CN115050867A - 一种具有前置层的长波长led外延结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有前置层的长波长LED外延结构及制备方法，在衬底上依次生长缓冲层和n‑GaN层后，生长一层InxGa(1‑x)N前置层，然后生长InyGa(1‑y)N/GaN多量子阱层、p‑AlGaN电子阻挡层和p‑GaN层，其中，0<y‑x<0.1。外延生长的InGaN前置层，相对于InGaN/GaN前置量子阱，能够更有效的减小之后生长的多量子阱材料中的应力、极化电场和缺陷密度，能够最大程度实现前置层对多量子阱材料性能的优化，进而实现高性能长波长LED外延片的制造。
Description
技术领域
本发明属于LED技术领域，具体涉及一种具有前置层的长波长LED外延结构及其制备方法。
背景技术
与LCD、OLED等技术相比，GaN基LED因其具有自发光、低功耗，高亮度，高可靠性等诸多优势，引起了人们越来越多的兴趣，基于GaN基LED的半导体显示被认为是21世纪最具发展前景的高新技术领域之一，越来越多的研究人员与厂商投入到GaN基LED的研究中。
RGB法是一种通过分别控制R、G、B三种GaN基LED芯片的发光来实现全彩化显示的方法。由于LED芯片需要在外延时生长高In组分InGaN/GaN多量子阱才能实现长波长发光，而高In组分的InGaN阱层又必定会导致其余GaN势垒之间存在较大的压应力，从而导致长波长发光的高In组分InGaN/GaN多量子阱中产生大量的非辐射复合缺陷，影响外延片的发光特性。因此在制造长波长LED外延片时，需要提高多量子阱的发光性能，减小非辐射复合缺陷、应力等因素对发光的品质有着重要的影响。
RGB法实现GaN基LED的全彩化显示时，外延片质量对发光器件的性能具有直接的影响。现有技术是在高In组分的InGaN/GaN多量子阱材料前，外延生长前置量子阱，来降低多量子阱中的的应力、缺陷密度和极化电场。但这种前置量子阱具有较大的厚度，且工艺可控性差，难以达到需求。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足，提供一种具有前置层的长波长LED外延结构及其制备方法。
为了实现以上目的，本发明的技术方案为：
一种具有前置层的长波长LED外延结构，由下至上包括衬底、缓冲层、n-GaN层、InxGa(1-x)N前置层、InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层和p-GaN层；其中，0<y-x<0.1；所述InxGa(1-x)N前置层的厚度为0.5hc～0.9hc，其中hc为前置层材料的晶格完全弛豫的临界厚度。
可选的，所述hc的计算公式为：
其中，hc表示大量位错释放的临界厚度，f表示薄膜之间的晶格适配度；υ表示材料的泊松常数；b为伯格斯矢量，等于前置层薄膜材料的晶格常数；a(y)表示多量子阱层中InyGa(1-y)N的晶格常数。
可选的，所述y的范围为0.2～0.25，所述LED外延结构处于绿光波段。
可选的，所述y的范围为0.3～0.4，所述LED外延结构处于红光波段。
可选的，所述衬底是蓝宝石衬底，所述缓冲层包括设于衬底上的GaN成核层和设于GaN成核层上的u-GaN层。
一种上述具有前置层的长波长LED外延结构的制作方法，包括以下步骤：
1)于衬底上依次生长缓冲层和n-GaN层；
2)采用MOCVD工艺，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在700-800℃下于n-GaN层上生长InxGa(1-x)N前置层；
3)采用MOCVD工艺，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在InxGa(1-x)N前置层上生长InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层，其中InyGa(1-y)N阱层的生长温度为550-700℃，GaN垒层的生长温度为950℃-1100℃；
4)在InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层上依次生长p-AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。
可选的，根据发光波段计算多量子阱层中InyGa(1-y)N的In组分y，根据y计算InxGa(1-x)N前置层的In组分x以及临界厚度hc，通过临界厚度hc设计InxGa(1-x)N前置层的厚度。
可选的，所述步骤3)中，在所述InxGa(1-x)N前置层上生长5个周期的InyGa(1-y)N/GaN量子阱，其中第一个量子阱以InyGa(1-y)N层开始。
可选的，所述InyGa(1-y)N层的厚度范围为0.5nm-3nm，所述GaN垒层的厚度范围为1nm-8nm。
其中，根据外延片的发光波段，确定InGaN前置层的In组分，避免前置层的发光波段与多量子阱的发光波段重叠。发光波段可以由Vegard公式确认。
在GaN上生长InGaN前置层时，随着前置层外延厚度不断增大，由于应力导致的应变能逐渐积累达到位错的形成能后，前置层材料的晶格将完全弛豫，并释放出大量的位错缺陷。前置层材料的晶格完全弛豫时对应的外延厚度被称为是临界厚度hc，其可以根据多量子阱In组分y的值确定。
本发明的有益效果为：
外延生长的InGaN前置层，相对于InGaN/GaN前置量子阱，能够更有效的减小之后生长的多量子阱材料中的应力、极化电场和缺陷密度。此外，InGaN前置层相比前置量子阱，具有厚度薄、材料单一的优点，因此能够简化外延片的生产工艺，降低生产成本。本文中的InGaN前置层设计方案，能够最大程度实现前置层对多量子阱材料性能的优化，进而实现高性能长波长LED外延片的制造。
附图说明
图1为实施例的LED外延结构的示意图；
图2为实施例在InGaN前置层上生长多量子阱时的晶格结构示意图；
图3为对比例在在InGaN/GaN前置量子阱上生长多量子阱时的晶格结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步解释。本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系以及正面/背面的定义，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。
