CN115011929A - 成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115011929A
CN115011929A CN202210154432.2A CN202210154432A CN115011929A CN 115011929 A CN115011929 A CN 115011929A CN 202210154432 A CN202210154432 A CN 202210154432A CN 115011929 A CN115011929 A CN 115011929A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
film thickness
control
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210154432.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115011929B (zh
Inventor
绪方俊宏
渡部新
安川英宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN115011929A publication Critical patent/CN115011929A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115011929B publication Critical patent/CN115011929B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/52—Means for observation of the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

本发明提供提高对基板的成膜工艺中的膜厚的测定和控制的精度的成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法。使用将蒸镀材料向基板蒸镀而进行成膜的成膜装置，其中，该成膜装置具备：蒸发源，相对于基板在相对移动的同时放出蒸镀材料；第一控制部件，控制来自蒸发源的蒸镀材料的放出量；第二控制部件，控制基板和蒸发源的相对速度；监视部件，在成膜中，测定来自蒸发源的蒸镀材料的放出量；膜厚测定部件，在成膜后，测定蒸镀在基板上的膜的膜厚；以及控制部，基于由监视部件测定出的放出量及由膜厚测定部件测定出的膜厚，控制第一控制部件及第二控制部件。

Description

成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
具备有机EL显示器、液晶显示器等平板显示器的显示装置被广泛应用。其中，具备有机EL显示器的有机EL显示装置的响应速度、视场角、薄型化等特性优异，适合用于显示器、电视机、智能手机、汽车用显示器等。
构成有机EL显示器的有机EL元件具有在两个相向的电极(阴极电极、阳极电极)之间形成有功能层的基本构造，该功能层具有作为引起发光的有机物层的发光层。有机EL元件的功能层和电极层通过将构成各层的材料隔着掩模成膜在基板上而形成。因此，为了使有机EL元件发挥所期望的性能，需要高精度地控制各层的膜厚。
在专利文献1中公开了如下结构：在使用了具有成膜室和检查室的集群型单元的有机EL制造装置中，将在成膜室中成膜了的基板搬送到检查室，通过光学性的膜厚测定装置测定膜厚。
在专利文献2中公开了如下结构：在有机EL制造装置中，在进行成膜的真空腔室内配置具有水晶振子的膜厚监视器，测定蒸镀中的成膜速率，根据测定结果控制蒸发源的温度，由此控制蒸镀材料的蒸发速率。
在先技术文件
专利文献
专利文献1：日本特开2005-322612号公报
专利文献2：日本特开2019-065391号公报
但是，随着对有机EL显示装置等显示器的性能的要求提高，要求在对基板的成膜工艺中进一步精度良好地测定膜厚、控制成膜的方法。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提高对基板的成膜工艺中的膜厚的测定和控制的精度。
用于解决课题的方案
本发明采用以下的结构。即，
一种成膜装置，将蒸镀材料向基板蒸镀而进行成膜，其特征在于，
该成膜装置具备：
蒸发源，相对于所述基板在相对移动的同时放出所述蒸镀材料；
第一控制部件，控制来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；
第二控制部件，控制所述基板和所述蒸发源的相对速度；
监视部件，在成膜中，测定来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；
膜厚测定部件，在成膜后，测定蒸镀在所述基板上的膜的膜厚；以及
控制部，基于由所述监视部件测定出的所述放出量及由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚，控制所述第一控制部件及所述第二控制部件。
发明的效果
根据本发明，能够提高对基板的成膜工艺中的膜厚的测定和控制的精度。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的示意图。
图2是表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是表示蒸发源单元的结构的图。
图4是表示传递室和膜厚测定部的结构的剖视图。
图5是表示膜厚测定部的结构的框图。
图6是表示基板的被成膜面侧的结构的俯视图。
图7是表示膜厚控制系统的结构的框图。
图8是用于说明成膜中的控制的图表。
图9是用于说明成膜中的控制的曲线图。
图10是实施例2的电子器件的制造装置的俯视图。
图11是说明电子器件的制造方法的图。
附图标记的说明
203：蒸发源单元；205：成膜速率监视器；206：成膜控制部；208：蒸发源；310：膜厚测定部。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式。但是，以下的记载只不过是例示地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。此外，在以下的说明中，装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别记载，就不是将本发明的范围限定于此的意思。
本发明可以作为在基板上进行成膜的成膜装置或成膜方法来掌握。本发明还可以作为使用了该成膜装置或成膜方法的电子器件的制造装置或电子器件的制造方法来掌握。本发明还可以作为上述各装置的控制方法来掌握。
本发明优选能够应用于在基板的表面隔着掩模形成所希望图案的薄膜材料层的情况。作为基板的材料，能够利用玻璃、树脂、金属、硅等任意的材料。作为成膜材料，能够利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。本发明的技术典型地适用于电子器件或光学构件的制造装置。特别是，适用于有机EL显示器或使用了该有机EL显示器的有机EL显示装置、薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器等有机电子器件。但是，本发明的适用对象并不限于此。
[实施例]
在实施例1中，作为本发明的基本实施方式，对装置的整体结构以及膜厚测定和控制的基本原理进行说明。
[电子器件制造装置]
图1是示意性地表示电子器件制造装置的一部分结构的俯视图。图1的电子器件制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置所使用的有机EL面板。
