド１０１の上に形成された反射防止膜１０９、上部平坦化膜１０７、下部平坦化膜１０３、パッシベーション膜１０２のエッチングにより形成される。開口部１１０は、ボンディングパッド１０１上に形成される他の配線層間膜を含む各層をエッチングすることにより形成されてもよい。開口部１１０の開口幅は例えば５μｍ以上１ｍｍ以下とすることができる。

保護膜１１１は、ボンディングパッド１０１の表面（上面）に形成される。保護膜１１１の材料としては、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの無機材料が用いられる。保護膜１１１は、ワイヤボンディング時に突き破ることができる厚さで形成される。保護膜１１１がワイヤボンディングによって突き破られるため、ボンディングパッド１０１は、ワイヤボンディングの前に露出させなくてもよい。ボンディングパッド１０１を保護膜１１１で覆い、露出させないようにすることで、コロージョンを低減する効果が得られる。

保護膜１１１は、ワイヤボンディングによって突き破ることができる厚さにするため、０ｎｍよりも厚く２０ｎｍ以下の厚みで形成される。また、保護膜として機能させるため、保護膜１１１の厚さは、８ｎｍ以上であることが好ましい。

開口部１１０は、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングにより形成される。ドライエッチングに使用されるガスはフッ素成分を含んでおり、開口部１１０にはフッ素成分が残留する。

光学的な機能を有する半導体装置２００は、カラーフィルタ２０３およびマイクロレンズ１０８のような有機材料を用いた光学的な構造を有する。有機材料は無機材料と比較して耐熱性や薬液耐性が低いため、ボンディングパッド１０１に残留するフッ素成分は、高温のアッシングまたは薬液処理によって除去することが難しい。このため、光学的な機能を有する半導体装置２００では、残留したフッ素成分に起因してボンディングパッド１０１にコロージョンが生じ、ワイヤボンディングの接合に問題が生じたり、ボンディングパッドの信頼性が低下したりするおそれがある。

本実施形態では、ボンディングパッド１０１上に保護膜１１１を形成し、ボンディングパッド１０１の上面を保護膜１１１で覆うことで、ボンディングパッド１０１上のフッ素成分に水分が吸着することによるコロージョンの発生を低減することが可能になる。

反射防止膜１０９の膜厚は、反射防止機能を損なわないようにするという光学的な観点から決定されるのに対し、保護膜１１１の膜厚は、ワイヤボンディング時に突き破ることができるかという観点から決定される。反射防止膜１０９と保護膜１１１とを異なる膜厚とすることで、反射防止膜１０９は反射防止機能を実現し、保護膜１１１はボンディングパッド１０１を保護することができる。保護膜１１１の厚さは、反射防止膜１０９の厚さよりも小さくすることが好ましい。

図２Ａ～図２Ｄを参照して、半導体装置２００の製造方法について説明する。図２Ａは、ボンディングパッド１０１上に開口部１１０を形成する前の半導体装置２００の断面図である。素子基板１００上には、ボンディングパッド１０１およびパッシベーション膜１０２が形成される。下部平坦化膜１０３は例えばスピンコート法により形成される。

緑フィルタ１０４、赤フィルタ１０５および青フィルタ１０６などのカラーフィルタ２０３は、感光性を有する材料が使用される場合、例えばフォトリソグラフィにより形成することができる。また、カラーフィルタ２０３は、色ごとに、スピンコート法で塗布したフィルタ材料に対してレジスト材料をフォトリソグラフィによりパターニングし、レジスト材料をマスクとして、エッチングにより形成することができる。上部平坦化膜１０７は、例えばスピンコート法により形成される。

マイクロレンズ１０８は、露光および現像プロセスにより形成することができる。具体的には、マイクロレンズ１０８の材料からなる膜（フォトレジスト膜）を形成し、連続的
な階調変化を有するマスクを用いて、フォトレジスト膜の露光および現像を行う。マイクロレンズ１０８は、例えば露光装置の解像度以下の遮光膜からなるドットの密度分布を変化させることで、結像面に連続した階調変化を有する光照射を可能とする面積階調マスクを用いたフォトリソグラフィで形成することができる。

