CN112362662A - 一种片式熔断器失效点的分析方法及装置 - Google Patents

一种片式熔断器失效点的分析方法及装置 Download PDF

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Abstract

本说明书一个或多个实施例提供一种片式熔断器失效点的分析方法及装置，所述熔断器失效点的分析方法包括对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。通过本发明方法中化学处理法对片式熔断器保护膜的处理，对导电膜造成的损坏低，降低了失效点的原始形貌的受损程度。

Description

一种片式熔断器失效点的分析方法及装置
技术领域
本说明书一个或多个实施例涉及过流保护技术领域，尤其涉及一种片式熔断器失效点的分析方法及装置。
背景技术
片式熔断器是一种安装在电路中保证电路安全运行的电路保护元件，主要进行短路保护或过载保护，在正常状态下充当导线的作用，当电流超出规定范围时，片式熔断器因超负荷而熔断，起保护作用。
现有技术对于片式熔断器保护膜的去除，一般采用机械研磨或刀片机械刮除对保护膜进行处理。
发明人发现，现有技术中，由于保护膜和导电膜较薄且直接接触，采用机械的方法容易在去除保护膜的同时对导电膜造成损坏，导致失效点的原始形貌被破坏，进而难以查找真实的失效原因。
发明内容
有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种片式熔断器失效点的分析方法及装置，以解决失效点原始形貌被破坏的问题。
基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种片式熔断器失效点的分析方法，包括：
对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；
对所述外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
作为一种可选的实施方式，所述第一导通测试为：
利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
作为一种可选的实施方式，所述化学方法为：
将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的片式熔断器从腐蚀性液体中取出。
作为一种可选的实施方式，所述腐蚀性液体为氢氟酸。
作为一种可选的实施方式，所述预设时间为14～20秒。
作为一种可选的实施方式，所述第二导通测试为：
用万用表对所述失效点断开部位的一侧与同侧端电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
与所述获得方法相对应的，本发明实施例还提供了一种片式熔断器失效点的分析装置，包括：
第一检测模块，用于对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
第二检测模块，用于将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找获得片式熔断器失效点的位置；
第三检测模块，用于对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
保护膜去除模块，用于对外观合格的片式熔断器进行化学处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
第四检测模块，用于对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
作为一种可选的实施方式，所述第一导通测试包括第一测试单元，所述第一测试单元用于利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
作为一种可选的实施方式，所述保护膜去除模块包括化学腐蚀单元，所述化学腐蚀单元用于将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的熔断器从腐蚀性液体中取出。
作为一种可选的实施方式，所述第四检测模块包括第二测试单元，所述第二测试单元用于使用万用表对所述失效点断开部位的一侧与同侧端电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的一种片式熔断器的分析方法及装置，不同于一般机械法对于保护膜的去除处理，通过采用化学腐蚀的方法对片式熔断器保护膜的处理，对于导电膜造成的损坏低，保证了失效点的原始形貌的完整性，有利于对失效点的实验分析。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本说明书一个或多个实施例的分析方法的示意图；
图2为本说明书一个或多个实施例的分析装置的示意图；
图3为本说明书一个或多个实施例的片式熔断器的正视图；
图4为本说明书一个或多个实施例的去除保护膜的片式熔断器的整体形貌图；
图5为本说明书一个或多个实施例的去除保护膜的片式熔断器的失效点的局部形貌图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参考图3-5，对本公开进一步详细说明。
为了实现上述发明目的，本发明实施例提供了一种片式熔断器失效点的分析方法，包括：
对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；
对所述外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
本发明实施例中，针对待检测的片式熔断器，利用显微镜对其进行检测，可精确获得外观合格的片式熔断器，将检测外观合格的片式熔断器进行进行X射线检查，可查找获得外观合格的片式熔断器失效点的位置，通过化学腐蚀外观合格的片式熔断器的保护膜，可获得暴露内部导电膜的片式熔断器，相较机械法去除保护膜，可使失效点的原始形貌损坏较低，有利于对所述失效点的检测分析。
请参考图1，本发明实施例提供了一种片式熔断器失效点的分析方法，包括：
S100、对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
可选的，对于所述待检测片式熔断器使用显微镜进行检测分析。
S200、将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；
S300、对所述外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
作为一种可选的实施方式，所述第一导通测试为：
利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
S400、通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
作为一种可选的实施方式，所述化学方法为：
将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的片式熔断器从腐蚀性液体中取出；
作为一种可选的实施方式，所述腐蚀性液体为氢氟酸。
作为一种可选的实施方式，所述预设时间为14～20秒。
S500、对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置；
作为一种可选的实施方式，所述第二导通测试为：
用万用表对所述失效点断开部位的一侧与同侧端电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
通过显微镜观察后再进行第二导通测试，与所述X射线检查所得到的结果互为佐证，增大了检测后的结果的可信度。
基于上面所述片式熔断器失效点的分析方法的任意一个实施例，本发明还提供了一种片式熔断器失效点的分析装置，如图2所示，包括：
第一检测模块10，用于对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
第二检测模块20，用于将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找获得片式熔断器失效点的位置；
第三检测模块30，用于对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
保护膜去除模块40，用于对外观合格的片式熔断器进行化学处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
第四检测模块50，用于对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
本发明实施例中，针对待检测的片式熔断器，利用显微镜对其进行检测，可精确获得外观合格的片式熔断器，将检测外观合格的片式熔断器进行进行X射线检查，可查找获得外观合格的片式熔断器失效点的位置，通过化学腐蚀外观合格的片式熔断器的保护膜，可获得暴露内部导电膜的片式熔断器，相较机械法去除保护膜，可使失效点的原始形貌损坏较低，有利于对所述失效点的检测分析。
作为一种可选的实施方式，所述第三检测模块包括第一测试单元，所述第一测试单元用于利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
作为一种可选的实施方式，所述保护膜去除模块包括化学腐蚀单元，所述化学腐蚀单元用于将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的熔断器从腐蚀性液体中取出。
作为一种可选的实施方式，所述第四检测模块包括第二测试单元，所述第二测试单元用于使用万用表对所述失效点断开部位的一侧与同侧端极电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，包括：
对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找所述外观合格的片式熔断器失效点的位置；
对所述外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
通过化学方法对所述外观合格的片式熔断器进行处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
2.根据权利要求1所述的片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，所述第一导通测试为：
利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
3.根据权利要求1所述的片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，所述化学方法为：
将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的片式熔断器从腐蚀性液体中取出。
4.根据权利要求3所述的片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，所述腐蚀性液体为氢氟酸。
5.根据权利要求3所述的片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，所述预设时间为14～20秒。
6.根据权利要求1所述的片式熔断器失效点的分析方法，其特征在于，所述第二导通测试为：
用万用表对所述失效点断开部位的一侧与同侧端电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
7.一种片式熔断器失效点的分析装置，其特征在于，包括：
第一检测模块，用于对待检测的片式熔断器的外观进行观察，检测所述片式熔断器的陶瓷基片是否损坏；
第二检测模块，用于将外观合格的片式熔断器进行X射线检查，查找获得片式熔断器失效点的位置；
第三检测模块，用于对外观合格的片式熔断器进行第一导通测试，确认所述外观合格的片式熔断器是否为开路；
保护膜去除模块，用于对外观合格的片式熔断器进行化学处理，获得去除保护膜的片式熔断器；
第四检测模块，用于对所述去除保护膜的片式熔断器进行第二导通测试，获得原始形貌完整的失效点的数量和位置。
8.根据权利要求7所述的片式熔断器失效点的分析装置，其特征在于，所述第一导通测试包括第一测试单元，所述第一测试单元用于利用万用表对所述外观合格的片式熔断器进行检测，将万用表的表笔接在所述外观合格的片式熔断器待检测的两端电极，进行电阻的检测。
9.根据权利要求7所述的片式熔断器失效点的分析装置，其特征在于，所述保护膜去除模块包括化学腐蚀单元，所述化学腐蚀单元用于将所述外观合格的片式熔断器整体浸泡在腐蚀性性液体中，待预设时间后将所述外观合格的熔断器从腐蚀性液体中取出。
10.根据权利要求7所述的片式熔断器失效点的分析装置，其特征在于，所述第四检测模块包括第二测试单元，所述第二测试单元用于使用万用表对所述失效点断开部位与同侧端电极间电阻进行测试，确认是否为短路状态。
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