实施例1
一种绿光LED外延结构，参考图1，由下至上包括蓝宝石衬底1、GaN成核层2、u-GaN层3、n-GaN层4、InxGa(1-x)N前置层5、InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层6、p-AlGaN电子阻挡层7和p-GaN层8。其中In组分y的范围为0.2～0.25，本实施例以0.2为例，设计In组分x＝y-0.1＝0.1。通过计算得到In0.1Ga0.9N前置层5的临界厚度hc为149nm，设计In0.1Ga0.9N前置层5的厚度为74.5nm-134nm。
其制作方法如下：
将蓝宝石衬底在1060℃下热处理10min，再降温至530℃，进行氮化处理后在1030℃下依次生长GaN成核层和u-GaN层作为缓冲层，再生长n-GaN层，形成第一模板。n-GaN层厚度可以是1μm-3μm，掺杂浓度可以是1017cm-3-1020cm-3。
将第一模板放到MOCVD反应室中，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在700-800℃下，生长厚度为74.5nm-134nm的In0.1Ga0.9N前置层。
在In0.1Ga0.9N前置层之后，生长高In组分的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层。其中In0.2Ga0.8N阱层的生长温度范围为550-700℃，GaN垒层的生长温度为1030℃。具体，生长5个周期的多量子阱层，其中第一个量子阱以In0.2Ga0.8N层开始生长。In0.2Ga0.8N阱层的厚度范围为0.5nm-3nm，GaN垒层的厚度范围为1nm-8nm。
通入TMAl和TMGa和NH3为Ga、Al、N源，在900-1000℃生长温度下，在In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱上生长掺杂有受主的AlGaN电子阻挡层。最后在1030℃下生长p-GaN层。制造成具有量子阱前置层的绿光LED外延片。
实施例2
一种红光LED外延结构，参考图1，由下至上包括蓝宝石衬底1、GaN成核层2、u-GaN层3、n-GaN层4、InxGa(1-x)N前置层5、InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层6、p-AlGaN电子阻挡层7和p-GaN层8。其中In组分y的范围为0.3～0.4，本实施例以0.35为例，设计In组分x＝y-0.1＝0.25。通过计算得到In0.25Ga0.75N前置层5的临界厚度hc为14.7nm，设计In0.25Ga0.75N前置层5的厚度为7.4nm-13.2nm。
其制作方法如下：
将蓝宝石衬底在1060℃下热处理10min，再降温至530℃，进行氮化处理后在1030℃下依次生长GaN成核层和u-GaN层作为缓冲层，再生长n-GaN层，形成第一模板。n-GaN层厚度可以是1μm-3μm，掺杂浓度可以是1017cm-3-1020cm-3。
将第一模板放到MOCVD反应室中，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在700-800℃下，生长厚度为7.4nm-13.2nm的In0.25Ga0.75N前置层。
在In0.25Ga0.75N前置层之后，生长高In组分的In0.35Ga0.65N/GaN多量子阱层。其中In0.35Ga0.65N阱层的生长温度范围为550-700℃，GaN垒层的生长温度为1030℃。具体，生长5个周期的多量子阱层，其中第一个量子阱以In0.35Ga0.65N层开始生长。In0.35Ga0.65N阱层的厚度范围为0.5nm-3nm，GaN垒层的厚度范围为1nm-8nm。
通入TMAl和TMGa和NH3为Ga、Al、N源，在900-1000℃生长温度下，在In0.35Ga0.65N/GaN多量子阱上生长掺杂有受主的AlGaN电子阻挡层。最后在1030℃下生长p-GaN层。制造成具有量子阱前置层的红光LED外延片。
对比例
对比例与实施例1的差别在于，不采用InGaN前置层而是采用常规InGaN/GaN前置量子阱。
参考图2-图3，在InGaN/GaN前置量子阱上生长多量子阱时的晶格结构和在InGaN前置层上生长多量子阱时的晶格结构可见：InGaN/GaN前置量子阱由于GaN垒层的存在，晶格弛豫较差；而InGaN前置层的晶格则正常弛豫。对InGaN前置层的厚度进行设计，从最大程度上使得InGaN前置层的晶格常数接近多量子阱层的晶格常数，这减小了多量子阱层晶格与前置层之间的晶格失配，提高了多量子阱材料的质量。
InGaN前置层相对InGaN/GaN前置量子阱，厚度薄、工艺简单，且由于前置层相对GaN和前置量子阱层，晶格弛豫更显著，因此与多量子阱之间的晶格失配度更小，更小的应力也减少了非辐射复合缺陷的产生，因此对多量子阱的优化作用更加显著。不同的InGaN前置层结构对多量子阱的优化作用效果也存在很大的区别。本发明对InGaN前置层的厚度进行了设计，能够实现最大程度的减小多量子阱受到的压应力和极化电场，并降低其中的位错缺陷密度，从最大程度上优化外延片的发光特性。
上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种具有前置层的长波长LED外延结构及其制备方法，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。
Claims (9)
1.一种具有前置层的长波长LED外延结构，其特征在于：由下至上包括衬底、缓冲层、n-GaN层、InxGa(1-x)N前置层、InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层和p-GaN层；其中，0<y-x<0.1；所述InxGa(1-x)N前置层的厚度为0.5hc～0.9hc，其中hc为前置层材料的晶格完全弛豫的临界厚度。
2.根据权利要求1所述的具有前置层的长波长LED外延结构，其特征在于：所述hc的计算公式为：
