CN115044962A - 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 - Google Patents
一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115044962A CN115044962A CN202210828833.1A CN202210828833A CN115044962A CN 115044962 A CN115044962 A CN 115044962A CN 202210828833 A CN202210828833 A CN 202210828833A CN 115044962 A CN115044962 A CN 115044962A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- cover
- molybdenum
- crystal growth
- fixedly arranged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010437 gem Substances 0.000 title claims description 27
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及彩色宝石晶体生长技术领域，且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚、钼坩埚盖、折边、坩埚盖孔、连接板和卡边，所述钼坩埚盖固定安装在坩埚的上端，所述折边固定安装在钼坩埚盖下端的前后两端，所述坩埚盖孔固定设置在钼坩埚盖上端的左右两侧，所述连接板固定安装在坩埚的内端，所述卡边固定安装在坩埚上端的外侧。该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，在坩埚的上方增加了钼坩埚盖，方法简易便于操作，实施成本较低，杂质不易掉落在坩埚内，不易造成晶体内部气泡及出现晶界等缺陷，有效的提高了良率，且可不断重复此操作，有着较高的经济效益，工作实施便捷可控，也能解决晶体品质问题，带来了较大的经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及彩色宝石晶体生长技术领域，具体为一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖。
背景技术
彩色宝石晶体生长技术，主要用在VGF法彩色宝石晶体生长中的热场改善方面，水平梯度法彩色宝石晶体生长，又称VGF法，是目前世界上彩色宝石晶体生长技术之一，其主要的工作原理，就是在坩埚下方放置一个热交换器，通过热交换器内部冷却水流动带走热量，形成坩埚内晶体生长的驱动力，直至晶体生长过程结束。
彩色宝石的熔点达到2050℃，热区内的温度一定要超过彩色宝石的熔点，最高能达到2100℃，在这种极端的使用条件下：热交换器距离坩埚顶部较远，纵向温度梯度较小，生长驱动力不足以使晶体生长完整，尤其对于重掺杂彩色宝石的生长；热场及原料里挥发的杂质极易掉落在坩埚内，造成晶体内部气泡及晶界等缺陷，导致良率降低，带来经济损失。
发明内容
(一)解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，以解决上述背景技术中提出在这种极端的使用条件下：热交换器距离坩埚顶部较远，纵向温度梯度较小，生长驱动力不足以使晶体生长完整，尤其对于重掺杂彩色宝石的生长；热场及原料里挥发的杂质极易掉落在坩埚内，造成晶体内部气泡及晶界等缺陷，导致良率降低，带来经济损失的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚、钼坩埚盖、折边、坩埚盖孔、连接板和卡边，所述钼坩埚盖固定安装在坩埚的上端，所述折边固定安装在钼坩埚盖下端的前后两端，所述坩埚盖孔固定设置在钼坩埚盖上端的左右两侧，所述连接板固定安装在坩埚的内端，所述卡边固定安装在坩埚上端的外侧。
优选的，所述坩埚之间通过连接板固定连接，所述坩埚盖孔位于坩埚上方的中部，该设置使得锅体使用，其中产生的蒸气和其他等物质可合理通过坩埚盖孔排出锅体，不易掉落在坩埚的内部，不易造成晶体内部出现气泡及晶界的问题。
优选的，所述折边位于卡边的内侧，所述折边和卡边之间相适配，该设置使得结构连接合理，提高结构连接的稳定性，折边和卡边适配连接，使得连接更加稳定。
优选的，所述坩埚盖孔呈对称分布，所述卡边呈对称分布，通过对称式分布的卡边卡合连接提高了锅体与锅盖之间的连接稳定性，便于锅体正常使用，而锅盖顶部设置的对称分布的坩埚盖孔用于排出蒸气。
优选的，所述钼坩埚盖和坩埚之间相适配，所述钼坩埚盖和坩埚之间通过折边和卡边固定连接，该设置使得钼坩埚盖和坩埚之间的连接更加方便适配，通过适配形状和大小的折边和卡边将钼坩埚盖和坩埚固定连接，使用稳定性好。
优选的，所述坩埚的形状呈梯形，所述坩埚呈对称分布，坩埚的形状上宽下窄，深度更深，占地面积小，便于坩埚的安装和利用。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，工作实施便捷可控，也能解决晶体品质问题，提高了良率，带来了较大的经济效益，在坩埚的上方增加了钼坩埚盖，方法简易便于操作，实施成本较低，且可不断重复此操作，有着较高的经济效益。
附图说明
图1为本发明立体结构示意图；
图2为本发明剖面结构示意图；
图3为本发明坩埚立体结构示意图；
图4为本发明钼坩埚盖立体结构示意图。
图中：1、坩埚；2、钼坩埚盖；3、折边；4、坩埚盖孔；5、连接板；6、卡边。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4，本发明提供一种技术方案：
实施例1
一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚1、钼坩埚盖2、折边3、坩埚盖孔4、连接板5和卡边6，钼坩埚盖2固定安装在坩埚1的上端，折边3固定安装在钼坩埚盖2下端的前后两端，坩埚盖孔4固定设置在钼坩埚盖2上端的左右两侧，连接板5固定安装在坩埚1的内端，卡边6固定安装在坩埚1上端的外侧；
坩埚1之间通过连接板5固定连接，坩埚盖孔4位于坩埚1上方的中部，该设置使得锅体使用，其中产生的蒸气和其他等物质可合理排出锅体，避免锅体内部异常，使用效果好；折边3位于卡边6的内侧，折边3和卡边6之间相适配，该设置使得结构连接合理，提高结构连接的稳定性，使用更加安全；
坩埚盖孔4呈对称分布，卡边6呈对称分布，该设置使得锅体使用和安装更加安全，通过对称式分布的卡边6卡合连接提高了锅体与锅盖之间的连接稳定性，便于锅体正常使用，而锅盖顶部设置的对称分布的坩埚盖孔4用于排出蒸气，保证锅体内工作气压的稳定合理；坩埚1的形状呈梯形，坩埚1呈对称分布，坩埚1的形状上宽下窄，深度更深，占地面积小，便于坩埚1的安装和利用，使用面更加全面，使用效率高；
实施例2
一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚1、钼坩埚盖2、折边3、坩埚盖孔4、连接板5和卡边6，钼坩埚盖2固定安装在坩埚1的上端，折边3固定安装在钼坩埚盖2下端的前后两端，坩埚盖孔4固定设置在钼坩埚盖2上端的左右两侧，连接板5固定安装在坩埚1的内端，卡边6固定安装在坩埚1上端的外侧；坩埚1之间通过连接板5固定连接，坩埚盖孔4位于坩埚1上方的中部，该设置使得锅体使用，其中产生的蒸气和其他等物质可合理通过坩埚盖孔4排出锅体，不易掉落在坩埚1的内部，不易造成晶体内部出现气泡及晶界的问题，可提高彩色宝石的制备良率，避免锅体内部异常，使用效果好；
折边3位于卡边6的内侧，折边3和卡边6之间相适配，该设置使得结构连接合理，提高结构连接的稳定性，使用更加安全，折边3和卡边6适配连接，使得连接更加稳定，使用稳定性好；坩埚盖孔4呈对称分布，卡边6呈对称分布，该设置使得锅体使用和安装更加安全，通过对称式分布的卡边6卡合连接提高了锅体与锅盖之间的连接稳定性，便于锅体正常使用，而锅盖顶部设置的对称分布的坩埚盖孔4用于排出蒸气，保证锅体内工作气压的稳定合理，进一步提高了锅体的使用安全性；
钼坩埚盖2和坩埚1之间相适配，钼坩埚盖2和坩埚1之间通过折边3和卡边6固定连接，该设置使得钼坩埚盖2和坩埚1之间的连接更加方便适配，通过适配形状和大小的折边3和卡边6将钼坩埚盖2和坩埚1固定连接，锅盖与锅体之间不直接接触，使用更加安全；坩埚1的形状呈梯形，坩埚1呈对称分布，坩埚1的形状上宽下窄，深度更深，占地面积小，便于坩埚1的安装和利用，多个坩埚1等距固定摆放，使用面更加全面，便于同时进行不同物质的烧灼工作，使用效率高；
本实施例中，相较于实施例1加设了钼坩埚盖2，使得坩埚1的保温效果得到提高，实施成本较低，热交换效果好，其纵向温度梯度高，保持的温度产生的生长驱动力可以促使锅体内的晶体完整生长，便于彩色宝石的生长进行，在顶部加设盖体，使得热场及原料里挥发的杂质不易掉落在坩埚内，不易造成晶体内部气泡及出现晶界等缺陷，有效的提高了良率，经济效益提高。
工作原理：该装置是一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，相较于传统坩埚1加设了盖体将锅体保护起来，可有效避免杂质掉落在坩埚1的内部，避免造成晶体内部出现气泡及晶界的问题，有效的提高彩色宝石的制备良率，锅体使用不易出现异常，多个坩埚1等距固定摆放，使用面更加全面，便于同时进行不同物质的烧灼工作，钼坩埚盖2和坩埚1之间通过折边3和卡边6固定连接，该设置使得钼坩埚盖2和坩埚1之间的连接更加方便适配，接触更加稳定，对称式分布的卡边6卡合连接提高了锅体与锅盖之间的连接稳定性，便于锅体正常使用，安装时需要注意卡边6的长度需小于坩埚1沿边距离加热器的距离，避免出现因高温而翘边的问题，设置的坩埚盖孔4必须位于坩埚1的中部位置，方便杂质和蒸气排出，为坩埚1正常工作提供便利，加设的钼坩埚盖2后续需要适中，以便可长久使用，使用稳定性和安全性好。
最后应当说明的是，以上内容仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，本领域的普通技术人员对本发明的技术方案进行的简单修改或者等同替换，均不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (6)
1.一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚(1)、钼坩埚盖(2)、折边(3)、坩埚盖孔(4)、连接板(5)和卡边(6)，其特征在于：所述钼坩埚盖(2)固定安装在坩埚(1)的上端，所述折边(3)固定安装在钼坩埚盖(2)下端的前后两端，所述坩埚盖孔(4)固定设置在钼坩埚盖(2)上端的左右两侧，所述连接板(5)固定安装在坩埚(1)的内端，所述卡边(6)固定安装在坩埚(1)上端的外侧。
2.根据权利要求1所述的一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，其特征在于：所述坩埚(1)之间通过连接板(5)固定连接，所述坩埚盖孔(4)位于坩埚(1)上方的中部。
3.根据权利要求2所述的一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，其特征在于：所述折边(3)位于卡边(6)的内侧，所述折边(3)和卡边(6)之间相适配。
4.根据权利要求3所述的一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，其特征在于：所述坩埚盖孔(4)呈对称分布，所述卡边(6)呈对称分布。
5.根据权利要求4所述的一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，其特征在于：所述钼坩埚盖(2)和坩埚(1)之间相适配，所述钼坩埚盖(2)和坩埚(1)之间通过折边(3)和卡边(6)固定连接。
6.根据权利要求5所述的一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，其特征在于：所述坩埚(1)的形状呈梯形，所述坩埚(1)呈对称分布。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210828833.1A CN115044962A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210828833.1A CN115044962A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115044962A true CN115044962A (zh) | 2022-09-13 |
Family
ID=83165134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210828833.1A Pending CN115044962A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115044962A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120174857A1 (en) * | 2009-09-05 | 2012-07-12 | Cristech Co., Ltd. | Method and apparatus for growing sapphire single crystals |
| CN104195640A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-10 | 杭州铸泰科技有限公司 | 一种用于蓝宝石单晶生长的热场系统 |
| CN109972196A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-07-05 | 蓝宝石科技株式会社 | 蓝宝石单晶生长装置用坩埚、蓝宝石单晶生长装置及方法 |
| CN111088520A (zh) * | 2018-10-24 | 2020-05-01 | 蓝宝石科技株式会社 | 蓝宝石单晶生长装置及生长方法 |
| CN212902615U (zh) * | 2020-08-14 | 2021-04-06 | 河南世博钨钼科技有限公司 | 一种改进的带有端盖的钼坩埚 |
-
2022
- 2022-07-13 CN CN202210828833.1A patent/CN115044962A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120174857A1 (en) * | 2009-09-05 | 2012-07-12 | Cristech Co., Ltd. | Method and apparatus for growing sapphire single crystals |
| CN104195640A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-10 | 杭州铸泰科技有限公司 | 一种用于蓝宝石单晶生长的热场系统 |
| CN109972196A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-07-05 | 蓝宝石科技株式会社 | 蓝宝石单晶生长装置用坩埚、蓝宝石单晶生长装置及方法 |
| CN111088520A (zh) * | 2018-10-24 | 2020-05-01 | 蓝宝石科技株式会社 | 蓝宝石单晶生长装置及生长方法 |
| CN212902615U (zh) * | 2020-08-14 | 2021-04-06 | 河南世博钨钼科技有限公司 | 一种改进的带有端盖的钼坩埚 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102877117A (zh) | 基于多加热器的铸锭炉热场结构及运行方法 | |
| CN202989351U (zh) | 基于多加热器的铸锭炉热场结构 | |
| CN103806101A (zh) | 一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备 | |
| CN104195634A (zh) | 大尺寸硅锭多晶铸锭炉新型热场结构 | |
| CN115044962A (zh) | 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖 | |
| CN104911703A (zh) | 一种多晶硅铸锭氮化硅涂层坩埚及涂层制备方法 | |
| DE3406619A1 (de) | Verfahren zur herstellung von glas | |
| CN104674339A (zh) | 一种泡生法生长大尺寸蓝宝石过程中减少晶界的方法 | |
| CN101532172A (zh) | 一种生长硅单晶的热装置 | |
| CN201495107U (zh) | 一种具有高质量提纯多晶硅的多晶炉 | |
| CN210262077U (zh) | 一种便于排杂的多晶硅铸锭炉结构 | |
| CN101899705A (zh) | 用以生长特厚大单晶氧化铝片的导模结构 | |
| CN106702481A (zh) | 一种改进的多片式导模法人造蓝宝石制备工艺 | |
| CN214694462U (zh) | 一种ycob晶体生长用生长装置 | |
| CN105200516A (zh) | 一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺 | |
| CN208815153U (zh) | 硅芯方锭铸锭炉热场结构 | |
| CN210683991U (zh) | 一种单晶硅生长装置 | |
| CN201395647Y (zh) | 一种生长硅单晶的热装置 | |
| CN108505113A (zh) | 硅芯方锭铸锭炉定向导气块 | |
| CN206359658U (zh) | 一种高效型铸锭炉 | |
| CN105401215B (zh) | 一种用于制备大片状蓝宝石单晶体的装置及方法 | |
| CN114686967A (zh) | 一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法 | |
| CN111074337B (zh) | 一种导模法生长高浓度掺钛蓝宝石晶体的方法和装置 | |
| CN219568124U (zh) | 一种vgf法彩色宝石晶体生长方形坩埚 | |
| KR20120128040A (ko) | 단결정 시드를 이용한 실리콘 잉곳 제조장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220913 |