CN115087517B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含：平台，用于支承基板；垫保持架，用于保持研磨垫，研磨垫用于研磨被支承在平台的基板；升降机构，用于使垫保持架相对于基板升降；及至少3个定心机构400A、400B、400C，用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位，至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含：被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440，定心构件440包含：旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430向与第1方向相反的第2方向旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本申请关于基板处理装置及基板处理方法。本申请主张根据2020年2月6日申请的日本专利申请号第2020-18824号的优先权。包含日本专利申请号第2020-18824号的说明书、权利要求、附图及摘要的全部公开内容通过参照而整体援引于本申请。
背景技术
在半导体加工工序中所使用的基板处理装置的一种中存在CMP(ChemicalMechanical Polishing，化学机械研磨)装置。CMP装置按照基板的被研磨面所朝向的方向，可大致区分为“面向上式(基板的被研磨面朝上的方式)”与“面向下式(基板的被研磨面朝下的方式)”。
面向上式的CMP装置将基板的被研磨面形成为朝上而设置在平台，并构成为一边使比基板更小径的研磨垫旋转一边使其接触基板而摆动，由此研磨基板。在这样的CMP装置中，将基板设置在平台时将基板定位(定心)在平台的中心。关于基板的定位，在专利文献1中公开了通过使配置在基板的周围的多个定心销抵接于基板的周缘而施加按压力，将基板定位在多个定心销的中心。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008-537316号公报
发明要解决的技术问题
但是，专利文献1所记载的技术并未考虑到具有定向平面或凹口等异形部分的基板未被预对准时的基板的定位精度。
亦即，专利文献1所记载的技术以已被预对准为基板的异形部分成为规定的方向作为前提，对已预对准的基板，使用多个定心销进行定位。因此，若基板未被预对准，有基板的定位偏移的担忧。
发明内容
因此，本申请的目的之一在于使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。
[解决课题的手段]
通过一实施方式，公开一种基板处理装置，其特征在于，包含：平台，该平台用于支承基板；垫保持架，该垫保持架用于保持研磨垫，该研磨垫用于研磨被支承在所述平台的基板；升降机构，该升降机构用于使所述垫保持架相对于所述基板升降；及至少3个定心机构，该定心机构用于向所述平台的中心方向按压被支承于所述平台的基板并进行对位，所述至少3个定心机构分别包含：被配置在所述平台的周围的旋转轴及被安装在所述旋转轴的定心构件，所述定心构件包含：所述旋转轴向第1方向旋转时与所述基板接触的第1接触部、及所述旋转轴向与所述第1方向相反的第2方向旋转时与所述基板接触的第2接触部。
附图说明
图1是概略表示通过一实施方式所得的基板处理装置的整体构成的立体图。
图2是概略表示通过一实施方式所得的基板处理装置的整体构成的平面图。
图3是概略表示通过一实施方式所得的多轴臂的立体图。
图4是概略表示通过一实施方式所得的平台及支承构件的立体图。
图5是概略表示通过一实施方式所得的平台及支承构件的侧视图。
图6是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第1对位及第2对位处，定心构件未按压凹口的情形。
图7是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第1对位处，定心构件按压凹口的情形。
图8是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第2对位处，定心构件按压凹口的情形。
图9是表示通过一实施方式所得的基板处理方法的流程图。
图10是表示通过一实施方式所得的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
以下连同附图一起说明本发明的基板处理装置及基板处理方法的实施方式。在附图中，在相同或类似的要素标注相同或类似的元件符号，且在各实施方式的说明中会有省略关于相同或类似的要素的重复说明的情形。此外，各实施方式中所示的特征只要不会彼此矛盾，亦可适用在其他实施方式。
图1是概略表示通过一实施方式所得的基板处理装置的整体构成的立体图。图2是概略表示通过一实施方式所得的基板处理装置的整体构成的平面图。图1及图2所示的基板处理装置1000具有：平台100、多轴臂200、支承构件300A、300B、定心机构400A、400B、400C、修整器500、膜厚计测器(终点检测器)600、及清洗喷嘴700A、700B。
＜平台＞
平台100是用于支承成为处理对象的基板WF的构件。在一实施方式中，平台100具有支承面100a，用于支承基板WF，构成为可通过未图示的马达等驱动机构来旋转。在支承面100a形成有多个孔102，平台100构成为可经由孔102来真空吸附基板WF。
＜多轴臂＞
图3是概略表示通过一实施方式所得的多轴臂的立体图。如图2及图3所示，多轴臂200是保持用于对被支承在平台100的基板WF进行各种处理的多个处理具的构件，且被配置为邻接于平台100。本实施方式的多轴臂200构成为保持如下构件：用于研磨基板WF的大径的研磨垫222；用于清洗基板WF的清洗具232；用于将基板WF进行精研磨的小径的研磨垫242；及用于计测基板WF的直径的摄影构件(摄影机)252。
具体而言，多轴臂200包含：在相对基板WF呈正交的方向(高度方向)伸长的摆动轴210；旋转驱动摆动轴210的马达等旋转驱动机构212；及被支承在摆动轴210且放射状配置在摆动轴210的周围的第1臂220、第2臂230、第3臂240、及第4臂250。在第1臂220安装有在高度方向伸长的旋转轴224，在旋转轴224的前端安装有垫保持架226。在垫保持架226保持有大径的研磨垫222。垫保持架226可通过例如由空气汽缸等驱动机构构成的升降机构227，相对于基板WF在高度方向作升降。在第2臂230安装有在高度方向伸长的旋转轴234，在旋转轴234的前端安装有清洗具保持具236。在清洗具保持具236保持清洗具232。清洗具保持具236可通过例如由空气汽缸等驱动机构构成的升降机构237，相对于基板WF在高度方向作升降。在第3臂240安装有在高度方向伸长的旋转轴244，在旋转轴244的前端安装有垫保持架246。在垫保持架246保持小径的研磨垫242。垫保持架246可通过例如由空气汽缸等驱动机构构成的升降机构247，相对于基板WF在高度方向作升降。在第4臂250保持摄影构件252。
第1臂220构成为连同研磨垫222进一步保持喷嘴228。喷嘴228构成为夹着研磨垫222而设在研磨垫222的摆动方向的两侧，对基板WF放出研磨液或清洗水。第2臂230构成为连同清洗具232进一步保持雾化器238。雾化器238构成为夹着清洗具232而设在清洗具232的摆动方向的两侧，且对基板WF放出纯水等液体。第3臂240构成为连同研磨垫242进一步保持喷嘴248。喷嘴248构成为夹着研磨垫242而设在研磨垫242的摆动方向的两侧，且对基板WF放出研磨液或清洗水。
如图2所示，在本实施方式中，第1臂220、第2臂230、第3臂240、及第4臂250以平面观察下以逆时针偏移90度而在摆动轴210的周围以放射状伸长。旋转驱动机构212可通过旋转驱动摆动轴210，使大径的研磨垫222、清洗具232、小径的研磨垫242、及摄影构件252的任意一个移动至基板WF上。此外，旋转驱动机构212可通过旋转驱动摆动轴210，使研磨垫222或研磨垫242移动至修整器500上。此外，旋转驱动机构212具有通过以顺时针及逆时针交替旋转驱动摆动轴210，使第1臂220、第2臂230、第3臂240、及第4臂250摆动的摆动机构的功能。具体而言，旋转驱动机构212在研磨垫222、清洗具232、或研磨垫242位于基板WF上的状态下，以顺时针及逆时针交替旋转驱动摆动轴210，由此可使研磨垫222(垫保持架226)、清洗具232(清洗具保持具236)、或研磨垫242(垫保持架246)相对于基板WF摆动。在本实施方式中，示出使研磨垫222、清洗具232、或研磨垫242通过旋转驱动机构212沿基板WF的径向回旋摆动，即沿着圆弧往返运动的例，但不限定于此。例如，也可以具有使研磨垫222、清洗具232、或研磨垫242沿基板的径向直线摆动，亦即沿着直线往返运动的结构。
此外，多轴臂200包含未图示的马达等旋转驱动机构，用于使旋转轴224、234、244旋转，由此，可使研磨垫222、清洗具232、及研磨垫242以旋转轴224、234、244为轴进行旋转。例如当研磨垫222位于基板WF上时，基板处理装置1000构成为使平台100旋转，并且使研磨垫222旋转，且一边通过升降机构227将研磨垫222按压在基板WF，一边通过旋转驱动机构212使研磨垫222摆动，由此进行基板WF的研磨。
＜支承构件＞
如图1及图2所示，基板处理装置1000包含：配置在平台100的外侧的研磨垫222的摆动路径的第1支承构件300A；及夹着平台100而被配置在与第1支承构件300A为相反侧的研磨垫222的摆动路径的第2支承构件300B。第1支承构件300A及第2支承构件300B夹着基板WF形成为线对称。因此，以下将第1支承构件300A及第2支承构件300B总称为支承构件300作说明。此外，以下关于使大径的研磨垫222相对于基板WF摆动时的支承构件300的功能作为一例来进行说明，关于清洗具232或小径的研磨垫242亦同。
支承构件300用于支承通过摆动轴210的旋转而向平台100的外侧摆动的研磨垫222的构件。亦即，基板处理装置1000构成为研磨基板WF时使研磨垫222摆动至飞出至基板WF的外侧(悬伸)为止，由此均匀地研磨基板WF的被研磨面。在此，若使研磨垫222悬伸，因垫保持架226倾斜等各种要因，研磨垫222的压力集中在基板WF的周缘部，会有基板WF的被研磨面未被均匀研磨的担忧。在此，本实施方式的基板处理装置1000将用于支承向基板WF的外侧悬伸的研磨垫222的支承构件300设置于平台100的两侧。
图4是概略表示通过一实施方式所得的平台及支承构件的立体图。图5是概略表示通过一实施方式所得的平台及支承构件的侧视图。如图5所示，第1支承构件300A及第2支承构件300B分别具有：可支承研磨垫222的与基板WF接触的研磨面222a的整体的支承面301a、301b。亦即，支承面301a、301b分别具有比研磨垫222的研磨面222a的面积大的面积，因此即使研磨垫222完全悬伸至基板WF的外侧，研磨面222a的整体仍被支承在支承面301a、301b。由此，在本实施方式中，研磨垫222当在基板WF上摆动时，研磨面222a的整体接触基板WF而被支承，且摆动至平台100的外侧时，研磨面222a的整体亦被支承在支承构件300，因此变成在摆动中不会从基板WF的被研磨面及支承面301a、301b的区域超出。
＜驱动机构＞
如图4及图5所示，基板处理装置1000包含驱动机构310，用于调整支承构件300的高度。驱动机构310可由马达及滚珠螺杆等各种周知机构构成，可将支承构件300(支承面301a及支承面301b)调整为所希望的高度。此外，基板处理装置1000包含驱动机构320，用于通过调整支承构件300的水平方向的位置，亦即沿着被支承在平台100的基板WF的径向的位置，来调整支承构件300相对于基板WF的距离。驱动机构320可由马达及滚珠螺杆等各种机构构成。
驱动机构320可根据通过后述的方法所得的基板WF的直径，调整支承构件300相对于被设置在平台100的基板WF的距离。例如，为了均匀研磨基板WF的被研磨面，以在基板WF与支承构件300之间无间隙为佳。但是，基板WF在研磨处理中伴随平台100的旋转而旋转，另一方面支承构件300不旋转，因此无法使支承构件300接触基板WF的外周部。因此，驱动机构320可根据所得的基板WF的直径，将支承构件300配置在不接触基板WF的外周部的范围内最为接近的位置。此外，驱动机构310、320可与通过后述的膜厚计测器600得到的基板WF的被研磨面的膜厚轮廓对应地，调整支承构件300的高度及水平方向的位置。
＜定心机构及控制部＞
如图1、图2、及图4所示，基板处理装置1000包含至少3个定心机构400A、400B、400C，用于沿平台100的中心方向按压被支承在平台100的基板WF来进行对位。定心机构400A、400B、400C隔着适当的间隔，被配置在平台100的周围。
图6是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第1对位及第2对位处，定心构件未按压凹口的情形。如图6所示，定心机构400A、400B、400C分别包含：沿高度方向伸长的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440。旋转轴430构成为可通过未图示的马达等旋转驱动机构旋转。定心构件440是在与平台100或基板WF为相同的高度位置被安装在旋转轴430的棒状的构件，在旋转轴430的两侧伸长。定心构件440包含：旋转轴430向第1方向(例如顺时针方向)旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430沿与第1方向相反的第2方向(例如逆时针方向)旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。此外，基板处理装置1000包含控制部410，用于使用定心机构400A、400B、400C来执行基板WF的对位。
控制部410在基板WF未被设置在平台100的状态下，进行旋转轴430及定心构件440的初始位置的设定。具体而言，控制部410在基板WF未被设置在平台100的状态下，使旋转轴430向第1方向旋转至第1接触部440a接触平台100的外周为止。控制部410从该状态使旋转轴430向第2方向旋转至第2接触部440b接触平台100的外周为止，且检测旋转轴430向第2方向的旋转角度。控制部410根据检测到的旋转角度，将旋转轴430及定心构件440的旋转范围的中央设定为旋转轴430及定心构件440的初始位置。另外，设定旋转轴430及定心构件440的初始位置时，通过以规定值来限制旋转驱动旋转轴430的马达的输出扭矩的方式，可防止接触到平台100时旋转轴430或定心构件440的破损。
当基板WF被设置在平台100时，控制部410使定心机构400A、400B、400C各自的旋转轴430以相同时序向第1方向旋转而以第1接触部440a按压基板WF。如此一来，3个定心构件440中最接近基板WF的定心构件的第1接触部440a向平台100的中心方向按压基板WF。之后，将剩余的定心构件440的第1接触部440a也依次向平台100的中心方向按压基板WF，结果，基板WF从3个方向被按压向平台100的中心方向。在3个定心构件440的第1接触部440a均等地按压基板WF之处，基板WF被定心而对位于平台100的中心位置。以下将使旋转轴430向第1方向旋转所进行的基板WF的对位称为“第1对位”。
此外，控制部410在进行第1对位之后，使旋转轴430向第2方向旋转而以第2接触部440b按压基板WF，由此将基板WF定心对位于平台100的中心位置。以下将使旋转轴430向第2方向旋转所进行的基板WF的对位称为“第2对位”。
