CN115000681A - 一种天线及其制备方法、移相器、通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种天线及其制备方法、移相器、通信设备。该天线包括：第一电极、第二电极、第三电极和光致介电变化层；第一电极和第二电极分别位于光致介电变化层相对的两侧；第一电极包括多个传输电极；传输电极用于传输电信号；第二电极被提供固定电位；第三电极包括多个辐射体单元；辐射体单元用于发射所述电信号；还包括：至少一个发光元件，发光元件用于发射照射至光致介电变化层的光线，以使光致介电变化层的介电常数改变；其中，发光元件和第一电极、第二电极或第三电极中的至少一种为一体结构。本发明实施例提供的天线，为大规模商业化提供更多的可能。

Description

一种天线及其制备方法、移相器、通信设备

技术领域

本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线及其制备方法、移相器、通信设备。

背景技术

天线是发射和接收电磁波的一个重要的无线电设备，可以说，没有天线就没有通信设备。

相控阵天线是对传统天线的升级，其能够根据目标快速灵活地改变天线波束和指向形状，能够对整个空间内的各频段电磁波进行发送和接收，即，可以对多个目标实现搜索、跟踪、捕获、识别等任务的精确完成。

其中，液晶天线相控阵是一种利用液晶的介电各向异性，通过控制液晶偏转方向来改变移相器的移相大小，从而调节相控阵天线的对准方向的天线，其具有小型化、宽频带、多波段以及高增益等特点，是一种更适合当前技术发展方向的天线，其在卫星接收天线、车载雷达、基站天线等领域有着广泛的应用前景。因此，液晶相控阵天线是目前研究最多的相控阵天线。

然而，液晶天线成本高，售价昂贵，难以实现大规模商业化。

发明内容

本发明提供一种新型的天线及其制备方法、移相器、通信设备，为大规模商业化提供更多的可能。

第一方面，本发明实施例提供了一种天线，该天线包括：第一电极、第二电极、第三电极和光致介电变化层；

所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述第二电极被提供固定电位；

所述第三电极包括多个辐射体单元；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

还包括：至少一个发光元件，所述发光元件用于发射照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变；

其中，所述发光元件和所述第一电极、所述第二电极或所述第三电极中的至少一种为一体结构。

第二方面，本发明实施例还提供了一种移相器，该移相器包括：第一电极、第二电极和光致介电变化层；

所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述第二电极被提供固定电位；

还包括：至少一个发光元件，所述发光元件用于发射照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变；

其中，所述发光元件和所述第一电极或所述第二电极中的至少一种为一体结构。

第三方面，本发明实施例还提供了一种通信设备，该通信设备包括第一方面所述的天线或第二方面所述的移相器。

第四方面，本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该天线的制备方法包括：

提供一光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层以及第二电极，所述第二电极被提供固定电位；

在所述光致介电变化模组的一侧形成第一电极；其中，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层的两侧；所述第一电极包括多个传输电极、多个辐射体单元、信号走线和发光元件连接焊盘；所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

在所述发光元件连接焊盘上绑定发光元件；其中，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接。

第五方面，本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该天线的制备方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述衬底基板的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述衬底基板背离所述电路基板的一侧形成第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极背离所述衬底基板的一侧设置光致介电变化层；

在所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧设置第一电极；其中，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接。

第六方面，本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该天线的制备方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述第二电极的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接；

在所述衬底基板背离所述第二电极的一侧设置粘合层；

在所述粘合层背离所述衬底基板一侧贴合光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，所述第一电极位于所述光致介电变化层背离所述粘合层的一侧，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号。

第七方面，本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该天线的制备方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述衬底基板的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接；

在所述发光元件背离所述衬底基板一侧设置平坦化层；

在所述平坦化层背离所述发光元件一侧设置第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极背离所述平坦化层的一侧设置粘合层；

在所述粘合层背离所述第二电极一侧贴合光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，所述第一电极位于所述光致介电变化层背离所述粘合层的一侧，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号。

本发明实施例中，第一电极和第二电极之间设置光致介电变化层，通过发光元件发出的光线控制光致介电变化层的介电常数改变，进而控制传输电极传输的电信号移相。该新型的天线、移相器及通信设备，为大规模商业化提供更多的可能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种天线的俯视结构示意图；

图2是沿图1中A-A’的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图4是图3中BB区域的局部放大图；

图5是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图6是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图7是沿图6中C-C’的剖面结构示意图；

图8是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图9是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图10是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图11是沿图10中E-E’的剖面结构示意图；

图12是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图13是沿图12中F-F’的剖面结构示意图；

图14是本发明实施例提供的一种天线的部分膜层结构示意图；

图15是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图16是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图17是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图18是本发明实施例提供的一种像素电路的电路图；

图19是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图20是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图21是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图22是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图23是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图24是本发明实施例提供的一种天线的制备方法的流程图；

图25是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图；

图26是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图；

图27是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图；

图28是本发明实施例提供的一种移相器的俯视结构示意图；

图29是沿图28中K-K’的剖面结构示意图；

图30是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图31是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图32是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图33是沿图32中N-N’的剖面结构示意图；

图34是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图35是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图36是沿图35中O-O’的剖面结构示意图；

图37是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图38是沿图37中P-P’的剖面结构示意图；

图39是本发明实施例提供的一种移相器的部分膜层结构示意图；

图40是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图41是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图42是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图43是本发明实施例提供的一种像素电路的电路图；

图44是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图45是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图46是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图47是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图48是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图49是本发明实施例提供的一种通信设备的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

有鉴于背景技术中的问题，本发明实施例提供了一种天线，该天线包括：第一电极、第二电极、第三电极和光致介电变化层；第一电极和第二电极分别位于光致介电变化层相对的两侧；第一电极包括多个传输电极；传输电极用于传输电信号；第二电极被提供固定电位；第三电极包括多个辐射体单元；辐射体单元用于发射电信号；还包括：至少一个发光元件，发光元件用于发射照射至光致介电变化层的光线，以使光致介电变化层的介电常数改变；其中，发光元件和第一电极、第二电极或第三电极中的至少一种为一体结构。

本实施例提供的天线通过天线内部的发光元件发出的光线控制光致介电变化层的介电常数改变，进而控制传输电极传输的电信号移相。本实施例提供的天线结构，为大规模商业化提供更多的可能。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例提供的一种天线的俯视结构示意图，图2是沿图1中A-A’的剖面结构示意图，如图1和图2所示，本发明实施例提供的天线100包括：第一电极10、第二电极20、第三电极30和光致介电变化层40；第一电极10和第二电极20分别位于光致介电变化层40相对的两侧；第一电极10包括多个传输电极11；传输电极11用于传输电信号，其中，传输电极11传输的电信号例如可以为高频信号，该高频信号的频率例如大于1GHz；第二电极20被提供固定电位，例如，第二电极20接地设置；第三电极30包括多个辐射体单元31；辐射体单元31用于发射电信号。

继续参见图1和图2，天线100还包括：至少一个发光元件50，发光元件50用于发射照射至光致介电变化层40的光线，以使光致介电变化层40的介电常数改变；其中，发光元件50和第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种为一体结构。所谓一体结构即为发光元件50和第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种位于同一支撑层上，即发光元件50和第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种在同一支撑层上设置，亦即如果发光元件50为制备好的发光元件，直接将此发光元件50绑定到设置有第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层，其中，该发光元件50例如可以为微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者次毫米发光二极管(Mini Light Diode，Mini LED)；或者，发光元件50在支撑层上制备形成，除了发光元件50在支撑层上制备形成外，第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种也在该支撑层上制备形成，而无需单独设置其它的支撑层，其中，该发光元件50例如可以为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)。示例性的，如果发光元件50为已经制备好的发光元件，例如可以在支撑层上设置图1和图2所示的第二电极20，然后在第二电极20上设置光致介电变化层40，以及在光致介电变化层40背离第二电极20的一侧形成传输电极11以及辐射体单元31，然后绑定发光元件50，即发光元件50与第一电极10、第二电极20以及第三电极30均位于同一支撑层上，亦即直接将发光元件50绑定到设置有第一电极10、第二电极20和第三电极30的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层。可以理解的是，若天线100需要支撑层，则无需剥离支撑层(图中未示出)；若天线100无需支撑层，则将支撑层剥离即可，如图1和图2所示。

本实施例中，传输电极11用于传输电信号。在电信号的传输过程中，发光元件50发射的照射至光致介电变化层40的光线可以改变光致介电变化层40的介电常数。当光致介电变化层40的介电常数改变时，使得传输电极11和第二电极20之间构成的电容的电容值发生改变，导致传输电极11传输的电信号的相位发生改变，如此，改变了电信号的相位，实现电信号的移相功能。

本申请提供的实施例中，不仅提供了一种新型的天线结构，即，光控天线，还进一步将用于控制天线的光源集成到天线结构内部，能够进一步减小天线设备的体积。便携轻便的天线为其应用提供了更多的可能，例如，除了用于位置固定装置(例如：5G基站)外，还可以应用于位置变化的设备，例如：汽车、飞机、轮船等。另一方面，相对于液晶天线而言，由于信号的控制是通过光源控制，而不是靠电极产生的电场控制，能够避免对介电变化层的控制对传输信号的影响。

需要说明的是，可以通过光线的光强改变光致介电变化层40的介电常数；也可以通过光线的光波长改变光致介电变化层40的介电常数。当通过光线的光强改变光致介电变化层40的介电常数时，可选的，继续参见图1和图2，至少一个发光元件50包括多个发光元件50，多个发光元件50发光的光线例如可以均为紫外光，通过紫外光的光强改变光致介电变化层40的介电常数；示例性的，光致介电变化层40的材料可以包括偶氮染料或偶氮聚合物，偶氮染料或偶氮聚合物对紫外光比较敏感，当发光元件50发出紫外光时，该紫外光可使偶氮染料或偶氮聚合物的分子结构发生反转，例如，在顺式结构和反式结构之间变化，以使光致介电变化层40的介电常数改变。可以理解的是，光致介电变化层40的材料并不限于偶氮染料或偶氮聚合物，发光元件50的发出的光线也并不限于紫外光，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电变化层40对传输电极11上传输的电信号进行移相，改变电信号的相位即可。当通过光波长改变光致介电变化层40的介电常数时，可选的，图3是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图4是图3中BB区域的局部放大图，如图3和图4所示，至少一个发光元件50包括多个发光元件50，多个发光元件50形成多组发光元件组51；每个发光元件组51包括发光颜色为第一颜色的第一发光元件52、发光颜色为第二颜色的第二发光元件53和发光颜色为第三颜色的第三发光元件54。第一发光元件52的发光颜色例如可以为绿色，第二发光元件53的发光颜色例如可以为红色，第三发光元件54的发光颜色例如可以为蓝色，通过红、绿、蓝三色按照不同的比例合成需要的光波长，以改变光致介电变化层40的介电常数。此外，还可以在发光元件50与光致介电变化层40之间设置量子点层(图中未示出)，当发光元件50为单色的发光元件时，可增加光强；或者，在发光元件50与光致介电变化层40之间设置不同的量子点层，通过量子点层对单色的发光元件发出的光线进行转换，形成不同颜色的光线，以合成需要的光波长。

需要说明的是，发光元件50的类型包括但不限于上述示例。图1和图2以发光元件50为Micro LED，且该Micro LED采用倒装式底发射式的发光芯片为例进行的说明。当发光元件50包括Micro LED时，由于Micro LED的尺寸更小，设置Micro LED的数量可以较多，如此，使得光致介电变化层40各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40各区域介电常数改变的一致性。

需要说明的是，本实施例不对第一电极10、第二电极20以及第三电极30的材料进行限定。示例性的，第二电极20的材料可以为金属，也可以为氧化铟锡。当第二电极20的材料可以为金属时，例如可以为铜。当第二电极20的材料为铜时，发光元件50给电发出的光线可能会通过光致介电变化层40照射在第二电极20上，由于铜具有较高反射率，此时可通过第二电极20将光线进行反射，提高了光线的利用率。

需要说明的是，第三电极30可以与第一电极10同层设置，也可以分别位于不同的膜层，图1和图2仅以第三电极30和第一电极10同层为例进行的说明。当第三电极30和第一电极10同层设置时，可以简化工艺步骤。此外，当第三电极30和第一电极10同层设置时，即辐射体单元31和传输电极11同层设置，且辐射体单元31与传输电极11电连接，相比于液晶天线中传输电极传输的电信号通过液晶层耦合至辐射体单元，本技术方案由于辐射体单元31直接与传输电极11电连接，可将电信号直接传输至辐射体单元31，无需耦合，如此，可以避免因为耦合造成电信号损耗的问题。在此方案的基础上，可选的，继续参见图1，本发明实施例提供的天线100还包括馈电网络12，馈电网络12与传输电极11同层设置，且馈电网络12与传输电极11电连接。即辐射体单元31、传输电极11和馈电网络12均位于同一层，且馈电网络12与传输电极11电连接，传输电极11与辐射体单元31电连接。馈电网络12将电信号直接传输至传输电极11，无需耦合；然后电信号在传输电极11传输，发光元件50发射的照射至光致介电变化层40的光线可以改变光致介电变化层40的介电常数。当光致介电变化层40的介电常数改变时，对传输电极11上传输的电信号进行移相后直接通过辐射体单元31向外辐射信号，同样也无需耦合。相比于液晶天线中馈电网络传输的电信号通过液晶层耦合至传输电极，然后再通过液晶层耦合至辐射体单元，本实施例提供的技术方案，可以避免因两次耦合导致电信号损耗的问题。

此外，辐射体单元31、传输电极11和馈电网络12同层设置，可以通过一道制程工艺同时形成，能够大大降低生产成本，更有利于大规模商业化应用。

需要说明的是，发光元件50可以与第一电极10同侧，即第一电极10和发光元件50位于光致介电变化层40的一侧，第二电极20位于光致介电变化层40的另一侧；发光元件50还可以与第二电极20同侧，即第二电极20和发光元件50位于光致介电变化层40的一侧，第一电极10位于光致介电变化层40的另一侧。图1和图2仅以发光元件50与第一电极10同侧为例进行的说明。在其他可选实施例中，发光元件50还可以位于第二电极20的一侧。下面将针对这两种情况，对发光元件50的设置位置进行详细介绍。

首先，以发光元件50与第一电极10同侧为例进行说明。

可选的，继续参见图1和图2，发光元件50位于光致介电变化层40背离第二电极20的一侧，且发光元件50与传输电极11不交叠；传输电极11包括第一边界111，第一边界111为传输电极11距离发光元件50最近的边界，发光元件50到第一边界111的距离为D1，10μm≤D1≤100μm。

考虑到当发光元件50为Micro LED或Mini LED时，发光元件50中的阳极和阴极会传输信号，若发光元件50距离传输电极11太近的话，发光元件50中传输的信号会对传输电极11上传输的电信号造成干扰；若发光元件50距离传输电极11太远的话，发光元件50发出的光线无法照射至传输电极11下方的光致介电变化层40，进而导致该区域光致介电变化层40的介电常数无法改变，影响电信号的移相。所以本实施例将发光元件50到第一边界111的距离设置为10μm到100μm之间，以在保证传输电极11传输的电信号不受干扰的同时，还可以保证发光元件50发出的光线照射至传输电极11下方的光致介电变化层40，使得该区域光致介电变化层40的介电常数改变。

可选的，例如可以继续参见图1和图3，至少一个发光元件50包括多个发光元件50；传输电极11的形状包括线状，线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；多个发光元件50沿传输电极11的延伸方向依次设置。

本实施例中，传输电极11的形状为线状，如此传输电信号的路径加长，光致介电变化层40对电信号的影响增大；此外，当传输电极11的形状为线状，且多个发光元件50沿传输电极11的延伸方向依次设置时，使得光致介电变化层40各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40各区域介电常数改变的一致性。

需要说明的是，当传输电极11的形状为线状时，图1和图3以传输电极11的形状为蛇形为例，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况就行设置。在其他可选实施例中，传输电极11的形状还可以为多段直线段连接而成的W形，例如参见图5；或者相互连接的U形等(图中未示出)。

可选的，图6是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图7是沿图6中C-C’的剖面结构示意图，如图6和图7所示，发光元件50位于光致介电变化层40背离第二电极20的一侧；天线100还包括信号走线14和发光元件连接焊盘15；发光元件50位于发光元件设置区DD，且设置于发光元件连接焊盘15上，发光元件连接焊盘15分别与发光元件50以及信号走线14电连接；其中，信号走线14、发光元件连接焊盘15以及传输电极11同层设置。需要说明的是，在图6为了清楚的体现发光元件连接焊盘15和信号走线14的位置关系，图6中的发光元件设置区DD并未示出发光元件50。

示例性的，继续参见图6和图7，本实施例中的发光元件50包括Micro LED，且该Micro LED的类型为横向结构的Micro LED。相应的，发光元件连接焊盘15包括第一发光元件连接焊盘151和第二发光元件连接焊盘152，第一发光元件连接焊盘151与发光元件50的阳极电连接，第二发光元件连接焊盘152与发光元件50的阴极电连接，且第一发光元件连接焊盘151与传输阳极信号的信号走线14电连接，第二发光元件连接焊盘152与传输阴极信号的信号走线14电连接。此外，该天线100还包括驱动电路16，该驱动电路16例如可以为驱动芯片，或者，驱动电路16例如可以为柔性电路板。信号走线14接收驱动电路16发送的驱动信号，并将该驱动信号传输至发光元件连接焊盘15，以驱动发光元件50发光。本实施例中，通过将信号走线14、第一发光元件连接焊盘151、第二发光元件连接焊盘152、辐射体单元31以及传输电极11同层，不仅能够避免在传输电极11上的跨线而造成对传输电极11上传输的电信号的干扰，同时还可以实现更低成本。

可以理解的是，上述示例仅以发光元件50包括Micro LED，且该Micro LED的类型为横向结构的Micro LED为例进行的说明，但不构成对本申请的限定。在其他可选实施例中，发光元件50还可以包括Mini LED等。

需要说明的是，上述示例仅以无源驱动方式驱动发光元件50为例进行的说明，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况选择发光元件50的驱动方式。

在上述方案的基础上，可选的，继续参见图6和图7，光致介电变化层40包括多个光致介电变化单元41，例如，光致介电变化层40包括四个光致介电变化单元41，四个光致介电变化单元41分别为第一光致介电变化单元411、第二光致介电变化单元412、第三光致介电变化单元413以及第四光致介电变化单元414。可以理解的是，为了避免第一电极10与第二电极20之间出现电连接和/或对整个天线100进行支撑等，相邻的光致介电变化单元41之间还包括第二衬底基板60。该结构的具体设置以及相应的制备方法下述实施例中将详细介绍，此处不再赘述。

至少一个发光元件50包括多个发光元件50；每一光致介电变化单元41均与多个发光元件50对应，且每一光致介电变化单元41与传输电极11交叠，例如，每一光致介电变化单元41均与四个发光元件50对应。如前所述，图6中为了清楚的体现发光元件连接焊盘15和信号走线14的位置关系，图6中的发光元件设置区DD并未示出发光元件50，仅示出了发光元件设置区DD，其中，第一发光元件设置区DD1设置第一发光元件，第二发光元件设置区DD2设置第二发光元件，第三发光元件设置区DD3设置第三发光元件，以及第四发光元件设置区DD4设置第四发光元件。

信号走线14包括阳极信号走线141和阴极信号走线142；其中，与同一光致介电变化单元41对应的多个发光元件50中的至少部分发光元件50的阳极与同一阳极信号走线141电连接；至少部分发光元件50的阴极电连接同一阴极信号走线142。例如，第三光致介电变化单元413对应的四个发光元件50中，第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151电连接同一阳极信号走线141，以及第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152电连接同一阴极信号走线142。这样设置的好处在于，结构简单，且有利于减少用于提供阳极信号和阴极信号的芯片上控制端的数量，有利于节约芯片成本。此外，由于发光元件50中各阴极接收的信号可以相同，所以所有发光元件50的阴极可均电连接同一阴极信号走线142，如此，可以进一步减小芯片上控制端的数量。

需要说明的是，图6仅以传输电极11的形状为线状为例。在其他可选实施例中，传输电极11的形状还可以为块状等，例如参见图8，当传输电极11为块状时，发光元件50沿传输电极11的边缘依次连续设置。与同一光致介电变化单元41对应的多个发光元件50中的至少部分发光元件50的阳极与同一阳极信号走线141电连接；至少部分发光元件50的阴极电连接同一阴极信号走线。其中，图8仅示出了阳极信号走线141，未示出阴极信号走线142。

还需要说明的是，图6是光致介电变化层40包括四个光致介电变化单元41，且每一光致介电变化单元41均与四个发光元件50对应为例进行的说明。在其他可选的实施例中，每个光致介电变化单元41对应的发光元件50的数量并不限于四个，且不同光致介电变化单元41对应的发光元件50的数量可以不相同。

可选的，天线的每一侧均设置有驱动电路。示例性的，继续参见图6，天线100还包括多个驱动电路16，多个驱动电路16分别设置于天线100的每一侧。多个驱动电路16例如可以包括第一驱动电路161、第二驱动电路162、第三驱动电路163和第四驱动电路164，第一光致介电变化单元411对应的四个发光元件50中，第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151电连接的阳极信号走线141，以及第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152电连接的阴极信号走线142连接至第二驱动电路162；第二光致介电变化单元412对应的四个发光元件50中，第三发光元件设置区DD3设置的第三发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151与第四发光元件设置区DD4设置的第四发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151电连接的阳极信号走线141，以及第三发光元件设置区DD3设置的第三发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152与第四发光元件设置区DD4设置的第四发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152电连接的阴极信号走线142同样连接至第二驱动电路162。同理，第二光致介电变化单元412对应的四个发光元件50中，第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151电连接的阳极信号走线141，以及第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152电连接的阴极信号走线142连接至第三驱动电路163；第四光致介电变化单元414对应的四个发光元件50中，第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151电连接的阳极信号走线141，以及第一发光元件设置区DD1设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152与第二发光元件设置区DD2设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152电连接的阴极信号走线142同样连接至第三驱动电路163。其它光致介电变化单元41对应的阳极信号走线141以及阴极信号走线142连接至驱动电路16的具体方式与上述方式相同，此处不再赘述，如此，当天线的每一侧均设置有驱动电路16时，有利于减少跨线；且信号走线于驱动电路16就近连接，有利于降低线路制作成本。

可选的，继续参见图6，信号走线14包括相互连接的多个分部，至少部分分部与线性的传输电极11的部分段平行。示例性的，继续参见图6，阳极信号走线141包括第一分部1411、第二分部1412和第三分部1413，线性的传输电极11包括传输单元1111，传输单元1111包括第一段1112和第二段1113，其中，第一分部1411与第一段1112平行，第二分部1412与第二段1113平行，如此可以减少跨线。此外，第三分部1413的延伸方向与馈电网络12的其中一段的延伸方向成一锐角或平行。示例性的，继续参见图6，馈电网络12包括第一馈电单元121和第二馈电单元122；以第二光致介电变化单元412对应的第三分部1413和第三光致介电变化单元413对应的第三分部1413为例，第二光致介电变化单元412对应的第三分部1413的延伸方向与第二馈电单元122的延伸方向的夹角是60°，第三光致介电变化单元413对应的第三分部1413的延伸方向与第一馈电单元121的延伸方向的夹角是30°。再如，参见图9，同样以第二光致介电变化单元412对应的第三分部1413和第三光致介电变化单元413对应的第三分部1413为例，第二光致介电变化单元412对应的第三分部1413的延伸方向与第二馈电单元122的延伸方向的夹角是60°，第三光致介电变化单元413对应的第三分部1413的延伸方向与第一馈电单元121的延伸方向的夹角是0°。

此外，继续参见图6，传输单元1111还包括传输开口1114，同一传输电极11中朝向一致的传输开口1114里的发光元件50对应的信号走线14电连接同一驱动电路16，如此，有利于减少跨线，简化工艺步骤。

