CN118259138A - 一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统 - Google Patents
一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118259138A CN118259138A CN202410329987.5A CN202410329987A CN118259138A CN 118259138 A CN118259138 A CN 118259138A CN 202410329987 A CN202410329987 A CN 202410329987A CN 118259138 A CN118259138 A CN 118259138A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- unsealing
- processed
- body layer
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid;sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O.OS(O)(=O)=O HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 19
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Abstract
本申请属于微电子可靠性试验与失效技术领域,具体公开了一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统,方法包括:确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;对待处理芯片进行激光打薄,利用激光在待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,凹槽的尺寸大于待处理芯片的芯片主体层的尺寸;利用训练好的图像处理模型,对凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;在激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至凹槽内,对芯片主体层的塑封料进行腐蚀;检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用图像处理模型判断开封是否完成。通过本申请,能够提高芯片开封的效率以及降低开封过程中的危险性。
Description
技术领域
本申请属于微电子可靠性试验与失效技术领域,更具体地,涉及一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统。
背景技术
开封除帽是芯片进行芯片破坏性物理分析和失效分析的必要手段,通过开封除帽,去除掉芯片的外部封装材料,裸露出内部的芯片主体层,用以进行进一步的物理分析和失效分析。
目前,对塑料封装的芯片开封,除去其塑封料的方法主要是酸开封法,又叫化学开封,是指通过加热浓酸混酸来对芯片的塑封材料(环氧树脂等有机物)进行去除,从而暴露出塑料封装内的芯片的方法。
目前有手动开封和开封机开封两种方法,手动开封是指利用加热台将烧杯中的混酸加热到一定温度后,手动滴加在芯片样品表面,多次滴加直至芯片封装溶解,芯片裸露;自动开封是指将样品置于化学开封机内,设定程序,控制混酸的配比、流量及加热温度、时间,利用压缩空气推动混酸自动进样,通过进液管把腐蚀液连续喷射至芯片表面,直至芯片封装溶解,芯片裸露。
常规的化学开封除帽方法,无论是手动开封和开封机开封,都需要频繁地转移样品至显微镜下观察其塑封料腐蚀程度,来判断是否开封完成,该开封过程耗时严重,效率低下;开封质量可控程度低,有过度开封损坏芯片的可能。此外,芯片频繁转移也提升了热浓酸化学品使用带来的危险性。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本申请的目的在于提供一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统,旨在解决目前的芯片开封过程中因频繁转移芯片而造成的效率低下以及危险性较高的问题。
本申请提供一种塑封芯片自动开封除帽方法,包括:
确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成;
其中,所述图像处理模型是基于图像样本进行学习训练得到的。
在一些实施例中,所述利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成,包括:
将所述凹槽的形貌图像输入到训练好的图像处理模型中,得到第一识别结果;
判断所述第一识别结果是否符合第一完成标志,以确定激光打薄是否完成,所述第一完成标志为露出所述待处理芯片的键合丝。
在一些实施例中,所述检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成,包括:
实时检测每次腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,得到检测图像;
将所述检测图像输入到所述图像处理模型中,得到第二识别结果;
判断所述第二识别结果是否符合第二完成标志,所述第二完成标志为腐蚀掉所述芯片主体层上方所有塑封,所述芯片主体层裸露出无遮挡。
在一些实施例中,还包括:
若所述第一识别结果不符合第一完成标志,重复对所述待处理芯片进行激光打薄,直至第一识别结果符合所述第一完成标志;
