CN115001303A - 半导体电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体电路，包括控制芯片和逆变器单元；所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、第一逆变模块、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；第一高阻控制单元用于根据第一高阻控制信号控制其信号输入端串联第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；第二高阻控制单元用于根据第二高阻控制信号控制其信号输入端串联第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加第二高阻控制单元的信号输出端的耐压。与相关技术相比，本发明的技术方案的耐压值可调且应用范围广。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种半导体电路。
背景技术
随着工业快速发展，半导体电路正朝着智能化、集成化的方向发展，智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类的半导体电路,兼有大功率晶体管高电流、低饱和电压和高耐压的优点，以及场效应晶体管高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且半导体电路的内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，正是集成多个逻辑电路，使得应用设计简易，不仅减少了系统的体积，缩短了开发时间，也增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向，半导体电路在功率电子领域得到了越来越广泛的应用。半导体电路中集成模块是实现功率控制模块集成化、小型化和智能化的主要途径。
相关技术中，半导体电路包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元。请参考图1所示，所述控制芯片010为智能功率模块中常用的控制芯片。所述逆变器单元包括三组逆变模块，第一组逆变模块由逆变三极管001和逆变三极管004组成；逆变三极管001为上桥臂1，逆变三极管004为下桥臂。第二组逆变模块由逆变三极管0021和逆变三极管005组成；逆变三极管0021为上桥臂1，逆变三极管005为下桥臂。第三组逆变模块由逆变三极管003和逆变三极管006组成；逆变三极管003为上桥臂1，逆变三极管006为下桥臂。其中，逆变三极管为一个三极管和二极管并列组成，即二极管的正极端连接至三极管的源极，二极管的负极端连接至三极管的漏极。第一组逆变模块的连接关系为：逆变三极管001的栅极和逆变三极管004的栅极均连接至所述控制芯片010；上桥臂的逆变三极管001的漏极与半导体电路的高压输入端P连接，上桥臂的逆变三极管001的源极与下桥臂的逆变三极管004的漏极连接，下桥臂的逆变三极管004的源极与半导体电路的引脚UN端连接。第二组逆变模块和第三组逆变模块连接关系与第一组逆变模块的连接关系结构相同。
然而,半导体电路中集成模块通过把多个裸芯片合封成型，因为每个裸芯出厂时候已经设定了其性能值，比如耐压值多少，电流多少等，在半导体电路封测过程，一旦选好方案，半导体电路中的性能参数值固定下来，使得半导体电路封测后的模组使用的局限性，比如半导体电路封测后的模组的产品的芯片耐压值在600V/15A规格下，该芯片只能局限应用到600V/15A规格的应用场景，类似1200V/15A规格的应用场景则无法应用。上述半导体电路封测后的模组的产品的芯片自身资源的限制及应用客户开发资源的限制，缺少应用灵活性，应用受限制。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中的不足之处，提供一种高压集成电路，能够耐压值可调且应用范围广。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种一种半导体电路，其包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元；所述逆变器单元包括至少一个逆变模块,所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，所述逆变模块包括第一逆变模块；
所述第一高阻控制端用于接收外部的第一高阻控制信号；所述第二高阻控制端用于接收外部的第二高阻控制信号；
所述第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；
所述第一高阻控制单元用于根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；
所述第二高阻控制单元用于根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元的信号输出端的耐压；