亦即，如图6所示，当考虑在基板WF的外周部有凹口(切口)NC的情形时，若凹口NC不在定心机构400A、400B、400C的附近，定心构件440在第1对位时或第2对位时均未按压凹口NC，则无障碍地进行基板WF的对位。
但是，在本实施方式中，由于基板WF未被预对准，因此凹口NC被配置在随机的位置。由此，若3个定心构件440的任意一个按压凹口NC，基板WF的对位会从平台100的中心偏移。图7是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第1对位处，定心构件按压凹口的情形。在图7所示的例中，由于定心机构400A的定心构件440的第1接触部440a按压凹口NC，因此基板WF会以一点链线450所示由正常对位的位置偏移。因此，在本实施方式中，控制部410成为在进行第1对位之后，进行第2对位。由此，如图7所示，进行第2对位之后，基板WF被正确对位。
另一方面，亦有在第2对位中，基板WF未被正确对位的可能性。图8是概略表示通过一实施方式所得的定心机构的平面图，且表示在第2对位中，定心构件按压凹口的情形。如图8所示，虽已在第1对位中被正常进行对位，但仍有在第2对位中定心构件440按压凹口NC而发生位置偏移的担忧。
因此，本实施方式的控制部410构成为根据进行第1对位时的旋转轴430的旋转角度、及进行第2对位时旋转轴430的旋转角度，判定基板WF的对位的成功与否。具体而言，控制部410比较进行了第1对位时旋转轴430从初始位置的第1旋转角度、与进行了第2对位时旋转轴430从初始位置的第2旋转角度。控制部410构成为当第1旋转角度与第2旋转角度相等时，如图6所示，会认为定心构件440在进行第1对位时或进行第2对位时均未按压到凹口NC，因此判定基板WF的对位成功。
另一方面，控制部410构成为当第2旋转角度小于第1旋转角度时，如图7所示，虽会认为在第1对位中，定心构件440按压到凹口NC而发生了位置偏移，但在第2对位中已被正常进行对位，因此判定基板WF的对位成功。
另一方面，如图8所示，控制部410当第2旋转角度大于第1旋转角度时，虽会认为在第1对位中已被正常进行对位，但在第2对位中，定心构件440按压到凹口NC而发生了位置偏移，因此判定基板WF的对位失败。此时，控制部410在第2对位中，有第2接触部440b的任意一个按压基板WF的凹口NC而基板WF的对位偏移，因此再次通过进行第1对位，将基板WF定心在平台100的中心位置。
本实施方式的定心构件440虽有第1接触部440a及第2接触部440b的任一方按压凹口NC的可能性，但构成为不会让双方按压凹口NC的情形。因此，通过本实施方式，即使在基板WF的外周部有凹口NC的情形下，亦可确实将基板WF对位于平台100的中心位置。在本实施方式中，虽以在基板WF形成有凹口NC的情形为例来进行说明，但在基板WF的外周部形成有定向平面(orientation flat)时亦可同样地确实将基板WF对位于平台100的中心位置。基于以上，通过本实施方式，可使具有异形部分的未被预对准的基板WF的定位精度提升。
＜基板WF的直径计算＞
接着，关于根据基板WF的对位的基板WF的直径的计算进行说明。控制部410构成为根据进行了第1对位时的旋转轴430的旋转角度、及进行了第2对位时的旋转轴430的旋转角度，计算基板WF的直径。具体而言，控制部410包含有参照表格，其将旋转轴430从初始位置的旋转角度、与基板WF的直径建立对应。亦即，基板WF虽具有以规格所设定的规定的尺寸，但实际上在基板WF的直径存在公差(不均)。因此，控制部410根据对例如直径为已知的平台100按压第1接触部440a及第2接触部440b时旋转轴430的第1方向的旋转角度及第2方向的旋转角度，预先作成旋转轴430的旋转角度与基板WF的直径的对应关系的参照表格并保存。控制部410根据所保存的参照表格，通过导出将基板WF对位时旋转轴430的第1方向的旋转角度及第2方向的旋转角度所对应的直径，可计算基板WF的直径。
具体而言，控制部410根据进行第1对位时旋转轴430从初始位置的第1方向的旋转角度与参照表格，计算基板WF的第1直径。之后，控制部410根据进行第2对位时旋转轴430从初始位置的第2方向的旋转角度与参照表格，计算基板WF的第2直径。控制部410如图6所示的例，比较第1直径与第2直径，在两者相等时，认为进行第1对位及第2对位的任意一个时均未按压基板WF的凹口NC，因此将第1直径或第2直径的任意一个输出作为基板WF的直径。
另一方面，在图7所示的例中，因在第1对位中定心构件440按压凹口NC，而如虚线460所示，会计算出小于基板WF的正确直径的直径。因此，控制部410在第2直径大于第1直径时，会认为进行第1对位时按压到基板WF的凹口NC，因此将第2直径输出作为基板WF的直径。
另一方面，如图8所示的例，在第2直径小于第1直径时，因控制部410认为在进行第2对位时按压到基板WF的凹口NC，而将第1直径输出作为基板WF的直径，并且再次进行第1对位。通过本实施方式，控制部410使用在旋转轴430的第1方向的旋转角度及第2方向的旋转角度的中未按压到凹口NC的时的旋转角度，可正确计算基板WF的直径。
＜修整器＞
