CN109994636A - 一种有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明属于有机电致发光器件技术领域,具体涉及一种绿光主体材料,以及其制备OLED器件的应用。本发明所述的绿光主体材料,包括P型绿光主体材料和N型磷光主体材料作为发光主体材料,所述P型材料优选HOMO能级与电子阻挡层匹配的材料,N型材料优选LUMO能级与空穴阻挡层匹配的材料,通过N型主体和P型主体的掺杂蒸镀,利用两种不同类型的材料共蒸的方式可实现发光层内P/N结的构建,可以有效的增大材料的接触,增大电子与空穴的接触面积,提高符合效率,提高载流子在发光层中的迁移和复合,提高能量利用率,从而改善器件的光电性能,提高器件的寿命,达到提升器件效能的作用。
Description
技术领域
本发明属于有机电致发光器件技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
电致发光现象最早在20世纪三十年代被发现,最初的发光材料为ZnS粉末,并由此发展出了LED技术,现在广泛的应用在了节能光源上。而有机电致发光现象是1963年Pope等人最早发现的,他们发现蒽的单层晶体在100V以上电压的驱动下,可以发出微弱的蓝光。直到1987年柯达公司的邓青云博士等人将有机荧光染料以真空蒸镀方式制成双层器件,在驱动电压小于10V的电压下,外量子效率达到了1%,使得有机电致发光材料及器件具有了实用性的可能,从此大大推动了OLED材料及器件的研究。
目前随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进,人们对于其核心材料的研究更加关注,一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果,这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。目前常见的功能化有机材料有:空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料,电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。为了制备性能更好的发光器件,业界一直致力于开发新的有机电致发光材料以进一步提高器件的发光效率和寿命。
随着OLED技术实用化进程的加快,具备低功耗、高效率、长寿命的OLED材料和器件设计方案越来越多的受到重视。在现有常见的OLED器件结构中,绿光OLED器件的发光层(EML)通常由单一的主体材料掺杂染料制备,由于空穴型(P)材料的迁移率普遍高于电子型(N)材料,因此,绿光主体材料通常为单一的N型材料。然而,由于单一的N型绿光主体材料往往具有较低的空穴迁移率甚至具备很强的空穴阻挡作用,因此导致电子与空穴在发光层的复合不充分,能量利用率低,造成器件电压偏高、电流效率低且严重影响器件寿命。
发明内容
为了克服以上现有技术中传统器件的缺点,本发明提供一种新的有机电致发光器件。
为解决上述技术问题,本发明所述的一种有机电致发光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光功能层和阴极层;所述有机发光功能层包括有机发光层,所述有机发光层包括发光主体材料以及染料;
所述发光主体材料为绿光主体材料,其包括HOMO能级为5.5-5.9eV的P型绿光主体材料以及LUMO能级为2.5-3.0eV的N型磷光主体材料。
进一步的,所述P型绿光主体材料选自具有如下式(1)和/或(2)所示结构的材料:
式(1)所示化合物中,
所述Ar1、Ar2彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Ar3、Ar4彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团;
式(2)所示化合物中,
所述X1选自O、S或Se;
所述Ar5选自除苯基和萘基之外的单取代芳基、二取代芳基、三取代芳基、四取代芳环和稠芳环基团;
所述Ar6和Ar7彼此独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基团的任意组合;
所述L1、L2、L3彼此独立地选自直接键、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基以及以上基团的任意组合。
优选的,所述P型绿光主体材料选自具有如下式1.1-1.6所示结构的材料:
所述P型绿光主体材料选自具有如下式2.1-2.8所示结构的材料:
具体的,所述N型磷光主体材料选自具有如下式(3)和/或(4)所示结构的材料:
式(3)所示化合物中,
n为1或2;
所述Ar8选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Hy由下式(Hy1)或(Hy2)表示:
所述L4选自化学键、C6-C12的亚芳基或亚稠环芳烃基团、C3-C12的亚杂芳基或亚稠杂环芳烃基团;
式(4)所示化合物中,
X2选自O、S或Se;
所述Ar9选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述L5选自化学键、C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述R选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。
优选的,所述N型磷光主体材料选自具有如下式3.1-3.9所示结构的材料:
所述N型磷光主体材料选自具有如下式4.1-4.6所示结构的材料:
优选的,所述P型绿光主体材料与所述N型磷光主体材料的质量比为1:9-9:1。
更优的,所述P型绿光主体材料与所述N型磷光主体材料的质量比为2:3-3:2。
进一步的,所述有机发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、以及电子注入层。
本发明所述的有机电致发光器件,其有机发光层采用的主体材料为绿光主体材料,包括P型绿光主体材料和N型磷光主体材料作为发光主体材料,所述P型材料优选HOMO能级与电子阻挡层匹配的材料,N型材料优选LUMO能级与空穴阻挡层匹配的材料,通过N型主体和P型主体的掺杂蒸镀,利用两种不同类型的材料共蒸的方式可实现发光层内P/N结的构建,可以有效的增大材料的接触,增大电子与空穴的接触面积,提高符合效率,提高载流子在发光层中的迁移和复合,提高能量利用率,从而改善器件的光电性能,提高器件的寿命,达到提升器件效能的作用。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中,
图1为本发明所述有机电致发光器件的结构示意图;
图中附图标记表示为:1-基板,2-阳极,3-空穴注入层,4-空穴传输层,5-电子阻挡层,6-发光层,7-空穴阻挡层,8-电子传输层,9-电子注入层,10-阴极。
具体实施方式
本发明所述有机电致发光器件的有机发光层的主体材料,包括P型绿光主体材料以及N型磷光主体材料。所述P型绿光主体材料选自具有如下式(1)和/或(2)所示结构的材料:
式(1)所示化合物中,
所述Ar1、Ar2彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Ar3、Ar4彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团;
式(2)所示化合物中,
所述X1选自O、S或Se;
所述Ar5选自除苯基和萘基之外的单取代芳基、二取代芳基、三取代芳基、四取代芳环和稠芳环基团;
所述Ar6和Ar7彼此独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基团的任意组合;
所述L1、L2、L3彼此独立地选自直接键、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基以及以上基团的任意组合。
所述N型磷光主体材料选自具有如下式(3)和/或(4)所示结构的材料:
式(3)所示化合物中,
n为1或2;
所述Ar8选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Hy由下式(Hy1)或(Hy2)表示:
式(Hy1)与式(Hy2)中:
*表示与L的连接位点;
Ra表示单、二、三、四取代或无取代,且任何相邻的Ra任选地连接,Rb表示单、二、三、四取代或无取代,且任何相邻的Ra或Rb任选地连接;
Ra和Rb分别独立选自氢、C1-C10的烷基、卤素、氰基、硝基、C6-C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团,当Ra和Rb分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时,所述其上的取代基团独立选自卤素、氰基、硝基,或选自C1-C30的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团,或者独立选自具有4-60个环碳原子的单环或稠环芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且具有4-60个环碳原子的单环或稠环芳基;
X选自化学键、-C(R9)2-、-NR10-、-O-或-S-;Y选自-C(R9) 2-、-NR10-、-O-或-S-;所述R9和R10分别独立选自氢、C1-C5的烷基、卤素、氰基、硝基、C6-C10的芳基或稠环芳烃基团、C3-C30的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述L4选自化学键、C6-C12的亚芳基或亚稠环芳烃基团、C3-C12的亚杂芳基或亚稠杂环芳烃基团;
式(4)所示化合物中,
X2选自O、S或Se;
所述Ar9选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述L5选自化学键、C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述R选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。
实施例1化合物1.2的合成
氮气保护下,于装有机械搅拌的四口瓶中,冷凝管的500ml四口瓶中加入2-三甲苯基硼酸酯(84mmol,1eq),原料A(100mmol,1.2eq),四三苯基膦钯(1.9g,1.68mmol,2%eq),碳酸钾(34.8g,252mmol,3eq),甲苯300mL,乙醇100ml,水100ml反应混合物回流反应24h。降至室温后,直接加入250mL水分液,水相用200ml二氯甲烷萃取三次,合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在乙醇中重结晶,过滤得白色固体18g,计算产率70%。
氮气保护下,于装有机械搅拌的四口瓶中,冷凝管的500ml四口瓶中加入9,9-二甲基芴-2-硼酸(20g,84mmol,1eq),中间体B(100.8mmol,1.2eq),四三苯基膦钯(1.9g,1.68mmol,2%eq),碳酸钾(34.8g,252mmol,3eq),甲苯300mL,乙醇100ml,水100ml反应混合物回流反应24h。降至室温后,直接加入250mL水分液,水相用200ml二氯甲烷萃取三次,合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在乙醇中重结晶,过滤得产品。
实施例2化合物2.1的合成
氮气保护下,于装有机械搅拌的四口瓶中,冷凝管的500ml四口瓶中加入9,9-二甲基芴-2-硼酸(84mmol,1eq),间氯溴苯(100mmol,1.2eq),四三苯基膦钯(1.9g,1.68mmol,2%eq),碳酸钾(34.8g,252mmol,3eq),甲苯300mL,乙醇100ml,水100ml反应混合物回流反应24h。降至室温后,直接加入250mL水分液,水相用200ml二氯甲烷萃取三次,合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在乙醇中重结晶,过滤得18g白色固体M1。
氮气保护下,于装有机械搅拌的四口瓶中,冷凝管的500ml四口瓶中加入中间体M1(10mmol,1eq),二苯并噻吩-4-硼酸(12mmol,1.2eq),四三苯基膦钯(0.8g,0.2mmol,2%eq),碳酸钾(34.8g,30mmol,3eq),甲苯300mL,乙醇100ml,水100ml反应混合物回流反应24h。降至室温后,直接加入250mL水分液,水相用200ml二氯甲烷萃取三次,合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在乙醇中重结晶,过滤得白色固体M2。
在N2保护下加入36g(190mmol)中间体M2、2500mL THF,在冰乙醇浴中用液态氮降温至-40℃,将反应液澄清,开始滴加正丁基锂95mL(228mmol)。在滴加过程中未观察到明显升温,反应液的颜色变深至红棕色,有少量固体析出。当正丁基锂滴加完1/2后,撤去冷浴,滴毕,反应液温度为-20℃,自然升温至室温后继续反应5小时,反应液保持红棕色。降温至-80℃,加入硼酸三异丙酯50g(266mmol),自然升温并反应过夜(18小时)。向反应液中加水并分液,将有机相浓缩,得到白色粉末,并用石油醚煮洗,从而得到M3中间体。
氮气保护下,于装有机械搅拌的四口瓶中,冷凝管的500ml四口瓶中加入中间体M3(10mmol,1eq),2-氯-4,6-二苯基三嗪(12mmol,1.2eq),四三苯基膦钯(0.8g,0.2mmol,2%eq),碳酸钾(34.8g,30mmol,3eq),甲苯300mL,乙醇100ml,水100ml反应混合物回流反应24h。降至室温后,直接加入250mL水分液,水相用200ml二氯甲烷萃取三次,合并有机相浓缩得粗产品。粗产品在乙醇中重结晶,过滤得终产品2.1。
实施例3化合物3.1的合成
选择N-杂咔唑作为起始原料,在氮气保护下,将N-杂咔唑(0.05mol,1.0eq),溴苯(0.06mol,1.2eq),Pd2(dba)3(1%),(t-Bu)3P(2%),磷酸钾(3eq),甲苯500ml,加热至回流,反应过夜。反应液中加入水,分液,有机层水洗,干燥,柱层析,浓缩得到中间体M1为淡黄色粉末15g,计算收率93.2%。
氮气保护下,向1L三口瓶中加入M1(0.05mol,1.0eq),NBS(1.1eq),500ml DMF,开启搅拌,常温反应过夜,加1L乙酸乙酯稀释,加水3000ml洗,分液,有机相干燥,浓缩,过滤得到M2黄色固体粉末14.2g,计算收率74%。
