CN113960076A - 一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统，采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，减少开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术使校准定位更加精确，因此，可以保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统。
背景技术
电子器件包括集成电路等各类电路，集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，封装成为具有所需电路功能的微型结构。开盖指给完整封装的芯片做局部腐蚀，使得芯片可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损，为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试。而开盖方法包括化学开盖、机械开盖、激光开盖等，现有的化学开盖腐蚀性较大，操作时需要严格控制操作步骤和化学品的用量等，对操作过程及条件要求极高。而采用激光开盖可以避免化学开盖中遇到的问题。但是现有的激光开盖对芯片所在的位置并没有很精确的定位，极易造成由于开盖相关数据的误差造成激光对芯片的损坏，降低无损开盖的成功率。
发明内容
本发明提供一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统，以解决现有技术中存在的上述问题。
本发明提供一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，该方法包括：
S100，采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
S200，依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
S300，采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
S400，采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
优选的，所述S400之后，包括：
S500，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
S600，对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
S700，将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
优选的，所述S200包括：
S201，将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
S202，将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述S400包括：
S401-1，采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
S401-2，预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
S401-3，预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
优选的，所述S300包括：
S301，采用激光发射头产生若干束激光光束；
S302，每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
S303，将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
S304，将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
优选的，所述S400还包括：
S402-1，根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
S402-2，根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
S402-3，检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
S402-4，若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
S402-5，根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
本发明提供一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，该系统包括：
模型构建单元，用于采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
开盖区域和路径创建单元，用于依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
校准定位单元，用于采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
无损开盖单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
优选的，还包括：
再次封装单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖之后，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
检测模型获取单元，用于对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
质量评估单元，用于将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
优选的，所述开盖区域和路径创建单元包括：
开盖顺平设置子单元，用于将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
路径顺序设置子单元，用于将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述无损开盖单元包括：
开盖操作子单元，用于采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
第一间隔时间预设子单元，用于预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
第二间隔时间预设子单元，用于预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
优选的，所述校准定位单元包括：
激光光束产生子单元，用于采用激光发射头产生若干束激光光束；
定位点设定子单元，用于每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
定位子单元，用于将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
锁定子单元，用于将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
优选的，所述无损开盖单元还包括：
激光预切割厚度子单元，用于根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
激光切割子单元，用于根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
实际切割厚度检测子单元，用于检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
二次切割厚度确定子单元，用于若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
激光的二次切割子单元，用于根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明提供一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，采用本发明提供的方案采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法的流程图；
图2为本发明实施例中电子器件的无损开盖的方法的流程图；
图3为本发明实施例中一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，图1为本发明实施例中一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法的流程图，请参照图1，该方法包括以下几个步骤：
S100，采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
S200，依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
S300，采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
S400，采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
所述电子器件可以是芯片，芯片，又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语：integrated circuit,IC)。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。
使用单晶硅晶圆(或III-V族，如砷化镓)用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此完成芯片制作。
而针对芯片的开盖，一般是将芯片的外壳去除将芯片裸露出来，并且不影响芯片的各种性能，保证无损开盖。
采用激光开盖技术可以避免化学腐蚀直接开盖对铜引线造成的腐蚀损伤。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，所述S400之后，包括：
S500，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
S600，对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
S700，将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是在采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用步骤之后，执行以下操作：对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。以保证再次封装后的电子器件与原开盖之前的电子器件完全一致，进而保证再次封装后的电子器件的各个参数与原电子器件完全一致，该参数可以包括电子器件内部的各个电学参数，还包括封装后的外形尺寸及外形结构与原电子器件的外形完全一致。提高再利用的再次封装后的电子器件与原电子器件的一致性，保证电子器件的产品的各个参数规格的使用标准。
在此基础上，本实施例还提供一种将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估的方法，具体的，确定待检测模型与三维图像模型的迭代误差的评价函数，评价函数如下：
其中，Ms为评价函数，u,v为固定坐标系x-y旋转角度后得到的旋转坐标系的坐标轴，Gk(u,v)为待检测模型的傅里叶振幅，G0(u,v)为三维图像模型的傅里叶振幅；
基于所述评价函数确定待检测模型与三维图像模型各角度的反射投影数据，以完成待检测模型与三维图像模型之间的比对；
根据下述公式确定待检测模型的质量评价标准：
其中，ERMS为质量评价标准，sqrt为非负实数平方根函数，x，y为坐标轴，gt(x,y)为三维图像模型的图像，gh(x,y)为待检测模型的图像；
根据所述评价参数确定对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
通过上述方案可以通过更精确的计算对再次封装后的电子器件的质量进行评估，提高再利用的再次封装后的电子器件与原电子器件的一致性，保证电子器件的产品的各个参数规格的使用标准。
在另一实施例中，所述S200包括：
S201，将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
S202，将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述S400包括：
S401-1，采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
S401-2，预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
S401-3，预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；然后采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；然后采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。保证开盖的顺序以更合理更准确的方式去实现将多个集成电路，或多个芯片层叠或错落封装的电子器件的无损开盖，通过制定更合理的开盖顺序保证电子器件内部的各个集成电路都不受损坏，提高无损开盖的成功率。
此外，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，所述S300包括：
S301，采用激光发射头产生若干束激光光束；
S302，每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
S303，将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
S304，将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是采用激光发射头产生若干束激光光束；每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案通过采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位以保证定位的准确性，并且设置多个激光定位点，以提高定位的精确度，防止由于定位不准确造成激光开盖的过程中对电子器件内部芯片的损坏，因此，采用本实施例提供的方案可以进一步提高电子器件无损开盖的成功率。
此外，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，如图2所示，是电子器件的无损开盖的方法的流程图，请参照图2，所述S400还包括：
S402-1，根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
S402-2，根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
S402-3，检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
S402-4，若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
S402-5，根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。通过设定激光预切割方式，检测实际切割厚度，以判断激光切割过程中可能存在的误差，基于可能存在的误差对开盖区域进行二次切割，而该二次切割可以根据存在的误差对激光焦距进行微调，以提高激光切割的准确性，进一步保证电子器件的无损开盖的成功率。
因此，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，本发明还提供一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，图3为本发明实施例中一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统的结构示意图，请参照图3，该系统包括：
模型构建单元001，用于采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
开盖区域和路径创建单元002，用于依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
校准定位单元003，用于采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
无损开盖单元004，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是构建以下几个单元，模型构建单元，用于采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；开盖区域和路径创建单元，用于依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；校准定位单元，用于采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；无损开盖单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，该系统还包括：
再次封装单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖之后，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
检测模型获取单元，用于对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
质量评估单元，用于将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是该熊还包括：再次封装单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖之后，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；检测模型获取单元，用于对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；质量评估单元，用于将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。以保证再次封装后的电子器件与原开盖之前的电子器件完全一致，进而保证再次封装后的电子器件的各个参数与原电子器件完全一致，该参数可以包括电子器件内部的各个电学参数，还包括封装后的外形尺寸及外形结构与原电子器件的外形完全一致。提高再利用的再次封装后的电子器件与原电子器件的一致性，保证电子器件的产品的各个参数规格的使用标准。
在另一实施例中，所述开盖区域和路径创建单元包括：
开盖顺平设置子单元，用于将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
路径顺序设置子单元，用于将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述无损开盖单元包括：
开盖操作子单元，用于采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
第一间隔时间预设子单元，用于预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
第二间隔时间预设子单元，用于预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是所述开盖区域和路径创建单元包括：开盖顺平设置子单元，用于将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；路径顺序设置子单元，用于将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；相应的，所述无损开盖单元包括：开盖操作子单元，用于采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；第一间隔时间预设子单元，用于预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；第二间隔时间预设子单元，用于预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；然后采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。保证开盖的顺序以更合理更准确的方式去实现将多个集成电路，或多个芯片层叠或错落封装的电子器件的无损开盖，通过制定更合理的开盖顺序保证电子器件内部的各个集成电路都不受损坏，提高无损开盖的成功率。
此外，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，所述校准定位单元包括：
激光光束产生子单元，用于采用激光发射头产生若干束激光光束；
定位点设定子单元，用于每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
定位子单元，用于将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
锁定子单元，用于将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是所述校准定位单元包括：激光光束产生子单元，用于采用激光发射头产生若干束激光光束；定位点设定子单元，用于每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；定位子单元，用于将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；锁定子单元，用于将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案通过采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位以保证定位的准确性，并且设置多个激光定位点，以提高定位的精确度，防止由于定位不准确造成激光开盖的过程中对电子器件内部芯片的损坏，因此，采用本实施例提供的方案可以进一步提高电子器件无损开盖的成功率。
此外，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
在另一实施例中，所述无损开盖单元还包括：
激光预切割厚度子单元，用于根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
激光切割子单元，用于根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
实际切割厚度检测子单元，用于检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
二次切割厚度确定子单元，用于若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
激光的二次切割子单元，用于根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
上述技术方案的工作原理为：本实施例采用的方案是所述无损开盖单元还包括：激光预切割厚度子单元，用于根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；激光切割子单元，用于根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；实际切割厚度检测子单元，用于检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；二次切割厚度确定子单元，用于若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；激光的二次切割子单元，用于根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
上述技术方案的有益效果为：采用本实施例提供的方案根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。通过设定激光预切割方式，检测实际切割厚度，以判断激光切割过程中可能存在的误差，基于可能存在的误差对开盖区域进行二次切割，而该二次切割可以根据存在的误差对激光焦距进行微调，以提高激光切割的准确性，进一步保证电子器件的无损开盖的成功率。
因此，通过构建三维图像模型更精确的确定出开盖区域和开盖路径，因此，制定的开盖区域和开盖路径可最大程度节省开盖成本以及开盖对电子器件内部的破损，提高无损开盖的成功率。另外，通过激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位，校准定位更加精确，在此基础上，通过激光切割技术对电子器件进行无损开盖，因此，采用该方法的开盖技术可以精确的制定开盖区域和开盖路径，保证电子器件再开盖之后还可以进行测试或重新再利用。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，包括：
S100，采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
S200，依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
S300，采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
S400，采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
2.根据权利要求1所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述S400之后，包括：
S500，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
S600，对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
S700，将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
3.根据权利要求1所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述S200包括：
S201，将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
S202，将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述S400包括：
S401-1，采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
S401-2，预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
S401-3，预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
4.根据权利要求1所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述S300包括：
S301，采用激光发射头产生若干束激光光束；
S302，每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
S303，将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
S304，将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
5.根据权利要求1所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述S400还包括：
S402-1，根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
S402-2，根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
S402-3，检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
S402-4，若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
S402-5，根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
6.一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，包括：
模型构建单元，用于采用激光检测技术和X射线扫描技术构建电子器件的包含内部结构的三维图像模型；
开盖区域和路径创建单元，用于依据所述三维图像模型创建若干个开盖区域和开盖路径；
校准定位单元，用于采用激光定位校准技术将所述电子器件的位置进行校准定位；
无损开盖单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖，以对开盖后的芯片进行测试或再利用。
7.根据权利要求6所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，还包括：
再次封装单元，用于采集激光切割技术在所述开盖区域内沿开盖路径对所述待开盖的电子器件进行无损开盖之后，对开盖后的芯片进行测试或修复，将经过测试或修复后的芯片以所述三维图像模型的结构为依据再次封装；在封装壳上标注开盖标识；
检测模型获取单元，用于对所述再次封装后的电子器件采用激光检测技术和X射线扫描技术获取相应的检测模型；
质量评估单元，用于将获取的检测模型与所述三维图像模型进行比对；以比对结果为依据对再次封装后的电子器件的质量进行评估。
8.根据权利要求6所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，所述开盖区域和路径创建单元包括：
开盖顺平设置子单元，用于将若干个开盖区域设置开盖顺序；所述开盖顺序按照先外层后内层的原则排列；
路径顺序设置子单元，用于将若干条开盖路径设置路径顺序，每条开盖路径的顺序按照相应开盖路径的起始端进行定义；
相应的，所述无损开盖单元包括：
开盖操作子单元，用于采用激光切割技术按照开盖顺序以及路径顺序从外向内依次对电子器件进行开盖操作；
第一间隔时间预设子单元，用于预设第一间隔时间，每个开盖区域的开盖时间间隔为所述第一间隔时间；
第二间隔时间预设子单元，用于预设第二间隔时间，每条开盖路径的操作时间间隔为所述第二间隔时间。
9.根据权利要求6所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，所述校准定位单元包括：
激光光束产生子单元，用于采用激光发射头产生若干束激光光束；
定位点设定子单元，用于每一束激光光束照射至工作台相应的位置，设定为定位点；采用多个激光点进行锚定定位的方式进行校准定位；
定位子单元，用于将待开盖的电子器件放置在工作台上，通过移动机构移动所述电子器件使电子器件的每个标定点均对应激光光束照射的定位点；
锁定子单元，用于将所述待开盖的电子器件通过锁定装置固定在所述工作台上。
10.根据权利要求6所述的电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，所述无损开盖单元还包括：
激光预切割厚度子单元，用于根据三维图像模型、开盖区域和开盖路径，设定激光预切割厚度；
激光切割子单元，用于根据所述激光预切割厚度对开盖区域进行激光切割；
实际切割厚度检测子单元，用于检测实际切割厚度，根据所述激光预切割厚度与实际切割厚度，判断激光预切割是否在预期内；
二次切割厚度确定子单元，用于若在预期内，则根据开盖区域的总厚度与实际切割厚度确定二次切割厚度；
激光的二次切割子单元，用于根据所述二次切割厚度调整激光切割器的焦距，按照相应的开盖路径进行激光的二次切割。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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