如图1及图2所示，修整器500配置在研磨垫222、242通过摆动轴210的旋转所得的回旋路径。修整器500在表面牢固电镀有钻石粒子等，用于将研磨垫222、242进行整形(修整)的构件。修整器500构成为通过未图示的马达等旋转驱动机构而旋转。在修整器500的表面可由未图示的喷嘴供给纯水。基板处理装置1000一边从喷嘴将纯水供给至修整器500一边使修整器500旋转，并且一边使研磨垫222、242旋转且按压于修整器500一边使其相对于修整器500摆动。由此，通过修整器500，削薄研磨垫222、242，研磨垫222、242的研磨面被修整。
＜膜厚计测器＞
如图1及图2所示，基板处理装置1000包含膜厚计测器600，该膜厚计测器600用于一边研磨基板WF一边计测基板WF的被研磨面的膜厚轮廓。膜厚计测器600可由涡电流式传感器或光学式传感器等各种传感器构成。如图1所示，沿高度方向伸长的旋转轴610邻接平台100配置。旋转轴610可通过未图示的马达等旋转驱动机构，绕着旋转轴610的轴旋转。在旋转轴610安装有摆动臂620，膜厚计测器600被安装在摆动臂620的前端。膜厚计测器600构成为通过旋转轴610的旋转，绕着旋转轴610的轴回旋摆动。具体而言，膜厚计测器600成为可在基板WF研磨中，通过旋转轴610的旋转，沿着基板WF的径向进行摆动。膜厚计测器600构成为当研磨垫222在基板WF上摆动时，膜厚计测器600从基板WF上摆动至退避的位置，研磨垫222未在基板WF上摆动时，则膜厚计测器600在基板WF上摆动。亦即，膜厚计测器600可在不干扰在基板WF上摆动的研磨垫222的时间点，在基板WF上摆动，可持续性地计测被研磨垫222研磨的基板WF的膜厚轮廓。当计测到的基板WF的膜厚轮廓成为所希望的膜厚轮廓，膜厚计测器600即可检测基板WF的研磨的终点。
＜清洗喷嘴＞
如图1及图2所示，清洗喷嘴700A、700B邻接平台100配置。清洗喷嘴700A构成为朝向平台100与支承构件300A之间的间隙供给纯水等清洗液。由此，可冲洗已进入至平台100与支承构件300A之间的研磨残渣等。清洗喷嘴700B构成为朝向平台100与支承构件300B之间的间隙供给纯水等清洗液。由此，可冲洗已进入至平台100与支承构件300B之间的研磨残渣等。
＜流程图＞
接着，说明通过本实施方式的包含基板WF的对位的基板处理方法的顺序。图9是表示通过一实施方式所得的基板的对位的顺序的流程图。如图9所示，基板处理方法首先通过控制部410，设定定心机构400A、400B、400C的初始位置(初始设定步骤S105)。接着，基板处理方法在平台100设置基板WF(设置步骤S110)。接着，基板处理方法通过控制部410，进行基板WF的第1对位(第1对位步骤S120)。接着，基板处理方法通过控制部410，检测在第1对位步骤S120中旋转轴430距初始位置的第1旋转角度(步骤S130)。接着，基板处理方法通过控制部410，进行基板WF的第2对位(第2对位步骤S140)。接着，基板处理方法通过控制部410，检测在第2对位步骤S140中旋转轴430距初始位置的第2旋转角度(步骤S150)。
接着，基板处理方法通过控制部410，根据进行了第1对位时的旋转轴430的旋转角度、及进行了第2对位时的旋转轴430的旋转角度，判定基板WF的对位的成功与否(判定步骤S160)。具体而言，控制部410比较第1旋转角度与第2旋转角度，在第1旋转角度与第2旋转角度相等时、或在第2旋转角度小于第1旋转角度时，判定基板WF的对位成功(步骤S160，是)，而结束基板WF的对位处理。
另一方面，控制部410在第2旋转角度大于第1旋转角度时，判定基板WF的对位失败(步骤S160，否)。此时，基板处理方法通过控制部410，再次进行第1对位步骤(步骤S170)，且结束基板WF的对位处理。通过本实施方式，可使具有异形部分的未被预对准的基板WF的定位精度提升。
图10是表示通过一实施方式所得的基板的对位及直径的计算的顺序的流程图。如图10所示，基板处理方法首先通过控制部410，设定定心机构400A、400B、400C的初始位置(初始设定步骤S205)。接着，基板处理方法在平台100设置基板WF(设置步骤S210)。接着，基板处理方法通过控制部410来进行基板WF的第1对位(第1对位步骤S220)。接着，基板处理方法通过控制部410，检测在第1对位步骤S220中旋转轴430距初始位置的第1旋转角度(步骤S230)。接着，基板处理方法通过控制部410，根据第1旋转角度与参照表格，计算第1直径(步骤S240)。
接着，基板处理方法通过控制部410，进行基板WF的第2对位(第2对位步骤S250)。接着，基板处理方法通过控制部410，检测在第2对位步骤S250中旋转轴430距初始位置的第2旋转角度(步骤S260)。接着，基板处理方法通过控制部410，根据第2旋转角度与参照表格，计算第2直径(步骤S270)。
接着，基板处理方法通过控制部410，判定第1直径与第2直径是否相等(步骤S280)。基板处理方法在判定出第1直径与第2直径相等时(步骤S280，是)，计算第1直径或第2直径作为基板WF的直径(步骤S282)，且结束处理。另一方面，基板处理方法若判定出第1直径与第2直径为不相等时(步骤S280，否)，通过控制部410，判定是否第2直径大于第1直径(步骤S284)。基板处理方法若判定出第2直径大于第1直径时(步骤S284，是)，计算第2直径作为基板WF的直径(步骤S286)，且结束处理。另一方面，基板处理方法在判定出第2直径小于第1直径时(步骤S284，否)，计算第1直径作为基板WF的直径(步骤S288)，再次进行基板WF的第1对位(步骤S290)，且结束处理。通过本实施方式，可使具有异形部分的未被预对准的基板WF的定位精度提升，并且可正确计算基板WF的直径。