所述第一逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGU管脚端；所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端,或者所述第一逆变三极管的漏极作为所述半导体电路的P管脚端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端,或者所述第一逆变三极管的源极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；
所述第二逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGU管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端,或者所述第二逆变三极管的漏极连接至所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端,或者所述第二逆变三极管的源极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；
所述第一高阻控制单元的控制端作为所述第一高阻控制端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端，或者所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的U管脚端；
所述第二高阻控制单元的控制端作为所述第二高阻控制端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端，或者连接至所述半导体电路的NU管脚端。
更进一步地，所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端。
更进一步地，所述逆变器单元还第三高阻控制端、第四高阻控制端、第二逆变模块、第三逆变模块、具有第三电阻的第三高阻控制单元以及具有第四电阻的第四高阻控制单元；所述第一高阻控制单元、所述第二高阻控制单元、所述第三高阻控制单元以及所述第四高阻控制单元的电路结构相同；
所述第三高阻控制端用于接收外部的第三高阻控制信号；所述第四高阻控制端用于接收外部的第四高阻控制信号；
所述第二逆变模块包括第三逆变三极管和第四逆变三极管；所述第三逆变模块包括第五逆变三极管和第六逆变三极管；
所述第一高阻控制单元的信号输入端还分别连接至所述第三逆变三极管的漏极和所述第三逆变三极管的漏极；
所述第三逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGV管脚端；所述第三逆变三极管的源极作为所述半导体电路的V管脚端；
所述第四逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGV管脚端；所述第四逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NV管脚端；所述第四逆变三极管的漏极连接至所述第三高阻控制单元的信号输入端；所述第三高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的V管脚端；所述第三高阻控制单元的控制端作为所述第三高阻控制端；
所述第五逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGW管脚端；所述第五逆变三极管的源极作为所述半导体电路的W管脚端；
所述第六逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGW管脚端；所述第六逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NW管脚端；所述第六逆变三极管的漏极连接至所述第四高阻控制单元的信号输入端；所述第四高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的W管脚端；所述第四高阻控制单元的控制端作为所述第四高阻控制端。
更进一步地，所述第一高阻控制单元还包括第一开关，
所述第一电阻的第一端作为所述第一高阻控制单元的信号输入端，且所述第一电阻的第一端连接至所述第一开关的第二接触点端；
所述第一电阻的第二端连接至至所述第一开关的第一接触点端；
所述第一开关的控制端作为所述第一高阻控制单元的控制端；所述第一开关的第三接触点端作为所述第一高阻控制单元的信号输出端；
所述第一高阻控制信号控制所述第一开关的第一接触点端与所述第一开关的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第一开关的第二接触点端与所述第一开关的第三接触点端断开或闭合；
所述第二高阻控制单元还包括第二开关，
所述第二电阻的第一端作为所述第二高阻控制单元的信号输入端，且所述第二电阻的第一端连接至所述第二开关的第二接触点端；
所述第二电阻的第二端连接至至所述第二开关的第一接触点端；
所述第二开关的控制端作为所述第二高阻控制单元的控制端；所述第二开关的第三接触点端作为所述第二高阻控制单元的信号输出端；
所述第二高阻控制信号控制所述第二开关的第一接触点端与所述第二开关的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第二开关的第二接触点端与所述第二开关的第三接触点端断开或闭合。
更进一步地，所述第一开关包括第三三极管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、续流二极管以及电磁器；