氮气保护下,将3-溴咔唑(0.05mol,1.0eq),N-苯基-3-硼酸咔唑(0.06mol,1.2eq),Pd(PPh3)4(1%),碳酸钾(3eq),二氧六环和水的混合液(500+200ml),加热至回流,反应过夜。反应液中加入水,分液,有机层水洗,干燥,柱层析,浓缩得到中间体M3为淡黄色粉末15g,计算收率93.2%。
氮气保护下,将M3(0.05mol,1.0eq),M2(0.06mol,1.2eq),Pd2(dba)3(1%),(t-Bu)3P(2%),磷酸钾(3eq),甲苯500ml,加热至回流,反应过夜。反应液中加入水,分液,有机层水洗,干燥,柱层析,浓缩,甲苯重结晶得到19.4g黄色粉末A1,计算收率89.2%。
1HNMR(400MHz,Chloroform)δ8.56(d,J=4.0Hz,3H),8.35(d,J=4.0Hz,5H),8.19(s,1H),8.14(s,1H),8.04(d,J=1.7Hz,2H),7.90(s,1H),7.51(d,J=8.0Hz,7H),7.41(d,J=12.0Hz,4H),7.34(s,1H),7.31–7.07(m,11H)。可见,产物结构正确。
实施例4化合物4.1的合成
氮气保护下,将原料A(0.05mol,1.0eq),原料B(0.06mol,1.2eq),Pd2(dba)3(1%),(t-Bu)3P(2%),磷酸钾(3eq),甲苯500ml,加热至回流,反应过夜。反应液中加入水,分液,有机层水洗,干燥,柱层析,浓缩,甲苯重结晶得到19.4g黄色粉末C,收率89.2%。
氮气保护下,将中间体C(0.05mol,1.0eq),4-溴联苯(0.06mol,1.2eq),Pd2(dba)3(1%),(t-Bu)3P(2%),磷酸钾(3eq),甲苯500ml,加热至回流,反应过夜。反应液中加入水,分液,有机层水洗,干燥,柱层析,浓缩,甲苯重结晶得到终产品。
本发明其他化合物的制备方法参照实施例1-4的合成路线,进行常规原料的选择及替换即可。
器件实施例
如图1所示的器件结构,本发明所述OLED器件包括位于基板1上的阳极2和阴极10,以及位于电极之间有机材料,所述阳极2以上依次设置有空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9。
上述结构OLED器件中,所述基板1使用有机发光显示器所用的基板,例如:玻璃、聚合物材料以及带有TFT元器件的玻璃和聚合物材料等。
所述阳极2的材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料,也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料,也可以是PEDOT等有机导电材料,及上述材料的多层结构。
所述阴极10为镁银混合物、LiF/Al、ITO等金属、金属混合物、氧化物。
所述空穴注入层3包括MoO3等金属氧化物或T-NATA等有机材料。
所述空穴传输层4和所述电子阻挡层5包括以下所罗列的HT01-HT31材料:
所述发光层6中,涉及的绿色磷光掺杂剂包括以下所罗列的GPD01-GPD57等材料:
所述空穴阻挡层7和所述电子传输层8包括以下所罗列的ET1-ET57等材料:
本发明下述各实施例中有机电致发光器件制备过程如下:
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在上述阳极层膜上真空蒸镀T-NATA作为空穴注入层3,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为10nm;
在空穴注入层3之上真空蒸镀HT-2作为器件的空穴传输层4,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为60nm;
在空穴传输层4之上真空蒸镀HT-31作为器件的电子阻挡层5,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为20nm;
在电子阻挡层5之上真空蒸镀器件的发光层6,发光层6包括主体材料和染料材料,利用多源共蒸的方法,下述实施例1-21中,所述主体材料和染料的选择见下表1,并调节P型绿色磷光主体材料(通式1或通式2)和N型绿色磷光主体材料(通式3或通式4)蒸镀速率比为1:9-1:0.11(1:9-9:1),其中比例高的主体材料蒸镀速率为0.1nm/s,染料GPD-1蒸镀速率10%比例设定,蒸镀总膜厚为30nm;
在发光层6之上真空蒸镀器件的空穴阻挡层7材料ET-17,其蒸镀速率为0.05nm/s,蒸镀总膜厚为5nm;
在空穴阻挡层7之上真空蒸镀器件的电子传输层8材料ET-9,其蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30nm;
在电子传输层8上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层9,厚度为150nm的Al层作为器件的阴极10。
表1器件实施例1-21结构及材料选择
器件对比例1-6
所述器件对比例1-6的器件结构分别与器件实施例1-21中OLED器件的结构相同,制备方法也相同。所述各功能层也与器件实施例1-21中OLED器件相同,其区别仅在于,所述发光材料分别仅选用单独的如式(1)或(2)所示的P型绿色磷光主体材料或式(3)或式(4)所示的N型绿色磷光主体材料。所述对比例1-6中器件所采用的发光主体材料分别为本发明所述化合物1.2、1.3、2.1、3.1、4.1、4.2。
对上述器件实施例1-21和器件对比例1-6中器件的性能进行检测,包括器件测试电压、器件效率和器件寿命数据,测试结果记录于下表2。
表2器件性能测试结果
从上表数据可知,本发明所述发光层利用两种不同类型的材料共蒸的方式可实现发光层内P/N结的构建,增大电子与空穴的接触面积,提高符合效率,从而有效提升了制得器件的性能和功效。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光功能层和阴极层;所述有机发光功能层包括有机发光层,所述有机发光层包括发光主体材料以及染料;其特征在于:
所述发光主体材料为绿光主体材料,其包括HOMO能级为5.5-5.9eV的P型绿光主体材料以及LUMO能级为2.5-3.0eV的N型磷光主体材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述P型绿光主体材料选自具有如下式(1)和/或(2)所示结构的材料:
式(1)所示化合物中,
所述Ar1、Ar2彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Ar3、Ar4彼此独立的选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团;
式(2)所示化合物中,
所述X1选自O、S或Se;
所述Ar5选自除苯基和萘基之外的单取代芳基、二取代芳基、三取代芳基、四取代芳环和稠芳环基团;
所述Ar6和Ar7彼此独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基团的任意组合;
所述L1、L2、L3彼此独立地选自直接键、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基以及以上基团的任意组合。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述P型绿光主体材料选自具有如下式1.1-1.6所示结构的材料:
4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述P型绿光主体材料选自具有如下式2.1-2.8所示结构的材料:
5.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述N型磷光主体材料选自具有如下式(3)和/或(4)所示结构的材料:
式(3)所示化合物中,
n为1或2;
所述Ar8选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述Hy由下式(Hy1)或(Hy2)表示:
所述L4选自化学键、C6-C12的亚芳基或亚稠环芳烃基团、C3-C12的亚杂芳基或亚稠杂环芳烃基团;
式(4)所示化合物中,
X2选自O、S或Se;
所述Ar9选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述L5选自化学键、C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团;
所述R选自C6-C60的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C3-C60的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述N型磷光主体材料选自具有如下式3.1-3.9所示结构的材料:
7.根据权利要求5或6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述N型磷光主体材料选自具有如下式4.1-4.6所示结构的材料:
8.根据权利要求1-7任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述P型绿光主体材料与所述N型磷光主体材料的质量比为1:9-9:1。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述P型绿光主体材料与所述N型磷光主体材料的质量比为2:3-3:2。
10.根据权利要求1-9任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、以及电子注入层。
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