在电子器件制造装置中，多个集群型单元(以下也简称为“单元”)CU1～CU3经由连结室连结，构成生产线。各集群型单元是在基板搬送机器人的周围配置有多个成膜室的结构。另外，单元的数量不限于3个。此外，属于各集群的腔室的数量不限于以下所述的数量。另外，针对每个集群，腔室的种类或数量也可以不同。以后，在对所有单元共同的说明和不指定单元的说明中，如“CUx”那样，使用以“x”标记的参照附图标记来代替数字，在对单个单元的说明中，如“CU1”那样，使用标记了数字的参照附图标记(对单元以外的结构所标记的参照附图标记也相同)。
图1表示电子器件制造装置整体中的成膜装置部分的一部分。在成膜装置的上游例如可以设置基板的储存器、加热装置、清洗等前处理装置等，在成膜装置的下游例如可以设置密封装置、加工装置、处理完毕的基板的储存器等，将它们整体合起来构成电子器件制造装置。基板从上游侧向下游侧沿箭头F的方向流动。
集群型单元CUx具有中央的搬送室TRx、配置在搬送室TRx周围的多个成膜室EVx1～EVx4以及掩模室MSx1～MSx2。邻接的两个单元CUx和CUx+1之间通过连结室CNx连接。集群型单元CUx内的各室TRx、EVx1～EVx4、MSx1～MSx2以及连结室CNx在空间上相连，其内部被维持在真空或氮气等非活性气体气氛。在本实施方式中，构成单元CUx和连结室CNx的各室与未图示的真空泵连接，能够分别独立地进行真空排气。每个腔室也被称为“真空腔室”或简称为“腔室”。另外，在本说明书中，“真空”是指被压力比大气压低的气体充满的状态。
在搬送室TRx中设置有作为搬送基板S及掩模M的搬送部件的搬送机器人RRx。搬送机器人RRx例如是具有在多关节臂上安装有保持基板S和掩模M的机器人手的构造的多关节机器人。在集群型单元CUx内，基板S在保持其被成膜面朝向重力方向下方的水平状态的状态下，通过搬送机器人RRx、后述的搬送机器人RCx等搬送部件进行搬送。搬送机器人RRx、搬送机器人RCx所具有的机器人手保持基板S的被处理面的周缘区域。搬送机器人RRx在上游侧的传递室PSx-1、成膜室EVx1～EVx4、下游侧的缓冲室BCx之间搬送基板S。
另外，搬送机器人RRx进行掩模室MSx1与成膜室EVx1、EVx2之间的掩模M的搬送以及掩模室MSx2与成膜室EVx3、EVx4之间的掩模M的搬送。搬送机器人RRx、搬送机器人RCx所具有的机器人手被构成为，按照规定的程序进行规定的动作。各机器人手的动作被设定为，当相对于多个基板依次地或同时并行地进行成膜时，高效地搬送多个基板。
掩模室MSx1～MSx2是设置有分别收容用于成膜的掩模M和使用完毕的掩模M的掩模储存器的室。在掩模室MSx1中储存有在成膜室EVx1、EVx3中使用的掩模M，在掩模室MSx2中储存有在成膜室EVx2、EVx4中使用的掩模M。在蒸镀成膜的情况下，作为掩模M，优选利用形成有多个开口的金属掩模。
成膜室EVx1～EVx4是用于在基板S的表面(被成膜面)上形成膜的室。这里，成膜室EVx1和EVx3是具有相同功能的室(能够实施相同的成膜处理的室)，同样地，成膜室EVx2和EVx4也是具有相同功能的室。根据该结构，能够并列实施在成膜室EVx1→EVx2这样的第一通路中的成膜处理和在成膜室EVx3→EVx4这样的第二通路中的成膜处理。
连结室CNx具有如下功能：将单元CUx和单元CUx+1连接，将在单元CUx中成膜了的基板S交接给后级的单元CUx+1。本实施方式的连结室CNx从上游侧起依次由缓冲室BCx、回旋室TCx及传递室PSx构成。从提高成膜装置的生产率和提高使用便捷性方面考虑，这样的连结室CNx的结构是优选的结构。但是，连结室CNx的结构不限于此，也可以仅由缓冲室BCx或传递室PSx构成。
缓冲室BCx是用于在单元CUx内的搬送机器人RRx与连结室CNx内的搬送机器人RCx之间进行基板S的交接的室。缓冲室BCx具有在单元CUx与后级的单元CUx+1之间存在处理速度差的情况下、或者在由于下游侧的故障的影响而无法使基板S如通常那样流动的情况下等，通过暂时收容多个基板S来调整基板S的搬入速度、搬入时刻的功能。通过将具有这样的功能的缓冲室BCx设置在连结室CNx内，能够实现高生产率，并且能够实现可对应于各种层结构的层叠成膜的高灵活性。例如，在缓冲室BCx内设置有：多层构造的基板收纳架(也称为盒)，其能够在保持基板S的被处理面朝向重力方向下方的水平状态下收纳多张基板S；以及升降机构，其为了使搬入或搬出基板S的层与搬送位置一致而使基板收纳架升降。
回旋室TCx是用于使基板S的朝向旋转180度的室。在回旋室TCx内设置有从缓冲室BCx向传递室PSx交接基板S的搬送机器人RCx。在将基板S的上游侧的端部称为“后端”、将下游侧的端部称为“前端”的情况下，搬送机器人RCx以支承由缓冲室BCx接受的基板S的状态回旋180度并交接到传递室PSx，由此在缓冲室BCx内和传递室PSx内基板S的前端和后端调换。由此，由于在将基板S搬入成膜室时的朝向在上游侧的单元CUx和下游侧的单元CUx+1是相同的朝向，因此，能够使相对于基板S的成膜的扫描方向和掩模M的朝向在各单元CUx中一致。通过采用这样的结构，能够在各单元CUx中统一在掩模室MSx1～MSx2设置掩模M的朝向，简化掩模M的管理。
传递室PSx是用于在连结室CNx内的搬送机器人RCx与下游侧的单元CUx+1内的搬送机器人RRx+1之间进行基板S的交接的室。在本实施例中，在传递室PSx内配置有膜厚测定部，对形成在基板S上的膜的膜厚进行测定。另外，也可以通过在传递室PSx中设置对准机构，来缩短在成膜室内的对准时间。例如，若在相同的集群型单元中包含第一成膜室和第二成膜室，则在第一成膜室和第二成膜室中成膜后的基板被共同搬入到其下游的缓冲室、传递室。
在成膜室EVx1～EVx4、掩模室MSx1～MSx2、搬送室TRx、缓冲室BCx、回旋室TCx、传递室PSx之间，可以设置能够开闭的门(例如，门阀或闸阀)，也可以是始终开放的构造。
[真空蒸镀装置]
图2示意性地表示设置在成膜室EVx1～EVx4中的真空蒸镀装置200的结构。真空蒸镀装置200具有保持掩模M的掩模支架201、保持基板S的基板支架202、蒸发源单元203、移动机构204、成膜速率监视器205、成膜控制部206。掩模支架201、基板支架202、蒸发源单元203、移动机构204及成膜速率监视器205设置在真空腔室207内。真空蒸镀装置200还具有使掩模支架201和基板支架202的至少一方移动，进行由掩模支架201保持的掩模M和由基板支架202保持的基板S的对位(对准)的未图示的位置调整机构(对准机构)。本实施例的位置调整机构通过在与基板S的被成膜面大致平行的面内使基板支架202进行XY移动以及θ旋转，来调整基板S相对于掩模M的相对位置。
基板S以被成膜面朝下的方式载置在保持为水平状态的掩模M的上表面。在掩模M的下方设置有蒸发源单元203。蒸发源单元203大致具备收容成膜材料的容器(坩埚)、加热容器内的成膜材料的加热器等。另外，根据需要，也可以在蒸发源单元203上设置用于提高加热效率的反射器、传热构件、开闭器等。移动机构204是使蒸发源单元203与基板S的被处理面平行地移动(扫描)的部件。在本实施方式中使用了单轴的移动机构204，但也可以使用双轴以上的移动机构。
另外，在本实施方式中，将基板S载置于掩模M的上表面，但只要是基板S与掩模M充分贴紧的结构，也可以不将基板S载置于掩模M的上表面。例如，可以是使基板S与掩模M的下表面贴紧并使蒸镀材料从上方飞散的结构、将贴紧的基板S和掩模M纵向配置的结构。此外，也可以使未图示的磁铁单元接近于基板S的被处理面的相反侧的面，通过磁力吸引掩模M的掩模箔，提高掩模M对基板S的贴紧性。另外，也可以设置冷却基板S的冷却单元，磁铁单元也可以兼作该冷却单元。另外，蒸发源单元203也能够是将多个蒸发源单元或容器并列配置，使它们作为一体移动的结构。根据这样的结构，能够针对每个蒸发源单元或容器收容不同的材料并使其蒸发，能够形成混合膜、叠层膜。