所述第一限流电阻的第一端作为所述第一开关的控制端；所述第一限流电阻的第二端分别连接至所述第三三极管的栅极和所述第二限流电阻的第一端；所述第二限流电阻的第二端连接至接地；
所述第三三极管的漏极分别连接至所述电磁器的第一端和所述续流二极管的正极端；所述第三三极管的源极连接至接地；
所述电磁器的第二端分别连接至所述续流二极管的负极端和电源电压；
所述电磁器的第一接触点连接至所述第三限流电阻的第二端；所述第三限流电阻的第一端作为所述第一开关的第一接触点端；
所述电磁器的第二接触点作为所述第一开关的第二接触点端；所述电磁器的第三接触点作为所述第一开关的第三接触点端；
所述第二高阻控制单元和所述第一高阻控制单元的电路结构相同。
更进一步地，所述第三限流电阻为电阻值可调的电阻。
更进一步地，所述第一开关还包括阻值控制端，所述阻值控制端用于接收外部的阻值调整信号，以实现调整所述第三限流电阻的阻值；
所述第三限流电阻包括并联设置的多个限流电阻单元；所述阻值控制端包括多个，所述阻值控制端与所述限流电阻单元一一对应；
多个所述限流电阻单元的第一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第一端；多个所述限流电阻单元的第二端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第二端；所述限流电阻单元的控制端作为所述第一开关的阻值控制端。
更进一步地，所述限流电阻单元包括第一限流电阻单元、第二限流电阻单元以及第三限流电阻单元；所述第一限流电阻单元包括第一可变电阻和其中一端与所得第一可变电阻的一端连接的第一控制开关；所述第二限流电阻单元包括第二可变电阻和其中一端与所得第二可变电阻的一端连接的第二控制开关；所述第三限流电阻单元包括第三可变电阻和其中一端与所得第三可变电阻的一端连接的第三控制开关；其中，所述限流电阻单元的控制端分别连接并控制所述第一控制开关的控制端、所述第二控制开关的控制端以及所述第三控制开关的控制端；所述第一可变电阻的另一端、所述第二可变电阻的另一端以及所述第三可变电阻的另一端相互连接，并作为所述第三限流电阻的第一端；所述第一控制开关的另一端、所述第二控制开关的另一端以及所述第三控制开关的另一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第二端。
更进一步地，所述第一电阻的阻值和所述第一高阻控制单元增加的耐压值的数值相同且一一对应；所述第二电阻的阻值和所述第二高阻控制单元增加的耐压值的数值相同且一一对应。
更进一步地，所述第一逆变三极管的内阻值为350k欧姆，所述第一电阻的阻值为100欧姆，所述第一高阻控制单元增加的耐压值为100伏特；所述第二逆变三极管的内阻值为350k欧姆，所述第二电阻的阻值为100欧姆，所述第二高阻控制单元增加的耐压值为100伏特。
本发明的有益效果：本发明中，通过半导体电路内设置具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元；第一高阻控制单元根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；第二高阻控制单元根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元的信号输出端的耐压。该电路设置使得本发明的半导体电路的耐压值可调且应用范围广。
附图说明
图1是相关技术的半导体电路的一种具体实施的电路原理图；
图2是本发明实施例提供的半导体电路的一种具体实施的电路原理图；
图3是本发明实施例提供的半导体电路的逆变三极管与电阻的连接关系的电路图；
图4是本发明实施例提供的半导体电路的逆变三极管与电阻的另一种连接关系的电路图；
图5是本发明实施例提供的逆变器单元的另一种实施例的电路结构图；
图6是本发明实施例提供的半导体电路的第一开关的电路图；
图7是本发明实施例提供的半导体电路的第一开关的另一种实施例的电路图；
图8是本发明实施例提供的半导体电路的制造方法的流程框图。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明进行详细说明。
本发明的一种半导体电路100。同时参阅图2，图2是本发明实施例提供的半导体电路的一种具体实施的电路原理图。
所述半导体电路100包括控制芯片U1和与所述控制芯片U1连接的逆变器单元U2。
所述控制芯片U1为智能功率模块中常用的控制芯片。当然，不限于此，所述控制芯片U1还可以为处理器芯片或者单片机，当然，所述控制芯片U1不限于芯片，模块或者薄膜电路也是可以的。
所述逆变器单元U2包括至少一个逆变模块（图未标）,所述逆变模块包括相互连接分别形成上臂桥和下臂桥的两个逆变三极管。所述逆变三极管包括一个三极管和一个二极管,所述三极管的栅极作为所述逆变三极管的栅极,所述三极管的漏极作为所述逆变三极管的漏极,所述三极管的源极作为所述逆变三极管的源极,所述二极管的正极端连接至所述三极管的源极,所述二极管的负极端连接至所述三极管的漏极。同时参阅图3-4，图3中的所述逆变三极管包括一个三极管Q1和一个二极管D1, 所述三极管Q1的栅极作为所述逆变三极管的栅极,所述三极管Q1的漏极作为所述逆变三极管的漏极,所述三极管Q1的源极作为所述逆变三极管的源极,所述二极管D1的正极端连接至所述三极管Q1的源极,所述二极管D1的负极端连接至所述三极管Q1的漏极。图4中的所述逆变三极管包括一个三极管Q2和一个二极管D2, 所述三极管Q2的栅极作为所述逆变三极管的栅极,所述三极管Q2的漏极作为所述逆变三极管的漏极,所述三极管Q2的源极作为所述逆变三极管的源极,所述二极管D2的正极端连接至所述三极管Q2的源极,所述二极管D2的负极端连接至所述三极管Q2的漏极。
