CN114864852B - 发光器件和显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开一种发光器件和显示面板，涉及显示技术领域，用于解决发光器件出光效率较低的问题。其中，发光器件沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极。所述至少两个发光单元包括第一发光单元、位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元、以及位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的电荷产生层。所述第一发光单元包括第一发光层，所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层，共同包括至少三种金属。本公开提供的发光器件和显示面板，可以降低发光器件的驱动电压。

Description

发光器件和显示面板

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示面板。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)因具有自发光、亮度高、对比度高、响应速度快、视角宽、结构简单以及柔性显示等诸多优点，受到企业和高校的重视，并获得飞速地发展。

由此，串联式有机电致发光器件(Tandem OLED)在OLED的发展中应运而生。TandemOLED具备高亮度的优点。然而，相关技术中的Tandem OLED存在驱动电压较大的问题。

发明内容

本公开一些实施例的目的在于提供一种发光器件和显示面板，用于降低TandemOLED的驱动电压。

为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供了一种发光器件。该发光器件包括沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极。所述至少两个发光单元包括第一发光单元、位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元、以及位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的电荷产生层。所述第一发光单元包括第一发光层，所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层，共同包括至少三种金属。

本公开实施例提供的发光器件中，通过在所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层中配置至少三种金属，能够增加发光器件内部不同金属功函数之间的配合关系，提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

在一些实施例中，所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层中，至少有三个膜层包括金属。

在一些实施例中，所述至少有三个膜层包括自所述第一电极至所述第二电极的方向依次排布的第一膜层、第二膜层和第三膜层。所述第三膜层中金属的功函数的绝对值，大于所述第二膜层中金属的功函数的绝对值；所述第三膜层中金属的功函数的绝对值，大于所述第一膜层中金属的功函数的绝对值。

在一些实施例中，所述至少三种金属包括第一类型金属和第二类型金属。所述第一类型金属的功函数小于-3.5 eV，所述第二类型金属的功函数大于 -3.5 eV。

在一些实施例中，所述第一类型金属的功函数处于-5.2eV~-3.5 eV 的范围内。

在一些实施例中，所述第二发光单元包括第二发光层。所述发光器件中，位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧包括至少一种所述第二类型金属，位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧包括至少一种所述第一类型金属和至少一种所述第二类型金属。

在一些实施例中，所述第一膜层位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧；所述第二膜层和所述第三膜层位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧。

在一些实施例中，所述第二膜层和所述第三膜层相邻设置。

在一些实施例中，具有所述第一类型金属的膜层，共包括至少两种金属 。

在一些实施例中，所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的至少两个膜层包括同一种金属。

在一些实施例中，所述电荷产生层包括第一电荷产生子层和第二电荷产生子层。所述第一电荷产生子层位于所述第一发光单元与所述第二电荷产生子层之间。所述第一电荷产生子层包括至少一种所述第二类型金属。

在一些实施例中，所述第一电荷产生子层中，所述第二类型金属的体积在所述第一电荷产生子层的体积中的比例，小于或等于1%。

在一些实施例中，所述第二电极包括两种所述第一类型金属。其中，两种所述第一类型金属之间的体积比为100:1~1:100。

在一些实施例中，在所述发光器件中，所述第一类型金属的体积总和与所述第二类型金属的体积总和之间的比例，小于或等于20:1。

在一些实施例中，在所述发光器件中，所述第二类型金属的体积总和，与所述第一类型金属和所述第二类型金属整体体积之间的比例，大于或等于5%。

在一些实施例中，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层中的至少一层，包括主体材料、以及包含金属的掺杂材料；所述掺杂材料掺杂在所述主体材料内。

在一些实施例中，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层中的至少一层，包括第一子层、以及位于所述第一子层一侧的第二子层；所述第一子层和/或所述第二子层包括金属。

在一些实施例中，所述至少三种金属中至少一种金属为非碱土金属且非碱金属。

在一些实施例中，所述至少三种金属中非碱土金属且非碱金属的金属的体积，与所述至少三种金属的体积之间的比例，大于或等于5%。

又一方面，提供一种显示面板，包括像素界定层和发光器件。像素界定层开设有多个发光开口。发光器件为如上任一实施例所述的发光器件，位于所述多个发光开口内。

本公开提供的显示面板，包括上述发光器件。故而本公开提供的显示面板所能实现的有益效果，至少包括与上述技术方案提供的发光器件相同的有益效果，在此不作赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的显示面板的立体图；

图2为根据图1所示实施例的显示面板沿着线A-A'的截面图；

图3~图7为根据一些实施例的显示面板中子像素的排列结构图；

图8为根据一些实施例的显示面板的截面图；

图9为图2中FD1、FD2和FD3三个区域在一些实施例中的放大图；

图10为图2中FD1、FD2和FD3三个区域在一些实施例中的放大图；

图11为图2中FD1、FD2和FD3三个区域在一些实施例中的放大图；

图12为根据一些实施例的显示面板中发光器件的结构图；

图13为图8中FD1、FD2和FD3三个区域在一些实施例中的放大图；

图14为根据一些实施例的显示面板在不同方案中第二电极在不同驱动电压下的电流密度曲线图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，使用了“电连接”的表达。例如，描述一些实施例时使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有电接触。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

如本文所使用的那样，“大致”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文中“C与D之间的比例”，可以是指C的体积与D的体积之间的比例。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

随着OLED显示面板的迅速发展，Tandem OLED显示面板成为OLED显示技术的重要发展方向。Tandem OLED是由两层以上的发光单元叠加而成，在两层发光单元间引入电荷产生层，从而达到上下两层发光单元同时发光的效果，因而具有亮度高的优势。

然而，经本公开发明人研究发现，由于Tandem OLED的叠层结构厚度较厚，有机层对电荷的传输能力有限，电子的注入和传输在一定程度上受限，因此导致发光器件整体的驱动电压偏高的问题。

基于此，本公开的一些实施例提供一种发光器件和显示面板，以下分别进行介绍。

图1为根据一些实施例的显示面板的立体图。图2为根据图1所示实施例的显示面板沿着线A-A'的截面图。如图1所示，显示面板100包括用于显示图像的显示区AA和不显示图像的非显示区SA，非显示区SA围绕在显示区AA的至少一侧（例如，一侧；又如，四周，即包括上下两侧和左右两侧）。在一些示例中，非显示区SA可以封闭包围显示区AA，可以在至少一个方向上位于显示区AA的外侧。上述显示面板100在平面图中可以具有矩形形状，也可以具有圆形、椭圆、菱形、梯形、正方形或其他根据显示需要的形状。

上述显示面板100可以应用于显示装置。例如，显示装置可以为平板计算机、智能电话、头戴式显示器、汽车导航单元、照相机、在车辆中提供的中心信息显示器(CID)、手表型电子装置或其他穿戴设备、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机的中小型电子装置，以及诸如电视、外部广告牌、监控器、包含显示屏幕的家用电器、个人计算机和膝上型计算机的中大型电子装置。如上所述的电子装置可以代表用于应用显示装置的单纯示例，并且因此本领域普通技术人员可以认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，显示装置也可以是其他电子装置。

结合图1、图2和图8所示，本公开的一些实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括衬底SUB、发光器件层LDL、光取出层CPL和封装层TFE。

衬底SUB包括多个重复排列的像素单元区PU。每个像素单元区PU可以包括显示不同颜色的第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3。示例性地，第一子像素区P1被配置为显示红色光，第二子像素区P2被配置为显示绿色光，第三子像素区P3被配置为显示蓝色光。

另外，像素单元区PU还可以包括非发光区P4。非发光区P4可以位于第一子像素区P1与第二子像素区P2之间、第二子像素区P2和第三子像素区P3之间、以及第三子像素区P3和第一子像素区P1之间。

在一些示例中，如图3~图5所示，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3可以沿第二方向Y相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。

在一些示例中，如图6和图7所示，一个像素单元区PU中可以包括显示相同颜色的两个子像素区，显示相同颜色的两个子像素区可以相邻设置。例如，一个像素单元区PU内包括一个红色子像素区R、两个绿色子像素区G和一个蓝色子像素区B，其中，一个像素单元区PU内的两个绿色子像素区G可以相邻设置。

在一些示例中，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3可以沿第二方向Y相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。在此情况下，非发光区P4还可以位于两个第二子像素区P2之间。

如图2所示，在一个像素单元区PU内，在第二方向（平行于衬底SUB的方向）Y上，第一子像素区P1具有第一宽度WL1，第二子像素区P2具有第二宽度WL2，第三子像素区P3具有第三宽度WL3。其中，第一宽度WL1、第二宽度WL2和第三宽度WL3可以彼此不同。

如图8所示，显示面板100可以包括位于衬底基板SUB上的多个像素电路。在一个像素单元区PU中，可以包括第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3。例如，第一像素电路S1位于第一子像素区P1内，第二像素电路S2位于第二子像素区P2内，第三像素电路S3位于第三子像素区P3内。又例如，第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以位于非发光区P4内。

像素电路的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性地，像素电路可以包括：至少两个晶体管（用T表示）和至少一个电容器（用C表示）。例如，像素电路S可以具有“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。

第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以是包括多晶硅的薄膜晶体管或包括氧化物半导体的薄膜晶体管。例如，当薄膜晶体管为包括氧化物半导体的薄膜晶体管时，可以具有顶栅的薄膜晶体管结构。薄膜晶体管可以和信号线连接，所述信号线包括但不限于栅极线、数据线和电源线。

如图8所示，显示面板100可以包括绝缘层INL，可以位于第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3上。绝缘层INL可以具有平坦化的表面。绝缘层INL可以由有机层形成。例如，绝缘层INL可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂等。绝缘层INL可以具有通孔，暴露第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3的电极，以便实现电连接。

结合图2和图8所示，显示面板100可以包括位于衬底基板SUB上的发光器件层LDL和像素界定层PDL。像素界定层PDL可以在绝缘层INL上形成并限定出多个发光开口。例如像素界定层PDL包括位于第一子像素区P1的第一发光开口K1、位于第二子像素区P2的第二发光开口K2、以及位于第三子像素区P3的第三发光开口K3。发光器件层LDL形成有多个和像素电路S连接的发光器件，多个发光器件分别位于多个发光开口内。在一个像素单元区PU内，发光器件包括第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3。例如，第一发光器件LD1可以位于第一发光开口K1中，第二发光器件LD2可以位于第二发光开口K2中，并且第三发光器件LD3可以位于第三发光开口K3中。

发光器件可以包括沿第一方向（即垂直于衬底SUB的方向）X依次叠置的第一电极、至少两个发光单元200和第二电极CE。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第一电极为反射电极可以反射光线，例如阳极；第二电极CE为透射电极可以透出光线，例如阴极。这样，在阳极和阴极之间形成了微腔结构。

在另一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第一电极为透射电极可以透出光线，例如阳极；第二电极CE为反射电极可以反射光线，例如阴极。这样，在阳极和阴极之间形成了微腔结构。

如图8和图9所述，第一电极包括位于第一子像素区P1的第一电极AE1、位于第二子像素区P2的第一电极AE2和位于第三子像素区P3的第一电极AE3。

在一些实施例中，第一电极可以包括高功函数的材料，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属及其混合物材料制成，也可以由ITO、IZO或IGZO等透明导电氧化物材料制成。第一电极AE在第一方向X上的尺寸可以处于80nm~200nm的范围内。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第一电极可以包括透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物这样的叠层复合结构。其中，透明导电氧化物材料例如为ITO或IZO，金属材料例如为Au、Ag、Ni或Pt。例如阳极结构为：ITO/Ag/ITO。其中，金属在第一方向X上的尺寸可以处于50nm~150nm的范围内；透明导电氧化物在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~15nm的范围内。另外，第一电极对于可见光的平均反射率可以处于85%~95%的范围内。

在一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第一电极可以包括ITO、IZO或IGZO等透明导电氧化物。

在一些实施例中，第二电极CE可以包括金属材料或合金材料。其中，金属材料例如为Al、Ag或Mg，合金材料例如为Mg：Ag合金或Al：Li合金。示例性地，阴极包括Mg：Ag合金，其中，Mg元素与Ag元素之间的比值可以处于3:7~1:9的范围内。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板。第二电极CE在第一方向X上的尺寸可以处于10nm~20nm的范围内。第二电极CE对于可见光的平均透光率可以大于或等于50%，例如50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%等。

在另一些示例中，显示面板100为底发射显示面板。第二电极CE在第一方向上的尺寸可以大于或等于80nm，例如80nm、85nm、90nm、95nm等。这样，能够确保第二电极CE作为反射的电极对光有较好的反射率。

如图8和图9所述，第二电极CE包括位于第一子像素区P1的第二电极CE1、位于第二子像素区P2的第二电极CE2和位于第三子像素区P3的第二电极CE3。

第一电极AE和第二电极CE之间的至少两个发光单元200可以在第一方向X上叠置。第一电极和第二电极CE之间的发光单元200的数量可以是两个、也可以是三个，还可以是其他数量，此处不作限定。

如图2和图9所示，在一些示例中，第一电极和第二电极CE之间包括第一发光单元210和第二发光单元220，即第一电极和第二电极CE之间包括两个发光单元200。第一发光单元210可以与第一电极直接接触，第二发光单元220位于第一发光单元210与第二电极CE之间，第二发光单元220可以与第二电极CE直接接触。

第一发光单元210包括第一发光层（例如EL1-1/ EL2-1/ EL3-1）、第一传输层TL1和第二传输层TL2。第一传输层TL1位于第一发光层和第一电极AE之间，可以理解地，第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸等于第一电极AE和第一发光层EL1在第一方向上的间隔距离。第一传输层TL1被配置为从第一电极AE传输空穴至第一发光层。第二传输层TL2位于第一发光层与第二发光单元220之间，可以理解地，第二传输层TL2在第一方向X上的尺寸等于第一发光层与第二发光单元220在第一方向X上的间隔距离。第二传输层TL2被配置为传输电子至第一发光层。这样，空穴和电子在第一发光层复合，使得第一发光层发光。

第二发光单元220包括第二发光层（例如EL1-2/ EL2-2/ EL3-2）、第三传输层TL3和第四传输层TL4。第三传输层TL3位于第二发光层和第一发光单元210之间，可以理解地，第三传输层TL3在第一方向X上的尺寸等于第一发光单元210与第二发光层在第一方向X上的间隔距离。第三传输层TL3被配置为传输空穴至第二发光层。第四传输层TL4位于第二发光层与第二电极CE之间，可以理解地，第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸等于第二发光层与第二电极CE在第一方向X上的间隔距离。第四传输层TL4被配置为从第二电极CE传输电子至第二发光层。这样，空穴和电子在第二发光层复合，使得第二发光层发光。

如图9所示，在一些实施例中，发光器件还包括位于相邻两个发光单元200之间的电荷产生层300。示例性地，电荷产生层300包括P型电荷产生子层310和N型电荷产生子层320。N型电荷产生子层320可以直接与第一发光单元210直接接触，例如N型电荷产生子层320与第二传输层TL2直接接触，将电子提供给第一发光单元210。P型电荷产生子层310可以直接与第二发光单元220直接接触，例如P型电荷产生子层220与第三传输层TL3直接接触，将空穴提供给第二发光单元220。

在一些示例中，上述第二传输层TL2被配置为传输电荷产生层300提供的电子至第一发光层，以使第一电极AE提供的空穴和电荷产生层300提供的电子在第一发光层复合发光。上述第三传输层TL3被配置为传输电荷产生层300提供的空穴至第二发光层，以使电荷产生层300提供的空穴和第二电极CE提供的电子在第二发光层复合发光。

电荷产生层300可以包括金属、非掺杂有机物、P型及N型掺杂构成的有机PN结或金属氧化物等，此处不作限定。

在一些实施例中，在同一发光器件内，第一发光层发出的光线的波长，与第二发光层发出的光线的波长之间的差值的绝对值可以小于等于10nm。例如10nm、8nm、5nm、3nm等。

可以理解地，同一发光器件内的两个发光单元200发出相同或相近的光线。这样，能够提高两个发光单元200光谱叠加的集中性，提高光线的色纯度、以及出光效率。

例如，发光器件为蓝色发光器件，蓝色发光器件内第一发光层发出的光线的波长为460nm，蓝色发光器件内第二发光层发出的光线的波长可以为450nm~470nm。这样，能够提高发光器件中波长相重合的波段对应光线的出光效率。

在一些实施例中，在同一发光器件内，第一发光层发出的光线处于光谱峰值的波长，与第二发光层发出的光线处于光谱峰值的波长之间的差异率小于5%。

可以理解地，同一发光器件内的两个发光单元200发出的两种光线，处于光谱峰值的波长相同或相近。这样，能够提高两个发光单元200光谱叠加的集中性，提高光线的色纯度、以及出光效率。

例如，发光器件为红色发光器件，红色发光器件内第一发光层发出的光线处于光谱峰值的波长为530nm，红色发光器件内第二发光层发出的光线处于光谱峰值的波长可以为504nm~557nm。这样，能够提高发光器件中波长相重合的波段对应光线的出光效率。

如图9所示，在一些示例中，第一传输层TL1可以包括第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1。第一空穴注入层HIL1位于第一电极AE与第一空穴传输层HTL1之间，第一空穴注入层HIL1被配置为将第一电极AE的空穴注入到第一空穴传输层HTL1。第一空穴传输层HTL1位于第一空穴注入层HIL1和第一发光层之间，第一空穴传输层HTL1被配置为将第一空穴注入层HIL1注入的空穴传输至第一发光层，使得空穴在第一发光层内与电子复合，实现第一发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第一传输层TL1还可以包括第一激子阻挡层BL1。第一激子阻挡层BL1可以位于第一空穴传输层HTL1和第一发光层之间，第一激子阻挡层BL1被配置为阻挡第一发光层中的电子向靠近第一电极的方向运动。因此，第一激子阻挡层BL1也可以称为电子阻挡层EBL。

如图9至图11所示，在一些示例中，第二传输层TL2可以包括第一电子传输层ETL1和/或第一电子注入层EIL1。

例如，如图10所示，第二传输层TL2仅包括第一电子传输层ETL1，第一电子传输层ETL1分别与第一发光层和N型电荷产生层320直接接触。第一电子传输层ETL1被配置为将N型电荷产生层320提供的电子传输至第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

又例如，如图11所示，第二传输层TL2仅包括第一电子注入层EIL1，第一电子注入层EIL1分别与第一发光层和N型电荷产生层320直接接触。第一电子注入层EIL1被配置为将N型电荷产生子层提供的电子注入到第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

又例如，如图9所示，第二传输层TL2包括第一电子传输层ETL1和第一电子注入层EIL1。第一电子注入层EIL1位于第一电子传输层ETL1与电荷产生层300之间，第一电子注入层EIL1被配置为将N型电荷产生子层提供的电子注入到第一电子传输层ETL1。第一电子传输层ETL1位于第一电子注入层EIL1与第二发光层之间，第一电子传输层ETL1被配置为将第一电子注入层EIL1注入的电子传输至第一发光层，使得电子在第一发光层内与空穴复合，实现第一发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第三传输层TL3可以包括第二空穴注入层HIL2和第二空穴传输层HTL2。第二空穴注入层HIL2位于电荷产生层300与第二空穴传输层HTL2之间，第二空穴注入层HIL2被配置为将P型电荷产生子层的空穴注入到第二空穴传输层HTL2。第二空穴传输层HTL2位于第二空穴注入层HIL2和第二发光层之间，第二空穴传输层HTL2被配置为将第二空穴注入层HIL2注入的空穴传输至第二发光层，使得空穴在第二发光层内与电子复合，实现第二发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第三传输层TL3还可以包括第二激子阻挡层BL2。第二激子阻挡层BL2可以位于第二空穴传输层HTL2和第二发光层之间，第二激子阻挡层BL2被配置为阻挡第二发光层中的电子向靠近第一电极的方向运动。因此，第二激子阻挡层BL2也可以称为电子阻挡层。

如图9所示，在一些示例中，第四传输层TL4可以包括第二电子传输层ETL2和第二电子注入层EIL2。第二电子注入层EIL2位于第二电子传输层ETL2与第二电极之间，第二电子注入层EIL2被配置为将第二电极提供的电子注入到第二电子传输层ETL2。第二电子传输层ETL2位于第二电子注入层EIL2与第二发光层之间，第二电子传输层ETL2被配置为将第二电子注入层EIL2注入的电子传输至第二发光层，使得电子在第二发光层内与空穴复合，实现第二发光层的发光。

如图9所示，在一些示例中，第四传输层TL4还可以包括第三激子阻挡层BL3。第三激子阻挡层BL3可以位于第二电子传输层ETL2和第二发光层之间，第三激子阻挡层BL3被配置为阻挡第二发光层中的空穴向靠近第二电极的方向运动。因此，第三激子阻挡层BL3也可以称为空穴阻挡层。

在一些示例中，第一空穴注入层HIL1和第二空穴注入层HIL2中的至少一者，可以包括酞菁铜CuPc、HATCN等空穴注入能力较强的材料，形成单层膜结构。在另一些示例中，第一空穴注入层HIL1和第二空穴注入层HIL2中的至少一者，可以包括P型掺杂空穴注入材料，P型掺杂材料，例如NPB: F4TCNQ，TAPC: MnO₃ 等。

在一些示例中，第一空穴注入层HIL1可以包括第一主体材料和第一掺杂材料，其中，第一掺杂材料与第一主体材料和第一掺杂材料整体之间的比例可以为3%。例如，第一主体材料可选用NPB（N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二(苯基)联苯胺），第一掺杂材料可以为P型掺杂材料，如F4TCNQ。

在一些示例中，第二空穴注入层HIL2可以包括第二主体材料和第二掺杂材料，其中，第二掺杂材料与第二主体材料和第二掺杂材料整体之间的比例可以为8%。第二主体材料可以与第一主体材料相同，第二掺杂材料可以与第二掺杂材料相同。

在一些示例中，第一空穴传输层HTL1和第二空穴传输层HTL2中的至少一者，可以包括空穴迁移率较高的咔唑类材料、或其他空穴迁移率较高的材料。第一空穴传输层HTL1和第二空穴传输层HTL2中的至少一者的功函数可以处于-5.2eV~-5.6eV的范围内。

在一些示例中，第一电子传输层ETL1和第二电子传输层ETL2中的至少一者，可以包括电子迁移率较高的三嗪类材料、或其他电子迁移率高的材料。第一电子传输层ETL1和第二电子传输层ETL2中的至少一者，在第一方向X上的尺寸可以处于5nm~50nm的范围内。

在一些示例中，第二电子传输层ETL2可以包括第三主体材料和第三掺杂材料，其中，第三掺杂材料与第三主体材料和第三掺杂材料整体之间的比例可以为50%。例如，第三主体材料可以选用TPBI(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，第三掺杂材料可选用LiQ、LiF、Li、Yb等。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1和第二电子注入层EIL2中的至少一者，在第一方向上的尺寸可以处于0.5nm~20nm的范围内。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1可以包括第四主体材料和第四掺杂材料，其中，第四掺杂材料与第四主体材料和第四掺杂材料整体之间的比例可以为2%。第四主体材料可以与第三主体材料相同，第四掺杂材料可以与第三掺杂材料相同。

在一些示例中，第一电子注入层EIL1可以包括至少一种金属元素。金属元素可以是Li锂、Yb镱、Cs铯、Ca钙等金属。第一电子注入层EIL1内的金属元素的功函数可以大于-3.5eV。

例如，第一电子注入层EIL1仅包括锂元素。又例如，第一电子注入层EIL1既包括镱元素又包括铯元素。

在一些实施例中，第一电子注入层EIL1内金属元素的掺杂比例小于8%。可以理解地，第一电子注入层EIL1中金属元素的总体积，与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值小于或等于8%。例如8%、7.5%、7%、6.5%、6%、5.5%、5%、4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%或1%。

例如，第一电子注入层EIL1仅包括锂元素，锂元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值7%。又例如，第一电子注入层EIL1既包括镱元素又包括铯元素，镱元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值2.5%，铯元素的体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值4%，金属元素的总体积与第一电子注入层EIL1的体积之间的比值为6.5%。

在一些示例中，第一激子阻挡层BL1、第二激子阻挡层BL2和第三激子阻挡层BL3中的至少一者，在第一方向上的尺寸可以处于2nm~15nm的范围内。

在一些示例中，第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者，包括至少一种与第一电子注入层EIL1所包括的金属元素相同的金属元素。

可以理解地，第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中包括的多种金属元素中的至少一种金属元素，与第一电子注入层EIL1所包括的多种金属元素中的至少一种金属元素相同。

例如，第二电子注入层EIL2和/或第二电子传输层ETL2包括锂元素，第一电子注入层EIL1包括锂元素和钙元素。又例如，第二电子注入层EIL2包括锂元素，第二电子传输层ETL2包括钙元素，第一电子注入层EIL1包括锂元素和钙元素。还例如，第二电子注入层EIL2包括AL铝元素，第二电子传输层ETL2包括钙元素，第一电子注入层EIL1包括钙元素和铯元素。

第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者，包括至少一种与第一电子注入层EIL1所包括的金属元素相同的金属元素，能够使得第二电子注入层EIL2和第二电子传输层ETL2中的至少一者具有与第一电子注入层EIL1相同或相近的功函数，从而提高发光器件内部对电子的注入和传输能力，降低发光器件的驱动电压。

在一些实施例中，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的多个膜层，共同包括至少三种金属。

如图9所示，发光器件中位于第一发光层（例如EL1-1、EL2-1、EL3-1）远离第一电极AE一侧的多个膜层，可以包括第一电子传输层ETL1、第一电子注入层EIL1、N型电荷产生子层320、P型电荷产生子层310、第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2、第二激子阻挡层BL2、第二发光层、第三激子阻挡层BL3、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2和第二电极CE。

可以理解地，上述多个膜层中的一层或多层共同包括至少三种金属。示例性地，单个膜层包括至少三种金属。例如，第二电极CE包括三种金属。示例性地，多个膜层包括至少三种金属，不同膜层所包括的金属互不相同。例如，第二空穴注入层HIL2包括第一种金属，第二空穴传输层HTL2包括与第二种金属，N型电荷产生子层320包括第三种金属。示例性地，多个膜层包括至少三种金属，不同膜层可以包括相同的金属。例如，第二空穴注入层HIL2包括第一种金属和第二种金属，第二空穴传输层HTL2包括第二种金属和第三种金属。

本公开实施例提供的发光器件中，通过在发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的多个膜层中配置至少三种金属，能够增加发光器件内部不同金属功函数之间的配合关系，提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

在一些实施例中，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的多个膜层中，至少有三个膜层包括金属。

例如，第一电子传输层ETL1、第二电子传输层ETL2和第二电极CE均包括金属，且第一电子传输层ETL1、第二电子传输层ETL2和第二电极CE共同包括至少三种金属。

又例如，N型电荷产生子层320、第二电子注入层EIL2和第二电极CE均包括金属，且N型电荷产生子层320、第二电子注入层EIL2和第二电极CE共同包括至少三种金属。

又例如，P型电荷产生子层310、第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二电子注入层EIL2均包括金属，且P型电荷产生子层310、第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二电子注入层EIL2共同包括至少三种金属。

本实施例中，通过在发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的至少三个膜层配置金属，能够增加至少三个膜层中金属的功函数之间的配合关系，扩大发光器件内部功函数配合的程度，提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

下文均以如图9所示的发光器件为例进行说明，但应当认为并不限于图9所示的结构，应当认为图10和图11所示的结构同样符合之后的说明，区别仅在于第一电子传输层ETL1和第一电子注入层EIL1的有无，不影响各实施例所具有的效果。

如图12所示，在一些示例中，至少有三个膜层包括自第一电极AE至第二电极CE的方向依次排布的第一膜层610、第二膜层620和第三膜层630。第一膜层610、第二膜层620和第三膜层630均位于第一发光层EL-1远离第一电极AE的一侧。

其中，第三膜层630中金属的功函数的绝对值，大于第二膜层620中金属的功函数的绝对值；第三膜层630中金属的功函数的绝对值，大于第一膜层610中金属的功函数的绝对值。

需要说明的是：一个膜层中金属的功函数的绝对值，可以是指该膜层所包含的多个金属中各金属的功函数的绝对值与其在所述多个金属中所占比例的乘积之和。例如，第二电极包括一种金属，该种金属的功函数的绝对值即为第二电极中金属的功函数的绝对值。又例如，第二电极包括银Ag元素和镁Mg元素，则银Ag元素的功函数的绝对值与银Ag元素在银Ag元素和镁Mg元素中所占的比例，加上镁Mg元素的功函数的绝对值与镁Mg元素在银Ag元素和镁Mg元素中所占的比例之和。以上仅是以一个膜层包括1种或2种金属为例进行举例说明，并不限定一个膜层只能包括1种或2种金属，一个膜层还可以包括3种金属、4种金属甚至更多。

如图12所示，靠近第二电极的第三膜层630中金属的功函数的绝对值，大于距离第二电极较远的第二膜层620中金属的功函数的绝对值和第一膜层610中金属的功函数的绝对值。由于电子是从功函数绝对值大的位置向功函数绝对值小的方向运动，这样能够提高电子从第二电极向第一电极的方向运动的能力，从而提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

在一些实施例中，上述至少三种金属包括第一类型金属和第二类型金属。

在一些示例中，功函数小于-3.5eV的金属称为第一类型金属，功函数大于-3.5eV的金属称为第二类型金属。

第一类型金属可以包括银Ag、铝 Al、金 Au、铜 Cu、镁Mg、钼Mo、锡 Sn等高功函数金属中至少一者。第二类型金属可以包括锂Li、镱Yb、铯 Cs、钙 Ca等低功函数金属中至少一者。

例如，第二电极包括两种第一类型金属和一种第二类型金属，则第二电极可以包括Mg：Ag合金和Yb元素。又例如，第二电子注入层EIL2包括一种第二类型金属，则第二电子注入层EIL2可以包括Yb元素。

在一些示例中，第一类型金属的功函数可以处于-5.2eV~-3.5eV的范围内。例如-5.2eV、-425eV、-4eV、-3.7eV、-3.5eV、-3.3eV、-3eV、-3.8eV或-3.5eV。

如图12所示，在一些实施例中，第二发光单元220包括第二发光层EL-2。发光器件中，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧包括至少一种第二类型金属，位于第二发光层EL-2远离第一电极的一侧包括至少一种第一类型金属和至少一种第二类型金属。

发光器件中，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧的多个膜层，包括第一电子传输层ETL1、第一电子注入层EIL1、N型电荷产生子层320、P型电荷产生子层310、第二空穴注入层HIL2、第二空穴传输层HTL2和第二激子阻挡层BL2。在这些膜层中的至少一者包括至少一种第二类型金属。

示例性地，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧的一个膜层包括一种第二类型金属。例如，N型电荷产生子层320包括Yb元素。

示例性地，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧的一个膜层包括多种第二类型金属。例如，第一电子注入层EIL1包括Li元素和Cs元素。

示例性地，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧的多个膜层包括同一种第二类型金属。例如，N型电荷产生子层320包括Yb元素，第二空穴注入层HIL2也包括Yb元素。

示例性地，位于第二发光层EL-2靠近第一电极AE的一侧的多个膜层包括不同种第二类型金属。例如，第一电子注入层EIL1包括Li元素和Cs元素，第二电子传输层ETL1包括Yb元素。

发光器件中，位于第二发光层EL-2远离第一电极AE的一侧的多个膜层，包括第三激子阻挡层BL3、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2和第二电极CE。在这些膜层中的至少一者包括至少一种第一类型金属和至少一种第二类型金属。

示例性地，位于第二发光层EL-2远离第一电极AE的一侧的一个膜层包括至少一种第一类型金属和至少一种第二类型金属。例如，第二电极CE包括Mg：Ag合金和Yb元素。

示例性地，位于第二发光层EL-2远离第一电极AE的一侧的多个膜层共同包括至少一种第一类型金属和至少一种第二类型金属。例如，第二电子传输层ETL2包括Li元素，第二电子注入层EIL2包括Cs元素，第二电极CE包括Cu元素。又例如，第二电极CE包括Mg：Ag合金，第二电子注入层EIL2包括Yb元素。又例如，第二电极CE包括Mg：Ag合金和Yb元素，第二电子注入层EIL2包括Yb元素。

在一些示例中，如图12所示，上述第一膜层610位于第二发光层靠近第一电极的一侧；上述第二膜层620和第三膜层630位于第二发光层远离第一电极的一侧。

可以理解地，第一膜层610包括至少一种第二类型金属。第二膜层620和第三膜层630共同包括至少一种第一类型金属和至少一种第二类型金属。

示例性地，第一膜层610为第一电子注入层EIL2，包括Cs元素；第二膜层620为第二电子传输层ETL2，包括Yb元素；第三膜层630为第二电极CE，包括Ag元素。

示例性地，第一膜层610为N型电荷产生子层320，包括Yb元素；第二膜层620为第二电子注入层EIL2，包括Yb元素；第三膜层630为第二电极CE，包括Mg：Ag合金和Yb元素。

由于第三膜层630中金属的功函数大于第一膜层610中金属的功函数，因此第三膜层630和第一膜层610相互配合，提高电子运动至第二发光层靠近第一电极的一侧的能力，提高发光器件中电子注入和传输的性能。

由于第三膜层630中金属的功函数大于第二膜层620中金属的功函数，因此第三膜层630和第二膜层620相互配合，提高电子运动至第二发光层远离第一电极的一侧的能力，提高发光器件中电子注入和传输的性能。

在一些示例中，第二膜层620和第三膜层630相邻设置。可以理解地，第二膜层620与第三膜层630直接接触。

示例性地，第二膜层620为第二电子注入层EIL2，包括Yb元素；第三膜层630为第二电极CE，包括Mg：Ag合金和Yb元素。

由于第三膜层630中金属的功函数大于第二膜层620中金属的功函数，第三膜层630与第二膜层620直接接触，能够提高第二膜层620的电子注入性能，进而提高发光器件整体的电子注入性能。

在一些实施例中，具有第一类型金属的膜层，共包括至少两种金属。

可以理解地，具有第一类型金属的膜层至少已经包括了一种第一类型金属，剩余的金属可以包括第一类型金属，也可以包括第二类型金属，还可以既包括第一类型金属又包括第二类型金属。

示例性地，第二电极CE包括Mg元素，则第二电极CE在Mg元素之外还包括至少一种金属，例如可以是Ag元素，也可以是Yb元素，还可以是Ag元素和Yb元素。

本实施例中，具有第一类型金属的膜层包括至少两种金属，能够提高该膜层内部不同金属的功函数之间的配合，以提高该膜层对电子注入和传输的能力，进而提高发光器件整体的电子注入性能。

在一些示例中，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的至少两个膜层包括同一种金属。

示例性地，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的至少两个膜层中，每个膜层包括一种金属，且至少两个膜层包括的是同一种金属。例如，第一电子传输层ETL1包括Li元素，第二电子传输层ETL2包括Li元素。

示例性地，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的至少两个膜层中，一些膜层包括一种金属且另一些膜层包括多种金属。例如，第二电子注入层EIL2包括Yb元素，第二电极CE包括Mg：Ag合金和Yb元素。

本实施例中，发光器件中位于第一发光层远离第一电极一侧的至少两个膜层包括同一种金属，能够简化多种金属的功函数之间的配合关系，同时减少发光器件的制作材料。

在一些实施例中，第二电极CE、第二电子注入层EIL2和电荷产生层300共同包括至少三种金属。其中，第二电极CE中金属的功函数的绝对值，大于第二电子注入层EIL2中金属的功函数的绝对值；第二电极CE中金属的功函数的绝对值，大于电荷产生层300中金属的功函数的绝对值。

在一些示例中，第二电极CE、第二电子注入层EIL2和电荷产生层300中包括的金属各不相同。例如，第二电极包括银Ag元素，第二电子注入层包括铯Cs元素，电荷传输层包括镱Yb元素。

在一些示例中，第二电极CE、第二电子注入层EIL2和电荷产生层300中可以包括相同的金属。例如，第二电极CE包括银Ag元素、镁Mg元素和镱Yb元素，第二电子注入层EIL2包括镱Yb元素，电荷传输层300包括镱Yb元素。

其中，银Ag元素的功函数的绝对值大于铯Cs元素的功函数的绝对值，银Ag元素的功函数的绝对值大于镱Yb元素的功函数的绝对值。镁Mg元素的功函数的绝对值大于铯Cs元素的功函数的绝对值，镁Mg元素的功函数的绝对值大于镱Yb元素的功函数的绝对值。

这样，上述两个示例可以实现第二电极CE中金属的功函数的绝对值大于第二电子注入层EIL2中金属的功函数的绝对值；且第二电极CE中金属的功函数的绝对值，大于电荷产生层300中金属的功函数的绝对值。

通过第二电极CE中金属的功函数的绝对值大于第二电子注入层EIL2中金属的功函数的绝对值，能够使得电子从第二电极CE较好的通过第二电子注入层EIL2注入至第二发光单元220的第二发光层，提高第二发光单元220中的电子注入能力。通过第二电极CE中金属的功函数的绝对值大于电荷产生层300中金属的功函数的绝对值，能够使得电子从第二电极CE较好的通过电荷产生层300注入至第一发光单元210的第一发光层，提高第一发光单元210中的电子注入能力。这样，能够提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

在一些实施例中，至少三种金属包括至少两种第一类型金属和至少一种第二类型金属。

通过至少两种第一类型金属与至少一种第二类型金属，能够便于降低第二电极CE与第二电子注入层EIL2之间的势垒高度，从而能够提高第二电极CE和第二电子注入层EIL2的电子注入性能，进而提高第二 发光单元220的电子注入能力。

通过至少两种第一类型金属与至少一种第二类型金属，能够便于降低第二电极CE与电荷产生层300之间的势垒高度，从而能够提高第二电极CE和电荷产生层300的电子注入性能，进而提高第一发光单元210的电子注入能力。

示例性地，可以通过调节第二电极CE中至少两种第一类型金属相互之间的比例，灵活地调整第二电极CE中金属的功函数的绝对值；从而使第二电极CE与第二电子注入层EIL2和/或电荷产生层300相匹配，以提高发光器件整体的电子注入性能。

在一些实施例中，第二电极CE和第二电子注入层EIL2包括至少两种第一类型金属，第二电子注入层EIL2和电荷产生层300均包括至少一种第二类型金属。

示例性地，第二电极包括铜 Cu元素和锡 Sn元素，电子注入层包括铯Cs元素，电荷产生层包括镱Yb元素。

示例性地，第二电极包括铜 Cu元素和铝 Al元素，电子注入层包括铯Cs和锂Li元素，电荷产生层包括镱Yb元素。

在一些实施例中，第二电极CE包括两种第一类型金属。其中，两种第一类型金属的体积之间的比例为100:1~1:100。这样，可以在两种第一类型金属的功函数的绝对值之间，精确的调节第二电极CE中金属的功函数的绝对值。

在一些实施例中，第二电子注入层EIL2可以包括第五主体材料和第五掺杂材料。第五主体材料为电子注入材料，第五掺杂材料为包括第二类型金属的材料，第五掺杂材料掺杂在第五主体材料内，使得第二类型金属掺杂在电子注入材料内。

在一些实施例中，电荷产生层300可以包括第六主体材料和第六掺杂材料。第六主体材料为电荷产生材料，第六掺杂材料为包括第二类型金属的材料，第六掺杂材料掺杂在第六主体材料内，使得第二类型金属掺杂在电荷产生材料内。

在一些实施例中，电荷产生层300包括第一电荷产生子层310和第二电荷产生子层320。第一电荷产生子层310即为上述N型电荷产生子层，第二电荷产生子层320即为上述P型电荷产生子层。其中，N型电荷产生子层310可以包括第二类型金属。

在一些实施例中，N型电荷产生子层310包括至少一种第二类型金属。N型电荷产生子层310中，第二类型金属的体积总和在N型电荷产生子层310的体积中的比例，小于或等于1%。这样，能够使N型电荷产生子层310较少的损失电荷产生材料，且还能够提高发光器件整体的电子注入性能。

若第二类型金属的总和在N型电荷产生子层310中的比例较高，容易导致激子的淬灭，通过将第二类型金属的体积总和在N型电荷产生子层310的体积中的比例，限制在1%之下，能够在提高N型电荷产生子层310电子传输性能的基础上，防止激子淬灭，提高发光器件的可靠性。

在一些示例中，N型电荷产生子层310在第一方向X上的尺寸可以处于150 Å~300Å。例如150 Å、180 Å、200 Å、225 Å、250 Å、275 Å或300 Å。

在一些实施例中，第二电极CE为叠层结构，包括第一子层、以及位于所述第一子层一侧的第二子层。第一子层包括第一类型金属，第二子层包括第二类型金属。例如，第二电极的第一子层为Mg：Ag合金层，第二电极的第二子层为镱Yb金属层。示例性地，第一子层在第一方向X上的厚度可以为14nm，第二子层在第一方向X上的厚度可以为0.5nm~2nm之间，例如0.5nm、0.7nm、1nm、1.2nm、1.5nm、1.8nm或2nm。

在一些实施例中，在发光器件中，第一类型金属的体积总和与第二类型金属的体积总和之间的比例，小于或等于20:1。

第一类型金属的功函数的绝对值大于第二类型金属的功函数的绝对值，即第一类型金属内部的电子传输特性优于第二类型金属内部的电子传输特性，因此在发光器件中，第一类型金属的体积总和相较于第二类型金属的体积总和较多，可以提高发光器件整体电子传输性能。

在一些实施例中，发光器件中，第二类型金属的体积总和，与第一类型金属和第二类型金属整体体积之间的比例，大于或等于5%，以提高发光器件内部的电子传输特性。

在一些示例中，发光器件包括镱Yb元素、银Ag元素和镁Mg元素，则银Ag元素的体积与镁Mg元素的体积之和，与镱Yb元素的体积、银Ag元素的体积和镁Mg元素的体积整体之间的比例，大于等于5%。

在一些示例中，发光器件中，第二类型金属的体积总和，与第一类型金属和第二类型金属整体体积之间的比例，处于6%~9%的范围内。例如上述示例中，银Ag元素的体积与镁Mg元素的体积之和，与镱Yb元素的体积、银Ag元素的体积和镁Mg元素的体积整体之间的比例，处于6%~9%的范围内。

第一类型金属的透光性较佳，第二类型金属的总和与第一类型金属和第二类型金属整体之间的比例处于6%~9%的范围内，能够使得发光器件具有较高的透光率，同时使发光器件具有较佳的电子传输性能。

在一些示例中，N型电荷产生子层320和第二电子注入层EIL2包括Yb元素，第二电极CE包括Mg：Ag合金和Yb元素。发光器件中，第二类型金属的体积总和，与第一类型金属和第二类型金属整体体积之间的比例，处于6%~9%的范围内，能够使得第二电子注入层EIL2和第二电极CE整体的透光率大于或等于50%。

在一些实施例中，至少三种金属中至少一种金属为非碱土金属且非碱金属。可以理解地，至少三种金属中至少一种金属既为非碱土金属又为非碱金属。

例如，两种金属为非碱土金属且非碱金属，另一种金属为碱土金属。还例如，一种金属为非碱土金属且非碱金属，一种金属为碱土金属，一种金属为碱金属。

碱土金属和碱金属的功函数的绝对值较高，因此至少三种金属中至少一种金属为非碱土金属且非碱金属，可以理解为，至少三种金属包括至少一种功函数的绝对值较低的金属，例如第二类型金属。

在一些示例中，至少三种金属中非碱土金属且非碱金属，与至少三种金属之间的比例大于或等于5%，可以提高发光器件内部的电子传输特性。

如图13所示，在一些实施例中，第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4，与第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5之间的差值的绝对值小于15nm。

可以理解地，第一发光层与第一电极之间的间隔距离，与第二发光层与第二电极之间的间隔距离之间的差值的绝对值小于15nm。

在一些示例中，第一传输层包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1和第一激子阻挡层BL1，第四传输层TL4包括第二电子注入层EIL2、第二电子传输层ETL2和第三激子阻挡层BL3。其中，第一空穴注入层HIL1在第一方向X上的尺寸、第一空穴传输层HTL1在第一方向X上的尺寸、以及第一激子阻挡层BL1在第一方向X上的尺寸之和，与第二电子注入层EIL2在第一方向X上的尺寸、第二电子传输层ETL2在第一方向X上的尺寸、以及第三激子阻挡层BL3在第一方向X上的尺寸之和，两者之间差值的绝对值小于15nm。

在一些示例中，可以是第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4大于第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5。在另一些示例中，可以是第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4小于第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5。

通过设计使得第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4，与第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5之间的差值的绝对值小于15nm，能够提高第一传输层TL1和第四传输层TL4的均一性，以提高第一发光单元210发出的光线与第二发光单元220发出的光线之间的匹配度，进而提高发光器件整体的出光效率。

第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4，与第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5之间的差值的绝对值越小，第一发光单元210发出的光线与第二发光单元220发出的光线之间的匹配度越高，因此第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸d4，与第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸d5之间的差值的绝对值可以处于0nm~15nm之间，例如0nm、2 nm、4 nm、5 nm、7 nm、10 nm、12 nm、14 nm或15 nm。

如图13所示，在一些实施例中，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸。第二发光单元220在第一方向X上的尺寸可以是指，在第一方向X上，第一电极与电荷产生层300之间的距离。第一发光单元210在第一方向X上的尺寸可以是指，在第一方向X上，第二电极CE与电荷产生层300之间的距离。因此可以理解地，在第一方向X上，第一电极与电荷产生层300之间的间隔距离，小于第二电极CE与电荷产生层300之间的间隔距离。

示例性地，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，可以是指第三传输层TL3在第一方向X上的尺寸、第二发光层在第一方向X上的尺寸和第四传输层TL4在第一方向X上的尺寸之和。例如，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，包括在第一方向X上，第二空穴注入层HIL2的尺寸、第二空穴传输层HTL2的尺寸、第二激子阻挡层BL2的尺寸、第二发光层的尺寸、第三激子阻挡层BL3的尺寸、第二电子传输层ETL2的尺寸和第二电子注入层EIL2的尺寸之和。

示例性地，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，可以是指第一传输层TL1在第一方向X上的尺寸、第一发光层在第一方向X上的尺寸和第二传输层TL2在第一方向X上的尺寸之和。例如，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，包括在第一方向X上，第一空穴注入层HIL1的尺寸、第一空穴传输层HTL1的尺寸、第一激子阻挡层BL1的尺寸、第一发光层的尺寸、第一电子传输层ETL1的尺寸和第一电子注入层EIL1的尺寸之和。

例如，在第一发光开口K1内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d1-1。又例如，在第二发光开口K2内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d2-1。还例如，在第三发光开口K3内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，大于第一发光单元210在第一方向上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸的比值处于20%~40%之间。可以理解地，第一发光单元210的光程与第一发光单元210和第二发光单元220整体的光程之间的比例处于20%~40%之间。例如20%、23%、25%、27%、29%、30%、32%、34%、37%、38%或40%。

在一些示例中，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d5的比值处于55%~80%之间。可以理解地，第二发光单元220的光程与第一发光单元210和第二发光单元220整体的光程之间的比例处于55%~80%之间。例如55%、58%、59%、60%、61%、63%、66%、68%、70%、71%、75%或80%。

例如，在第一发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1的比值为34%；在第一发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1的比值为66%。又例如，在第二发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2的比值为32%；在第二发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2的比值为68%。还例如，在第三发光开口内，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3的比值为29%；在第二发光开口内，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3的比值为71%。

在一些示例中，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸的比值最小为20%；第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸的比值最大为80%。即，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸与第一发光单元210在第一方向X上的尺寸的比值为4。

在另一些示例中，第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸的比值最大为40%；第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸的比值最小为55%。即，第二发光单元220在第一方向X上的尺寸与第一发光单元210在第一方向X上的尺寸的比值为1.375。

结合上述两个示例，可以确定第二发光单元220在第一方向上的尺寸，与第一发光单元210在第一方向上的尺寸的比值，可以处于1.375~4的范围内。

在一些实施例中，第一发光开口K1的开口面积小于第二发光开口K2的开口面积，第二发光开口K2的开口面积小于第三发光开口K3的开口面积。并且，第一发光开口K1内的第一发光单元210发出的光线的波长大于第二发光开口K2内的第一发光单元210发出的光线的波长，第二发光开口K2内的第一发光单元210发出的光线的波长大于第三发光开口K3内的第一发光单元210发出的光线的波长。

在一些示例中，第一发光开口K1内的发光器件为红色发光器件，第二发光开口K2内的发光器件为绿色发光器件，第三发光开口K3内的发光器件为蓝色发光器件。第一发光开口K1内的第一发光单元210发出的光线的波长可以处于650nm~700nm的范围内，第二发光开口K2内的第一发光单元210发出的光线的波长可以处于510nm~540nm的范围内，第三发光开口K3内的第一发光单元210发出的光线的波长可以处于460nm~470nm的范围内。

在一些实施例中，第一发光开口K1的开口面积小于第二发光开口K2的开口面积，第二发光开口K2的开口面积小于第三发光开口K3的开口面积。并且，第一发光开口K1内的第二发光单元220发出的光线的波长大于第二发光开口K2内的第二发光单元220发出的光线的波长，第二发光开口K2内的第二发光单元220发出的光线的波长大于第三发光开口K3内的第二发光单元220发出的光线的波长。

在一些示例中，第一发光开口K1内的发光器件为红色发光器件，第二发光开口K2内的发光器件为绿色发光器件，第三发光开口K3内的发光器件为蓝色发光器件。第一发光开口K1内的第二发光单元220发出的光线的波长可以处于650nm~700nm的范围内，第二发光开口K2内的第二发光单元220发出的光线的波长可以处于510nm~540nm的范围内，第三发光开口K3内的第二发光单元220发出的光线的波长可以处于460nm~470nm的范围内。

由于蓝色发光材料的出光效率低于红色发光材料和绿色发光材料的出光效率，因此通过提高对应蓝色发光材料的第三发光开口K3的开口面积，能够使第三发光开口K3射出更多的蓝色光，以平衡红色光和绿色光，提高显示面板的显示效果。另外，蓝色发光材料的稳定性差于红色发光材料的稳定性，在大电流密度下，蓝色发光材料的发光器件衰减较快。增大第三发光开口的开口面积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

如图13所示，在一些实施例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-2；第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-3；三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光开口中第一发光单元210在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程。

通过在第一方向X上的尺寸不同的光程，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，大于或小于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，等于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，等于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，大于或小于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，大于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，大于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1。

在一些示例中，显示面板100为顶发射显示面板，第一电极为ITO/Ag/ITO。发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程，还可以包括ITO在第一方向X上的尺寸。由于发光开口均设置有第一电极，因此并不会改变不同发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程的大小关系。

本公开发明人经过创造性的劳动后发现，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大。因此本示例中能够便于第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2；三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光开口中第二发光单元220在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线在第一发光单元210与第二电极之间的光程。

通过在第一方向X上的尺寸不同的光程，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于或小于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，等于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，等于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于或小于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，大于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，大于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大，因此本示例中能够便于第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3，三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，不同发光开口中第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸，可以理解为发光开口内的光线对应的微腔结构在第一方向X上的尺寸。

通过在第一方向X上的尺寸不同的微腔结构，作用于不同波长的光线，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率的效果，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于或小于第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，等于第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，等于第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，大于或小于第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第三发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3，大于第二发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1，大于第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2；第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2，大于第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大，而微腔结构在第一方向X上的尺寸与光程正相关。因此本示例能够便于第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值，第二发光开口K2内的第一发光单元210与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值，第三发光开口K3内的第一发光单元210与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值，三者中的至少两者不相等。

即，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1，与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1，与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值；三者中的至少两者不相等。

需要说明的是，第一发光单元210与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值越大，可以理解为发光开口内的光线在第一电极与第二发光单元220之间的光程也越大。

通过不同发光开口内第一发光单元210与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值不同的设计，能够便于不同波长的光线达到各自最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，大于或小于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，等于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值d3。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，等于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，大于或小于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，大于第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，大于第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值。

例如，第一发光开口K1内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d1-1与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值为34%；第二发光开口K2内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d2-1与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值为32%；第三发光开口K3内的第一发光单元210在第一方向X上的尺寸d3-1与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值为29%。

由于，波长越大达到最佳出光效率所需的光程也越大。因此本示例中能够便于第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

在一些实施例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220与第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值；第二发光开口K2内的第二发光单元220和第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值；第三发光开口K3内的第二发光单元220和第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸之间的比值；三者中的至少两者不相等。

即，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2，与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2，与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值；三者中的至少两者不相等。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，大于或小于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，等于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，等于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，大于或小于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值。

在一些示例中，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值，小于第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值，小于第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2，与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值。

例如，第一发光开口K1内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d1-2与第一发光开口K1内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d1之间的比值为66%；第二发光开口K2内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d2-2与第二发光开口K2内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d2之间的比值为68%；第三发光开口K3内的第二发光单元220在第一方向X上的尺寸d3-2与第三发光开口K3内的第一发光单元210和第二发光单元220整体在第一方向X上的尺寸d3之间的比值为71%。

本示例中能够便于第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3内的光线均达到最佳的出光效率，进而提高显示面板的出光效率。

如图2所示，在一些实施例中，多个发光开口包括至少一个发光开口单元KU。一个发光开口单元KU包括对应不同颜色的第一发光开口K1、第二发光开口K2和第三发光开口K3。

一个发光开口单元KU对应一个像素单元区PU，发光开口单元KU中发光开口的数量与像素单元区中子像素区的数量相等。一个发光开口单元KU中的多个发光开口一一对应一个像素单元区PU中的多个子像素区。

在一些实施例中，在一个发光开口单元KU内，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1；第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2；第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3；三者中的至少两者不相等。

由于不同发光开口中发光器件的材料不同，而不同材料的稳定性又各不相同，例如材料对于电流和电压的耐受性、衰减趋势互不相同。通过在不同发光开口设计不同体积的发光器件，能够针对性的提高发光器件的稳定性，便于不同发光器件的稳定性达到最佳稳定性。

在一个发光开口单元KU内，可以包括一个或多个第一发光开口K1、一个或多个第二发光开口K2、一个或多个第三发光开口K3。

在一个发光开口单元KU内包括一个第一发光开口K1的情况下，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1是指该一个第一发光开口K1内发光器件的体积；在一个发光开口单元KU内包括多个第一发光开口K1的情况下，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1是指各个第一发光开口K1内发光器件的体积之和。

类似地，第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2的含义、第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3的含义，与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的含义基本相同，此处不作赘述。

在一些示例中，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，大于或小于第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2；第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2，等于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

在一些示例中，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，等于第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2；第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2，大于或小于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

在一些示例中，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，小于第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2；第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2，小于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

以第三发光开口内的发光器件为例，第三发光开口内的发光器件的稳定相对较弱，在大电流密度下，衰减较快。本示例中增大第三发光开口内发光器件的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

在一些实施例中，第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2，大于第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的一半。即，第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1之间的比值，大于50%。例如，51%、55%、60%、70%、80%、90%、100%、110%、120%等。

在一些实施例中，第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3，大于第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的一半。即，第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1之间的比值，大于50%。例如，51%、55%、60%、70%、80%、90%、100%、110%、120%等。

在一些实施例中，一个发光开口单元KU内第一发光开口K1的数量、第二发光开口K2的数量和第三发光开口K3的数量均相等。例如一个发光开口单元KU包括一个第一发光开口K1、一个第二发光开口K2和一个第三发光开口K3。

在此情况下，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，可以大于或等于第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2；第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，可以大于或等于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

换而言之，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，既不小于第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2，也不小于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

在一些示例中，第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2与第一发光开口K2内的发光器件的体积总和V1的比值，处于0.6~1的范围内。例如0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95或1。

在一些示例中，第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的比值，处于0.5~0.9的范围内。例如0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85或0.9。

在一些实施例中，一个发光开口单元KU内第一发光开口K1的数量、第二发光开口K2的数量和第三发光开口K3的数量中的至少两者不相等。例如一个发光开口单元KU包括一个第一发光开口K1、两个第二发光开口K2和一个第三发光开口K3。

在一些示例中，第二发光开口K2内的发光器件的体积总和V2与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的比值，处于0.8~1.6的范围内。例如0.8、0.85、0.9、0.95、1、1.05、1.1、1.15、1.2、1.25、1.3、1.35、1.4、1.45、1.5、1.55或1.6。

第二发光开口内的发光器件的稳定性差于第一发光开口内的发光器件的稳定性，在大电流密度下，第二发光开口内的发光器件衰减较快。因此，需要增大第三发光开口内发光器件的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

在一些示例中，第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3与第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1的比值，处于1~2.3的范围内。例如1、1.1、1.2、1.22、1.3、1.5、1.8、2、2.1或2.3。

第三发光开口内的发光器件的稳定性差于第一发光开口内的发光器件的稳定性，在大电流密度下，第三发光开口内的发光器件衰减较快。因此，需要增大第三发光开口内发光器件的体积，使其在相同电压下能够降低电流密度，延缓发光器件的衰减，进而改善发光器件的效率和寿命。

换而言之，第一发光开口K1内的发光器件的体积总和V1，不大于第三发光开口K3内的发光器件的体积总和V3。

如图2所示，光取出层CPL覆盖发光器件层LDL，例如光取出层CPL直接位于第二电极CE上。光取出层CPL可以提高发光器件层LDL的出光效率，光取出层CPL的折射率较大，吸光系数较小。

在一些示例中，光取出层CPL在第一方向X上的尺寸可以处于50nm~80nm的范围内。光取出层CPL在波长对于460nm的光的折射率可以大于或等于1.8。例如1.8、1.9、2.0、2.1等等，此处不作限定。

如图8所示，封装层TFE用于封装发光功能层LDL和光取出层CPL。在一些实施例中，封装层TFE可以包括堆叠设置的第一封装层ENL1、第二封装层ENL2和第三封装层ENL3。例如，第一封装层ENL1和第三封装层ENL3由无机材料制成，上述的无机材料选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂中的至少一种。又例如，第二封装层ENL2由有机材料制成，上述的有机材料为烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯，乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂中的至少一种。本领域技术人员可以根据需要改变薄膜封装层TFE的层数、材料和结构，本公开不限于此。

为证明功函数绝对值不同的金属，对于发光器件电子注入特性的影响，本公开提供下述5种实验方案进行比对，通过检测发光器件中第二电极的电流密度来证明发光器件中电子注入特性的优劣。其中，发光器件中第二电极的电流密度越高发光器件的电子注入性能越佳。

方案1：第二电极CE包括两种第一类型金属和一种第二类型金属，第二电子注入层EIL2包括一种第二类型金属。

方案2：第二电极CE包括两种第一类型金属，第二电子注入层EIL2包括一种第二类型金属。

方案3：第二电极CE包括两种第一类型金属和一种第二类型金属，第二电子注入层EIL2不包括金属。

方案4：第二电极CE包括两种第一类型金属，第二电子注入层EIL2不包括金属。

方案5：第二电极CE包括一种第一类型金属。

图14中示出了5个方案下发光器件的第二电极CE在不同驱动电压下电流密度的变化曲线。可以发现，按照方案1至方案5的顺序，在相同驱动电压下第二电极的电流密度越来越低。其中，方案1至方案4相较于传统方案5而言，能够明显改善第二电极CE在低电压驱动下的电流密度。

其中，如表1所示，将方案1和方案2进行比对发现，在第二电极CE中加入一种第二类型金属，能够进一步提升发光器件的出光效率且进一步降低发光器件的驱动电压。

表1

综上所述，本公开的一些实施例提供的发光器件和显示面板，通过在第二电极、所述第二电子注入层和所述电荷产生层中加入至少三种金属，使得第二电极中金属的功函数的绝对值大于第二电子注入层中金属的功函数的绝对值，能够使得电子从第二电极较好的通过第二电子注入层注入至第二发光单元的第二发光层，提高第二发光单元中的电子注入能力；通过第二电极中金属的功函数的绝对值大于电荷产生层中金属的功函数的绝对值，能够使得电子从第二电极较好的通过电荷产生层注入至第一发光器件的第一发光层，提高第一发光单元中的电子注入能力。这样，能够提高发光器件整体的电子注入能力，进而提高发光器件的出光效率，降低发光器件所需的驱动电压。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

沿第一方向依次叠置的第一电极、至少两个发光单元和第二电极；

所述至少两个发光单元包括第一发光单元、位于所述第一发光单元与所述第二电极之间的第二发光单元、以及位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的电荷产生层；

所述第一发光单元包括第一发光层，所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层，共同包括至少三种金属；

其中，所述发光器件中位于所述第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层，包括自所述第一电极至所述第二电极的方向依次排布的第一膜层、第二膜层和第三膜层；所述第二膜层和所述第三膜层相邻设置；

所述第三膜层中金属的功函数的绝对值，大于所述第二膜层中金属的功函数的绝对值；所述第三膜层中金属的功函数的绝对值，大于所述第一膜层中金属的功函数的绝对值。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的多个膜层中，至少有三个膜层包括金属。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述至少三种金属包括第一类型金属和第二类型金属；

所述第一类型金属的功函数小于-3.5 eV，所述第二类型金属的功函数大于 -3.5 eV。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一类型金属的功函数处于-5.2eV~-3.5 eV 的范围内。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光单元包括第二发光层；

所述发光器件中，位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧包括至少一种所述第二类型金属，位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧包括至少一种所述第一类型金属和至少一种所述第二类型金属。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一膜层位于所述第二发光层靠近所述第一电极的一侧；所述第二膜层和所述第三膜层位于所述第二发光层远离所述第一电极的一侧。

7.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，具有所述第一类型金属的膜层，共包括至少两种金属。

8.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件中位于第一发光层远离所述第一电极一侧的至少两个膜层包括同一种金属。

9.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层包括第一电荷产生子层和第二电荷产生子层；所述第一电荷产生子层位于所述第一发光单元与所述第二电荷产生子层之间；

所述第一电荷产生子层包括至少一种所述第二类型金属。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一电荷产生子层中，所述第二类型金属的体积在所述第一电荷产生子层的体积中的比例，小于或等于1%。

11.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极包括两种所述第一类型金属；

其中，两种所述第一类型金属之间的体积比为100:1~1:100。

12.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，在所述发光器件中，所述第一类型金属的体积总和与所述第二类型金属的体积总和之间的比例，小于或等于20:1。

13.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，在所述发光器件中，所述第二类型金属的体积总和，与所述第一类型金属和所述第二类型金属整体体积之间的比例，大于或等于5%。

14.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层中的至少一层，包括主体材料、以及包含金属的掺杂材料；所述掺杂材料掺杂在所述主体材料内。

15.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层中的至少一层，包括第一子层、以及位于所述第一子层一侧的第二子层；所述第一子层和/或所述第二子层包括金属。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述至少三种金属中至少一种金属为非碱土金属且非碱金属。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述至少三种金属中非碱土金属且非碱金属的金属的体积，与所述至少三种金属的体积之间的比例，大于或等于5%。

18.一种显示面板，其特征在于，包括：

像素界定层，开设有多个发光开口；

发光器件，位于所述发光开口内；所述发光器件为如权利要求1~17中任一项所述的发光器件。

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