成膜速率监视器205(监视部件)是监视在基板S上成膜的薄膜的成膜速度的监视部件。本实施例的成膜速率监视器205是水晶振荡式成膜速率监视器，具有与蒸发源单元203一起移动的水晶振子，基于由成膜材料堆积在水晶振子的表面(赋予质量)引起的共振频率(固有振动数)的变化量，推定每单位时间的成膜材料的附着量即成膜速率(蒸镀速率)[埃/s]。
成膜控制部206是进行控制以使在基板S上成膜的薄膜的膜厚成为目标值的控制部件。成膜控制部206通过根据由成膜速率监视器205得到的成膜速率[埃/s]、由膜厚测定部件测定的膜厚值校正规定的初始设定信息来控制膜厚。作为控制内容，如后所述，有利用移动机构204进行的蒸发源单元203的扫描速度的调整、作为该扫描速度调整的结果的成膜时间[s]的调整、通过调整蒸发源单元203的加热器温度和开闭器开度进行的蒸镀材料的蒸发量(放出量)的控制等。成膜控制部206通过组合对膜厚产生影响的这些控制，实现考虑了品质、精度和生产节拍时间的良好的成膜。成膜控制部206作为控制来自蒸发源的蒸镀材料的放出量的第一控制部件及控制基板和蒸发源的相对速度的第二控制部件发挥功能。
图3表示本实施例的蒸发源单元203的详细的构成例。图3(a)表示蒸发源单元203按照成膜控制部206的控制相对于基板S在相对移动的同时进行蒸镀的状态。蒸发源单元203包括分别具有多个喷嘴的多个蒸发源208a～208c。可以在各蒸发源208a～208c中收容相同的蒸镀材料来提高成膜速率，也可以在各蒸发源208a～208c中分别收容不同的蒸镀材料来控制膜的材质。另外，蒸发源的数量和喷嘴的数量不限于图中所示。另外，也可以根据成膜速率、膜厚的测定结果，使扫描次数从初始设定值起进行增减。另外，蒸发源单元203的移动方法不限于往复扫描，根据蒸发源单元203的形状、基板S的尺寸，也可以是光栅扫描方式。
另外，移动机构204包括导轨204a和具备马达等驱动部件的驱动部204b。驱动部204b使蒸发源208a～208c以根据成膜控制部206的控制的规定的扫描速度在导轨204a上作为一体地往复移动。在成膜控制部206提高蒸发源的扫描速度时，每单位时间的膜厚变薄，在降低扫描速度时，每单位时间的膜厚变厚。另外，由于成膜速率根据基板S与蒸发源单元203的相对速度而变化，因此也可以采用使基板S在平面内相对于蒸发源单元203移动的结构。
另外，本实施例的真空蒸镀装置200具备与各蒸发源208a～208c分别对应的成膜速率监视器205a～205c。通过该结构，能够测定每个蒸发源208a～208c的成膜速率，因此，也能够对每个蒸发源进行相互不同的温度控制。另外，也可以综合多个成膜速率监视器205a～205c取得的成膜速率值(例如算出平均值)，对蒸发源单元203整体同样地进行温度控制。但是，成膜速率监视器的个数不限于此，蒸发源单元203整体也可以为一个。
图3(b)表示蒸发源单元所具有的一个蒸发源208a的剖视图。本实施例的蒸发源208a是通过加热器246加热坩埚244而放出蒸镀材料242并使其附着在基板S上的结构。坩埚244包括收容蒸镀材料242的坩埚本体244a和规定放出蒸镀材料242的方向的喷嘴244b。作为加热器246，例如使用根据成膜控制部206的电流控制而发热的护套式加热器。若使流过护套式加热器的电流增加，则发热量增大，蒸镀材料242的放出量增加。其结果，每单位时间成膜的膜厚变厚，达到所希望的膜厚为止的成膜速度变快。在坩埚244的周围配置有用于提高热效率的反射器248。
[传递室的机构]
图4是示意性地表示传递室PSx的结构的剖视图。图4对应于图1的A-A截面。在传递室PSx的真空腔室300内部配置有保持由搬送机器人RCx搬送来的基板S的基板托盘301、和测定基板S的膜厚测定部310。另外，基板托盘301也能够收容多个基板。此外，在传递室PSx中，也可以设置用于进行基板S的对准的未图示的对准机构。由此，能够抑制经由搬送室TRx、回旋室TCx搬送来的基板S的、因搬送中使用的机器人的位置精度等引起的位置偏移。其结果，能够缩短后续单元中的成膜室内部的基板S和掩模M的对准时间。
此外，并非一定要在所有的传递室PSx配置膜厚测定部310，也可以在一个传递室测定多个集群型单元的膜厚。只要基板不滞留在传递室PSx，则只要在生产线的最下游配置一个膜厚测定部310即可。另外，也可以不在传递室PSx中配置膜厚测定部310，而是设置用于膜厚测定的检查室。此外，也可以根据上游侧的集群型单元CUx中的处理的内容来决定是否在传递室PSx配置膜厚测定部310。例如，在单元CUx中成膜发光层的情况下配置膜厚测定部310，在单元CUx中成膜电极间层的情况下配置膜厚测定部310，在单元CUx中使用针对每个像素的精细掩模的情况下配置膜厚测定部310等。
[膜厚测定部]
图4中示出了一个膜厚测定部310，但也可以配置多个膜厚测定部。通过一次评价多个场所，能够得到基板面内的膜厚偏差的信息，能够统一评价在多个成膜室成膜了的多种膜。
膜厚测定部310是光学性地测定膜厚的传感器，在本实施例中使用具有反射分光式的光学传感器的膜厚计。膜厚测定部310大致由膜厚评价单元311、传感器头312、连接传感器头312与膜厚评价单元311的光纤313构成。传感器头312配置在真空腔室300内的基板托盘301的下方，经由安装在真空腔室300的底面的真空法兰314与光纤313连接。传感器头312具有将经由光纤313引导的光的照射区域设定为规定的区域的功能，能够使用光纤以及针孔、透镜等光学部件。
图5是膜厚测定部310的框图。膜厚评价单元311具有光源320、分光器321、测定控制部322。光源320是输出测定光的器件，例如使用氘灯、氙灯或卤素灯。作为光的波长，能够使用200nm至1μm的范围。分光器321是对从传感器头312输入的反射光进行分光并进行光谱(每个波长的强度)的测定的器件，例如由分光元件(光栅、棱镜等)和进行光电转换的检测器等构成。测定控制部322是基于光源320的控制以及反射光谱而进行膜厚的运算等的器件。
从光源320输出的测定光经由光纤313被引导到传感器头312，并从传感器头312投射到基板S上。由基板S反射的光从传感器头312经由光纤313输入到分光器321。此时，在基板S上的薄膜的表面反射的光与在薄膜和其基底层的界面反射的光相互干涉。这样一来，由于受到薄膜所产生的干涉和吸收的影响，反射光谱受到光程长度差、即膜厚的影响。通过由测定控制部322解析该反射光谱，能够测定薄膜的膜厚。
上述反射分光式的膜厚评价，即使对于从数nm到数百nm的厚度的有机膜的评价，也能够在短时间内进行高精度的评价，因此是作为有机EL元件的有机层的评价的优选方法。在此，作为有机层的材料，可列举出αNPD：α-萘基苯基联苯二胺等空穴输送材料、Ir(ppy)3：铱-苯基吡啶络合物等发光材料、Alq3：三(8-羟基喹啉)铝、Liq：(8-羟基喹啉-锂)等电子输送材料等。而且，也可以应用于上述有机材料的混合膜。分光干涉仪不需要马达，因此具有即使在要求高真空度的蒸镀装置内也容易利用，能够在基板附近进行测定的优点。然而，膜厚测定部310不限于此，也可以是椭圆偏振光测定器等。
图6表示用于使膜厚测定部310的测定变得容易的基板S的被成膜面侧的结构例。在该例的基板S的中央部，设置有形成多个显示面板340的区域，通过在成膜完成后切分基板S而制作多个面板。在基板S的搬送方向(箭头F)前方的、不与显示面板340区域重叠的区域中，设置有膜厚测定区域330。在各成膜室中的成膜处理时，与向显示面板340的部分的成膜并行地，还向膜厚测定区域330内的预先确定的位置进行成膜，由此在膜厚测定区域330内形成膜厚测定用的薄膜(以后，称为测定用贴片331，有时也称为测定用片或者评价用有机膜)。这可以通过在各成膜室中使用的掩模M上预先形成用于测定用贴片331的开孔来实现。
膜厚测定区域330被设定为能够形成多个测定用贴片331的面积，优选以作为膜厚的测定对象的层为单位改变测定用贴片331的形成位置。即，优选的是，在想要测定在一个成膜室中形成的膜(可以是单一膜，也可以是层叠了多个膜的层叠膜)的膜厚的情况下，在测定用贴片331的部分也仅对在一个成膜室中形成的膜(单一膜或层叠膜)进行成膜，在想要测定经由多个成膜室形成的层叠膜的膜厚的情况下，在测定用贴片331的部分也形成与想要测定的层叠膜相同的层叠膜。通过这样使测定用贴片331针对成为测定对象的每一层都不同，能够实现膜厚的正确的测定。为了形成这样的测定用贴片331，只要按每个成膜室使掩模M的开口部的位置不同即可。
[膜厚测定方法]
在本实施例中，由各成膜室的真空蒸镀装置200所具备的成膜速率监视器205取得成膜速率，并且配置于传递室PSx的膜厚测定部310测定膜厚。
成膜速率监视器205配置在真空蒸镀装置200内部，与基板S同时接受成膜材料的附着，因此能够实时地推定基板上的膜厚。因此，通过将短时间信息反映到目标速率，能够执行实时的膜厚控制。另一方面，成膜速率监视器205不直接测定形成在基板S上的膜的厚度，而是通过配置在与基板S不同的位置的水晶振子间接地测定成膜速率。因此，由于向水晶振子的材料堆积量、水晶振子的温度等各种误差因素，有时成膜速率监视器205的水晶振子上堆积的膜的膜厚与基板S上堆积的膜的膜厚不同，或者成膜速率监视器205的测定值自身产生误差。虽然通过定期地进行水晶振子的更换或校正能够抑制精度降低，但是由于成膜速率监视器205的膜厚的测定误差，仍存在产生膜厚偏差的可能性。
膜厚测定部310配置在由搬送机器人RC1搬送在成膜室EVx1→EVx2或成膜室EVx3→成膜室EVx4中完成了成膜的基板S的目的地的传递室PSx中。膜厚测量部310根据测定用贴片331的形成方法，测定在成膜室EVx1(EVx3)中成膜了的膜厚、在成膜室EVx2(EVx4)中成膜了的膜厚、或者在成膜室EVx1以及EVx2(EVx3以及EVx4)中成膜了的膜厚的合计。即，膜厚测定部310由于能够直接测定薄膜的厚度，因此测定精度比较高，相反缺乏实时性，在将测定结果反映到膜厚控制之前产生时滞。
图7是示意性地表示膜厚控制系统的结构的框图。膜厚控制部350根据成膜速率监视器205及膜厚测定部310的测定结果，向各成膜室的成膜控制部206发送控制指令。成膜速率监视器205测定的成膜速率信息能够用于配置有该成膜速率监视器205的真空腔室207内的膜厚的实时控制。膜厚控制部350作为控制成膜控制部206的控制部发挥功能。
另外，膜厚测定部310测定的膜厚信息能够用于反馈控制。反馈控制是膜厚控制部350通过控制在基板的搬送方向(箭头F)上比膜厚测定部310靠上游侧的成膜室的成膜条件，调整后续的基板Ss的膜厚的控制。膜厚控制部350可以仅实施实时控制和反馈控制中的任一方，也可以实施双方的控制。另外，也可以使每个成膜室或每个单元的控制方法不同。
图8是表示制造开始后的各时刻的处理的一例的图表。使用本图，说明成膜速率监视器205和膜厚测定部310的测定结果在哪个时刻适用于成膜控制。
图中，上段表示在成膜室EV11中形成第一膜的基板的编号(S1、S2、S3…)。在各基板的处理之间，设置基板更换等的间隔时间(I)。中段表示存在第一基板S1的腔室和在该腔室中基板S1接受的处理的内容。为了方便起见，第一层的成膜时间、第二层的成膜时间、缓冲时间和在传递室中的测定时间各自为相同的长度，基板S1在移动时间(M)的期间在腔室之间移动。另外，间隔时间(I)和移动时间(M)为相同长度。
图中，下段示出了成膜控制部206在成膜室EV11中用于第一层的膜厚控制的信息。编号“AX1、AX2、AX3…”表示在基板SX的成膜中由成膜速率监视器205测定的成膜速率，例如编号“A11”表示在基板S1的成膜中测定的第一次的成膜速率。成膜控制部206将在成膜室EV11内测定的成膜速率实时地用于膜厚控制。此外，编号“TX”表示膜厚测定部310测定在基板SX上成膜的第一层的膜厚的结果，例如编号“T1”意味着基板S1的膜厚。由于在完成了在基板上的成膜并将基板移动到传递室PS1之后才能测量膜厚，因此在从成膜起到膜厚测定为止的期间会发生时滞。图示例的膜厚测定部310在不到时刻t41以后就无法测定基板SX的膜厚。因此，成膜控制部206能够利用基板S1的膜厚T1是在第五张基板S5的成膜时之后。
在制造开始(时刻t＝0)后，在时刻t11，将基板S1搬入成膜室EV11，开始第一膜的成膜。同时，成膜速率监视器205也开始测定，在时刻t11～t13依次测定成膜速率。成膜控制部206使用得到的成膜速率进行实时控制。另外，为了方便，将对于1张基板的成膜速率的测定次数设为3次，但测定次数、测定周期能够任意地设定。另一方面，关于膜厚信息，成膜控制部206利用对于基板S1的4张前的基板(基板S-3)的测定结果。以后，在每次更换基板S时重复同样的处理。
[膜厚控制方法]
膜厚控制部350和成膜控制部206通过控制蒸发源单元203的扫描速度和来自蒸发源单元203的蒸镀材料的蒸发速度，控制形成于基板S上的薄膜的膜厚。成膜控制部206通过控制移动机构204的驱动部204b来改变蒸发源单元203的扫描速度。扫描速度控制响应性快，能够进行细微的调整。但是，若仅通过扫描速度来控制膜厚，则存在使扫描速度变慢时的生产节拍时间变长的课题。
此外，膜厚控制部350和成膜控制部206通过控制流向加热器246的电流来改变加热器246的温度，由此进行蒸镀材料的蒸发速率控制。但是，加热器246的温度控制的响应性慢，存在从控制电流起到实际上温度变化为止的时滞。另外，当为了加快温度变化而增大电流的控制量时，容易产生过冲、下冲。
如上所述，使用成膜速率监视器205和膜厚测定部310的膜厚测定分别具有特征，成膜速率监视器205具有实时性，但另一方面精度有限。另外，膜厚测定部310的精度比较高，另一方面，由于在成膜完成后进行膜厚测定，所以没有实时性。另外，关于膜厚控制，蒸发源单元203的加热器温度控制和扫描速度控制也分别具有特征，扫描速度控制的响应性快，另一方面，生产节拍时间有可能降低，加热器温度控制使蒸镀材料的放出量自身变化，另一方面，响应性慢。
因此，在本实施例中，在膜厚测定中，通过组合成膜速率监视器205的测定和膜厚测定部310的测定，并且在膜厚控制中也组合扫描速度控制和加热器温度控制，能够进行高效率的膜厚控制。依次叙述与测定方法和控制方法的组合对应的膜厚控制。表1是在以下的说明中使用的参数的通用例。在此，所谓“目标”是成为控制的目标的值，例如若Ttarget＝100，则膜厚100[埃]成为目标值。成膜控制部进行控制，以使被收容在距目标起容许误差的范围内。
表1
V<sub>scan_target</sub> 目标的扫描速度
V<sub>scan_now</sub> 当前的扫描速度
A<sub>target</sub> 目标的蒸镀速率
A<sub>now</sub> 实际的蒸镀速率(实际速率)
A<sub>measure</sub> 测量到的蒸镀速率(显示速率)
T<sub>target</sub> 目标的膜厚
T<sub>measure</sub> 测定出的膜厚
(1)基于膜厚的扫描速度控制
对将膜厚测定部310测定出的膜厚信息反映于扫描速度的反馈控制进行说明。式(1)是根据当前的扫描速度(Vscan_now)和校正系数K1计算成膜室中的扫描速度的目标值(Vscan_target)的数学式。在此，如式(2)所示，校正系数K1是测定出的膜厚(Tmeasure)与目标的膜厚(Ttarget)之比。
数学式1
Figure BDA0003511855870000161
Figure BDA0003511855870000162
例如在Ttarget＝100[埃]、Tmeasure＝150[埃]的情况下，因为膜厚超过目标值，所以需要加快扫描速度。因此，只要控制驱动部204b使得扫描速度变为1/K1倍、即1.5倍即可。
另外，反映膜厚信息的是与测定对象的基板相比多张后续的基板。因此，在成膜室内部的状况发生变化的情况下，用式(1)得到的扫描速度有可能不能达到膜厚的目标值。在这种情况下，可以进一步校正通过式(1)获得的扫描速度。例如，在连续的多个基板的膜厚相同地变化(膜厚逐渐增加或者减少)的情况下，在进行考虑了该倾向的外插处理而修正了测定膜厚(Tmeasure)之后应用于式(1)即可。
(2)基于实际速率的扫描速度控制
说明将成膜速率监视器205测定出的实际速率反映到扫描速度中的实时控制。式(3)是根据当前的扫描速度(Vscan_now)和校正系数K2计算成膜室中的扫描速度的目标值(Vscan_target)的数学式。在此，如式(4)所示，校正系数K2是测定出的蒸镀速率(Ameasure)和目标的蒸镀速率(Atarget)之比。
数学式2
Figure BDA0003511855870000163
Figure BDA0003511855870000164
例如，在Atarget＝1[埃/s]、Ameasure＝0.8[埃/s]的情况下，由于膜厚小于目标值，所以需要减慢扫描速度。因此，控制驱动部204b以使扫描速度变为1/K2倍、即0.8倍，增加每单位面积的蒸镀材料的放出量即可。
如上所述，蒸镀速率能够在成膜中测定任意的次数，因此能够实时地执行使用了式(3)的扫描速度的修正。例如，在1张基板的成膜中蒸发源单元203在腔室内多次往复的情况下，也可以针对每次往复或每个单程变更扫描速度。
(3)基于膜厚和实际速率的扫描速度控制
对将膜厚以及实际速率这双方反映到扫描速度的控制进行说明。式(5)是基于当前的扫描速度(Vscan_now)和校正系数K3计算成膜室中的扫描速度的目标值(Vscan_target)的数学式。另外，式(6)是通过使用了测定出的膜厚(Tmeasure)与目标的膜厚(Ttarget)之比(即校正系数K1)和测定出的蒸镀速率(Ameasure)与目标的蒸镀速率(Atarget)之比(即校正系数K2)的加权平均，计算校正系数K3的式子。在式(6)中，α和β表示加权平均的权重，是由用户等设定的值。通过这样的加权处理，能够变更扫描速度控制中的、蒸镀材料的放出量的贡献的程度与成膜的膜厚的贡献的程度的比率。这样的贡献的比率的控制也能够在蒸镀速率控制中执行。
数学式3
Figure BDA0003511855870000171
Figure BDA0003511855870000172
如上所述，在1张基板的成膜中，与膜厚相关的校正系数K1是恒定的，但与实际速率相关的校正系数K2被实时地控制。因此，在使用式(5)的控制中，也能够反映实际速率测定结果来实施实时控制。
在式(5)中，同等地考虑膜厚和实际速率来计算扫描速度，但也可以以基于按照式(1)计算出的膜厚的扫描速度为基础，进行基于实际速率测定结果(Ameasure)的校正。在这种情况下，例如，能够利用过去多次实际速率测定结果的平均值与前一次实际速率测定结果的比或差进行校正。由此，即使在由于蒸发源单元203的加热等的影响而使实际速度向一定方向变化的情况下，也能够维持所希望的成膜条件。
(4)基于膜厚的蒸镀速率控制
对将由膜厚测定部310测定出的膜厚信息反映于成膜速率的反馈控制进行说明。式(7)是基于实际速度(Anow)和校正系数K1计算成膜室中的蒸镀速率的目标值(Atarget)的数学式。校正系数K1通过上述式(2)计算。
数学式4
Figure BDA0003511855870000181
例如Ttarget＝100[埃]、Tmeasure＝150[埃]的情况下，因为膜厚超过目标值，所以需要降低蒸镀速率。因此，在实时控制中，只要进行降低加热器温度等的控制以使实际速率(Anow)成为K1≈0.67倍即可。
本实施例的成膜控制部206通过控制流向蒸发源单元203的加热器246的电流，使加热器246的温度变化。其结果，成膜材料242的排放量增加(或减少)，成膜速率增加(或下降)。为了实现所希望的蒸发速率而进行何种程度的电流控制即可是根据蒸发源单元203的特性或成膜室内部的状况而不同。因此，成膜控制部206也可以将表示电流控制量与蒸镀速率变化的关系的表或数学式保存在存储器中，参照该表或数学式进行控制。
另外，蒸镀速率的变更也可以通过在坩埚的内部空间或开口部、或坩埚的外部设置能够开闭的开闭器，变更其开度来实现。因此，在本实施例中，也可以代替加热器246的温度控制，或者与加热器246的温度控制一起，通过变更开闭器开度来变更蒸镀速率。
另外，反映膜厚信息的是与测定对象的基板相比多张后续的基板。因此，在成膜室内部的状况发生变化的情况下，有可能无法以式(7)得到的蒸镀速率实现膜厚的目标值。在这种情况下，也可以进一步校正由式(7)获得的成膜速率。
(5)基于实际速率的蒸镀速率控制
使用成膜速率监视器205测定出的实际速率来控制蒸镀速率是在本实施例那样的成膜装置中一般进行的处理。因此，成膜控制部206以使测定出的蒸镀速率(Ameasure)接近于目标的蒸镀速率(Atarget)的方式，使加热器温度变化来使排放量增加或者减少。该处理能够实时地执行，例如也可以在成膜速率监视器205的每次测定中进行控制。
(6)基于膜厚和实际速率的蒸镀速率控制
对将膜厚和实际速率两者反映于蒸镀速率的控制进行说明。式(8)是用于与式(2)相同地使用“Tratget/Tmeasure”作为与膜厚相关的校正系数K1，控制成膜室中的显示速率(Ameasure)，实现目标的蒸镀速率(Atarget)的数学式。
数学式5
Figure BDA0003511855870000191
例如Ttarget＝100[埃]、Tmeasure＝80[埃]、即K1＝1.25的情况下，因为膜厚小于目标值，所以需要提高蒸镀速率。因此，只要控制加热器温度等以使显示速率(Ameasure)成为1.25倍即可。
在上述(1)～(3)中，控制扫描速度，在(4)～(6)中，通过改变加热器温度来控制蒸镀速率。如上所述，在扫描速度控制和蒸镀速率控制中，在对控制的响应性、对生产节拍时间的影响等方面分别具有特征，因此，优选将两者适当组合来进行控制。
图9是用于说明提高效率和精度的控制的一例的概念性图表。图9(a)是仅通过改变加热器温度来进行成膜中的控制的现有例。在该例子中，在时刻t0开始了基板S的成膜处理之后，成膜控制部206基于时刻t1的Ameasure值判断为需要提高蒸镀速率，为了使加热器温度上升而增加电流。但是，由于对控制的响应性慢，因此直到达到目标的蒸镀速率为止产生时滞(W1)。而且，在到达目标之后也可能发生过冲(W2)。另外，若为了消除过冲而减少流过加热器的电流，则有可能产生下冲(W3)。而且，还可能发生振荡。另一方面，在为了减小过冲量而逐渐变更加热器温度的情况下，到温度上升为止的时间变长，存在生产节拍时间变差的可能性。
图9(b)是为了补偿加热器温度控制的响应性的延迟，将扫描速度控制与通过改变加热器温度进行的蒸镀速率控制相组合的例子。在该例中，在时刻t0开始了基板S的成膜处理之后，成膜控制部基于时刻t3的Ameasure值判断为需要提高蒸镀速率，为了使加热器温度上升而使电流增加。但是，为了不发生上述过冲，使温度上升曲线平缓(参照实线曲线和左侧的纵轴)。而且，为了补偿温度升高所需的时间的延长，成膜控制部降低扫描速度(参见单点划线曲线和右侧纵轴)。并且，若判断为蒸镀速率充分接近目标值(W4)，则使扫描速度恢复原状。因此，能够抑制过冲和振荡。
[实施例2]
在此，说明对不是集群型的电子器件制造装置进行膜厚控制的例子。图10是本实施例的电子器件制造装置，表示一边搬送被对准并贴紧的基板S和掩模M一边进行成膜的串联型装置。
