CN114927408A - 一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明适用集成电路芯片处理技术领域，发明了一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，所述方法包括：制备技术混合溶解剂配方溶液；加热；浸泡；分离；清洗；烘烤；测试包装，本方法可以在不损伤芯片结构完整性和焊盘的情况将环氧树脂封装结构的电子器件中的芯片分离出来，本发明提供的方法对芯片腐蚀性小，操作简单，操作条件要求低，提高了电子器件的无损芯片分离再生利用率。

Description

一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法
技术领域
本发明属于集成电路芯片处理技术领域，尤其涉及一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法。
背景技术
集成电路芯片是精密的电子器件，为了保证其正常稳定运行，会在集成电路芯片外部设置环氧树脂封装结构。然而，在芯片生产过程中常出现打线不良但芯片性能良好的情况发生，在这种情况下就要对芯片进行去环氧树脂封装，即芯片分离，以便对芯片性能进行测试和修复。目前的做法有两种，一种是通过机械研磨方法将目标集成电路芯片以外的其他全部磨掉，最后只剩下目标集成电路芯片。二种是利用高温将包裹集成电路芯片表面的环氧树脂和电路板的有机物碳化，然后用浓硫酸煮开。但是，这两种方法都存在缺陷，采用机械研磨可能会集成电路芯片造成机械损伤，而用浓硫酸腐蚀则是可能对集成电路芯片的焊盘造成腐蚀，因而两种方法都可能导致集成电路芯片损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，旨在解决背景技术中提到的现有技术中的两种方法都可能导致集成电路芯片损坏的问题。
本发明提供了一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，所述电子器件包括外部设有环氧树脂封装结构的单芯片结构和堆叠多层芯片封装结构的集成电路芯片，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
制备技术混合溶解剂配方溶液：取二乙烯三胺、乙二醇甲醚、吗啉、丙酮和二氨基二苯醚磺酸盐分别按10-30％、10-30％、15-30％、15-40％和2％的体积比例进行混合，获得技术混合溶解剂配方溶液；
加热：将所述技术混合溶解剂配方溶液加热至预定温度；
浸泡：将待处理的所述电子器件放入加热后的所述技术混合溶解剂配方溶液中浸泡至所述电子器件外部的环氧树脂封装软化，对于堆叠多层芯片封装结构的集成电路芯片来说，还包括浸泡至多层芯片之间的粘结膜层软化；
分离：将集成电路芯片与外部的环氧树脂封装分离后取出，对于堆叠多层封装结构的集成电路芯片来说，还包括将多层芯片彼此分离；
清洗：清洗分离出的所述芯片；
烘烤：将清洗过的所述芯片烘烤干；
测试包装：对烘烤干的所述芯片进行内部电路测试和故障修复后对其进行封装测试。
进一步地，所述预热温度为40-200℃。
进一步地，对所述环氧树脂封装结构的集成电路芯片进行处理时，所述预热温度为140℃。
进一步地，使用酒精溶剂对分离出的所述芯片进行清洗。
进一步地，所述步骤浸泡的时长至少为3小时。
本发明的有益效果：电子器件一般由环氧树脂、集成电路芯片和电路板组成，堆叠多层芯片封装结构的电子器件中还包括连接于多个芯片之间的粘结膜层，本发明提供的无损芯片分离的技术混合溶解剂配方溶液在加热至预热温度后，能与环氧树脂成份和粘接膜层中的聚酰亚成份发生反应，使环氧树脂成份和粘接膜层中的聚酰亚成份失效膨胀，从而可以将芯片从外部的环氧树脂分装结构中分离，也可以将堆叠多层芯片封装在结构中的多个芯片彼此分离。
本发明提供的技术混合溶解剂配方溶液对芯片腐蚀性小，操作简单，操作条件要求低，可以在不损伤芯片结构完整性和焊盘的情况下分离环氧树脂封装和分离堆叠多层芯片封装结构中的多个芯片，提高了电子器件的无损芯片分离再生利用率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：
实施例1：
图1示出了本发明实施例一提供的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法的实现流程，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
取Micro SD卡数码电子器件，体积为15mm X11mm X0.7mm，将其按照以下步骤进行处理：
步骤S11、制备技术混合溶解剂配方溶液：取二乙烯三胺、乙二醇甲醚、吗啉、丙酮和二氨基二苯醚磺酸盐分别按25％、25％、20％、28％和2％的体积比例进行混合，获得技术混合溶解剂配方溶液；
步骤S12、加热：将技术混合溶解剂配方溶液加热至140℃；
步骤S13、浸泡：将待处理的电子器件放入技术混合溶解剂配方溶液中浸泡3小时；
步骤S14、分离：将芯片从环氧树脂中分离出来：
步骤S15、清洗：清洗分离出的芯片；
步骤S16、烘烤：将清洗过的芯片烘烤干；
步骤S17、测试包装：对烘烤干的芯片进行内部电路测试和故障修复后对其进行封装测试。
进一步地，使用酒精溶剂对分离出的芯片进行清洗。
实施例2：
取BGA封装存储芯片电子器件，体积为18mm X12mm X1.2mm，将其按照以下步骤进行处理：
步骤S21、制备技术混合溶解剂配方溶液：取二乙烯三胺、乙二醇甲醚、吗啉、丙酮和二氨基二苯醚磺酸盐分别按25％、25％、20％、28％和2％的体积比例进行混合，获得技术混合溶解剂配方溶液；
步骤S22、加热：将技术混合溶解剂配方溶液加热至140℃；
步骤S23、浸泡：将待处理的电子器件放入技术混合溶解剂配方溶液中浸泡6小时；
步骤S24、分离：将集成电路芯片从环氧树脂中分离出来：
步骤S24、清洗：清洗分离出的集成电路芯片；
步骤S25、烘烤：将清洗过的集成电路芯片烘烤干；
步骤S26、测试包装：对烘烤干的集成电路芯片进行内部电路测试和故障修复后对其进行封装测试。
进一步地，使用酒精溶剂对分离出的集成电路芯片进行清洗。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，所述电子器件包括外部设有环氧树脂封装结构的单芯片结构和堆叠多层芯片封装结构的集成电路芯片，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
制备技术混合溶解剂配方溶液：取二乙烯三胺、乙二醇甲醚、吗啉、丙酮和二氨基二苯醚磺酸盐分别按10-30％、10-30％、15-30％、15-40％和2％的体积比例进行混合，获得技术混合溶解剂配方溶液；
加热：将所述技术混合溶解剂配方溶液加热至预定温度；
浸泡：将待处理的所述电子器件放入加热后的所述技术混合溶解剂配方溶液中浸泡至所述电子器件外部的环氧树脂封装软化，对于堆叠多层芯片封装结构的集成电路芯片来说，还包括浸泡至多层芯片之间的粘结膜层软化；
分离：将集成电路芯片与外部的环氧树脂封装分离后取出，对于堆叠多层封装结构的集成电路芯片来说，还包括将多层芯片彼此分离；
清洗：清洗分离出的所述芯片；
烘烤：将清洗过的所述芯片烘烤干；
测试包装：对烘烤干的所述芯片进行内部电路测试和故障修复后对其进行封装测试。
2.根据权利要求1所述的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，其特征在于，所述预热温度为40-200℃。
3.根据权利要求1所述的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，其特征在于，对所述环氧树脂封装结构的集成电路芯片进行处理时，所述预热温度为140℃。
4.根据权利要求1所述的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，其特征在于，使用酒精溶剂对分离出的所述芯片进行清洗。
5.根据权利要求1所述的电子器件无损芯片分离及封装测试再利用方法，其特征在于，所述步骤浸泡的时长至少为3小时。
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