以上说明了若干本发明的实施方式，但上述发明的实施方式用于便于理解本发明，并非限定本发明。本发明可在未脱离其要旨的情形下得以变更、改良，并且在本发明包含其等效物，自不待言。此外，在可解决上述课题的至少一部分的范围、或达成效果的至少一部分的范围中，进行权利要求及说明书所记载的各构成要素的任意组合、或省略。
本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，其特征在于，包含：平台，该平台用于支承基板；垫保持架，该垫保持架用于保持研磨垫，该研磨垫用于研磨被支承在所述平台的基板；升降机构，该升降机构用于使所述垫保持架相对于所述基板升降；及至少3个定心机构，该定心机构用于向所述平台的中心方向按压被支承于所述平台的基板并进行对位，所述至少3个定心机构分别包含：被配置在所述平台的周围的旋转轴及被安装在所述旋转轴的定心构件，所述定心构件包含：所述旋转轴向第1方向旋转时与所述基板接触的第1接触部、及所述旋转轴向与所述第1方向相反的第2方向旋转时与所述基板接触的第2接触部。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，进一步包含控制部，该控制部使所述旋转轴向所述第1方向旋转而以所述第1接触部按压所述基板进行第1对位之后，使所述旋转轴向所述第2方向旋转而以所述第2接触部按压所述基板进行第2对位。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位时的所述旋转轴的旋转角度，来判定所述对位的成功与否。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，比较进行了所述第1对位时的所述旋转轴的距初始位置的第1旋转角度与进行了第2对位时的所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度，在所述第1旋转角度与所述第2旋转角度相等时、或所述第2旋转角度小于所述第1旋转角度时，判定所述对位成功。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，在所述第2旋转角度大于所述第1旋转角度时，判定所述对位失败，并且再次进行所述第1对位。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位时的所述旋转轴的旋转角度，计算所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部包含参照表格，该参照表格将所述旋转轴距初始位置的旋转角度与所述基板的直径建立对应，所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度、与进行了所述第2对位时所述旋转轴距初始位置的第2旋转角度、及所述参照表格，计算所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，根据所述第1旋转角度和所述参照表格，计算第1直径，且根据所述第2旋转角度和所述参照表格，计算第2直径，并比较所述第1直径与所述第2直径，在所述第1直径与所述第2直径相等时，计算所述第1直径或所述第2直径作为所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，在所述第2直径大于所述第1直径时，计算所述第2直径作为所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理装置，所述控制部构成为，在所述第2直径小于所述第1直径时，计算所述第1直径作为所述基板的直径，并且再次进行所述第1对位。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，包含如下步骤：设置步骤，在平台设置基板；及对位步骤，向所述平台的中心方向按压被设置在所述平台的基板并进行对位，所述对位步骤使用至少3个定心机构来进行，该3个定心机构分别包含：被配置在所述平台的周围的旋转轴及被安装在所述旋转轴的定心构件，所述对位步骤还包含如下步骤：第1对位步骤，使所述旋转轴向第1方向旋转而以所述定心构件的第1接触部按压所述基板；及第2对位步骤，在所述第1对位步骤之后，使所述旋转轴向与所述第1方向相反的所述第2方向旋转而以所述定心构件的第2接触部按压所述基板。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，进一步包含判定步骤，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位时的所述旋转轴的旋转角度，判定所述对位的成功与否。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，进一步包含如下步骤：检测进行了所述第1对位时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度的步骤、及检测进行了所述第2对位时所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度的步骤，所述判定步骤比较所述第1旋转角度与所述第2旋转角度，在所述第1旋转角度与所述第2旋转角度相等时、或所述第2旋转角度小于所述第1旋转角度时，判定所述对位成功。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，所述判定步骤在所述第2旋转角度大于所述第1旋转角度时，判定所述对位失败，并且再次进行所述第1对位步骤。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，进一步包含直径计算步骤，根据进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度，计算所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，进一步包含如下步骤：检测进行了所述第1对位时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度的步骤、及检测进行了所述第2对位时的所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度的步骤，在所述直径计算步骤中，根据所述第1旋转角度、所述第2旋转角度、及将所述旋转轴距初始位置的旋转角度与所述基板的直径建立对应的参照表格，计算所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，所述直径计算步骤包含如下步骤：根据所述第1旋转角度和所述参照表格，计算第1直径的步骤；及根据所述第2旋转角度和所述参照表格，计算第2直径的步骤，比较所述第1直径与所述第2直径，在所述第1直径与所述第2直径相等时，计算所述第1直径或所述第2直径作为所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，在所述直径计算步骤中，在所述第2直径大于所述第1直径时，计算所述第2直径作为所述基板的直径。
此外，本申请作为一实施方式，公开一种基板处理方法，在所述直径计算步骤中，在所述第2直径小于所述第1直径时，计算所述第1直径作为所述基板的直径，并且再次进行所述第1对位步骤。
符号说明
100:平台
222:研磨垫
226:垫保持架
227:升降机构
400A,400B,400C:定心机构
410:控制部
430:旋转轴
440:定心构件
440a:第1接触部
440b:第2接触部
1000:基板处理装置
NC:凹口
WF:基板

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包含：
平台，该平台用于支承基板；
垫保持架，该垫保持架用于保持研磨垫，该研磨垫用于研磨被支承在所述平台的基板；
升降机构，该升降机构用于使所述垫保持架相对于所述基板升降；及
至少3个定心机构，该定心机构用于向所述平台的中心方向按压被支承于所述平台的基板并进行对位，
所述至少3个定心机构分别包含：被配置在所述平台的周围的旋转轴、及被安装在所述旋转轴的定心构件，
所述定心构件包含：所述旋转轴向第1方向旋转时与所述基板接触的第1接触部、及所述旋转轴向与所述第1方向相反的第2方向旋转时与所述基板接触的第2接触部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
进一步包含控制部，该控制部使所述旋转轴向所述第1方向旋转而以所述第1接触部按压所述基板进行第1对位之后，使所述旋转轴向所述第2方向旋转而以所述第2接触部按压所述基板进行第2对位。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位时的所述旋转轴的旋转角度，来判定所述对位的成功与否。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，比较进行了所述第1对位时的所述旋转轴的距初始位置的第1旋转角度与进行了所述第2对位时的所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度，在所述第1旋转角度与所述第2旋转角度相等时、或所述第2旋转角度小于所述第1旋转角度时，判定所述对位成功。
5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在进行了所述第2对位时的所述旋转轴距初始位置的第2旋转角度大于进行了所述第1对位时的所述旋转轴距所述初始位置的第1旋转角度时，判定所述对位失败，并且再次进行所述第1对位。
6.如权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位时的所述旋转轴的旋转角度，计算所述基板的直径。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部包含参照表格，该参照表格将所述旋转轴距初始位置的旋转角度与所述基板的直径建立对应，
