CN114974333A - Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 - Google Patents
Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114974333A CN114974333A CN202210895219.7A CN202210895219A CN114974333A CN 114974333 A CN114974333 A CN 114974333A CN 202210895219 A CN202210895219 A CN 202210895219A CN 114974333 A CN114974333 A CN 114974333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- data
- emmc
- state
- written
- writing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/148—Details of power up or power down circuits, standby circuits or recovery circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
本发明公开一种EMMC数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备,通过在焊接前接受状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态后,再将需要提前载入的数据写入EMMC中,并且当判断数据写入完成时将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电,使得在焊接的过程中数据处于较稳定的状态,避免了焊接过程中数据丢失或被破坏的情况出现,当焊接完成系统重新上电后,将EMMC的状态设置为正常使用状态,从而不影响EMMC的正常使用,实现了使EMMC中数据在经历高温焊接后依然正确和稳定,并在焊接后能够正常使用。
Description
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,特别是涉及一种EMMC数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备。
背景技术
EMMC (Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体卡)是主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。使用时,需要将EMMC焊接到电路板上与主机连接后才能够发挥其功能。
在EMMC的应用中,包括在焊接前将数据写入以及在焊接后将数据写入两种应用方式。如应用在汽车领域中时,则需要在焊接前将导航地图等数据写入EMMC。但由于焊接过程通常是在高温条件下进行的,这使得经过高温焊接后,提前写入EMMC的数据可能出现丢失而造成数据不完整的情况。甚至出现数据被破坏,导致产品无法正常开机和使用问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种EMMC数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备,使EMMC中数据在经历高温焊接后依然正确和稳定。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种EMMC数据保护方法,包括步骤:
接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
本发明的有益效果在于:通过在焊接前接受状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态后,再将需要提前载入的数据写入EMMC中,并且当判断数据写入完成时将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电,使得在焊接的过程中数据处于较稳定的状态,避免了焊接过程中数据丢失或被破坏的情况出现,当焊接完成系统重新上电后,将EMMC的状态设置为正常使用状态,从而不影响EMMC的正常使用,实现了使EMMC中数据在经历高温焊接后依然正确和稳定,并在焊接后能够正常使用。
附图说明
图1为本发明实施例中的一种EMMC数据保护方法的步骤流程图;
图2为本发明实施例中的一种EMMC数据保护方法的另一步骤流程图;
图3为本发明实施例的一种EMMC数据保护装置的结构示意图;
图4为本发明实施例的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1,一种EMMC数据保护方法,包括步骤:
接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
由上述描述可知,本发明的有益效果在于:通过在焊接前接受状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态后,再将需要提前载入的数据写入EMMC中,并且当判断数据写入完成时将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电,使得在焊接的过程中数据处于较稳定的状态,避免了焊接过程中数据丢失或被破坏的情况出现,当焊接完成系统重新上电后,将EMMC的状态设置为正常使用状态,从而不影响EMMC的正常使用,实现了使EMMC中数据在经历高温焊接后依然正确和稳定,并在焊接后能够正常使用。
进一步地,EMMC包括单层存储单元;
所述将数据写入EMMC包括:
将数据写入所述单层存储单元中。
由上述描述可知,通过将获取到的待写入数据写入单层存储单元,而将待写入数据写入单层存储单元相比与将数据写入三层存储单元或其它类型的存储单元中具有更高的稳定性,从而当EMMC在焊接时能够保持已写入数据的正确和稳定。
进一步地,所述将数据写入EMMC包括:
判断所述单层存储单元是否填满,若否,则获取无效数据;
将所述无效数据写入所述单层存储单元中,直至所述单层存储单元填满。
由上述描述可知,将数据写入单层储存单元后,通过判断单层存储单元是否被填满,当单层存储单元未被填满时,则通过获取无效数据将无效数据写入单层存储单元中,使得单层存储单元被填满,而数据在填满的储存单元中相比于未填满的存储单元中具有更高的稳定性,并且填入的无效数据也不影响原数据的正确性,从而提高EMMC焊接时写入数据的正确性和稳定性。
进一步地,所述获取待写入数据,并将数据写入EMMC包括:
获取所述待写入数据的长度,根据所述待写入数据的长度分配对应数量的所述单层存储单元;
根据所述待写入数据的长度以及所述单层存储单元的数量得到所述无效数据的数据量;
根据所述无效数据的数据量将所述单层存储单元填满。
由上述描述可知,通过获取待写入数据的长度,并根据待写入数据的长度分配对应数量的单层存储单元,再根据待写入数据的长度以以及单层存储单元的数量得到无效数据的数据量,从而能够准确的将单层存储单元填满,保证每一单层存储单元均被填满,提高数据的正确性和稳定性。
进一步地,EMMC包括三层存储单元;
所述接收状态设置命令之后包括:
判断是否接收到所述状态设置命令,若是,则停止将所述单层存储单元上的数据搬移至所述三层存储单元上的操作。
由上述描述可知,当判断接收到状态设置命令后,停止将单层存储单元上的数据搬移至三层存储单元的操作,即数据写入时不进行数据回收操作,从而保证EMMC上所有的数据都储存在单层存储单元中,不仅确保的数据的稳定性,而且提高了数据写入的效率。
进一步地,所述将EMMC的状态设置为数据已写入状态之后包括:
判断是否接收到数据写入指令,若是,则返回错误信号。
由上述描述可知,当EMMC的状态设置为数据已写入状态之后,仍收到数据写入指令时,则不进行数据写入并且返回错误信号,避免数据再次写入时造成数据不完整以及有效数据和无效数据交叉写入的情况,从而确保了EMMC中的正确性以及稳定性。
进一步地,所述接收状态设置命令之前包括:
将EMMC的使能字段设置为开启状态。
由上述描述可知,通过将EMMC的使能字段设置为开启状态,从而能够根据状态设置命令对EMMC的状态进行切换,实现数据保护功能。
请参照图3,本发明另一实施例提供了一种EMMC数据保护装置,包括:
接收模块,用于接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
写入模块,用于获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
第一判断模块,用于判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
第二判断模块,用于判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
本发明另一实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
请参照图4,本发明另一实施例提供了一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
本发明上述EMMC数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备能够适用于具有PSA(Production State Awareness,生产状态感知)功能的EMMC,实现对焊接前写入EMMC数据的保护,以下通过具体实施方式进行说明:
实施例一
请参照图1和图2,一种EMMC数据保护方法,包括步骤:
S0、将EMMC的使能字段设置为开启状态;首先EMMC的拓展csd寄存器中的PRODUCT_STATE_AWARENESS_ENABLEMENT字段(PSA使能字段)的第0bit需要设置为1,代表EMMC支持PSA的normal功能;具体的,EMMC在开卡量产的时候会初始化拓展csd,并且设置部分bit位的值,这该过程中将该字段的第0bit设置为1,即EMMC向主机(host)反馈支持PAS的信号,并启用PSA;同时主机设置PRE_LOADING_DATA_SIZE,表示主机将要写的数据的长度;其中,EMMC需要对应的设置将自身的寄存器设置为对应的状态,即EMMC会去处理主机发下来的cmd6,处理的过程中会将自身的寄存器设置成主机要求的状态;使得EMMC的寄存器状态和主机保持一致;
S1、接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;其中,EMMC包括单层存储单元(Single Level Cell,SLC)和三层存储单元(TrinaryLevel Cell,TLC);即主机设置PRODUCT_STATE_AWARENESS为PRODUCTION_STATE_AWARENESS(即焊接前写入的状态);
S11、判断是否接收到所述状态设置命令,若是,则停止将所述单层存储单元上的数据搬移至所述三层存储单元上的操作;即写数据不再进行数据回收操作;具体的,在进入数据回收操作之前,判断是否主机发送cmd6启用了PSA的功能,即当PRODUCT_STATE_AWARENESS_ENABLEMENT=1时,EMMC就退出数据回收的流程,不进行数据搬移,将数据都保持在所述单层存储单元中;通过将获取到的待写入数据写入所述单层存储单元中,相比与将数据写入三层存储单元或其它类型的存储单元中具有更高的稳定性,从而当EMMC在焊接时能够保持已写入数据的正确和稳定;
S2、获取待写入数据,并将数据写入EMMC;在执行数据写入的过程中,将数据写入所述单层存储单元中,而所述三层存储单元不写入数据;在一个可选的实施方式中,步骤S2具体包括:
S21、获取所述待写入数据的长度,根据所述待写入数据的长度分配对应数量的所述单层存储单元;并将获取到的所述待写入数据的长度存储在PRE_LOADING_DATA_SIZE字段中;
S22、判断所述单层存储单元是否填满,若否,则获取无效数据;具体的,可根据所述待写入数据的长度以及所述单层存储单元的数量得到所述无效数据的数据量;在另一可选的实施方式中,由于每一款MEEC(如nand flash)中的每个数据块包含的页数是固定的,通过在每次写入数据时,记录当前写到的页数,并将记录的页数与数据块的总页数进行比对,若记录值小于总页数值,则表示数据块未写满,通过无效数据进行填满;
S23、根据所述无效数据的数据量将所述无效数据写入所述单层存储单元中,直至所述单层存储单元填满;通过在所述单层存储单元上填满数据,使得所述单层存储单元形成闭合的(closed)数据块,而闭合数据块相较于开放(open)的数据块具有更好的稳定性;
S3、判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;当判断某写数据命令在执行后可以写满最后一个块时发送状态设置命令,使主机设置PRODUCTION_STATE_AWARENESS为PRE_SOLDERING_POST_WRITES(焊接前数据完成写入的状态),即不允许主机再写数据到EMMC上;
S31、判断是否接收到数据写入指令,若是,则返回错误信号;如主机再次发送命令要写入数据时,EMMC不再执行写入数据的操作,并给主机返回错误信号(error);
S4、判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态;重新上电后,主机可以根据PRODUCTION_STATE_AWARENESS为PRE_SOLDERING_POST_WRITES,判断当前为重新上电,而不是首次上电,即数据已完成写入,且焊接完成;重新上电后,主机设置PRODUCTION_STATE_AWARENESS为正常状态(Normal)。
实施例二
请参照图3,一种EMMC数据保护装置,包括:
接收模块,用于接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
写入模块,用于获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
第一判断模块,用于判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
第二判断模块,用于判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
实施例三
一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现实施例一中所述的一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
实施例四
请参照图4,一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现实施例一中所述一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
综上所述,本发明提供的EMMC数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备,通过使用EMMC协议上规定的PSA功能以及结合将数据写入单层存储单元和利用无效数据将单层存储单元填满的特殊处理,并在焊接前接受状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态后,再将需要提前载入的数据通过上述的写入方式写入EMMC中,并且当判断数据写入完成时将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电,使得在焊接的过程中数据处于较稳定的状态,避免了焊接过程中数据丢失或被破坏的情况出现,当焊接完成系统重新上电后,将EMMC的状态设置为正常使用状态,从而不影响EMMC的正常使用,实现了使EMMC中数据在经历高温焊接后依然正确和稳定,并在焊接后能够正常使用。
在本申请所提供的上述实施例中,应该理解到,所揭露的方法、装置、计算机可读存储介质以及电子设备,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个组件或模块可以结合或者可以集成到另一个装置,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或组件或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的组件可以是或者也可以不是物理上分开的,作为组件显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部组件来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个组件单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简便描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定都是本发明所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种EMMC数据保护方法,其特征在于,包括步骤:
接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
2.根据权利要求1所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,EMMC包括单层存储单元;
所述将数据写入EMMC包括:
将数据写入所述单层存储单元中。
3.根据权利要求2所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,所述将数据写入EMMC包括:
判断所述单层存储单元是否填满,若否,则获取无效数据;
将所述无效数据写入所述单层存储单元中,直至所述单层存储单元填满。
4.根据权利要求3所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,所述获取待写入数据,并将数据写入EMMC包括:
获取所述待写入数据的长度,根据所述待写入数据的长度分配对应数量的所述单层存储单元;
根据所述待写入数据的长度以及所述单层存储单元的数量得到所述无效数据的数据量;
根据所述无效数据的数据量将所述单层存储单元填满。
5.根据权利要求2所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,EMMC包括三层存储单元;
所述接收状态设置命令之后包括:
判断是否接收到所述状态设置命令,若是,则停止将所述单层存储单元上的数据搬移至所述三层存储单元上的操作。
6.根据权利要求1所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,所述将EMMC的状态设置为数据已写入状态之后包括:
判断是否接收到数据写入指令,若是,则返回错误信号。
7.根据权利要求1所述的一种EMMC数据保护方法,其特征在于,所述接收状态设置命令之前包括:
将EMMC的使能字段设置为开启状态。
8.一种EMMC数据保护装置,其特征在于,包括:
接收模块,用于接收状态设置命令,将EMMC的状态设置为数据未写入状态;
写入模块,用于获取待写入数据,并将数据写入EMMC;
第一判断模块,用于判断数据是否写入完成,若是,则将EMMC的状态设置为数据已写入状态并断电;
第二判断模块,用于判断是否重新上电,若是,则将EMMC的状态设置为正常使用状态。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任意一项所述的一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
10.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任意一项所述一种EMMC数据保护方法中的各个步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210895219.7A CN114974333A (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210895219.7A CN114974333A (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114974333A true CN114974333A (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82968668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210895219.7A Pending CN114974333A (zh) | 2022-07-28 | 2022-07-28 | Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114974333A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120166706A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Phison Electronics Corp. | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same |
CN102591738A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 群联电子股份有限公司 | 数据管理方法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置 |
CN103914397A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 闪存存储设备及其管理方法 |
US20180322041A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and method for operating data storage device |
CN111164697A (zh) * | 2017-08-29 | 2020-05-15 | 美光科技公司 | 回流焊保护 |
US20210240381A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-05 | Micron Technology, Inc. | Controlling Firmware Storage Density Based on Temperature Detection |
-
2022
- 2022-07-28 CN CN202210895219.7A patent/CN114974333A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120166706A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Phison Electronics Corp. | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same |
CN102591738A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 群联电子股份有限公司 | 数据管理方法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置 |
CN103914397A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 闪存存储设备及其管理方法 |
US20180322041A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and method for operating data storage device |
CN111164697A (zh) * | 2017-08-29 | 2020-05-15 | 美光科技公司 | 回流焊保护 |
US20210240381A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-05 | Micron Technology, Inc. | Controlling Firmware Storage Density Based on Temperature Detection |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI387023B (zh) | 防止迴焊過程中資料遺失之方法及使用該方法之記憶體裝置 | |
JP3979486B2 (ja) | 不揮発性記憶装置およびデータ格納方法 | |
JP2016001485A (ja) | 相変化メモリモジュールを備えるシステム、及び相変化メモリモジュールを管理する方法 | |
US9747200B1 (en) | Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices | |
US20180322041A1 (en) | Data storage device and method for operating data storage device | |
US9552287B2 (en) | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same | |
KR20220045548A (ko) | 호스트 메모리 버퍼를 사용하는 커맨드 배출 | |
CN113035259A (zh) | Dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
CN107463341A (zh) | Flash芯片的擦除方法、装置和移动终端 | |
CN108614744A (zh) | 基于NAND flash的掉电保护方法和装置 | |
US11036493B2 (en) | Memory system and operating method thereof | |
KR102469098B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치 | |
CN111210863B (zh) | 嵌入式存储器的测试方法、装置、设备和计算机存储介质 | |
CN113160876A (zh) | Dram测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备 | |
CN112802530A (zh) | Nand测试方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
CN114974333A (zh) | Emmc数据保护方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
CN107168650B (zh) | 一种对bios的存储器中的数据的处理方法及装置 | |
JPH1117098A (ja) | メモリモジュール | |
CN112347524B (zh) | 闪存编程方法、装置及电子设备 | |
KR20230037255A (ko) | 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치 | |
CN108062203B (zh) | 一种闪存数据管理方法、装置及存储器 | |
CN112486516A (zh) | 由nand闪存控制器实现的电镜像 | |
US20200194095A1 (en) | Test method for transmit port of storage devices of system host | |
CN101996168B (zh) | 格式化闪存的方法和装置 | |
US12045506B2 (en) | Combining operations during reset |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |