CN114916122A - 部件承载件以及制造部件承载件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了部件承载件(100)以及制造部件承载件(100)的方法,其中,部件承载件(100)包括:叠置件(102),该叠置件包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106);嵌入叠置件(102)中的部件(108);以及热移除体(110),该热移除体构造成用于将来自部件(108)的热移除,并且该热移除体连接至叠置件(102)以及优选地连接至部件(108),热移除体(110)包括与部件(108)热耦合的部件侧第一热移除结构(112)以及与第一热移除结构(112)热耦合并且背向部件(108)的第二热移除结构(114)。
Description
技术领域
本发明涉及制造部件承载件的方法,并且涉及部件承载件。
背景技术
在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增长以及这种部件的日益小型化以及要连接至部件承载件、比如印刷电路板的部件数量不断增加的背景下,正在采用具有多个部件的越来越强大的阵列状部件或封装件,该阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部,其中,这些接触部之间的间隔越来越小。特别地,部件承载件应当是机械方面稳健的且电气方面可靠的,以便即使在恶劣的条件下也能够操作。
对于复杂的电子任务,可以将一个或多个部件(比如硅晶片)嵌入部件承载件(比如印刷电路板)的层压层叠置件中。在部件承载件的操作期间,至少一个嵌入部件可能会产生大量的热,例如由于欧姆损耗而产生大量的热。然而,一个或更多个嵌入部件的热耗散将成为真正的难关。在常规方法中,热耗散或管理可能是不合适的,这会在操作期间引入缺点。由于操作期间的过度加热,部件承载件的性能和可靠性可能会劣化。
发明内容
可能需要一种能够以紧凑的方式制造并且能够以高性能和高可靠性操作的部件承载件。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种部件承载件,其中,部件承载件包括:叠置件,该叠置件包括至少一个电传导层结构和/或至少一个电绝缘层结构;嵌入叠置件中的部件;以及热移除体,该热移除体构造成用于将来自部件的热移除(特别是在部件承载件的操作期间),并且该热移除体连接至叠置件(以及可选地连接至部件),热移除体包括:部件侧(即面向嵌入的部件)的第一热移除结构,该第一热移除结构与部件热耦合;以及第二热移除结构,该第二热移除结构与第一热移除结构热耦合并且背向部件(以及优选地面向部件承载件的外部主表面)。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括:将部件嵌入叠置件中,该叠置件包括至少一个电传导层结构和/或至少一个电绝缘层结构;以及将热移除体连接至叠置件(以及可选地连接至部件),热移除体构造成用于将来自部件的热移除,并且热移除体包括:部件侧的第一热移除结构,该第一热移除结构与部件热耦合;以及第二热移除结构,该第二热移除结构与第一热移除结构热耦合并且背向部件。
在本申请的上下文中,术语“部件承载件”可以特别地表示能够将一个或更多个部件容置在该部件承载件上和/或该部件承载件中以提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之,部件承载件可以构造为用于部件的机械承载件和/或电子承载件。特别地,部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件还可以是将以上提及的类型的部件承载件中的不同类型的部件承载件组合的混合板。
在本申请的上下文中,术语“叠置件”可以特别地表示多个平面层结构的布置结构,这些平面层结构彼此平行地安装。叠置件的层结构可以通过层压来连接,即通过热和/或压力的施加来连接。
在本申请的上下文中,术语“层结构”可以特别地表示在共用平面内的连续层、图形化层或多个非连续岛状部。
在本申请的上下文中,术语“部件”可以特别地表示嵌体型构件。这种部件可以布置在叠置件的内部中。部件特别地可以具有电子功能,并且因此考虑到欧姆损耗等而可能是热源。例如,这种部件可以是半导体晶片。将部件嵌入可能导致部件被完全埋在叠置件材料内。然而,也可以通过将部件插入在叠置件中的腔中以使得部件仍然具有表面接触、即延伸直至叠置件的表面来实现将部件嵌入叠置件中。
在本申请的上下文中,术语“热移除体”可以特别地表示被构造并布置成用于将来自嵌入部件的热沿着预定的热路径移除直至部件承载件的外部主表面并且这些热从该外部主表面到达环境的物理结构。更具体地,这种热移除体可以构造成使得嵌入的部件可以热耦合至热移除体并且优选地还机械地连接至热移除体,即紧密物理接触并因此热接触。
在本申请的上下文中,术语“热移除体的部件侧第一热移除结构”可以特别地表示布置在热移除体的面向嵌入部件的一侧上的高热传导性(特别地具有至少10W/mK的热导率,更特别地具有至少50W/mK的热导率,优选地具有至少100W/mK的热导率)的结构。
在本申请的上下文中,术语“热移除体的背向部件的第二热移除结构”可以特别地表示布置在热移除体的与嵌入部件相反的一侧上并且因此与第一热移除结构相比更靠近部件承载件的外部主表面且更远离嵌入部件的高热传导性(特别地具有至少10W/mK的热导率,更特别地具有至少50W/mK的热导率,优选地具有至少100W/mK的热导率)的结构。虽然第二热移除结构可以位于部件承载件的主表面处或非常靠近部件承载件的主表面,但第二热移除结构也可以通过一个或更多个另外的层结构与部件承载件的主表面分开,其中,第二热移除结构与部件承载件的外部表面的热传导连接被优选地确保。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种这样的部件承载件,该部件承载件包括位于(优选地层压的)层叠置件中的一个或更多个嵌入部件,并且由于提供了与叠置件直接物理接触并且可选地但优选地与部件直接物理接触的热移除体,该部件承载件提供了优异的热性能和可靠性。所述热移除体包括至少两个相反的热移除结构,这些热移除结构中的一个热移除结构面向部件,而另一个热移除结构面向所述部件承载件的外部侧。面向部件的热移除结构可以与嵌入部件直接热耦合,以在操作期间有效地移除来自嵌入部件的热。所述另一个热移除结构可以传导经由部件侧热移除结构从嵌入部件接收的热,以将所述热引导到部件承载件外。因此,可以提供一种嵌入部件型且因此紧凑的部件承载件,该部件承载件具有优异的热移除或热耗散性能和强大的机械性能,从而确保优异的热性能和可靠性。热移除体可以有利地用于部件承载件的热耗散和冷却。
示例性实施方式的详细描述
在下文中,将对该方法和部件承载件的其他示例性实施方式进行说明。
在优选实施方式中,热移除体包括图形化的粘合片(特别是位于第一热移除结构与第二热移除结构之间的结构化粘合层),该粘合片将第一热移除结构与第二热移除结构粘合地结合及热耦合。在本申请的上下文中,术语“热移除体的图形化粘合片”可以特别地表示要被夹置在热移除体的两个相反的热移除结构之间的具有粘合性或粘性的结构化(优选地平面的)层。因此,粘合片可以将两个相反的热移除结构保持在一起,并且由于粘合片本身的热传导材料和/或由于图形化粘合片的孔或凹部中的热传导材料,粘合片可以同时确保热移除结构之间的适当热耦合。