所述控制部构成为，根据进行了所述第1对位时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度、与进行了所述第2对位时所述旋转轴距初始位置的第2旋转角度、及所述参照表格，计算所述基板的直径。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，根据所述第1旋转角度和所述参照表格，计算第1直径，且根据所述第2旋转角度和所述参照表格，计算第2直径，并比较所述第1直径与所述第2直径，在所述第1直径与所述第2直径相等时，计算所述第1直径或所述第2直径作为所述基板的直径。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在所述第2直径大于所述第1直径时，计算所述第2直径作为所述基板的直径。
10.如权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在所述第2直径小于所述第1直径时，计算所述第1直径作为所述基板的直径，并且再次进行所述第1对位。
11.一种基板处理方法，其特征在于，包含如下步骤：
设置步骤，在平台设置基板；及
对位步骤，向所述平台的中心方向按压被设置在所述平台的基板并进行对位，
所述对位步骤使用至少3个定心机构来进行，该3个定心机构分别包含：被配置在所述平台的周围的旋转轴及被安装在所述旋转轴的定心构件，
所述对位步骤还包含如下步骤：
第1对位步骤，使所述旋转轴向第1方向旋转而以所述定心构件的第1接触部按压所述基板；及
第2对位步骤，在所述第1对位步骤之后，使所述旋转轴向与所述第1方向相反的第2方向旋转而以所述定心构件的第2接触部按压所述基板。
12.如权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
进一步包含判定步骤，根据进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度，判定所述对位的成功与否。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，
进一步包含如下步骤：检测进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度的步骤、及检测进行了所述第2对位步骤时所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度的步骤，
所述判定步骤比较所述第1旋转角度与所述第2旋转角度，在所述第1旋转角度与所述第2旋转角度相等时、或所述第2旋转角度小于所述第1旋转角度时，判定所述对位成功。
14.如权利要求12或13所述的基板处理方法，其特征在于，
所述判定步骤在进行了所述第2对位步骤时的所述旋转轴距初始位置的第2旋转角度大于进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴距所述初始位置的第1旋转角度时，判定所述对位失败，并且再次进行所述第1对位步骤。
15.如权利要求11-13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
进一步包含直径计算步骤，根据进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度、及进行了所述第2对位步骤时的所述旋转轴的旋转角度，计算所述基板的直径。
16.如权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
进一步包含如下步骤：检测进行了所述第1对位步骤时的所述旋转轴距初始位置的第1旋转角度的步骤、及检测进行了所述第2对位步骤时的所述旋转轴距所述初始位置的第2旋转角度的步骤，
在所述直径计算步骤中，根据所述第1旋转角度、所述第2旋转角度、及将所述旋转轴距初始位置的旋转角度与所述基板的直径建立对应的参照表格，计算所述基板的直径。
17.如权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
所述直径计算步骤包含如下步骤：根据所述第1旋转角度和所述参照表格，计算第1直径的步骤；及根据所述第2旋转角度和所述参照表格，计算第2直径的步骤，
比较所述第1直径与所述第2直径，在所述第1直径与所述第2直径相等时，计算所述第1直径或所述第2直径作为所述基板的直径。
18.如权利要求17所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述直径计算步骤中，在所述第2直径大于所述第1直径时，计算所述第2直径作为所述基板的直径。
19.如权利要求17或18所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述直径计算步骤中，在所述第2直径小于所述第1直径时，计算所述第1直径作为所述基板的直径，并且再次进行所述第1对位步骤。
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