若所述第二识别结果不符合第二完成标志,重复将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀,直至第二识别结果符合所述第二完成标志。
在一些实施例中,所述确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸,包括:
对所述待处理芯片进行X射线透射检查,对所述芯片主体层进行定位和识别,得到检查结果;
根据所述检查结果确定所述芯片主体层的定位信息和识别信息,基于所述定位信息和识别信息确定所述待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸。
在一些实施例中,所述对所述待处理芯片进行激光打薄,包括:
自动调用所述开封位置和芯片主体层的尺寸,基于所述开封位置和芯片主体层的尺寸对所述所述待处理芯片进行激光打薄。
在一些实施例中,所述浓酸溶液为发烟硝酸、发烟硫酸和浓盐酸按照需求比例进行混合的溶液。
第二方面,本申请还提供一种塑封芯片自动开封除帽装置,包括:
准备单元,用于确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
打薄处理单元,用于对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
第一识别单元,用于利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
开封单元,用于在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
第二识别单元,用于检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成。
第三方面,本申请还提供一种塑封芯片自动开封除帽系统,包括X射线测试仪、激光开封机、高性能显微镜以及化学开封机,还包括如上述任一项所述的塑封芯片自动开封除帽装置。
第四方面,本申请提供一种电子设备,包括:至少一个存储器,用于存储程序;至少一个处理器,用于执行存储器存储的程序,当存储器存储的程序被执行时,处理器用于执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
第五方面,本申请提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序,当计算机程序在处理器上运行时,使得处理器执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
第六方面,本申请提供一种计算机程序产品,当计算机程序产品在处理器上运行时,使得处理器执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所描述的方法。
可以理解的是,上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。
总体而言,通过本申请所构思的以上技术方案与现有技术相比,具有以下有益效果:
通过使用激光打薄和开设凹槽的方式,可以精确控制芯片的厚度和表面形貌,确保芯片在制造过程中达到设计要求的尺寸和形状。
利用训练好的图像处理模型对凹槽形貌图像进行识别判断,能够实现自动化检测激光打薄是否完成,提高生产效率并减少人为误差。
在激光打薄完成后使用浓酸溶液对塑封料进行腐蚀处理,可以有效地去除不需要的材料,节约生产成本并提高加工效率。
通过图像处理模型判断开封情况形貌,可以及时发现任何开封问题并采取相应措施,保证芯片的质量和可靠性。
开封过程的实时监控能辅助判断开封后芯片的缺陷是否是由开封过程所引起,减小失效判断的干扰因素。
将制造工艺、激光加工、图像处理和化学处理领域结合起来,将自动开封过程和智能识别过程联系起来,即是对自动开封设备和高性能显微摄像头的联用,从而实现芯片的自动开封,避免频繁地转移样品来进行显微镜观察开封情况,减小化学品使用的危险性,实时监控避免过度开封带来的芯片损伤,进而能够提高芯片开封的效率和降低危险性。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种塑封芯片自动开封除帽方法的流程示意图;
图2是本申请实施例提供的一种塑封芯片自动开封除帽装置的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的一种塑封芯片自动开封除帽系统的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的系统和方法的对应示意图;
图5是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
本文中术语“和/或”,是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。本文中符号“/”表示关联对象是或者的关系,例如A/B表示A或者B。
本文中的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象,而不是用于描述对象的特定顺序。例如,第一响应消息和第二响应消息等是用于区别不同的响应消息,而不是用于描述响应消息的特定顺序。
在本申请实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指两个或者两个以上,例如,多个处理单元是指两个或者两个以上的处理单元等;多个元件是指两个或者两个以上的元件等。
接下来,对本申请实施例中提供的技术方案进行介绍。
参照图1,本申请提供一种塑封芯片自动开封除帽方法,包括:
S101.确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
