CN115000319B - 显示面板及其制作方法、发光器件 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示面板及其制作方法、发光器件，涉及显示技术领域，用于解决显示面板出光效率较低的问题。其中，显示面板包括沿第二方向重复排布的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件。每个发光器件包括自远离衬底方向依次设置的第一发光单元和第二发光单元。显示面板包括自远离衬底方向依次设置的第一电极层、第一有机层、第一发光层、第三有机层、第二发光层和第二电极层。不同发光器件的第一发光单元至少共用第一有机层；不同发光器件的第二发光单元至少共用第三有机层；其中，第一有机层在第一方向上的尺寸，小于第三有机层在第一方向上的尺寸，第一方向与第二方向相交叉。本公开提供的技术方案，可以提升显示面板的出光效率。

Description

显示面板及其制作方法、发光器件

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、发光器件。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)因具有自发光、亮度高、对比度高、响应速度快、视角宽、结构简单以及柔性显示等诸多优点，受到企业和高校的重视，并获得飞速地发展。

由此，串联式有机电致发光器件(Tandem OLED)在OLED的发展中应运而生。TandemOLED具备高亮度的优点。然而，相关技术中的Tandem OLED存在出光效率较低的问题。

发明内容

本公开一些实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、发光器件，用于提高Tandem OLED的出光效率。

为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供了一种显示面板。显示面板包括沿第二方向重复排布的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件。每个发光器件包括自远离衬底方向依次设置的第一发光单元和第二发光单元。所述显示面板包括自远离衬底方向依次设置的第一电极层、第一有机层、第一发光层、第三有机层、第二发光层和第二电极层。不同发光器件的第一发光单元至少共用所述第一有机层；不同发光器件的第二发光单元至少共用所述第三有机层；其中，所述第一有机层在第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向与所述第二方向相交叉。

本公开实施例提供的显示面板中，每个发光器件的第一发光单元中的第一有机层在第一方向上的尺寸，小于第二发光单元中的第三有机层在所述第一方向上的尺寸，能够使得第一发光层和第二发光层分别设置在发光器件形成为微腔结构中两个光线干涉最强的位置，从而提高每个发光器件的出光效率，进而提高显示面板整体的出光效率。

在一些实施例中，所述第一发光器件的出光面积；所述第二发光器件的出光面积；所述第三发光器件的出光面积；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第一发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长。所述第一发光器件的出光面积小于所述第二发光器件的出光面积，所述第二发光器件的出光面积小于所述第三发光器件的出光面积。

在一些实施例中，所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸；所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸；所述第三发光器件在所述第一方向上的尺寸；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第一发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长。所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸大于所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸，所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸大于所述第三发光器件在所述第一方向上的尺寸。

在一些实施例中，所述第一发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第一发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长。所述第一发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

在一些实施例中，所述第一发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第一发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

在一些实施例中，所述第一发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值；所述第三发光器件中第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第一发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，小于所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值；所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值，大于所述第三发光器件中第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

在一些实施例中，所述第一发光器件的体积总和；所述第二发光器件的体积总和；所述第三发光器件的体积总和；三者中的至少两者不相等。

在一些实施例中，所述第二发光器件的体积总和，大于所述第一发光器件的体积总和的一半。所述第三发光器件的体积总和，大于所述第一发光器件的体积总和的一半。

在一些实施例中，所述第一发光器件的数量、所述第二发光器件的数量和所述第三发光器件的数量均相等。所述第一发光器件的体积总和，大于或等于所述第二发光器件的体积总和。所述第一发光器件的体积总和，大于或等于所述第三发光器件的体积总和。

在一些实施例中，所述第二发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.6~1的范围内。所述第三发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.5~0.9的范围内。

在一些实施例中，所述第一发光器件的数量、所述第二发光器件的数量和所述第三发光器件的数量；三者中的至少两者不相等。所述第二发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.8~1.6的范围内；所述第三发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于1~2.3的范围内。

又一方面，提供一种发光器件。该发光器件包括沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极。所述至少两个发光单元包括第一发光单元、以及位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元。所述第一发光单元包括第一发光层、以及位于所述第一发光层和所述第一电极之间的第一有机层。所述第二发光单元包括第二发光层、以及位于所述第二发光层和所述第一电极之间的第三有机层；其中，所述第一有机层在所述第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸。

本公开提供的发光器件，发光器件的结构与上述显示面板中发光器件的结构基本相同。故而本公开提供的发光器件同样具有上述显示面板中发光器件的出光效率高的有益效果，在此不作赘述。

在一些实施例中，所述第一有机层包括多个第一有机薄膜；所述第三有机层包括多个第三有机薄膜。至少一个所述第三有机薄膜在所述第一方向上的尺寸，大于各个所述第一有机薄膜在所述第一方向上的尺寸。

在一些实施例中，发光器件还包括半导体层。半导体层，位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间。在所述第一方向上，所述半导体层与所述第一发光层之间的间隔距离，小于所述半导体层与所述第二发光层之间的间隔距离。

在一些实施例中，在所述第一方向上，所述半导体层与所述第一电极之间的间隔距离，小于所述半导体层与所述第二电极之间的间隔距离。

在一些实施例中，所述半导体层与所述第二电极之间的间隔距离，与所述半导体层与所述第一电极之间的间隔距离的比值，处于1.375~4。

在一些实施例中，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于15nm。

在一些实施例中，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于10nm。

在一些实施例中，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于5nm。

在一些实施例中，所述第二发光单元还包括第四有机层，所述第四有机层位于所述第二发光层与所述第二电极之间。在第一方向上，所述第四有机层的尺寸与所述第二发光层的尺寸之和，大于所述第一有机层的尺寸与所述第一发光层的尺寸和。

在一些实施例中，所述第一有机层中空穴的传输速率，大于所述第四有机层中电子的传输速率。

在一些实施例中，发光器件还包括第二有机薄膜。第二有机薄膜，位于所述第一发光层与所述第二发光单元之间。所述第二有机薄膜包括至少一种金属元素，且所述至少一种金属元素在所述第二有机薄膜的掺杂比例小于或等于8%。

在一些实施例中，发光器件还包括第四有机薄膜。第四有机薄膜，位于所述第二发光层与所述第二电极之间。所述第四有机薄膜中掺杂有至少一种与所述第二有机薄膜所包括的金属元素相同的金属元素。

在一些实施例中，所述第一发光层发出的光线的颜色，与所述第二发光层发出的光线的颜色相同。

在一些实施例中，所述第一发光层发出的光线的处于光谱峰值的波长范围，与所述第二发光层发出的光线的处于光谱峰值的波长范围之间的重合度大于90%。

又一方面，提供了一种显示面板的制作方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电极层。在所述第一电极层上依次形成第一有机层和第一发光层，所述第一发光层部分覆盖所述第一有机层。依次形成覆盖所述第一发光层的第三有机层和第二发光层，所述第二发光层部分覆盖所述第三有机层；其中，所述第一有机层在第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸。形成覆盖所述第二发光层的第二电极层。

在一些实施例中，所述在所述第一电极层上依次形成第一有机层和第一发光层，包括：利用开放式掩膜版，在所述第一电极层上形成第一有机层。利用高精度金属掩膜版，在所述第一有机层上形成第一发光层。

在一些实施例中，所述依次形成覆盖所述第一发光层的第三有机层和第二发光层，包括：利用所述开放式掩膜版，形成覆盖所述第一发光层的第三有机层。利用所述高精度金属掩膜版，在所述第三有机层上形成所述第二发光层。

本公开提供的显示面板的制作方法，用于制备上述显示面板。故而本公开提供的显示面板的制作方法所能实现的有益效果，至少包括与上述技术方案提供的显示面板相同的有益效果，在此不做赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的显示面板的立体图；

图2为根据一些实施例沿图1所示的A-A'线形成的截面图；

图3~图7为根据一些实施例的显示面板中子像素的排列结构图；

图8为根据一些实施例的显示面板的截面图；

图9为图2中FD1、FD2和FD3三个区域的放大图；

图10为图2中FD1、FD2和FD3三个区域的放大图；

图11为根据一些实施例沿图1所示的A-A'线形成的截面图；

图12为根据一些实施例的显示面板中不同发光开口的光谱曲线图；

图13为根据一些实施例的显示面板中不同发光开口的光谱曲线图；

图14为根据一些实施例的显示面板中不同发光开口的光谱曲线图；

图15为根据一些实施例的显示面板的制作方法的流程图；

图16为根据一些实施例的显示面板的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，使用了“电连接”的表达。例如，描述一些实施例时使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有电接触。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

如本文所使用的那样，“大致”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

随着OLED显示面板的迅速发展，Tandem OLED显示面板成为OLED显示技术的重要发展方向。

基于此，本公开的一些实施例提供一种显示面板及其制作方法、发光器件。以下分别进行介绍。

图1为根据一些实施例的显示面板的立体图。图2为根据图1所示实施例的显示面板沿着线A-A'的截面图。如图1所示，显示面板100包括用于显示图像的显示区AA和不显示图像的非显示区SA，非显示区SA围绕在显示区AA的至少一侧（例如，一侧；又如，四周，即包括上下两侧和左右两侧）。在一些示例中，非显示区SA可以封闭包围显示区AA，可以在至少一个方向上位于显示区AA的外侧。上述显示面板100在平面图中可以具有矩形形状，也可以具有圆形、椭圆、菱形、梯形、正方形或其他根据显示需要的形状。