マイクロレンズ１０８の形状は、露光および現像プロセスで形成したマイクロレンズ１０８に対して、エッチバックを行うことにより調整することが可能である。また、マイクロレンズ１０８の材料を塗布・露光現像し、リフロー工程を経てマイクロレンズ形状に形成することも可能である。反射防止膜１０９は、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を用いて形成される。

図２Ｂは、ボンディングパッド１０１上に開口部１１０が形成された半導体装置２００の断面図である。開口部１１０は、例えば、レジスト材料をフォトリソグラフィによりパターニングし、ドライエッチングによりボンディングパッド１０１上の反射防止膜１０９、上部平坦化膜１０７、下部平坦化膜１０３、パッシベーション膜１０２を除去することで形成される。

ドライエッチングは、フッ素を含むエッチングガスを使用して、プラズマエッチング装置により行われる。図２Ｂは、レジスト材料のフォトリソグラフィおよびドライエッチングを２回繰り返すことで、反射防止膜１０９、上部平坦化膜１０７および下部平坦化膜１０３の除去と、パッシベーション膜１０２の除去とを分けて実行した例を示す。なお、開口部１１０を形成するためのフォトリソグラフィおよびドライエッチングの回数は、２回に限られず、１回であっても３回以上であってもよい。

フォトリソグラフィおよびドライエッチングの回数を減らした場合、工程が減るためコストは削減される。ただし、回数を減らした場合、一度にエッチングする膜厚が大きくなりフォトレジスト（レジスト材料）もエッチングされる可能性がある。このため、フォトレジストをより厚い膜にしたり、ドライエッチングの選択比（フォトレジストおよびボンディングパッド１０１に対するエッチング対象層の選択性）をより高くしたりすることが好ましい。

また、フォトリソグラフィおよびドライエッチングの回数を増やした場合、１工程あたりのエッチング量は減少し、フォトレジストがエッチングされるリスクは低下する。したがって、フォトレジストはより薄い膜とすることができ、ドライエッチングの選択比等の条件の自由度が広がる。

図２Ｃは、保護膜１１１が形成された半導体装置２００の断面図である。保護膜１１１は、例えば半導体装置２００の全面をスパッタリングし、反射防止膜１０９を構成する成膜材料の粒子を弾き出して膜厚を目減りさせつつ、弾き出された粒子をボンディングパッド１０１上へ再付着させることで形成することができる。すなわち、スパッタリングにより、反射防止膜１０９の表面から、酸化シリコン等の成膜材料の粒子（ターゲット原子／分子）が放出され、放出された粒子がボンディングパッド１０１上に付着することで保護膜１１１が形成される。また、保護膜１１１は、反射防止膜１０９とつながって形成される。上述の方法を用いることで、反射防止膜１０９と保護膜１１１との厚みが異なる半導体装置２００を製造する工程数は減らすことが可能である。

反射防止膜１０９をスパッタリングすることにより、反射防止膜１０９の膜厚はわずかに減少するため、反射防止膜１０９は、所望の厚みに減少分の厚みを加えた厚さに成膜しておくことが望ましい。スパッタリングは、例えばプラズマエッチング装置を用いて行うことができる。スパッタリングに用いられるガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）などである
。また、スパッタリングに用いられるガスに水素（Ｈ）を含むガスを添加することで、ボンディングパッド１０１上に残留するフッ素成分は、還元されて除去することができる。

図２Ｄは、ワイヤボンディングをした後の半導体装置２００の断面図である。ワイヤボンディングは、保護膜１１１がボンディングパッド１０１の上に形成された状態で行われる。ワイヤボンディングによって保護膜１１１が突き破られることで、ボンディングパッド１０１は、ボンディングボール１１２と電気的に導通する。保護膜１１１の膜厚がワイヤボンディングで突き破ることのできる厚みを超えると、ワイヤボンディングの条件設定に制約が生じるため、保護膜１１１の膜厚は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

ここで、半導体装置２００の画素領域２０１に配置される複数の有機発光素子の具体的な構成例について説明する。なお、有機発光素子のマイクロレンズの上面には、反射防止膜１０９が形成される。また、複数の有機発光素子が配列された半導体装置２００の外部接続端子領域２０２には、ボンディングパッド１０１が形成され、ボンディングパッド１０１は、反射防止膜１０９に対するスパッタリングによって形成される保護膜１１１で覆われる。

［有機発光素子の構成］
有機発光素子は、基板の上に形成される、絶縁層、陽極、有機化合物層、陰極を有する。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層とカラーフィルタとの間に平坦化層を設けてよい。カラーフィルタとマイクロレンズとの間にも、平坦化層を設けてよい。平坦化層の材料としてはアクリル樹脂等が挙げられる。

［基板］
基板の材料としては、例えば、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子および配線が備えられてもよく、それらの上側に絶縁層が備えられてもよい。絶縁層は、陽極と配線との導通を確保するためにコンタクトホールが形成され、接続しない配線との絶縁を確保できればよく、絶縁層の材料は問わない。絶縁層の材料としては、例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

［電極］
電極としては、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料は、陰極の構成材料と比較して仕事関数がより大きい材料が好ましい。陽極の構成材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体、これらを含む混合物、またはこれらを組み合わせた合金を使用することができる。また、陽極の構成材料としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用されてもよい。さらに、陽極の構成材料としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーを使用することができる。これらの電極物質は１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

反射電極として用いる場合、電極の構成材料としては、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、これらの合金、またはこれらを積層したものな
どを用いることができる。これらの材料を用いることで、電極は、電極としての役割を有しない、反射膜として機能することも可能である。

透明電極として用いる場合、電極の構成材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

陰極の構成材料は、陽極の構成材料と比較して仕事関数がより小さな材料が好ましい。陰極の構成材料としては、例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物を使用することができる。陰極の構成材料としては、上記の金属単体を組み合わせた合金、例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀等も使用することができる。陰極の構成材料としては、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。

これらの電極物質は１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。陰極には、銀を用いることが好ましく、銀の凝集を低減するため、銀合金を用いることがさらに好ましい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀と他の金属との合金の比率は、１：１、３：１等であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法は、特に限定されないが、直流および交流スパッタリング法などを用いることで、膜の被覆性（カバレッジ）が向上し、抵抗を下げやすくなる。

［画素分離層］
画素分離層は、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いて形成されたシリコン窒化物（ＳｉＮ）膜、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）膜、シリコン酸化物（ＳｉＯ）膜などで形成される。有機化合物層の面内方向の抵抗を上げるために、有機化合物層の膜厚、特に正孔輸送層は、画素分離層の側壁においてより薄く成膜されることが好ましい。具体的には、画素分離層の側壁のテーパー角や画素分離層の膜厚を大きくし、蒸着時のケラレを増加させることにより、側壁の膜厚をより薄く成膜することができる。

画素分離層は、上側に形成される保護層に空隙が形成されない程度に、画素分離層の側壁テーパー角や画素分離層の膜厚を調整することが好ましい。保護層に空隙が形成されないため、保護層に欠陥が発生することを低減できる。保護層での欠陥の発生が低減されるため、ダークスポットの発生、第二電極の導通不良の発生などの信頼性低下を低減することができる。

画素分離層の側壁のテーパー角が急峻でなくとも、隣接画素への電荷漏れを効果的に抑制することが可能になる。テーパー角が６０度以上９０度以下の範囲であれば、隣接画素への電荷漏れを十分低減できる。画素分離層の膜厚は１０ｎｍ以上から１５０ｎｍ以下であることが望ましい。また、画素分離層を有さない画素電極のみで構成されていても同様の効果が得られる。ただし、この場合画素電極の膜厚は有機化合物層の半分以下とするか、画素電極端部を６０°未満の順テーパーにすることが有機発光素子の短絡が低減できるので好ましい。

