CN114966911A - 一种硅基底用减反膜组及其用途 - Google Patents

一种硅基底用减反膜组及其用途 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种硅基底用减反膜组及其用途，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；膜组通过采用ZnS、Ge、YbF3三种材料进行膜系设计，通过物理气相沉积并以离子源辅助以及沉积温度等工艺条件进行光学膜镀制，可实现1‑7μm波段，T＜0.3％；7.5‑14μm波段，Tavg≥85％，通带更宽，透过率更高，具有更高的信噪比。

Description

一种硅基底用减反膜组及其用途
技术领域
本发明涉及红外光学领域，具体涉及一种硅基底用减反膜组及其用途。
背景技术
目前，长波红外金属化前截止硅窗片是红外探测器的核心组件，在军民领域均具有较大的应用前景，在军用方面主要用于红外枪瞄、制导等领域，在民用方面被广泛应用于各类全自动红外热成像测温设备，通常为了减少元件表面的反射损耗，常在光学元件表面沉积透明介质薄膜，使得元件达到减反增透的效果。
如CN101231352公开了一种HfON/BP红外光学增透保护膜及其制备工艺。该膜系可用作3-5μm、8-12μm波段红外光学窗口的增透保护膜，其结构为BP膜为内层膜，沉积于光学窗口表面，HfON膜为外层膜，沉积于BP膜上。BP膜的沉积采用射频等离子体增强CVD技术，HfON膜的沉积采用反应磁控溅射沉积工艺。在光学窗口表面沉积HfON/BP双层膜后，对窗口有增透作用，并可显著提高其表面硬度、改善其耐磨性和防腐蚀性，提高其抗雨蚀、砂蚀及盐雾腐蚀的能力，保证其在恶劣工作环境下正常工作。
CN114107890A公开了一种用于红外光学窗口表面的高硬度SiCN增透保护薄膜及其制备方法，通过非平衡反应磁控溅射技术制备得到，具体为：在真空度3×10-3-5×10- 3mbar、工作温度300-500℃、电源功率2000-2300W的条件下，以流量为5-10sccm的N2为前驱气体、流量为30-45sccm的Ar为工作气体，靶基距220-270mm，反应溅射高纯SiC靶，沉积3500-4300s制备高硬度SiCN增透保护薄膜。所得保护薄膜折射率可根据红外光学窗口所需进行调控，在目标波段有较高的光学透过率，同时具有高硬度、抗砂尘、磨损、雨蚀等恶劣环境能力，具有广泛的应用前景。
随着红外焦平面技术的发展，探测器分辨率越来越高、探测器像元的尺寸原来越小，因此对探测器核心光学部组件——长波红外金属化前截止硅窗片的将有更高的光谱要求，然而目前截止硅窗片上的光学膜仍存在膜系与基底、空气之间的匹配较差及7.5-14μm光透过率差的问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种硅基底用减反膜组及其用途，以解决目前硅基红外窗口片存在膜系与基底、空气之间的匹配较差及7.5-14μm光透过率差的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种硅基底用减反膜组，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：硅基底/0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656L/Air；
所述第二膜系的结构为：硅基底/0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
本发明提供的通过采用Ge膜层、ZnS膜层和YbF3膜层利用特定的膜系组成，在传统两种材料的膜系的基础上提出选用折射率更低的YbF3材料，主要目的是形成由ZnS/YbF3构成的低折射率膜堆与空气、硅基底具有良好的匹配关系，通过设计软件，进一步优化膜层厚度，最终实现了7.5～14μm波段更高透过率。
本发明中，所述中心波长λ0可以是5225-5775nm。
作为本发明优选的技术方案，所述硅基底的厚度为1-2mm，例如可以是1mm、1.02mm、1.04mm、1.06mm、1.08mm、1.1mm、1.12mm、1.14mm、1.16mm、1.18mm、1.2mm、1.22mm、1.24mm、1.26mm、1.28mm、1.3mm、1.32mm、1.34mm、1.36mm、1.38mm、1.4mm、1.42mm、1.44mm、1.46mm、1.48mm、1.5mm、1.52mm、1.54mm、1.56mm、1.58mm、1.6mm、1.62mm、1.64mm、1.66mm、1.68mm、1.7mm、1.72mm、1.74mm、1.76mm、1.78mm、1.8mm、1.82mm、1.84mm、1.86mm、1.88mm、1.9mm、1.92mm、1.94mm、1.96mm、1.98mm或2mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
第二方面，本发明提供了一种硅基底红外波段窗口片，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将第一方面所述硅基底用减反膜组镀于硅基底得到。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。
作为本发明优选的技术方案，所述基片清洗的方式为超声清洗。
优选地，所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
本发明中，所述离子源清洗中可以控制阳极电压为220-250V、束流密度为2-3A/cm3下清洗500-700s。
本发明中，离子源清洗中可以控制阳极电压为220-250V，例如可以是220V、222V、224V、226V、228V、230V、232V、234V、236V、238V、240V、242V、244V、246V、248V或250V等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，所述离子源清洗中束流密度为2-3A/cm3，例如可以是2A/cm3、2.02A/cm3、2.04A/cm3、2.06A/cm3、2.08A/cm3、2.1A/cm3、2.12A/cm3、2.14A/cm3、2.16A/cm3、2.18A/cm3、2.2A/cm3、2.22A/cm3、2.24A/cm3、2.26A/cm3、2.28A/cm3、2.3A/cm3、2.32A/cm3、2.34A/cm3、2.36A/cm3、2.38A/cm3、2.4A/cm3、2.42A/cm3、2.44A/cm3、2.46A/cm3、2.48A/cm3、2.5A/cm3、2.52A/cm3、2.54A/cm3、2.56A/cm3、2.58A/cm3、2.6A/cm3、2.62A/cm3、2.64A/cm3、2.66A/cm3、2.68A/cm3、2.7A/cm3、2.72A/cm3、2.74A/cm3、2.76A/cm3、2.78A/cm3、2.8A/cm3、2.82A/cm3、2.84A/cm3、2.86A/cm3、2.88A/cm3、2.9A/cm3、2.92A/cm3、2.94A/cm3、2.96A/cm3、2.98A/cm3或3A/cm3等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，所述离子源清洗的时间为500-700s，例如可以是500s、510s、520s、530s、540s、550s、560s、570s、580s、590s、600s、610s、620s、630s、640s、650s、660s、670s、680s、690s或700s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，基片清洗后经人工安装入镀膜设备内，之后进行抽真空和加热。
本发明中，抽真空的终点可以是绝对真空度≤3×10-3Pa，例如可以是3×10-3Pa、2.9×10-3Pa、2.8×10-3Pa、2.7×10-3Pa、2.6×10-3Pa、2.5×10-3Pa、2.4×10-3Pa、2.3×10- 3Pa、2.2×10-3Pa、2.1×10-3Pa、2×10-3Pa、1.9×10-3Pa、1.8×10-3Pa、1.7×10-3Pa、1.6×10-3Pa、1.5×10-3Pa、1.4×10-3Pa、1.3×10-3Pa、1.2×10-3Pa、1.1×10-3Pa或1×10-3Pa等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，加热的温度可以是150-200℃，例如可以是150℃、152℃、154℃、156℃、158℃、160℃、162℃、164℃、166℃、168℃、170℃、172℃、174℃、176℃、178℃、180℃、182℃、184℃、186℃、188℃、190℃、192℃、194℃、196℃、198℃或200℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，加热保温的时间可以是40-60min，例如可以是40min、40.5min、41min、41.5min、42min、42.5min、43min、43.5min、44min、44.5min、45min、45.5min、46min、46.5min、47min、47.5min、48min、48.5min、49min、49.5min、50min、50.5min、51min、51.5min、52min、52.5min、53min、53.5min、54min、54.5min、55min、55.5min、56min、56.5min、57min、57.5min、58min、58.5min、59min、59.5min或60min等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
作为本发明优选的技术方案，所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s，例如可以是0.2nm/s、0.202nm/s、0.204nm/s、0.206nm/s、0.208nm/s、0.21nm/s、0.212nm/s、0.214nm/s、0.216nm/s、0.218nm/s、0.22nm/s、0.222nm/s、0.224nm/s、0.226nm/s、0.228nm/s、0.23nm/s、0.232nm/s、0.234nm/s、0.236nm/s、0.238nm/s、0.24nm/s、0.242nm/s、0.244nm/s、0.246nm/s、0.248nm/s、0.25nm/s、0.252nm/s、0.254nm/s、0.256nm/s、0.258nm/s、0.26nm/s、0.262nm/s、0.264nm/s、0.266nm/s、0.268nm/s、0.27nm/s、0.272nm/s、0.274nm/s、0.276nm/s、0.278nm/s、0.28nm/s、0.282nm/s、0.284nm/s、0.286nm/s、0.288nm/s、0.29nm/s、0.292nm/s、0.294nm/s、0.296nm/s、0.298nm/s或0.3nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.5-0.6nm/s，例如可以是0.5nm/s、0.502nm/s、0.504nm/s、0.506nm/s、0.508nm/s、0.51nm/s、0.512nm/s、0.514nm/s、0.516nm/s、0.518nm/s、0.52nm/s、0.522nm/s、0.524nm/s、0.526nm/s、0.528nm/s、0.53nm/s、0.532nm/s、0.534nm/s、0.536nm/s、0.538nm/s、0.54nm/s、0.542nm/s、0.546nm/s、0.548nm/s、0.55nm/s、0.552nm/s、0.554nm/s、0.556nm/s、0.558nm/s、0.56nm/s、0.562nm/s、0.564nm/s、0.566nm/s、0.568nm/s、0.57nm/s、0.572nm/s、0.574nm/s、0.576nm/s、0.578nm/s、0.58nm/s、0.582nm/s、0.584nm/s、0.586nm/s、0.588nm/s、0.59nm/s、0.592nm/s、0.594nm/s、0.596nm/s、0.598nm/s或0.6nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s，例如可以是0.2nm/s、0.202nm/s、0.204nm/s、0.206nm/s、0.208nm/s、0.21nm/s、0.212nm/s、0.214nm/s、0.216nm/s、0.218nm/s、0.22nm/s、0.222nm/s、0.224nm/s、