S102.对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
S103.利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
S104.在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
S105.检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成;
其中,所述图像处理模型是基于图像样本进行学习训练得到的。
具体地,上述S101中,待处理芯片即为本实施例中需要进行开封触摸的塑封芯片。在芯片制造过程中,首先需要确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸。这一过程可以通过精确的测量和标记来实现,比如通过X射线测试仪来实现。
然后通过S102,将待处理芯片放置在适当的位置,利用激光加工设备对芯片进行激光打薄操作。本步骤为激光开封的过程,可通过激光开封机来实现。
本步骤中,激光会在待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,而且凹槽的尺寸要大于待处理芯片的芯片主体层的尺寸。这样做的目的是为了确保后续处理时能够充分暴露出芯片主体层,并提供足够的空间进行腐蚀处理。
进一步地,通过S103使用训练好的图像处理模型来识别和判断凹槽的形貌图像。这个模型经过大数据采集、机器学习以及网络训练,能够根据凹槽的形状、深度等特征来确定激光打薄是否完成。通过与预先设定的标志进行比较,可以判断激光打薄是否达到了目标要求。
本步骤可通过高性能显微镜模块来实现,该显微镜模块部署有AI功能。图像处理模型即为AI功能的具体实现。
通过S104,在激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至凹槽内,对芯片主体层的塑封料进行腐蚀。浓酸溶液能够有效地去除掉不需要的塑封料,并暴露出芯片主体层。本步骤可通过化学开封机实现。
可选地,所述浓酸溶液为发烟硝酸、发烟硫酸和浓盐酸按照需求比例进行混合的溶液。
最后通过S105,进行腐蚀处理后,继续利用高性能显微镜模块,通过图像处理模型来检测并判断塑封料表面凹坑内的开封情况形貌。模型不仅能够对激光打薄的结果进行识别,而且能够根据形貌特征来确定开封是否完成,以及是否存在任何问题或缺陷。
需要进一步说明的是,图像处理模型是利用大数据处理和机器学习技术,进行样本采集和模型训练得到AI识别模型,其具体训练过程可利用常规的模型训练方法来实现,具体不做限定。
本申请提供的一种塑封芯片自动开封除帽方法,将制造工艺、激光加工、图像处理和化学处理领域结合起来,将自动开封过程和智能识别过程联系起来,即是对自动开封设备和高性能显微摄像头的联用,从而实现芯片的自动开封,避免频繁地转移样品来进行显微镜观察开封情况,减小化学品使用的危险性,实时监控避免过度开封带来的芯片损伤,进而能够提高芯片开封的效率和降低危险性。
在一些实施例中,所述利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成,包括:
将所述凹槽的形貌图像输入到训练好的图像处理模型中,得到第一识别结果;
判断所述第一识别结果是否符合第一完成标志,以确定激光打薄是否完成,所述第一完成标志为露出所述待处理芯片的键合丝。
具体地,本实施例中的凹槽形貌的识别判断过程如下:
将经过激光打薄和凹槽开设处理后的芯片表面拍摄或扫描,得到凹槽的形貌图像。这些图像可以包含凹槽的深浅、形状、边缘清晰度等信息。
将所得凹槽形貌图像输入到训练好的图像处理模型中,该模型经过训练能够识别不同类型的凹槽形貌,并对其进行分类和判断。
通过图像处理模型的分析和识别,得到针对所述凹槽形貌图像的第一识别结果。这个结果可以包括对凹槽形貌的描述、判定凹槽的深度和形状等信息。
根据所述第一识别结果,判断是否符合第一完成标志。在这个案例中,第一完成标志可以是指露出待处理芯片的键合丝。也就是说,如果凹槽的深度足够,以至于芯片的键合丝已经暴露出来,那么就可以判定激光打薄已经完成。
相应地,若第一识别结果满足第一完成标志,则说明激光打薄完成。若所述第一识别结果不符合第一完成标志,重复对所述待处理芯片进行激光打薄,直至第一识别结果符合所述第一完成标志。
通过以上步骤,可以利用训练好的图像处理模型对凹槽的形貌进行识别和判断,以确定激光打薄是否已经完成。这种自动化的识别过程能够提高芯片处理效率,并确保激光打薄的精度和一致性。
在一些实施例中,所述检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成,包括:
实时检测每次腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,得到检测图像;
将所述检测图像输入到所述图像处理模型中,得到第二识别结果;
判断所述第二识别结果是否符合第二完成标志,所述第二完成标志为腐蚀掉所述芯片主体层上方所有塑封,所述芯片主体层裸露出无遮挡。
具体地,本实施例中的芯片开封的识别判断过程如下:
在每次完成腐蚀处理后,对塑封料表面凹坑内的开封情况形貌进行实时检测,并将实时获取的凹坑内开封情况形貌的检测图像记录下来,以备后续分析和处理。
将所得检测图像输入到训练好的图像处理模型中,该模型经过训练能够识别不同类型的开封情况形貌,并对其进行分类和判断。
通过图像处理模型的分析和识别,得到针对所述检测图像的第二识别结果。这个结果可以包括对开封情况形貌的描述、判定是否腐蚀掉了芯片主体层上方的所有塑封等信息。
根据所述第二识别结果,判断是否符合第二完成标志。第二完成标志可以是指腐蚀掉了芯片主体层上方所有塑封,使得芯片主体层裸露出来并且没有被任何塑封遮挡。
相应地,若第二识别结果满足第二完成标志,则说明芯片开封完成。若所述第二识别结果不符合第二完成标志,重复将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀,直至第二识别结果符合所述第二完成标志。
通过以上步骤,可以实现对每次腐蚀处理后的开封情况形貌进行实时检测和判断,以确保腐蚀处理达到预期效果。利用图像处理模型进行实时监测和反馈,有助于及时调整处理参数,提高芯片开封的质量和效率。
在一些实施例中,所述确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸,包括:
对所述待处理芯片进行X射线透射检查,对所述芯片主体层进行定位和识别,得到检查结果;
根据所述检查结果确定所述芯片主体层的定位信息和识别信息,基于所述定位信息和识别信息确定所述待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸。
具体地,本实施例中,需要对待处理芯片进行X射线透射检查,获取芯片内部结构的信息,包括芯片主体层的位置、形状和特征等。通过X射线透射检查得到的数据,对芯片主体层进行定位和识别。然后根据X射线透射检查和定位识别的结果,获得有关芯片主体层的详细检查结果,包括其位置、形状、尺寸等信息。根据所述检查结果中关于芯片主体层的定位信息和识别信息,结合预先设定的处理标准和参数,确定待处理芯片的开封位置以及芯片主体层的准确尺寸。
相应地,所述对所述待处理芯片进行激光打薄,包括:
自动调用所述开封位置和芯片主体层的尺寸,基于所述开封位置和芯片主体层的尺寸对所述所述待处理芯片进行激光打薄。
本实施例利用X射线透射检查技术和定位识别算法,可以精确获取待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸信息,为后续的加工处理提供准确的基础数据,确保处理过程的精准性和一致性。
参照图2,本申请还提供一种塑封芯片自动开封除帽装置,包括:
准备单元210,用于确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
打薄处理单元220,用于对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
第一识别单元230,用于利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
开封单元240,用于在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
第二识别单元250,用于检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成。
在一些实施例中,所述利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成,包括:
将所述凹槽的形貌图像输入到训练好的图像处理模型中,得到第一识别结果;
判断所述第一识别结果是否符合第一完成标志,以确定激光打薄是否完成,所述第一完成标志为露出所述待处理芯片的键合丝。
在一些实施例中,所述检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成,包括:
实时检测每次腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,得到检测图像;
将所述检测图像输入到所述图像处理模型中,得到第二识别结果;
判断所述第二识别结果是否符合第二完成标志,所述第二完成标志为腐蚀掉所述芯片主体层上方所有塑封,所述芯片主体层裸露出无遮挡。
在一些实施例中,还包括:
若所述第一识别结果不符合第一完成标志,重复对所述待处理芯片进行激光打薄,直至第一识别结果符合所述第一完成标志;
若所述第二识别结果不符合第二完成标志,重复将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀,直至第二识别结果符合所述第二完成标志。
在一些实施例中,所述确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸,包括:
对所述待处理芯片进行X射线透射检查,对所述芯片主体层进行定位和识别,得到检查结果;
根据所述检查结果确定所述芯片主体层的定位信息和识别信息,基于所述定位信息和识别信息确定所述待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸。
在一些实施例中,所述对所述待处理芯片进行激光打薄,包括:
自动调用所述开封位置和芯片主体层的尺寸,基于所述开封位置和芯片主体层的尺寸对所述所述待处理芯片进行激光打薄。
参照图3,本申请还提供一种塑封芯片自动开封除帽系统,包括X射线测试仪、激光开封机、高性能显微镜以及化学开封机,还包括如上述任一项所述的塑封芯片自动开封除帽装置。
参照图4,本申请的系统中的各个设备和整体流程的对应关系如下:
X射线检测确定开封位置及尺寸,通过X射线测试仪实现;
激光打薄,通过激光开封机实现;
判断激光打薄是否完成,通过高性能显微模块实现;
化学开封,通过化学开封机实现;
判断开封是否完成,通过高性能显微模块实现。
对开封完成的芯片进一步物理分析或失效分析。
可以理解的是,上述各个单元/模块的详细功能实现可参见前述方法实施例中的介绍,在此不做赘述。
应当理解的是,上述装置用于执行上述实施例中的方法,装置中相应的程序模块,其实现原理和技术效果与上述方法中的描述类似,该装置的工作过程可参考上述方法中的对应过程,此处不再赘述。