所述逆变器单元U2包括三组。
第一组的所述逆变器单元U2包括第一高阻控制端EN1、第二高阻控制端EN2、第一逆变模块（图未标）、具有第一电阻R1的第一高阻控制单元7以及具有第二电阻R2的第二高阻控制单元8。其中，所述逆变模块包括第一逆变模块。第一高阻控制端EN1、第二高阻控制端EN2、第一逆变模块（图未标）、具有第一电阻R1的第一高阻控制单元7以及具有第二电阻R2的第二高阻控制单元8共同形成一组功能电路单元。
所述第一高阻控制端EN1用于接收外部的第一高阻控制信号。所述第二高阻控制端EN2用于接收外部的第二高阻控制信号。
所述第一逆变模块包括第一逆变三极管1和第二逆变三极管2。其中，第一电阻R1作为第一逆变三极管1的分压电阻，第二电阻R2作为第二逆变三极管2的分压电阻。第一逆变三极管1为上桥臂，第二逆变三极管2为下桥臂。
所述第一高阻控制单元7用于根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻R1后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元7的信号输出端的耐压。
所述第二高阻控制单元8用于根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻R2后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元8的信号输出端的耐压。
第一组的所述逆变器单元U2的电路连接关系为：
所述第一逆变三极管1的栅极连接至所述控制芯片U1的PGU管脚端。所述第一逆变三极管1的漏极连接至所述第一高阻控制单元7的信号输入端,或者所述第一逆变三极管1的漏极作为所述半导体电路100的P管脚端。所述第一逆变三极管1的源极作为所述半导体电路100的U管脚端,或者所述第一逆变三极管1的源极连接至所述第一高阻控制单元7的信号输入端。
所述第二逆变三极管2的栅极连接至所述控制芯片U1的NGU管脚端。所述第二逆变三极管2的漏极连接至所述第二高阻控制单元8的信号输入端,或者所述第二逆变三极管2的漏极连接至所述半导体电路100的U管脚端。所述第二逆变三极管2的源极作为所述半导体电路100的NU管脚端,或者所述第二逆变三极管2的源极连接至所述第二高阻控制单元8的信号输入端。
所述第一高阻控制单元7的控制端作为所述第一高阻控制端EN1。所述第一高阻控制单元7的信号输出端作为所述半导体电路100的P管脚端，或者所述第一高阻控制单元7的信号输出端作为所述半导体电路100的U管脚端。
所述第二高阻控制单元8的控制端作为所述第二高阻控制端EN2。所述第二高阻控制单元8的信号输出端连接至所述半导体电路100的U管脚端，或者连接至所述半导体电路100的NU管脚端。
由于第一电阻R1作为第一逆变三极管1的分压电阻，第二电阻R2作为第二逆变三极管2的分压电阻。分压电阻与逆变三极管的连接关系有两种，请参阅图3，分压电阻RA的一端连接至所述三级管Q1的漏极；另一种，请参阅图4，分压电阻RB的一端连接至所述三级管Q2的源极。
请参阅图2，本实施例中，所述第一逆变三极管1的漏极连接至所述第一高阻控制单元7的信号输入端。所述第一逆变三极管1的源极作为所述半导体电路100的U管脚端。所述第二逆变三极管2的漏极连接至所述第二高阻控制单元8的信号输入端。所述第二逆变三极管2的源极作为所述半导体电路100的NU管脚端。所述第一高阻控制单元7的信号输出端作为所述半导体电路100的P管脚端。所述第二高阻控制单元8的信号输出端连接至所述半导体电路100的U管脚端。
当然，不限于此，在另一个实施例中还可以设置另一种连接关系。请参阅图5，图5是本发明实施例提供的逆变器单元的另一种实施例的电路结构图。图5中分压电阻RC设置于作为上桥臂的逆变三极管的漏极一端，分压电阻RD设置于作为下桥臂的逆变三极管的源极一端；作为上桥臂的逆变三极管的源极连接至作为下桥臂的逆变三极管的漏极，该连接点作为输出端输出三相信号波；作为上桥臂的逆变三极管的栅极和作为下桥臂的逆变三极管的栅极分别连接至所述控制芯片U1，用于接收所述控制芯片U1的数字控制信号。
另外两组的所述逆变器单元U2的电路结构和连接关系与第一组的所述逆变器单元U2的电路结构和连接关系相同。具体的，所述逆变器单元U2还包括第三高阻控制端EN3、第四高阻控制端EN4、第二逆变模块（图未标）、第三逆变模块（图未标）、具有第三电阻R3的第三高阻控制单元9以及具有第四电阻R4的第四高阻控制单元10。所述第一高阻控制单元7、所述第二高阻控制单元8、所述第三高阻控制单元9以及所述第四高阻控制单元10的电路结构相同。
两组的所述逆变器单元U2的电路连接关系为：
所述第三高阻控制端EN3用于接收外部的第三高阻控制信号。所述第四高阻控制端EN4用于接收外部的第四高阻控制信号。
所述第二逆变模块包括第三逆变三极管3和第四逆变三极管4。所述第三逆变模块包括第五逆变三极管5和第六逆变三极管6。
所述第一高阻控制单元7的信号输入端还分别连接至所述第三逆变三极管3的漏极和所述第三逆变三极管3的漏极。
所述第三逆变三极管3的栅极连接至所述控制芯片U1的PGV管脚端。所述第三逆变三极管3的源极作为所述半导体电路100的V管脚端。
所述第四逆变三极管4的栅极连接至所述控制芯片U1的NGV管脚端。所述第四逆变三极管4的源极作为所述半导体电路100的NV管脚端。所述第四逆变三极管4的漏极连接至所述第三高阻控制单元9的信号输入端。所述第三高阻控制单元9的信号输出端连接至所述半导体电路100的V管脚端。所述第三高阻控制单元9的控制端作为所述第三高阻控制端EN3。
所述第五逆变三极管5的栅极连接至所述控制芯片U1的PGW管脚端。所述第五逆变三极管5的源极作为所述半导体电路100的W管脚端。
所述第六逆变三极管6的栅极连接至所述控制芯片U1的NGW管脚端。所述第六逆变三极管6的源极作为所述半导体电路100的NW管脚端。所述第六逆变三极管6的漏极连接至所述第四高阻控制单元10的信号输入端。所述第四高阻控制单元10的信号输出端连接至所述半导体电路100的W管脚端。所述第四高阻控制单元10的控制端作为所述第四高阻控制端EN4。
所述第一高阻控制单元7、所述第二高阻控制单元8、所述第三高阻控制单元9以及所述第四高阻控制单元10的工作原理也相同。以下所述第一高阻控制单元7和所述第二高阻控制单元8的电路结构为例进行详细说明。
具体的，所述第一高阻控制单元7还包括第一开关S1。
所述第一高阻控制单元7的电路连接关系为：
所述第一电阻R1的第一端作为所述第一高阻控制单元7的信号输入端，且所述第一电阻R1的第一端连接至所述第一开关S1的第二接触点端。
所述第一电阻R1的第二端连接至至所述第一开关S1的第一接触点端。
所述第一开关S1的控制端作为所述第一高阻控制单元7的控制端。所述第一开关S1的第三接触点端作为所述第一高阻控制单元7的信号输出端。
所述第一高阻控制信号控制所述第一开关S1的第一接触点端与所述第一开关S1的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第一开关S1的第二接触点端与所述第一开关S1的第三接触点端断开或闭合。
其中，所述第一电阻R1的阻值和所述第一高阻控制单元7增加的耐压值的数值相同且一一对应；所述第二电阻R2的阻值和所述第二高阻控制单元8增加的耐压值的数值相同且一一对应。
本实施例中，依据三极管规格书中的“Collector to Emitter BreakdownVoltage”的参考条件，比如VGE = 0V, IC =1mA时候的耐压值为350V，这时可算得三极管的内阻值：R=V/I=350k欧姆。即所述第一逆变三极管1的内阻值为350k欧姆，所述第一电阻R1的阻值为100欧姆，所述第一高阻控制单元7增加的耐压值为100伏特；所述第二逆变三极管2的内阻值为350k欧姆，所述第二电阻R2的阻值为100欧姆，所述第二高阻控制单元8增加的耐压值为100伏特。因此，在本实施例中，增加1K欧姆的第一电阻R1的阻值，所述第一高阻控制单元7增加的耐压值随之增加为1伏特，该电路结构使得所述半导体电路100的耐压值可调且应用范围广。
所述第二高阻控制单元8还包括第二开关S2。
所述第二高阻控制单元8的电路连接关系为：所述第二电阻R2的第一端作为所述第二高阻控制单元8的信号输入端，且所述第二电阻R2的第一端连接至所述第二开关S2的第二接触点端。
所述第二电阻R2的第二端连接至至所述第二开关S2的第一接触点端。
所述第二开关S2的控制端作为所述第二高阻控制单元8的控制端。所述第二开关S2的第三接触点端作为所述第二高阻控制单元8的信号输出端。
所述第二高阻控制信号控制所述第二开关S2的第一接触点端与所述第二开关S2的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第二开关S2的第二接触点端与所述第二开关S2的第三接触点端断开或闭合。
同理，所述第三高阻控制单元9以及所述第四高阻控制单元10的电路结构相同。
为了详细说明第一开关S1如何实现所述第一高阻控制单元7增加所述第一高阻控制单元7的信号输出端的耐压，以下通过第一开关S1进行说明。
具体的，所述第一开关S1包括第三三极管Q3、第一限流电阻RX、第二限流电阻RY、第三限流电阻RZ、续流二极管DA以及电磁器KA。
请参阅图6，图6是本发明实施例提供的半导体电路100的第一开关S1的电路图。
所述第一开关S1的电路连接关系如下：
所述第一限流电阻RX的第一端作为所述第一开关S1的控制端ENA。所述第一限流电阻RX的第二端分别连接至所述第三三极管Q3的栅极和所述第二限流电阻RY的第一端。所述第二限流电阻RY的第二端连接至接地。
所述第三三极管Q3的漏极分别连接至所述电磁器KA的第一端和所述续流二极管DA的正极端。所述第三三极管Q3的源极连接至接地。
所述电磁器KA的第二端分别连接至所述续流二极管DA的负极端和电源电压。
所述电磁器KA的第一接触点1’连接至所述第三限流电阻RZ的第二端。所述第三限流电阻RZ的第一端作为所述第一开关S1的第一接触点端。
所述电磁器KA的第二接触点2’作为所述第一开关S1的第二接触点端。所述电磁器KA的第三接触点3’作为所述第一开关S1的第三接触点端。
其中，为了更灵活地调整所述第一高阻控制单元7的信号输出端的耐压，本实施例中，所述第三限流电阻RZ为电阻值可调的电阻。通过调整所述第三限流电阻RZ的阻值，可以实现灵活地调整所述第一高阻控制单元7的信号输出端的耐压，使得所述半导体电路100的应用更广。
所述第一开关S1切换开关常态下，第二接触点2’与第三接触点3’是闭合的，第一接触点1’是常开状态，如需要串联电阻时，需要外围主板给个信号EN1，使得第三接触点3与第一接触点1’是闭合的，第二接触点2’断开，通过在所述半导体电路100的P管脚端串联所述第一电阻R1，使得作为上桥臂的第一逆变三极管1的耐压、第三逆变三极管3的耐压、第五逆变三极管5的耐压增大。
本实施例中，所述第一开关S1的一种具体电路结构为：
所述第一开关S1还包括阻值控制端ENB，所述阻值控制端ENB用于接收外部的阻值调整信号，以实现调整所述第三限流电阻RZ的阻值。
所述第三限流电阻RZ包括并联设置的多个限流电阻单元。所述阻值控制端ENB包括多个，所述阻值控制端ENB与所述限流电阻单元一一对应。
多个所述限流电阻单元的第一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻RZ的第一端。多个所述限流电阻单元的第二端均相互连接，并作为所述第三限流电阻RZ的第二端。所述限流电阻单元的控制端作为所述第一开关S1的阻值控制端ENB。
请参阅图7，图7是本发明实施例提供的半导体电路100的第一开关S1的另一种实施例的电路图。
具体的，所述限流电阻单元包括第一限流电阻单元A1、第二限流电阻单元A2以及第三限流电阻单元A3。
所述第一限流电阻单元A1包括第一可变电阻RZ1和其中一端与所得第一可变电阻RZ1的一端连接的第一控制开关K1。所述第二限流电阻单元A2包括第二可变电阻RZ2和其中一端与所得第二可变电阻RZ2的一端连接的第二控制开关K2。所述第三限流电阻单元A3包括第三可变电阻RZ3和其中一端与所得第三可变电阻RZ3的一端连接的第三控制开关K3。其中，所述限流电阻单元的控制端分别连接并控制所述第一控制开关K1的控制端、所述第二控制开关K2的控制端以及所述第三控制开关K3的控制端。所述第一可变电阻RZ1的另一端、所述第二可变电阻RZ2的另一端以及所述第三可变电阻RZ3的另一端相互连接，并作为所述第三限流电阻RZ的第一端。所述第一控制开关K1的另一端、所述第二控制开关K2的另一端以及所述第三控制开关K3的另一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻RZ的第二端。
当然，不限第一限流电阻单元A1、第二限流电阻单元A2以及第三限流电阻单元A3，还可以设置更多并联的限流电阻单元，使得调节所述限流电阻单元的阻值，使得所述半导体电路100的耐压值可调得更为灵活，更多的可选择耐压值，从而使得所述半导体电路100的应用更为广泛。
所述半导体电路100的具体的制造方法如下，请参阅图8，图8是本发明实施例提供的半导体电路100的制造方法的流程框图。
步骤X1、三极管芯片共晶粘贴。
具体操作为：通过软焊设备，在散热片涂锡膏，将三极管芯片粘贴在散热片上，通过软韩设备对散热片加热，使得散热片上的锡膏融化，从而与三极管芯片焊接一起，最后组成一个部件，待上线。
步骤X2、驱动芯片共晶粘贴。
具体操作为：
通过软焊设备，在散热片涂锡膏，将驱动芯片粘贴在散热片上，通过软韩设备对散热片加热，使得散热片上的锡膏融化，从而与驱动焊接一起，最后组成一个部件，待上线。
步骤X3、点胶。
具体操作为：
通过点胶机在三极管芯片的源极指定位置上点胶。
步骤X4、多芯片组件共晶粘贴。
具体操作为：
在已经涂有粘合胶的三极管芯片上，再把驱动芯片部件放置在上面，组成一个复合的叠片功率器件。
步骤X5、IMS铝基板。
具体操作为：
将IMS铝基板进行来料确认，把IMS铝基板放置工装盒子待上线。
步骤X6、PLSMA清洗。
具体操作为：
将装有IMS铝基板的工装盒子放到PLSMA设备的腔体内，设置好参数进行超声清洗。
步骤X7、锡膏印刷。
具体操作为：
将IMS铝基板放置生产轨道上，留至锡膏印刷机工序，在IMS铝基板对应的地方涂上锡膏。
步骤X8、回流焊接。
具体操作为：
将步骤X7完成的IMS铝基板和步骤X4完成的叠片功率器件以及其他贴片件完成粘贴后进行回流焊接固定。
步骤X9、第一次全检。
具体操作为：
对IMS铝基板表面上的器件进行扫描确认漏贴、错贴情况。
步骤X10、细铝线焊接。
具体操作为：
依据成品打线图对器件进行打线。
步骤X11、粗铝线焊接。
具体操作为：
依据成品打线图对器件进行打线。
步骤X12、第二次全检。
具体操作为：
对IMS铝基板表面上的器件进行扫描确认漏贴、错贴情况。
步骤X13、半成品包封。
具体操作为：
对已经打完线的半成品进行包封。
步骤X14、后固化。
具体操作为：
对步骤X13完成的成品进行固化整平
步骤X15、激光刻字。
具体操作为：
在步骤X14完成的产品正表面进行激光刻字
步骤X16、成品测试。
具体操作为：
产品电参数测试确认。
步骤X17、入库。
具体操作为：
将步骤X16完成的产品进行包装入库。
通过上述步骤实施，所述半导体电路100的制造简单且应用更为广泛。
本发明中，通过半导体电路100内设置具有第一电阻R1的第一高阻控制单元7以及具有第二电阻R2的第二高阻控制单元8；第一高阻控制单元7根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻R1后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元7的信号输出端的耐压；第二高阻控制单元8根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻R2后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元8的信号输出端的耐压。该电路设置使得本发明的半导体电路100的耐压值可调且应用范围广。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种半导体电路，其包括控制芯片和与所述控制芯片连接的逆变器单元；所述逆变器单元包括至少一个逆变模块,其特征在于，所述逆变器单元还包括第一高阻控制端、第二高阻控制端、具有第一电阻的第一高阻控制单元以及具有第二电阻的第二高阻控制单元，所述逆变模块包括第一逆变模块；
所述第一高阻控制端用于接收外部的第一高阻控制信号；所述第二高阻控制端用于接收外部的第二高阻控制信号；
所述第一逆变模块包括第一逆变三极管和第二逆变三极管；
所述第一高阻控制单元用于根据所述第一高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第一电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第一高阻控制单元的信号输出端的耐压；
所述第二高阻控制单元用于根据所述第二高阻控制信号控制其信号输入端串联所述第二电阻后通过其信号输出端驱动输出，以实现增加所述第二高阻控制单元的信号输出端的耐压；
所述第一逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGU管脚端；所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端,或者所述第一逆变三极管的漏极作为所述半导体电路的P管脚端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端,或者所述第一逆变三极管的源极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；
所述第二逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGU管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端,或者所述第二逆变三极管的漏极连接至所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端,或者所述第二逆变三极管的源极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；
所述第一高阻控制单元的控制端作为所述第一高阻控制端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端，或者所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的U管脚端；
所述第二高阻控制单元的控制端作为所述第二高阻控制端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端，或者连接至所述半导体电路的NU管脚端。
2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一逆变三极管的漏极连接至所述第一高阻控制单元的信号输入端；所述第一逆变三极管的源极作为所述半导体电路的U管脚端；所述第二逆变三极管的漏极连接至所述第二高阻控制单元的信号输入端；所述第二逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NU管脚端；所述第一高阻控制单元的信号输出端作为所述半导体电路的P管脚端；所述第二高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的U管脚端。
3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述逆变器单元还第三高阻控制端、第四高阻控制端、第二逆变模块、第三逆变模块、具有第三电阻的第三高阻控制单元以及具有第四电阻的第四高阻控制单元；所述第一高阻控制单元、所述第二高阻控制单元、所述第三高阻控制单元以及所述第四高阻控制单元的电路结构相同；
所述第三高阻控制端用于接收外部的第三高阻控制信号；所述第四高阻控制端用于接收外部的第四高阻控制信号；
所述第二逆变模块包括第三逆变三极管和第四逆变三极管；所述第三逆变模块包括第五逆变三极管和第六逆变三极管；
所述第一高阻控制单元的信号输入端还分别连接至所述第三逆变三极管的漏极和所述第三逆变三极管的漏极；
所述第三逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGV管脚端；所述第三逆变三极管的源极作为所述半导体电路的V管脚端；
所述第四逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGV管脚端；所述第四逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NV管脚端；所述第四逆变三极管的漏极连接至所述第三高阻控制单元的信号输入端；所述第三高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的V管脚端；所述第三高阻控制单元的控制端作为所述第三高阻控制端；