以上，对发光元件50与第一电极10同侧设置的情况进行了说明。通过上述说明可知，通过在第一电极10的同侧设置发光元件50，且通过该发光元件50发出的光线控制光致介电变化层40的介电常数改变，进而控制传输电极11传输的电信号移相。相比于现有技术的液晶天线，本发明实施例提供的天线，通过价格相对较低的光致介电变化层40代替价格昂贵的液晶层，实现电信号移相的同时，还可以降低天线成本。此外，由于发光元件50和第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种为一体结构，即发光元件50与天线100中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线100的制备效率；且可以减小天线100的厚度，有利于天线100的小型化。

下面将对发光元件50与第二电极20同侧设置的情况进行说明。

可选的，图10是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图11是沿图10中E-E’的剖面结构示意图，如图10和图11所示，本发明实施例提供的天线100还包括发光元件设置基板70，位于第二电极20背离光致介电变化层40的一侧；发光元件设置基板70包括发光元件50。需要说明的是，所谓发光元件设置基板70并不是一块单一的基板，而是一些膜层的组合，下述实施例中将具体介绍，此处不再赘述。

本实施例中，发光元件50设置于光致介电变化层40背离第一电极10的一侧，也就是说，发光元件50不仅可以设置于光致介电变化层40靠近第一电极10的一侧，还可以设置于光致介电变化层40背离第一电极10的一侧，如此，使得发光元件50的设置位置变得灵活。

需要说明的是，当发光元件50位于光致介电变化层40背离第一电极10的一侧时，传输电极11的形状并不限于图10中的线状，也不限于图10中的蛇形，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。例如，当传输电极11的形状为线状时，其形状还可以为多段直线段连接而成的W形，或者相互连接的U形等。再如，传输电极11的形状为块状等。

可选的，继续参见图10，发光元件50与传输电极11交叠。这样设置的好处在于，可以保证发光元件50发出的光线较多的照射至传输电极11下方的光致介电变化层40，以使该区域光致介电变化层40的介电常数改变，提高光线的利用率。

可选的，继续参见图10，至少一个发光元件50包括多个发光元件50；传输电极11的形状包括线状，线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；发光元件50沿传输电极11的延伸方向依次设置。

本实施例中，传输电极11的形状为线状，如此传输电信号的路径加长，光致介电变化层40对电信号的影响增大；此外，当传输电极11的形状为线状，且多个发光元件50沿传输电极11的延伸方向依次设置时，使得光致介电变化层40各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40各区域介电常数改变的一致性。

可选的，图12是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图13是沿图12中F-F’的剖面结构示意图，如图12和图13所示，发光元件设置基板70还包括第一衬底基板71；第一衬底基板71包括发光元件设置区GG；多个传输电极11位于同一发光元件设置区GG内；至少一个发光元件50包括多个发光元件50；多个发光元件50设置于整个发光元件设置区GG，如此，无需定位传输电极11的位置，简化工艺步骤，提高天线100的制备效率。可以理解的是，本实施例中的第一衬底基板71可以透过发光元件50发出的光线，以使该光线可以照射至光致介电变化层40。

可选的，图14是本发明实施例提供的一种天线的部分膜层结构示意图，如图14所示，第二电极20包括第一镂空结构II；第一镂空结构II与发光元件50交叠，如此，发光元件50发出的光线可通过第一镂空结构II照射至光致介电变化层40，防止第二电极20对发光元件50发出的光线遮挡。在此方案的基础上，可选的，发光元件50覆盖第一镂空结构II。由于发光元件50包括电极层，例如阳极层(传输阳极信号)和阴极层(传输阴极信号)，当发光元件50覆盖第一镂空结构II，可通过发光元件50中的电极层防止传输电极11传输的电信号通过第一镂空结构II向外泄露。

可选的，第二电极20包括透光电极。

其中，透光电极例如可以为透明电极，即发光元件50发射的光可以通过该透明电极照射至光致介电变化层40；此时透明电极的材料例如可以为氧化铟锡。透光电极并不限于为透明的电极，还可以为仅能透过光致介电变化层40能够响应的光的电极，所谓光致介电变化层40能够响应的光可以是当该光照射至光致介电变化层40时，光致介电变化层40的介电常数发生改变，例如，光致介电变化层能够响应的光为蓝光，则透光电极可以透过蓝光即可。

由前述内容可知，发光元件设置基板70并不是一个单一的基板，而是一些膜层的组合，即发光元件设置基板70不仅包括发光元件50，还包括为发光元件50提供阳极信号的走线、阴极信号的走线以及绝缘层等，下面将结合典型示例对发光元件设置基板70进行详细介绍。

可选的，图15是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图15所示，发光元件设置基板70包括：电路基板72和限位层73；电路基板72包括设置有发光元件连接焊盘15的第一表面，限位层73位于第一表面上，限位层73包括限位孔JJ；其中，限位孔JJ在第一表面所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘15在第一表面所在平面的垂直投影交叠。其中，该结构的天线的制备方法，将在后续实施例中介绍，此处不再赘述。

示例性的，继续参见图15，电路基板72包括透明绝缘层74、发光元件连接焊盘15和信号走线(图中未示出)。在电路基板72的第一表面上设置限位层73，该限位层73包括多个限位孔JJ，每个限位孔JJ均贯穿限位层73，以露出电路基板72上的发光元件连接焊盘15。当发光元件50转移至电路基板72时，发光元件50位于限位孔JJ内，如此可实现发光元件50的电极与发光元件连接焊盘15的电连接。

可选的，限位层73例如可以包括光阻层。可以理解的是，限位层73包括但不限于光阻层，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置，只要可以将发光元件50限位于预设位置，实现发光元件50与发光元件连接焊盘15的电连接即可。

可以理解的是，驱动发光元件50发光的方式可以是有源驱动，也可以为无源驱动。

当驱动发光元件50发光的方式为无源驱动方式时，可选的，图16是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图16所示，电路基板72包括：第一衬底基板71、位于第一衬底基板71一侧的透明绝缘层74以及位于透明绝缘层74背离第一衬底基板71一侧的信号走线层；信号走线层包括信号走线(图15未示出)和发光元件连接焊盘15；发光元件50设置于发光元件连接焊盘15上，发光元件连接焊盘15分别与发光元件50以及信号走线电连接。也就是说，芯片上的信号直接通过信号走线传输至发光元件连接焊盘15，通过发光元件连接焊盘15传输至发光元件50，以驱动发光元件50发光。可以理解的是，当驱动发光元件50发光的方式为无源驱动方式时，并不限于图16所示的天线，还可以为图15所示的天线等。

当驱动发光元件50发光的方式为有源驱动方式时，可选的，图17是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图17所示，电路基板72包括：第一衬底基板71和位于第一衬底基板71一侧的像素电路层75；像素电路层75包括像素电路751；像素电路751与发光元件50的阳极电连接。其中，像素电路751例如可以通过发光元件连接焊盘15与发光元件50电连接，以驱动对应发光元件50发光，在能够实现上述功能的前提下，本发明实施例对像素电路751的具体结构不做具体限定；例如，可以采用2T1C(两个晶体管和一个电容)的像素电路751或者采用7T1C(七个晶体管和一个电容)的像素电路751等。

可选的，图18是本发明实施例提供的一种像素电路的电路图，如图17和图18所示，当发光元件50与第二电极20同侧设置，且不与第二电极20同层时，多个发光元件50在发光元件设置区GG阵列排布；发光元件设置基板70还包括位于第一衬底基板71上像素电路层75，像素电路层75包括阵列排布的像素电路751、多条扫描线722、多条数据线723、第一电源信号线724以及第二电源信号线(图中未示出)；位于同一行的像素电路751电连接同一数据线723，数据线723与驱动芯片77电连接，以接收数据信号；位于同一列的像素电路751电连接同一扫描线722，扫描线722与驱动芯片77电连接，以接收扫描信号；同一行的像素电路751电连接同一第一电源信号线724，不同行的像素电路751对应的第一电源信号线724电连接同一电源信号总线726，该电源信号总线726与驱动芯片77电连接，以接收第一电源信号；像素电路751与发光元件50的阳极一一对应电连接。

示例性的，像素电路751包括驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2以及存储电容C，即采用2T1C的像素电路751驱动发光元件50。具体的，扫描线722传输的扫描信号写入数据写入晶体管T2的栅极，以使数据写入晶体管T2导通；然后，数据线723上传输的数据信号通过数据写入晶体管T2写入驱动晶体管T1的栅极，以使驱动晶体管T1产生驱动发光元件50发光的驱动电流。可选的，天线100中还设置有级联的移位寄存器(图中未示出)，移位寄存器接收驱动芯片77发送的信号，以向扫描线722输出扫描信号。

本实施例提供的技术方案，由于发光元件50与第二电极20同侧设置，且不与第二电极20同层，发光元件50对应的像素电路层75单独设置，如此，无需要改变天线中其他的膜层(第一电极10、第二电极20以及第三电极30)的设计，降低工艺难度。

需要说明的是，上述实施例均以发光元件50为Micro LED，且Micro LED为横向结构的Micro LED为例进行的说明，即Micro LED的阳极和阴极位于同一侧，相应的，发光元件连接焊盘15包括第一发光元件连接焊盘151和第二发光元件连接焊盘152，第一发光元件连接焊盘151与Micro LED的阳极电连接，第二发光元件连接焊盘152与Micro LED的阴极电连接，但是并不构成对本申请的限定，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。

需要说明的是，图16和图17仅以发光元件50位于第一衬底基板71背离第二电极20的一侧为例，即在第一衬底基板71上形成发光元件设置基板70中的各膜层，以及在第一衬底基板71背离发光元件设置基板70的一侧设置第二电极20、光致介电变化层40以及传输电极11和辐射体单元13等，但不构成对本申请的限定。可选的，图19是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图19所示，本实施例提供的天线100还包括贴合层80，位于发光元件50背离第一衬底基板71的一侧，且设置于光致介电变化层40和第二电极20之间。该天线的制备方法的流程将在后续实施例中进行详细介绍，此处不再赘述。或者，图20是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，与图19不同之处在于，图19采用的是无源驱动方式驱动发光元件50发光，而图20采用的是有源驱动方式驱动发光元件50发光。

可以理解的是，当天线100还包括贴合层80，该贴合层80位于发光元件50背离第一衬底基板71的一侧，且设置于光致介电变化层40和第二电极20之间时，图19中的透明绝缘层74并不限于透明材质，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

以上，对发光元件50与第二电极20同侧设置的情况进行了说明。通过上述说明可知，当发光元件50与第二电极20同侧时，发光元件50的设置方式更加灵活。

综上，发光元件50与第一电极10同侧，或者与第二电极20同侧，均可以控制光致介电变化层40的介电常数改变，进而控制传输电极11传输的电信号移相。相比于现有技术的液晶天线，本发明实施例提供的天线，通过价格相对较低的光致介电变化层40代替价格昂贵的液晶层，实现电信号移相的同时，还可以降低天线成本。此外，由于发光元件50和第一电极10、第二电极20或第三电极30中的至少一种为一体结构，即发光元件50与天线100中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线100的厚度，有利于天线100的小型化。

在上述各方案的基础上，可选的，还包括至少一层第二衬底基板；第二衬底基板与光致介电变化层同层设置；和/或，第二衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠。

其中，第二衬底基板的材料例如可以聚酰亚胺、玻璃或液晶聚合物中的一种。可以理解的是，第二衬底基板的材料包括但不限于上述示例，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

示例性的，继续参见图6和图7，天线100还包括第二衬底基板60，该第二衬底基板60与光致介电变化层40同层设置。可选的，图6和图7所示的天线100的制备步骤例如可以为：先在一支撑层(图中未示出)上形成第二电极20；然后在第二电极20背离支撑层一侧设置第二衬底基板60，第二衬底基板60包括多个凹槽结构，多个凹槽结构均贯穿第二衬底基板60；然后在每个凹槽结构内均设置光致介电变化层40；再在第二衬底基板60背离第二电极20的一侧形成传输电极11、辐射体单元13、发光元件50对应的信号走线以及发光元件连接焊盘等；最后绑定发光元件50。其中，如果天线100需要支撑层时，无需剥离支撑层；如果天线100无需支撑层时，则可以在绑定发光元件50后将支撑层剥离，如图6和图7所示。

示例性的，图21是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图21所示，天线100还包括一层第二衬底基板60，第二衬底基板60与光致介电变化层40异层设置且交叠，且该第二衬底基板60位于第一电极10与光致介电变化层40之间。或者，该第二衬底基板60位于第二电极20与光致介电变化层40之间.

示例性的，图22是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图22所示，天线100还包括两层第二衬底基板60，其中一层第二衬底基板60位于光致介电变化层40和第一电极10之间，另外一层第二衬底基板60位于光致介电变化层40和第二电极20之间。本实施例提供的天线结构简单，如此，在制备天线100时，可以简化工艺步骤，提高天线100的制备效率。本实施例对此天线的制备步骤不做限定，例如可以为：先在其中一层第二衬底基板60上形成传输电极11、辐射体单元13以及信号走线和发光元件连接焊盘15等,绑定发光元件50，以及在另一第二衬底基板60上形成第二电极20；然后通过OC光学胶等将两层第二衬底基板60分别贴合在光致介电变化层40相对的两侧。

可选的，继续参见图21和图22，第二衬底基板60与光致介电变化层40异层设置且交叠，光致介电变化层40的厚度大于第二衬底基板60的厚度，如此，使得光致介电变化层40对电信号的影响增大。

可选的，图23是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图23所示，第二衬底基板60与光致介电变化层40异层设置且交叠；第二衬底基板60位于第二电极20背离第一电极10的一侧；第三电极30位于第二衬底基板60背离第二电极20的一侧；第二电极20包括多个第二镂空结构LL，第二镂空结构LL在第二衬底基板60所在平面的垂直投影位于传输电极11在第二衬底基板60所在平面的垂直投影内；且第二镂空结构LL在第二衬底基板60所在平面的垂直投影位于辐射体单元13在第二衬底基板60所在平面的垂直投影内。

当天线100为图23所示的结构时，天线的工作原理为：电信号在传输电极11上传输，与此同时，光致介电变化层40受到发光元件50发出光线的影响后其介电常数发生改变，对传输电极11上传输的电信号进行移相，如此，改变了电信号的相位，最后电信号在第二电极20的第二镂空结构LL处耦合到辐射体单元31，辐射体单元31向外辐射信号。需要说明的是，多个辐射体单元31为多个相互独立的辐射体单元31，每个辐射体单元31向外辐射信号。

综上所示，第一电极和第二电极之间设置光致介电变化层，且通过天线内部的发光元件发出的光线控制光致介电变化层的介电常数改变，进而控制传输电极传输的电信号移相。本实施例提供的天线结构，为大规模商业化提供更多的可能。且本实施例中，由于发光元件和第一电极、第二电极或第三电极中的至少一种为一体结构，即发光元件与天线中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线的厚度，有利于天线的小型化。

本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该方法与上述实施例中的天线属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考天线的实施例。图24是本发明实施例提供的一种天线的制备方法的流程图，该方法例如可以制备如图1和图2所示的天线100。

如图24所示，本发明实施例提供的天线的包括：

S110、提供一光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层以及第二电极，第二电极被提供固定电位。

示例性的，继续参见图1和图2，在一支撑层(图中未示出)上形成第二电极20，然后在第二电极20背离支撑层侧一侧形成光致介电变化层40。如果形成的天线需要包括支撑层，则后续步骤中无需剥离支撑层，此时的光致介电变化模组包括支撑层、第二电极20以及光致介电变化层40。如果形成的天线不需要支撑层，则后续需要剥离支撑层，此时的光致介电变化模组仅包括光致介电变化层40和第二电极20。

S120、在光致介电变化模组的一侧形成第一电极；其中，第一电极和第二电极分别位于光致介电变化层的两侧；第一电极包括多个传输电极、多个辐射体单元、信号走线和发光元件连接焊盘；传输电极用于传输电信号；辐射体单元用于发射所述电信号。

其中，通过将信号走线(图1和图2中未示出)、发光元件连接焊盘15、辐射体单元31以及传输电极11同层设置，且辐射体单元31与传输电极11电连接，不仅能够避免在传输电极11上的跨线而造成对传输电极11上传输的电信号的干扰，同时还可以实现更低成本。且辐射体单元31与传输电极11电连接，相比于液晶天线中传输电极传输的电信号通过液晶层耦合至辐射体单元，本技术方案由于辐射体单元31直接与传输电极11电连接，可将电信号直接传输至辐射体单元31，无需耦合，如此，可以避免因为耦合造成电信号损耗的问题。

S130、在发光元件连接焊盘上绑定发光元件；其中，发光元件连接焊盘分别与发光元件以及信号走线电连接。

例如可以通过转移工艺将发光元件50转移至发光元件连接焊盘15上，实现发光元件50与发光元件连接焊盘15的电连接，进而将信号走线传输的阳极信号以及阴极信号传输至发光元件50，以使发光元件50发光。

本实施例中，由于直接将制备好的发光元件50绑定到设置有第一电极10、第二电极20和第三电极30的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层，即发光元件和第一电极、第二电极和第三电极为一体结构，亦即发光元件与天线中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线的厚度，有利于天线的小型化。

本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该方法与上述实施例中的天线属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考天线的实施例。图25是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图，该方法例如可以制备如图16或图17所示的天线100。如图25所示，本发明实施例提供的天线的包括：

S210、提供一衬底基板。

该衬底基板例如为图16和图17中的第一衬底基板71。例如在该第一衬底基板71上制备天线中的其它膜层结构。

S220、在衬底基板上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，当驱动发光元件发光的驱动方式为无源驱动时，例如参见图16，可以先在第一衬底基板71上形成透明绝缘层74，然后在透明绝缘层74背离第一衬底基板71一侧制备信号走线层；信号走线层包括信号走线(图16未示出)和发光元件连接焊盘15。

当驱动发光元件的驱动方式为有源驱动，例如参见图17，可以在第一衬底基板71形成像素电路层75，该驱动电路层75包括像素电路751，其中，像素电路751用于驱动发光元件50发光。

S230、在电路基板背离衬底基板的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

示例性的，在电路基板72背离第一衬底基板71的一侧设置限位层73。例如可以采用曝光显影对限位层73进行图案化，形成多个限位孔JJ，每个限位孔JJ均贯穿限位层73，以露出电路基板72上的发光元件连接焊盘15。

S240、在衬底基板背离电路基板的一侧形成第二电极；第二电极被提供固定电位。

S250、在第二电极背离衬底基板的一侧设置光致介电变化层。

例如可以采用涂覆、印刷的工艺在第二电极20背离第一衬底基板71上形成光致介电变化层40。

S260、在光致介电变化层背离第二电极的一侧设置第一电极；其中，第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，传输电极用于传输电信号；辐射体单元用于发射电信号。

示例性的，在光致介电变化层40背离第一衬底基板71的一侧形成一电极层，对该电极层进行图案化处理，以形成传输电极11和辐射体单元(图中未示出)等。

S270、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

示例性的，将发光元件50转移至电路基板72，限位孔JJ对发光元件50起到限位作用，以使发光元件50转移至预设的位置，实现发光元件50的电极与发光元件连接焊盘15的电连接。最后绑定发光元件50，避免了其他制备工艺对发光元件50的影响。

本实施例中，由于直接将制备好的发光元件50绑定到设置有第一电极10、第二电极20和第三电极30的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，即发光元件和第一电极、第二电极和第三电极为一体结构，亦即发光元件与天线中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线的厚度，有利于天线的小型化。

本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该方法与上述实施例中的天线属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考天线的实施例。图26是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图，该方法同样可以制备如图15所示的天线100。

如图25所示，同时参考图15，本发明实施例提供的天线的制备方法包括：

S310、提供一衬底基板。

其中，该衬底基板例如为图14中的第一衬底基板71。

S320、在衬底基板上设置第二电极；第二电极被提供固定电位。

其中，在第一衬底基板71的一侧形成第二电极20。

S330、在第二电极上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，在第二电极20上形成透明绝缘层74，防止电路基板72中的信号走线与第二电极20电连接。在透明绝缘层74背离第二电极20的一侧形成信号走线层，该信号走线层包括发光元件连接焊盘15。

S340、在电路基板背离第二电极的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

S350、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

S360、在衬底基板背离第二电极的一侧设置粘合层。

其中，在第一衬底基板71背离第二电极20的一侧贴合粘合层80。

S370、在粘合层背离衬底基板一侧贴合光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，第一电极位于光致介电变化层背离粘合层的一侧，第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，传输电极用于传输电信号；辐射体单元用于发射该电信号。

其中，将已经制备好的光致介电变化模组贴合至粘合层80背离第一衬底基板71的一侧。

该实施例与图25不同之处在于，第一电极10、第三电极30和光致介电变化层40并未在第一衬底基板71上形成，而是在其他支撑层上形成之后，将支撑层剥离通过粘合层80贴合在第一衬底基板71的一侧。

本实施例中，由于直接将发光元件50绑定到设置有第二电极20的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，，即发光元件和第二电极为一体结构，亦即发光元件与天线中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线的厚度，有利于天线的小型化。

本发明实施例还提供了一种天线的制备方法，该方法与上述实施例中的天线属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考天线的实施例。图27是本发明实施例提供的又一种天线的制备方法的流程图，该方法例如可以制备如图19或图20所示的天线100。如图27所示，本发明实施例提供的天线的包括：

S410、提供一衬底基板。

其中，该衬底基板例如可以为图19和图20所示的第一衬底基板71。

S420、在衬底基板上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，当驱动发光元件发光的驱动方式为无源驱动时，例如参见图19，可以先在第一衬底基板71上形成透明绝缘层74，然后在透明绝缘层74背离第一衬底基板71一侧制备信号走线层；信号走线层包括信号走线(图19未示出)和发光元件连接焊盘15。

当驱动发光元件的驱动方式为有源驱动，例如参见图20，可以在第一衬底基板71形成像素电路层75，该驱动电路层75包括像素电路751，像素电路751用于驱动发光元件50发光。

S430、在电路基板背离衬底基板的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

S440、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

S450、在发光元件背离衬底基板一侧设置平坦化层。

其中，在发光元件50背离第一衬底基板71一侧设置平坦化层90，对发光元件50进行保护的同时，方便第二电极20的制备。

S460、在平坦化层背离发光元件一侧设置第二电极；第二电极被提供固定电位。

S470、在第二电极背离平坦化层的一侧设置粘合层。

S480、在粘合层背离第二电极一侧贴合光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，第一电极位于光致介电变化层背离粘合层的一侧，第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，传输电极用于传输电信号；辐射体单元用于发射该电信号。

其中，将已经制备好的光致介电变化模组贴合至粘合层80背离第一衬底基板71的一侧。

需要说明的是，图19和图20与上述实施例中发光元件50的出光方向相反，图19和图20所示的发光元件50为顶发光，出光方向朝向光致介电变化层40；而其它实施例中所示的发光元件50为底发光，出光方向同样是朝向光致介电变化层40。

本实施例中，由于直接将发光元件50绑定到设置有第二电极20的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，，即发光元件和第二电极为一体结构，亦即发光元件与天线中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高天线的制备效率；且可以减小天线的厚度，有利于天线的小型化。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种移相器。图28是本发明实施例提供的一种移相器的俯视结构示意图，图29是沿图28中K-K’的剖面结构示意图，如图28和图29所示，本发明实施例提供的移相器200包括：第一电极10’、第二电极20’和光致介电变化层40’；第一电极10’和第二电极20’分别位于光致介电变化层40’相对的两侧；第一电极10’包括多个传输电极11’；传输电极11’用于传输电信号，其中，传输电极11’传输的电信号例如可以为高频信号，该高频信号的频率例如大于1GHz；第二电极20’被提供固定电位，例如，第二电极20’接地设置。

继续参见图28和图29，移相器200还包括：至少一个发光元件50’，发光元件50’用于发射照射至光致介电变化层40’的光线，以使光致介电变化层40’的介电常数改变；其中，发光元件50’和第一电极10’或第二电极20’中的至少一种为一体结构。所谓一体结构即为发光元件50’与第一电极10’和第二电极20’中的至少一种位于同一支撑层上，即发光元件50’和第一电极10’、第二电极20’或第三电极30’中的至少一种在同一支撑层上设置，亦即如果发光元件50’为制备好的发光元件，直接将此发光元件50绑定到设置有第一电极10’、第二电极20’或第三电极30’中的至少一种的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层，其中，该发光元件50’例如可以为微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，MicroLED)或者次毫米发光二极管(Mini Light Diode，Mini LED)；或者，发光元件50’在支撑层上制备形成，除了发光元件50’在支撑层上制备形成外，第一电极10’、第二电极20’或第三电极30’中的至少一种也在该支撑层上制备形成，而无需单独设置其它的支撑层，其中，该发光元件50’例如可以为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)。示例性的，如果发光元件50’为已经制备好的发光元件，例如可以在衬底基板上设置图28和图29所示的第二电极20’，然后在第二电极20’上设置光致介电变化层40’，以及在光致介电变化层40’背离第二电极20’的一侧形成传输电极11’，然后绑定发光元件50’，即发光元件50’与第一电极10’以及第二电极20’均位于同一支撑层上，亦即直接将发光元件50’绑定到设置有第一电极10’、第二电极20’和第三电极30’的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层。可以理解的是，若移相器200需要支撑层，则无需剥离支撑层(图中未示出)；若移相器200无需支撑层，则将支撑层剥离即可，如图27和图28所示。

本实施例中，传输电极11’用于传输电信号。在电信号的传输过程中，发光元件50’发射的照射至光致介电变化层40’的光线可以改变光致介电变化层40’的介电常数。当光致介电变化层40’的介电常数改变时，使得传输电极11’和第二电极20’之间构成的电容的电容值发生改变，导致传输电极11’传输的电信号的相位发生改变，如此，改变了电信号的相位，实现电信号的移相功能。传输电极11’用于电信号的传输，同时在传输过程中电信号进行移相，第一馈电端12’和第二馈电端13’用于配合传输电极11’的两端实现传输电极11’上电信号的馈入和馈出。

本申请提供的实施例中，不仅提供了一种新型的移相器，还进一步将用于控制移相器的光源集成到移相器内部，能够进一步减小移相器设备的体积。便携轻便的移相器为其应用提供了更多的可能，例如，除了用于位置固定装置(例如：5G基站)外，还可以应用于位置变化的设备，例如：汽车、飞机、轮船等。另一方面，相对于液晶移相器而言，由于信号的控制是通过光源控制，而不是靠电极产生的电场控制，能够避免对介电变化层的控制对传输信号的影响。

需要说明的是，可以通过光线的光强改变光致介电变化层40’的介电常数；也可以通过光线的光波长改变光致介电变化层40’的介电常数。当通过光线的光强改变光致介电变化层40’的介电常数时，可选的，继续参见图27和图28，至少一个发光元件50’包括多个发光元件50’，多个发光元件50’发光的光线例如可以均为紫外光，通过紫外光的光强改变光致介电变化层40’的介电常数；示例性的，光致介电变化层40’的材料可以包括偶氮染料或偶氮聚合物，偶氮染料或偶氮聚合物对紫外光比较敏感，当发光元件50’发出紫外光时，该紫外光可使偶氮染料或偶氮聚合物的分子结构发生反转，例如，在顺式结构和反式结构之间变化，以使光致介电变化层40’的介电常数改变。可以理解的是，光致介电变化层40’的材料并不限于偶氮染料或偶氮聚合物，发光元件50’的发出的光线也并不限于紫外光，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电变化层40’对传输电极11’上传输的电信号进行移相，改变电信号的相位即可。当通过光波长改变光致介电变化层40’的介电常数时，可选的，图30是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，如图30所示，至少一个发光元件50’包括多个发光元件50’，多个发光元件50’形成多组发光元件组51’；每个发光元件组51’包括发光颜色为第一颜色的第一发光元件52’、发光颜色为第二颜色的第二发光元件53’和发光颜色为第三颜色的第三发光元件54’。第一发光元件52’的发光颜色例如可以为绿色，第二发光元件53’的发光颜色例如可以为红色，第三发光元件54’的发光颜色例如可以为蓝色，通过红、绿、蓝三色按照不同的比例合成需要的光波长，以改变光致介电变化层40’的介电常数。此外，还可以在发光元件50’与光致介电变化层40’之间设置量子点层(图中未示出)，当发光元件50’为单色的发光元件时，可增加光强；或者，在发光元件50’与光致介电变化层40’之间设置不同的量子点层，通过量子点层对单色的发光元件发出的光线进行转换，形成不同颜色的光线，以合成需要的光波长。

需要说明的是，发光元件50’的类型包括但不限于上述示例。图28和图29以发光元件50’为Micro LED，且该Micro LED采用倒装式底发射式的发光芯片为例进行的说明。当发光元件50’包括Micro LED时，由于Micro LED的尺寸更小，设置Micro LED的数量可以较多，如此，使得光致介电变化层40’各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40’各区域介电常数改变的一致性。

需要说明的是，本实施例不对第一电极10’以及第二电极20’的材料进行限定。示例性的，第二电极20’的材料可以为金属，也可以为氧化铟锡。当第二电极20’的材料可以为金属时，例如可以为铜。当第二电极20’的材料为铜时，发光元件50’给电发出的光线可能会通过光致介电变化层40’照射在第二电极20’上，由于铜具有较高反射率，此时可通过第二电极20’将光线进行反射，提高了光线的利用率。

需要说明的是，发光元件50’可以与第一电极10’同侧，即第一电极10’和发光元件50’位于光致介电变化层40’的一侧，第二电极20’位于光致介电变化层40的另一侧；发光元件50’还可以与第二电极20’同侧，即第二电极20’和发光元件50’位于光致介电变化层40’的一侧，第一电极10’位于光致介电变化层40’的另一侧。图28和图29仅以发光元件50’与第一电极10’同侧为例进行的说明。在其他可选实施例中，发光元件50’还可以位于第二电极20’的一侧。下面将针对这两种情况，对发光元件50’的设置位置进行详细介绍。

首先，对发光元件50’与第一电极10’设置同侧的情况进行说明。

可选的，继续参见图28和图29，发光元件50’位于光致介电变化层40’背离第二电极20’的一侧，且发光元件50’与传输电极11’不交叠；传输电极11’包括第一边界111’，第一边界111’为传输电极11’距离发光元件50’最近的边界，发光元件50’到第一边界111’的距离为D1，10μm≤D1’≤100μm。

考虑到当发光元件50’为Micro LED或Mini LED时，发光元件50’中的阳极和阴极会传输信号，如果发光元件50’距离传输电极11’太近的话，发光元件50’中传输的信号会对传输电极11’上传输的电信号造成干扰；若发光元件50’距离传输电极11’太远的话，发光元件50’发出的光线无法照射至传输电极11’下方的光致介电变化层40’，进而导致该区域光致介电变化层40’的介电常数无法改变，影响电信号的移相。所以本实施例将发光元件50’到第一边界111’的距离设置为10μm到100μm之间，以在保证传输电极11’传输的电信号不受干扰的同时，还可以保证发光元件50’发出的光线可以照射至传输电极11’下方的光致介电变化层40’，使得该区域光致介电变化层40’的介电常数改变。

可选的，例如可以继续参见图30，至少一个发光元件50’包括多个发光元件50’；传输电极11’的形状包括线状，线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；多个发光元件50’沿传输电极11’的延伸方向依次设置。

本实施例中，传输电极11’的形状为线状，如此传输电信号的路径加长，光致介电变化层40’对电信号的影响增大；此外，当传输电极11’的形状为线状，且多个发光元件50’沿传输电极11’的延伸方向依次设置时，使得光致介电变化层40’各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40’各区域介电常数改变的一致性。

需要说明的是，当传输电极11’的形状为线状时，图30以传输电极11’的形状为蛇形为例，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况就行设置。在其他可选实施例中，传输电极11’的形状还可以为多段直线段连接而成的W形，例如参见图31；或者相互连接的U形等(图中未示出)。

可选的，图32是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图33是沿图32中N-N’的剖面结构示意图，如图32和图33所示，发光元件50’位于光致介电变化层40’背离第二电极20’的一侧；移相器200还包括信号走线14’和发光元件连接焊盘15’；发光元件50’位于发光元件设置区DD’，且设置于发光元件连接焊盘15’上，发光元件连接焊盘15’分别与发光元件50’以及信号走线14’电连接；其中，信号走线14’、发光元件连接焊盘15’以及传输电极11’同层设置。需要说明的是，在图32为了清楚的体现发光元件连接焊盘15’和信号走线14’的位置关系，图32中的发光元件设置区DD’并未示出发光元件50’。

示例性的，继续参见图32和图33，本实施例中的发光元件50’包括Micro LED，且该Micro LED的类型为横向结构的Micro LED。相应的，发光元件连接焊盘15’包括第一发光元件连接焊盘151’和第二发光元件连接焊盘152’，第一发光元件连接焊盘151’与发光元件50’的阳极电连接，第二发光元件连接焊盘152’与发光元件50’的阴极电连接，且第一发光元件连接焊盘151’与传输阳极信号的信号走线14’电连接，第二发光元件连接焊盘152’与传输阴极信号的信号走线14’电连接。此外，该移相器200还包括驱动电路16’，该驱动电路16’例如可以为驱动芯片，或者，驱动电路16’例如可以为柔性电路板。信号走线14’接收驱动电路16’发送的驱动信号，并将该驱动信号传输至发光元件连接焊盘15’，以驱动发光元件50’发光。通过将信号走线14’、第一发光元件连接焊盘151’、第二发光元件连接焊盘152’以及传输电极11’同层，不仅能够避免在传输电极11’上的跨线而造成对传输电极11’上传输的电信号的干扰，同时还可以实现更低成本。

可以理解的是，上述示例仅以发光元件50’包括Micro LED，且该Micro LED的类型为横向结构的Micro LED为例进行的说明，但不构成对本申请的限定。在其他可选实施例中，发光元件50’还可以包括Mini LED等。

需要说明的是，上述示例仅以无源驱动方式驱动发光元件50’为了进行的说明，即Micro LED通过转移方式与移相器主体布线实现集成，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况选择发光元件50’的驱动方式。

在上述方案的基础上，可选的，继续参见图32和图33，至少一个发光元件50’包括多个发光元件50’。如前所述，图32中为了清楚的体现发光元件连接焊盘15’和信号走线14’的位置关系，图32中的发光元件设置区DD’并未示出发光元件50’，仅示出了发光元件设置区DD’，其中，第一发光元件设置区DD1’设置第一发光元件，第二发光元件设置区DD2’设置第二发光元件，第三发光元件设置区DD3’设置第三发光元件，以及第四发光元件设置区DD4’设置第四光元件。

信号走线14’包括阳极信号走线141’和阴极信号走线142’；其中，至少部分发光元件50’的阳极与同一阳极信号走线141’电连接；至少部分发光元件50’的阴极电连接同一阴极信号走线142’。例如，第一发光元件设置区DD1’设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’与第二发光元件设置区DD2’设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’电连接同一阳极信号走线141’，以及第一发光元件设置区DD1’设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’与第二发光元件设置区DD2’设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’电连接同一阴极信号走线142’。这样设置的好处在于，结构简单，且有利于减少用于提供阳极信号和阴极信号的芯片上控制端的数量，有利于节约芯片成本。此外，由于发光元件50’中各阴极接收的信号可以相同，所以所有发光元件50’的阴极可均电连接同一阴极信号走线142’，如此，可以进一步减小芯片上控制端的数量。

需要说明的是，图32仅以传输电极11’的形状为线状为例。在其他可选实施例中，传输电极11’的形状还可以为块状等，例如参见图34，当传输电极11’为块状时，发光元件50’沿传输电极11’的边缘依次连续设置。至少部分发光元件50’的阳极与同一阳极信号走线141’电连接；至少部分发光元件50’的阴极电连接同一阴极信号走线。其中，图34仅示出了阳极信号走线141’，未示出阴极信号走线。

可选的，移相器的部分侧设置有驱动电路。示例性的，继续参见图32，移相器200还包括多个驱动电路16’。多个驱动电路16’例如可以包括第一驱动电路161’和第二驱动电路162’，第一发光元件设置区DD1’设置的第一发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’与第二发光元件设置区DD2’设置的第二发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’电连接的阳极信号走线141’，以及第一发光元件设置区DD1’设置的第一发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’与第二发光元件设置区DD2’设置的第二发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’电连接的阴极信号走线142’连接至第二驱动电路162’；第三发光元件设置区DD3’设置的第三发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’与第四发光元件设置区DD4’设置的第四发光元件对应的第一发光元件连接焊盘151’电连接的阳极信号走线141’，以及第三发光元件设置区DD3’设置的第三发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’与第四发光元件设置区DD4’设置的第四发光元件对应的第二发光元件连接焊盘152’电连接的阴极信号走线142’连接至第一驱动电路161’。如此，当移相器的部分侧设置有驱动电路16’时，有利于减少跨线；且信号走线于驱动电路16’就近连接，有利于降低线路制作成本。

可选的，继续参见图32，信号走线14’包括相互连接的多个分部，至少部分分部与线性的传输电极11’的部分段平行。示例性的，继续参见图32，阳极信号走线141包括第一分部1411’和第二分部1412’，线性的传输电极11’包括传输单元1111’，传输单元1111’包括第一段1112’和第二段1113’，其中，第一分部1411’与第一段1112’平行，第二分部1412’与第二段1113’平行，如此可以减少跨线。

此外，继续参见图32，传输单元1111’还包括传输开口1114’，同一传输电极11’中朝向一致的传输开口1114’里的发光元件50’对应的信号走线14’电连接同一驱动电路16’，如此，有利于减少跨线，简化工艺步骤。

以上通过发光元件50’与第一电极10’同侧设置的情况进行了说明。通过上述说明可知，通过在第一电极10’的同侧设置发光元件50’，通过移相器200内部的发光元件50’发出的光线控制光致介电变化层40’的介电常数改变，控制传输电极11’传输的电信号移相。相比于现有技术的移相器，本发明实施例提供的移相器，通过价格相对较低的光致介电变化层40’代替价格昂贵的液晶层，实现电信号移相的同时，还可以降低移相器成本。此外，由于发光元件50’和第一电极10’或第二电极20’中的至少一种为一体结构，即发光元件50’与移相器200中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器200的厚度，有利于移相器200的小型化。

下面将以发光元件50’与第二电极20’同侧的情况进行说明。

可选的，图35是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图36是沿图35中O-O’的剖面结构示意图，如图35和图36所示，本发明实施例提供的移相器200还包括发光元件设置基板70’，位于第二电极20’背离光致介电变化层40’的一侧；发光元件设置基板70’包括发光元件50’。需要说明的是，所谓发光元件设置基板70’并不是一个单一的基板，而是一些膜层的组合，下述实施例中将具体介绍，此处不再赘述。

本实施例中，发光元件50’设置于光致介电变化层40’背离第一电极10’的一侧，也就是说，发光元件不仅可以设置于光致介电变化层40’靠近第一电极10’的一侧，还可以设置于光致介电变化层40’背离第一电极10’的一侧，如此，使得发光元件50’的设置位置变得灵活。

需要说明的是，当发光元件50’位于光致介电变化层40’背离第一电极10’的一侧时，传输电极11’的形状并不限于图35中的线状，也不限于图35中的蛇形，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。例如，当传输电极11’的形状为线状时，其形状还可以为多段直线段连接而成的W形，或者相互连接的U形等。再如，传输电极11’的形状为块状等。

可选的，继续参见图35，发光元件50’与传输电极11’交叠。这样设置的好处在于，可以保证发光元件50’发出的光线较多的照射至传输电极11’下方的光致介电变化层40’，以使该区域光致介电变化层40’的介电常数改变，提高光线的利用率。

可选的，继续参见图35，至少一个发光元件50’包括多个发光元件50’；传输电极11’的形状包括线状，线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；发光元件50沿传输电极11’的延伸方向依次设置。

本实施例中，传输电极11’的形状为线状，如此传输电信号的路径加长，光致介电变化层40’对电信号的影响增大；此外，当传输电极11的形状为线状，且多个发光元件50’沿传输电极11’的延伸方向依次设置时，使得光致介电变化层40’各区域受到光线的照射量基本保持一致，保证光致介电变化层40’各区域介电常数改变的一致性。

可选的，图37是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图38是沿图37中P-P’的剖面结构示意图，如图37和图38所示，发光元件设置基板70’还包括第一衬底基板71’；第一衬底基板71’包括发光元件设置区GG’；至少一个发光元件50包括多个发光元件50’；多个发光元件50’设置于整个发光元件设置区GG’，如此，无需定位传输电极11’的位置，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率。可以理解的是，本实施例中的第一衬底基板71’可以透过发光元件50’发出的光线，以使该光线可以照射至光致介电变化层40’。

可选的，图39是本发明实施例提供的一种移相器的部分膜层结构示意图，如图39所示，第二电极20’包括第一镂空结构II’；第一镂空结构II’与发光元件50’交叠，如此，发光元件50’发出的光线可通过第一镂空结构II’照射至光致介电变化层40’，以控制光致介电变化层40’的介电常数改变，防止第二电极20’对发光元件50’发出的光线有遮挡。在此方案的基础上，可选的，发光元件50’覆盖第一镂空结构II’。通过发光元件50’中的电极层(例如阳极或阴极)防止传输电极11’传输的电信号通过第一镂空结构II’向外泄露。

可选的，第二电极20’包括透光电极。

其中，透光电极例如可以为透明电极，即发光元件50’发射的光可以通过该透光电极照射至光致介电变化层40’；此时透光电极的材料例如可以为氧化铟锡。透光电极并不限于为透明的电极，还可以为仅能透过光致介电变化层40’能够响应的光的电极，所谓光致介电变化层40’能够响应的光可以是当该光照射至光致介电变化层40’时，光致介电变化层40’的介电常数发生改变，例如，光致介电变化层能够响应的光为蓝光，则透光电极可以透过蓝光即可。

由前述内容可知，发光元件设置基板70’并不是一个单一的基板，而是一些膜层的组合，即发光元件设置基板70’不仅包括发光元件50’，还包括为发光元件50’提供阳极信号和阴极信号的走线以及绝缘层等，下面将结合典型示例对发光元件设置基板70’进行详细介绍。

可选的，图40是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图40所示，发光元件设置基板70’包括：电路基板72’和限位层73’；电路基板72’包括设置有发光元件连接焊盘15’的第一表面，限位层73’位于第一表面上，限位层73’包括限位孔JJ’；其中，限位孔JJ’在第一表面所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘15’在第一表面所在平面的垂直投影交叠。

示例性的，电路基板72’包括透明绝缘层74、发光元件连接焊盘15’和信号走线(图中未示出)。在电路基板72’的第一表面上设置限位层73’，该限位层73’包括多个限位孔JJ’，每个限位孔JJ’均贯穿限位层73’，以露出电路基板72上的发光元件连接焊盘15’。当发光元件50’转移至电路基板72’时，发光元件50’位于限位孔JJ’内，如此可实现发光元件50’的电极与发光元件连接焊盘15’的电连接。

可选的，限位层73’例如可以包括光阻层。可以理解的是，限位层73’包括但不限于光阻层，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置，只要可以将发光元件50’限位于预设位置，实现发光元件50’与发光元件连接焊盘15’的电连接即可。

可以理解的是，驱动发光元件50’发光的方式可以是有源驱动，也可以为无源驱动。

当驱动发光元件50’发光的方式为无源驱动方式时，可选的，图41是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图41所示，电路基板72’包括：第一衬底基板71’、位于第一衬底基板71’一侧的透明绝缘层74’以及位于透明绝缘层74’背离第一衬底基板71’一侧的信号走线层；信号走线层包括信号走线(图41未示出)和发光元件连接焊盘15’；发光元件50’设置于发光元件连接焊盘15’上，发光元件连接焊盘15’分别与发光元件50’以及信号走线电连接。也就是说，芯片上的信号直接通过信号走线传输至发光元件连接焊盘15’，通过发光元件连接焊盘15’传输至发光元件50’，以驱动发光元件50’发光。可以理解的是，当驱动发光元件50’发光的方式为无源驱动方式时，并不限于图41所示的移相器，还可以为图40所示的移相器。

当驱动发光元件50’发光的方式为有源驱动方式时，可选的，图42是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图42所示，电路基板72’包括：第一衬底基板71’和位于第一衬底基板71’一侧的像素电路层75’；像素电路层75’包括像素电路751’；像素电路751’与发光元件50’的阳极电连接。其中，像素电路751’例如可以通过发光元件连接焊盘15’与发光元件50’电连接，以驱动对应发光元件50’发光，在能够实现上述功能的前提下，本发明实施例对像素电路751’的具体结构不做具体限定；例如，可以采用2T1C(两个晶体管和一个电容)的像素电路751’或者采用7T1C(七个晶体管和一个电容)的像素电路751’等。

可选的，图43是本发明实施例提供的一种像素电路的电路图，如图42和图43所示，当发光元件50’与第二电极20’同侧设置，且不与第二电极20’同层时，多个发光元件50’在发光元件设置区GG’阵列排布；发光元件设置基板70’还包括位于第一衬底基板71’上像素电路层75’，像素电路层75’包括阵列排布的像素电路751’、多条扫描线722’、多条数据线723’和第一电源信号线724’以及第二电源信号线(图中未示出)；位于同一行的像素电路751’电连接同一数据线723’，数据线723与驱动芯片77电连接，以接收数据信号；位于同一列的像素电路751’电连接同一扫描线722’，扫描线722’与驱动芯片77’电连接，以接收扫描信号；同一行的像素电路751’电连接同一第一电源信号线724’，不同行的像素电路751’对应的第一电源信号线724’电连接同一电源信号总线726’，该电源信号总线726’与驱动芯片77’电连接，以接收第一电源信号；且像素电路751’与发光元件50’的阳极一一对应电连接。

示例性的，像素电路751’包括驱动晶体管T1’、数据写入晶体管T2’以及存储电容C’，即采用2T1C的像素电路751’驱动发光元件50’。具体的，扫描线722’传输的扫描信号写入数据写入晶体管T2’的栅极，以使数据写入晶体管T2’导通；然后，数据线723’上传输的数据信号通过数据写入晶体管T2’写入驱动晶体管T1’的栅极，以使驱动晶体管T1’产生驱动发光元件50’发光的驱动电流。可选的，移相器200中还设置有级联的移位寄存器(图中未示出)，移位寄存器接收驱动芯片77’发送的信号，以向扫描线722’输出扫描信号。

本实施例提供的技术方案，由于发光元件50’与第二电极20’同侧设置，且不与第二电极20’同层，发光元件50’对应的像素电路层75’单独设置，如此，无需要改变移相器中其他的膜层(第一电极10’和第二电极20’)的设计，降低工艺难度。

需要说明的是，上述实施例均以发光元件50’为Micro LED，且Micro LED为横向结构的Micro LED为例进行的说明，即Micro LED的阳极和阴极位于同一侧，相应的，发光元件连接焊盘15’包括第一发光元件连接焊盘151’和第二发光元件连接焊盘152’，第一发光元件连接焊盘151’与Micro LED的阳极电连接，第二发光元件连接焊盘152’与Micro LED的阴极电连接，但是并不构成对本申请的限定，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。

需要说明的是，上述示例仅以发光元件50’位于第一衬底基板71’背离第二电极20’的一侧为例，即在第一衬底基板71’上形成发光元件设置基板70’中的各膜层，以及在第一衬底基板71’背离发光元件设置基板70’的一侧设置第二电极20’、光致介电变化层40’以及传输电极11’等，但不构成对本申请的限定。可选的，图44是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图44所示，本实施例提供的移相器200还包括贴合层80’，位于发光元件50’背离第一衬底基板71’的一侧，且设置于光致介电变化层40’和第二电极20’之间。也就是说，在一支撑层(图中未示出)上形成光致介电变化层40’以及在光致介电变化层40’背离支撑层的一侧形成传输电极11’；形成电路基板72’以及限位层73’，在限位层73’中的限位孔JJ’中绑定发光元件50’，然后设置平坦化层90’，在平坦化层90’上形成第二电极20’；然后通过粘合层80’将第二电极20’和光致介电变化层40’粘合在一起，形成移相器200。该制备方法的流程将在后续实施例中进行详细介绍，此处不再赘述。或者，图45是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，与图44不同之处在于，图44采用的是无源驱动方式驱动发光元件50’发光，而图45采用的是有源驱动方式驱动发光元件50’发光。

可以理解的是，当移相器200还包括贴合层80’，该贴合层80’位于发光元件50’背离第一衬底基板71’的一侧，且设置于光致介电变化层40’和第二电极20’之间时，图44中的透明绝缘层74’并不限于透明材质，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

以上通过发光元件50’与第二电极20’同侧设置的情况进行了说明。通过上述说明可知，当发光元件50’与第二电极20’同侧，发光元件50’的设置方式更加灵活。

综上，发光元件50’与第一电极10’同侧，或者与第二电极20’同侧，均可以控制光致介电变化层40’的介电常数改变，进而控制传输电极11’传输的电信号移相。相比于现有技术的移相器，本发明实施例提供的移相器，通过价格相对较低的光致介电变化层40’代替价格昂贵的液晶层，实现电信号移相的同时，还可以降低移相器成本。此外，由于发光元件50’和第一电极10’或第二电极20’中的至少一种为一体结构，即发光元件50’与移相器200中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器200的厚度，有利于移相器200的小型化。

在上述各方案的基础上，可选的，还包括至少一层第二衬底基板；第二衬底基板与光致介电变化层同层设置；和/或，第二衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠。

其中，第二衬底基板的材料例如可以聚酰亚胺、玻璃或液晶聚合物中的一种。可以理解的是，第二衬底基板的材料包括但不限于上述示例，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

示例性的，图46是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图46所示，移相器200还包括第二衬底基板60’，该第二衬底基板60’与光致介电变化层40’同层设置。可选的，图46所示的移相器200的制备步骤例如可以为：先在一支撑层(图中未示出)上形成第二电极20’；然后在第二电极20’背离支撑层一侧设置第二衬底基板60’，第二衬底基板60’包括多个凹槽结构，多个凹槽结构均贯穿第二衬底基板60’；然后在每个凹槽结构内均设置光致介电变化层40’；再在第二衬底基板60’背离第二电极20’的一侧形成传输电极11’以及发光元件50’对应的信号走线以及发光元件连接焊盘等；最后绑定发光元件50’。其中，如果移相器200包括支撑层时，无需剥离支撑层；如果移相器200无需支撑层时，则可以在绑定发光元件50’后将支撑层剥离，如图46所示。

示例性的，图47是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图47所示，移相器200还包括一层第二衬底基板60’，第二衬底基板60’位于第一电极10’与光致介电变化层40’之间。

示例性的，图48是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图48所示，移相器200还包括两层第二衬底基板60’，其中一层第二衬底基板60’位于光致介电变化层40’和第一电极10’之间，另外一层第二衬底基板60’位于光致介电变化层40’和第二电极20’之间。本实施例提供的移相器结构简单，如此，在制备移相器时，可以简化工艺步骤，提高移相器的制备效率。本实施例对此移相器的制备步骤不做限定，例如可以为：先在其中一层第二衬底基板60’上形成传输电极11’以及信号走线和发光元件连接焊盘15’等,绑定发光元件50’，以及在另一第二衬底基板60’上形成第二电极20’；然后通过OC光学胶等将光致介电变化层40’贴合在两层第二衬底基板60’之间。

可选的，继续参见图47和图48，第二衬底基板60’与光致介电变化层40’异层设置且交叠，光致介电变化层40’的厚度大于第二衬底基板60’的厚度，如此，使得光致介电变化层40’对电信号的影响增大。

综上所示，第一电极和第二电极之间设置光致介电变化层，且通过移相器内部的发光元件发出的光线控制光致介电变化层的介电常数改变，进而控制传输电极传输的电信号移相。本发明实施例提供的移相器，为大规模商业化提供更多的可能。此外，本实施例中，由于发光元件和第一电极或第二电极中的至少一种为一体结构，即发光元件与移相器中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器的厚度，有利于移相器的小型化。

本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，该方法与上述实施例中的移相器属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考移相器的实施例。该方法例如可以制备如图28和图29所示的移相器。

本发明实施例提供的移相器的包括：

S510、提供一光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层以及第二电极，第二电极被提供固定电位。

示例性的，继续参见图28和图29，在一支撑层(图中未示出)上形成第二电极20’，然后在第二电极20’背离支撑层侧一侧形成光致介电变化层40’。如果形成的移相器200需要包括支撑层，则无需剥离支撑层，此时的光致介电变化模组包括支撑层、第二电极20’以及光致介电变化层40’。如果形成的移相器200不需要支撑层，则后续需要剥离支撑层，此时的光致介电变化模组仅包括光致介电变化层40’和第二电极20’。

S520、在光致介电变化模组的一侧形成第一电极；其中，第一电极和第二电极分别位于光致介电变化层的两侧；第一电极包括多个传输电极、信号走线和发光元件连接焊盘；传输电极用于传输电信号。

其中，通过将信号走线(图28和图29中未示出)、发光元件连接焊盘15’以及传输电极11’同层设置，简化工艺步骤。

S530、在发光元件连接焊盘上绑定发光元件；其中，发光元件连接焊盘分别与发光元件以及信号走线电连接。

例如可以通过转移工艺将发光元件50’转移至发光元件连接焊盘上，实现发光元件50’与发光元件连接焊盘15’的电连接，进而将信号走线传输的阳极信号以及阴极信号传输至发光元件50’，以使发光元件50’发光。

本实施例中，由于直接将制备好的发光元件50’绑定到设置有第一电极10’和第二电极20’的支撑层上，而无需单独设置其它的支撑层，即发光元件和第一电极和第二电极为一体结构，亦即发光元件与移相器中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器的厚度，有利于移相器的小型化。

本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，该方法与上述实施例中的移相器属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考移相器的实施例。该方法例如可以制备如图41或图42所示的移相器。本发明实施例提供的移相器的包括：

S610、提供一衬底基板。

该衬底基板例如为图41中的第一衬底基板71’。例如在该第一衬底基板71’上制备移相器中的其它膜层结构。

S620、在衬底基板上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，当驱动发光元件发光的驱动方式为无源驱动时，例如参见图16，可以先在第一衬底基板71’上形成透明绝缘层74’，然后在透明绝缘层74’背离第一衬底基板71’一侧制备信号走线层；信号走线层包括信号走线(图16未示出)和发光元件连接焊盘15’。

当驱动发光元件的驱动方式为有源驱动，例如参见图42，可以在第一衬底基板71’形成像素电路层75’，该驱动电路层75’包括像素电路751’，该像素电路751’用于驱动发光元件50’发光。

S630、在电路基板背离衬底基板的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

示例性的，在电路基板72’背离第一衬底基板71’的一侧设置限位层73’。例如可以采用曝光显影对限位层73’进行图案化，形成多个限位孔JJ’，每个限位孔JJ均贯穿限位层73’，以露出电路基板72’上的发光元件连接焊盘15’。

S640、在衬底基板背离电路基板的一侧形成第二电极；第二电极被提供固定电位。

S650、在衬底基板背离电路基板的一侧设置光致介电变化层。

例如可以采用涂覆、印刷的工艺在第一衬底基板71’上形成光致介电变化层40。

S660、在光致介电变化层背离衬底基板的一侧设置第一电极；其中，第一电极包括多个传输电极，传输电极用于传输电信号。

示例性的，在光致介电变化层40’背离第一衬底基板71’的一侧形成一电极层，对该电极层进行图案化处理，以形成传输电极11’等。

S670、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

示例性的，将发光元件50’转移至电路基板72’，限位孔JJ’对发光元件50’起到限位作用，以使发光元件50’转移至预设的位置，实现发光元件50’的电极与发光元件连接焊盘15’的电连接。

本实施例中，由于直接将制备好的发光元件50’绑定好设置有第一电极10’和第二电极20’的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，即发光元件和第一电极和第二电极为一体结构，亦即发光元件与移相器中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器的厚度，有利于移相器的小型化。

本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，该方法与上述实施例中的移相器属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考移相器的实施例。该方法同样可以制备如图40所示的移相器200。本发明实施例提供的移相器的制备方法包括：

S710、提供一衬底基板。

其中，该衬底基板例如为图40中的第一衬底基板71’。

S720、在衬底基板上设置第二电极；第二电极被提供固定电位。

其中，在第一衬底基板71’的一侧形成第二电极20’。

S730、在第二电极上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，在第二电极20’上形成透明绝缘层74’，防止电路基板72’中的信号走线与第二电极20’电连接。在透明绝缘层74’背离第二电极20’的一侧形成信号走线层，该信号走线层包括发光元件连接焊盘15’。

S740、在电路基板背离第二电极的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

S750、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

S760、在衬底基板背离第二电极的一侧设置粘合层。

其中，在第一衬底基板71’背离第二电极20’的一侧贴合粘合层80’。

S770、在粘合层背离衬底基板一侧贴合光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，第一电极位于光致介电变化层背离粘合层的一侧，第一电极包括多个传输电，传输电极用于传输电信号。

其中，将已经制备好的光致介电变化模组贴合至粘合层80’背离第一衬底基板71’的一侧。

该实施例中，第一电极10’和光致介电变化层40’并未在第一衬底基板71’上形成，而是在其他支撑层上形成之后，将支撑层剥离通过粘合层80’贴合在第一衬底基板71’的一侧。

本实施例中，由于直接将发光元件50’绑定到设置有第二电极20’的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，即发光元件和第二电极为一体结构，亦即发光元件与移相器中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器的厚度，有利于移相器的小型化。

本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，该方法与上述实施例中的移相器属于同一发明构思，本实施例未进行详细描述的，可以参考移相器的实施例。该方法例如可以制备如图44或图45所示的移相器。本发明实施例提供的移相器的包括：

S810、提供一衬底基板。

其中，该衬底基板例如可以为图44和图45所示的第一衬底基板71’。

S820、在衬底基板上设置电路基板；电路基板包括发光元件连接焊盘；电路基板包括发光元件连接焊盘。

其中，当驱动发光元件发光的驱动方式为无源驱动时，例如参见图43，可以先在第一衬底基板71’上形成透明绝缘层74’，然后在透明绝缘层74’背离第一衬底基板71’一侧制备信号走线层；信号走线层包括信号走线(图44未示出)和发光元件连接焊盘15’。

当驱动发光元件的驱动方式为有源驱动，例如参见图45，可以在第一衬底基板71’形成像素电路层75’，该驱动电路层75’包括像素电路751’，该像素电路751’用于驱动发光元件50’发光。

S830、在电路基板背离衬底基板的一侧设置限位层；限位层包括限位孔；其中，限位孔在衬底基板所在平面的垂直投影与发光元件连接焊盘在衬底基板所在平面的垂直投影交叠。

S840、在限位孔绑定发光元件，发光元件与发光元件连接焊盘电连接。

S850、在发光元件背离衬底基板一侧设置平坦化层。

其中，在发光元件50’背离第一衬底基板71’一侧设置平坦化层90’，对发光元件50’进行保护的同时，方便第二电极20’的制备。

S860、在平坦化层背离发光元件一侧设置第二电极；第二电极被提供固定电位。

S870、在第二电极背离平坦化层的一侧设置粘合层。

S880、在粘合层背离第二电极一侧贴合光致介电变化模组；其中，光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，第一电极位于光致介电变化层背离粘合层的一侧，第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，传输电极用于传输电信号；辐射体单元用于发射该电信号。

其中，将已经制备好的光致介电变化模组贴合至粘合层80’背离第一衬底基板71’的一侧。

需要说明的是，图44和图45与上述实施例中发光元件50’的出光方向相反，图44和图45所示的发光元件50’为顶发光，出光方向朝向光致介电变化层40’；而其它实施例中所示的发光元件50’为底发光，出光方向同样是朝向光致介电变化层40’。

本实施例中，由于直接将发光元件50’绑定到设置有第二电极20’的衬底基板上，而无需单独设置其它的衬底基板，，即发光元件和第二电极为一体结构，亦即发光元件与移相器中的结构实现集成，简化工艺步骤，提高移相器的制备效率；且可以减小移相器的厚度，有利于移相器的小型化。

本发明实施例还提供了一种通信设备。该通信设备包括光源以及上述任意一项的天线；或者，该通信设备包括光源以及上述任意一项的移相器；其中，光源用于发出照射至光致介电变化层的光线，以使光致介电变化层的介电常数改变。该通信设备可以放于汽车内部使得汽车能够接受信号。

示例性的，图49是本发明实施例提供的一种通信设备的结构示意图，该通信设备1000包括天线100；或者，该通信设备包括移相器200；

该通信设备1000还包括用于盛放天线100或移相器200的壳体300，该壳体300用于保护天线100或移相器200。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (52)

1.一种天线，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、第三电极和光致介电变化层；

所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述第二电极被提供固定电位；

所述第三电极包括多个辐射体单元；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

还包括：至少一个发光元件，所述发光元件用于发射照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变；

其中，所述发光元件和所述第一电极、所述第二电极或所述第三电极中的至少一种为一体结构。

2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述发光元件位于所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧，且所述发光元件与所述传输电极不交叠；

所述传输电极包括第一边界，所述第一边界为所述传输电极距离所述发光元件最近的边界，所述发光元件到所述第一边界的距离为D1，10μm≤D1≤100μm。

3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个发光元件；

所述传输电极的形状包括线状，所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；

多个所述发光元件沿所述传输电极的延伸方向依次设置。

4.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述发光元件位于所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧；

还包括信号走线和发光元件连接焊盘；所述发光元件设置于所述发光元件连接焊盘上，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接；

其中，所述信号走线、所述发光元件连接焊盘以及所述传输电极同层设置。

5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化层包括多个光致介电变化单元；至少一个所述发光元件包括多个所述发光元件；

每一所述光致介电变化单元均与多个所述发光元件对应，且每一所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠；所述信号走线包括阳极信号走线和阴极信号走线；

其中，与同一所述光致介电变化单元对应的多个所述发光元件中的至少部分发光元件的阳极与同一所述阳极信号走线电连接；

至少部分所述发光元件的阴极电连接同一所述阴极信号走线。

6.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括发光元件设置基板，位于所述第二电极背离所述光致介电变化层的一侧；

所述发光元件设置基板包括所述发光元件。

7.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述发光元件与所述传输电极交叠。

8.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个发光元件；所述传输电极的形状包括线状，所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；

所述发光元件沿所述传输电极的延伸方向依次设置。

9.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述发光元件设置基板还包括第一衬底基板；

所述第一衬底基板包括发光元件设置区；多个所述传输电极位于同一所述发光元件设置区内；

所述至少一个发光元件包括多个发光元件；多个所述发光元件设置于整个发光元件设置区。

10.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，多个所述发光元件在所述发光元件设置区阵列排布；

所述发光元件设置基板还包括位于所述第一衬底基板上阵列排布的像素电路、多条扫描线和多条数据线；

位于同一列的所述像素电路电连接同一所述数据线，位于同一行的所述像素电路电连接同一所述扫描线，且所述像素电路与所述发光元件的阳极一一对应电连接。

11.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述第二电极包括第一镂空结构；所述第一镂空结构与所述发光元件交叠。

12.根据权利要求11所述的天线，其特征在于，所述发光元件覆盖所述第一镂空结构。

13.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述第二电极包括透光电极。

14.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述发光元件设置基板包括：电路基板和限位层；

所述电路基板包括设置有发光元件连接焊盘的第一表面，所述限位层位于所述第一表面上，所述限位层包括限位孔；

其中，所述限位孔在所述第一表面所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述第一表面所在平面的垂直投影交叠。

15.根据权利要求14所述的天线，其特征在于，所述电路基板包括：第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的透明绝缘层以及位于所述透明绝缘层背离所述第一衬底基板一侧的信号走线层；

所述信号走线层包括信号走线和发光元件连接焊盘；所述发光元件设置于所述发光元件连接焊盘上，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接。

16.根据权利要求14所述的天线，其特征在于，所述电路基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板一侧的像素电路层；

所述像素电路层包括像素电路；所述像素电路与所述发光元件的阳极电连接。

17.根据权利要求15或16所述的天线，其特征在于，所述发光元件位于所述第一衬底基板背离所述第二电极的一侧；或者，

还包括贴合层，位于所述发光元件背离所述第一衬底基板的一侧，且设置于所述光致介电变化层和所述第二电极之间。

18.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个所述发光元件，多个所述发光元件的发光颜色均为白色。

19.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个所述发光元件，多个所述发光元件形成多组发光元件组；每个所述发光元件组包括发光颜色为第一颜色的第一发光元件、发光颜色为第二颜色的第二发光元件和发光颜色为第三颜色的第三发光元件。

20.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述发光元件包括微型发光二极管。

21.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括至少一层第二衬底基板；所述第二衬底基板与所述光致介电变化层同层设置；和/或，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠。

22.根据权利要求21所述的天线，其特征在于，当第二衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠，所述光致介电变化层的厚度大于所述第二衬底基板的厚度。

23.根据权利要求21所述的天线，其特征在于，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠；

所述第二衬底基板位于所述第二电极背离所述第一电极的一侧；

所述第二电极包括多个第二镂空结构，所述第二镂空结构在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影位于所述传输电极在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影内；且所述第二镂空结构在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影位于所述辐射体单元在所述第二衬底基板所在平面的垂直投影内。

24.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化层的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。

25.一种移相器，其特征在于，包括：第一电极、第二电极和光致介电变化层；

所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述第二电极被提供固定电位；

还包括：至少一个发光元件，所述发光元件用于发射照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变；

其中，所述发光元件和所述第一电极或所述第二电极中的至少一种为一体结构。

26.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述发光元件位于所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧，且所述发光元件与所述传输电极不交叠；

所述传输电极包括第一边界，所述第一边界为所述传输电极距离所述发光元件最近的边界，所述发光元件到所述第一边界的距离为D1，10μm≤D1≤100μm。

27.根据权利要求26所述的移相器，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个发光元件；

所述传输电极的形状包括线状，所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；

多个所述发光元件沿所述传输电极的延伸方向依次设置。

28.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述发光元件位于所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧；

还包括信号走线和发光元件连接焊盘；所述发光元件设置于所述发光元件连接焊盘上，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接；

其中，所述信号走线、所述发光元件连接焊盘以及所述传输电极同层设置。

29.根据权利要求28所述的移相器，其特征在于，至少一个所述发光元件包括多个所述发光元件；

所述信号走线包括阳极信号走线和阴极信号走线；

其中，至少部分所述发光元件的阳极与同一所述阳极信号走线电连接；

至少部分所述发光元件的阴极与同一所述阴极信号走线电连接。

30.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，还包括发光元件设置基板，位于所述第二电极背离所述光致介电变化层的一侧；

所述发光元件设置基板包括所述发光元件内。

31.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述发光元件与所述传输电极交叠。

32.根据权利要求31所述的移相器，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个发光元件；所述传输电极的形状包括线状，所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交；

所述发光元件沿所述传输电极的延伸方向依次设置。

33.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述发光元件设置基板还包括第一衬底基板；

所述第一衬底基板包括发光元件设置区；

所述至少一个发光元件包括多个发光元件；多个所述发光元件设置于整个发光元件设置区。

34.根据权利要求33所述的移相器，其特征在于，多个所述发光元件在所述发光元件设置区阵列排布；

所述发光元件设置基板还包括位于所述第一衬底基板上阵列排布的像素电路、多条扫描线和多条数据线；

位于同一列的所述像素电路电连接同一所述数据线，位于同一行的所述像素电路电连接同一所述扫描线，且所述像素电路与所述发光元件的阳极一一对应电连接。

35.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述第二电极包括第一镂空结构；所述第一镂空结构与所述发光元件交叠。

36.根据权利要求35所述的移相器，其特征在于，所述发光元件覆盖所述第一镂空结构。

37.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述第二电极包括透光电极。

38.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述发光元件设置基板包括：电路基板和限位层；

所述电路基板包括设置有发光元件连接焊盘的第一表面，所述限位层位于所述第一表面上，所述限位层包括限位孔；

其中，所述限位孔在所述第一表面所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述第一表面所在平面的垂直投影交叠。

39.根据权利要求38所述的移相器，其特征在于，所述电路基板包括：第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的透明绝缘层以及位于所述透明绝缘层背离所述第一衬底基板一侧的信号走线层；

所述信号走线层包括信号走线和发光元件连接焊盘；所述发光元件设置于所述发光元件连接焊盘上，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接。

40.根据权利要求38所述的移相器，其特征在于，所述电路基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板一侧的像素电路层；

所述像素电路层包括像素电路；所述像素电路与所述发光元件的阳极电连接。

41.根据权利要求39或40所述的移相器，其特征在于，所述发光元件位于所述第一衬底基板背离所述第二电极的一侧；或者，

还包括贴合层，位于所述发光元件背离所述第一衬底基板的一侧，且设置于所述光致介电变化层和所述第二电极之间。

42.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个所述发光元件，多个所述发光元件的发光颜色均为白色。

43.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述至少一个发光元件包括多个所述发光元件，多个所述发光元件形成多组发光元件组；每个所述发光元件组包括发光颜色为第一颜色的第一发光元件、发光颜色为第二颜色的第二发光元件和发光颜色为第三颜色的第三发光元件。

44.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述发光元件包括微型发光二极管。

45.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，还包括至少一层第二衬底基板；所述第二衬底基板与所述光致介电变化层同层设置；和/或，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠。

46.根据权利要求45所述的移相器，其特征在于，当第二衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠，所述光致介电变化层的厚度大于所述第二衬底基板的厚度。

47.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化层的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。

48.一种通信设备，其特征在于，包括权利要求1-24任一项所述的天线或权利要求25-47任一项所述的移相器。

49.一种天线的制备方法，其特征在于，包括：

提供一光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层以及第二电极，所述第二电极被提供固定电位；

在所述光致介电变化模组的一侧形成第一电极；其中，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述光致介电变化层的两侧；所述第一电极包括多个传输电极、多个辐射体单元、信号走线和发光元件连接焊盘；所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

在所述发光元件连接焊盘上绑定发光元件；其中，所述发光元件连接焊盘分别与所述发光元件以及所述信号走线电连接。

50.一种天线的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述衬底基板的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述衬底基板背离所述电路基板的一侧形成第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极背离所述衬底基板的一侧设置光致介电变化层；

在所述光致介电变化层背离所述第二电极的一侧设置第一电极；其中，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接。

51.一种天线的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述第二电极的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接；

在所述衬底基板背离所述第二电极的一侧设置粘合层；

在所述粘合层背离所述衬底基板一侧贴合光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，所述第一电极位于所述光致介电变化层背离所述粘合层的一侧，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号。

52.一种天线的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上设置电路基板；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；所述电路基板包括发光元件连接焊盘；

在所述电路基板背离所述衬底基板的一侧设置限位层；所述限位层包括限位孔；其中，所述限位孔在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述发光元件连接焊盘在所述衬底基板所在平面的垂直投影交叠；

在所述限位孔绑定发光元件，所述发光元件与所述发光元件连接焊盘电连接；

在所述发光元件背离所述衬底基板一侧设置平坦化层；

在所述平坦化层背离所述发光元件一侧设置第二电极；所述第二电极被提供固定电位；

在所述第二电极背离所述平坦化层的一侧设置粘合层；

在所述粘合层背离所述第二电极一侧贴合光致介电变化模组；其中，所述光致介电变化模组包括光致介电变化层和第一电极，所述第一电极位于所述光致介电变化层背离所述粘合层的一侧，所述第一电极包括多个传输电极和多个辐射体单元，所述传输电极用于传输电信号；所述辐射体单元用于发射所述电信号。

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