0.226nm/s、0.228nm/s、0.23nm/s、0.232nm/s、0.234nm/s、0.236nm/s、0.238nm/s、0.24nm/s、0.242nm/s、0.244nm/s、0.246nm/s、0.248nm/s、0.25nm/s、0.252nm/s、0.254nm/s、0.256nm/s、0.258nm/s、0.26nm/s、0.262nm/s、0.264nm/s、0.266nm/s、0.268nm/s、0.27nm/s、0.272nm/s、0.274nm/s、0.276nm/s、0.278nm/s、0.28nm/s、0.282nm/s、0.284nm/s、0.286nm/s、0.288nm/s、0.29nm/s、0.292nm/s、0.294nm/s、0.296nm/s、0.298nm/s或0.3nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜的温度为180-200℃，例如可以是180℃、182℃、184℃、186℃、188℃、190℃、192℃、194℃、196℃、198℃、200℃、202℃、204℃、206℃、208℃、210℃、212℃、214℃、216℃、218℃或220℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，镀膜前进行以镀膜温度进行保温，时间为40-60min，例如可以是40min、40.5min、41min、41.5min、42min、42.5min、43min、43.5min、44min、44.5min、45min、45.5min、46min、46.5min、47min、47.5min、48min、48.5min、49min、49.5min、50min、50.5min、51min、51.5min、52min、52.5min、53min、53.5min、54min、54.5min、55min、55.5min、56min、56.5min、57min、57.5min、58min、58.5min、59min、59.5min或60min等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将第一方面所述硅基底用减反膜组镀于硅基底得到；
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.5-0.6nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s。
本发明中的窗口片在光学膜组镀完之后在光学模组外还镀有金属膜组，金属膜组包括厚度为30-50nm铬膜、200-300nm镍膜和400-500nm金膜，具体磁控溅射的顺序是依次镀铬膜、镍膜和金膜；铬膜的磁控溅射参数为沉积功率130-140W，沉积时间为180-200s；镍膜的磁控溅射参数为沉积功率180-190W，沉积时间为2400-2500s；金膜的磁控溅射参数为沉积功率210-220W，沉积时间为1800-2000s。
本发明中，以光的射入方向为基准，射入面为第一膜系，另一面为由中心为起始依次为第二膜系，过渡区，金属膜组，过渡区为基底表面。
本发明中，金属膜组中铬膜的厚度为30-50nm，例如可以是30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm或50nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金属膜组中镍膜的厚度为200-300nm，例如可以是200nm、205nm、210nm、215nm、220nm、225nm、230nm、235nm、240nm、245nm、250nm、255nm、260nm、265nm、270nm、275nm、280nm、285nm、290nm、295nm或300nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金属膜组中金膜的厚度为400-500nm，例如可以是400nm、405nm、410nm、415nm、420nm、425nm、430nm、435nm、440nm、445nm、450nm、455nm、460nm、465nm、470nm、475nm、480nm、485nm、490nm、495nm或500nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，铬膜的沉积功率为130-140W，例如可以是130W、130.5W、131W、131.5W、132W、132.5W、133W、133.5W、134W、134.5W、135W、135.5W、136W、136.8W、137W、137.5W、138W、138.5W、139W、139.5W或140W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，铬膜的沉积时间为180-200s，例如可以是180s、180.5s、181s、181.5s、182s、182.5s、183s、183.5s、184s、184.5s、185s、185.5s、186s、186.5s、187s、187.5s、188s、188.5s、189s、189.5s、190s、191s、192s、193s、194s、195s、196s、197s、198s、199s或200s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，镍膜的沉积功率为180-190W，例如可以是180W、180.5W、181W、181.5W、182W、182.5W、183W、183.5W、184W、184.5W、185W、185.5W、186W、186.5W、187W、187.5W、188W、188.5W、189W、189.5W或190W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，镍膜的沉积时间为2400-2500s，例如可以是2400s、2405s、2410s、2415s、2420s、2425s、2430s、2435s、2440s、2445s、2450s、2455s、2460s、2465s、2470s、2475s、2480s、2485s、2490s、2495s或2500s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金膜的沉积功率为210-220W，例如可以是210W、210.5W、211W、211.5W、212W、212.5W、213W、213.5W、214W、214.5W、215W、215.5W、216W、216.5W、217W、217.5W、218W、218.5W、219W、219.5W或210W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金膜的沉积时间为1800-2000s，例如可以是1800s、1820s、1840s、1860s、1880s、1900s、1920s、1940s、1960s、1980s或2000s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
与现有技术方案相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的膜组通过采用ZnS、Ge、YbF3三种材料进行膜系设计，通过物理气相沉积并以离子源辅助以及沉积温度等工艺条件进行光学膜镀制，可实现1-7μm波段，T＜0.3％；7.5-14μm波段，Tavg≥85％，通带更宽，透过率更高，具有更高的信噪比。
附图说明
图1是本发明实施例1中第一膜系的红外透视示意图；
图2是本发明实施例1中第二膜系的红外透视示意图。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供了一种硅基底用减反膜组，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：硅基底/0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656L/Air；
所述第二膜系的结构为：硅基底/0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5500nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
该模组通过采用物理气相沉积及离子源辅助得到，沉积过程中保持温度为190℃。所得第一膜系的红外透射图如图1所示，所得第二膜系的红外透射图如图2所示。
应用例1
本应用例提供一种硅基底红外波段窗口片，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将减反膜组镀于硅基底得到；
减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：硅基底/0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656L/Air；
所述第二膜系的结构为：硅基底/0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5500nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
所述镀Ge膜中的沉积速率为0.25nm/s。
所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.55nm/s。
所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2nm/s。
所述镀膜的温度为180℃。
所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.23％；7.5-14μm波段，Tavg＝85.3％；该方案的效果较为理想，产品光谱要求优于技术要求。
应用例2
本应用例提供一种硅基底红外波段窗口片，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将减反膜组镀于硅基底得到；
减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：硅基底/0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656L/Air；
所述第二膜系的结构为：硅基底/0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5500nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2nm/s。
所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.6nm/s。
所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.3nm/s。
所述镀膜的温度为200℃。
所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.21％；7.5-14μm波段，Tavg＝85.53％；该方案的效果较为理想，产品光谱要求优于技术要求。
应用例3
与应用例1的区别仅在于第一膜系替换为等厚的Ge膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.20％；7.5-14μm波段，Tavg＝72.13％。该方案达不到本发明的目的。
应用例4
与应用例1的区别仅在于第二膜系替换为等厚的ZnS膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝1.13％；7.5-14μm波段，Tavg＝70.33％。该方案达不到本发明的目的。
应用例5
与应用例1的区别仅在于第一膜系替换为等厚的YbF3膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.35％；7.5-14μm波段，Tavg＝80.13％。该方案达不到本发明的目的。
应用例6
与应用例1的区别仅在于将硅基底替换为锗基底。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.20％；7.5-14μm波段，Tavg＝75.43％。该方案达不到本发明的目的。
应用例7
与应用例1的区别仅在于镀膜的温度为220℃。所得窗口片的性能测试如下1-7μm波段，T＝0.56％；7.5-14μm波段，Tavg＝81.43％。该方案达不到本发明的目的。
应用例8
与应用例1的区别仅在于镀膜的温度为120℃。所得窗口片的性能测试如下1-7μm波段，T＝1.15％；7.5-14μm波段，Tavg＝83.13％。该方案达不到本发明的目的。
上述窗口片的技术要求为：1-7μm波段，T＜0.3％；7.5-14μm波段，Tavg≥80.0％。
本发明中，T指透过率，Tavg指平均透过率。
通过上述应用例的结果可知，本发明提供的膜组通过采用ZnS、Ge、YbF3三种材料进行膜系设计，通过物理气相沉积并以离子源辅助以及沉积温度等工艺条件进行光学膜镀制，可实现1-7μm波段，T＜0.3％；7.5-14μm波段，Tavg≥85％，通带更宽，透过率更高，具有更高的信噪比。
声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种硅基底用减反膜组，其特征在于，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：硅基底/0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656L/Air；
所述第二膜系的结构为：硅基底/0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
2.如权利要求1所述硅基底用减反膜组，其特征在于，所述硅基底的厚度为1-2mm。
3.一种硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将权利要求1或2所述硅基底用减反膜组镀于硅基底得到。
4.如权利要求3所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。
5.如权利要求4所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述基片清洗的方式为超声清洗；
优选地，所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
6.如权利要求3-5任一项所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
7.如权利要求6所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s。
8.如权利要求6或7所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.5-0.6nm/s；
优选地，所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s。
9.如权利要求3-8任一项所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀膜的温度为180-200℃。
10.如权利要求3-9任一项所述硅基底红外波段窗口片，其特征在于，所述硅基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将权利要求1或2所述硅基底用减反膜组镀于硅基底得到；
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.5-0.6nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2-0.3nm/s；所述镀膜的温度为180-200℃。
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Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009086533A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー
JP2009188282A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス
CN101620280A (zh) * 2009-06-30 2010-01-06 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 一种红外双波段减反射膜膜系及其镀制方法
CN206741013U (zh) * 2017-03-31 2017-12-12 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种以锗为基底的中长波红外增透膜
WO2018040687A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 奥普镀膜技术（广州）有限公司 一种40g100g滤光片薄膜镀制方法
CN108627889A (zh) * 2018-04-11 2018-10-09 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种锗基底宽光谱红外增透光学窗口
US20180299587A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Corning Incorporated Anti-reflection coatings for infrared optics
CN110146943A (zh) * 2018-12-20 2019-08-20 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法
CN110146948A (zh) * 2018-11-26 2019-08-20 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法
CN110794490A (zh) * 2019-11-25 2020-02-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种中波红外增透膜设计及制备方法
CN111090134A (zh) * 2019-11-21 2020-05-01 天津津航技术物理研究所 硫系玻璃基底激光、中波红外、长波红外复合减反射薄膜
CN111323862A (zh) * 2020-03-11 2020-06-23 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 抗阳光干扰火焰探测用红外滤光片及其制备方法
CN111736253A (zh) * 2020-08-06 2020-10-02 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 Co2气体探测用红外滤光片及其制备方法
CN111781666A (zh) * 2020-09-04 2020-10-16 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 测体温用红外滤光片及其制备方法和应用
CN114200552A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 云南驰宏国际锗业有限公司 一种锗基底8-12um红外波段窗口片及其制备方法
CN114325911A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 苏州厚朴传感科技有限公司 一种中红外双色滤光片及制备方法
CN114460677A (zh) * 2022-04-13 2022-05-10 翼捷安全设备（昆山）有限公司 Mems黑体封装用的红外滤光片及其制备方法
US20220187504A1 (en) * 2020-12-11 2022-06-16 Sinoma Synthetic Crystals Co., Ltd. Long-Wave Infrared Anti-Reflection Protective Film on ZnS Substrate and Preparation Method Thereof
CN216772009U (zh) * 2021-05-19 2022-06-17 福建福特科光电股份有限公司 一种超宽带红外增透膜

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009086533A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー
JP2009188282A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス
CN101620280A (zh) * 2009-06-30 2010-01-06 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 一种红外双波段减反射膜膜系及其镀制方法
WO2018040687A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 奥普镀膜技术（广州）有限公司 一种40g100g滤光片薄膜镀制方法
CN206741013U (zh) * 2017-03-31 2017-12-12 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种以锗为基底的中长波红外增透膜
US20180299587A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Corning Incorporated Anti-reflection coatings for infrared optics
CN108627889A (zh) * 2018-04-11 2018-10-09 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种锗基底宽光谱红外增透光学窗口
CN110146948A (zh) * 2018-11-26 2019-08-20 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法
CN110146943A (zh) * 2018-12-20 2019-08-20 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法
CN111090134A (zh) * 2019-11-21 2020-05-01 天津津航技术物理研究所 硫系玻璃基底激光、中波红外、长波红外复合减反射薄膜
CN110794490A (zh) * 2019-11-25 2020-02-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种中波红外增透膜设计及制备方法
CN111323862A (zh) * 2020-03-11 2020-06-23 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 抗阳光干扰火焰探测用红外滤光片及其制备方法
CN111736253A (zh) * 2020-08-06 2020-10-02 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 Co2气体探测用红外滤光片及其制备方法
CN111781666A (zh) * 2020-09-04 2020-10-16 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 测体温用红外滤光片及其制备方法和应用
US20220187504A1 (en) * 2020-12-11 2022-06-16 Sinoma Synthetic Crystals Co., Ltd. Long-Wave Infrared Anti-Reflection Protective Film on ZnS Substrate and Preparation Method Thereof
CN216772009U (zh) * 2021-05-19 2022-06-17 福建福特科光电股份有限公司 一种超宽带红外增透膜
CN114200552A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 云南驰宏国际锗业有限公司 一种锗基底8-12um红外波段窗口片及其制备方法
CN114325911A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 苏州厚朴传感科技有限公司 一种中红外双色滤光片及制备方法
CN114460677A (zh) * 2022-04-13 2022-05-10 翼捷安全设备（昆山）有限公司 Mems黑体封装用的红外滤光片及其制备方法

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