所述第五逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的PGW管脚端；所述第五逆变三极管的源极作为所述半导体电路的W管脚端；
所述第六逆变三极管的栅极连接至所述控制芯片的NGW管脚端；所述第六逆变三极管的源极作为所述半导体电路的NW管脚端；所述第六逆变三极管的漏极连接至所述第四高阻控制单元的信号输入端；所述第四高阻控制单元的信号输出端连接至所述半导体电路的W管脚端；所述第四高阻控制单元的控制端作为所述第四高阻控制端。
4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，
所述第一高阻控制单元还包括第一开关，
所述第一电阻的第一端作为所述第一高阻控制单元的信号输入端，且所述第一电阻的第一端连接至所述第一开关的第二接触点端；
所述第一电阻的第二端连接至至所述第一开关的第一接触点端；
所述第一开关的控制端作为所述第一高阻控制单元的控制端；所述第一开关的第三接触点端作为所述第一高阻控制单元的信号输出端；
所述第一高阻控制信号控制所述第一开关的第一接触点端与所述第一开关的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第一开关的第二接触点端与所述第一开关的第三接触点端断开或闭合；
所述第二高阻控制单元还包括第二开关，
所述第二电阻的第一端作为所述第二高阻控制单元的信号输入端，且所述第二电阻的第一端连接至所述第二开关的第二接触点端；
所述第二电阻的第二端连接至至所述第二开关的第一接触点端；
所述第二开关的控制端作为所述第二高阻控制单元的控制端；所述第二开关的第三接触点端作为所述第二高阻控制单元的信号输出端；
所述第二高阻控制信号控制所述第二开关的第一接触点端与所述第二开关的第三接触点端闭合或断开，并控制所述第二开关的第二接触点端与所述第二开关的第三接触点端断开或闭合。
5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，
所述第一开关包括第三三极管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、续流二极管以及电磁器；
所述第一限流电阻的第一端作为所述第一开关的控制端；所述第一限流电阻的第二端分别连接至所述第三三极管的栅极和所述第二限流电阻的第一端；所述第二限流电阻的第二端连接至接地；
所述第三三极管的漏极分别连接至所述电磁器的第一端和所述续流二极管的正极端；所述第三三极管的源极连接至接地；
所述电磁器的第二端分别连接至所述续流二极管的负极端和电源电压；
所述电磁器的第一接触点连接至所述第三限流电阻的第二端；所述第三限流电阻的第一端作为所述第一开关的第一接触点端；
所述电磁器的第二接触点作为所述第一开关的第二接触点端；所述电磁器的第三接触点作为所述第一开关的第三接触点端；
所述第二高阻控制单元和所述第一高阻控制单元的电路结构相同。
6.根据权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述第三限流电阻为电阻值可调的电阻。
7.根据权利要求6所述的半导体电路，其特征在于，所述第一开关还包括阻值控制端，所述阻值控制端用于接收外部的阻值调整信号，以实现调整所述第三限流电阻的阻值；
所述第三限流电阻包括并联设置的多个限流电阻单元；所述阻值控制端包括多个，所述阻值控制端与所述限流电阻单元一一对应；
多个所述限流电阻单元的第一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第一端；多个所述限流电阻单元的第二端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第二端；所述限流电阻单元的控制端作为所述第一开关的阻值控制端。
8.根据权利要求7所述的半导体电路，其特征在于，所述限流电阻单元包括第一限流电阻单元、第二限流电阻单元以及第三限流电阻单元；所述第一限流电阻单元包括第一可变电阻和其中一端与所得第一可变电阻的一端连接的第一控制开关；所述第二限流电阻单元包括第二可变电阻和其中一端与所得第二可变电阻的一端连接的第二控制开关；所述第三限流电阻单元包括第三可变电阻和其中一端与所得第三可变电阻的一端连接的第三控制开关；其中，所述限流电阻单元的控制端分别连接并控制所述第一控制开关的控制端、所述第二控制开关的控制端以及所述第三控制开关的控制端；所述第一可变电阻的另一端、所述第二可变电阻的另一端以及所述第三可变电阻的另一端相互连接，并作为所述第三限流电阻的第一端；所述第一控制开关的另一端、所述第二控制开关的另一端以及所述第三控制开关的另一端均相互连接，并作为所述第三限流电阻的第二端。
9.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值和所述第一高阻控制单元增加的耐压值的数值相同且一一对应；所述第二电阻的阻值和所述第二高阻控制单元增加的耐压值的数值相同且一一对应。
10.根据权利要求9所述的半导体电路，其特征在于，所述第一逆变三极管的内阻值为350k欧姆，所述第一电阻的阻值为100欧姆，所述第一高阻控制单元增加的耐压值为100伏特；所述第二逆变三极管的内阻值为350k欧姆，所述第二电阻的阻值为100欧姆，所述第二高阻控制单元增加的耐压值为100伏特。
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