粘合片可以有效地抑制不希望的分层并且可以由此增加部件承载件的整体机械完整性,同时由于粘合片固有的热传导特性和/或由于可以插入到图形化粘合片的一个或更多个通孔中的导热材料而使热移除结构彼此热耦合。粘合片的图形可以在部件、第一热移除结构、第二热移除结构和环境之间建立热路径。然而,例如与铜相比,热传导预浸料的热能力可能相当低。因此,对粘合片钻孔并用高热传导率材料对粘合片进行填充可能会是有利的。因此,该片不一定是热预浸料,也可以使用任何其他粘合片。附加地,可以局部地施用胶,或者可以使用感光树脂。通过该过程,可以避免对预浸料的附加钻孔(例如激光钻孔)。然而,如果使用热预浸料并且其有助于热管理,则这可能是有优势的。
在实施方式中,第一热移除结构是连续的热传导片。例如,这种连续的热传导片可以是平面的并且没有通孔。连续的热传导片可以确保在部件的整个区域上的二维热移除性能、以及超过部件的热横向扩散和分布。例如,连续的热传导片可以是足够厚的铜箔,该铜箔可以简单地层压在具有嵌入部件的层叠置件上。然而,也可以在热传导片中形成一个或更多个通孔,而热传导片仍然可以保持连续、即一个共用结构而不是单独的岛状部。
替代性地,第一热移除结构包括以共面方式布置的多个单独的热传导垫。因此,第一热移除结构也可以由在共用平面中的多个岛状部型的单独垫构成,这些垫可以专门设置在用于将来自部件的热引导出而引导至部件承载件的外部表面的区域处。将第一热移除结构构造为单独的热传导垫或岛状部可以允许在部件承载件中精确地限定热移除路径以获得定向且可准确限定的热移除性能。
在实施方式中,第一热移除结构包括金属(特别是铜)和/或陶瓷。因此,第一热移除结构可以是热传导的、电传导的或电绝缘的。
在实施方式中,第二热移除结构包括图形化的热传导片或板,该热传导片或板包括多个通孔。将第二热移除结构构造成具有通孔的图形化片允许使用第二热移除结构作为掩模来对在制造部件承载件期间获得的层叠置件中的布置得更深的(例如电介质)粘合片进行图形化。然后,第二热移除结构的通孔和粘合片的通孔可以部分地或全部地填充有热传导材料,以进一步增加热移除体整体的热导率。
在实施方式中,第二热移除结构包括金属(特别是铜)和/或陶瓷。因此,第二热移除结构可以是热传导的、电传导的或电绝缘的。
在实施方式中,第二热移除结构的和/或粘合片的通孔至少部分地填充有热传导填充介质(比如镀覆金属或金属膏)和/或填充有相变材料。在本申请的上下文中,术语“相变材料”可以表示可以在相转变时吸收能量以提供对部件承载件、特别是其嵌入部件的有用冷却的物质。特别地,这种转变可以是从两种最基本的物质状态——固态和液态——中的一种状态到另一种状态。相转变也可以在非经典物质状态、比如晶体的一致性之间,其中,相变材料可以从一种晶体结构转变为可以是更高或更低的能量状态的另一种晶体结构。相变材料的示例是有机材料(其可以衍生自例如石油、植物或动物)和盐水合物。有利地,可以用相变材料、即在被加热时改变其微观结构的材料填充所形成的孔。通过采取这种措施,可以将在部件承载件的操作期间由至少一个嵌入部件产生的热能转换成机械能。这可以减轻热移除体的铜材料在热耗散方面的负担。当部件承载件后续冷却时(例如在关断部件承载件之后),相变材料可以回到其初始状态,因此操作可以是可逆的或循环的。因此,这样的相变材料可以在操作期间从至少一个嵌入部件和/或从热移除体的其余材料吸收能量。例如,可以将相变材料以相变膜和/或相变膏的形式插入到通孔中。
有利地,相变材料可以设置成将第二热移除结构的和/或图形化粘合片的对应通孔或凹部仅部分地而不是全部地填充。因此,可以使相应通孔的一部分体积未被填充,以用于使相变材料能够在其相变期间改变其体积而膨胀,而不会在部件承载件的内部产生过度的应力。
在实施方式中,图形化的粘合片是电绝缘且热传导的。通过构造电绝缘材料的粘合片,可以可靠地防止不希望的电路径在部件承载件中的形成。通过为图形化粘合片使用热传导材料(特别是具有至少1W/mK的热导率,更特别地具有至少5W/mK的热导率,优选地具有至少10W/mK的热导率),可以促进位于图形化粘合片的相反两侧的热移除结构之间的热耦合。
在实施方式中,图形化的粘合片是具有多个通孔的邻接或连续结构,特别是具有通孔的二维阵列的邻接或连续结构。特别地,粘合片可以是具有多个通孔的穿孔片或层。优选地,通孔可以填充有热传导材料,特别是铜。通孔可以部分地或全部地填充有与粘合片本身的材料相比具有更好的导热性的材料(例如铜),以进一步改善位于粘合片的两侧的热移除结构之间的热耦合。
优选地,在图形化的粘合片的平面图中,通孔的部分面积与该片的粘合材料的剩余部分面积之间的比率可以为至少20%(或至少0.2),特别是是至少30%(或至少0.3)。例如,所述比率可以不大于80%(或不大于0.8)。足够大的比率可以促进由图形化粘合片分开的两个相反的热移除结构之间的适当热耦合,这是由于可以将通孔填充介质选择成具有高的热导率以使热移除体的相反的热移除结构适当地热耦合。足够小的比率可以通过粘合片的粘性材料确保两个相反的热移除结构之间的适当粘合。从20%(或30%)至80%的范围内的比率可以是有利的。
在实施方式中,第二热移除结构位于部件承载件的外部主表面处,或者第二热移除结构是与部件承载件的外部主表面直接相邻的。热移除体的这种外部第二热移除结构可以位于部件承载件的主表面处或非常靠近部件承载件的主表面。这可以确保由嵌入部件产生的热可以被引导至部件承载件的外部。
在实施方式中,该方法包括:预成型出热移除体的至少一部分;以及此后将热移除体的预成型的所述至少一部分与叠置件连接。通过与叠置件分开地预成型并加工热移除体的一部分,可以可靠地防止叠置件及其嵌入部件在加工热移除体的所述部分(例如机械的方式或通过激光的方式)期间免受损坏或不希望的冲击。
在实施方式中,该方法包括:预成型出第二热移除结构的至少一部分(例如对第二热移除结构的片进行图形化);以及此后通过粘合片将第二热移除结构的预成型的所述至少一部分与第一热移除结构(已经与叠置件并且优选地与部件连接)连接。例如,第一热移除结构可以是厚铜箔或类似物,该厚铜箔或类似物可以在无需特定处理的情况下附接至叠置件和嵌入部件。因此,叠置件和部件都将不会受到与第一热移除结构的连接的负面影响。然而,第二热移除结构可能需要更广泛的处理,特别是图形化,以能够用作掩模来简化在热移除结构的相互连接之后对热移除结构之间的粘合片的图形化。因此,在与已经连接至叠置件和部件的第一热移除结构连接之前处理第二热移除结构可以包括在诸如铜板的热传导片中形成多个通孔。
在实施方式中,该方法包括:通过将嵌体插入基部片的通孔中以及此后对嵌体进行图形化、特别是通过钻孔对嵌体进行图形化,预成型出第二热移除结构的至少一部分。特别地,嵌体可以是铜板或铜块。优选地,基部片可以是由完全固化的印刷电路板(PCB)材料、比如FR4制成的芯。将嵌体插入到PCB材料的环形基部片中仅涉及较少的劳力,并且简化了处理期间对嵌体的操纵,特别是钻孔。
在实施方式中,该方法包括:通过将粘合片压挤在第二热移除结构的至少一部分与第一热移除结构之间,将第二热移除结构的至少一部分与第一热移除结构连接。通过施加机械压力,特别是伴随着热能的供给,相反的热移除结构可以通过其间的粘合片的粘合力可靠地连接。例如,粘合片可以由至少部分地未固化的材料(例如预浸料)制成,该材料在压制期间被固化。在固化期间,片材料可以变得可流动、可以交联或可以聚合,并且然后可以重新凝固以通过粘合力将两个相反的热移除结构永久性地连接。