其中，hc表示大量位错释放的临界厚度，f表示薄膜之间的晶格适配度；υ表示材料的泊松常数；b为伯格斯矢量，等于前置层薄膜材料的晶格常数；a(y)表示多量子阱层中InyGa(1-y)N的晶格常数。
3.根据权利要求1所述的具有前置层的长波长LED外延结构，其特征在于：所述y的范围为0.2～0.25，所述LED外延结构处于绿光波段。
4.根据权利要求1所述的具有前置层的长波长LED外延结构，其特征在于：所述y的范围为0.3～0.4，所述LED外延结构处于红光波段。
5.根据权利要求1所述的具有前置层的长波长LED外延结构，其特征在于：所述衬底是蓝宝石衬底，所述缓冲层包括设于衬底上的GaN成核层和设于GaN成核层上的u-GaN层。
6.一种权利要求1～5任一项所述的具有前置层的长波长LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)于衬底上依次生长缓冲层和n-GaN层；
2)采用MOCVD工艺，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在700-800℃下于n-GaN层上生长InxGa(1-x)N前置层；
3)采用MOCVD工艺，分别以TMGa、TMIn和NH3为Ga、In、N源，在InxGa(1-x)N前置层上生长InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层，其中InyGa(1-y)N阱层的生长温度为550-700℃，GaN垒层的生长温度为950℃-1100℃；
4)在InyGa(1-y)N/GaN多量子阱层上依次生长p-AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：根据发光波段计算多量子阱层中InyGa(1-y)N的In组分y，根据y计算InxGa(1-x)N前置层的In组分x以及临界厚度hc，通过临界厚度hc设计InxGa(1-x)N前置层的厚度。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中，在所述InxGa(1-x)N前置层上生长5个周期的InyGa(1-y)N/GaN量子阱，其中第一个量子阱以InyGa(1-y)N层开始。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述InyGa(1-y)N层的厚度范围为0.5nm-3nm，所述GaN垒层的厚度范围为1nm-8nm。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101038947A (zh) * | 2006-03-17 | 2007-09-19 | 中国科学院物理研究所 | 不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法 |
| CN104900733A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-09-09 | 吉林大学 | 一种基于GaSb的In1-xGaxSb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法 |
| CN108321094A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-07-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 基于应力调控的提高垂直结构led芯片反射镜反射率的方法 |
| CN109065681A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-21 | 太原理工大学 | 一种具有应变减少结构的量子阱绿光led外延结构 |
| CN114447164A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-05-06 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种具有渐变结构的正极性led及其制备方法 |
-
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- 2022-05-25 CN CN202210574616.4A patent/CN115050867A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101038947A (zh) * | 2006-03-17 | 2007-09-19 | 中国科学院物理研究所 | 不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法 |
| CN104900733A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-09-09 | 吉林大学 | 一种基于GaSb的In1-xGaxSb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法 |
| CN108321094A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-07-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 基于应力调控的提高垂直结构led芯片反射镜反射率的方法 |
| CN109065681A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-21 | 太原理工大学 | 一种具有应变减少结构的量子阱绿光led外延结构 |
| CN114447164A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-05-06 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种具有渐变结构的正极性led及其制备方法 |
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