上述显示面板100可以应用于显示装置。例如，显示装置可以为平板计算机、智能电话、头戴式显示器、汽车导航单元、照相机、在车辆中提供的中心信息显示器(CID)、手表型电子装置或其他穿戴设备、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机的中小型电子装置，以及诸如电视、外部广告牌、监控器、包含显示屏幕的家用电器、个人计算机和膝上型计算机的中大型电子装置。如上所述的电子装置可以代表用于应用显示装置的单纯示例，并且因此本领域普通技术人员可以认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，显示装置也可以是其他电子装置。

结合图1、图2和图8所示，本公开的一些实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括衬底SUB、发光器件层LDL、光取出层CPL和封装层TFE。

衬底SUB包括多个重复排列的像素单元区PU。每个像素单元区PU可以包括显示不同颜色的第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3。示例性地，第一子像素区P1被配置为显示红色光，第二子像素区P2被配置为显示绿色光，第三子像素区P3被配置为显示蓝色光。

另外，像素单元区PU还可以包括非发光区P4。非发光区P4可以位于第一子像素区P1与第二子像素区P2之间、第二子像素区P2和第三子像素区P3之间、以及第三子像素区P3和第一子像素区P1之间。

在一些示例中，如图3~图5所示，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3可以沿第二方向Y相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。

在一些示例中，如图6和图7所示，一个像素单元区PU中可以包括显示相同颜色的两个子像素区，显示相同颜色的两个子像素区可以相邻设置。例如，一个像素单元区PU内包括一个红色子像素区R、两个绿色子像素区G和一个蓝色子像素区B，其中，一个像素单元区PU内的两个绿色子像素区G可以相邻设置。

在一些示例中，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3可以沿第二方向Y相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。在此情况下，非发光区P4还可以位于两个第二子像素区P2之间。

如图2所示，在一个像素单元区PU内，在第二方向（平行于衬底SUB的方向）Y上，第一子像素区P1具有第一宽度WL1，第二子像素区P2具有第二宽度WL2，第三子像素区P3具有第三宽度WL3。其中，第一宽度WL1、第二宽度WL2和第三宽度WL3可以彼此不同。

如图8所示，显示面板100可以包括位于衬底基板SUB上的多个像素电路。在一个像素单元区PU中，可以包括第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3。例如，第一像素电路S1位于第一子像素区P1内，第二像素电路S2位于第二子像素区P2内，第三像素电路S3位于第三子像素区P3内。又例如，第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以位于非发光区P4内。

像素电路的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性地，像素电路可以包括：至少两个晶体管（用T表示）和至少一个电容器（用C表示）。例如，像素电路S可以具有“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。

第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以是包括多晶硅的薄膜晶体管或包括氧化物半导体的薄膜晶体管。例如，当薄膜晶体管为包括氧化物半导体的薄膜晶体管时，可以具有顶栅的薄膜晶体管结构。薄膜晶体管可以和信号线连接，所述信号线包括但不限于栅极线、数据线和电源线。

如图8所示，显示面板100可以包括绝缘层INL，可以位于第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3上。绝缘层INL可以具有平坦化的表面。绝缘层INL可以由有机层形成。例如，绝缘层INL可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂等。绝缘层INL可以具有通孔，暴露第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3的电极，以便实现电连接。

结合图2和图8所示，显示面板100可以包括位于衬底基板SUB上的发光器件层LDL和像素界定层PDL。像素界定层PDL可以在绝缘层INL上形成并限定出多个发光开口。例如像素界定层PDL包括位于第一子像素区P1的第一发光开口K1、位于第二子像素区P2的第二发光开口K2、以及位于第三子像素区P3的第三发光开口K3。发光器件层LDL形成有多个和像素电路S连接的发光器件，多个发光器件分别位于多个发光开口内。在一个像素单元区PU内，发光器件包括第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3。例如，第一发光器件LD1可以位于第一发光开口K1中，第二发光器件LD2可以位于第二发光开口K2中，并且第三发光器件LD3可以位于第三发光开口K3中。第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3可以沿第二方向Y相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。

发光器件可以包括沿第一方向（即垂直于衬底SUB的方向）X依次叠置的第一电极、至少两个发光单元200和第二电极CE。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第一电极为反射电极可以反射光线，例如阳极；第二电极CE为透射电极可以透出光线，例如阴极。这样，在阳极和阴极之间形成了微腔结构。

在另一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第一电极为透射电极可以透出光线，例如阳极；第二电极CE为反射电极可以反射光线，例如阴极。这样，在阳极和阴极之间形成了微腔结构。

如图8和图9所述，第一电极包括位于第一子像素区P1的第一电极AE1、位于第二子像素区P2的第一电极AE2和位于第三子像素区P3的第一电极AE3。

在一些实施例中，第一电极可以包括高功函数的材料，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属及其混合物材料制成，也可以由ITO、IZO或IGZO等透明导电氧化物材料制成。第一电极AE在第一方向X上的尺寸可以处于80nm~200nm的范围内。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第一电极可以包括透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物这样的叠层复合结构。其中，透明导电氧化物材料例如为ITO或IZO，金属材料例如为Au、Ag、Ni或Pt。例如阳极结构为：ITO/Ag/ITO。其中，金属在第一方向X上的尺寸可以处于80nm~100nm的范围内；透明导电氧化物在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~10nm的范围内。另外，第一电极对于可见光的平均反射率可以处于85%~95%的范围内。

在一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第一电极可以包括ITO、IZO或IGZO等透明导电氧化物。

在一些实施例中，第二电极CE可以包括金属材料或合金材料。其中，金属材料例如为Al、Ag或Mg，合金材料例如为Mg：Ag合金或Al：Li合金。示例性地，阴极包括Mg：Ag合金，其中，Mg元素与铝元素之间的比值可以处于3:7~1:9的范围内。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第二电极CE在第一方向X上的尺寸可以处于10nm~20nm的范围内。第二电极CE在对于波长为530nm的光的透光率可以大于或等于50 %，例如50%、55%、60%、65%等。

在另一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第二电极CE在第一方向上的尺寸可以大于或等于80nm，例如80nm、85nm、90nm、95nm等。这样，能够确保第二电极CE作为反射的电极对光有较好的反射率。

如图8和图9所述，第二电极CE包括位于第一子像素区P1的第二电极CE1、位于第二子像素区P2的第二电极CE2和位于第三子像素区P3的第二电极CE3。

第一电极AE和第二电极CE之间的至少两个发光单元200可以在第一方向X上叠置。第一电极和第二电极CE之间的发光单元200的数量可以是两个、也可以是三个，还可以是其他数量，此处不作限定。

如图2和图9所示，在一些示例中，第一电极和第二电极CE之间包括第一发光单元210和第二发光单元220，即第一电极和第二电极CE之间包括两个发光单元200。第一发光单元210可以与第一电极直接接触，第二发光单元220位于第一发光单元210与第二电极CE之间，第二发光单元220可以与第二电极CE直接接触。

第一发光单元210包括第一发光层（例如EL1-1/ EL2-1/ EL3-1）、第一有机层TL1和第二有机层TL2。第一有机层TL1位于第一发光层和第一电极AE之间，可以理解地，第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸可以大致等于第一电极AE和第一发光层EL1在第一方向上的间隔距离。第一有机层TL1被配置为从第一电极AE传输空穴至第一发光层。第二有机层TL2位于第一发光层与第二发光单元220之间，可以理解地，第二有机层TL2在第一方向X上的尺寸可以大致等于第一发光层与第二发光单元220在第一方向X上的间隔距离。第二有机层TL2被配置为传输电子至第一发光层。这样，空穴和电子在第一发光层复合，使得第一发光层发光。

在一些示例中，如图2所示，第一有机层TL1整层覆盖显示面板100的显示区AA，不同发光器件的第一发光单元210可以共用第一有机层TL1。示例性地，第一有机层TL1位于第一发光开口K1内的部位被配置为向第一发光开口K1内的第一发光层传输空穴；第一有机层TL1位于第二发光开口K2内的部位被配置为向第二发光开口K2内的第一发光层传输空穴；第一有机层TL1位于第三发光开口K3内的部位被配置为向第三发光开口K3内的第一发光层传输空穴。

在一些示例中，如图2所示，第二有机层TL2整层覆盖显示面板100的显示区AA，不同发光器件的第一发光单元210可以共用第二有机层TL2。示例性地，第二有机层TL2位于第一发光开口K1内的部位被配置为向第一发光开口K1内的第一发光层传输电子；第二有机层TL2位于第二发光开口K2内的部位被配置为向第二发光开口K2内的第一发光层传输电子；第二有机层TL2位于第三发光开口K3内的部位被配置为向第三发光开口K3内的第一发光层传输空穴。

第二发光单元220包括第二发光层（例如EL1-2/ EL2-2/ EL3-2）、第三有机层TL3和第四有机层TL4。第三有机层TL3位于第二发光层和第一发光单元210之间，可以理解地，第三有机层TL3在第一方向X上的尺寸可以大致等于第一发光单元210与第二发光层在第一方向X上的间隔距离。第三有机层TL3被配置为传输空穴至第二发光层。第四有机层TL4位于第二发光层与第二电极CE之间，可以理解地，第四有机层TL4在第一方向X上的尺寸可以大致等于第二发光层与第二电极CE在第一方向X上的间隔距离。第四有机层TL4被配置为从第二电极CE传输电子至第二发光层。这样，空穴和电子在第二发光层复合，使得第二发光层发光。

在一些示例中，如图2所示，第三有机层TL3整层覆盖显示面板100的显示区AA，不同发光器件的第二发光单元220可以共用第三有机层TL3。示例性地，第三有机层TL3位于第一发光开口K1内的部位被配置为向第一发光开口K1内的第二发光层传输空穴；第三有机层TL3位于第二发光开口K2内的部位被配置为向第二发光开口K2内的第二发光层传输空穴；第三有机层TL3位于第三发光开口K3内的部位被配置为向第三发光开口K3内的第二发光层传输空穴。

在一些示例中，如图2所示，第四有机层TL4整层覆盖显示面板100的显示区AA，不同发光器件的第二发光单元220可以共用第四有机层TL4。示例性地，第四有机层TL4位于第一发光开口K1内的部位被配置为向第一发光开口K1内的第二发光层传输电子；第四有机层TL4位于第二发光开口K2内的部位被配置为向第二发光开口K2内的第二发光层传输电子；第四有机层TL4位于第三发光开口K3内的部位被配置为向第三发光开口K3内的第二发光层传输空穴。

如图9所示，在一些实施例中，发光器件还包括位于相邻两个发光单元200之间的半导体层300。示例性地，半导体层300包括P型半导体层310和N型半导体层320。N型半导体层320可以直接与第一发光单元210直接接触，例如N型半导体层320与第二有机层TL2直接接触，将电子提供给第一发光单元210。P型半导体层310可以直接与第二发光单元220直接接触，例如P型半导体层310与第三有机层TL3直接接触，将空穴提供给第二发光单元220。

在一些示例中，上述第二有机层TL2被配置为传输半导体层300提供的电子至第一发光层，以使第一电极AE提供的空穴和半导体层300提供的电子在第一发光层复合发光。上述第三有机层TL3被配置为传输半导体层300提供的空穴至第二发光层，以使半导体层300提供的空穴和第二电极CE提供的电子在第二发光层复合发光。

半导体层300可以包括金属、非掺杂有机物、P型及N型掺杂构成的有机PN结或金属氧化物等，此处不作限定。

在一些实施例中，在同一发光器件内，第一发光层发出的光线的颜色与第二发光层发出的光线的颜色相同。需要说明的是，这里指的光线颜色相同可以是指人眼无法识别出光线颜色的差异。例如，第一发光层发出的光线的波长，与第二发光层发出的光线的波长之间的差值的绝对值可以小于等于10nm。例如10nm、8nm、5nm、3nm等。当然，第一发光层发出的光线的波长，与第二发光层发出的光线的波长之间的差值的绝对值还可以小于等于7nm，或者小于等于12nm。

可以理解地，同一发光器件内的两个发光单元200发出相同或相近的光线。这样，能够提高两个发光单元200光谱叠加的集中性，提高光线的色纯度、以及出光效率。

例如，发光器件为蓝色发光器件，蓝色发光器件内第一发光层发出的光线的波长为460nm，蓝色发光器件内第二发光层发出的光线的波长可以为450nm~470nm。这样，能够提高发光器件中波长相重合的波段对应光线的出光效率。

在一些实施例中，在同一发光器件内，第一发光层发出的光线处于光谱峰值的波长范围，与第二发光层发出的光线处于光谱峰值的波长范围之间的重合度大于90%。

可以理解地，同一发光器件内的两个发光单元200发出的两种光线，处于光谱峰值的波长相同或相近。这样，能够提高两个发光单元200光谱叠加的集中性，提高光线的色纯度、以及出光效率。

例如，发光器件为红色发光器件，红色发光器件内第一发光层发出的光线处于光谱峰值的波长范围为530nm~540nm，红色发光器件内第二发光层发出的光线处于光谱峰值的波长可以为529nm~539nm的范围内。这样，能够提高发光器件中波长相重合的波段对应光线的出光效率。

如图9所示，在一些示例中，第一有机层TL1可以包括多个第一有机薄膜。例如，多个第一有机薄膜可以包括第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1。第一空穴注入层HIL1位于第一电极AE与第一空穴传输层HTL1之间，第一空穴注入层HIL1被配置为将第一电极AE的空穴注入到第一空穴传输层HTL1。第一空穴传输层HTL1位于第一空穴注入层HIL1和第一发光层之间，第一空穴传输层HTL1被配置为将第一空穴注入层HIL1注入的空穴传输至第一发光层，使得空穴在第一发光层内与电子复合，实现第一发光层的发光。

在一些示例中，第一有机层TL1中空穴的传输速率，可以处于0.00001（10^-5）cm²/V·S~0.0001（10^-4）cm²/V·S的范围内。

如图9所示，在一些示例中，第一有机薄膜还可以包括第一激子阻挡层BL1。第一激子阻挡层BL1可以位于第一空穴传输层HTL1和第一发光层之间，第一激子阻挡层BL1被配置为阻挡第一发光层中的电子向靠近第一电极的方向运动。因此，第一激子阻挡层BL1也可以称为电子阻挡层EBL。

如图9所示，在一些示例中，第二有机层TL2可以包括第二有机薄膜。在一些示例中，第二有机薄膜可以包括第一电子传输层ETL1和/或第一电子注入层EIL1。

例如，第二传输层TL2仅包括第一电子传输层ETL1，第一电子传输层ETL1分别与第一发光层和N型半导体层320直接接触。第一电子传输层ETL1被配置为将N型半导体层320提供的电子传输至第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

又例如，第二传输层TL2仅包括第一电子注入层EIL1，第一电子注入层EIL1分别与第一发光层和N型半导体层320直接接触。第一电子注入层EIL1被配置为将N型半导体层320提供的电子注入到第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

以上两个例子能够减薄第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，便于第一发光层和第二发光层分别设置在发光器件形成为微腔结构中两个光线干涉最强的位置，从而提高每个发光器件的出光效率，进而提高显示面板整体的出光效率。

又例如，如图9所示，多个第二有机薄膜可以包括第一电子传输层ETL1和第一电子注入层EIL1。第一电子注入层EIL1位于第一电子传输层ETL1与半导体层300之间，第一电子注入层EIL1被配置为将N型半导体层提供的电子注入到第一电子传输层ETL1。第一电子传输层ETL1位于第一电子注入层EIL1与第二发光层之间，第一电子传输层ETL1被配置为将第一电子注入层EIL1注入的电子传输至第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第三有机层TL3可以包括多个第三有机薄膜。多个第三有机薄膜可以包括第二空穴注入层HIL2和第二空穴传输层HTL2。第二空穴注入层HIL2位于半导体层300与第二空穴传输层HTL2之间，第二空穴注入层HIL2被配置为将P型半导体层的空穴注入到第二空穴传输层HTL2。第二空穴传输层HTL2位于第二空穴注入层HIL2和第二发光层之间，第二空穴传输层HTL2被配置为将第二空穴注入层HIL2注入的空穴传输至第二发光层，使得空穴在第二发光层内与电子复合，实现第二发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第三有机薄膜还可以包括第二激子阻挡层BL2。第二激子阻挡层BL2可以位于第二空穴传输层HTL2和第二发光层之间，第二激子阻挡层BL2被配置为阻挡第二发光层中的电子向靠近第一电极的方向运动。因此，第二激子阻挡层BL2也可以称为电子阻挡层。

如图9所示，在一些示例中，第四有机层TL4可以包括多个第四有机薄膜。多个第四有机薄膜可以包括第二电子传输层ETL2和第二电子注入层EIL2。第二电子注入层EIL2位于第二电子传输层ETL2与第二电极之间，第二电子注入层EIL2被配置为将第二电极提供的电子注入到第二电子传输层ETL2。第二电子传输层ETL2位于第二电子注入层EIL2与第二发光层之间，第二电子传输层ETL2被配置为将第二电子注入层EIL2注入的电子传输至第二发光层，使得电子在第二发光层内与空穴复合，实现第二发光层的发光。

在一些示例中，第四有机层TL4中电子的传输速率，可以处于0.000001（10^-6）cm²/V·S~0.00001（10^-5）cm²/V·S的范围内。因此，第一有机层TL1中空穴的传输速率，可以大于第四有机层TL4中电子的传输速率。

如图9所示，在一些示例中，第四有机薄膜还可以包括第三激子阻挡层BL3。第三激子阻挡层BL3可以位于第二电子传输层ETL2和第二发光层之间，第三激子阻挡层BL3被配置为阻挡第二发光层中的空穴向靠近第二电极的方向运动。因此，第三激子阻挡层BL3也可以称为空穴阻挡层。

如图11所示，在一些示例中，在发光器件中，发光单元中的发光层可以包括发光子层FG和辅助子层FZ。辅助子层FZ位于发光子层FG靠近第一电极的一侧，辅助子层FZ被配置将靠近第一电极一侧提供的空穴传输至发光子层FG。不同发光器件中的辅助子层FZ相互独立，辅助子层FZ的面积可以等于发光子层FG的面积。

示例性地，辅助子层FZ在第一方向X上的尺寸，小于或等于发光层在第一方向X上的尺寸的三分之二。例如，辅助子层FZ在第一方向X上的尺寸，处于发光层在第一方向X上的尺寸的三分之一至三分之二之间。

另外，在同一发光器件中，第一发光单元的发光层可以包括辅助子层，第二发光单元的发光层可以不包括辅助子层。或者，在同一发光器件中，第二发光单元的发光层可以包括辅助子层，第一发光单元的发光层可以不包括辅助子层。即，可以理解为，辅助子层可以依据需求独立设置。

或者，如图11所示，第一发光单元的发光层和第二发光单元的发光层均包括辅助子层。在第一发光单元的发光层和第二发光单元的发光层均包括辅助子层的情况下，第一发光单元的辅助子层和第二发光单元的辅助子层可以选用相同的材料，并且在第一方向X上具有相同的尺寸。

在一些示例中，在第一发光器件LD1射出的光线的波长大于第二发光器件LD2射出的光线的波长的情况下，第一发光器件LD1中发光层的辅助子层FZ在第一方向X上的尺寸，可以大于第二发光器件LD2中发光层的辅助子层FZ在第一方向X上的尺寸。例如，红色发光器件中发光层的辅助子层在第一方向X上的尺寸，可以大于绿色发光器件中发光层的辅助子层在第一方向X上的尺寸。

需要说明的是，辅助子层FZ和空穴传输层（例如第一空穴传输层HTL1或第二空穴传输层HTL2）可以均包括空穴传输材料，但是具体选用的材料不同。辅助子层FZ的分子最高被占据轨道（Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO）大于空穴传输层的HOMO。

在一些示例中，如图11所示，在各个发光器件的第一发光单元210中的发光层均包括辅助子层FZ的情况下，第一有机层TL1可以不包括第一激子阻挡层BL1。

在一些示例中，第一空穴注入层HIL1和第二空穴注入层HIL2中的至少一者，可以包括酞菁铜CuPc、HATCN等空穴注入能力较强的材料，形成单层膜结构。在另一些示例中，第一空穴注入层HIL1和第二空穴注入层HIL2中的至少一者，可以包括P型掺杂空穴注入材料，P型掺杂材料，例如NPB: F4TCNQ，TAPC: MnO₃ 等。

在一些示例中，第一空穴注入层HIL1可以包括第一主体材料和第一掺杂材料，其中，第一掺杂材料与第一主体材料和第一掺杂材料整体之间的比例可以为3%。例如，第一主体材料可选用NPB（N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二(苯基)联苯胺），第一掺杂材料可以为P型掺杂材料，如F4TCNQ，

在一些示例中，第二空穴注入层HIL2可以包括第二主体材料和第二掺杂材料，其中，第二掺杂材料与第二主体材料和第二掺杂材料整体之间的比例可以为8%。第二主体材料可以与第一主体材料相同，第二掺杂材料可以与第二掺杂材料相同。

在一些示例中，第一空穴传输层HTL1和第二空穴传输层HTL2中的至少一者，可以包括空穴迁移率较高的咔唑类材料、或其他空穴迁移率较高的材料。第一空穴传输层HTL1和第二空穴传输层HTL2中的至少一者的功函数可以处于-5.2eV~-5.6eV的范围内。

在一些示例中，第一电子传输层ETL1和第二电子传输层ETL2中的至少一者，可以包括电子迁移率较高的三嗪类材料、或其他电子迁移率高的材料。第一电子传输层ETL1和第二电子传输层ETL2中的至少一者，在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~50nm的范围内。

在一些示例中，第二电子传输层ETL2可以包括第三主体材料和第三掺杂材料，其中，第三掺杂材料与第三主体材料和第三掺杂材料整体之间的比例可以为50%。例如，第三主体材料可以选用TPBI(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，第三掺杂材料可选用LiQ、LiF、Li、Yb等。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1可以包括至少一种金属元素。金属元素可以是Li锂、Yb镱、Cs铯、Ca钙等金属。第一电子注入层EIL1内的金属元素的功函数可以小于3.5eV。

例如，第一电子注入层EIL1仅包括锂元素。又例如，第一电子注入层EIL1既包括镱元素又包括铯元素。

在一些实施例中，第一电子注入层EIL1内金属元素的掺杂比例小于8%。可以理解地，第一电子注入层EIL1中金属元素的总体积，与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值小于或等于8%。例如8%、7.5%、7%、6.5%、6%、5.5%、5%、4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%或1%。

例如，第一电子注入层EIL1仅包括锂元素，锂元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值为7%。又例如，第一电子注入层EIL1既包括镱元素又包括铯元素，镱元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值为2.5%，铯元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值为4%，金属元素的总体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值为6.5%。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1和第二电子注入层EIL2中的至少一者，在第一方向上的尺寸可以处于0.5nm~20nm的范围内。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1可以包括第四主体材料和第四掺杂材料，其中，第四掺杂材料与第四主体材料和第四掺杂材料整体之间的比例可以为2%。第四主体材料可以与第三主体材料相同，第四掺杂材料可以与第三掺杂材料相同。

在一些示例中，第一激子阻挡层BL1、第二激子阻挡层BL2和第三激子阻挡层BL3中的至少一者，在第一方向上的尺寸可以处于2nm~15nm的范围内。

在一些示例中，第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者，包括至少一种与第一电子注入层EIL1所包括的金属元素相同的金属元素。

可以理解地，第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中包括的多种金属元素中的至少一种金属元素，与第一电子注入层EIL1所包括的多种金属元素中的至少一种金属元素相同。

例如，第二电子注入层EIL2和/或第二电子传输层ETL2包括锂元素，第一电子注入层EIL1包括锂元素和钙元素。又例如，第二电子注入层EIL2包括锂元素，第二电子传输层ETL2包括钙元素，第一电子注入层EIL1包括锂元素和钙元素。还例如，第二电子注入层EIL2包括AL铝元素，第二电子传输层ETL2包括钙元素，第一电子注入层EIL1包括钙元素和铯元素。

第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者，包括至少一种与第一电子注入层EIL1所包括的金属元素相同的金属元素，能够使得第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者具有与第一电子注入层EIL1相同或相近的功函数，从而提高发光器件内部对电子的注入和传输能力，降低发光器件的驱动电压。

如图10所示，在一些实施例中，第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸d4，小于第三有机层TL3在第一方向X上的尺寸d6。

在一些示例中，多个第一有机薄膜在第一方向X上的尺寸，与多个第三有机薄膜在第一方向X上的尺寸均相等；且第一有机薄膜的数量小于第三有机薄膜的数量。

在一些示例中，第一有机层TL1包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1和第一激子阻挡层BL1，第三有机层TL3包括第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二激子阻挡层BL2。其中，第二空穴注入层HIL2在第一方向X上的尺寸大于第一空穴注入层HIL1在第一方向X上的尺寸；且第二空穴传输层HTL2在第一方向X上的尺寸大于第一空穴传输层HTL1在第一方向X上的尺寸；且第二激子阻挡层BL2在第一方向X上的尺寸大于第一激子阻挡层BL1在第一方向X上的尺寸。

在一些示例中，至少一个第三有机薄膜在第一方向X上的尺寸，大于各个第一有机薄膜在第一方向X上的尺寸。

以第一有机层TL1包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1和第一激子阻挡层BL1，第三有机层TL3包括第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二激子阻挡层BL2为例：可以是第一空穴注入层HIL1在第一方向X上的尺寸、第一空穴传输层HTL1在第一方向X上的尺寸和第一激子阻挡层BL1在第一方向X上的尺寸，三者均小于某一第三有机薄膜（第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2或第二激子阻挡层BL2）在第一方向X上的尺寸。

本公开实施例提供的显示面板中，每个发光器件的第一发光单元中的第一有机层在第一方向上的尺寸，小于第二发光单元中的第三有机层在所述第一方向上的尺寸，能够使得第一发光层和第二发光层分别设置在发光器件形成为微腔结构中两个光线干涉最强的位置，从而提高每个发光器件的出光效率，进而提高显示面板整体的出光效率。

在一些实施例中，在第一方向X上，第一电极和第一发光层之间的间隔距离，与第二电极和第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于15nm。

示例性地，在第一电极和第一发光层之间仅包括第一有机层TL1，且第二电极和第二发光层之间仅包括第四有机层TL4的情况下，可以理解地，第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸d4，与第四有机层TL4在第一方向X上的尺寸d5之间的差值的绝对值小于15nm。

在此示例中，第一有机层TL1包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1和第一激子阻挡层BL1，第四有机层TL4包括第二电子注入层EIL2、第二电子传输层ETL2和第三激子阻挡层BL3。其中，第一空穴注入层HIL1在第一方向X上的尺寸、第一空穴传输层HTL1在第一方向X上的尺寸、以及第一激子阻挡层BL1在第一方向X上的尺寸之和，与第二电子注入层EIL2在第一方向X上的尺寸、第二电子传输层ETL2在第一方向X上的尺寸、以及第三激子阻挡层BL3在第一方向X上的尺寸之和，两者之间差值的绝对值小于15nm。

在一些示例中，可以是第一电极和第一发光层之间的间隔距离，大于所述第二电极和第二发光层之间的间隔距离。

在另一些示例中，可以是第一电极和第一发光层之间的间隔距离，小于第二电极和第二发光层之间的间隔距离。

示例性地，在第一发光层在第一方向X上的尺寸与第二发光层在第一方向X上的尺寸大致相等的情况下：在第一方向上，第四有机层TL4的尺寸与第二发光层的尺寸之和，大于第一有机层TL1的尺寸与第一发光层的尺寸和。

通过设计使得第一电极和第一发光层之间的间隔距离，与第二电极和第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于15nm，能够提高第一发光层和第二发光层光线射出的均一性，以提高第一发光单元210发出的光线与第二发光单元220发出的光线之间的匹配度，进而提高发光器件整体的出光效率，并且由于两个发光单元200的光谱匹配性高，随不同视角变化时，可以弱化面板色偏及亮度衰减的问题。

需要说明的是，第一电极和第一发光层之间的间隔距离，与第二电极和第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值越小，第一发光单元210发出的光线与第二发光单元220发出的光线之间的匹配度越高，因此第一电极和第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值可以处于0nm~15nm之间，例如0nm、2 nm、4 nm、5 nm、7 nm、10 nm、12 nm、14 nm或15 nm。

如图10所示，在一些实施例中，第一方向X上，半导体层300与第二电极CE之间的间隔距离，大于半导体层300与第一电极AE之间的间隔距离。

示例性地，在半导体层300与第二电极CE之间仅包括第二发光单元220且半导体层300与第一电极AE之间仅包括第一发光单元210的情况下，可以理解地，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，大于第一发光单元210在第一方向X上的尺寸。后续均以该示例为基础进行说明。

在一些示例中，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，可以是指第三有机层TL3在第一方向X上的尺寸、第二发光层在第一方向X上的尺寸和第四有机层TL4在第一方向X上的尺寸之和。例如，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，包括在第一方向X上，第二空穴注入层HIL2的尺寸、第二空穴传输层HTL2的尺寸、第二激子阻挡层BL2的尺寸、第二发光层的尺寸、第三激子阻挡层BL3的尺寸、第二电子传输层ETL2的尺寸和第二电子注入层EIL2的尺寸之和。

在一些示例中，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，可以是指第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸、第一发光层在第一方向X上的尺寸和第二有机层TL2在第一方向X上的尺寸之和。例如，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，包括在第一方向X上，第一空穴注入层HIL1的尺寸、第一空穴传输层HTL1的尺寸、第一激子阻挡层BL1的尺寸、第一发光层的尺寸、第一电子传输层ETL1的尺寸和第一电子注入层EIL1的尺寸之和。

例如，在第一发光开口K1内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d1-1。又例如，在第二发光开口K2内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d2-1。还例如，在第三发光开口K3内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光单元210在第一方向X上的光程距离，与发光器件在第一方向X上的光程距离的比值处于20%~40%之间。例如20%、23%、25%、27%、29%、30%、32%、34%、37%、38%或40%。

示例性地，第一发光单元210均为透光材料，因此第一发光单元210在第一方向X上的光程距离，可以是第一发光单元210在第一方向X上的尺寸。

示例性地，显示面板100为顶发射显示面板，发光器件中第一电极为不透光的反射电极，发光器件中第二电极为透光的透射电极，发光器件在第一方向X上的光程距离，可以是发光器件除第一电极之外的结构（例如第一发光单元、第二发光单元、第二电极）在第一方向X上的尺寸。

在一些示例中，第二发光单元220在第一方向X上的光程距离，与发光器件在第一方向X上的光程距离的比值处于55%~80%之间。例如55%、58%、59%、60%、61%、63%、66%、68%、70%、71%、75%或80%。

示例性地，第二发光单元220均为透光材料，因此第二发光单元220在第一方向X上的光程距离，可以是第二发光单元220在第一方向X上的尺寸。

发光器件在第一方向X上的光程距离，之前已经详细说明，此处不再赘述。

在发光器件中除第一发光单元210和第二发光单元220之外的结构在第一方向X上的尺寸忽略不计的情况下，例如，在第一发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的光程距离d1-1，与发光器件在第一方向X上的光程距离d1的比值为34%；在第一发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的光程距离d1-2，与发光器件在第一方向X上的光程距离d1的比值为66%。又例如，在第二发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的光程距离d2-1，与发光器件在第一方向X上的光程距离d2的比值为32%；在第二发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的光程距离d2-2，与发光器件在第一方向X上的光程距离d2的比值为68%。还例如，在第三发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的光程距离d3-1，与发光器件在第一方向X上的光程距离d3的比值为29%；在第三发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的光程距离d3-2，与发光器件在第一方向X上的光程距离d3的比值为71%。

需要说明的是，在第一发光单元210在第一方向X上的光程距离，与发光器件在第一方向X上的光程距离的比值处于40%；且，第二发光单元220在第一方向X上的光程距离，与发光器件在第一方向X上的光程距离的比值处于55%的情况下，发光器件在第一方向X上的光程距离中剩余的5%可以是由半导体层300、第二电极CE和光取出层CPL中的至少一者在第一方向X上的尺寸。

在一些示例中，半导体层与第一电极之间在第一方向X上的间隔距离，与发光器件在第一方向X上的尺寸的比值最小为20%；半导体层与第二电极之间在第一方向X上的间隔距离，与发光器件在第一方向X上的尺寸的比值最大为80%。即，在第一方向X上，半导体层与第二电极之间的间隔距离与半导体层与第一电极之间的间隔距离的比值为4。

在另一些示例中，半导体层与第一电极之间在第一方向X上的间隔距离，与发光器件在第一方向X上的尺寸的比值最大为40%；半导体层与第二电极之间在第一方向X上的间隔距离，与发光器件在第一方向X上的尺寸的比值最小为55%。即，在第一方向X上，半导体层与第二电极之间的间隔距离与半导体层与第一电极之间的间隔距离的比值为1.375。

结合上述两个示例，可以确定半导体层与第一电极之间在第一方向X上的间隔距离，与半导体层与第二电极之间在第一方向X上的间隔距离之间的比值，可以处于1.375~4的范围内。

在一些实施例中，第一发光器件LD1的出光面积；第二发光器件LD2的出光面积；第三发光器件LD3的出光面积；三者中的至少两者不相等。

在一些示例中，第一发光器件LD1的出光面积；第二发光器件LD2的出光面积；第三发光器件LD3的出光面积；两者相等且与剩余一者不相等。例如，第一发光器件LD1的出光面积等于第二发光器件LD2的出光面积，且不等于第三发光器件LD3的出光面积。又例如，第二发光器件LD2的出光面积等于第三发光器件LD3的出光面积，且不等于第一发光器件LD1的出光面积。

在一些示例中，第一发光器件LD1的出光面积；第二发光器件LD2的出光面积；第三发光器件LD3的出光面积；三者互不相等。

例如，第二发光器件LD2的出光面积大于第一发光器件LD1的出光面积，第一发光器件LD1的出光面积大于第三发光器件LD3的出光面积。

在一些实施例中，第一发光器件LD1的出光面积小于第二发光器件LD2的出光面积，第二发光器件LD2的出光面积小于第三发光器件LD3的出光面积。并且，第一发光器件LD1射出的光线的波长大于第二发光器件LD2射出的光线的波长，第二发光器件LD2射出的光线的波长大于第三发光器件LD3射出的光线的波长。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光器件LD1为红色发光器件，第二发光开口K2内的第二发光器件LD2为绿色发光器件，第三发光开口K3内的第三发光器件LD3为蓝色发光器件。第一发光器件LD1射出的光线的波长可以处于650nm~700nm的范围内，第二发光器件LD2射出的光线的波长可以处于510nm~540nm的范围内，第三发光器件LD3射出的光线的波长可以处于460nm~470nm的范围内。

由于蓝色发光材料的出光效率低于红色发光材料和绿色发光材料的出光效率，因此通过提高对应蓝色发光材料的第三发光器件LD3的开口面积，能够使第三发光开口K3射出更多的蓝色光，以平衡红色光和绿色光，提高显示面板的显示效果。另外，蓝色发光材料的稳定性差于红色发光材料的稳定性，在大电流密度下，蓝色发光材料的发光器件衰减较快。增大第三发光开口的开口面积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

如图10所示，在一些实施例中，第一发光器件LD1中的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1；第二发光器件LD2中的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-2；第三发光器件LD3中的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-3；三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光器件中第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程。

通过设计在第一方向X上的尺寸不同的光程，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，大于或小于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，等于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，等于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，大于或小于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，大于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，大于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板，第一电极为ITO/Ag/ITO。发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程，还可以包括ITO在第一方向X上的尺寸。由于发光开口均设置有第一电极，因此并不会改变不同发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程的大小关系。

本公开发明人经过创造性的劳动后发现，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大。因此本示例中能够便于第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2；三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光器件中第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线在第一发光单元210与第二电极之间的光程。

通过设计在第一方向X上的尺寸不同的光程，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于或小于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，等于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，等于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于或小于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大，因此本示例中能够便于第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，第三发光器件LD3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3，三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光器件中第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线对应的微腔结构在第一方向X上的尺寸。

通过在第一方向X上的尺寸不同的微腔结构，作用于不同波长的光线，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率的效果，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于或小于第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，等于第三发光器件LD3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，等于第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，大于或小于第三发光器件LD3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第三发光器件LD3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3，大于第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光器件LD2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，大于第三发光器件LD3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大，而微腔结构在第一方向X上的尺寸与光程正相关。因此本示例能够便于第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3射出的光线各自达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，由于不同发光器件中第一电极AE在第一方向X上的尺寸可以相同，另外不同发光器件可以共用阴极层CE。因此第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸、第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸，第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸，三者之间的关系可以与上述d1、d2和d3的关系相一致，此处不再赘述。

在一些实施例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值，三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，第一发光单元210与发光器件在第一方向X上的尺寸之间的比值越大，可以理解为发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程也越大。

通过不同发光器件内第一发光单元210在第一方向X上的尺寸与发光器件整体在第一方向X上的尺寸之间的比值不同的设计，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于或小于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，等于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，等于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于或小于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

例如，第一发光器件LD1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值为34%；第二发光器件LD2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值为32%；第三发光器件LD3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值为29%。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大。因此本示例中能够便于第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3内的光线均达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2和第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2和第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于或小于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，等于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，等于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，大于或小于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

在一些示例中，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值，小于第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值，小于第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸之间的比值。

例如，第一发光器件LD1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光器件LD1在第一方向X上的尺寸之间的比值为66%；第二发光器件LD2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光器件LD2在第一方向X上的尺寸之间的比值为68%；第三发光器件LD3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2与第三发光器件LD3在第一方向X上的尺寸d3之间的比值为71%。

本示例中能够便于第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3内的光线均达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

如图2所示，在一些实施例中，多个发光器件包括至少一个像素单元区PU。一个像素单元区PU包括对应不同颜色的第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3。

一个发光开口单元KU对应一个像素单元区PU，发光开口单元KU中发光开口的数量与像素单元区中子像素区的数量相等。一个发光开口单元KU中的多个发光开口一一对应一个像素单元区PU中的多个子像素区。