制造装置250具有掩模搬入室90、对准室100(掩模安装室)、多个成膜室110a和110b、翻转室111a和111b、搬送室112、掩模分离室113、基板分离室114、载体搬送室115、掩模搬送室116、基板搬入室117(基板安装室)和膜厚测定室118这样的各腔室。保持在基板载体9上的基板S沿着虚线所示的路径在各个腔室内被搬送，掩模M沿着点线所示的路径在各个腔室内被搬送。
即，在基板搬入室117中被保持在基板载体9上而被搬入到虚线的路径上的基板S在翻转室111a中被翻转机构120a翻转姿势，在掩模搬入室90中被搭载到掩模M上。接着，在对准室100中进行基板S和掩模M的对准及贴紧后，一边在成膜室110a、110b中搬送，一边接受从设置在成膜室中的蒸发源单元203放出的蒸镀材料的成膜。另外，在基板载体上安装有成膜速率监视器205。因此，被释放的蒸镀材料与附着在基板S的被成膜面的同时也附着在成膜速率监视器205上。由此，测定成膜中的成膜速率。另外，在设置于成膜室110a和110b的中途的膜厚测定室118中配置有进行光学膜厚测定的膜厚测定部310，使基板载体9暂时停止，测定成膜室110a中的成膜后的薄膜的厚度。
接着，将保持在基板载体上的基板S搬入到搬送室112中。在搬送室112中也配置有膜厚测定部310，测定成膜室110b中的成膜后的薄膜的厚度。接着，在掩模分离室113中分离掩模M后，在翻转室111b中通过翻转机构120b将基板S的姿势翻转，在基板分离室114中从基板载体9分离基板S并搬出到制造装置外部。另一方面，基板载体9经由载体搬送室115搬送到基板搬入室117，保持下一个基板S。
另外，制造装置具备未图示的膜厚控制部350和成膜控制部206。在具有本实施例的结构的制造装置中，搭载在基板载体9上的成膜速率监视器205测定成膜中的成膜速率，膜厚测定部310光学性地测定成膜后的膜厚。然后，膜厚控制部350和成膜控制部206使用成膜速率和膜厚的测定结果，通过调整基板载体9的搬送速度来控制配置在成膜室内的蒸发源单元203和基板S的相对速度，并且通过控制投入蒸发源单元203的电流来控制蒸镀材料的蒸发量。因此，根据与上述实施例相同的原理，能够进行高精度的膜厚控制。
[实施例3]
(有机电子器件的制造方法)
在本实施例中，对使用了成膜装置的有机电子器件的制造方法的一例进行说明。以下，作为有机电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构和制造方法。首先，对制造的有机EL显示装置进行说明。图11(a)是有机EL显示装置60的整体图，图11(b)示出了一个像素的截面结构。
如图11(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外，在此所说的像素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本图的有机EL显示装置的情况下，通过显示互不相同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成，但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成，只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图11(b)是图11(a)的A－B线处的局部截面示意图。像素62在基板10上具有有机EL元件，该有机EL元件具备第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、第二电极(阴极)68。它们当中的空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。
发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外，第一电极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和第二电极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成，也可以针对每一个发光元件而形成。另外，为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路，在第一电极64间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层因水分和氧而劣化，所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层P。
接着，具体地说明作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法的例子。首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第一电极64的基板10。
接着，在形成有第一电极64的基板10之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂，利用光刻法，以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板10搬入第一成膜装置，由基板支承单元支承基板，将空穴输送层65作为在显示区域的第一电极64之上共同的层而成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸，所以不需要高精细的掩模。在此，在本步骤的成膜、以下的各层的成膜中使用的成膜装置是上述各实施例的任一个所述的成膜装置。
接着，将形成有空穴输送层65为止的基板10搬入第二成膜装置，由基板支承单元支承。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模之上，在基板10的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。根据本例，能够使掩模与基板良好地重合，能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地，利用第三成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G，而且利用第四成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，利用第五成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到溅镀装置，成膜第二电极68，之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层P，完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板10搬入成膜装置到保护层P的成膜完成为止，若暴露于含有水分和氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而，本例中，基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
本发明的膜厚测定方法和使用膜厚的成膜控制方法能够适用于以发光层为首的上述各层的形成。其结果，能够提高对基板的成膜工艺中的膜厚的测定和控制的精度，进行良好的成膜控制。因此，能够良好地实施包括对基板进行有机材料的成膜的工序和对基板进行电极构件的形成的工序在内的电子器件的制造方法。

Claims (18)

1.一种成膜装置，将蒸镀材料向基板蒸镀而进行成膜，其特征在于，
该成膜装置具备：
蒸发源，相对于所述基板在相对移动的同时放出所述蒸镀材料；
第一控制部件，控制来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；
第二控制部件，控制所述基板和所述蒸发源的相对速度；
监视部件，在成膜中，测定来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；
膜厚测定部件，在成膜后，测定蒸镀在所述基板上的膜的膜厚；以及
控制部，基于由所述监视部件测定出的所述放出量及由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚，控制所述第一控制部件及所述第二控制部件。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部进行实时控制，该实时控制将所述监视部件对于成膜中的所述基板测定出的所述放出量应用于对该成膜中的所述基板成膜时的控制，
所述控制部进行反馈控制，该反馈控制将所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚应用于对相比测定对象的所述基板后续的基板成膜时的控制。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部控制所述第一控制部件及所述第二控制部件，以使由所述膜厚测定部件测定的所述膜厚接近于目标值。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚小于目标值的情况下，所述第一控制部件进行使所述蒸镀材料的放出量增加的控制，
在由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚超过目标值的情况下，所述第一控制部件进行使所述蒸镀材料的放出量减少的控制。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚小于目标值的情况下，所述第二控制部件进行使所述相对速度变慢的控制，
在由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚超过目标值的情况下，所述第二控制部件进行使所述相对速度变快的控制。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部控制所述第一控制部件及所述第二控制部件，以使由所述监视部件测定的所述放出量接近于目标值。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在由所述监视部件测定出的所述放出量小于目标值的情况下，所述第一控制部件进行使所述蒸镀材料的放出量增加的控制，
在由所述监视部件测定出的所述放出量超过目标值的情况下，所述第一控制部件进行使所述蒸镀材料的放出量减少的控制。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在由所述监视部件测定出的所述放出量小于目标值的情况下，所述第二控制部件进行使所述相对速度变慢的控制，
在由所述监视部件测定出的所述放出量超过目标值的情况下，所述第二控制部件进行使所述相对速度变快的控制。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部基于由所述监视部件测定出的所述放出量及由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚，控制所述第一控制部件。
10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部基于由所述监视部件测定出的所述放出量及由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚，控制所述第二控制部件。
11.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部变更测定出的所述放出量的贡献与测定出的所述膜厚的贡献的比率。
12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述监视部件包括具有水晶振子的成膜速率监视器。
13.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述膜厚测定部件包括光学性地测定在所述基板上成膜了的膜的膜厚的传感器。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具备：
成膜室，配置有所述监视部件；以及
腔室，配置有所述膜厚测定部件，
在所述成膜室中，由所述监视部件对成膜中的所述基板进行测定，
成膜后的所述基板被搬入所述腔室，由所述膜厚测定部件对被搬入的该基板进行测定。
15.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜室与第二成膜室一起构成集群型单元，
从所述集群型单元成膜后的所述基板被共同搬入到所述腔室。
16.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具有保持所述基板的基板载体，
所述成膜室是在将所述基板连同所述基板载体一起搬送的同时进行成膜的串联型成膜室，
在所述成膜室中结束了对所述基板的成膜之后的所述基板载体被搬入所述腔室，
所述基板载体具备所述监视部件，在所述成膜室中的成膜中测定所述蒸镀材料的放出量。
17.一种成膜装置的控制方法，该成膜装置具备：蒸发源，相对于基板在相对移动的同时放出蒸镀材料而在所述基板上进行成膜；监视部件；以及膜厚测定部件，其特征在于，
该成膜装置的控制方法具有：
在成膜中，由所述监视部件测定来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量的工序；
在成膜后，由所述膜厚测定部件测定蒸镀在所述基板上的膜的膜厚的工序；以及
基于由所述监视部件测定出的所述放出量及由所述膜厚测定部件测定出的所述膜厚，控制来自所述蒸发源的所述蒸镀材料的放出量和所述基板与所述蒸发源的相对速度的工序。
18.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
该电子器件的制造方法具有：
使用权利要求17所述的控制方法在所述基板上进行有机材料的成膜的工序；以及
在所述基板上形成电极构件的工序。
CN202210154432.2A 2021-03-03 2022-02-21 成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法 Active CN115011929B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-033791 2021-03-03
JP2021033791A JP7301896B2 (ja) 2021-03-03 2021-03-03 成膜装置、成膜装置の制御方法、および電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115011929A true CN115011929A (zh) 2022-09-06
CN115011929B CN115011929B (zh) 2024-03-26

Family

ID=83066473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210154432.2A Active CN115011929B (zh) 2021-03-03 2022-02-21 成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7301896B2 (zh)
KR (1) KR20220124640A (zh)
CN (1) CN115011929B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115406489A (zh) * 2022-11-01 2022-11-29 山东申华光学科技有限公司 一种镀膜机镀膜的监测预警方法及系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003029026A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Alps Electric Co Ltd 光学薄膜の成膜装置及び成膜方法並びに光学フィルタ
JP2004247113A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子の製造装置及び有機電界発光素子の製造方法
JP2005281858A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置
US20120114837A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Film formation apparatus and film formation method
JP2014070240A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着装置、および、蒸着制御方法
CN111748772A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 佳能特机株式会社 成膜装置及成膜方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4476073B2 (ja) * 2004-04-08 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
KR101870581B1 (ko) * 2017-09-29 2018-06-22 캐논 톡키 가부시키가이샤 수정진동자의 수명 판정방법, 막두께 측정장치, 성막방법, 성막장치, 및 전자 디바이스 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003029026A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Alps Electric Co Ltd 光学薄膜の成膜装置及び成膜方法並びに光学フィルタ
JP2004247113A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Sony Corp 有機電界発光素子の製造装置及び有機電界発光素子の製造方法
JP2005281858A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置
US20120114837A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Film formation apparatus and film formation method
JP2014070240A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着装置、および、蒸着制御方法
CN111748772A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 佳能特机株式会社 成膜装置及成膜方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115406489A (zh) * 2022-11-01 2022-11-29 山东申华光学科技有限公司 一种镀膜机镀膜的监测预警方法及系统
CN115406489B (zh) * 2022-11-01 2023-01-24 山东申华光学科技有限公司 一种镀膜机镀膜的监测预警方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022134581A (ja) 2022-09-15
JP7301896B2 (ja) 2023-07-03
KR20220124640A (ko) 2022-09-14
CN115011929B (zh) 2024-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10431779B2 (en) Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US7157306B2 (en) Method of and system for manufacturing organic EL devices
KR101959975B1 (ko) 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP7364432B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法
KR20200014100A (ko) 증발 레이트 측정 장치, 증발 레이트 측정 장치의 제어 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법
CN107735507B (zh) 用于沉积系统的掩模和使用掩模的方法
JP7017619B2 (ja) 成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
CN115011929B (zh) 成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法
KR102617764B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN114990490B (zh) 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
JP7150776B2 (ja) 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP7291098B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7431088B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102544596B1 (ko) 전자 디바이스의 제조 방법, 측정 방법 및 성막 장치
CN112442660A (zh) 挡板装置、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法
KR102659924B1 (ko) 막두께 측정 장치, 성막 장치, 막두께 측정 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
WO2024024266A1 (ja) 膜厚測定装置、成膜装置、膜厚測定方法及び電子デバイスの製造方法
JP2022107969A (ja) 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant