CN115142124A - 一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备。碳化硅长晶装置包括：长晶炉、坩埚、保温层及加热结构，长晶炉具有彼此相背的第一表面和第二表面，长晶炉设置有自第一表面向第二表面延伸的第一腔室，坩埚设置于长晶炉的第一腔室内，坩埚设置有自第一表面向第二表面延伸的第二腔室，第二腔室内用于盛放原料，保温层覆盖于坩埚朝向长晶炉内表面的表面，保温层对应长晶炉第二表面一端的厚度大于对应长晶炉第一表面一端的厚度，加热结构设置于长晶炉临近第二表面的位置，且部分加热结构位于长晶炉的外侧；其中，坩埚和保温层均采用石墨材料制作而成。

Description

一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备

技术领域

本申请涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备。

背景技术

碳化硅作为第三代半导体材料具有杰出的物理和电子学特性，使得碳化硅具有广阔的应用前景和巨大的商业价值。

常用的碳化硅单晶生长方法为物理气相传输(PVT，physical vaportransport)法。在通过PVT法长晶过程中，通过中频感应加热将电能转化成热能，而在加热时，坩埚放置在磁感线圈中间，且与感应线圈同轴，当线圈加载中频交变电流时，坩埚外表层因集肤效应产生大量热量，其中一部分热量通过热传导机制传递到坩埚内部，而另一部分热量通过热辐射机制耗散到坩埚的外部区域。为减少热量的耗散，通常在坩埚外层增加保温层。

但是，现有保温层的保温效果随着使用时间的延长而降低。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备，技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供一种碳化硅长晶装置，碳化硅长晶装置包括：长晶炉、坩埚、保温层及加热结构，长晶炉具有彼此相背的第一表面和第二表面，长晶炉设置有自第一表面向第二表面延伸的第一腔室，坩埚设置于长晶炉的第一腔室内，坩埚设置有自第一表面向第二表面延伸的第二腔室，第二腔室内用于盛放原料，保温层覆盖于坩埚朝向长晶炉内表面的表面，保温层对应长晶炉第二表面一端的厚度大于对应长晶炉第一表面一端的厚度，加热结构设置于长晶炉临近第二表面的位置，且部分加热结构位于长晶炉的外侧；其中，坩埚和保温层均采用石墨材料制作而成。

制作碳化硅晶体时，通过加热结构对长晶炉、坩埚及保温层进行加热，坩埚内所盛放的原料(碳化硅粉料)结晶生成碳化硅晶体。由于坩埚采用石墨材料制作而成，而石墨材料制作而成的结构具有一定的孔隙率，使得坩埚内的原料(碳化硅粉料)在加热结构的加热下分解成的气体分子，气体分子易经由坩埚上的孔隙扩散到保温层内，从而使得保温层的保温效果变差，但是，由于对应加热结构和未对应加热结构位置的保温层具有温度差，使得保温层内的杂质能够进行物理扩散，由此能够对保温层进行纯化，进而能够确保保温层的保温效果。

本实施例中，通过加热结构对应设置在保温层厚度大的位置，使得对应加热结构和未对应加热结构位置的保温层具有温度差，从而使得保温层内的杂质能够在存在温度差的情况下近乎等效的进行物理扩散，由此能够对保温层进行纯化，进而能够确保保温层的保温效果。

在本申请一些实施例中，长晶炉的第二表面或临近第二表面的位置开设有连通长晶炉内外表面的开口，开口用于向第一腔室内输送第一气体，第一气体包括：氯化氢气体和/或氟氯昂气体。

在本申请一些实施例中，第一气体还包括：惰性气体。

在本申请一些实施例中，惰性气体为氩气。

在本申请一些实施例中，碳化硅长晶装置还可以包括：纯化系统，纯化系统与开口连接，纯化系统用于向开口输送第一气体或接收自开口排出的长晶炉内的第二气体。

在本申请一些实施例中，纯化系统包括：气体管路、气路开关和气体流量计，气体管路的一端和开口连接，气路开关设置于气体管路上，气路开关用于控制气体管路中的气体在流动和不流动之间切换，气体流量计设置于气体管路上，气体流量计位于开口和气路开关之间，气体流量计用于控制气体管路内气体的流量。

在本申请一些实施例中，加热结构包括：磁感线圈和磁感件，磁感线圈的轴向与第一表面向第二表面的方向一致，磁感线圈套设于长晶炉临近第二表面的外侧，磁感件设置于第一腔室内并与磁感线圈对应。

第二方面，本申请实施例提供一种碳化硅长晶方法，应用于第一方面中任一项的碳化硅长晶装置，该方法包括：通过加热结构对长晶炉、坩埚及保温层进行加热，坩埚内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体。

在本申请一些实施例中，通过加热结构对长晶炉、坩埚及保温层进行加热之前还包括：通过长晶炉的开口将长晶炉的第一腔室内抽真空至负压；坩埚内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体之后还包括：通过长晶炉的开口向长晶炉的第一腔室内充入第一气体，通过长晶炉的开口将长晶炉的第一腔室内的第二气体排出，第二气体为第一气体和混在保温层中的杂质反应后的废气。

第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，电子设备包括：处理器、存储器、总线；其中，处理器、存储器通过总线完成相互间的通信，处理器用于调用存储器中的程序指令，以执行第二方面中任一项的方法。

第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质包括：存储的程序；其中，在程序运行时控制存储介质所在设备执行第二方面中任一项的方法。

本申请第二方面提供的装置、第三方面提供的电子设备、第四方面提供的计算机可读存储介质，与第一方面提供的方法具有相同或相似的有益效果。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：

图1为本申请一些实施例提供的碳化硅长晶装置的剖面示意图；

图2为本申请一些实施例提供的碳化硅长晶方法的流程示意图；

图3为本申请另一些实施例提供的碳化硅长晶方法的流程示意图。

附图标号说明：

10-碳化硅长晶装置，11-长晶炉，111-第一表面，112-第二表面，113-第一腔室，114-开口，12-坩埚，121-第二腔室，13-保温层，14-加热结构，141-磁感线圈。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。

第一方面

本申请实施例提供一种碳化硅长晶装置10，参见图1所示，碳化硅长晶装置10包括：长晶炉11、坩埚12、保温层13及加热结构14，长晶炉11具有彼此相背的第一表面111和第二表面112，长晶炉11设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第一腔室113，坩埚12设置于长晶炉11的第一腔室113内，坩埚12设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第二腔室121，第二腔室121内用于盛放原料，保温层13覆盖于坩埚12朝向长晶炉11内表面的表面，保温层13对应长晶炉11第二表面112一端的厚度大于对应长晶炉11第一表面111一端的厚度，加热结构14设置于长晶炉11临近第二表面112的位置，且部分加热结构14位于长晶炉11的外侧；其中，坩埚12和保温层13均采用石墨材料制作而成。

具体来讲，上述中的长晶炉11采用耐高温的材料制作而成，比如：长晶炉11采用石英材料制作而成。长晶炉11设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第一腔室113，也就是说，第一腔室113的延伸方向与第一表面111至第二表面112的方向一致。

上述中的坩埚12设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第二腔室121，也就是说，坩埚12的延伸方向与第一表面111至第二表面112的方向一致。上述中的第二腔室121内用于盛放原料，这里的原料是生长碳化硅结晶的原料，如：碳化硅粉料。上述中的坩埚12采用石墨材料制作而成，而由于石墨材料的价格相对较低，为此能够降低碳化硅长晶装置10的制作成本。

上述中的保温层13覆盖于坩埚12朝向长晶炉11内表面的表面，即坩埚12朝向长晶炉11内表面的全部表面被保温层13所覆盖。上述中的保温层13对应长晶炉11第二表面112一端的厚度大于对应长晶炉11第一表面111一端的厚度，换句话说，保温层13靠近第二表面112的厚度大于保温层13的靠近第一表面111的厚度。上述中的保温层13采用石墨材料制作而成，而由于石墨材料的价格相对较低，为此能够降低碳化硅长晶装置10的制作成本。

上述中的加热结构14设置于长晶炉11临近第二表面112的位置，即加热结构14对应设置在保温层13厚度大的位置，从而使得对应加热结构14和未对应加热结构14位置的保温层13具有温度差。

制作碳化硅晶体时，通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热，坩埚12内所盛放的原料(碳化硅粉料)结晶生成碳化硅晶体。由于坩埚12采用石墨材料制作而成，而石墨材料制作而成的结构具有一定的孔隙率，使得坩埚12内的原料(碳化硅粉料)在加热结构14的加热下分解成的气体分子，气体分子易经由坩埚12上的孔隙扩散到保温层13内，从而使得保温层13的保温效果变差，但是，由于对应加热结构14和未对应加热结构14位置的保温层13具有温度差，使得保温层13内的杂质能够进行物理扩散，由此能够对保温层13进行纯化，进而能够确保保温层13的保温效果。

本实施例中，通过加热结构14对应设置在保温层13厚度大的位置，使得对应加热结构14和未对应加热结构14位置的保温层13具有温度差，从而使得保温层13内的杂质能够在存在温度差的情况下近乎等效的进行物理扩散，由此能够对保温层13进行纯化，进而能够确保保温层13的保温效果。可以理解的是，保温层13纯化后，能够减少杂质的影响，保证长晶环境的高质量，且能够保证长晶工艺的稳定性。

一些实施例中，参见图1所示，长晶炉11的第二表面112或临近第二表面112的位置开设有连通长晶炉11内外表面的开口114，开口114用于向第一腔室113内输送第一气体，第一气体包括：氯化氢气体和/或氟氯昂气体。

具体来讲，上述中的第一气体能够保温层中的杂质反应，且反应后形成的废气能够经由开口114排出，由此能够进一步对保温层13进行纯化，以进一步确保保温层13的保温效果。

一些实施例中，第一气体还包括：惰性气体。通过在长晶炉11的第一腔室113内输入一定量的惰性气体后，能够使长晶炉11的第一腔室113维持在一稳定压强范围内。比如：在通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热之前，通过长晶炉11的开口114向长晶炉11的第一腔室113输入一定量的惰性气体，使长晶炉11的第一腔室113的压强维持在300-600pa，由此能够确保长晶过程的稳定性。

一些实施例中，惰性气体为氩气。这里，惰性气体中，由于氩气的成本低，为此惰性气体优选为氩气，以此来降低碳化硅晶体的制作成本。

一些实施例中，碳化硅长晶装置10还可以包括：纯化系统，纯化系统与开口114连接，纯化系统用于向开口114输送第一气体或接收自开口114排出的长晶炉11内的第二气体。换句话说，纯化系统用于控制某一时间段内是向第一腔室113内输入第一气体还是将第一腔室113内生成的废气排出。这里，特别说明的是，纯化系统内设置有气体过滤系统或纯化系统与外部的气体过滤系统连接，以对废气进行过滤后排放，从而达到排放标准。

一些实施例中，纯化系统包括：气体管路、气路开关及气体流量计，气体管路的一端和开口114连接，气路开关设置于气体管路上，气路开关用于控制气体管路中的气体在流动和不流动之间切换，气体流量计设置于气体管路上，气体流量计位于开口114和气路开关之间，气体流量计用于控制气体管路内气体的流量。

具体来讲，上述中的气体管路内流动的可以是氩气，也可以是氯化氢气体，也可以是氟氯昂气体，也可以是氩气和氯化氢气体的混合气体，也可以是氩气和氟氯昂气体的混合气体，还可以是氩气、氯化氢气体及氯化氢气体的混合气体。上述中的气路开关和气体流量计可以是手动操作，也可以是通过软件控制来操作，此处不做具体限定。

一些实施例中，参见图1所示，加热结构14包括：磁感线圈141和磁感件，磁感线圈141的轴向与第一表面111向第二表面112的方向一致，磁感线圈141套设于长晶炉11临近第二表面112的外侧，磁感件设置于第一腔室内并与磁感线圈141对应。这里，磁感线圈141通电后，磁感件能够发热以对长晶炉11、坩埚12和保温层13进行加热，且由于磁感件位于长晶炉11的第一腔室113内，由此能够更快速的使坩埚12升温，从而能够提升长晶效率。

第二方面

本申请实施例提供一种碳化硅长晶方法，应用于第一方面中任一项所述的碳化硅长晶装置10，参见图1和图2所示，该方法包括：

S101：通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热；

S102：坩埚12内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体。

具体来讲，上述中的通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热，加热时，为了使得加热的更充分，长晶的效果更好，可以通过加热结构14的加热使坩埚12中心的温度维持在2200-2500℃，且碳化硅长晶装置10对应第一表面111的一端和对应第二表面112的一端的之间的温度差为300-500℃。

本实施例中，加热结构14对应设置在保温层13厚度大的位置，使得对应加热结构14和未对应加热结构14位置的保温层13具有温度差，从而使得保温层13内的杂质能够在存在温度差的情况下近乎等效的进行物理扩散，由此能够对保温层13进行纯化，进而能够确保保温层13的保温效果。可以理解的是，保温层13纯化后，能够减少杂质的影响，保证长晶环境的高质量，且能够保证长晶工艺的稳定性。

一些实施例中，参见图1和图3所示，通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热之前还包括：通过长晶炉11的开口114将长晶炉11的第一腔室113内抽真空至负压；坩埚12内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体之后还包括：通过长晶炉11的开口114向长晶炉11的第一腔室113内充入第一气体，通过长晶炉11的开口114将长晶炉11的第一腔室113内的第二气体排出，第二气体为第一气体和混在保温层13中的杂质反应后的废气。

即：

S201：通过长晶炉11的开口114将长晶炉11的第一腔室113内抽真空至负压；

S202：通过加热结构14对长晶炉11、坩埚12及保温层13进行加热；

S203：坩埚12内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体；

S204：通过长晶炉11的开口114向长晶炉11的第一腔室113内充入第一气体；

S205：通过长晶炉11的开口114将长晶炉11的第一腔室113内的第二气体排出，第二气体为第一气体和混在保温层13中的杂质反应后的废气。

具体来讲，上述中的通过长晶炉11的开口114向长晶炉11的第一腔室113内充入第一气体，当第一气体内有氯化氢气体和/或氟氯昂气体时能够对保温层13进行纯化，当第一气体内有惰性气体时，惰性气体可以使长晶炉11的第一腔室113的压强维持300-600pa，以此来确保长晶过程的稳定性。

需要指出的是，以上方法实施例的描述，与第一方面中装置实施例的描述是类似的，具有同装置实施例相似的有益效果。对于本申请方法实施例中未披露的技术细节，请参照本申请装置实施例的描述而理解。

一些具体实施例中，参见图1和图3所示，一种碳化硅长晶装置10包括：

长晶炉11，长晶炉11具有彼此相的第一表面111和第二表面112，长晶炉11设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第一腔室113。长晶炉11的第二表面112开设有连通长晶炉11内外表面的开口114，开口114用于向第一腔室113内输送第一气体，第一气体包括：氯化氢气体和/或氟氯昂气体。第一气体还包括：氩气。

坩埚12，坩埚12设置于长晶炉11的第一腔室113内，坩埚12设置有自第一表面111向第二表面112延伸的第二腔室121，第二腔室121内用于盛放碳化硅粉料。坩埚12采用石墨材料制作而成。

保温层13，保温层13覆盖于坩埚12朝向长晶炉11内表面的表面，保温层13对应长晶炉11第二表面112一端的厚度大于对应长晶炉11第一表面111一端的厚度。保温层13采用石墨材料制作而成。

加热结构14，加热结构14设置于长晶炉11临近第二表面112的位置，且部分加热结构14位于长晶炉11的外侧。加热结构14包括：磁感线圈141和磁感件，磁感线圈141的轴向与第一表面111向第二表面112的方向一致，磁感线圈141套设于长晶炉11临近第二表面112的外侧，磁感件设置于第一腔室内并与磁感线圈141对应。

本实施例中的碳化硅长晶装置10中，石墨材料制作而成的坩埚12和保温层13及坩埚2内的碳化硅粉料通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从碳化硅长晶装置10中排出，形成灰分含量低(5ppmw)、金属含量降到PPB数量级，从而达到半导体晶体生长对石墨品质(或粉体原料)要求的工艺过程。

该碳化硅长晶装置10的使用方法为：

第一步：长晶，通过长晶炉11的开口114将长晶炉11的第一腔室113内抽真空至负压，并上升磁感线圈141的功率以开始加热，且加热后，坩埚12的中心温度维持在2200-2500摄氏度之间，碳化硅长晶装置10对应第一表面111的一端和对应第二表面112的一端的之间的温度差为300-500℃，以使坩埚12内的碳化硅粉料生成碳化硅晶体。

第二步：除杂，经由开口114向长晶炉11的第一腔室113内充入第一气体，第一气体为：氩气和氯化氢气体两者气体，氩气和氟氯昂气体两者气体，或者氩气、氯化氢气体及氟氯昂气体三者气体，且长晶炉11的第一腔室113内的压强维持在300-600pa之间。通入第一气体后生成的废气经由开口114排出。这里，氩气的流量优选为500-1000sccm，氯化氢气体和/或氟氯昂气体的流量为10-20sccm，且氩气、氯化氢气体、氟氯昂气体的纯度均为5N以上。

第三步：冷却，等待5-10小时，降温冷却。

第四步：重复第一步、第二步及第三步的步骤，每重复一次，将会生成新的碳化硅晶体。

实验一：

通过一个全新的碳化硅长晶装置10所生长而成的碳化硅晶体为第一碳化硅晶体。

实验二：

上述方法中的除杂过程中，所用反应气体为氯化氢气体，经由加热结构14的加热使得碳化硅长晶装置10对应第一表面111的一端与对应第二表面112的一端的温度差为500℃。除杂延续5小时后，除杂结束。下一次长晶过程完成后的碳化硅晶体为第二碳化硅晶体，第二碳化硅晶体和第一碳化硅晶体的质量相差不大。

实验三：

上述方法中的除杂过程中，所用反应气体为氟氯昂气体，经由加热结构14的加热使得碳化硅长晶装置10对应第一表面111的一端与对应第二表面112的一端的温度差为500℃。除杂延续5小时后，除杂结束。下一次长晶过程完成后的碳化硅晶体为第三碳化硅晶体，且第三碳化硅晶体和第一碳化硅晶体的质量相差不大。

实验四：

上述方法中的除杂过程中，所用反应气体为氟氯昂和氯化氢气体的混合气体，经由加热结构14的加热使得碳化硅长晶装置10对应第一表面111的一端与对应第二表面112的一端的温度差为500℃。除杂延续3小时后，除杂结束。下一次长晶过程完成后的碳化硅晶体为第四碳化硅晶体，且第四碳化硅晶体和第一碳化硅晶体的质量相差不大。

本实施例中，通过纯化系统的提纯，使得每一次长晶过程中保温层13的保温效果基本保持一致。由此能够减少杂质的影响，保证长晶环境的高质量，且能够保证长晶工艺的稳定性。

第三方面

本申请实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：处理器、存储器、总线；其中，处理器、存储器通过总线完成相互间的通信；处理器用于调用存储器中的程序指令，以执行第二方面中任一项所述的方法。

需要指出的是，以上电子设备实施例的描述，与第二方面中方法实施例的描述是类似的，具有同方法实施例相似的有益效果。对于本申请电子设备实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解。

第四方面

本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，包括：存储的程序；其中，在所述程序运行时控制所述存储介质所在设备执行第二方面中任一项所述的方法。

需要指出的是，以上存储介质实施例的描述，与第二方面中方法实施例的描述是类似的，具有同方法实施例相似的有益效果。对于本申请存储介质实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种碳化硅长晶装置，其特征在于，包括：

长晶炉，所述长晶炉具有彼此相背的第一表面和第二表面，所述长晶炉设置有自所述第一表面向所述第二表面延伸的第一腔室；

坩埚，所述坩埚设置于所述长晶炉的第一腔室内，所述坩埚设置有自所述第一表面向所述第二表面延伸的第二腔室，所述第二腔室内用于盛放原料；

保温层，所述保温层覆盖于所述坩埚朝向所述长晶炉内表面的表面，所述保温层对应所述长晶炉第二表面一端的厚度大于对应所述长晶炉第一表面一端的厚度；

加热结构，所述加热结构设置于所述长晶炉临近所述第二表面的位置，且部分所述加热结构位于所述长晶炉的外侧；

其中，所述坩埚和所述保温层均采用石墨材料制作而成。

2.根据权利要求1所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，

所述长晶炉的第二表面或临近所述第二表面的位置开设有连通所述长晶炉内外表面的开口，所述开口用于向所述第一腔室内输送第一气体，所述第一气体包括：氯化氢气体和/或氟氯昂气体。

3.根据权利要求2所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，

所述第一气体还包括：惰性气体。

4.根据权利要求3所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，

所述惰性气体为氩气。

5.根据权利要求2所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，还包括：

纯化系统，所述纯化系统与所述开口连接，所述纯化系统用于向所述开口输送所述第一气体或接收自所述开口排出的所述长晶炉内的第二气体。

6.根据权利要求5所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，

所述纯化系统包括：

气体管路，所述气体管路的一端和所述开口连接；

气路开关，所述气路开关设置于所述气体管路上，所述气路开关用于控制所述气体管路中的气体在流动和不流动之间切换；

气体流量计，所述气体流量计设置于所述气体管路上，所述气体流量计位于所述开口和所述气路开关之间，所述气体流量计用于控制所述气体管路内气体的流量。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，

所述加热结构包括：磁感线圈和磁感件，所述磁感线圈的轴向与所述第一表面向所述第二表面的方向一致，所述磁感线圈套设于所述长晶炉临近所述第二表面的外侧，所述磁感件设置于所述第一腔室内并与所述磁感线圈对应。

8.一种碳化硅长晶方法，应用于权利要求1至7中任一项所述的碳化硅长晶装置，其特征在于，包括：

通过加热结构对长晶炉、坩埚及保温层进行加热；

所述坩埚内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体。

9.根据权利要求8所述的碳化硅长晶方法，其特征在于，

所述通过加热结构对长晶炉、坩埚及保温层进行加热之前还包括：

通过所述长晶炉的开口将所述长晶炉的第一腔室内抽真空至负压；

所述坩埚内所盛放的原料结晶生成碳化硅晶体之后还包括：

通过所述长晶炉的开口向所述长晶炉的第一腔室内充入第一气体；

通过所述长晶炉的开口将所述长晶炉的第一腔室内的第二气体排出，所述第二气体为所述第一气体和混在所述保温层中的杂质反应后的废气。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器、存储器、总线；

其中，所述处理器、所述存储器通过所述总线完成相互间的通信，所述处理器用于调用所述存储器中的程序指令，以执行如权利要求8或9中任一项所述的方法。

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