CN114930561B - 有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光器件和显示装置。有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的发光层，发光层和阳极之间设置有电子阻挡层，发光层和阴极之间设置有空穴阻挡层；发光层包括主体材料和客体材料；主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，第一主体材料、第二主体材料、电子阻挡层和空穴阻挡层满足：│HOMO1‑host‑HOMOEBL│≤0.2eV，│LUMOHBL‑LUMO2‑host│≤0.2eV，其中，HOMO1‑host为第一主体材料的HOMO能级，HOMOEBL为电子阻挡层的HOMO能级，LUMO2‑host为第二主体材料的LUMO能级，LUMOHBL为空穴阻挡层的LUMO能级。

Description

有机电致发光器件和显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种有机电致发光器件和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，简称OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。OLED为主动发光器件，具有亮度高、色彩饱和、超薄、广视角、较低耗电、极高反应速度和可弯曲等优点。
OLED包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的发光层，其发光原理是将空穴、电子分别由阳极、阴极注入至发光层，当电子和空穴在发光层中相遇时，电子和空穴复合从而产生激子(exciton)，在从激发态转变为基态的同时，这些激子发光。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层和阳极之间设置有电子阻挡层，所述发光层和阴极之间设置有空穴阻挡层；所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料；所述主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料、第二主体材料、电子阻挡层和空穴阻挡层满足：
│HOMO1-host-HOMOEBL│≤0.2eV，│LUMOHBL-LUMO2-host│≤0.2eV，
其中，HOMO1-host为所述第一主体材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMOEBL为所述电子阻挡层的HOMO能级，LUMO2-host为所述第二主体材料的最低未占分子轨道LUMO能级，LUMOHBL为所述空穴阻挡层的LUMO能级。
在示例性实施方式中，所述第一主体材料和空穴阻挡层还满足：
│LUMOHBL-LUMO1-host│＝0.3eV至0.4eV，
其中，LUMO1-host为所述第一主体材料的LUMO能级。
在示例性实施方式中，所述第二主体材料和空穴阻挡层还满足：
│HOMOHBL-HOMO2-host│≥0.3Ev，
其中，HOMOHBL为所述空穴阻挡层的HOMO能级，HOMO2-host为所述第二主体材料的HOMO能级。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的空穴迁移率大于所述电子阻挡层的电子迁移率。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的空穴迁移率为10-4cm2/Vs至10-6cm2/Vs，所述电子阻挡层的电子迁移率小于10-8cm2/Vs。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的空穴迁移率大于10倍的所述第一主体材料的空穴迁移率。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的电子迁移率大于所述第二主体材料的电子迁移率。
在示例性实施方式中，所述空穴阻挡层的电子迁移率大于所述空穴阻挡层的空穴迁移率。
在示例性实施方式中，所述第一主体材料的空穴迁移率为10-5cm2/Vs至10-7cm2/Vs，所述第二主体材料的电子迁移率为10-8cm2/Vs至10-9cm2/Vs，所述空穴阻挡层的电子迁移率为10-7cm2/Vs至10-9cm2/Vs。
在示例性实施方式中，所述主体材料中，所述第一主体材料和第二主体材料的混合比例为2：8至8：2。
在示例性实施方式中，所述第一主体材料包括p型发光材料，所述第二主体材料包括n型发光材料。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar1至Ar2各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为6-30的芳基、或者取代未取代的成环原子数为5-20的杂芳基，至少有一个为甲基芴、二苯并呋喃或者噻吩；L1为单键，或者为取代为取代的含有6-30个碳原子的芳基；R1至R3各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为1-30的烷基、芳基、或者取代未取代的成环原子数为5-20的杂芳基。
在示例性实施方式中，所述电子阻挡层的材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
在示例性实施方式中，所述第一主体材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar3至Ar4各自独立的为取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的杂芳基、含有硅基、氰基、卤素或者氘代的芳基或杂芳基；L2为单键、或者为含有6-30个碳原子的取代或者未取代的芳基。
在示例性实施方式中，所述第一主体材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
在示例性实施方式中，所述第二主体材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar5为取代或者未取代的碳原子数为6-30的芳基、杂芳基，或者含有咔唑、二苯并呋喃、噻吩；L3为碳原子是6-20的芳基。
在示例性实施方式中，所述第二主体材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
一种显示装置，包括前述的有机电致发光器件。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为一种像素驱动电路的等效电路图；
图4为一种显示基板的剖面结构示意图；
图5为一种发光层中激子复合区域的分布图；
图6为一种电子阻挡层的键扭转示意图；
图7为本公开示例性实施例一种OLED结构的示意图；
图8为本公开示例性实施例一种OLED结构的能级关系示意图；
图9为本公开示例性实施例另一种OLED结构的示意图。
附图标记说明:
10—阳极； 20—空穴注入层； 30—空穴传输层；
40—电子阻挡层； 50—发光层； 60—空穴阻挡层；
70—电子传输层； 80—电子注入层； 90—阴极；
101—基底； 102—驱动电路层； 103—发光器件。
104—封装层； 201—第一绝缘层； 202—第二绝缘层；
203—第三绝缘层； 204—第四绝缘层； 205—平坦层；
210—驱动晶体管； 211—存储电容； 301—阳极；
302—像素定义层； 303—有机发光层； 304—阴极；
401—第一封装层； 402—第二封装层； 403—第三封装层。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本文中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本文中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系可根据描述的构成要素的方向进行适当地改变。因此，不局限于在文中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本文中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本文中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(或称漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(或称源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本文中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本文中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况下，“源电极”及“漏电极”的功能有时可以互相调换。因此，在本文中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本文中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”例如可以是电极或布线，或者是晶体管等开关元件，或者是电阻器、电感器或电容器等其它功能元件等。
在本文中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本文中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种OLED显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括扫描信号驱动器、数据信号驱动器、发光信号驱动器、OLED显示基板、第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元。在示例性实施方式中，OLED显示基板至少包括多个扫描信号线(S1到SN)、多个数据信号线(D1到DM)和多个发光信号线(EM1到EMN)，扫描信号驱动器被配置为依次向多个扫描信号线(S1到SN)提供扫描信号，数据信号驱动器被配置为向多个数据信号线(D1到DM)提供数据信号，发光信号驱动器被配置为依次向多个发光信号线(EM1到EMN)提供发光控制信号。在示例性实施方式中，多个扫描信号线和多个发光信号线沿着水平方向延伸，多个数据信号线沿着竖直方向延伸。所述显示装置包括多个子像素，一个子像素包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路与扫描信号线、发光控制线和数据信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流，发光器件与像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元分别被配置为通过第一电源线、第二电源线和初始信号线向像素驱动电路提供第一电源电压、第二电源电压和初始电源电压。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示区域可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个中包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。在示例性实施方式中，像素单元P可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色(W)子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图3为一种像素驱动电路的等效电路图。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个开关晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和8个信号线(数据信号线DATA、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2、第一电源线VSS、第二电源线VDD和发光信号线EM)。其中，第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2可以为同一条信号线。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线DATA连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第五晶体管T5的控制极与发光信号线EM连接，第五晶体管T5的第一极与第二电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线EM连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与第二初始信号线INIT2连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。存储电容C的第一端与第二电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第一电源线VSS连接，第一电源线VSS的信号为低电平信号，第二电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
图4为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图4所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板了可以包括设置在基底101上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离基底101一侧的发光器件103以及设置在发光器件103远离基底101一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。
在示例性实施方式中，每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中以每个子像素中包括一个驱动晶体管和一个存储电容为例进行示意。在一些可能的实现方式中，每个子像素的驱动电路层102可以包括：设置在基底上的第一绝缘层201；设置在第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层202；设置在第二绝缘层202上的栅电极和第一电容电极；覆盖栅电极和第一电容电极的第三绝缘层203；设置在第三绝缘层203上的第二电容电极；覆盖第二电容电极的第四绝缘层204，第二绝缘层202、第三绝缘层203和第四绝缘层204上开设有过孔，过孔暴露出有源层；设置在第四绝缘层204上的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过过孔与有源层连接；覆盖前述结构的平坦层205，平坦层205上开设有过孔，过孔暴露出漏电极。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成驱动晶体管210，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容211。
在示例性实施方式中，发光器件103可以包括阳极301、像素定义层302、有机发光层303和阴极304。阳极301设置在平坦层205上，通过平坦层205上开设的过孔与驱动晶体管210的漏电极连接；像素定义层302设置在阳极301和平坦层205上，像素定义层302上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极301；有机发光层303至少部分设置在像素开口内，有机发光层303与阳极301连接；阴极304设置在有机发光层303上，阴极304与有机发光层303连接；有机发光层303在阳极301和阴极304驱动下出射相应颜色的光线。
在示例性实施方式中，封装层104可以包括叠设的第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可采用无机材料，第二封装层402可采用有机材料，第二封装层402设置在第一封装层401和第三封装层403之间，可以保证外界水汽无法进入发光器件103。
在示例性实施方式中，OLED发光元件的有机发光层可以包括发光层(EmittingLayer，简称EML)，以及包括空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)中的一个或多个膜层。在阳极和阴极的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。
在示例性实施方式中，不同颜色的OLED发光元件的发光层不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在示例性实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作，但通过形成的膜层表面段差或者通过表面处理等手段实现隔离。例如，相邻子像素对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以是隔离的。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，Fine Metal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。
随着产品不断的发展，由于市场要求产品的分辨率越来越高，要求独立子像素的亮度越来越高，要求产品的功耗越来越低，因而对器件的效率、亮度、电压和寿命提出了更高的要求。一种OLED结构中，蓝色发光元件或绿色发光元件的使用寿命较短，导致长期使用后白平衡颜色的漂移，视觉上会出现开启白色画面时颜色发红或者发绿发粉的现象。虽然研究新的发光层材料可以提高发光元件使用寿命，但经过多年发展，从材料方向提升使用寿命不仅成本越来越高，而且提升潜力越来越小。
研究表明，OLED中单色发光元件的寿命衰减主要是由界面劣化和材料缺陷造成的。界面劣化的主要原因是由于界面处的能垒过大，累积电荷过多。例如，发光层两侧的界面是空穴和电子注入到发光层的重点界面，该两个界面的能级匹配容易造成载流子积累，这种电荷积累容易导致界面劣化，加快器件寿命衰减。材料缺陷的主要原因是键的扭曲，或者键的断裂。例如，OLED中较容易劣化的材料为电子阻挡层的材料。图5为一种发光层中激子复合区域的分布图，图6为一种电子阻挡层的键扭转示意图。由于发光层的激子复合区域主要集中在电子阻挡层和发光层界面0％处，使得过多的电子在该界面的累积，如图5所示。通常电子阻挡层的材料本身是富电子体系的材料，同时含有苯胺的结构，过多累积的电子会与电子阻挡层本身的富电子产生排斥力的作用，这种排斥力就会造成苯胺上的苯环δ键扭曲，外力造成的δ键扭曲的结果就是键的断裂，造成材料缺陷，器件寿命衰减较快，如图6所示。进一步研究表明，激子复合区域主要由发光主体材料自身传输性决定，通过调节其它功能层，复合区域的结果和图5的结果类似。
图7为本公开示例性实施例一种OLED结构的示意图。如图7所示，OLED包括阳极10、阴极90以及设置在阳极10和阴极90之间的有机发光层。在示例性实施方式中，有机发光层可以包括叠设的电子阻挡层40、发光层50和空穴阻挡层60，电子阻挡层40设置在阳极10与发光层50之间，空穴阻挡层60设置在发光层50与阴极90之间。在示例性实施方式中，电子阻挡层40被配置为对电子形成迁移势垒，阻止电子从发光层50中迁移出来。发光层50被配置为使电子和空穴发生复合而发出光线。空穴阻挡层60被配置为对空穴形成迁移势垒，阻止空穴从发光层50中迁移出来。
在示例性实施方式中，发光层50包括第一主体材料、第二主体材料和客体材料。图8为本公开示例性实施例一种OLED结构的能级关系示意图。如图8所示，在示例性实施方式中，电子阻挡层的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbit，简称HOMO)能级HOMOHBL高于第一主体材料的HOMO能级HOMO1-host，第一主体材料的HOMO能级HOMO1-host高于第二主体材料的HOMO能级HOMO2-host，第二主体材料的HOMO能级HOMO2-host高于空穴阻挡层的HOMO能级HOMOHBL。电子阻挡层的最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied MolecularOrbital，简称LUMO)能级LUMOHBL低于第一主体材料的LUMO能级LUMO1-host，第一主体材料的LUMO能级LUMO1-host高于第二主体材料的LUMO能级LUMO2-host，第二主体材料的LUMO能级LUMO2-host高于空穴阻挡层的LUMO能级LUMOHBL。
在示例性实施方式中，第一主体材料的主体材料可以包括p型发光材料，第二主体材料的主体材料可以包括n型发光材料。
在示例性实施方式中，第一主体材料、第二主体材料、电子阻挡层和空穴阻挡层可以满足：
│HOMO1-host-HOMOEBL│≤0.2eV，即ΔE1≤0.2eV
│LUMOHBL-LUMO2-host│≤0.2eV，即ΔE2≤0.2eV。
在示例性实施方式中，通过设置电子阻挡层与第一主体材料之间的HOMO能级关系，可以减小因能级间隙(gap)引起的空穴积累；通过设置第二主体材料与空穴阻挡层之间的LUMO能级关系，可以减小界面处的电子积累；由此优化了发光层两侧的两个界面，减少了界面的电荷累积。
在示例性实施方式中，第一主体材料和电子阻挡层可以满足：
│LUMOHBL-LUMO1-host│＝0.3eV至0.4eV。
在示例性实施方式中，通过设置第一主体材料与电子阻挡层之间的LUMO能级关系，可以利用第一主体材料的能级调控电子浓度，改善发光层中载流子的平衡，提高器件的发光效率。
在示例性实施方式中，第二主体材料和空穴阻挡层可以满足：
│HOMOHBL-HOMO2-host│≥0.3Ev，
在示例性实施方式中，通过设置第二主体材料与空穴阻挡层之间的HOMO能级关系，可以有利于阻挡空穴，将空穴限制在发光层中，增加发光层内部的空穴浓度，改善发光层中载流子的平衡，提高器件的发光效率。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的HOMO能级可以约为-5.2eV至-5.6eV，第一主体材料的HOMO能级可以约为-5.3eV至-5.6eV，第二主体材料的HOMO能级可以约为-5.6eV至-6.0eV，空穴阻挡层的HOMO能级可以约为-5.8eV至-6.5eV。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的LUMO能级可以约为-2.2eV至-2.6eV，第一主体材料的LUMO能级可以约为-2.0eV至-2.4eV，第二主体材料的LUMO能级可以约为-2.2eV至-2.6eV，空穴阻挡层的LUMO能级可以约为-2.3eV至-2.8eV。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的空穴迁移率(hole mobility)可以大于电子阻挡层的电子迁移率(Electron Mobility)。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的空穴迁移率可以约为10-4cm2/Vs至10-6cm2/Vs，电子阻挡层的电子迁移率可以小于10-8cm2/Vs。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的空穴迁移率可以大于10倍的第一主体材料的空穴迁移率。
在示例性实施方式中，第一主体材料的空穴迁移率可以约为10-5cm2/Vs至10-7cm2/Vs。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的电子迁移率可以大于第二主体材料的电子迁移率。
在示例性实施方式中，第二主体材料的电子迁移率可以约为10-8cm2/Vs至10-9cm2/Vs。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层的电子迁移率可以大于空穴阻挡层的空穴迁移率。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层的电子迁移率可以约为10-7cm2/Vs至10-9cm2/Vs。
在示例性实施方式中，发光层包括主体材料和掺杂在主体材料中的客体材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，即主体材料由第一主体材料和第二主体材料混合而成。在发光层主体材料中，第一主体材料和第二主体材料的混合比例可以为2：8至8：2。
在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀第一主体材料、第二主体材料和客体材料，使第一主体材料、第二主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制第一主体材料、第二主体材料或客体材料的蒸镀速率来调控混合比例和掺杂比例。
在示例性实施方式中，电子阻挡层40的厚度可以约为30nm至50nm。
在示例性实施方式中，发光层50的厚度可以约为30nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层60的厚度可以约为5nm至15nm。
在示例性实施方式中，发光层50和电子阻挡层40的厚度不同。例如，发光层50的厚度可以大于电子阻挡层40的厚度。
在示例性实施方式中，HOMO能级和LUMO能级可以采用光电子分光光度仪(AC3/AC2)或者和紫外(UV)光谱等方法进行测试，电子迁移率可以采用空间电荷限制电流法(SCLC)进行测试。
在示例性实施方式中，发光层为绿色发光层。通过提高绿色发光层的发光效率和使用寿命，可较好地改善有机电致发光器件的整体性能。
一种OLED结构中，激子复合区域主要集中在发光层与电子阻挡层的交界面处，使得过多的电子在该界面的累积，由于累积的电子会导致电子阻挡层的材料裂解，因而降低了材料的稳定性和寿命。本公开示例性实施例通过设置电子阻挡层、空穴阻挡层、发光层第一主体材料和第二主体材料之间的能级关系、迁移率关系或者能级和迁移率关系，可以减小界面处的电荷积累，可以适当增加发光层中的空穴浓度并适当减少发光层中的电子浓度，使激子复合区域向发光层中心移动，激子复合区域远离电子阻挡层，减小了对电子阻挡层的损伤。这样，在减少界面电荷累积的同时，减小电子阻挡层的损伤，因而提高了电子阻挡层的材料稳定性，减少了电子堆积引起的材料劣化和性能下降，提高了器件的寿命，提高了发光效率。
在示例性实施方式中，电子阻挡层的材料可以包括但不限于具有式1所示结构的化合物：
其中，Ar1至Ar2各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为6-30的芳基、或者取代未取代的成环原子数为5-20的杂芳基，至少有一个为甲基芴、二苯并呋喃或者噻吩。L1为单键，或者为取代为取代的含有6-30个碳原子的芳基。R1至R3各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为1-30的烷基、芳基、或者取代未取代的成环原子数为5-20的杂芳基。
在示例性实施方式中，式1所示结构含有主要核心罗芴结构，具有较高的空穴迁移率，能够增加空穴的传输，增加发光层中空穴的浓度，有利于发光层中的激子复合区域远离电子阻挡层/发光层界面，使激子复合区域远离电子阻挡层，减小了对电子阻挡层的损伤，有利于寿命增加。此外，罗芴为sp3杂化的正交结构，不易结晶，具有良好的稳定性，是一种高迁移率、稳定的电子阻挡层。
在示例性实施方式中，电子阻挡层可以包括但不限于具有式1-1至式1-6所示结构的化合物：
在示例性实施方式中，第一主体材料可以包括但不限于具有式2所示结构的化合物：
其中，Ar3至Ar4各自独立的为取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的杂芳基、含有硅基、氰基、卤素或者氘代的芳基或杂芳基。L2为单键、或者为含有6-30个碳原子的取代或者未取代的芳基。
在示例性实施方式中，式2所示结构的核心主体包括双咔唑结构，具有很高的最低三重态能量T1，有助于主体到客体的能量传递，同时防止三线态激子的回传，增加有效发光激子的浓度，增加效率。此外，式2所示结构具有很高的空穴迁移率。
在示例性实施方式中，第一主体材料可以包括但不限于具有式2-1至式2-6所示结构的化合物：
在示例性实施方式中，第二主体材料可以包括但不限于具有式3所示结构的化合物：
其中，Ar5为取代或者未取代的碳原子数为6-30的芳基、杂芳基，或者含有咔唑、二苯并呋喃、噻吩。L3为碳原子是6-20的芳基。
在示例性实施方式中，式3所示结构的材料除了具有电子传输特性之外，通过引入取代基团，可以增加第二主体材料的最低三重态能量T1。
在示例性实施方式中，第二主体材料可以包括但不限于具有式3-1至式3-5所示结构的化合物：
在示例性实施方式中，包括第一主体材料和第二主体材料的发光层具有很高的最低三重态能量T1，与具有较高空穴迁移率的电子阻挡层搭配起来，可以在增加空穴、延长寿命的同时，可以增加有效的三线态激子几率，增加有效发光激子的浓度，提高效率。
在示例性实施方式中，第一主体材料、第二主体材料、电子阻挡层和空穴阻挡层可以为本领域技术人员已知的满足上述能级关系的其它材料，本公开在此不做限定。
图9为本公开示例性实施例另一种OLED结构的示意图。如图9所示，OLED包括阳极10、阴极90以及设置在阳极10和阴极90之间的有机发光层。在示例性实施方式中，有机发光层可以包括叠设的空穴注入层20、空穴传输层30、电子阻挡层40、发光层50、空穴阻挡层60、电子传输层70和电子注入层80。空穴注入层20、空穴传输层30和电子阻挡层40设置在阳极10与发光层50之间，空穴注入层20与阳极10连接，电子阻挡层40与发光层50连接，空穴传输层30设置在空穴注入层20和电子阻挡层40之间。空穴阻挡层60、电子传输层70和电子注入层80设置在发光层50与阴极90之间，空穴阻挡层60与发光层50连接，电子注入层80与阴极90连接，电子传输层70设置在空穴阻挡层60和电子注入层80之间。在示例性实施方式中，空穴注入层20被配置为降低从阳极注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到发光层50中。空穴传输层30被配置为实现注入空穴定向有序的可控迁移。电子阻挡层40被配置为对电子形成迁移势垒，阻止电子从发光层50中迁移出来。发光层50被配置为使电子和空穴发生复合而发出光线。空穴阻挡层60被配置为对空穴形成迁移势垒，阻止空穴从发光层50中迁移出来。电子传输层70被配置为实现注入电子定向有序的可控迁移。电子注入层80被配置为降低从阴极注入电子的势垒，使电子能从阴极有效地注入到发光层50。
在示例性实施方式中，发光层50包括第一主体材料、第二主体材料和客体材料，电子阻挡层40、第一主体材料和第二主体材料的材料和结构与前述实施例的材料和结构相同或相类似，这里不再赘述。
在示例性实施方式中，阳极可以采用具有高功函数的材料。对于底发射型，阳极可以采用透明氧化物材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等，阳极的厚度可以约为80nm至200nm。对于顶发射型，阳极可以采用金属和透明氧化物的复合结构，如Ag/ITO、Ag/IZO或者ITO/Ag/ITO等，阳极中金属层的厚度可以约为80nm至100nm，阳极中透明氧化物的厚度可以约为5nm至20nm，使阳极在可见光区的平均反射率约为85％～95％。
在示例性实施方式中，对于顶发射型OLED，阴极可以采用金属材料，通过蒸镀工艺形成，金属材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)或铝(Al)，或者采用合金材料，如Mg:Ag的合金，Mg:Ag比例约为9:1至1:9，阴极的厚度可以约为10nm至20nm，使阴极在波长530nm处的平均透过率约为50％～60％。对于底发射型OLED，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)或Mg:Ag的合金，阴极的厚度可以约大于80nm，使阴极具有良好的反射率。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，如六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基对醌二甲烷(F4-TCNQ)，或者1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷等。
在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用具有空穴传输特性的芳胺类或者咔唑材料，例如4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4'-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)或者9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)等。
在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为80nm至120nm，空穴传输层的导电率小于或等于空穴注入层的导电率。
在示例性实施方式中，电子传输层和空穴阻挡层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。例如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、浴铜灵(BCP)或者4,4'-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)等。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。
在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
在示例性实施方式中，OLED可以包括封装层，封装层可以采用盖板封装，或者可以采用薄膜封装。
在示例性实施方式中，对于顶发射型OLED，阴极和阳极之间的有机发光层的厚度可以按照满足光学微谐振腔的光程要求设计，以获得最优的出光强度和颜色。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备包括OLED结构的显示基板。首先，通过图案化工艺在基底上形成驱动电路层，每个子像素的驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的驱动晶体管和存储电容。随后，在形成前述结构的基底上形成平坦层，每个子像素的平坦层上形成有暴露出驱动晶体管的漏电极的过孔。随后，在形成前述结构的基底上，通过图案化工艺形成阳极，每个子像素的阳极通过平坦层上的过孔与驱动晶体管的漏电极连接。随后，在形成前述结构的基底上，通过图案化工艺形成像素定义层，每个子像素的像素定义层上形成有暴露出阳极的像素开口，每个像素开口作为每个子像素的发光区域。随后，在形成前述结构的基底上，先采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，在显示基板上形成空穴注入层和空穴传输层的共通层，即所有子像素的空穴注入层是连通的，所有子像素的空穴传输层是连通的。例如，空穴注入层和空穴传输层各自的面积大致是相同的，厚度不同。随后，采用精细金属掩模版在不同的子像素分别蒸镀电子阻挡层和红色发光层、电子阻挡层和绿色发光层、以及电子阻挡层和蓝色发光层，相邻子像素的电子阻挡层和发光层是可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极的共通层，即所有子像素的空穴阻挡层是连通的，所有子像素的电子传输层是连通的，所有子像素电子注入层的是连通的，所有子像素的阴极是连通的。
在示例性实施方式中，形成发光层过程中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀第一主体材料、第二主体材料和客体材料，使第一主体材料、第二主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制第一主体材料、第二主体材料或客体材料的蒸镀速率来调控混合比例和掺杂比例。
在示例性实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极中的一层或多层在基底上的正投影是连续的。在一些示例中，至少一行或一列的子像素的空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极中的至少一层是连通的。在一些示例中，多个子像素的空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极中的至少一层是连通的。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括位于空穴传输层和发光层之间的微腔调节层。例如，可以在形成空穴传输层之后，采用精细金属掩模版在不同的子像素分别蒸镀红色微腔调节层和红色发光层、绿色微腔调节层和绿色发光层、以及蓝色微腔调节层和蓝色发光层。在示例性实施方式中，红色微腔调节层、绿色微腔调节层和蓝色微腔调节层可以包括电子阻挡层。
在示例性实施方式中，由于空穴阻挡层是共通层，而不同子像素的发光层是隔离的，因而空穴阻挡层在基板上的正投影包含发光层在基板上的正投影，空穴阻挡层的面积大于发光层的面积。
在示例性实施方式中，由于空穴阻挡层是共通层，因而空穴阻挡层在基板上的正投影至少包括两个子像素的发光区域在基板上的正投影。
在示例性实施方式中，至少部分子像素的发光层在基板上的正投影与像素驱动电路驱动在基板上的正投影有交叠。
表1至表3为本公开示例性实施例几种膜层材料组合结构的性能比较结果。对比实验中，对比结构、结构1至结构8的有机发光层的结构均为HIL/HTL/EBL/EML/HBL/ETL/EIL，对比结构、结构1至结构8的相应膜层的厚度相同，对比结构、结构1至结构8的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和空穴注入层EIL的材料相同。表中LT95表示OLED从初始亮度(100％)降低到95％的时间，由于寿命曲线遵循多指数衰减模型，因而可以根据LT95估算OLED的寿命。
对比结构、结构1至结构8中材料相同膜层的相关材料为：
表1为本公开示例性实施例一种不同EBL材料的性能比较结果。对比实验中，对比结构、结构1至结构2的第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料相同，电子阻挡层EBL的材料不同。对比结构、结构1至结构2的电子阻挡层EBL、第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料为：
表1、一种不同EBL材料的性能比较结果
如表1所示，与对比结构相比，结构1和结构2在提升寿命方面均有明显的提升。因此，本公开示例性实施例采用发光层和电子阻挡层的能级搭配以及不同的电子阻挡层材料组合，寿命和效率有明显提升。
表2为本公开示例性实施例一种不同EML1和EML2材料的性能比较结果。对比实验中，对比结构、结构3至结构5的电子阻挡层EBL的材料相同，第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料不同。对比结构、结构1至结构2的电子阻挡层EBL、第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料为：
表2、一种不同EML1和EML2材料的性能比较结果
如表2所示，与对比结构相比，结构3和结构4在提升效率和提升寿命等方面均有明显的提升，结构5在提升效率和降低电压等方面比较明显。因此，本公开示例性实施例采用发光层和电子阻挡层的能级搭配以及不同的第一主体材料和第二主体材料组合，寿命和效率有大幅度的提升。
表3为本公开示例性实施例一种不同EBL、EML1和EML2材料的性能比较结果。对比实验中，对比结构、结构6至结构8的电子阻挡层EBL、第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料均不同。对比结构、结构6至结构8的电子阻挡层EBL、第一主体材料EML1和第二主体材料EML2的材料为：
表3、一种不同EBL、EML1和EML2材料的性能比较结果
如表3所示，与对比结构相比，结构6、结构7和结构8在提升效率方面十分明显，结构6和结构7在提升寿命方面十分明显，结构7和结构8在降低电压方面十分明显。因此，本公开示例性实施例采用发光层和电子阻挡层的能级搭配以及同时不同的电子阻挡层、第一主体材料和第二主体材料组合，寿命和效率有大幅度的提升。
本公开示例性实施例通过合理搭配发光层主体材料、发光层客体材料和电子阻挡层的材料，通过设置电子阻挡层、空穴阻挡层、第一主体材料和第二主体材料之间的能级关系、迁移率关系或者能级和迁移率关系，优化了发光层两侧的两个界面，可以减小能级间隙引起的空穴积累，减小发光层与电子阻挡层交界面处的电子积累，可以适当增加发光层中的空穴浓度并适当减少发光层中的电子浓度，使激子复合区域向发光层中心移动，激子复合区域远离电子阻挡层，减小了对电子阻挡层的损伤。这样，在减少界面电荷累积的同时，减小电子阻挡层的损伤，因而提高了电子阻挡层的材料稳定性，减少了电子堆积引起的材料劣化和性能下降，提高了器件的寿命，提高了发光效率。
本公开示例性实施例通过将具有很高的最低三重态能量T1的发光层和具有较高空穴迁移率的电子阻挡层搭配起来，不仅增加了空穴，延长了寿命，而且增加了有效的三线态激子几率，增加了有效发光激子的浓度，提高了效率。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述的有机电致发光器件。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层和阳极之间设置有电子阻挡层，所述发光层和阴极之间设置有空穴阻挡层；所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料；所述主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，所述电子阻挡层的HOMO能级高于所述第一主体材料的HOMO能级，所述第一主体材料的HOMO能级高于所述第二主体材料的HOMO能级，所述第二主体材料的HOMO能级高于所述空穴阻挡层的HOMO能级，所述电子阻挡层的LUMO能级低于所述第一主体材料的LUMO能级，所述第一主体材料的LUMO能级高于所述第二主体材料的LUMO能级，所述第二主体材料的LUMO能级高于所述空穴阻挡层的LUMO能级；
所述第一主体材料、第二主体材料、电子阻挡层和空穴阻挡层满足：
│HOMO1-host-HOMOEBL│≤0.2eV，│LUMOHBL-LUMO2-host│≤0.2eV，
所述第一主体材料和空穴阻挡层满足：
│LUMOHBL-LUMO1-host│＝0.3eV至0.4eV，
所述第二主体材料和空穴阻挡层满足：
│HOMOHBL-HOMO2-host│≥0.3eV，
其中，HOMO1-host为所述第一主体材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO2-host为所述第二主体材料的HOMO能级，HOMOEBL为所述电子阻挡层的HOMO能级，HOMOHBL为所述空穴阻挡层的HOMO能级，LUMO2-host为所述第二主体材料的最低未占分子轨道LUMO能级，LUMO1-host为所述第一主体材料的LUMO能级，LUMOHBL为所述空穴阻挡层的LUMO能级。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的空穴迁移率大于所述电子阻挡层的电子迁移率。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的空穴迁移率为10-4cm2/Vs至10-6cm2/Vs，所述电子阻挡层的电子迁移率小于10-8cm2/Vs。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的空穴迁移率大于10倍的所述第一主体材料的空穴迁移率。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的电子迁移率大于所述第二主体材料的电子迁移率。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴阻挡层的电子迁移率大于所述空穴阻挡层的空穴迁移率。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一主体材料的空穴迁移率为10-5cm2/Vs至10-7cm2/Vs，所述第二主体材料的电子迁移率为10-8cm2/Vs至10-9cm2/Vs，所述空穴阻挡层的电子迁移率为10-7cm2/Vs至10-9cm2/Vs。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述主体材料中，所述第一主体材料和第二主体材料的混合比例为2：8至8：2。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一主体材料包括p型发光材料，所述第二主体材料包括n型发光材料。
10.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，所述电子阻挡层的材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar1至Ar2各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为6-30的芳基、或者为取代或未取代的成环原子数为5-20的杂芳基，至少有一个为甲基芴、二苯并呋喃或者噻吩；L1为单键，或者为取代的含有6-30个碳原子的芳基；R1至R3各自独立的为取代或未取代的成环碳原子数为1-30的烷基、或者为取代或未取代的成环原子数为5-20的杂芳基。
11.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
12.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，所述第一主体材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar3至Ar4各自独立的为取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的杂芳基；L2为单键、或者为含有6-30个碳原子的取代或者未取代的芳基。
13.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述第一主体材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
14.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，所述第二主体材料包括具有如下结构式的化合物：
其中，Ar5为取代或者未取代的碳原子数为6-30的芳基、杂芳基，或者为咔唑、二苯并呋喃、噻吩；L3为碳原子是6-20的芳基。
15.根据权利要求1至9任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述第二主体材料包括具有如下结构式的化合物的一种或多种：
16.一种显示装置，包括权利要求1至15任一项所述的有机电致发光器件。
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