在实施方式中,该方法包括:在将第二热移除结构的预成型的所述至少一部分与第一热移除结构连接之后,对粘合片进行图形化。非常有利地,粘合片的整个表面可以被用于通过压制或层压来将相反的热移除结构互连。之后,可以通过对粘合片进行图形化以由此形成后续可以由热传导材料或相变材料填充的通孔来改善相反的热移除结构之间的热耦合。
在实施方式中,该方法包括:对粘合片进行图形化,使得图形化的粘合片的通孔与第二热移除结构的通孔对准。在图形化处理期间,已经图形化(并且至少该阶段的位于外部)的第二热移除结构可以用作掩模。因此,延伸穿过粘合片并延伸穿过第二热移除结构的通孔的图形可以彼此对应。这简化了图形化处理。
在实施方式中,该方法包括:通过激光处理对粘合片进行图形化。描述性地讲,激光束将仅传播通过外部热移除结构(优选地由铜制成)中的通孔,并且将选择性地移除粘合片的暴露材料。然而,粘合片的位于外部热移除结构的(优选地铜)材料后方的隐藏材料将被可靠地防止被激光处理移除,因此可以继续确保两个相反的热移除结构之间的适当粘合。
替代性地,该方法可以包括:通过机械钻孔、蚀刻(特别是等离子体蚀刻)、对感光电介质进行光辐照和/或局部地施用胶,对粘合片进行图形化。该图形也可以通过机械钻孔或等离子体蚀刻来产生。特别地,可以使用感光树脂。感光树脂也可以通过曝光和显影处理来移除。附加地,能够将两个结构保持在一起的任何胶都可以被局部地施用。
在实施方式中,该方法包括:用热传导填充介质和/或相变材料对第二热移除结构的预成型件的通孔和/或图形化的粘合片的通孔进行至少部分地填充。通过采取这种措施,可以显着改善热移除体的三个组成部分、即两个相反的热移除结构和位于相反的热移除结构之间的粘合片之间的热耦合。
在下文中,将描述根据本发明的不同实施方式的将部件嵌入层叠置件中(不通过或通过对层叠置件的表面的接近(access))的多个过程:
在一个嵌入实施方式中,该方法包括:将部件嵌入叠置件的开口(例如通孔)中,其中,在嵌入期间,开口至少在底侧被粘性层暂时封闭。在本申请的上下文中,术语“粘性层(sticky layer)”可以特别地表示具有粘合(adhesive)表面的带、膜、箔、片或板。在使用中,粘性层可以用于粘附至叠置件的主表面以封闭延伸穿过叠置件的开口。部件可以粘附至粘性层以用于限定部件在开口中的位置并且因此限定部件相对于叠置件的位置。当在完成部件承载件的制造之前将粘性层从叠置件移除时,粘性层可以被表示为临时承载件。然而,在其他实施方式中,粘性层可以形成容易制造的部件承载件的一部分。通过在嵌入处理期间将部件粘附在粘性带上,部件嵌入的空间精度可以是优异的。因此,可以获得具有高对准精度的紧凑的部件承载件。
在另一嵌入实施方式中,该方法包括:将部件安装在层结构中的至少一个层结构上;以及此后用层结构中的另外的层结构覆盖组装的部件,其中,所述另外的层结构中的至少一个层结构设置有容置部件的开口。例如,相应的层结构的开口可以作为通孔切入相应的层结构中。
在又一嵌入实施方式中,该方法包括:在层叠置件中嵌入释放层;此后通过移除层叠置件的在底侧由释放层界定的部段(piece)而在层叠置件中形成开口;以及此后将部件容置在开口中。例如,这样的释放层可以由相对于周围的层叠置件材料显示出较差粘合性能的材料制成。例如,用于释放层的合适材料是聚四氟乙烯(PTFE、特氟隆(Teflon))或蜡状化合物。例如,该方法包括在叠置件中形成周向切割槽,该周向切割槽延伸直至释放层以由此将该部段与层叠置件的其余部分分开。切割所述槽可以例如通过激光钻孔或机械钻孔来完成。
在又一嵌入实施方式中,该方法包括:通过锣板成型(routing)(优选地深度锣板成型)在叠置件中形成开口;以及此后将部件容置在锣板成型叠置件的底表面上并容置在开口中。锣板成型是一种精确限定盲孔型开口以用于随后容置部件的适当且简单的机制。
在实施方式中,部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构的叠置件。例如,部件承载件可以是特别是通过施加机械压力和/或热能而形成的所提及的电绝缘层结构和电传导层结构的层压件。所提及的叠置件可以提供能够为另外的部件提供大安装表面并且仍然非常薄且紧凑的板状部件承载件。术语“层结构”可以特别地表示在共用平面内的连续层、图形化层或多个非连续岛状部。
在实施方式中,部件承载件成形为板。这有助于紧凑的设计,其中,尽管如此,部件承载件仍为该部件承载件上的安装部件提供大的基部。此外,特别地,作为嵌入的电子部件的示例的裸晶片(die)由于该裸晶片的厚度小而可以方便地嵌入到薄板、比如印刷电路板中。
在实施方式中,部件承载件构造为印刷电路板、基板(特别是IC基板)和中介层中的一者。
在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示通过例如通过施加压力和/或通过热能的供给而将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构进行层压而形成的板状部件承载件。作为用于PCB技术的优选材料,电传导层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料、或FR4材料。可以通过例如通过激光钻孔或机械钻孔形成穿过层压件的通孔并且通过用电传导材料(特别是铜)对这些通孔进行填充从而形成作为通孔连接部的过孔,使得各个电传导层结构可以以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入在印刷电路板中的一个或更多个部件以外,印刷电路板通常构造成用于将一个或更多个部件容置在板状印刷电路板的一个表面或相反的两个表面上。所述一个或更多个部件可以通过焊接而连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维(比如,玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中,术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于PCB而言,基板可以是相对较小的部件承载件,该部件承载件上可以安装一个或更多个部件并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与另外的PCB之间的连接介质。例如,基板可以具有与待安装在该基板上的部件(特别是电子部件)大致相同的尺寸(例如,在芯片级封装(CSP)的情况下)。更具体地,基板可以理解为这样的承载件:用于电连接件或电网的承载件、以及与印刷电路板(PCB)相当但具有相当高密度的侧向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。侧向连接件例如是传导通道,而竖向连接件可以是例如钻孔。这些侧向连接件和/或竖向连接件布置在基板内并且可以用于提供已容置部件或未容置部件(比如裸晶片)、特别是IC芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此,术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以由具有增强颗粒(比如,增强球状件,特别是玻璃球状件)的树脂构成。
基板或中介层可以包括至少一层以下各者或由至少一层以下各者构成:玻璃;硅(Si);或感光的或可干法蚀刻的有机材料、如环氧基堆叠材料(比如,环氧基堆叠膜);或者聚合物化合物、如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯功能聚合物。
在实施方式中,所述至少一个电绝缘层结构包括以下各者中的至少一者:树脂(比如,增强树脂或非增强树脂、例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)、氰酸酯树脂、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)、预浸材料(比如,FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基堆叠膜、聚四氟乙烯(PTFE、特氟隆)、陶瓷以及金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构,比如网状物、纤维或球状件。尽管预浸料、特别是FR4对于刚性PCB而言通常是优选的,但是也可以使用其他材料、特别是环氧基堆叠膜或感光介电材料。对于高频应用,高频材料、比如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低的、非常低的或超低的DK材料可以在部件承载件中实现为电绝缘层结构。
在实施方式中,所述至少一个电传导层结构包括以下各者中的至少一者:铜、铝、镍、银、金、钯和钨。尽管铜通常是优选的,但是其他材料或其涂覆变型、特别是涂覆有超导材料、比如石墨烯也是可以的。
可以嵌入在叠置件中的至少一个部件可以选自以下各者:非电传导嵌体、电传导嵌体(比如,金属嵌体,优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如,热管)、光引导元件(例如,光波导或光导体连接件)、光学元件(例如,透镜)、电子部件或其组合。例如,该部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如,DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光耦合器、电压转换器(例如,DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而,其他部件也可以嵌入在部件承载件中。例如,磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(比如,铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件,例如铁氧体芯)或者可以是顺磁性元件。然而,该部件还可以是基板、中介层或例如呈板中板构型的其他部件承载件。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入在部件承载件的内部中。此外,还可以使用其他部件来作为所述部件。
在实施方式中,部件承载件是层压型部件承载件。在这种实施方式中,部件承载件是通过施加压挤力和/或热而被叠置并连接在一起的多层结构的复合物。
在对部件承载件的内部层结构进行加工之后,可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构(特别是通过层压)将经加工的层结构的一个主表面或相反的两个主表面对称地或不对称地覆盖。换言之,可以持续堆叠,直到获得期望的层数为止。
在电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成完成之后,可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处理。
特别地,在表面处理方面,可以将电绝缘的阻焊部施用至层叠置件或部件承载件的一个主表面或相反的两个主表面。例如,可以在整个主表面上形成这种阻焊部并且随后对阻焊部的层进行图形化以使一个或更多个电传导表面部分暴露,所述一个或更多个电传导表面部分将用于使部件承载件电耦合至电子外围件。部件承载件的用阻焊部保持覆盖的表面部分、特别是包含铜的表面部分可以被有效地保护以免受氧化或腐蚀。
在表面处理方面,还可以将表面处理部选择性地施用至部件承载件的暴露的电传导表面部分。这种表面处理部可以是部件承载件的表面上的暴露的电传导层结构(比如,垫、传导迹线等,特别是包括铜或由铜构成)上的电传导覆盖材料。如果不对这种暴露的电传导层结构进行保护,则暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)会被氧化,从而使部件承载件的可靠性较低。然后,表面处理部可以形成为例如表面安装部件与部件承载件之间的接合部。表面处理部具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)的功能,并且表面处理部可以例如通过焊接而实现与一个或更多个部件的连结过程。用于表面处理部的合适材料的示例是有机可焊性防腐剂(OSP)、非电镍浸金(ENIG)、金(特别是硬金)、化学锡、镍金、镍钯、非电镍浸钯浸金(ENIPIG)等。
本发明的上面限定的方面和其他方面通过将在下文中描述的实施方式的示例中而是明显的,并且参照这些实施方式的示例来进行说明。
附图说明
图1至图6示出了在执行根据本发明的示例性实施方式的制造图6所示的部件承载件的方法期间获得的结构的横截面图。
图7示出了图6的部件承载件的层的平面图。
图8示出了根据本发明的另一示例性实施方式的部件承载件的横截面图。
图9示出了根据本发明的另一示例性实施方式的部件承载件的横截面图。
具体实施方式
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,相似或相同的部件被提供以相同的附图标记。
在参照附图之前,将更详细地描述示例性实施方式,将对开发本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考虑进行总结。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种用于具有嵌入部件的部件承载件的制造方法,其中,部件承载件的构造确保了热从部件承载件的有效移除。为此目的,具有嵌入部件的层叠置件与具有非常有利的构造的热移除体连接。特别地,优选地由铜制成的热传导嵌体可以被插入到包括完全固化的介电材料如FR4的芯中,并且可以通过钻孔而被图形化,以由此构建热移除体的外部移除结构的预成型件。然后可以将具有一个或更多个嵌入部件(在操作期间充当热源)的层压层叠置件与作为热移除体的部件侧热移除结构的热传导片连接。然后,外部热移除结构的预成型件可以通过夹置并压挤在热移除结构之间的粘合片而与部件侧热移除结构连接。外部热移除结构的图形化预成型件形式的掩模然后可以用于对粘合片进行相应的图形化,以由此使部件侧热移除结构的表面部分暴露。然后可以用热传导材料填充所形成的孔(例如通过镀敷或填充膏)以因此完成热移除体的形成。
因此,嵌入部件下方的热移除体可以特别地包括面向部件的铜层、用于提高粘附性及抑制分层的热电介质以及下方的厚铜或陶瓷结构。较薄的铜层也可以是层结构,例如图形化层或垫阵列。较厚的铜或陶瓷结构和/或热电介质可以部分地填充有相变材料以进一步提高热移除性能。此外,热电介质可以包括填充有诸如铜或相变材料的电传导材料的钻孔阵列。
根据本发明的示例性实施方式,热传导框架(优选地由铜制成)可以实现为用于从嵌入部件如半导体芯片耗散热的热移除结构。这可以允许以灵活的设计和高的产量生产高度可靠的嵌入式封装件。