在一些实施例中，在一个像素单元区PU内，第一发光开口K1内的第一发光器件LD1的体积总和V1；第二发光开口K2内的第二发光器件LD2的体积总和V2；第三发光开口K3内的第三发光器件LD3的体积总和V3；三者中的至少两者不相等。

由于不同发光开口中发光器件的材料不同，而不同材料的稳定性又各不相同，例如材料对于电流和电压的耐受性、衰减趋势互不相同。通过在不同发光开口设计不同体积的发光器件，能够针对性的提高发光器件的稳定性，便于不同发光器件的稳定性达到最佳稳定性。

在一个像素单元区PU内，可以包括一个或多个第一发光器件LD1、一个或多个第二发光器件LD2、一个或多个第三发光器件LD3。

在一个像素单元区PU内包括一个第一发光器件LD1的情况下，第一发光器件LD1的体积总和V1是指该一个第一发光器件LD1的体积；在一个像素单元区PU内包括多个第一发光器件LD1的情况下，第一发光器件LD1的体积总和V1是指各个第一发光器件LD1的体积之和。

类似地， 第二发光器件LD2的体积总和、V2和第三发光器件LD3的体积总和具有相同的含义，此处不再赘述。

在一些示例中，第一发光器件LD1的体积总和V1，大于或小于第二发光器件LD2的体积总和V2；第二发光器件LD2的体积总和V2，等于第三发光器件LD3的体积总和V3。

在一些示例中，第一发光器件LD1的体积总和V1，等于第二发光器件LD2的体积总和V2；第二发光器件LD2的体积总和V2，大于或小于第三发光器件LD3的体积总和V3。

在一些示例中，第一发光器件LD1的体积总和V1，小于第二发光器件LD2的体积总和V2；第二发光器件LD2的体积总和V2，小于第三发光器件LD3的体积总和V3。

以第三发光器件LD3为例，第三发光器件LD3的稳定相对较弱，在大电流密度下，衰减较快。本示例中增大第三发光器件LD3的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善第三发光器件LD3的效率和寿命。

在一些实施例中，第二发光器件LD2的体积总和V2，大于第一发光器件LD1的体积总和V1的一半。即，第二发光器件LD2的体积总和V2与第一发光器件LD1的体积总和V1之间的比值，大于50%。例如，51%、55%、60%、70%、80%、90%、100%、110%、120%等。

在一些实施例中，第三发光器件LD3的体积总和V3，大于第一发光器件LD1的体积总和V1的一半。即，第三发光器件LD3的体积总和V3与第一发光器件LD1的体积总和V1之间的比值，大于50%。例如，51%、55%、60%、70%、80%、90%、100%、110%、120%等。

在一些实施例中，显示面板100中第一发光器件LD1的数量、第二发光器件LD2的数量和第三发光器件LD3的数量均相等。可以理解地，一个像素单元区PU内第一发光器件LD1的数量、第二发光器件LD2的数量和第三发光器件LD3的数量均相等。

在此情况下，第一发光器件LD1的体积总和V1，可以大于或等于第二发光器件LD2的体积总和V2；第一发光器件LD1的体积总和V1，可以大于或等于第三发光器件LD3的体积总和V3。

换而言之，第一发光器件LD1的体积总和V1，既不小于第二发光器件LD2的体积总和V2，也不小于第三发光器件LD3的体积总和V3。

在一些示例中，第二发光器件LD2的体积总和V2与第一发光器件LD1的体积总和V1的比值，处于0.6~1的范围内。例如0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95或1。

在一些示例中，第三发光器件LD3的体积总和V3与第一发光器件LD1的体积总和V1的比值，处于0.5~0.9的范围内。例如0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85或0.9。

在一些实施例中，显示面板100中第一发光器件LD1的数量、第二发光器件LD2的数量和第三发光器件LD3；三者中至少两者的数量不相等。可以理解地，一个像素单元区PU内第一发光器件LD1的数量、第二发光器件LD2的数量和第三发光器件LD3的数量，三者中的至少两者不相等。例如一个像素单元区PU包括一个第一发光器件LD1、两个第二发光器件LD2和一个第三发光器件LD3。

在一些示例中，第二发光器件LD2的体积总和V2与第一发光器件LD1的体积总和V1的比值，处于0.8~1.6的范围内。例如0.8、0.85、0.9、0.95、1、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45、1.5、1.55或1.6。

第二发光开口内的第二发光器件LD2的稳定性差于第一发光开口内的第一发光器件LD1的稳定性，在大电流密度下，第二发光开口内的第二发光器件LD2衰减较快。因此，需要增大第二发光开口内第二发光器件LD2的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

在一些示例中，第三发光器件LD3的体积总和V3与第一发光器件LD1的体积总和V1的比值，处于1~2.3的范围内。例如1、1.1、1.2、1.22、1.3、1.5、1.8、2、2.1或2.3。

第三发光器件LD3的稳定性差于第一发光器件LD1的稳定性，在大电流密度下，第三发光器件LD3衰减较快。因此，需要增大第三发光器件LD3的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

换而言之，第一发光器件LD1的体积总和V1，不大于第三发光器件LD3的体积总和V3。

如图2所示，光取出层CPL覆盖发光器件层LDL，例如光取出层CPL直接位于第二电极CE上。光取出层CPL可以提高发光器件层LDL的出光效率，光取出层CPL的折射率较大，吸光系数较小。

在一些示例中，光取出层CPL在第一方向X上的尺寸可以处于50nm~80nm的范围内。光取出层CPL在波长对于460nm的光的折射率可以大于或等于1.8。例如1.8、1.9、2.0、2.1等等，此处不作限定。

如图8所示，封装层TFE用于封装发光功能层LDL和光取出层CPL。在一些实施例中，封装层TFE可以包括堆叠设置的第一封装层ENL1、第二封装层ENL2和第三封装层ENL3。例如，第一封装层ENL1和第三封装层ENL3由无机材料制成，上述的无机材料选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂中的至少一种。又例如，第二封装层ENL2由有机材料制成，上述的有机材料为烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯，乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂中的至少一种。本领域技术人员可以根据需要改变薄膜封装层TFE的层数、材料和结构，本公开不限于此。

本公开提供4组方案进行对比，四组方案的参数详见表1。

表1

表1中的D11表示图10中的d1-1与d1的比值；D21表示图10中的d2-1与d2的比值；D31图10中的d3-1与d3的比值；D12表示图10中的d1-2与d1的比值；D22表示图10中的d2-2与d2的比值；D32图10中的d3-2与d3的比值；Δ1表示图10中第一发光开口内d4与d5差值的绝对值；Δ2表示图10中第二发光开口内d4与d5差值的绝对值；Δ3表示图10中第三发光开口内d4与d5差值的绝对值；V1表示第一发光开口内发光器件的体积；V2表示第二发光开口内发光器件的体积；V3表示第三发光开口内发光器件的体积。

表2为四组方案中第一发光开口内发光器件的驱动电压、效率和寿命。

表2

表3为四组方案中第二发光开口内发光器件的驱动电压、效率和寿命。

表3

表4为四组方案中第三发光开口内发光器件的驱动电压、效率和寿命。

表4

基于方案1~方案3，可以发现随着D11的上升或D12的下降，发光器件的电压变化、寿命变化均不明显，但是发光器件的效率呈下降的趋势。这是由于当发光器件内部电荷产生率不变的情况下，第一发光单元210的光程与第一发光单元210和第二发光单元220整体的光程之间的比例不同会导致不同的发光位置，进而会影响发光器件的出光效率。

另外，第一发光开口、第二发光开口和第三发光开口内发光器件的叠加光谱图如图12~图14所示。可以看出，D11越低，由于光程比例的差异，叠加光谱中呈现出双峰或副峰强度增加的趋势。方案3对应的曲线相较于其他方案对应的曲线而言，具有双峰或副峰的趋势更明显，从而会在不同视角下导致严重的色偏。

基于方案1和方案4，可以发现发光器件的电压变化不明显，但是第二发光开口和第三发光开口内发光器件的效率和寿命呈现明显的下降趋势。以第三发光开口内的发光器件为例，第三发光开口内的发光器件的稳定相对较弱，在大电流密度下，衰减较快。因此，需要增大第三发光开口的开口面积和/或第三发光开口内发光器件的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

综上所述，本公开实施例提供的显示面板，通过优化第一发光单元210或第二发光单元220与第一发光单元210和第二发光单元220整体的光程比例，以及各发光开口内发光器件的体积，能够改善发光器件的效率和寿命，进而改善显示面板的效率和寿命。

请参阅图15，本公开的一些实施例提供一种显示面板的制作方法。制作方法包括：步骤S310~S340。

步骤S310：在衬底上形成第一电极层。

在步骤S310之前，还可以包括提供一衬底基板SUB。衬底基板SUB的材料例如可以是聚对苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺（Polyimide，简称PI）、环烯烃聚合物（Cyclo Olefin Polymer，简称COP）等。

衬底基板SUB可以包括第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3。第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3的具体介绍在之前已经详细说明，此处不作赘述。

在衬底基板SUB上形成像素电路层。像素电路层包括多个像素电路S。多个像素电路S的具体介绍在之前已经详细说明，此处不作赘述。

在形成多个像素电路S之后，形成覆盖多个像素电路的绝缘层INL。

在一些示例中，第一电极可以在绝缘层INL上，通过一次构图工艺形成。第一电极可以由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属及其混合物材料制成，也可以由ITO、IZO或IGZO等有导电性的金属氧化物材料制成。

在一些示例中，第一电极层可以包括透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物这样的叠层复合结构。其中，透明导电氧化物材料例如为ITO或IZO，金属材料例如为Au、Ag、Ni或Pt。例如阳极结构为：ITO/Ag/ITO。

第一电极层可以包括第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3。第一阳极AE1位于第一子像素区P1内，第二阳极AE2位于第二子像素区P2内，第三阳极AE3位于第三子像素区P3内。

在步骤S310之后，还可以包括：在第一电极层上形成像素界定层，像素界定层开设有多个发光开口，发光开口暴露第一电极。

像素界定层PDL可以在绝缘层INL和第一电极层上形成。例如，利用沉积工艺形成一层覆盖绝缘层INL和第一电极层的像素界定材料层，并通过刻蚀工艺去除部分像素界定材料层，得到像素界定层PDL。像素界定层PDL包括位于第一子像素区P1的第一发光开口K1、位于第二子像素区P2的第二发光开口K2、以及位于第三子像素区P3的第三发光开口K3。

第一发光开口K1暴露第一阳极AE1，第二发光开口K2暴露第二阳极AE2，第三发光开口K3暴露第三阳极AE3。

步骤S320：在第一电极层上依次形成第一有机层TL1和第一发光层，第一发光层部分覆盖第一有机层TL1。

在一些示例中，第一发光单元210包括第一有机层TL1、第一发光层和第二有机层TL2。步骤S320可以包括：

形成覆盖第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3的第一有机层TL1。其中，第一有机层TL1还可以覆盖像素界定层PDL，且覆盖像素界定层PDL的部分与覆盖发光开口的部分构成连续的薄膜。

在所述第一有机层TL1上形成位于第一发光开口K1的第一发光层、位于第二发光开口K2的第一发光层和位于第三发光开口K3的第一发光层。相邻两个发光开口内的第一发光层相互独立。

形成覆盖第一发光开口K1内第一发光层、第二发光开口K2内第一发光层和第三发光开口K3内第一发光层的第二有机层TL2。其中，第二有机层TL2还可以覆盖像素界定层PDL，且覆盖像素界定层PDL的部分与覆盖发光开口的部分构成连续的薄膜。

在一些示例中，在步骤S320之后，还可以包括：形成半导体层300。半导体层300可以覆盖第一发光开口K1、第二发光开口K2、第三发光开口K3以及像素界定层PDL。即，半导体层300覆盖第二有机层TL2。

步骤S330：依次形成覆盖第一发光层的第三有机层TL3和第二发光层，第二发光层部分覆盖第三有机层。

在一些示例中，第二发光单元220包括第三有机层TL3、第二发光层和第四有机层TL4。步骤S330可以包括：

形成覆盖半导体层300的第三有机层TL3。其中，第三有机层TL3可以覆盖第一发光开口K1、第二发光开口K2、第三发光开口K3以及像素界定层PDL，且覆盖像素界定层PDL的部分与覆盖发光开口的部分构成连续的薄膜。

在所述第三有机层TL3上形成位于第一发光开口K1的第二发光层、位于第二发光开口K2的第二发光层和位于第三发光开口K3的第二发光层。相邻两个发光开口内的第二发光层相互独立。

在一些示例中，第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸，小于第三有机层TL3在第一方向X上的尺寸。

形成覆盖第一发光开口K1内第二发光层、第二发光开口K2内第二发光层和第三发光开口K3内第二发光层的第四有机层TL4。其中，第四有机层TL4还可以覆盖像素界定层PDL，且覆盖像素界定层PDL的部分与覆盖发光开口的部分构成连续的薄膜。

在一些示例中，第一有机层TL1在第一方向上的尺寸，与第四有机层TL4在第一方向上的尺寸之间的差值的绝对值可以处于0nm~15nm之间，例如0nm、2 nm、4 nm、5 nm、7 nm、10 nm、12 nm、14 nm或15 nm。

需要说明的是，在上述显示面板形成发光层的过程中，不同颜色的发光层可以分批次形成。例如，先形成蓝色的发光层，再形成绿色的发光层，最后形成红色的发光层。又例如，先形成蓝色的发光层，再形成红色的发光层，最后形成绿色的发光层。

步骤S340：形成覆盖第二发光层的第二电极层。

形成覆盖第四有机层TL4的第二电极层。其中，第二电极可以覆盖第一发光开口K1、第二发光开口K2、第三发光开口K3以及像素界定层PDL，且覆盖像素界定层PDL的部分与覆盖发光开口的部分构成连续的薄膜。

第二电极层CE可以具有半透射或透射性质。在一些实施例中，第二电极层CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物。

在一些示例中，在步骤S340之后，还可以包括在第二电极远离衬底基板SUB的一侧，形成光取出层CPL。

通过本实施例提供的显示面板的制作方法，制备得到的显示面板中第一有机层TL1在第一方向X上的尺寸，小于第三有机层TL3在第一方向X上的尺寸。这样能够使得第一发光层和第二发光层分别设置在发光器件形成为微腔结构中两个光线干涉最强的位置，从而提高每个发光器件的出光效率，进而提高显示面板整体的出光效率。

在一些实施例中，如图16所示，步骤S320包括：步骤S321~步骤S322。

步骤S321：利用开放式掩膜版，在第一电极层上形成第一有机层TL1。

可以利用开放式掩膜版（OPEN MASK）进行蒸镀，形成覆盖像素界定层PDL、以及各发光开口内的第一电极的第一有机层TL1。

在一些示例中，第一有机层TL1包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1和第一激子阻挡层BL1。

步骤S321可以包括：

利用开放式掩膜版，在像素界定层PDL和各发光开口内的第一电极上蒸镀空穴注入材料，形成第一空穴注入层HIL1。其中，第一空穴注入层HIL1在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~20nm之间。第一空穴注入层HIL1中P型硅的掺杂浓度可以处于0.5%~10%的范围内。

利用开放式掩膜版，在第一空穴注入层HIL1上蒸镀空穴传输材料，形成第一空穴传输层HTL1。空穴传输材料可以选用空穴迁移率较高的咔唑类材料，空穴传输材料的分子最高被占据轨道（Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO）能级需在-5.2eV~-5.6eV之间。

利用开放式掩膜版，在第一空穴传输层HTL1上蒸镀第一激子阻挡材料，形成第一激子阻挡层BL1。第一激子阻挡层BL1被配置为传输空穴，并阻挡后续形成的第一发光层内的电子向第一电极的一侧扩散。第一激子阻挡层BL1又可以称为电子阻挡层。

步骤S322：利用高精度金属掩膜版，在第一有机层TL1上形成第一发光层。

在一些示例中，利用高精度金属掩膜版（Fine Metal Mask，FMM）在不同发光开口的第一激子阻挡层BL1上分别蒸镀不同颜色的第一发光材料，形成第一发光层。例如：首先，在第三发光开口K3内的第一激子阻挡层BL1上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第一蓝色发光材料，形成位于第三发光开口K3的第一发光层；之后，在第二发光开口K2内的第一激子阻挡层BL1上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第一绿色发光材料，形成位于第二发光开口K2的第一发光层；之后，在第一发光开口K1内的第一激子阻挡层BL1上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第一红色发光材料，形成位于第一发光开口K1的第一发光层。

在一些示例中，第一发光层还包括辅助子层。因此，在利用FMM蒸镀第一发光材料之前，还可以利用FMM蒸镀空穴传输材料，形成辅助子层。之后，利用FMM蒸镀的第一发光材料直接形成于辅助子层上。这样，能够增加第一发光层的空穴传输性能，提高第一发光层的发光效率。

在一些示例中，步骤S322之后还可以包括：利用高精度金属掩膜版形成覆盖第一发光层的第二有机层TL2。

第二有机层TL2包括第一电子传输层ETL1和第一电子注入层EIL1。利用高精度金属掩膜版形成覆盖第一发光层的第二有机层TL2，可以包括：

利用开放式掩膜版，在第一激子阻挡层BL1和各发光开口内的第一发光层上蒸镀电子传输材料，形成第一电子传输层ETL1。其中，电子传输材料可以选用电子迁移率较高的三嗪类材料。第一电子传输层ETL1在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~50nm之间。

利用开放式掩膜版，在第一电子传输层ETL1上蒸镀电子注入材料，形成第一电子注入层EIL1。其中，第一电子注入层EIL1在第一方向X上的尺寸可以处于0.5nm~20nm之间。

本实施例中，利用开放式掩膜版能够得到连通并覆盖各个发光开口的公共层，例如第一有机层TL1和第二有机层TL2；利用高精度金属掩膜版能够在各个发光开口内形成第一发光层，从而提高第一发光层的位置精度，同时提高显示面板的制作效率。

如图16所示，在一些实施例中，步骤S330包括：步骤S331~步骤S332。

步骤S331：利用开放式掩膜版，形成覆盖第一发光层的第三有机层TL3。

在一些示例中，第三有机层TL3包括第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二激子阻挡层BL2。步骤S331中形成第三有机层TL3，可以包括：

利用开放式掩膜版，在第一电子注入层EIL1上蒸镀空穴注入材料，形成第二空穴注入层HIL2。第二空穴注入层HIL2可以与第一空穴注入层HIL1具有相同的结构特点，此处不作赘述。

利用开放式掩膜版，在第二空穴注入层HIL2上蒸镀空穴传输材料，形成第二空穴传输层HTL2。第二空穴传输层HTL2可以与第一空穴传输层HTL1具有相同的结构特点，此处不作赘述。

利用开放式掩膜版，在第二空穴传输层HTL2上蒸镀第二激子阻挡材料，形成第二激子阻挡层BL2。第二激子阻挡层BL2被配置为传输空穴，并阻挡后续形成的第二发光层内的电子向第一电极的一侧扩散。第二激子阻挡层BL2又可以称为电子阻挡层。

步骤S332：利用高精度金属掩膜版，在第三有机层TL3上形成第二发光层。

在一些示例中，利用高精度金属掩膜版在不同发光开口的第二激子阻挡层BL2上分别蒸镀不同颜色的第二发光材料，形成第二发光层。例如：首先，在第三发光开口K3内的第二激子阻挡层BL2上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第二蓝色发光材料，形成位于第三发光开口K3的第二发光层；之后，在第二发光开口K2内的第二激子阻挡层BL2上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第二绿色发光材料，形成位于第二发光开口K2的第二发光层；之后，在第一发光开口K1内的第二激子阻挡层BL2上，利用高精度金属掩膜版蒸镀第二红色发光材料，形成位于第一发光开口K1的第二发光层。

其中，第一红色发光材料和第二红色发光材料可以是相同的材料，也可以是不同的材料；类似地，第一绿色发光材料和第二绿色发光材料可以是相同的材料，也可以是不同的材料；类似地，第一蓝色发光材料和第二蓝色发光材料可以是相同的材料，也可以是不同的材料；此处不作限定。

在一些示例中，第二发光层还包括辅助子层。因此，在利用FMM蒸镀第二发光材料之前，还可以利用FMM蒸镀空穴传输材料，形成辅助子层。之后，利用FMM蒸镀的第二发光材料直接形成于辅助子层上。这样，能够增加第二发光层的空穴传输性能，提高第一发光层的发光效率。

在一些示例中，在步骤S332之后还可以包括：利用开放式掩膜版形成覆盖第二发光层的第四有机层TL4。

在一些示例中，第四有机层TL4包括第三激子阻挡层BL3、第二电子传输层ETL2和第二电子注入层EIL2。

利用开放式掩膜版形成覆盖第二发光层的第四有机层TL4，可以包括：

利用开放式掩膜版，在第二激子阻挡层BL2和各发光开口内的第二发光层上蒸镀第三激子阻挡材料，形成第三激子阻挡层BL3。第三激子阻挡层BL3被配置为传输电子，并阻挡后续形成的第二发光层内的空穴向第二电极的一侧扩散。第三激子阻挡层BL3又可以称为空穴阻挡层。

利用开放式掩膜版，在第三激子阻挡层BL3上蒸镀电子传输材料，形成第二电子传输层ETL2。第二电子传输层ETL2可以与第一电子传输层ETL1具有相同的结构特点，此处不作赘述。

利用开放式掩膜版，在第二电子传输层ETL2上蒸镀电子注入材料，形成第二电子注入层EIL2。第二电子注入层EIL2可以与第一电子注入层EIL1具有相同的结构特点，此处不作赘述。

本实施例中，利用开放式掩膜版能够得到连通覆盖各个发光开口的公共层，例如第三有机层TL3和第四有机层TL4；利用高精度金属掩膜版能够在各个发光开口内形成第二发光层，从而提高第二发光层的位置精度，同时提高显示面板的制作效率。

综上所述，本公开的一些实施例提供的发光器件、显示面板及其制作方法，每个发光器件的第一发光单元中的第一有机层在第一方向上的尺寸，小于第二发光单元中的第三有机层在所述第一方向上的尺寸，能够使得第一发光层和第二发光层分别设置在发光器件形成为微腔结构中两个光线干涉最强的位置，从而提高每个发光器件的出光效率，进而提高显示面板整体的出光效率。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (29)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

沿第二方向重复排布的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；每个发光器件包括自远离衬底方向依次设置的第一发光单元和第二发光单元；

所述显示面板包括自远离衬底方向依次设置的第一电极层、第一有机层、第一发光层、第三有机层、第二发光层和第二电极层；

不同发光器件的第一发光单元至少共用所述第一有机层；不同发光器件的第二发光单元至少共用所述第三有机层；其中，所述第一有机层在第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向与所述第二方向相交叉；

在同一发光器件中，所述第一发光层发出的光线的颜色，与所述第二发光层发出的光线的颜色相同；

还包括半导体层，位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间；

所述半导体层与所述第二电极层之间的间隔距离，与所述半导体层与所述第一电极层之间的间隔距离的比值，处于1.375~4。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件的出光面积；所述第二发光器件的出光面积；所述第三发光器件的出光面积；三者中的至少两者不相等。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第二发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长；

所述第一发光器件的出光面积小于所述第二发光器件的出光面积，所述第二发光器件的出光面积小于所述第三发光器件的出光面积。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸；所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸；所述第三发光器件在所述第一方向上的尺寸；三者中的至少两者不相等。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第二发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长；

所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸大于所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸，所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸大于所述第三发光器件在所述第一方向上的尺寸。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件射出的光线的波长大于所述第二发光器件射出的光线的波长，所述第二发光器件射出的光线的波长大于所述第三发光器件射出的光线的波长；

所述第一发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第二发光单元在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，大于所述第三发光器件中第一发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值；所述第三发光器件中第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第一发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值，小于所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值；所述第二发光器件中的第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与所述第二发光器件在所述第一方向上的尺寸的之间的比值，大于所述第三发光器件中第二发光单元在所述第一方向上的尺寸与第三发光器件在所述第一方向上的尺寸之间的比值。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件的体积总和；所述第二发光器件的体积总和；所述第三发光器件的体积总和；三者中的至少两者不相等。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二发光器件的体积总和，大于所述第一发光器件的体积总和的一半；

所述第三发光器件的体积总和，大于所述第一发光器件的体积总和的一半。

14.根据权利要求12或13所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件的数量、所述第二发光器件的数量和所述第三发光器件的数量均相等；

所述第一发光器件的体积总和，大于或等于所述第二发光器件的体积总和；

所述第一发光器件的体积总和，大于或等于所述第三发光器件的体积总和。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第二发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.6~1的范围内；所述第三发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.5~0.9的范围内。

16.根据权利要求12或13所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件的数量、所述第二发光器件的数量和所述第三发光器件的数量；三者中的至少两者不相等；

所述第二发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于0.8~1.6的范围内；所述第三发光器件的体积总和与所述第一发光器件的体积总和的比值，处于1~2.3的范围内。

17.一种发光器件，其特征在于，包括：

沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极；

所述至少两个发光单元包括第一发光单元、以及位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元；

所述第一发光单元包括第一发光层、以及位于所述第一发光层和所述第一电极之间的第一有机层；

所述第二发光单元包括第二发光层、以及位于所述第二发光层和所述第一电极之间的第三有机层；其中，所述第一有机层在所述第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸；所述第一发光层发出的光线的颜色，与所述第二发光层发出的光线的颜色相同；

还包括半导体层，位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间；

所述半导体层与所述第二电极层之间的间隔距离，与所述半导体层与所述第一电极层之间的间隔距离的比值，处于1.375~4。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述第一有机层包括多个第一有机薄膜；所述第三有机层包括多个第三有机薄膜；

至少一个所述第三有机薄膜在所述第一方向上的尺寸，大于各个所述第一有机薄膜在所述第一方向上的尺寸。

19.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，还包括：

在所述第一方向上，所述半导体层与所述第一发光层之间的间隔距离，小于所述半导体层与所述第二发光层之间的间隔距离。

20.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于15nm。

21.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于10nm。

22.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一电极和所述第一发光层之间的间隔距离，与所述第二电极和所述第二发光层之间的间隔距离，之间差值的绝对值小于5nm。

23.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光单元还包括第四有机层，所述第四有机层位于所述第二发光层与所述第二电极之间；

在第一方向上，所述第四有机层的尺寸与所述第二发光层的尺寸之和，大于所述第一有机层的尺寸与所述第一发光层的尺寸和。

24.根据权利要求23所述的发光器件，其特征在于，所述第一有机层中空穴的传输速率，大于所述第四有机层中电子的传输速率。

25.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，还包括：

第二有机薄膜，位于所述第一发光层与所述第二发光单元之间；

所述第二有机薄膜包括至少一种金属元素，且所述至少一种金属元素在所述第二有机薄膜的掺杂比例小于或等于8%。

26.根据权利要求25所述的发光器件，其特征在于，还包括：

第四有机薄膜，位于所述第二发光层与所述第二电极之间；

所述第四有机薄膜中掺杂有至少一种与所述第二有机薄膜所包括的金属元素相同的金属元素。

27.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光层发出的光线的处于光谱峰值的波长范围，与所述第二发光层发出的光线的处于光谱峰值的波长范围之间的重合度大于90%。

28.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上依次形成第一有机层和第一发光层，所述第一发光层部分覆盖所述第一有机层；

形成覆盖所述第一有机层的半导体层；

依次形成覆盖所述第一发光层的第三有机层和第二发光层，所述第二发光层部分覆盖所述第三有机层；其中，所述第一有机层在第一方向上的尺寸，小于所述第三有机层在所述第一方向上的尺寸；所述第一发光层发出的光线的颜色，与所述第二发光层发出的光线的颜色相同；

形成覆盖所述第二发光层的第二电极层；所述半导体层与所述第二电极层之间的间隔距离，与所述半导体层与所述第一电极层之间的间隔距离的比值，处于1.375~4。

29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上依次形成第一有机层和第一发光层，包括：

利用开放式掩膜版，在所述第一电极层上形成第一有机层；

利用高精度金属掩膜版，在所述第一有机层上形成第一发光层；

和/或，

所述依次形成覆盖所述第一发光层的第三有机层和第二发光层，包括：

利用所述开放式掩膜版，形成覆盖所述第一发光层的第三有机层；

利用所述高精度金属掩膜版，在所述第三有机层上形成所述第二发光层。

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