［有機化合物層］
有機化合物層は、単層で形成されても、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、と呼ばれてよい。有機化合物層は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子、無機化合物を含んでいてもよい。例えば、有機化合物層は、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛等を含んでもよい。有機化合物層は、陽極と陰極との間に配置されてよく、陽極および陰極に接して配されてよい。

［保護層］
陰極の上側に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入が抑制され、表示不良の発生を低減することができる。また、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設けることで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。ＡＬＤ法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってよい。ＡＬＤ法で形成した膜の上に、さらにＣＶＤ法で窒化ケイ素を形成してよい。ＡＬＤ法による膜は、ＣＶＤ法で形成した膜よりも小さい膜厚であってよい。具体的には、５０％以下、さらには１０％以下であってよい。

［カラーフィルタ］
保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを設けた別の基板と、有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。

［平坦化層］
カラーフィルタと保護層との間に平坦化層が形成されてもよい。平坦化層は、下側の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は、有機化合物で構成されてよく、使用される有機化合物は、低分子であっても高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、それぞれの材料は同じであっても異なってもよい。平坦化層の材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。

［マイクロレンズ］
半導体装置２００の一形態としての有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線
分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。

マイクロレンズは凸部を有する第一面と、第一面と反対の第二面を有する。第二面が第一面よりも機能層側に配されていることが好ましい。このような構成を取るためには、有機発光装置上にマイクロレンズを形成する必要がある。機能層が有機化合物層の場合には、製造工程において高温になるプロセスは避ける方が好ましい。また、第二面が第一面よりも機能層側に配されている構成を取る場合には、有機化合物層を構成する有機化合物のガラス転移温度はすべて１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましい。

［対向基板］
平坦化層の上には、対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と対向する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の材料は、基板の材料と同じであってよい。

［有機化合物層］
有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いて形成することができる。また、ドライプロセスに代えて、有機化合物層は、適切な溶媒に材料を溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いて形成することもできる。

真空蒸着法または溶液塗布法等によって有機化合物層を形成すると、結晶化等が起こりにくく、有機化合物層は経時安定性に優れる。溶液塗布法で成膜する場合、有機化合物層は、適切なバインダー樹脂と組み合わせて膜が形成されてもよい。

バインダー樹脂は、例えば、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等であるが、これらに限定されない。

バインダー樹脂は、ホモポリマーまたは共重合体として１種類を単独で使用した樹脂であってもよいし、２種類以上を混合して使用した樹脂であってもよい。バインダー樹脂には、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤が併用されてもよい。

［画素回路］
有機発光装置は、有機発光素子に接続されている画素回路を有してよい。画素回路は、第１の発光素子、第２の発光素子をそれぞれ独立に発光制御するアクティブマトリックス型であってよい。アクティブマトリックス型の回路は、電圧プログラミングであっても、電流プログラミングであってもよい。画素回路は、有機発光素子ごとに設けられても良い。画素回路は、有機発光素子、有機発光素子の発光輝度を制御するトランジスタ、発光タイミングを制御するトランジスタ、発光輝度を制御するトランジスタのゲート電圧を保持する容量、有機発光素子を介さずにＧＮＤに接続するためのトランジスタを有してよい。

有機発光装置は、表示領域と、表示領域の周囲に配されている周辺領域とを有する。表示領域には画素回路を有し、周辺領域には表示制御回路を有する。画素回路を構成するトランジスタの移動度は、表示制御回路を構成するトランジスタの移動度よりも小さくてよ
い。

画素回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きは、表示制御回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きよりも小さくてよい。電流電圧特性の傾きは、いわゆるＶｇ－Ｉｇ特性により測定できる。画素回路を構成するトランジスタは、第１の発光素子など、発光素子に接続されているトランジスタである。

［画素］
有機発光装置は、複数の画素を有する。画素は互いに他と異なる色を発光する副画素を有する。副画素は、例えば、それぞれＲＧＢの発光色を有してよい。

画素は、画素開口とも呼ばれる領域が、発光する。画素開口は１５μｍ以下であってよく、５μｍ以上であってよい。より具体的には、１１μｍ、９．５μｍ、７．４μｍ、６．４μｍ等であってよい。副画素間は、１０μｍ以下であってよく、具体的には、８μｍ、７．４μｍ、６．４μｍであってよい。

画素は、平面図において、公知の配置形態を取りうる。例えば、画素の配置形態は、ストライプ配置、デルタ配置、ペンタイル配置、ベイヤー配置であってよい。副画素の平面図における形状は、公知のいずれの形状をとってもよく、例えば、長方形、ひし形等の四角形、六角形、等である。正確な図形ではなくてもよく、例えば、長方形に近い形は、長方形に含まれる。上記の副画素の形状と画素配列とは、組み合わせて用いることができる。

［有機発光素子の用途］
本実施形態に係る有機発光素子は、表示装置または照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、有機発光素子は、電子写真方式の画像形成装置の露光光源、液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等に用いられる。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部、および入力された画像情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像情報を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

表示装置は、撮像装置またはインクジェットプリンタが有する表示部に用いられ、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

上記の実施形態１によれば、半導体装置２００のマイクロレンズ１０８の上面には、反射防止膜１０９が形成される。また、半導体装置２００の外部接続端子領域２０２には、ボンディングパッド１０１が形成され、ボンディングパッド１０１は、反射防止膜１０９に対するスパッタリングによって形成される保護膜１１１で覆われる。反射防止膜１０９は、反射を防止したい光の波長および反射防止膜１０９の屈折率に基づいて決定される厚みを有する。また、保護膜１１１は、ボンディングパッド１０１にワイヤを接続する際に破られる厚みで形成される。このように、反射防止膜１０９と保護膜１１１との厚みが異なるようにすることで、半導体装置２００は、マイクロレンズ上の反射防止膜の光学特性（反射防止特性）と、ボンディングパッドの保護とを両立させることができる。

＜実施形態２＞
実施形態２では、実施形態１に係る半導体装置２００を各種装置に適用した例を説明する。

図３は、本実施形態に係る表示装置の一例である表示装置１０００を示す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と下部カバー１００９との間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。

表示パネル１００５は、実施形態１に係る半導体装置２００を有する表示部であり、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う。タッチパネル１００３および表示パネル１００５には、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２，１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタを含む制御回路がプリントされており、表示パネル１００５の制御などの各種制御を行う。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。表示装置１０００は、赤色、緑色、青色にそれぞれ対応する３種類のカラーフィルタを有してよい。複数のカラーフィルタは、デルタ配列で配置されてよい。

表示装置１０００は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示装置１０００は、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報（撮像素子が撮像した画像など）を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどであってよい。

図４（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例である撮像装置１１００を示す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置（実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報は、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。背面ディスプレイ１１０２も、本実施形態に係る表示装置を有してよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間であるため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、応答速度が速い有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が要求される装置において、液晶表示装置などよりも好適に用いることができる。

撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に光を結像する。複数のレンズは、それらの相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置１１００は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、記録されている画像の一部を切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。

図４（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例である電子機器１２００を示す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３とを有する。表示部１２０１は、実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う。電子機器１２００は、筐体１２０３に、回路、
当該回路を有するプリント基板、バッテリー、外部と通信する通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等が挙げられる。

図５は、本実施形態に係る表示装置の一例である表示装置１３００を示す模式図である。表示装置１３００は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１と、表示部１３０２と、額縁１３０１および表示部１３０２を支える土台１３０３とを有する。表示部１３０２は、実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う。土台１３０３の形態は、図５（ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図５（ｂ）は、本実施形態に係る別の表示装置の一例である表示装置１３１０を示す模式図である。表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成された、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とのそれぞれは、実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれに異なる画像を表示してもよいし、第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とで１つの画像を表示してもよい。

図６（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例である照明装置１４００を示す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源１４０２は、実施形態１に係る半導体装置２００を有する。光学フィルム１４０４は光源１４０２の演色性を向上させるフィルタ（光学フィルタ）であってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップ等、光源１４０２の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルム１４０４、光拡散部１４０５は、照明装置１４００の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他の色（青色から赤色までのいずれの色）を発光するものであってよい。白色とは色温度が４２００Ｋの色であり、昼白色とは色温度が５０００Ｋの色である。照明装置１４００は、照明装置１４００の発光色を調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２に接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、照明装置１４００はカラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図６（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車１５００を示す模式図である。自動車１５００は灯具の一例であるテールランプ１５０１を有してよい。テールランプ１５０１は、ブレーキ操作等に応じて点灯する。

テールランプ１５０１は、実施形態１に係る半導体装置２００を有する。テールランプ
１５０１は、半導体装置２００を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３と、車体１５０３に取り付けられている窓１５０２とを有してよい。窓１５０２は、自動車１５００の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。透明なディスプレイは、実施形態１に係る半導体装置２００を有してよい。この場合、半導体装置２００が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は実施形態１に係る半導体装置２００を有する。

本実施形態に係る表示装置（実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）は、例えばスマートグラスやＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスにも適用できる。本実施形態に係る表示装置は、ウェアラブルデバイスなどを有するシステムにも適用できる。ウェアラブルデバイスなどとして使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

図７（ａ）は、本実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例である眼鏡１６００（スマートグラス）を示す模式図である。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態に係る表示装置（実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と上記表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図７（ｂ）は、本実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例である眼鏡１６１０（スマートグラス）を示す模式図である。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、本実施形態に係る表示装置とが搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１に画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。

制御装置は、眼鏡１６１０の装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減部を有することで、表示装置からレンズ１６１１に投影された画像の品位低下が低減される。制御装置は、赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線
検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

なお、視認検知（視線検知）に基づいて表示制御を行う場合には、実施形態１に係る半導体装置２００は、外部を撮像する撮像装置を有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

なお、本実施形態に係る表示装置（実施形態１に係る半導体装置２００を有し、半導体装置２００から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。具体的には、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第１の視界領域と、第１の視界領域以外の第２の視界領域とが決定される。第１の視界領域と第２の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。表示装置の表示領域において、第１の視界領域の表示解像度を第２の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第２の視界領域の解像度を第１の視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第１の表示領域、第１の表示領域とは異なる第２の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１の表示領域および第２の表示領域から優先度が高い領域を決定してもよい。第１の表示領域、第２の表示領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第１の視界領域や優先度が高い領域などの決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。

図８（ａ）は、本実施形態に係る画像形成装置の一例である画像形成装置４０を示す模式図である。画像形成装置４０は、感光体２７、露光光源２８、帯電部３０、現像部３１、転写器３２、搬送ローラー３３、定着器３５を有する。

露光光源２８から光２９が照射され、感光体２７の表面に静電潜像が形成される。実施形態１に係る半導体装置２００は、露光光源２８に適用することができる。現像部３１はトナー等を有し、感光体２７の表面に形成された静電潜像にトナーを付着させる。帯電部３０は感光体２７を帯電させる。転写器３２は現像された画像を記録媒体３４に転写する。搬送ローラー３３は記録媒体３４を搬送する。記録媒体３４は例えば紙である。定着器３５は記録媒体に形成された画像を定着させる。

図８（ｂ）および図８（ｃ）は、長尺状の基板に複数の発光部３６が配置されている露光光源２８を示す模式図である。発光部３６は、実施形態１で説明した有機発光素子を有する。発光部３６は、複数の有機発光素子を有してもよい。実施形態１に係る半導体装置２００を露光光源２８に適用した場合、複数の発光部３６は、画素領域２０１に配置される。露光光源２８の外部接続端子領域２０２に形成されるボンディングパッド１０１（不図示）は、保護膜１１１に覆われることより保護される。

矢印３７は、感光体の軸に平行な方向を示し、発光部３６が配列されている列方向を示
す。矢印３７が示す列方向は、感光体２７が回転する軸と同じ方向であり、感光体２７の長軸方向と呼ぶこともできる。

図８（ｂ）は、感光体２７の長軸方向に沿って、発光部３６を２行に並べて配置した形態の露光光源２８を示す。図８（ｃ）は、図８（ｂ）とは異なる形態の露光光源２８を示す。図８（ｂ）の露光光源２８では、発光部３６は、互いに間隔を開けて４行に並べられる。具体的には、発光部３６は、奇数列では第１行と第３行に配置され、偶数列では第２行と第４行に配置される。図８（ｃ）での発光部３６の配置は、格子状の配置であり、千鳥格子または市松模様の配置と言い換えることもできる。

以上説明した通り、実施形態１に係る半導体装置２００を用いることにより、各種装置は良好な画質で、長時間安定した表示をすることが可能になる。

なお、実施形態２で説明した各種装置の各機能部（構成）は、個別のハードウェアであってもよいし、そうでなくてもよい。２つ以上の機能部の機能が、共通のハードウェアによって実現されてもよい。１つの機能部の複数の機能のそれぞれが、個別のハードウェアによって実現されてもよい。１つの機能部の２つ以上の機能が、共通のハードウェアによって実現されてもよい。また、各機能部は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰなどのハードウェアによって実現されてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、装置が、プロセッサと、制御プログラムが格納されたメモリ（記憶媒体）とを有していてもよい。そして、装置が有する少なくとも一部の機能部の機能が、プロセッサがメモリから制御プログラムを読み出して実行することにより実現されてもよい。

＜その他の実施形態＞
本発明は、上記の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

本実施形態の開示は、以下の構成を含む。
（構成１）
機能素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、
前記端子領域に形成される接続端子と、
前記機能素子よりも、光入射側または光出射側に配された反射防止膜と、
前記接続端子の表面に、２０ｎｍ以下の厚さで形成される保護膜と、
を有し、
前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なる
ことを特徴とする半導体装置。
（構成２）
前記画素領域に形成されるマイクロレンズをさらに有し、
前記反射防止膜が、前記マイクロレンズを覆うように形成される
ことを特徴とする構成１に記載の半導体装置。
（構成３）
前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さよりも小さい
ことを特徴とする構成１または２に記載の半導体装置。
（構成４）
前記保護膜の厚さは、８ｎｍ以上である
ことを特徴とする構成１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成５）
前記反射防止膜の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
ことを特徴とする構成１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成６）
前記反射防止膜および前記保護膜は、酸化シリコンおよび窒化シリコンを含む無機材料で形成される
ことを特徴とする構成１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成７）
前記画素領域に撮像素子が配置される
ことを特徴とする構成１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成８）
前記画素領域に発光素子が配置される
ことを特徴とする構成１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成９）
前記保護膜は、前記反射防止膜をスパッタリングして、前記端子領域に再付着させることにより形成される
ことを特徴とする構成１から８のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成１０）
前記保護膜は、前記接続端子にワイヤを接続する際に破られる厚みを有する
ことを特徴とする構成１から９のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成１１）
前記反射防止膜は、反射を防止したい光の波長および前記反射防止膜の屈折率に基づいて決定される厚みを有する
ことを特徴とする構成１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
（構成１２）
発光素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、
前記端子領域に形成される接続端子と、
前記発光素子よりも光出射側に配された反射防止膜と、
前記接続端子の表面に形成される保護膜と、
を有し、
前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なる
ことを特徴とする発光装置。
（構成１３）
前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さよりも小さい
ことを特徴とする構成１２に記載の発光装置。
（構成１４）
前記画素領域において、前記発光素子よりも光出射側に配されたマイクロレンズをさらに有し、
前記マイクロレンズの光出射側に、前記反射防止膜が配されている
ことを特徴とする構成１２に記載の発光装置。
（構成１５）
前記反射防止膜と、前記保護膜とが、つながって形成されている
ことを特徴とする構成１２に記載の発光装置。
（構成１６）
構成１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する表示部と、
前記表示部を制御する制御回路と
を有することを特徴とする表示装置。
（構成１７）
光学部と、
前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、
前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と
を有し、
前記表示部は、構成１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する
ことを特徴とする撮像装置。
（構成１８）
構成１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する表示部と、
前記表示部が設けられた筐体と、
前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と
を有することを特徴とする電子機器。
（構成１９）
構成１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する光源と、
前記光源に照射され、感光体の表面に形成された静電潜像にトナーを付着させる現像部と、
前記現像部により現像された画像を記録媒体に転写する転写器と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
（構成２０）
請求項１２～１５のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、
前記表示部を制御する制御回路と
を有することを特徴とする表示装置。

１００：素子基板、１０１：ボンディングパッド（接続端子）、１０９：反射防止膜、１１１：保護膜、２００：半導体装置、２０１：画素領域、２０２：外部接続端子領域（端子領域）

Claims (20)

1. 機能素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、
   前記端子領域に形成される接続端子と、
   前記機能素子よりも、光入射側または光出射側に配された反射防止膜と、
   前記接続端子の表面に、２０ｎｍ以下の厚さで形成される保護膜と、
   を有し、
   前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なる
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記画素領域に形成されるマイクロレンズをさらに有し、
   前記反射防止膜が、前記マイクロレンズを覆うように形成される
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さよりも小さい
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記保護膜の厚さは、８ｎｍ以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記反射防止膜の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記反射防止膜および前記保護膜は、酸化シリコンおよび窒化シリコンを含む無機材料で形成される
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記画素領域に撮像素子が配置される
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記画素領域に発光素子が配置される
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
9. 前記保護膜は、前記反射防止膜をスパッタリングして、前記端子領域に再付着させることにより形成される
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
10. 前記保護膜は、前記接続端子にワイヤを接続する際に破られる厚みを有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
11. 前記反射防止膜は、反射を防止したい光の波長および前記反射防止膜の屈折率に基づいて決定される厚みを有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
12. 発光素子が配された画素領域と、前記画素領域と異なる位置に配された端子領域とを有する基板と、
    前記端子領域に形成される接続端子と、
    前記発光素子よりも光出射側に配された反射防止膜と、
    前記接続端子の表面に形成される保護膜と、
    を有し、
    前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さと異なる
    ことを特徴とする発光装置。
13. 前記保護膜の厚さは、前記反射防止膜の厚さよりも小さい
    ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記画素領域において、前記発光素子よりも光出射側に配されたマイクロレンズをさらに有し、
    前記マイクロレンズの光出射側に、前記反射防止膜が配されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
15. 前記反射防止膜と、前記保護膜とが、つながって形成されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
16. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する表示部と、
    前記表示部を制御する制御回路と
    を有することを特徴とする表示装置。
17. 光学部と、
    前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、
    前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と
    を有し、
    前記表示部は、請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する
    ことを特徴とする撮像装置。
18. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する表示部と、
    前記表示部が設けられた筐体と、
    前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と
    を有することを特徴とする電子機器。
19. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体装置を有する光源と、
    前記光源に照射され、感光体の表面に形成された静電潜像にトナーを付着させる現像部と、
    前記現像部により現像された画像を記録媒体に転写する転写器と、
    を有することを特徴とする画像形成装置。
20. 請求項１２～１５のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、
    前記表示部を制御する制御回路と
    を有することを特徴とする表示装置。

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