在部件承载件中嵌入部件时的一个挑战是热耗散以避免可靠性故障。有多种方法允许达到这样的目标,比如铜嵌体、热管、散热器、特殊热耗散材料、热过孔等。然而,这些方法的热能力、制造劳力和可制造性仍然取决于产品设计。在许多情况下,常规的热移除结构不能提供足够的热性能。
为了克服这种和/或其他常规缺点,本发明的示例性实施方式提供了一种强大的热移除概念:使用铜框架进行热耗散。结果是,部件承载件的简单加工可以与高的热耗散能力相组合。
在本发明的示例性实施方式中,可以在部件承载件(比如印刷电路板、PCB)内构建铜框架,该铜框架允许将热从嵌入部件耗散至部件承载件的外表面。这种方法可以有利地包括使用呈粘合片形式的电介质或电传导结合层将钻孔铜嵌体(作为外部热移除或耗散结构)压挤在具有热传导层(作为部件侧热移除或耗散结构)的嵌入式芯或封装件上。然后,可以随后使用激光工艺等来对铜片上的钻孔进行去污或清洁以允许与部件的连接。填充所述通孔可以例如通过使用镀铜工艺或通过将热传导膏分配或印刷到通孔中来完成。描述性地讲,铜框架可以与结构化粘合片和部件侧热移除层组合使用,以实现对具有嵌入的有源部件的部件承载件的有效热管理。
图1至图6示出了在执行根据本发明的示例性实施方式的制造图6所示的部件承载件100的方法期间获得的结构的横截面图。
参照图1,示出了层压层叠置件102的横截面图,层压层叠置件102中嵌入有电子部件108,比如半导体芯片(例如MOSFET、金属氧化物半导体场效应晶体管)。因此,图1示出了将部件108嵌入在叠置件102中的结果,叠置件102包括多个电传导层结构104和多个电绝缘层结构106。
例如,电传导层结构104可以包括图形化铜箔和竖向贯通连接部,例如铜填充的激光过孔。电绝缘层结构106可以包括树脂(比如环氧树脂),树脂中可选地包括增强颗粒(例如玻璃纤维或玻璃球状件)。例如,电绝缘层结构106可以由预浸料或FR4或诸如ABF的堆叠膜制成。层结构104、106可以通过层压来连接,即,通过施加压力和/或热来连接。
同样如图1所示,部件侧第一热移除结构112被附接至层压层叠置件102的下部主表面和嵌入的部件108的暴露的下部主表面。根据图1,芯片型半导体部件108的垫仅布置在部件108的上表面上,并由位于部件108正上方且与部件108电耦合的电传导层结构104的铜填充激光过孔电接触。描述性地讲,根据图1的部件108因此被布置成面朝上的构型。在其他实施方式中,嵌入的部件可以具有仅在下侧具有垫的面朝下的构型,或者具有在相反的两侧上具有垫的组合的面朝上及面朝下的构型。根据图1,部件108的电耦合是在部件108的顶侧部上方实现的,而用于移除热的部件108的热耦合是在部件108的底侧部下方实现的,如下面更详细地描述的。
在所示实施方式中,部件侧第一热移除结构112是铜箔或铜片并且在要制造的部件承载件100的整个宽度上延伸(例如参见图6)。第一热移除结构112形成热移除体110(参见例如图6)的第一组成部分,该第一组成部分用于在操作期间有效地移除或耗散由嵌入的部件108产生的热。
参照图2,示出了热移除体110的第二热移除结构114的预成型件(再次参见图6)。
第二热移除结构114的所述预成型件可以通过将嵌体128插入基部片(basesheet)132的通孔130中来构建。嵌体128可以是铜块或铜片或任何其他高热传导材料体,比如陶瓷板。在所示示例中,基部片132可以是由树脂(特别是环氧树脂)构成的完全固化的芯,树脂中具有增强颗粒(比如玻璃球状件的玻璃纤维),例如FR4材料。可以构成另外的电绝缘层结构106的所述介电芯可以在两个相反的主表面上覆盖有图形化的铜箔,从而构成另外的电传导层结构104。
为了将基部片132与嵌体128连接,可以用可以通过固化而凝固的液体或粘性粘合剂150将基部片132与嵌体128之间的横向间隙部分地或全部地填充。
例如,所示出的具有嵌体128的芯可以用作容易制造的部件承载件100的电力层。
现在参照图3,图2中所示的第二热移除结构114的预成型件可以通过对嵌体128进行图形化来进一步处理。这种图形化可以通过钻孔如机械钻孔或激光钻孔、或者通过等离子体蚀刻来进行。替代性地,可以使用感光树脂,或者可以局部地施加胶。结果是,可以在嵌体128中形成通孔120。更一般地,第二热移除结构114的所示出的预成型件可以通过在此处实施为铜嵌体128的高热传导片中形成多个通孔120来获得。
参照图4,根据图3获得的第二热移除结构114的预成型件可以通过连续的粘合片116与图1所示的结构(即,附接至叠置件102和部件108的第一热移除结构112)连接,粘合片116夹置在第二热移除结构114的预成型件与第一热移除结构112之间。更具体地,将第二热移除结构114的所提及的预成型件与第一热移除结构112连接可以通过将粘合片116压挤在第二热移除结构114的预成型件与第一热移除结构112之间来实现,优选地伴随着热能来实现。
粘合片116可以用于将第一热移除结构112与第二热移除结构114粘合地结合及热耦合。例如,根据图4的夹置在热移除结构112、114之间的粘合片116可以是连续的由粘合材料构成的层。例如,所述粘合材料可以在参照图4描述的压制处理之前是至少部分地未固化的。通过提供机械压力和/或热的热,粘合片116的材料可以被固化,以由此以粘合的方式连接热移除结构112、114。为了通过粘合片116的材料促进热移除结构112、114之间的热耦合,还可以在粘合片116的树脂基质中嵌入热传导填料颗粒(比如氧化铝颗粒)。
位于两个热移除结构112、114之间的该粘合片116可以是任何粘合片,例如预浸料。通过穿过粘合片116钻孔并随后用热传导材料、例如铜或热传导膏对孔进行填充来获得主热路径。可以通过例如钻孔(机械钻孔或激光钻孔)或通过等离子体蚀刻来获得穿过预浸料的孔。替代性解决方案是局部地分配粘合材料。金属的热导率远高于这些热预浸料的热导率。因此,将粘合片116图形化以获得具有局部增加的热导率的区域是有利的。因此,粘合片116可以是能够将两个热移除结构112、114保持在一起的任何材料。
当一起并仍参照图4时,部件侧的第一热移除结构112、外部的第二热移除结构114的预成型件以及其间的粘合片116的预成型件构成热移除体110的预成型件,热移除体110的该预成型件以热传导方式连接至叠置件102和部件108。根据图6的容易制造的热移除体110然后能够将来自部件108的热移除到叠置件102外。然而,为了进一步改善热移除体110的热性能及其对要被制造的部件承载件100的热可靠性的影响,可以进一步改进热移除体110的性能,如下面将参照图5和图6描述的。
参照图5,图4所示的结构可以制成为经受去污或清洁工艺,该工艺作用于图形化嵌体128中的钻制通孔120。
更具体地,图5所示的工艺包括通过用来自底侧的激光束152处理图4的结构、即在将第二热移除结构114的预成型件与第一热移除结构112连接之后对先前连续的粘合片116进行图形化。激光束152可以被配置成用于移除粘合片116的暴露材料,而覆盖粘合片116的部分的图形化嵌体128的铜材料将被保护而不被激光束152移除。描述性地讲,图形化嵌体128用作用于通过激光处理对粘合片116进行图形化的掩模。因此,参照图5说明的处理将粘合片116图形化,使得图形化粘合片116的通孔124与第二热移除结构114的通孔120对准。
例如,所示结构的不同部分之间的连接可以通过机械或激光钻孔(例如使用保形掩模(conformal mask),通过激光穿过芯和片来钻孔等)来完成。
参照图6,根据本发明的示例性实施方式的所示出的部件承载件100可以通过用高热传导填充介质126、例如具有至少50W/mK的热导率的高热传导填充介质126填充第二热移除结构114的预成型件的通孔120和图形化粘合片116的对准的通孔124来获得。这可以例如通过镀覆(特别是镀铜)或通过印刷热传导膏(特别是铜膏或银膏)以对通孔120、124进行填充并将嵌入的部件108热连接至部件承载件100的底部外表面来完成。
当热传导填充介质126通过镀覆而形成并且结构化嵌体128由铜制成时,热传导填充介质126可以形成在通孔120、124中,并且热传导填充介质126也可以形成在图5的结构的底侧、通孔120、124的外部,如图6中用附图标记158示意性地示出的。
图6中的虚线154示出了部件侧的第一热移除结构112的材料(例如铜)与一方面的外部的第二热移除结构114的图形化嵌体128(例如铜)以及另一方面的热传导填充介质126(比如镀覆的铜)之间的材料接合部。
作为所描述的制造过程的结果,获得了根据本发明的示例性实施方式的部件承载件100的所示横截面。
在所示实施方式中,部件承载件100被构造为印刷电路板(PCB)。部件承载件100包括层压层叠置件102,该层叠置件叠置件102包括电传导层结构104和电绝缘层结构106。半导体部件108嵌入在叠置件102中,其中,表面接触热移除体110的部件侧第一热移除结构112。也形成部件承载件100的一部分的所述热移除体110被配置成用于将热从部件108朝向部件承载件100的下部主表面160和部件承载件100的外部移除。热移除体110通过直接物理接触而连接至叠置件102和部件108两者,以由此建立高热传导连接。除了包括与部件108直接热耦合的部件侧第一热移除结构112之外,热移除体110还包括外部第二热移除结构114。第二热移除结构114主要通过位于粘合片116的通孔124中的热传导填充介质126而与第一热移除结构112热耦合。因此,热传导填充介质126被插入在设置成用于将第一热移除结构112与第二热移除结构114粘合地结合及热耦合的图形化粘合片116的凹部中。当图形化粘合片116的材料本身也具有热传导性时,例如通过为粘合片116提供高热传导性填料颗粒(例如由氧化铝制成)而使图形化粘合片116的材料本身也具有热传导性时,粘合片116的材料也可以显着促进热移除结构112、114之间的热耦合。
在所示实施方式中,第一热移除结构112是由铜制成的连续热传导片。第一热移除结构112的竖向厚度d可以例如是至少50μm,特别是至少100μm,更特别地是至少200μm。然而,第一热移除结构112也可以更薄。与此相比,第二热移除结构114是包括多个通孔120并且位于部件承载件100的外部主表面160处的图形化的热传导铜片。所述通孔120填充有可以实施为镀覆铜的热传导填充介质126。仅作为示例,第二热移除结构114的热传导材料的竖向厚度D可以例如是至少100μm,特别是至少200μm,更特别地是至少500μm。更一般地,第二热移除结构114的热传导材料的竖向厚度D可以大于第一热移除结构112的垂直厚度d。然而,厚度D主要取决于特定应用的要求。如果需要薄的堆叠件,则可以根据这些要求来选择第二热移除结构114的热传导材料的厚度D。
图7示出了图6的部件承载件100的层型图形化粘合片116的平面图。
图形化粘合片116可以是电绝缘且热传导的。例如,粘合片116可以是具有高热传导填料颗粒的固化预浸料。粘合片116也可以是没有增强颗粒和/或没有高热传导填料颗粒的粘合树脂。如图7所示,所述图形化粘合片116可以是具有布置成行和列的多个通孔124的连续的平面结构。换言之,通孔124可以布置成矩阵状图形以形成通孔124的规则(或可选地不规则)二维阵列。同样如图7所示,图形化粘合片116的所述通孔124填充有热传导填充介质126,比如:镀覆金属;或金属膏。
在图形化粘合片116的所示平面图中,所有通孔124的部分面积A1一起与片116的粘合材料的剩余部分面积A2之间的比率可以是至少20%或0.2。如图7所示,A1和A2的总和可以是具有填充的通孔124的图形化粘合片116的整个表面积。由于所描述的设计规则,铜填充的粘合片116可以显着有助于热移除体110的热移除性能,且同时抑制分层并提高部件承载件100整体的整体机械稳定性。
特别地,可以根据部件108的尺寸、填充的纵横比、最小过孔密度或间距等来选择镀覆通孔124的尺寸。例如,50%的锣板成型密度可能是适当的选择。
热移除体110的适当构型可以实现有利的通过铜层的二维热耗散、通过热片的三维热耗散以及镀覆通孔与热片之间的径向交换。
此外,当相变材料122被插入通孔120、124中时,热转换可以进一步提高热移除能力、热耗散或冷却效率,如下面参照图8更详细地描述的。
图8示出了根据本发明的另一示例性实施方式的部件承载件100的横截面图。
图8的实施方式与图6的实施方式的不同之处特别在于,根据图8,通孔120、124填充有相变材料122而不是填充有镀覆铜或膏式铜。此外,根据图8,部件承载件100的水平底表面可以保持没有附加的材料,使得图形化的基部片132是暴露的。
相变材料122可以是在被加热时改变其微观结构的材料,使得可以通过相变材料122将在部件承载件100的操作期间由嵌入部件108产生的热能转换成机械能。这可以进一步提高热移除体110的热移除能力。相变可以是可逆的,使得部件承载件100的后续冷却(在操作之后)可以将相变材料122切换回相变材料122的初始状态。尽管未在图8中示出,但是相变材料122可以设置成仅对相对应的通孔120、124进行部分地填充,因为相变材料122可以在相转变期间改变相变材料122的体积。在用相变材料122对通孔120、124进行部分地填充之后的剩余的空的空间可以在相变的情况下容置膨胀的相变材料122。除了提供铜冷却结构之外还提供相变材料122可以进一步提高热移除效率。
例如,相变材料122可以作为膏或作为片插入到通孔120、124中。也可以使用热复合材料,即用于促进粘合和加工性的树脂体系,并且热复合材料可以填充有包括相变材料122的填料颗粒。
图9示出了根据本发明的另一示例性实施方式的部件承载件100的横截面图。
图9的实施方式与图8的实施方式的不同之处在于,根据图9,部件承载件100包括位于第二热移除结构114的顶侧部和底侧部处的介电热接合材料180。替代性地,可以在第二热移除结构114的仅顶侧部或底侧部处设置介电热接合材料180(未示出)。在图9中,第二热移除结构114包括相变材料122。
有利地,可以在相变材料122的上方和/或下方设置这样的介电热接合材料180,以将结构的底侧部电分离。这对于允许外部冷却和防止电击的大电流应用可能是有利的。
应当指出的是,术语“包括”并不排除其他元件或步骤,并且“一”或“一种”并不排除多个。此外,可以对结合不同实施方式描述的元件进行组合。
还应指出的是,权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实现方式不限于图中所示和上面描述的优选实施方式。而是,即使在根本不同的实施方式的情况下,使用所示出的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可能的。
Claims (17)
1.一种部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括:
叠置件(102),所述叠置件(102)包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106);
嵌入所述叠置件(102)中的部件(108);以及
热移除体(110),所述热移除体(110)构造成用于将来自所述部件(108)的热移除,并且所述热移除体(110)连接至所述叠置件(102),以及优选地,所述热移除体(110)连接至所述部件(108),所述热移除体(110)包括:
部件侧的第一热移除结构(112),所述第一热移除结构(112)与所述部件(108)热耦合;以及
第二热移除结构(114),所述第二热移除结构(114)与所述第一热移除结构(112)热耦合并且背向所述部件(108)。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述第一热移除结构(112)是连续的热传导片,或者,所述第一热移除结构(112)包括多个热传导垫。
3.根据权利要求1所述的部件承载件(100),包括以下特征中的至少一个特征:
其中,所述第一热移除结构(112)包括金属和陶瓷中的至少一者,特别地,所述金属为铜;
其中,所述第二热移除结构(114)包括图形化的热传导片,所述图形化的热传导片包括多个通孔(120),其中特别地,所述通孔(120)至少部分地填充有热传导填充介质(126)和相变材料(122)中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述第二热移除结构(114)包括金属和陶瓷中的至少一者,特别地,所述金属为铜。
5.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述热移除体(110)包括图形化的粘合片(116),所述图形化的粘合片(116)将所述第一热移除结构(112)与所述第二热移除结构(114)粘合地结合及热耦合。
6.根据权利要求5所述的部件承载件(100),包括以下特征中的至少一个特征:
其中,所述图形化的粘合片(116)的通孔(124)至少部分地填充有热传导填充介质(126)和相变材料(122)中的至少一者;
其中,所述图形化的粘合片(116)是电绝缘且热传导的;
其中,所述图形化的粘合片(116)是具有多个通孔(124)的连续结构,特别地,所述图形化的粘合片(116)是具有通孔(124)的二维阵列的连续结构,其中特别地,所述通孔(124)的部分面积(A1)与所述图形化的粘合片(116)的粘合材料的剩余部分面积(A2)之间的比率为至少20%,并且特别地,所述通孔(124)的部分面积(A1)与所述图形化的粘合片(116)的粘合材料的剩余部分面积(A2)之间的比率不大于80%。
7.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述第二热移除结构(114)位于所述部件承载件(100)的外部主表面(160)处,或者所述第二热移除结构(114)是与所述部件承载件(100)的外部主表面(160)直接相邻的。
8.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括位于所述第二热移除结构(114)的顶侧部和/或底侧部处的介电热接合材料(180)。
9.根据权利要求8所述的部件承载件(100),其中,所述第二热移除结构(114)包括相变材料(122),或者所述第二热移除结构(114)由相变材料(122)构成。
10.一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:
将部件(108)嵌入叠置件(102)中,所述叠置件(102)包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106);以及
将热移除体(110)连接至所述叠置件(102),以及优选地,将所述热移除体(110)连接至所述部件(108),所述热移除体(110)构造成用于将来自所述部件(108)的热移除,并且所述热移除体(110)包括:
部件侧的第一热移除结构(112),所述第一热移除结构(112)与所述部件(108)热耦合;以及
第二热移除结构(114),所述第二热移除结构(114)与所述第一热移除结构(112)热耦合并且背向所述部件(108)。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述方法包括:
预成型出所述热移除体(110)的至少一部分;以及
此后,将所述热移除体(110)的预成型的所述至少一部分与所述叠置件(102)连接。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述方法包括:为所述热移除体(110)提供图形化的粘合片(116),所述粘合片(116)将所述第一热移除结构(112)与所述第二热移除结构(114)粘合地结合及热耦合。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述方法包括:
预成型出所述第二热移除结构(114)的至少一部分,特别地,通过在热传导片中形成多个通孔(120)来预成型出所述第二热移除结构(114)的至少一部分;以及
此后,通过所述粘合片(116),将所述第二热移除结构(114)的预成型的所述至少一部分与已经和所述叠置件(102)连接并且优选地和所述部件(108)连接的所述第一热移除结构(112)连接。
14.根据权利要求13所述的方法,包括以下特征中的至少一个特征:
其中,所述方法包括:通过将嵌体(128)插入基部片(132)的通孔(130)中以及此后对所述嵌体(128)进行图形化,预成型出所述第二热移除结构(114)的至少一部分,特别地,所述方法包括:通过将嵌体(128)插入基部片(132)的通孔(130)中以及此后通过钻孔对所述嵌体(128)进行图形化,预成型出所述第二热移除结构(114)的至少一部分;
其中,所述方法包括:通过将所述粘合片(116)压挤在所述第二热移除结构(114)的至少一部分与所述第一热移除结构(112)之间,将所述第二热移除结构(114)的所述至少一部分与所述第一热移除结构(112)连接;
其中,所述方法包括:在将所述第二热移除结构(114)的预成型的所述至少一部分与所述第一热移除结构(112)连接之后,对所述粘合片(116)进行图形化。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述方法包括对所述粘合片(116)进行图形化,使得图形化的所述粘合片(116)的通孔(124)与所述第二热移除结构(114)的通孔(120)对准。
16.根据权利要求12所述的方法,其中,所述方法包括:通过激光处理、机械钻孔、蚀刻、对感光电介质进行光辐照、以及局部地施用胶中的至少一者,对所述粘合片(116)进行图形化,特别地,所述蚀刻为等离子体蚀刻。
17.根据权利要求12所述的方法,其中,所述方法包括:用热传导填充介质(126)和相变材料(122)中的至少一者对所述第二热移除结构(114)的预成型件的通孔(120)和/或图形化的所述粘合片(116)的通孔(124)进行至少部分地填充。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7025129B2 (en) * | 1998-09-22 | 2006-04-11 | Intel Corporation | Adhesive to attach a cooling device to a thermal interface |
US20120007252A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Subtron Technology Co. Ltd. | Semiconductor package structure and fabricating method of semiconductor package structure |
KR20130140354A (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-24 | 하나 마이크론(주) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2014007323A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージ |
US20180211899A1 (en) * | 2017-01-26 | 2018-07-26 | At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Efficient Heat Removal From Component Carrier With Embedded Diode |
CN109411423A (zh) * | 2017-08-16 | 2019-03-01 | 三星电机株式会社 | 半导体封装件及包括半导体封装件的电子装置 |
US20200395263A1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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---|---|---|---|---|
TW546800B (en) * | 2002-06-27 | 2003-08-11 | Via Tech Inc | Integrated moduled board embedded with IC chip and passive device and its manufacturing method |
TW200901409A (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-01 | Nan Ya Printed Circuit Board Corp | Packaging substrate with embedded chip and buried heatsink |
WO2011125354A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 日本電気株式会社 | 機能素子内蔵基板 |
US20170374748A1 (en) * | 2011-10-31 | 2017-12-28 | Unimicron Technology Corp. | Package structure and manufacturing method thereof |
JP6221221B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2017-11-01 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
JP5716972B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2015-05-13 | 株式会社デンソー | 電子部品の放熱構造およびその製造方法 |
US9171779B2 (en) * | 2013-08-29 | 2015-10-27 | Industrial Technology Research Institute | Semiconductor laser structure |
SG10201401622RA (en) * | 2014-04-17 | 2015-11-27 | Delta Electronics Int’L Singapore Pte Ltd | Package structure |
US9918407B2 (en) * | 2016-08-02 | 2018-03-13 | Qualcomm Incorporated | Multi-layer heat dissipating device comprising heat storage capabilities, for an electronic device |
WO2018067104A1 (en) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multilayer housings |
US20180177045A1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Embedding Component in Component Carrier by Component Fixation Structure |
US11849539B2 (en) * | 2020-08-13 | 2023-12-19 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Embedded cooling systems utilizing heat pipes |
JP7231128B2 (ja) * | 2020-12-15 | 2023-03-01 | Dic株式会社 | 接着シート、並びに物品及び物品の製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7025129B2 (en) * | 1998-09-22 | 2006-04-11 | Intel Corporation | Adhesive to attach a cooling device to a thermal interface |
US20120007252A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Subtron Technology Co. Ltd. | Semiconductor package structure and fabricating method of semiconductor package structure |
KR20130140354A (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-24 | 하나 마이크론(주) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2014007323A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージ |
US20180211899A1 (en) * | 2017-01-26 | 2018-07-26 | At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Efficient Heat Removal From Component Carrier With Embedded Diode |
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