参照图5,基于上述实施例中的方法,本申请实施例提供了一种电子设备,该电子设备可以包括:处理器(processor)510、通信接口(Communications Interface)520、存储器(memory)530和通信总线540,其中,处理器510,通信接口520,存储器530通过通信总线540完成相互间的通信。处理器510可以调用存储器530中的逻辑指令,以执行上述实施例中的方法。
此外,上述的存储器530中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
基于上述实施例中的方法,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序,当计算机程序在处理器上运行时,使得处理器执行上述实施例中的方法。
基于上述实施例中的方法,本申请实施例提供了一种计算机程序产品,当计算机程序产品在处理器上运行时,使得处理器执行上述实施例中的方法。
可以理解的是,本申请实施例中的处理器可以是中央处理单元(centralprocessing unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signalprocessor,DSP)、专用集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件,硬件部件或者其任意组合。通用处理器可以是微处理器,也可以是任何常规的处理器。
本申请实施例中的方法步骤可以通过硬件的方式来实现,也可以由处理器执行软件指令的方式来实现。软件指令可以由相应的软件模块组成,软件模块可以被存放于随机存取存储器(random access memory,RAM)、闪存、只读存储器(read-only memory,ROM)、可编程只读存储器(programmable rom,PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM,EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically EPROM,EEPROM)、寄存器、硬盘、移动硬盘、CD-ROM或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。一种示例性的存储介质耦合至处理器,从而使处理器能够从该存储介质读取信息,且可向该存储介质写入信息。当然,存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于ASIC中。
在上述实施例中,可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时,可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时,全部或部分地产生按照本申请实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中,或者通过所述计算机可读存储介质进行传输。所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质(例如,软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如,DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk,SSD))等。
可以理解的是,在本申请实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分,并不用来限制本申请的实施例的范围。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,包括:
确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成;
其中,所述图像处理模型是基于图像样本进行学习训练得到的。
2.根据权利要求1所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,所述利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成,包括:
将所述凹槽的形貌图像输入到训练好的图像处理模型中,得到第一识别结果;
判断所述第一识别结果是否符合第一完成标志,以确定激光打薄是否完成,所述第一完成标志为露出所述待处理芯片的键合丝。
3.根据权利要求2所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,所述检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成,包括:
实时检测每次腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,得到检测图像;
将所述检测图像输入到所述图像处理模型中,得到第二识别结果;
判断所述第二识别结果是否符合第二完成标志,所述第二完成标志为腐蚀掉所述芯片主体层上方所有塑封,所述芯片主体层裸露出无遮挡。
4.根据权利要求3所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,还包括:
若所述第一识别结果不符合第一完成标志,重复对所述待处理芯片进行激光打薄,直至第一识别结果符合所述第一完成标志;
若所述第二识别结果不符合第二完成标志,重复将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀,直至第二识别结果符合所述第二完成标志。
5.根据权利要求1所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,所述确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸,包括:
对所述待处理芯片进行X射线透射检查,对所述芯片主体层进行定位和识别,得到检查结果;
根据所述检查结果确定所述芯片主体层的定位信息和识别信息,基于所述定位信息和识别信息确定所述待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸。
6.根据权利要求2所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,所述对所述待处理芯片进行激光打薄,包括:
自动调用所述开封位置和芯片主体层的尺寸,基于所述开封位置和芯片主体层的尺寸对所述所述待处理芯片进行激光打薄。
7.根据权利要求1所述的塑封芯片自动开封除帽方法,其特征在于,所述浓酸溶液为发烟硝酸、发烟硫酸和浓盐酸按照需求比例进行混合的溶液。
8.一种塑封芯片自动开封除帽装置,其特征在于,包括:
准备单元,用于确定待处理芯片的开封位置和芯片主体层的尺寸;
打薄处理单元,用于对所述待处理芯片进行激光打薄,利用激光在所述待处理芯片正上方的塑封料表面开设凹槽,所述凹槽的尺寸大于所述待处理芯片的芯片主体层的尺寸;
第一识别单元,用于利用训练好的图像处理模型,对所述凹槽的形貌图像进行识别判断,确定激光打薄是否完成;
开封单元,用于在所述激光打薄完成的情况下,将浓酸溶液喷射至所述凹槽内,对所述芯片主体层的塑封料进行腐蚀;
第二识别单元,用于检测腐蚀处理之后塑封料表面凹坑内的开封情况形貌,利用所述图像处理模型判断开封是否完成。
9.一种塑封芯片自动开封除帽系统,包括X射线测试仪、激光开封机、高性能显微镜以及化学开封机,其特征在于,还包括如权利要求7所述的塑封芯片自动开封除帽装置。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
至少一个存储器,用于存储计算机程序;
至少一个处理器,用于执行所述存储器存储的程序,当所述存储器存储的程序被执行时,所述处理器用于执行如权利要求1-7任一所述的方法。
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN118259138A true CN118259138A (zh) | 2024-06-28 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6613590B2 (en) | Yield based, in-line defect sampling method | |
CN109544533B (zh) | 一种基于深度学习的金属板缺陷检测和度量方法 | |
CN103500459B (zh) | 一种基于规则化参数的印刷电路板缺陷检测方法 | |
US6766208B2 (en) | Automatic production quality control method and system | |
TWI641961B (zh) | 設計佈局為主的快速線上缺陷診斷、分類及取樣方法及系統 | |
CN103839771A (zh) | 半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法 | |
CN111707614B (zh) | 一种光学芯片表面沾污缺陷检测方法及线激光视觉检测系统 | |
CN113077416A (zh) | 一种基于图像处理的焊点焊接缺陷检测方法与系统 | |
JP5045591B2 (ja) | 検査領域の領域設定データの作成方法および基板外観検査装置 | |
CN116839650A (zh) | 一种智能化仪器仪表检定系统及方法 | |
CN118259138A (zh) | 一种塑封芯片自动开封除帽方法、装置及系统 | |
CN112362662A (zh) | 一种片式熔断器失效点的分析方法及装置 | |
CN116051558A (zh) | 一种缺陷图像标注方法、装置、设备及介质 | |
CN113960076A (zh) | 一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统 | |
CN115097282A (zh) | 阵列芯片测试方法、系统、计算机设备和存储介质 | |
CN110109945B (zh) | 应用于基板的aoi检测方法、装置、存储介质及aoi检测设备 | |
CN113569854B (zh) | 一种芯片焊接金丝跨距测量方法 | |
JP2000332071A (ja) | 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
TWI765364B (zh) | 人工智慧瑕疵影像分類方法與其系統 | |
Liu et al. | PCB Board Defect Detection Method based on Improved YOLOv8 | |
Gu et al. | Research on intelligent detection technology of surface defects of nuclear fuel rods based on machine vision | |
CN117593287A (zh) | 减少aoi检测设备误报率的pcba缺陷检测方法、检测设备 | |
CN117093888A (zh) | 基于物理特征的元器件自主可控程度识别方法和系统 | |
CN113723219A (zh) | 绝缘部件破损识别方法以及相关装置 | |
CN116106724A (zh) | 一种测试电路板的方法、装置、电子设备及存储介质 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication |