CN114975165A - 晶片边缘修整装置及晶片边缘修整方法 - Google Patents

晶片边缘修整装置及晶片边缘修整方法 Download PDF

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Abstract

一种晶片边缘修整装置，包含由腔室壳体定义的处理腔室。处理腔室内具有配置成固持晶片结构的晶片夹盘。此外，刀片配置在晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除晶片结构的边缘部分并定义晶片结构的新侧壁。激光传感器装置配置成将受引导的激光束朝向晶片夹盘的顶部表面引导。激光传感器装置配置成测量晶片结构的分析区域的参数。控制电路系统耦合到激光传感器装置及刀片。控制电路系统配置成当参数与预定阈值偏离至少预定偏移值时启动损害预防工艺。

Description

晶片边缘修整装置及晶片边缘修整方法
技术领域
本发明实施例涉及一种晶片边缘修整装置及晶片边缘修整方法。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有激光传感器装置的晶片边缘修整装置及晶片边缘修整方法。
背景技术
半导体装置制造是一种用于形成日常电子装置中所存在的集成电路的工艺。制造工艺是多步骤序列的光刻和化学处理步骤，在此期间在由半导体材料构成的晶片上逐渐形成电子电路。在制造期间，晶片的边缘可能变得受损或不合适用在电子电路。因此，可在制造期间修整晶片的边缘。
发明内容
一种晶片边缘修整装置包括处理腔室、晶片夹盘、刀片、激光传感器装置以及控制电路系统。所述处理腔室由腔室壳体定义。所述晶片夹盘配置在所述处理腔室内，且配置成固持晶片结构。所述刀片配置在所述晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除所述晶片结构的边缘部分并定义所述晶片结构的新侧壁。所述激光传感器装置配置成将受引导的激光束朝向所述晶片夹盘的顶部表面且在所述晶片夹盘的所述边缘与所述晶片夹盘的中心之间引导，其中所述激光传感器装置配置成测量所述晶片结构的分析区域的参数。所述控制电路系统耦合到所述激光传感器装置及所述刀片，其中所述控制电路系统配置成当所述参数与预定阈值偏离至少预定偏移值时启动损害预防工艺。
一种晶片边缘修整装置包括处理腔室、晶片夹盘、刀片、主轴以及激光传感器装置。所述处理腔室由腔室壳体定义。所述晶片夹盘配置在所述处理腔室内，且配置成支撑晶片结构。所述刀片配置成从所述晶片结构的未受损边缘部分移除所述晶片结构的受损边缘部分，其中通过所述刀片对所述受损边缘部分的所述移除定义所述晶片结构的新侧壁。所述主轴耦合到所述刀片，且配置成在所述晶片结构的所述受损边缘部分的所述移除期间使所述刀片旋转。所述激光传感器装置配置在所述晶片夹盘上方，且配置成将激光束朝向所述晶片结构的所述未受损边缘部分的分析区域引导，其中所述晶片结构的所述未受损边缘部分的所述分析区域侧向配置在所述刀片旁，其中所述激光传感器装置配置成在所述受损边缘部分的所述移除期间测量所述晶片结构的所述分析区域的参数。
一种晶片边缘修整方法包括至少以下步骤。将晶片结构对准在处理腔室内的晶片夹盘上方。转动所述晶片夹盘来旋转所述处理腔室内的晶片结构。使用刀片来修整并移除所述晶片结构的边缘部分以定义所述晶片结构的新侧壁。在直接配置在所述刀片与所述晶片结构的中心之间的所述晶片结构的分析区域处，向所述晶片结构的顶部表面施加共聚焦激光束，其中所述分析区域配置成比所述晶片结构的所述中心更接近于所述刀片。在修整的同时，通过使用施加所述共聚焦激光束的所述激光传感器装置测量所述分析区域的参数。若所述分析区域的所述参数以至少预定偏移值偏离预定阈值，则通过使用耦合到所述激光传感器装置、所述晶片夹盘及/或所述刀片的控制电路系统来执行损害预防工艺。
附图说明
结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，出于论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1示出晶片边缘修整装置的一些实施例的横截面视图，所述晶片边缘修整装置包括布置在晶片夹盘上方且在刀片旁的激光传感器装置，所述激光传感器装置配置成测量晶片夹盘上的晶片结构的参数以减轻在晶片边缘修整期间对晶片结构的损害。
图2示出晶片结构的一些实施例的俯视图，所述俯视图绘示激光装置如何测量晶片结构的配置在刀片与晶片结构的中心之间的分析区域的参数。
图3到图5示出在晶片边缘修整之后的晶片结构的各种实施例的横截面视图。
图6示出利用共聚焦激光来检测晶片结构的结构特性的激光传感器装置的一些实施例的横截面视图。
图7示出通过共聚焦激光扫描显微镜测量的用于示出拉曼(Raman)峰值偏移的拉曼强度曲线的一些实施例的图式。
图8和图9示出晶片边缘修整装置的一些其它实施例的横截面视图，所述晶片边缘修整装置包括配置在晶片夹盘上方且在刀片旁的激光传感器装置，所述激光传感器装置配置成测量晶片夹盘上的晶片结构的参数以减轻在晶片边缘修整期间对晶片结构的损害。
图10示出通过晶片边缘修整来移除晶片结构的边缘部分的刀片的一些实施例的横截面视图。
图11示出耦合到其它处理腔室的晶片边缘修整腔室的一些实施例的俯视图。
图12A到图16示出执行晶片边缘修整工艺的方法的一些实施例的各种视图，其中激光传感器装置检测晶片结构何时易受损，以使得控制电路系统可调整晶片边缘修整工艺条件以减轻对晶片结构的损害。
图17示出与图12A到图16的方法对应的方法的一些实施例的流程图。
附图标号说明
100、300、400、500、600、800、900、1000：横截面视图
101：处理腔室
102：腔室壳体
104：晶片夹盘
106：第一主轴
108：晶片结构
108c：中心
108o：边缘部分
108s：最外侧壁
110、118：旋转
112：刀片
114：金刚石
116：第二主轴
120：激光传感器装置
122：控制电路系统
124：激光束
126：分析区域
200、1100：俯视图
202：修整路径
204：测量路径
302：新侧壁
304：新水平表面
502：第一晶片
504：第二晶片
602：光源
604：检测器
606：第一共聚焦小孔结构
608：激发滤光器
610：双色镜
612：物镜
614：发射滤光器
616：第二小孔结构
618：发射激光束
620：接收激光束
700：图式
702：第一拉曼强度曲线
704：第二拉曼强度曲线
706：预定阈值
708：第二峰值
710：差
902：真空泵
904：真空管道
906：输出管道
1002：微粒
1004：容屑槽
1102：缓冲晶片夹盘
1104：清洁晶片夹盘
1106：储存晶片夹盘
1107：缓冲腔室壳体
1108：缓冲处理腔室
1109：清洁腔室壳体
1110：清洁处理腔室
1111：储存腔室壳体
1112：晶片储存腔室
1114：门
1118：开口
1200A、1200B、1300、1400、1500、1600：视图
1202：装载
1204：突起
1206：凹口
1602：移除
1700：方法
1702、1704、1706、1708、1710、1712、1714、1716、1718：动作
d1：第一距离
d2：第二距离
d3：第三距离
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开。当然，这些特定实例仅是实例且并不意图为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或在第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标记和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外，为易于描述，本文中可使用例如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”以及类似术语的空间相对术语，以描述如图中所示出的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相对术语意图涵盖器件在使用或操作中的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解译。
在半导体装置制造期间，集成电路可在由半导体材料制成的晶片结构上形成。在一些制造方法中，晶片结构的边缘在制造期间变得受损及/或不可靠，且因而被移除。举例来说，在一些实施例中，晶片结构可在其边缘处翘曲。在其它实施例中，多个晶片及/或层彼此堆叠且彼此接合，且在堆叠的边缘处，接合可能较弱。再进一步，在一些实施例中，机械手(robot)可能在边缘处接触晶片结构以供运输，从而导致损害。在一些此类实施例中，多个晶片的整个边缘部分被移除，而在一些其它实施例中，仅从彼此接合的多个晶片的堆叠中的一个晶片移除边缘部分。
因此，半导体装置制造可包含晶片边缘修整工艺，所述晶片边缘修整工艺使用刀片来移除晶片结构的受损边缘部分。晶片边缘修整工艺可在包括晶片夹盘(chuck)的处理腔室中进行，所述晶片夹盘在晶片边缘修整工艺期间固持晶片结构。在一些实施例中，刀片耦合到主轴，所述主轴使刀片围绕主轴的轴线连续旋转。在一些实施例中，晶片夹盘旋转，而刀片(尽管围绕主轴旋转)相对于其在处理腔室中的位置保持静止。
然而，在一些实施例中，随着刀片从晶片结构的中心部分修整晶片结构的边缘部分，应力(例如拉伸应力、压缩应力等)开始在刀片附近的区域处的晶片结构的剩余中心部分中积聚。在一些情况下，应力可导致晶片结构的层之间出现剥离，接着开裂。因此，晶片结构的部分断裂，而使得晶片结构在晶片边缘修整工艺之后比在晶片边缘修整工艺之前更受损。
本公开的各种实施例涉及一种用于晶片边缘修整工艺的处理腔室，所述处理腔室包括晶片夹盘、耦合到主轴的刀片以及激光感测装置，所述激光感测装置配置在刀片旁，且配置成检测晶片结构中的应力以减轻对晶片结构的损害(例如开裂、剥离)。在一些实施例中，激光感测装置包括用于执行共聚焦激光扫描显微镜(confocal laser scanningmicroscopy；CLSM)工艺的共聚焦激光，所述共聚焦激光扫描显微镜工艺以光学方式检测晶片结构的形貌(topography)及内部晶体结构。在一些实施例中，共聚焦激光是导向恰好在刀片旁边的区域处的晶片夹盘，以使得CLSM工艺可分析晶片结构的恰好在被修整的晶片结构旁边的分析区域。CLSM工艺与晶片边缘修整工艺实时地(real-time)进行。
在一些实施例中，CLSM工艺测量晶片结构的形貌，且基于拉曼散射(Ramanscattering)来测量晶体结构。当如由CLSM工艺所测量的拉曼峰值与预定拉曼阈值偏移预定偏移值时，控制电路系统触发损害预防工艺启动。预定偏移值指示如果不使用损害预防工艺，那么在晶片结构中积聚的应力将很快开裂及/或剥离。在一些实施例中，损害预防工艺减小晶片夹盘及/或刀片旋转的速度。在一些其它实施例中，损害预防工艺改变处理腔室及/或在晶片边缘修整工艺期间所使用的冷却液体的温度。在又其它实施例中，损害预防工艺改变处理腔室的一些其它条件以减小在晶片结构中出现开裂、剥离及/或其它损害的几率，以提高晶片边缘修整工艺和所得集成电路的可靠度。
图1示出包括配置在晶片夹盘上方的激光传感器装置的晶片边缘修整装置的一些实施例的横截面视图100。
图1的晶片边缘修整装置包括由腔室壳体102定义的处理腔室101。在一些实施例中，晶片夹盘104配置在处理腔室101的底部附近，且配置成在晶片边缘修整工艺期间固持晶片结构108。在一些实施例中，晶片结构108具有等于第一距离d1的厚度。在一些实施例中，晶片夹盘104配置在第一主轴106上方，耦合到第一主轴106，且受第一主轴106控制。在一些实施例中，第一主轴106耦合到控制电路系统122，且配置成根据受控制电路系统122控制的某一旋转速度旋转110。因此，在一些实施例中，晶片夹盘104配置成旋转110，从而使配置在其上的晶片结构108旋转。在一些实施例中，晶片夹盘104配置成在晶片夹盘104的旋转110和晶片边缘修整工艺的其它步骤期间紧固地固持晶片结构108。在一些实施例中，晶片夹盘104通过静电接触、真空吸引或一些其它合适的紧固技术固持晶片结构108。
在一些实施例中，刀片112配置在晶片夹盘104上方以及晶片结构108的边缘部分108o上方。在一些实施例中，刀片112包括嵌入刀片112中的金刚石114以有助于由刀片112提供的切割的精确度和准确度。在一些其它实施例中，刀片112可包括除金刚石114之外的其它材料。在一些实施例中，刀片112耦合到配置成使刀片112旋转118的第二主轴116。在一些实施例中，第二主轴116耦合到控制电路系统122，其中控制电路系统122可控制第二主轴116和刀片112的旋转速度。在一些实施例中，第二主轴116固定到腔室壳体102的内部侧壁。在一些其它实施例中，第二主轴116可上下移动以用于在处理腔室101内装载和卸载晶片结构108。然而，在一些实施例中，刀片112配置成在晶片边缘修整工艺期间移除晶片结构108的边缘部分108o。在一些实施例中，刀片112配置成以等于第二距离d2的特定修整深度移除边缘部分108o。在一些实施例中，第二距离d2小于第一距离d1，而在一些其它实施例中，第二距离d2大于或等于第一距离d1。
在一些实施例中，处理腔室101更包括激光传感器装置120。在一些实施例中，激光传感器装置120配置在晶片夹盘104正上方，且配置成将激光束124朝向晶片夹盘104引导以测量晶片结构108的特性。在一些实施例中，激光束124配置成在晶片结构108的分析区域126处测量晶片结构108的特性。在一些实施例中，分析区域126是配置在晶片结构108的上部表面与下部表面之间的晶片结构108的内部部分，以使得激光传感器装置120测量晶片结构108的晶体结构的特性。在一些实施例中，分析区域126可配置在晶片结构108的上部表面上以测量晶片结构108的形貌的特征。在一些实施例中，分析区域126配置在晶片结构108的边缘附近，且配置在刀片112与晶片结构108的中心之间。在一些实施例中，分析区域126配置成比晶片结构108的中心还要更接近于刀片112。
举例来说，在一些实施例中，激光传感器装置120包括共聚焦激光，所述共聚焦激光配置成将激光束124引导到晶片结构108内的分析区域126。在一些实施例中，激光传感器装置120包括电路系统，所述电路系统配置成处理分析区域126的测量值。在一些其它实施例中，耦合到激光传感器装置120的控制电路系统122处理分析区域126的测量值。在一些实施例中，激光传感器装置120使用共聚焦激光扫描显微镜(CLSM)工艺进行测量。在一些实施例中，CLSM工艺测量拉曼强度(Raman intensity)曲线，所述拉曼强度曲线对应于晶片结构108的分析区域126的晶体结构。在一些实施例中，当进行晶片边缘修整工艺以移除晶片结构108的边缘部分108o时，激光传感器装置120连续收集晶片结构108的分析区域126的拉曼强度数据。
在一些实施例中，拉曼强度数据对应于分析区域126的晶体结构，且指示当刀片112正在移除晶片结构108的边缘部分108o时，在晶片结构108的分析区域126中存在应力(例如拉伸应力、压缩应力等)。应力因刀片112对晶片结构108的施力而在晶片结构108中积聚。由于激光传感器装置120在晶片结构108旋转110时静止，因此由激光传感器装置120测量的晶片结构108的分析区域126连续地变动。如将在图7中进一步解释，拉曼强度数据的拉曼峰值随着应力在分析区域126中积聚而偏移。在一些实施例中，基于由激光传感器装置120测量的拉曼强度数据，当应力积聚过多时，控制电路系统122在晶片边缘修整工艺期间实施损害预防工艺，以防止应力对晶片结构108产生损害(例如剥离、开裂等)。在一些实施例中，如图7中将描述，当参数测量值(例如拉曼强度数据)与预定阈值偏离至少预定偏移值时，分析区域126易受损。在一些其它实施例中，参数测量值可以是平均表面粗糙度或晶片结构108的对应于损害或缺陷的一些其它结构特征或化学特征。
在一些实施例中，控制电路系统122配置成通过减小晶片夹盘104及/或刀片112旋转的速度来实施损害预防工艺。在一些其它实施例中，控制电路系统122配置成通过改变处理腔室101的一些其它条件来实施损害预防工艺，所述其它条件例如处理腔室101的温度、在刀片112附近使用的任何冷却液体(未示出)的压力，或防止损害晶片结构108的一些其它合适的条件。在分析区域126的参数测量值与预定阈值偏离小于预定偏移值的某一值之后，接着控制电路系统122可将处理条件返回到在损害预防工艺之前所使用的原始处理条件。因此，激光传感器装置120和控制电路系统122可根据由激光传感器装置120测量的数据来实时改变晶片边缘修整工艺的处理参数，以提高晶片边缘修整工艺的可靠度且减小晶片结构108中的损害。
图2示出在整个晶片边缘修整工艺中使用的晶片结构的各个部分的一些实施例的俯视图200。
俯视图200示出待从晶片结构108移除的边缘部分108o。在一些实施例中，边缘部分108o是晶片结构108的连续环状部分。此外，刀片112(在图2中以散列点线示出)配置成沿修整路径202(以散列线示出)移除边缘部分108o。修整路径202使可包括损害的边缘部分108o与可并不包括损害的内部边缘部分分离，所述内部边缘部分通过晶片边缘修整工艺由新侧壁(参见图3的302)定义。
在一些实施例中，刀片112围绕第二主轴(图1的116)旋转，但当晶片结构108在晶片边缘修整工艺期间朝向刀片112旋转时，所述刀片112从俯视图200看保持静止。在一些实施例中，当晶片结构108旋转时，激光束(图1的124)从俯视图200看保持静止。因此，在一些实施例中，激光传感器装置(图1的120)在晶片边缘修整工艺期间沿测量路径204连续测量分析区域126，所述测量路径204由长短散列线示出。
在一些实施例中，晶片结构108的分析区域126配置成紧邻刀片112。在一些实施例中，分析区域126定位为尽可能接近于刀片112以收集最准确且精确的数据，所述数据指示刀片112在晶片结构108中的潜在损害。因此，在一些实施例中，分析区域126定位在晶片结构108正上方，且直接在刀片112与晶片结构108的中心108c之间。在一些此类实施例中，分析区域126定位成比晶片结构108的中心108c更接近于刀片112。在一些实施例中，分析区域126定位在距刀片112第三距离d3处。在一些实施例中，第三距离d3在例如大约10奈米到大约1000微米之间的范围内。
图3、图4以及图5示出在晶片边缘修整工艺之后的各种晶片结构的横截面视图300、横截面视图400以及横截面视图500。
如图3的横截面视图300中所绘示，在一些实施例中，晶片结构108是包括半导体材料(例如硅、锗等)或一些其它合适的支撑材料(例如玻璃)的单晶片(single wafer)。在一些实施例中，各种层和电路(未示出)配置在晶片结构108上。在一些实施例中，晶片边缘修整工艺定义晶片结构108的新侧壁302。在一些实施例中，新侧壁302配置在晶片结构108的中心108c与晶片结构108的最外部侧壁108s之间。新侧壁302由刀片(图2的112)的修整路径(图2的202)定义。此外，在一些实施例中，修整深度(图1的d2)小于晶片结构108的厚度(图1的d1)，以使得晶片边缘修整工艺还定义晶片结构108的配置在晶片结构108的最顶部表面与最底部表面之间的新水平表面304。在一些实施例中，激光传感器装置(图1的120)和控制电路系统(图1的122)在晶片结构108的在晶片结构108的新侧壁302和新水平表面304附近的区处防止对晶片结构108的损害(例如剥离、开裂等)。
如图4的横截面视图400中所绘示，在一些实施例中，修整深度(图1的d2)大于或等于晶片结构108的厚度(图1的d1)，以使得由晶片边缘修整工艺定义的新侧壁302也是晶片结构108的最外部侧壁108s。
如图5的横截面视图500中所绘示，在一些其它实施例中，晶片结构108可包括彼此接合的多个晶片或衬底，例如绝缘层上硅衬底、彼此接合以供封装的晶片堆叠或类似物。举例来说，在一些实施例中，晶片结构108包括第一晶片502，所述第一晶片502配置在第二晶片504上方且接合到第二晶片504。在一些实施例中，晶片边缘修整工艺仅移除第一晶片502的边缘部分(图2的108o)以定义第一晶片502的新侧壁302。在一些其它实施例中，晶片边缘修整工艺可移除第一晶片502和第二晶片504的边缘部分(图2的108o)以定义整个晶片结构108的新侧壁302。
图6示出利用共聚焦激光来检测晶片结构的结构特性的激光传感器装置的一些实施例的横截面视图600。
在一些实施例中，激光传感器装置120包括配置成发射发射激光束618的光源602和配置成接收接收激光束620的检测器604。在一些实施例中，激光传感器装置120包括多个小孔、透镜以及镜面以将激光束(618，620)在光源602与检测器604之间恰当引导以测量晶片结构108的分析区域126的特性。
举例来说，在一些实施例中，光源602发射处于特定波长的发射激光束618(如散列线所示出)，且使用第一共聚焦小孔结构606将所述发射激光束618朝向双色镜(dichroicmirror)610引导。在一些实施例中，发射激光束618还行进穿过配置在第一共聚焦小孔结构606与双色镜610之间的激发滤光器608。在一些实施例中，发射激光束618从双色镜610反射，且使用物镜(objective lens)612朝向晶片结构108的分析区域126聚焦。在一些实施例中，接收激光束620(如点线所示出)接着从晶片结构108的分析区域126反射，行进穿过物镜612、双色镜610、发射滤光器614以及第二小孔结构616，以待由检测器604接收。在一些实施例中，接收激光束620的波长对应于晶片结构108的分析区域126的晶体结构。在一些实施例中，发射激光束618的波长、小孔、透镜以及镜面的配置及/或激光传感器装置120相对于晶片结构108的位置可变化，以改变待测量的晶片结构108的特性及/或改变分析区域126的所要位置。
图7示出如由共聚焦激光扫描显微镜所测量的拉曼强度曲线的一些实施例的图式700。
图7的图式700示出在CLSM工艺期间产生的拉曼强度对波数。在一些实施例中，激光传感器装置(图1的120)测量晶片结构(图1的108)的分析区域(图1的126)的拉曼强度曲线。在一些实施例中，拉曼强度曲线对应于分析区域(图1的126)的晶体结构的接合。在一些实施例中，拉曼峰值变化指示晶片结构(图1的108)的分析区域(图1的126)的晶体结构内的应力(例如拉伸应力、压缩应力等)变化。
在一些实施例中，在晶片边缘修整工艺之前，晶片结构108可具有指示晶片结构108内的可接受应力的某一平均量的第一拉曼强度曲线702。在一些此类实施例中，指示可接受应力(例如不易受损)的平均量的第一拉曼强度曲线702的峰值等于预定阈值706。在一些实施例中，在晶片边缘修整工艺期间，晶片结构108可具有由激光传感器装置(图1的120)实时测量的指示晶片结构108内的应力变化的第二拉曼强度曲线704。在一些实施例中，第二拉曼强度曲线704的峰值等于第二峰值708。在一些实施例中，当预定阈值706与第二峰值708之间的差710大于预定偏移值时，应力变化指示晶片结构108易受损。
因此，当第二实时拉曼强度曲线704的峰值在晶片边缘修整工艺期间在正方向或负方向上与第一拉曼强度曲线702的峰值偏移大于预定偏移值的量时，控制电路系统(图1的122)实施损害预防工艺以防止对晶片结构108的损害。当第二实时拉曼强度曲线704的峰值在晶片边缘修整工艺期间往接近于第一拉曼强度曲线702的峰值偏移且小于预定偏移值的量时，接着控制电路系统(图1的122)可返回到其原始处理条件。
应理解的是，图7的拉曼强度曲线是由激光传感器装置(图1的120)收集的许多类型的数据中的一个。在一些其它实施例中，激光传感器装置(图1的120)可测量晶片结构108的形貌，所述形貌也通过与预定阈值的大于预定偏移值的某一变化来指示晶片结构108何时易受损。
图8示出包括在晶片夹盘上方的激光传感器装置和两个刀片的晶片边缘修整装置的一些其它实施例的横截面视图800。
在一些其它实施例中，处理腔室101可包括用于晶片边缘修整工艺的多个刀片112。多个刀片112可用于在晶片边缘修整工艺的一些实施例期间修整不同深度及/或不同宽度的晶片结构108。在一些实施例中，每一刀片112存在激光传感器装置120，以使得当激光传感器装置120中的至少一个指示晶片结构108的易受损区时，可由控制电路系统122实施损害预防工艺。
图9示出包括在刀片周围的输出管道以移除在晶片边缘修整工艺期间产生的微粒的晶片边缘修整装置的一些其它实施例的横截面视图900。
在一些实施例中，晶片边缘修整装置更包括配置在刀片112周围的输出管道906以在晶片边缘修整工艺期间移除晶片结构108的微粒。输出管道906辅助损害预防以使得晶片结构108的微粒不会刮擦及/或污染晶片结构108。此外，在一些实施例中，真空泵902通过真空管道904耦合到晶片夹盘104以通过真空吸引将晶片结构108紧固地固持到晶片夹盘104上。
图10示出通过晶片边缘修整来移除晶片结构的边缘部分的刀片的一些实施例的横截面视图1000，其中所述刀片包括用于收集在晶片边缘修整工艺期间产生的微粒的槽。
图10示出在晶片边缘修整工艺移除晶片结构108的边缘部分时存在的晶片结构108的微粒1002。在一些实施例中，刀片112可包括容屑槽(chip pocket)1004，所述容屑槽1004配置成在晶片边缘修整工艺期间收集微粒1002中的一些，以防止微粒1002刮擦及/或污染晶片结构108。因此，在一些实施例中，可在晶片边缘修整装置中使用一或多种微粒移除技术(例如图10的容屑槽1004、图9的输出管道906等)，以防止由在修整期间产生的微粒1002对晶片结构108的损害。
此外，在一些实施例中，从图10的横截面视图1000看，刀片112可通过第二主轴116以顺时针方向旋转118，而晶片结构108从右到左旋转110。刀片112与晶片结构108之间的此旋转关系称为下切模式(down-cut mode)。在一些其它实施例中，刀片112可通过第二主轴116以顺时针方向旋转118，而晶片结构108从左到右旋转110(未示出)。刀片112与晶片结构108之间的此旋转关系称为上切模式(up-cut mode)。在一些实施例中，相较于上切模式，下切模式具有更高的开裂风险，但具有更低的剥离风险。然而，由于激光传感器装置(图1的120)可检测何时可能出现损害(例如开裂、剥离)，因此下切模式或上切模式可用于晶片边缘修整工艺中。
图11示出耦合到其它处理腔室的晶片边缘修整腔室的一些实施例的俯视图1100。
在一些实施例中，晶片边缘修整装置的由腔室壳体102定义的处理腔室101耦合到由清洁腔室壳体1109定义的清洁处理腔室1110、由缓冲腔室壳体1107定义的缓冲处理腔室1108以及由储存腔室壳体1111定义的晶片储存腔室1112。在一些实施例中，清洁处理腔室1110包括清洁晶片夹盘1104；缓冲处理腔室1108包括缓冲晶片夹盘1102；且晶片储存腔室1112包括一或多个储存晶片夹盘1106。在一些实施例中，门1114及/或开口1118可配置在每一腔室壳体(102，1107，1109，1111)之间，以在每一腔室(101，1108，1110，1112)中进行不同工艺期间打开和关闭。
在一些实施例中，晶片结构(图1的108)可来自于晶片储存腔室1112。在一些实施例中，晶片储存腔室1112和储存腔室壳体1111可以是或包括晶舟(cassette)、前开式通用晶片盒(front opening unified pod；FOUP)，或可将多个晶片结构(图1的108)固持在多个储存晶片夹盘1106上的某一其它储存结构。因此，在一些实施例中，储存腔室壳体1111是可与新的储存腔室壳体1111互换以连续处理更多晶片结构(图1的108)的可移动盒。
在一些实施例中，在运输到处理腔室101中以供晶片边缘修整处理之前，晶片结构(图1的108)在储存腔室壳体1111与缓冲处理腔室1108之间运输。在一些实施例中，在晶片边缘修整工艺之后，接着将晶片结构(图1的108)运输回到缓冲处理腔室1108且运输到清洁处理腔室1110中。在一些实施例中，清洁处理腔室1110配置成进行清洁工艺以移除晶片结构(图1的108)上来自晶片边缘修整的任何微粒(图10的1002)。在一些实施例中，清洁处理腔室1110配置成在清洁晶片夹盘1104使晶片结构(图1的108)自旋以移除清洁溶液和微粒(图10的1002)并干燥晶片结构(图1的108)时，将清洁溶液施加到晶片结构(图1的108)。
在一些实施例中，在清洁工艺之后，晶片结构(图10的108)从清洁处理腔室1110运输回到储存腔室壳体1111。在一些实施例中，一旦所有晶片结构(图10的108)在晶片边缘修整工艺和清洁工艺之后都返回到储存腔室壳体1111，便将新的储存腔室壳体1111耦合到缓冲腔室壳体1107以对更多晶片结构(图1的108)进行晶片边缘修整工艺。
图12A到图16示出执行晶片边缘修整工艺的方法的一些实施例的各种视图1200A到1600，其中激光传感器装置检测晶片结构何时易受损，以使得控制电路系统可调整晶片边缘修整工艺条件以防止或减轻对晶片结构的损害。尽管使用关于方法来描述图12A到图16，但应了解的是，图12A到图16中所公开的结构不限于此方法，而是可单独作为独立于所述方法的结构。
如图12A的横截面视图1200A中所绘示，在一些实施例中，晶片结构108装载1202到由腔室壳体102定义的处理腔室101中，且装载1202到处理腔室101内的晶片夹盘104上。在一些实施例中，晶片结构108可通过机器人臂(未示出)或某一其它晶片运输工具装载1202到处理腔室101中。在一些实施例中，晶片结构108从某一其它腔室装载到处理腔室101中，所述其它腔室如缓冲处理腔室(图11的1108)、晶片储存腔室(图11的1112)、清洁处理腔室(图11的1110)或某一其它合适的腔室。在一些实施例中，晶片结构108包括任何类型的半导体主体(例如硅/CMOS块(bulk)、SiGe、SOI等)，如半导体晶片或晶片上的一或多个管芯；以及任何其它类型的半导体及/或形成于其上及/或以其它方式与其相关联的外延层。因此，在一些实施例中，晶片结构108可包括单晶片或彼此接合的多个晶片的堆叠。在一些实施例中，晶片结构108具有等于第一距离d1的厚度。
在一些实施例中，晶片夹盘104配置在处理腔室101的底部附近，且耦合到配置成在处理期间使晶片夹盘104旋转的第一主轴106。在一些实施例中，晶片夹盘104配置成在处理期间紧固地固持晶片结构108。在一些实施例中，举例来说，晶片夹盘104可以是利用静电力以将晶片结构108固持到晶片夹盘104上的静电夹盘；晶片夹盘104可耦合到配置成通过真空管道(例如图9的904)来固持晶片结构108的真空泵(例如图9的902)；或晶片夹盘104可在处理期间使用某一其它合适的机制来固持晶片结构108。
在一些实施例中，处理腔室101更包括耦合到第二主轴116的刀片112，其中第二主轴116配置成在处理期间使刀片112旋转。在一些实施例中，在晶片结构108被装载1202到晶片夹盘104上时，刀片112的底部以大于第一距离d1的第三距离d3与晶片夹盘104间隔开，以使得晶片结构108可在不受刀片112干扰的情况下装载到晶片夹盘104上。在一些实施例中，刀片112包括嵌入刀片112中的金刚石114以有助于由刀片112提供的切割的精确度和准确度。在一些其它实施例中，刀片112可包括除金刚石114之外的其它材料。刀片112配置在晶片夹盘104上方，且配置成在晶片结构108暴露于刀片112时以及在晶片夹盘104旋转时移除晶片结构108的边缘部分。
在一些实施例中，激光传感器装置120配置在晶片夹盘104上方，且配置在晶片夹盘104的中心与刀片112之间。在一些实施例中，激光传感器装置120配置成在刀片112正在修整晶片结构108的受损边缘部分时(例如在刀片112修整所述受损边缘部分的同时)，将共聚焦激光束朝向晶片夹盘104引导以测量配置在晶片夹盘104上的晶片结构108的参数。在一些实施例中，第一主轴106、第二主轴116及/或激光传感器装置120通过导线或以无线方式(未示出)耦合到控制电路系统122。在一些实施例中，控制电路系统122可控制第一主轴106和第二主轴116的旋转速度，也可控制激光传感器装置120的功率和数据处理。在一些实施例中，控制电路系统122配置成当激光传感器装置120在由刀片112修整期间检测到晶片结构108的易受损区时，在晶片边缘修整工艺期间实施损害预防工艺。
如图12B的透视图1200B中所绘示，在一些实施例中，在将晶片结构108装载1202到晶片夹盘104上时，通过凹口突起对准工艺(notch-protrusion alignment process)将晶片结构108与晶片夹盘104对准。在绘示凹口突起对准工艺时，为简单起见，图12B的透视图1200B仅绘示晶片结构108和处理腔室(图12A的101)的晶片夹盘104。在一些此类实施例中，晶片结构108包括凹口1206，所述凹口1206是晶片结构108的边缘附近的凹痕。在一些实施例中，晶片夹盘104包括突起1204，所述突起1204从晶片夹盘104的上部表面突出。在一些实施例中，晶片结构108的凹口1206和晶片夹盘104的突起1204包括从俯视透视图看相同的形状。举例来说，在图12B中，从俯视图看，凹口1206和突起1204可呈现三角形形状。在其它实施例中，从俯视图看，凹口1206和突起1204可呈现半圆形、矩形、正方形或某一其它形状。
在一些实施例中，使用相机、激光及/或运输机器人来使晶片结构108的凹口1206与晶片夹盘104的突起1204对准。晶片结构108对准到晶片夹盘104上，以使得通过晶片边缘修整工艺将晶片结构108的所要边缘部分从晶片结构108移除。如果晶片结构108未对准在晶片夹盘104上方，那么可移除比所要的更多或更少的晶片结构108。应了解的是，可使用如上部表面晶片对准标记的其它对准方法来将晶片结构108对准在晶片夹盘104上方。
如图13的横截面视图1300中所绘示，在一些实施例中，控制电路系统122“开启”第一主轴106、第二主轴116以及激光传感器装置120。在一些实施例中，第一主轴106和对应刀片112由控制电路系统122“开启”，且朝向晶片结构108移动，并配置在等于第二距离d2的修整深度处。在一些实施例中，修整深度由晶片结构108的最顶部表面与刀片112的最底部表面之间的第二距离d2定义。在一些实施例中，第二距离d2(例如修整深度)小于第一距离d1(例如晶片结构108的厚度)。在一些其它实施例中，第二距离d2(例如修整深度)大于或等于第一距离d1(例如晶片结构108的厚度)。
在一些实施例中，控制电路系统122开始在第一组修整条件下的晶片边缘修整工艺，其中第一主轴106设定成以第一旋转速度旋转110，且其中第二主轴116设定成以第二旋转速度旋转118。另外，在一些实施例中，受控制电路系统122控制的第一组修整条件可包含处理腔室101的温度、压力及/或其它条件的第一设定。
在一些实施例中，当刀片112正在旋转118且晶片结构108正在旋转110时，激光传感器装置120在晶片结构108的配置在刀片112旁和晶片结构108上方的分析区域126处连续测量晶片结构108的特性。
如图14的横截面视图1400中所绘示，当晶片边缘修整工艺在图13与图14之间的时间内进行时，通过刀片112形成晶片结构108的新侧壁302。在一些实施例中，在晶片边缘修整工艺期间，激光传感器装置120检测晶片结构108的参数(例如晶体结构中的应力、形貌中的粗糙度等)，且所述参数指示可能因刀片112的施力而在晶片结构108中出现的损害。因此，在一些实施例中，如由激光传感器装置120所测量，当所测量参数与预定阈值参数偏离至少预定偏移值时，控制电路系统122使用不同于第一组修整条件的第二组修整条件来执行损害预防工艺。在一些实施例中，第二组修整条件减小第一主轴106的第一旋转速度及/或第二主轴116的第二旋转速度。在一些其它实施例中，第二组修整条件可改变处理腔室101的压力及/或温度。在又其它实施例中，第二组修整条件可改变处理腔室101的某一其它条件以防止损害晶片结构108的易受损区域。
在一些实施例中，在激光传感器装置120继续测量晶片结构108的分析区域126的参数时，如果所测量参数与预定阈值偏离小于预定偏移值的量，那么控制电路系统122可将晶片边缘修整工艺返回到第一组修整条件。在一些实施例中，第一组修整条件与第二组修整条件之间的改变继续，直到完全移除晶片结构108的边缘部分为止。
如图15的横截面视图1500中所绘示，在一些实施例中，一旦完全移除晶片结构108的边缘部分，刀片112便可向上移动且远离晶片夹盘104。归因于激光传感器装置120和损害预防工艺，在不对晶片结构108形成更大损害的情况下移除晶片结构108的边缘部分。
如图16的横截面视图1600中所绘示，在一些实施例中，接着可从处理腔室101移除1602晶片结构108。在一些实施例中，使用机器人臂(未示出)或某一其它晶片运输工具来移除晶片结构108。在一些实施例中，接着将晶片结构108装载到某一其它腔室中以供进一步处理，所述其它腔室如缓冲处理腔室(图11的1108)、晶片储存腔室(图11的1112)、清洁处理腔室(图11的1110)或某一其它合适的腔室。
图17示出根据图12A到图16中的步骤的晶片边缘修整工艺的一些实施例的方法1700的一些实施例的流程图。
虽然下文将方法1700示出且描述为一系列动作或事件，但应了解的是，不应以限制性意义来解释此类动作或事件的所示出次序。举例来说，除本文中所示出及/或所描述的动作或事件之外，一些动作可与其它动作或事件以不同次序及/或同时出现。另外，可能并不需要全部所示出的动作来实施本文中的描述的一或多个方面或实施例。此外，本文中所描绘的动作中的一或多个可以一或多个单独的动作及/或阶段来进行。
在动作1702处，将晶片结构对准在处理腔室内的晶片夹盘上方。图12A和图12B示出对应于动作1702的一些实施例的横截面视图1200A和透视图1200B。
在动作1704处，使用第一组修整条件来执行晶片边缘修整工艺。
在动作1706处，转动晶片夹盘来旋转处理腔室内的晶片结构。
在动作1708处，使用刀片来修整晶片结构的受损边缘部分以定义晶片结构的新侧壁。
在动作1710处，在直接配置在刀片与晶片结构的中心之间的晶片结构的分析区域处，朝向晶片结构的顶部表面施加共聚焦激光。
在动作1712处，在修整的同时通过使用共聚焦激光测量分析区域的参数。图13示出对应于动作1704、动作1706、动作1708、动作1710以及动作1712的一些实施例的横截面视图1300。
在动作1714处，若分析区域的参数与预定阈值偏离预定偏移值，则通过使用不同于第一组修整条件的第二组修整条件来执行损害预防工艺，且所述损害预防工艺使用耦合到共聚焦激光、晶片夹盘及/或刀片的控制电路系统。图13示出同样对应于动作1714的一些实施例的横截面视图1300。此外，图7示出与动作1714相关的一些实施例的图式700。
在动作1716处，一旦分析区域的参数与预定阈值偏离小于预定偏移值的量，便使用控制电路系统使修整条件返回到第一组修整条件。
在动作1718处，重复步骤1704到步骤1716，直到完全移除晶片结构的受损边缘部分为止。图15示出对应于动作1716和动作1718的一些实施例的横截面视图1500。
因此，本公开涉及一种晶片边缘修整装置，包括配置在刀片与晶片夹盘的中心之间的激光传感器装置，其中在晶片边缘修整工艺期间，激光传感器装置配置成检测晶片结构何时将变得受损，以使得可实施损害预防工艺来避免对晶片结构的损害。
因此，在一些实施例中，本公开涉及一种晶片边缘修整装置，包括：处理腔室，由腔室壳体定义；晶片夹盘，配置在处理腔室内，且配置成固持晶片结构；刀片，配置在晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除晶片结构的边缘部分并定义晶片结构的新侧壁；激光传感器装置，配置成将受引导的激光束朝向晶片夹盘的顶部表面且在晶片夹盘的边缘与晶片夹盘的中心之间引导，其中激光传感器装置配置成测量晶片结构的分析区域的参数；以及控制电路系统，耦合到激光传感器装置及刀片，其中控制电路系统配置成当参数与预定阈值偏离至少预定偏移值时启动损害预防工艺。
根据本公开的一些实施例，所述激光传感器装置包括共聚焦激光，且使用共聚焦激光扫描显微镜工艺来测量所述参数。
根据本公开的一些实施例，所述参数对应于所述晶片结构内的在所述分析区域处的应力的量。
根据本公开的一些实施例，所述晶片边缘修整装置更包括主轴。所述主轴耦合到所述刀片，且配置成以受所述控制电路系统控制的旋转速度使所述刀片连续自旋。
根据本公开的一些实施例，所述晶片夹盘配置成使用真空吸引固持所述晶片结构，且所述晶片夹盘配置成在所述晶片结构的所述边缘部分的所述移除期间连续旋转。
根据本公开的一些实施例，所述刀片包括金刚石。
根据本公开的一些实施例，所述晶片边缘修整装置更包括输出管道。所述输出管道耦合到所述刀片，且配置成从所述晶片结构移除在所述晶片结构的所述边缘部分的所述移除期间产生的微粒。
在其它实施例中，本公开涉及一种晶片边缘修整装置，包括：处理腔室，由腔室壳体定义；晶片夹盘，配置在处理腔室内，且配置成支撑晶片结构；刀片，配置成从晶片结构的未受损边缘部分移除晶片结构的受损边缘部分，其中通过刀片对受损边缘部分的移除定义晶片结构的新侧壁；主轴，耦合到刀片，且配置成在晶片结构的受损边缘部分的移除期间使刀片旋转；以及激光传感器装置，配置在晶片夹盘上方，且配置成将激光束朝向晶片结构的未受损边缘部分的分析区域引导，其中晶片结构的未受损边缘部分的分析区域侧向配置在刀片旁，其中激光传感器装置配置成在受损边缘部分的移除期间测量晶片结构的分析区域的参数。
根据本公开的一些替代性实施例，所述参数对应于所述晶片结构的所述分析区域内的拉伸及/或压缩应力的测量值。
根据本公开的一些替代性实施例，所述晶片边缘修整装置更包括控制电路系统。所述控制电路系统耦合到所述激光传感器装置及所述刀片。所述控制电路系统配置成当所述参数与预定阈值偏离预定偏移值时启动损害预防工艺。
根据本公开的一些替代性实施例，所述晶片结构包括彼此接合的多个层，且其中所述晶片结构的最顶部层包括待移除的所述受损边缘部分。
根据本公开的一些替代性实施例，所述晶片夹盘配置成使所述晶片结构旋转，其中所述主轴及所述刀片配置成保持静止且耦合所述腔室壳体的内壁。
根据本公开的一些替代性实施例，所述晶片夹盘包括凹口对准标记，所述凹口对准标记配置成辅助将所述晶片结构对准到所述晶片夹盘上。
根据本公开的一些替代性实施例，所述晶片边缘修整装置更包括清洁腔室。所述清洁腔室由清洁腔室壳体定义，耦合到所述处理腔室，且配置成在所述受损边缘部分的所述移除之后清洁所述晶片结构。
在又其它实施例中，本公开涉及一种晶片边缘修整方法，包括：将晶片结构对准在处理腔室内的晶片夹盘上方；转动晶片夹盘来旋转处理腔室内的晶片结构；使用刀片来修整并移除晶片结构的边缘部分以定义晶片结构的新侧壁；在直接配置在刀片与晶片结构的中心之间的晶片结构的分析区域处，向晶片结构的顶部表面施加共聚焦激光束，其中分析区域配置成比晶片结构的中心更接近于刀片；在修整的同时，通过使用施加共聚焦激光束的激光传感器装置测量分析区域的参数；以及若分析区域的参数以至少预定偏移值偏离预定阈值，则通过使用耦合到激光传感器装置、晶片夹盘及/或刀片的控制电路系统来执行损害预防工艺。
根据本公开的一些实施例，所述损害预防工艺包括减小所述刀片的旋转速度。
根据本公开的一些实施例，所述损害预防工艺包括减小所述晶片夹盘的旋转速度。
根据本公开的一些实施例，所述参数是所述晶片结构的所述分析区域内的应力的测量值。
根据本公开的一些实施例，使用共聚焦激光扫描显微镜来进行所述参数的所述测量。
根据本公开的一些实施例，所述预定阈值是指示所述晶片结构的所述分析区域内的应力的第一量的拉曼峰强度值，所述预定偏移值指示所述晶片的所述分析区域内的应力的第二量，且所述应力的第二量大于所述应力的第一量。
前文概述若干实施例的特征以使得所属领域的技术人员可以更好地理解本公开的各方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于使用本公开作为设计或修改用于实施本文中所引入实施例的相同目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造不脱离本公开的精神和范围，且所属领域的技术人员可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中作出各种改变、替代以及更改。

Claims (10)

1.一种晶片边缘修整装置，包括：
处理腔室，由腔室壳体定义；
晶片夹盘，配置在所述处理腔室内，且配置成固持晶片结构；
刀片，配置在所述晶片夹盘的边缘附近，且配置成移除所述晶片结构的边缘部分并定义所述晶片结构的新侧壁；
激光传感器装置，配置成将受引导的激光束朝向所述晶片夹盘的顶部表面且在所述晶片夹盘的所述边缘与所述晶片夹盘的中心之间引导，其中所述激光传感器装置配置成测量所述晶片结构的分析区域的参数；以及
控制电路系统，耦合到所述激光传感器装置及所述刀片，其中所述控制电路系统配置成当所述参数与预定阈值偏离至少预定偏移值时启动损害预防工艺。
2.根据权利要求1所述的晶片边缘修整装置，其中所述激光传感器装置包括共聚焦激光，且其中使用共聚焦激光扫描显微镜工艺来测量所述参数。
3.根据权利要求1所述的晶片边缘修整装置，其中所述晶片夹盘配置成使用真空吸引固持所述晶片结构，且其中所述晶片夹盘配置成在所述晶片结构的所述边缘部分的所述移除期间连续旋转。
4.根据权利要求1所述的晶片边缘修整装置，更包括：
输出管道，耦合到所述刀片，且配置成从所述晶片结构移除在所述晶片结构的所述边缘部分的所述移除期间产生的微粒。
5.一种晶片边缘修整装置，包括：
处理腔室，由腔室壳体定义；
晶片夹盘，配置在所述处理腔室内，且配置成支撑晶片结构；
刀片，配置成从所述晶片结构的未受损边缘部分移除所述晶片结构的受损边缘部分，其中通过所述刀片移除所述受损边缘部分定义所述晶片结构的新侧壁；
主轴，耦合到所述刀片，且配置成在所述晶片结构的所述受损边缘部分的所述移除期间使所述刀片旋转；以及
激光传感器装置，配置在所述晶片夹盘上方，且配置成将激光束朝向所述晶片结构的所述未受损边缘部分的分析区域引导，其中所述晶片结构的所述未受损边缘部分的所述分析区域在所述刀片旁侧向配置，其中所述激光传感器装置配置成在所述受损边缘部分的所述移除期间测量所述晶片结构的所述分析区域的参数。
6.根据权利要求5所述的晶片边缘修整装置，其中所述参数对应于所述晶片结构的所述分析区域内的拉伸及/或压缩应力的测量值。
7.根据权利要求5所述的晶片边缘修整装置，其中所述晶片夹盘包括凹口对准标记，所述凹口对准标记配置成辅助将所述晶片结构对准到所述晶片夹盘上。
8.根据权利要求5所述的晶片边缘修整装置，更包括：
清洁腔室，由清洁腔室壳体定义，耦合到所述处理腔室，且配置成在所述受损边缘部分的所述移除之后清洁所述晶片结构。
9.一种晶片边缘修整方法，包括：
将晶片结构对准在处理腔室内的晶片夹盘上方；
转动所述晶片夹盘来旋转所述处理腔室内的所述晶片结构；
使用刀片来修整并移除所述晶片结构的边缘部分以定义所述晶片结构的新侧壁；
在直接配置在所述刀片与所述晶片结构的中心之间的所述晶片结构的分析区域处，向所述晶片结构的顶部表面施加共聚焦激光束，其中所述分析区域配置成比所述晶片结构的所述中心更接近于所述刀片；
在所述修整的同时，通过使用施加所述共聚焦激光束的激光传感器装置测量所述分析区域的参数；以及
若所述分析区域的所述参数与预定阈值偏离至少预定偏移值，则通过使用耦合到所述激光传感器装置、所述晶片夹盘及/或所述刀片的控制电路系统来执行损害预防工艺。
10.根据权利要求9所述的晶片边缘修整方法，其中所述预定阈值是指示所述晶片结构的所述分析区域内的应力的第一量的拉曼峰强度值，且其中所述预定偏移值指示所述晶片的所述分析区域内的应力的第二量，所述应力的第二量大于所述应力的第一量。
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