CN114914383A - 发光器件、发光基板和发光装置 - Google Patents

发光器件、发光基板和发光装置 Download PDF

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Abstract

本公开的实施例提供了一种发光器件、发光基板和发光装置，涉及照明和显示技术领域，用于提高发光器件的发光效率和器件寿命。该发光器件包括：层叠设置的第一电极和第二电极，以及设置于第一电极和第二电极之间的至少一个发光单元，至少一个发光单元中的每个发光单元包括至少一个子像素发光层，至少一个子像素发光层包括第一子像素发光层；其中，第一子像素发光层的材料包括第一主体材料和第一客体材料，且第一客体材料失重5%的分解温度大于或者等于350℃。上述发光器件用于照明或显示图像。

Description

发光器件、发光基板和发光装置
技术领域
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。
背景技术
OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）、QLED（Quantum DotLight Emitting Diodes，量子点发光二极管）以及QDOLED（Quantum Dot Organic Light-Emitting Diode，量子点有机发光二极管）等发光二极管具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，近年来得到了越来越广泛的应用。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种发光器件、发光基板和发光装置，用于照明或显示，可以提高发光器件的发光效率和器件寿命。
为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：
一方面，提供一种发光器件，发光器件包括：层叠设置的第一电极和第二电极，以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个发光单元。所述至少一个发光单元中的每个发光单元包括至少一个子像素发光层，所述至少一个子像素发光层包括第一子像素发光层。其中，所述第一子像素发光层的材料包括第一主体材料和第一客体材料，且第一客体材料失重5%的分解温度大于或者等于350℃。
通过设置第一客体材料失重5%的分解温度大于或者等于350℃，可以保证第一客体材料的热稳定性，从而提高含有第一客体材料的第一子像素发光层的材料的热稳定性，进而提高发光器件的热稳定性，使得发光器件具有较高的发光效率和器件寿命。
在一些实施例中，所述至少一个子像素发光层还包括第二子像素发光层，所述第二子像素发光层的材料包括第二主体材料和第二客体材料，所述第二客体材料含有氮原子和硼原子且第二客体材料失重5%的分解温度大于或者等于420℃。
在一些实施例中，所述第一客体材料选自如下通式（Ⅰ）所示结构中的任一种。
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE001
其中，X选自O、S、C（R12R13）和N（R14）中的任一种；R1、R2、R3、R4、R5、R12、R13和R14相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的任一种；A选自苯基、萘基和含有N的C6~C20的杂芳基中的任一种；a、b、c和e的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，d为0、1和2中的任一个，且a、b、c、d和e中至少一个不为0。
在一些实施例中，R1、R2、R3、R4和R5中至少一个含有氘。
在一些实施例中，第二客体材料选自如下通式（Ⅱ）所示结构中的任一种。
Figure 653591DEST_PATH_IMAGE002
其中，D和E相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、含有N的C6~C20的杂芳基、苯并呋喃基和苯并噻吩基中的任一种；Ar1和Ar2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基和取代或未取代的C6~C20的杂芳基中的任一种；R6、R7和R8相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的一种；f和g的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，h为0、1、2和3中的任一个，且f、g和h中至少一个不为0。
在一些实施例中，所述第二主体材料选自如下通式（Ⅲ）所示结构中的任一种。
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE003
其中，Ar3和Ar4相同或不同，分别独立的选自氢、氘、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基中的任一种；L1选自单键、C6~C20的芳基和C5~C30的杂芳基中的任一种；R9和R10选自氘；R11选自氘和C6~C20的芳基中的任一种；i、j和k的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个。
在一些实施例中，Ar3和Ar4中至少一个含有氘。
在一些实施例中，所述第二客体材料的紫外吸收光谱的峰值范围为350nm~500nm；所述第二主体材料的荧光发射光谱的峰值范围为350nm~500nm；所述第二客体材料的紫外吸收光谱的峰值，与所述第二主体材料的荧光发射光谱的峰值的差值小于30nm。
在一些实施例中，所述第一主体材料包括p型材料与n型材料，所述第一主体材料的荧光发射光谱的峰值，比所述n型材料的荧光发射光谱的峰值大10nm以上。
在一些实施例中，所述第一主体材料包括p型材料与n型材料，所述第一主体材料的荧光发射光谱的峰值，与所述n型材料的荧光发射光谱的峰值差值小于10nm。且所述n型材料的单重态和三重态能级差值，小于所述p型材料的单重态和三重态能级差值。
在一些实施例中，所述p型材料的三重态能级，大于所述第一客体材料的三重态能级，所述n型材料的三重态能级，大于所述第一客体材料的三重态能级，所述第一客体材料的三重态能级范围为2.0eV~2.5eV。
在一些实施例中，所述至少一个子像素发光层还包括第三子像素发光层，所述第三子像素发光层的材料包括第三主体材料和第三客体材料。其中，所述第三客体材料在所述第三子像素发光层材料中的质量占比范围为1%~5%。所述第二客体材料在所述第二子像素发光层材料中的质量占比范围为1%~5%。所述第一客体材料在所述第一子像素发光层材料中的质量占比范围为8%~12%。
在一些实施例中，所述第三子像素发光层在第一方向上的尺寸，大于或等于所述第一子像素发光层在所述第一方向上的尺寸；所述第一子像素发光层在所述第一方向上的尺寸，大于所述第二子像素发光层在所述第一方向上的尺寸；其中，所述第一方向为由所述第一电极指向所述第二电极的方向。
在一些实施例中，所述第三子像素发光层、所述第一子像素发光层和所述第二子像素发光层沿第二方向依次设置，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述发光单元还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包括第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素发光层远离所述第二电极的一侧，所述第二电子阻挡层设置于所述第二子像素发光层远离所述第二电极的一侧，所述第三电子阻挡层设置于所述第三子像素发光层远离所述第二电极的一侧；其中，所述第一电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸，与所述第二电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸相等，所述第三电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸，大于所述第一电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸。
在一些实施例中，所述第三主体材料包括第一子主体材料和第二子主体材料，第一子主体材料的结构式如下式RH-P所示。
Figure 186073DEST_PATH_IMAGE004
。
所述第二子主体材料的结构式如下RH-N所示。
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE005
。
所述第三客体材料的结构式如下RD所示。
Figure 103475DEST_PATH_IMAGE006
。
在一些实施例中，所述至少一个发光单元包括两个发光单元，所述两个发光单元堆叠设置。
在一些实施例中，所述两个发光单元之间设置有电荷产生层。
在一些实施例中，所述发光器件在100℃条件下存储200小时后，所述发光器件的发光效率，与所述发光器件的初始发光效率的比值大于或等于95%；所述发光器件的器件寿命，与所述发光器件的初始器件寿命的比值大于或等于90%；其中，所述发光器件在100℃条件下存储之前的发光效率称为初始发光效率；所述发光器件在100℃条件下存储之前的器件寿命称为初始器件寿命。
上述发光器件的第一子像素发光层材料包括失重5%的分解温度大于或者等于350℃第一客体材料，第二子像素发光层的材料包括失重5%的分解温度大于或者等于420℃的第二客体材料，和稳定性较好的第二主体材料。可以提高第一子像素发光层和第二子像素发光层的材料的热稳定性，并通过将发光器件设置至少一个发光单元，进一步提高了发光器件的器件寿命。以及通过第一主体材料、第一客体材料、第二客体材料、第二主体材料、第三客体材料和第三主体材料的设置，及电荷产生层的设置，提高了发光器件发光效率。
另一方面，提供一种发光基板，发光基板包括如上任一实施例所述的发光器件。
又一方面，提供一种发光装置，包括如上所述的发光基板。
上述发光基板和发光装置具有与上述一些实施例中提供的发光器件相同的有益技术效果，在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的结构图；
图2为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的另一种结构图；
图3为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的又一种结构图；
图4为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的又一种结构图；
图5为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的另一种结构图；
图6为根据本公开一些实施例所提供的发光基板的结构图；
图7为根据本公开一些实施例所提供的发光装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
目前，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)屏幕由于具有高色域，饱和度高等优势，广泛用于手机、平板、车载显示器等显示屏幕中。其中在车载、平板等需要寿命较长的显示设备时，传统的单层OLED器件寿命较短而不满足要求。尤其是车载OLED器件，由于车载OLED器件工作温度较高，因此需要考察OLED器件在高温下是否依旧能稳定运行且具有长寿命。
但是，目前OLED器件的发光层材料由于本身稳定性不足够支撑其在高温下持续运行，因此会导致在高温下出现OLED器件发光效率低、寿命降低的问题。尤其是发射蓝光的OLED器件和发射绿光的OLED器件，与发射红光的OLED器件相比，寿命相对较低，因此需要改善绿光OLED器件和蓝光OLED器件的高温稳定性。
基于此，本公开提供一种发光器件10，如图1所示，发光器件10包括层叠设置的第一电极11和第二电极12，设置于第一电极11和第二电极12之间的至少一个发光单元13。至少一个发光单元13中的每个发光单元13包括至少一个子像素发光层30，至少一个子像素发光层30包括第一子像素发光层30a。其中，第一子像素发光层30a的材料包括第一主体材料GH和第一客体材料GD，且第一客体材料GD失重5%的分解温度Td1大于或者等于350℃，即Td1≥350℃。
示例性的，第一电极11可以为阳极，第二电极12可以为阴极。
示例性的，第一子像素发光层30a配置为出射绿光。
在一些示例中，如图5所示，至少一个发光单元13可以包括一个发光单元13，即第一电极11、发光单元13和第二电极12依次层叠设置，包括一个发光单元13的发光器件10可以称为单层发光器件。
在一些示例中，如图1所示，至少一个发光单元13可以包括两个发光单元13，两个发光单元13分别为第一发光单元131和第二发光单元132，即第一电极11、第一发光单元131、第二发光单元132和第二电极12依次层叠设置。
需要说明的是，至少一个发光单元13可以包括两个以上的发光单元13，此处并不设限。包括多个发光单元13的发光器件10可以称为叠层发光器件。
当至少一个发光单元13包括两个或者两个以上的发光单元13时，多个发光单元13由第一电极11指向第二电极12的第一方向X层叠设置。叠层发光器件的每个发光单元13发出的光强比单层发光器件的发光单元13发出的光强小，这样可以提高发光器件10的寿命。
在一些示例中，如图1所示，发光单元13包括第一子像素发光层30a，第一子像素发光层30a的材料包括第一主体材料GH和第一客体材料GD，其中，第一客体材料GD失重5%的分解温度Td1等于350℃，或者，第一客体材料GD失重5%的分解温度Td1大于350℃。
也就是说，第一子像素发光层30a的材料包括主客掺杂体系材料，这样可以提高第一子像素发光层30a的发光效率。
需要说明的是，分解温度是指，处于粘流态的聚合物当温度进一步升高时，便会使分子链的降解加剧，升至使聚合物分子链明显降解时的温度。在此是指第一客体材料GD的质量降解（失重）5%的温度，分解温度是衡量材料耐热性的指标。
采用具有较高分解温度的第一客体材料GD作为第一子像素发光层30a的掺杂材料，使得材料在蒸镀的过程中不易分解，并且在高温环境中持续运行下，仍然具有较好的性能。采用稳定性高的材料作为第一子像素发光层30a的材料，可以保证发光器件10在高温下稳定的发光。
由于发光器件10的子像素发光层30中存在大量激子用于发光，更容易使得材料被破坏，因此，发光器件10的子像素发光层30的材料稳定性的提高，对提高发光器件10的效率和寿命具有显著效果。本公开通过限定第一客体材料GD失重5%的分解温度Td1大于或者等于350℃，使用耐热性能较好的第一客体材料GD作为子像素发光层30的其中一种材料，可以提高第一子像素发光层30a材料的热稳定性，从而使得由第一子像素发光层30a形成的发光器件10具有较好的热稳定性。
在一些实施例中，如图1和图5所示，至少一个子像素发光层30还包括第二子像素发光层30b，第二子像素发光层30b的材料包括第二主体材料BH和第二客体材料BD，且第二客体材料BD失重5%的分解温度Td2大于或者等于420℃，即Td2≥420℃。
在一些示例中，如图1所示，发光单元13包括第二子像素发光层30b，第二子像素发光层30b的材料包括第二主体材料BH和第二客体材料BD，其中，第二客体材料BD失重5%的分解温度Td2等于420℃，或者，第二客体材料BD失重5%的分解温度Td2大于420℃。
示例性的，第二子像素发光层30b配置为出射蓝光。
也就是说，第二子像素发光层30b的材料也包括主客掺杂体系材料，这样可以提高第二子像素发光层30b的发光效率。
需要说明的是，至少一个子像素发光层30的第一子像素发光层30a和第二子像素发光层30b沿第二方向Y依次设置，第二方向Y与第一方向X垂直设置。
本公开通过限定第二客体材料BD失重5%的分解温度Td2大于或者等于420℃，使用耐热性能较好的第二客体材料BD，可以提高第二子像素发光层30b材料的热稳定性，从而使得由第二子像素发光层30b形成的发光器件10具有较好的热稳定性。
在一些实施例中，第一客体材料GD选自如下通式（Ⅰ）所示结构中的任一种。
Figure DEST_PATH_IMAGE007
其中，X选自O、S、C（R12R13）和N（R14）中的任一种。
R1、R2、R3、R4、R5、R12、R13和R14相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的任一种；A选自苯基、萘基和含有N的C6~C20的杂芳基中的任一种。
a、b、c和e的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，d为0、1和2中的任一个，且a、b、c、d和e中至少一个不为0。并且，R1、R2、R3、R4和R5中至少一个含有氘。由于氘是重氢，在碳原子上设置氘代，可以增加化学键的稳定性，从而提高第一客体材料GD的热稳定性。
需要说明的是，Cn的烷基、芳基、杂芳基是指，其中共有n个碳（C）原子的相应基团。芳基可以为苯基，杂芳基呋喃基、吡喃基、噻吩基、吡啶基等。a、b、c和e分别独立的表示对应一种基团的数目。
示例性的，在A为苯基、X为O的情况下，结构式可以为如下式所示。
Figure 839350DEST_PATH_IMAGE008
其中，在R1、R2、R3、R4和R5为均氘的情况下，表明每个苯环上均有一个氢被氘取代，结构式可以为如下式所示。其中，R1所指代的氘可以连接在1、2、3或4号碳上，R2所指代的氘可以连接在5、6、7或8号碳上，R3所指代的氘可以连接在9、10、11或12号碳上，R4所指代的氘可以连接在13或14号碳上，R5所指代的氘可以连接在15、16、17或18号碳上。
Figure DEST_PATH_IMAGE009
例如，e的取值为0、1、2、3和4中的任一个。即当e=0时，15、16、17和18号碳上不设置取代基；当e=1时，15、16、17和18号碳上的其中之一个碳上设置取代基R5；当e=2时，15、16、17和18号碳上的其中两个碳上设置取代基R5，且两个碳上设置的取代基R5可以相同也可以不同；当e=3时，15、16、17和18号碳上的其中三个碳上设置取代基R5，且三个碳上设置的取代基R5可以相同也可以不同；当e=4时，15、16、17和18号碳上均设置取代基R5，且四个碳上设置的取代基R5可以相同也可以不同。关于a、b、c和d的理解可以参照上述内容，此处不再赘述。
示例性的，R1、R2、R3、R4和R5还可以选自氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的任一种。
例如，当e=1且R5为取代的芳基
Figure 490780DEST_PATH_IMAGE010
时，结构式可以为如下式所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE011
、
Figure 989020DEST_PATH_IMAGE012
、
Figure DEST_PATH_IMAGE013
、
Figure 185646DEST_PATH_IMAGE014
。
例如，当e=2且其中一个R5为取代的芳基
Figure DEST_PATH_IMAGE015
，另一个为氰基时，结构式可以 为如下式所示。
需要说明的是，上述结构式中的GD-x，是每一种结构式的代称，并不是结构式结构的一部分。其中，x取正整数，以下同理。
Figure 658085DEST_PATH_IMAGE016
、
Figure DEST_PATH_IMAGE017
、
Figure 501755DEST_PATH_IMAGE018
。
示例性的，在A为含有N的C6~C20的杂芳基、X为O的情况下，R1、R2、R3、R4和R5相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的任一种，且R1、R2、R3、R4和R5中至少一个含有氘，结构式可以为如下式所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE019
、
Figure 962824DEST_PATH_IMAGE020
、
Figure DEST_PATH_IMAGE021
、
Figure 845198DEST_PATH_IMAGE022
、
Figure DEST_PATH_IMAGE023
、
Figure 290086DEST_PATH_IMAGE024
、
Figure DEST_PATH_IMAGE025
、
Figure 660150DEST_PATH_IMAGE026
、
Figure DEST_PATH_IMAGE027
、
Figure 490571DEST_PATH_IMAGE028
、
Figure 497841DEST_PATH_IMAGE029
。
示例性的，在A为苯基、X为S、e=2，且其中一个R5为取代的芳基
Figure DEST_PATH_IMAGE030
，另一个 为氰基的情况下，结构式可以为如下式所示。
Figure 446337DEST_PATH_IMAGE031
、
Figure DEST_PATH_IMAGE032
。
需要说明的是，以上列举的结构式是对第一客体材料GD的结构的示例，并不是对第一客体材料GD结构的限制。
以下以结构式如GD-4所示的第一客体材料GD为实施例，介绍第一客体材料GD的合成过程。
在一些示例中，首先通过中间体G1a和中间体G1b合成中间体G1c，中间体G1a、中间体G1b和中间体G1c的结构式，以及中间体G1c合成的化学反应式如下所示。
Figure 728414DEST_PATH_IMAGE033
示例性的，将60mmol的中间体G1a(1-苯基-二苯并呋喃-8-基硼酸)和60mmol的中间体G1b（5-溴-2-甲基吡啶）加入到200ml二甲苯和50ml乙醇的混合溶剂中，反应容器为烧杯，在0.6mmol的催化剂Pd(PPh3)4和200mmol的催化剂K2CO3的催化作用下反应，并使用氮气脱气。将反应混合物加热回流15h（小时），然后冷却至室温。
使用二氯甲烷对反应混合物进行萃取，并使用硫酸钠干燥。除去溶剂后，将粗产物用二氯甲烷进行柱色谱法纯化，得到12.1g粗产品。将粗产品用己烷结晶，得到10.9g中间体G1c纯产物，产率为70%。产物通过NMR和HPLC(纯度98.7%)得到确认，其中，NMR为核磁共振扫描，HPLC为高效液相色谱。
然后采用中间体G1c和中间体G1d（铱络合物）合成结构式如GD-4所示的第一客体材料GD。中间体G1d的结构式、以及中间体G1c和中间体G1d合成结构式为GD-4的第一客体材料GD的化学反应式如下所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE034
示例性的，将40mmol的中间体G1c和40mmol的中间体G1d加入到1500mL的乙醇（EtOH）溶液中，反应容器为烧杯，在氮气的保护下，加热回流反应24h。待反应冷却后，采用硅藻土过滤。用柱色谱法纯化，得到谈黄色的固体化合物9.1g，该固体化合物即为结构式GD-4的第一客体材料GD，产率为24.7%。产物通过NMR和HPLC(纯度99.1%)得到确认。
在一些实施例中，第二客体材料BD选自如下通式（Ⅱ）所示结构中的任一种。
Figure 554287DEST_PATH_IMAGE035
其中，D和E相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、含有N的C6~C20的杂芳基、苯并呋喃基和苯并噻吩基中的任一种。
Ar1和Ar2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基和取代或未取代的C6~C20的杂芳基中的任一种。
R6、R7和R8相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的一种。
f和g的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，h为0、1、2和3中的任一个，且f、g和h中至少一个不为0。
其中，此处的取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基和取代或未取代的C6~C20的杂芳基可以参见上述关于取代基的描述，此处不再赘述。
另外，这里对R6、R7和R8的描述可以参见上述对R1、R2、R3、R4和R5的描述，在此不再赘述。f、g和h的描述可以参见上述关于e的描述，此处不再赘述。
采用含有硼（B）的材料作为第二子像素发光层30b的第二客体材料BD，可以减小分子弛豫，窄化管沟，即使得光谱的半高宽变窄，提高发光器件10的效率。
在一些示例中，当E为取代或未取代的苯基时，结构式可以为如下式所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE036
、
Figure 279929DEST_PATH_IMAGE037
、
Figure DEST_PATH_IMAGE038
、
Figure 699409DEST_PATH_IMAGE039
、
Figure DEST_PATH_IMAGE040
、
Figure 768865DEST_PATH_IMAGE041
、
Figure DEST_PATH_IMAGE042
、
Figure 216289DEST_PATH_IMAGE043
、
Figure DEST_PATH_IMAGE044
、
Figure 362100DEST_PATH_IMAGE045
、
Figure DEST_PATH_IMAGE046
、
Figure 252564DEST_PATH_IMAGE047
、
Figure DEST_PATH_IMAGE048
。
需要说明的是，上述结构式中的BD-x，是每一种结构式的代称，并不是结构式结构的一部分。其中，x取正整数，以下同理。
在一些示例中，当E为取代或未取代的苯并呋喃基时，结构式可以为如下式所示。
Figure 768121DEST_PATH_IMAGE049
、
Figure DEST_PATH_IMAGE050
、
Figure 443953DEST_PATH_IMAGE051
。
在一些示例中，当E为取代或未取代的苯并噻吩基时，结构式可以为如下式所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE052
、
Figure 9933DEST_PATH_IMAGE053
。
需要说明的是，以上列举的结构式是对第二客体材料BD的结构的示例，并不是对第二客体材料BD结构的限制。
以下以结构式如BD-1所示的第二客体材料BD为实施例，介绍第二客体材料BD的合成过程。
在一些示例中，首先通过中间体BD-1a和中间体BD-1b合成中间体BD-1c，中间体BD-1a、中间体BD-1b和中间体BD-1c的结构式，以及中间体BD-1c合成的化学反应式如下所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE054
示例性的，将60mmol的中间体BD-1a和30mmol的中间体BD-1b加入到200ml二甲苯和50ml乙醇的混合溶剂中，反应容器为烧杯，在0.6mmol的催化剂Pd(PPh3)4和200mmol的催化剂K2CO3的催化作用下反应，并使用氮气脱气。将反应混合物加热回流15h，然后冷却至室温。
除去溶剂，得到粗产品10.9g，将粗产品使用己烷结晶，得到9.3g中间体BD-1c纯产物，产率为82%。产物通过NMR和HPLC(纯度98.2%)得到确认。
然后，采用中间体BD-1c和三溴化硼（BBr3）反应合成结构式如BD-1所示的第二客体材料BD，其化学反应式如下所示。
Figure 764525DEST_PATH_IMAGE055
示例性的，在氮气环境中，在室温下向烧杯中加入20mmol的中间体BD-1c和200ml的甲苯溶剂，再加入20mmol的三溴化硼（BBr3）。然后升温至130℃，搅拌30h。然后冷却至室温，将200mL磷酸缓冲溶液（pH=7）加入至反应混合物中，将水层分离，利用二氯甲烷进行萃取，得到粗产品。将粗产品用己烷结晶，得到结构式如BD-1所示的第二客体材料BD，其产品重量为7.8g，产率为77%。产物通过NMR和HPLC(纯度99.3%)得到确认。
在一些实施例中，第二主体材料BH选自如下通式（Ⅲ）所示结构中的任一种；
Figure DEST_PATH_IMAGE056
其中，Ar3和Ar4相同或不同，分别独立的选自氢、氘、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基中的任一种。
L1选自单键、C6~C20的芳基和C5~C30的杂芳基中的任一种。
R9和R10选自氘；R11选自氘和C6~C20的芳基中的任一种。
i、j和k的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个。
并且，Ar3和Ar4中至少一个含有氘。由于氘是重氢，在碳原子上设置氘代，可以增加化学键的稳定性，从而提高第二主体材料BH的热稳定性。
其中，关于i、j和k的描述可以参见上述关于e的描述，在此不再赘述。此处的取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基可以参见上述关于取代基的描述，此处不再赘述。
采用蒽的衍生物作为第二子像素发光层30b的第二主体材料BH，蒽的衍生物本身稳定性较好，兼具空穴、电子传输性。同时，蒽的衍生物含有氘，可以进一步提高第二主体材料BH的稳定性，可以提高发光器件10的寿命。
需要说明的是，蒽是由3个苯环线型排列形成的稠环芳香族化合物，此类化合物的荧光强度较高。蒽的衍生物是主结构不变，即三个苯环不变，增加了一些基团，主要作用不变，通过调节基团的结构可以对蒽的衍生物的热稳定性进行调节。
在一些示例中，L1选自单键、Ar3选自氘代的苯环的情况下，结构式可以为如下式所示。
Figure 457674DEST_PATH_IMAGE057
、
Figure 440542DEST_PATH_IMAGE058
、
Figure DEST_PATH_IMAGE059
、
Figure 928156DEST_PATH_IMAGE060
、
Figure DEST_PATH_IMAGE061
、
Figure 294677DEST_PATH_IMAGE062
、
Figure DEST_PATH_IMAGE063
、
Figure 650572DEST_PATH_IMAGE064
、
Figure DEST_PATH_IMAGE065
、
Figure 35417DEST_PATH_IMAGE066
。
需要说明的是，上述结构式中的BH-x，是每一种结构式的代称，并不是结构式结构的一部分。其中，x取正整数，以下同理。
在一些示例中，L1选自单键、Ar3选自取代或未取代的杂芳基的情况下，结构式可以为如下式所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE067
、
Figure 432945DEST_PATH_IMAGE068
、
Figure DEST_PATH_IMAGE069
。
在一些示例中，L1选自单键、Ar3选自氘代的萘基的情况下，结构式可以为如下式所示。
Figure 660664DEST_PATH_IMAGE070
、
Figure DEST_PATH_IMAGE071
。
需要说明的是，以上列举的结构式是对第二主体材料BH的结构的示例，并不是对第二主体材料BH结构的限制。
以下以结构式如BH-1所示的第二主体材料BH为实施例，介绍第二主体材料BH的合成过程。
在一些示例中，通过中间体BH-1a（9,10-二溴蒽）和中间体BH-1b（1-苯基硼酸）合成结构式如BH-1所示的第二主体材料BH。中间体BH-1a和中间体BH-1b的结构式，以及第二主体材料BH合成的化学反应式如下所示。
Figure 695616DEST_PATH_IMAGE072
示例性的，将30mmol的中间体BH-1a和60mmol的中间体BH-1b加入到200ml二甲苯和50ml乙醇的混合溶剂中，反应容器为烧杯，在0.6mmol的催化剂Pd(PPh3)4和200mmol的催化剂K2CO3的催化作用下反应，并使用氮气脱气。将反应混合物加热回流15h，然后冷却至室温。
使用二氯甲烷对反应混合物进行萃取，并使用硫酸钠干燥。除去溶剂后，将粗产物用二氯甲烷进行柱色谱法纯化，得到13.2g粗产品。将粗产品用己烷结晶，得到11.9g结构式如BH-1所示的第二主体材料BH，产率为86%。产物通过NMR和HPLC(纯度99.1%)得到确认。
在一些实施例中，第二客体材料BD的紫外吸收光谱的峰值范围为350nm~500nm。第二主体材料BH的荧光发射光谱的峰值范围为350nm~500nm。第二客体材料BD的紫外吸收光谱的峰值，与第二主体材料BH的荧光发射光谱的峰值的差值小于30nm。
需要说明的是，荧光发射光谱是指发光材料，例如第二主体材料BH在某一特定波长光的激发下，所发射的不同波长光的强度或能量分布。
紫外吸收光谱利用物质的分子或离子对紫外光的吸收所产生的紫外光谱。
通过第二客体材料BD的紫外吸收光谱的峰值，与第二主体材料BH的荧光发射光谱峰值的差值小于30nm的设置，可以使得第二主体材料BH向第二客体材料BD能量转移充分，从而能够有效提高发光器件10的发光效率。
在一些实施例中，第一主体材料GH包括p型材料与n型材料，第一主体材料GH的荧光发射光谱的峰值，比n型材料的荧光发射光谱的峰值大10nm以上。
对于半导体材料而言，材料中通常存在两种载流子即空穴和电子，根据材料中空穴占比居多还是电子占比居多，可以将半导体材料分成p型材料和n型材料，p型材料中空穴占比居多，其中的多数载流子为空穴，空穴也可被称为多子，此时电子也被称为少子。n型材料中电子占比居多，其中的多数载流子为电子，电子也可被称为多子，此时空穴也被称为少子。p型材料即空穴传输型材料，n型材料即电子传输型材料，第一主体材料GH包括p型材料与n型材料，以实现对电子和空穴的传输，使得电子和空穴具有较宽的复合区域。
p型材料与n型材料形成激基复合物，激基复合物是上述n型材料和p型材料的聚集体，其发射光谱不同于该n型材料或p型材料的发射光谱。激基复合物可以形成新的带隙，p型材料可以看作是电子给体材料，n型材料可以看作是电子受体材料，例如p型材料和n型材料的共混膜可以在光致激发或电致激发条件下，形成激基复合物，此时，电子受体材料的激发态和电子给体材料的基态相互作用形成一个电荷转移态发光，发出区别于p型材料的发射光谱和n型材料的发射光谱的新的光谱。这样可以提高发光器件10的发光效率和寿命。
在另一些实施例中，第一主体材料GH包括p型材料与n型材料，第一主体材料GH的荧光发射光谱的峰值，与n型材料的荧光发射光谱的峰值差值小于10nm。且n型材料的单重态和三重态能级差值ΔEst1，小于p型材料的单重态和三重态能级差值ΔEst2，即ΔEst1<ΔEst2。
第一主体材料GH的荧光发射光谱的峰值，与n型材料的荧光发射光谱的峰值差值小于10nm的设置，使得p型材料与n型材料不形成激基复合物。并且，n型材料的单重态和三重态能级差值ΔEst1，小于p型材料的单重态和三重态能级差值ΔEst2的设置可以提高发光器件10的发光效率和寿命。
示例性的，第一主体材料GH中的p型材料结构式如下所示，表示为GH-P。
Figure DEST_PATH_IMAGE073
示例性的，第一主体材料GH中的n型材料结构式如下所示，表示为GH-N。
Figure 685700DEST_PATH_IMAGE074
在一些实施例中，如图1和图5所示，至少一个子像素发光层13还包括第三子像素发光层30c，第三子像素发光层30c的材料包括第三主体材料RH和第三客体材料RD。其中，第三客体材料RD在第三子像素发光层30c材料中的质量占比范围为1%~5%。例如，第三客体材料RD在第三子像素发光层30c材料中的质量占比为1%、2%、3%、4%或5%等，此处并不设限。第三客体材料RD在第三子像素发光层30c材料中的质量占比小于1%，会引起电荷传输效率降低，导致发光器件10的发光效率降低。第三客体材料RD在第三子像素发光层30c材料中的质量占比大于5%，第三客体材料RD对光子具有猝灭的影响，导致发光器件10的发光效率降低。
示例性的，第三子像素发光层30c配置为出射红光。
示例性的，第三主体材料RH包括第一子主体材料和第二子主体材料，第一子主体材料为p型材料，第二子主体材料为n型材料，第三主体材料RH中的p型材料的结构式如下所示，表示为RH-P。
Figure DEST_PATH_IMAGE075
示例性的，第三主体材料RH中的n型材料的结构式如下所示，表示为RH-N。
Figure 249537DEST_PATH_IMAGE076
示例性的，第三客体材料RD的结构式如下所示，表示为RD。
Figure DEST_PATH_IMAGE077
第二客体材料BD在第二子像素发光层30b材料中的质量占比范围为1%~5%。例如，第二客体材料BD在第二子像素发光层30b材料中的质量占比为1%、2%、3%、4%或5%等，此处并不设限。同理，第二客体材料BD在第二子像素发光层30b材料中的质量占比小于1%，会引起电荷传输效率降低，导致发光器件10的发光效率降低。第二客体材料BD在第二子像素发光层30b材料中的质量占比大于5%，第二客体材料BD对光子具有猝灭的影响，导致发光器件10的发光效率降低。
第一客体材料GD在第一子像素发光层30a材料中的质量占比范围为8%~12%。例如，第一客体材料GD在第一子像素发光层30a材料中的质量占比为8%、9%、10%、11%或12%等，此处并不设限。同理，第一客体材料GD在第一子像素发光层30a材料中的质量占比小于8%，会引起电荷传输效率降低，导致发光器件10的发光效率降低。第一客体材料GD在第一子像素发光层30a材料中的质量占比大于12%，第一客体材料GD对光子具有猝灭的影响，导致发光器件10的发光效率降低。
需要说明的是，至少一个子像素发光层30的第三子像素发光层30c、第一子像素发光层30a和第二子像素发光层30b沿第二方向Y依次排列设置。
在一些实施例中，如图1所示，至少一个发光单元13可以包括两个发光单元13，两个发光单元13分别为第一发光单元131和第二发光单元132，即第一电极11、第一发光单元131、第二发光单元132和第二电极12依次层叠设置。两个发光单元13之间设置有电荷产生层14。
也就是说，第一电极11、第一发光单元131、电荷产生层14、第二发光单元132和第二电极12依次层叠设置。
在一些示例中，如图2所示，第一发光单元131和第二发光单元132的子像素发光层30的厚度可以不同。第二发光单元132的子像素发光层30的厚度可以大于第一发光单元131的子像素发光层30的厚度。
例如，第二发光单元132的第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1'，大于第一发光单元131的第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1。第二发光单元132的第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2'，大于第一发光单元131的第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2。第二发光单元132的第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3'，大于第一发光单元131的第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3。
由于第二发光单元132发出的光比第一发光单元131发出的光靠近发光器件10的出光侧G，增大第二发光单元132的子像素发光层30的厚度，可以提高发光器件10的发光效率。
在一些示例中，如图3所示，第二发光单元132包括的多个子像素发光层30的厚度（即在第一方向X上的尺寸）均相同，即第二发光单元132的第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1'、第二发光单元132的第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2'和第二发光单元132的第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3'相等。第一发光单元131的多个子像素发光层30的厚度不同，关于第一发光单元131的多个子像素发光层30的厚度的设置，可以参见图1和图2的第一发光单元131中的多个子像素发光层30的厚度的设置，此处不再赘述。
在一些示例中，如图4所示，第二发光单元132包括的多个子像素发光层30的厚度可以不同，关于第二发光单元132的多个子像素发光层30的厚度的设置，可以参见图2第二发光单元132中的多个子像素发光层30的厚度的设置，此处不再赘述。第一发光单元131的多个子像素发光层30的厚度可以相同，即第一发光单元131的第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1、第一发光单元131的第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2和第一发光单元131的第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3相等。
需要说明的是，对于上述示例所提供的发光器件10的结构，如图1~图4所示，第二发光单元132的子像素发光层30的材料和第一发光单元131的子像素发光层30的材料可以相同，也可以不同，此处并不设限。并且，电子阻挡层17在第一方向X上的尺寸可以相等，也可以不相等，此处并不设限。即上述实施例是对发光器件10的结构的示例，并不是对发光器件10的结构的限制。
在一些示例中，如图1所示，电荷产生层14包括电子产生层141和空穴产生层142，电子产生层141和空穴产生层142层叠设置。发光单元13还包括空穴传输层15和电子传输层16，空穴传输层15、发光单元13和电子传输层16由第一电极11指向第二电极12的第一方向X层叠设置。其中，电子产生层141与空穴产生层142由第一电极11指向第二电极12的第一方向X层叠设置。
也就是说，空穴产生层142比电子产生层141远离第一发光单元131的电子传输层16。此时，第一电极11为阳极，第二电极12为阴极。
示例性的，空穴传输层15的材料可以采用NPB（N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺），NPB结构式如下式所示。采用TCNQF4(四氟四氰基醌二甲烷)掺杂在材料NPB中形成空穴产生层142的材料，其中，TCNQF4在空穴产生层142材料中的质量占比为5%，材料TCNQF4(四氟四氰基醌二甲烷)为P型掺杂剂。
Figure 964552DEST_PATH_IMAGE078
示例性的，电子传输层16的材料可以采用结构式如下式所示的材料，该材料表示为CETL。采用金属锂（Li）掺杂在该材料CETL中形成电子产生层141的材料，其中，锂（Li）在电子产生层141材料中的质量占比为1%。
Figure DEST_PATH_IMAGE079
在一些实施例中，如图1和图5所示，空穴传输层15和像素发光层30之间还设置有电子阻挡层17，电子阻挡层17包括第一电子阻挡层17a、第二电子阻挡层17b和第三电子阻挡层17c。第三电子阻挡层17c、第一电子阻挡层17a和第二电子阻挡层17b沿第二方向Y依次排列设置。第一电子阻挡层17a设置于空穴传输层15和第一子像素发光层30a之间，第二电子阻挡层17b设置于空穴传输层15和第二子像素发光层30b之间，第三电子阻挡层17c设置于空穴传输层15和第三子像素发光层30c之间。
示例性的，第一电子阻挡层17a的材料采用如下结构式的材料，该材料表示为CEBL1。
Figure 819506DEST_PATH_IMAGE080
示例性的，第二电子阻挡层17b的材料采用如下结构式的材料，该材料表示为CEBL2。
Figure DEST_PATH_IMAGE081
示例性的，第三电子阻挡层17c的材料采用如下结构式的材料，该材料表示为CEBL3。
Figure 37998DEST_PATH_IMAGE082
在一些实施例中，空穴传输层15与第一电极11之间还设置有空穴注入层，第一电极11为阳极。空穴注入层的材料如下结构式所示，表示为HIL。
Figure DEST_PATH_IMAGE083
在一些实施例中，电子传输层15和像素发光层30之间还设置有空穴阻挡层，空穴阻挡层的材料如下结构式所示，表示为HBL。
Figure 303894DEST_PATH_IMAGE084
在一些实施例中，电子传输层15和第二电极12之间还设置有电子注入层，第二电极12为阴极。电子注入层表示为EIL，电子注入层的材料采用镱（Yb）。
在一些实施例中，第二电极12远离电子传输层15的一侧还设置有覆盖层CPL，覆盖层CPL的结构式如下所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE085
为了对本公开的实施例的技术效果进行客观评价，以下，将通过如下实验例和对比例对本公开所提供的技术方案进行详细地示例性地描述。
以下对实施例和对比例的材料失重5%的分解温度Td进行对比。其中，对比例的第一客体材料GD如下式所示，表示为GD-d。对比例的第二客体材料BD如下式所示，表示为BD-d。对比例的第二主体材料BH如下式所示，表示为BH-d。
Figure 866725DEST_PATH_IMAGE086
、
Figure DEST_PATH_IMAGE087
、
Figure 899272DEST_PATH_IMAGE088
。
不同的第一客体材料GD失重5%的分解温度Td，表示为Td(5%)，如表1所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE089
其中，GD-4表示第一客体材料GD结构式如上述GD-4所示，GD-6、GD-13、GD-18同理，此处在赘述。
通过表1可以看出，采用本公开实施例所提供的第一客体材料GD的失重5%的分解温度Td，明显比对比例GD-d结构式所示的第一客体材料GD的失重5%的分解温度Td高，由此可以判断，本公开实施例所提供的第一客体材料GD的热稳定性较好。
不同的第二客体材料BD失重5%的分解温度Td，表示为Td(5%)，如表2所示。
Figure 113216DEST_PATH_IMAGE090
其中，BD-1表示第二客体材料BD结构式如上述BD-1所示，BD-4、BD-13、BD-14同理，此处在赘述。
通过表2可以看出，采用本公开实施例所提供的第二客体材料BD的失重5%的分解温度Td，明显比对比例BD-d结构式所示的第二客体材料BD的失重5%的分解温度Td高，由此可以判断，本公开实施例所提供的第二客体材料BD的热稳定性较好。
以下对实施例和对比例使用不同的材料形成的发光器件10的发光效率和器件寿命进行对比。
在以下的对比例和实施例中，发光器件10的结构以及发光器件10的测试条件均相同。
示例性的，如图5所示，发光器件10的制备方法如下所述：将ITO（氧化铟锡）基板进行清洗并烘干，在ITO基板上依次蒸镀空穴注入层材料、空穴传输层15材料、第二电子阻挡层17b、第二子像素发光层30b材料、第一电子阻挡层17a材料、第一子像素发光层30a材料、第三电子阻挡层17c、第三子像素发光层30c材料。然后，在子像素发光层30上蒸镀空穴阻挡层材料，再蒸镀电子传输层16材料以及电子注入层材料。最后蒸镀第二电极（即阴极）。在阴极上蒸镀覆盖层CPL。
需要说明的是，关于空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层和覆盖层在图5中未示出，关于空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层和覆盖层的介绍可以参见上述内容，此处不再赘述。
可以理解的，上述发光器件10的制备方法是单层发光器件的制备方法，关于叠层发光器件的制备方法，可以参照上述内容，此处不再赘述。
在以下实施例和对比例中，发光器件10的结构如图1所示，发光器件10的结构均表示为：第一电极11/空穴注入层（10nm）/空穴传输层15（20nm）/电子阻挡层17/子像素发光层30/空穴阻挡层（5nm）/电子传输层16（掺杂50%的材料LiQ、35nm）/电子产生层141（18nm）/空穴产生层142（90nm）/空穴传输层15（40nm）/电子阻挡层17/子像素发光层30/空穴阻挡层（5nm）/电子传输层16（掺杂50%的材料LiQ、35nm）/电子注入层（1nm）/第二电极12（13nm）/覆盖层（70nm）。
需要说明的是，空穴注入层（10nm）中的10nm是指空穴注入层在第一方向X的上的尺寸为10nm，也就是空穴注入层的厚度为10nm，其余表示同理，此处不再赘述。由于不同的子像素发光层30和对应不同子像素发光层30的电子阻挡层17的厚度不同（见下述内容），因此，对于子像素发光层30远离第一电极11一侧的膜层，例如空穴阻挡层，或者电子传输层16，其厚度表示的为该膜层在第一方向X的上最大厚度。
电子传输层16（掺杂50%的材料LiQ、35nm）是指，可以在电子传输层16形成的材料中加入质量占比为50%的LiQ，LiQ代表八羟基喹啉锂。第二电极12的材料可以为镁和银的混合材料。
其中，关于电子阻挡层17/子像素发光层30，在不同的子像素发光层30中其材料和厚度不同，具体如下所述。
如图1所示，对于第一子像素发光层30a，第一电子阻挡层17a（10nm）/第一子像素发光层30a（40nm，10%）。其中，第一电子阻挡层17a（10nm）表示第一电子阻挡层17a的厚度为10nm，第一子像素发光层30a（40nm，10%）表示，第一子像素发光层30a的厚度为40nm，第一客体材料GD在第一子像素发光层30a材料中的质量占比为10%。
对于第二子像素发光层30b，电子阻挡层17/子像素发光层30表示为，第二电子阻挡层17b（10nm）/第二子像素发光层30b（20nm，2%）。其中，第二电子阻挡层17b（10nm）表示第二电子阻挡层17b的厚度为10nm。第二子像素发光层30b（20nm，2%）表示，第二子像素发光层30b的厚度为20nm，第二客体材料BD在第二子像素发光层30b材料中的质量占比为2%。
对于第三子像素发光层30c，电子阻挡层17/子像素发光层30表示为，第三电子阻挡层17c（30nm）/第三子像素发光层30c（40nm，2%）。其中，第三电子阻挡层17c（30nm）表示第三电子阻挡层17c（30nm）的厚度为30nm。第三子像素发光层30c（40nm，2%）表示，第三子像素发光层30c的厚度为40nm，第三客体材料RD在第三子像素发光层30c材料中的质量占比为2%。
由上述内容可知，如图1所示，第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1，等于第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2，例如，第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1和第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2均为40nm。第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2，大于第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3，例如第二子像素发光层30b在第一方向X上的尺寸d3为20nm。
在另一些示例中，第三子像素发光层30c在第一方向X上的尺寸d1，大于第一子像素发光层30a在第一方向X上的尺寸d2，此处不再赘述。
第三电子阻挡层17c第一方向X上的尺寸d4，大于第一电子阻挡层17a在第一方向X上的尺寸d5，第三电子阻挡层17c在第一方向X上的尺寸d4，大于第二电子阻挡层17b在第一方向X上的尺寸d6。第一电子阻挡层17a在第一方向X上的尺寸d5与第二电子阻挡层17b在第一方向X上的尺寸d6相等。例如，第三电子阻挡层17c第一方向X上的尺寸d4为30nm，第一电子阻挡层17a在第一方向X上的尺寸d5和第二电子阻挡层17b在第一方向X上的尺寸d6均为10nm。
通过上述厚度的子像素发光层30和电子阻挡层17的设置，可以调整不同子像素发光层30的光学微腔效应，提高发光器件10的发光效率。
不同的是，对比例和实验例所采用的第一客体材料GD、第二客体材料BD和第二主体材料BH不完全相同。
其中，在实验例1中，第一客体材料GD的结构式如GD-4所示、第二客体材料BD的结构式如BD-1所示，第二主体材料BH的结构式如BH-1所示；在实验例2中，第一客体材料GD的结构式如GD-4所示、第二客体材料BD的结构式如BD-1所示，第二主体材料BH的结构式如BH-11所示；在实验例3中，第一客体材料GD的结构式如GD-13所示、第二客体材料BD的结构式如BD-1所示，第二主体材料BH的结构式如BH-1所示；在实验例4中，第一客体材料GD的结构式如GD-4所示、第二客体材料BD的结构式如BD-5所示，第二主体材料BH的结构式如BH-11所示；在实验例5中，第一客体材料GD的结构式如GD-13所示、第二客体材料BD的结构式如BD-13所示，第二主体材料BH的结构式如BH-11所示。
在对比例1中，第一客体材料GD的结构式如GD-d所示、第二客体材料BD的结构式如BD-d所示，第二主体材料BH的结构式如BH-d所示；在对比例2中，第一客体材料GD的结构式如GD-d所示、第二客体材料BD的结构式如BD-1所示，第二主体材料BH的结构式如BH-d所示；在对比例3中，第一客体材料GD的结构式如GD-4所示、第二客体材料BD的结构式如BD-1所示，第二主体材料BH的结构式如BH-d所示。
为了更清楚的描述实施例和对比例所采用的第一客体材料GD、第二客体材料BD和第二主体材料BH的结构式不同，采用下表3更清楚的显示实施例和对比例所采用的第一客体材料GD、第二客体材料BD和第二主体材料BH的结构式。
Figure DEST_PATH_IMAGE091
其中，GD-x、BD-x和BH-x（x取正整数）所代表的结构式参见上述内容，此处不再赘述。
基于以上材料，将实验例1~实验例5以及对比例1~对比例3所采用的材料制作成薄膜，对实验例1~实验例5以及对比例1~对比例3的发光器件10进行电压（V）、发光效率（cd/A）和器件寿命（h）性能进行测试，数据结构以对比例1为参考，测试结果如下表4所示。
Figure 910533DEST_PATH_IMAGE092
由表4可知，以对比例1中的测试数据作为参比，设定其电压、效率和寿命数据均为100%，实施例1~实施例5与对比例1~对比例3相比，发光器件10的效率和寿命均明显提高。
其中，实施例1和实施例2相比，实施例2的发光器件10效率比实施例1的发光器件10效率高，实施例2的发光器件10寿命比实施例1的发光器件10寿命高。虽然BH-11和BH-1均含有氘，但是由于BH-11还含有二苯并呋喃基团，取代基含有二苯并呋喃基团的第二主体材料BH，与空穴阻挡层的材料可以实现更好的搭配，电子传递更顺畅，因此，实施例2的发光器件10的效率和寿命性能优于实施例1的发光器件10。
实施例4和实施例2相比，实施例4的发光器件10寿命比实施例2的发光器件10寿命高。这是由于BD-5含有苯并噻吩基团，可以增加空穴传输性，因此在子像素发光层30中的空穴增加，发光器件10的寿命提高。
在实施例5中，GD-13、BD-13和BH-11的材料中具含有氘，即发光器件10的三个子像素发光层30材料中均含有氘，发光器件10的稳定性最好，因此实施例5的寿命和效率相对其他实施例以及对比例均较高。
因此，通过上述测试可以看出，本公开提供的含有氘的第一客体材料GD、蒽衍生物的第二主体材料BH和含有氘的第二客体材料BD作为子像素发光层30的材料形成的发光器件10，在发光效率和器件寿命性能方面均较高。并且，通过材料不同取代基的设置，可以进一步的提高发光器件10的发光效率和器件寿命。例如，通过材料分子量的提高、分子规整度的提高、减小结构的扭曲以及采用对位取代均具有提高该材料热稳定性的趋势，从而提高发光器件10的发光效率和器件寿命。
以下对实验例1~实验例5以及对比例1~对比例3的发光器件10的高温存储性能进行测试，考察发光器件10的发光效率和器件寿命衰减情况。测试条件为：在100℃条件下存储200h（200h@100℃），然后对比测试前后发光器件10的发光效率和器件寿命的差异。测试结果如下表5所示。
Figure DEST_PATH_IMAGE093
由表5可知，将实验例1~实验例5以及对比例1~对比例3的发光器件10在100℃下存储200h（小时）后，实验例1~实验例5发光器件10的发光效率下降幅度小于5%，发光器件10的寿命下降幅度小于10%。也就是说，发光器件在100℃条件下存储200小时后，发光器件10的发光效率，与发光器件10的初始发光效率的比值大于或等于95%。发光器件10的器件寿命，与发光器件10的初始器件寿命的比值大于或等于90%。其中，发光器件10在100℃条件下存储之前的发光效率称为初始发光效率，发光器件10在100℃条件下存储之前的器件寿命称为初始器件寿命。
可以表示为，发光器件效率(200h@100°C)/发光器件效率（初始）≥95%；发光器件寿命(200h@100°C)/发光器件寿命（初始）≥90%。
需要说明的是，将发光器件10处于导通状态下进行发光器件10的初始发光效率、初始器件寿命、发光效率和器件寿命进行测试。即发光器件10处于点亮的画面的状态下进行测试，发光器件10点亮的画面可以为白色画面、红色画面、黄色画面或者蓝色画面等画面中的任一种。
其中，在实施例5中，发光器件10的三个子像素发光层30的材料中均含有氘，发光器件10的稳定性最好，在高温存储之后，效率和寿命都与初始一样，没有衰减，具有极好的高温稳定性，可确保在高温下运行，性能仍能维持。
由此可见，通过采用热稳定性较好的第一客体材料GD、第二主体材料BH和第二客体材料BD作为发光器件10的子像素发光层30的材料，可以提高发光器件的发光效率，降低电压，并提高寿命。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板100，如图6所示，该发光基板100包括如上任一实施例所述的发光器件10。
上述发光基板100的有益效果与本公开的第一方面所提供的发光器件10的有益效果相同，此处不再赘述。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置1000，如图7所示，该发光装置1000包括如上所述的发光基板100，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板100提供电信号，以驱动该发光基板100发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板100电连接的电路板和/或IC（Integrate Circuit，集成电路）。
在一些实施例中，该发光装置1000可以为照明装置，此时，发光装置1000用作光源，实现照明功能。例如，发光装置1000可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置1000可以为显示装置，此时，该发光基板100为显示基板，用于实现显示图像（即画面）功能。发光装置1000可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器（Flat Panel Display，FPD），微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器（可以称为刚性显示器）。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理（Personal Digital Assistant，PDA），膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
上述发光装置1000的有益效果与本公开的第一方面所提供的发光器件10的有益效果相同，此处不再赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
层叠设置的第一电极和第二电极；
设置于所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个发光单元；
所述至少一个发光单元中的每个发光单元包括至少一个子像素发光层，所述至少一个子像素发光层包括第一子像素发光层；
其中，所述第一子像素发光层的材料包括第一主体材料和第一客体材料，且第一客体材料失重5%的分解温度大于或者等于350℃。
2.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述至少一个子像素发光层还包括第二子像素发光层，所述第二子像素发光层的材料包括第二主体材料和第二客体材料，所述第二客体材料含有氮原子和硼原子，且第二客体材料失重5%的分解温度大于或者等于420℃。
3.根据权利要求1或2所述发光器件，其特征在于，所述第一客体材料选自如下通式（Ⅰ）所示结构中的任一种；
Figure DEST_PATH_IMAGE001
其中，X选自O、S、C（R12R13）和N（R14）中的任一种；
R1、R2、R3、R4、R5、R12、R13和R14相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的任一种；
A选自苯基、萘基和含有N的C6~C20的杂芳基中的任一种；
a、b、c和e的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，d为0、1和2中的任一个，且a、b、c、d和e中至少一个不为0。
4.根据权利要求3所述发光器件，其特征在于，R1、R2、R3、R4和R5中至少一个含有氘。
5.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，第二客体材料选自如下通式（Ⅱ）所示结构中的任一种；
Figure 463940DEST_PATH_IMAGE002
其中，D和E相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、含有N的C6~C20的杂芳基、苯并呋喃基和苯并噻吩基中的任一种；
Ar1和Ar2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基和取代或未取代的C6~C20的杂芳基中的任一种；
R6、R7和R8相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的一种；
f和g的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个，h为0、1、2和3中的任一个，且f、g和h中至少一个不为0。
6.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，所述第二主体材料选自如下通式（Ⅲ）所示结构中的任一种；
Figure DEST_PATH_IMAGE003
其中，Ar3和Ar4相同或不同，分别独立的选自氢、氘、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基中的任一种；
L1选自单键、C6~C20的芳基和C5~C30的杂芳基中的任一种；
R9和R10选自氘；R11选自氘和C6~C20的芳基中的任一种；
j和k的取值各自独立的为0、1、2、3和4中的任一个。
7.根据权利要求6所述发光器件，其特征在于，Ar3和Ar4中至少一个含有氘。
8.根据权利要求7所述发光器件，其特征在于，
所述第二客体材料的紫外吸收光谱的峰值范围为350nm~500nm；
所述第二主体材料的荧光发射光谱的峰值范围为350nm~500nm；
所述第二客体材料的紫外吸收光谱的峰值，与所述第二主体材料的荧光发射光谱的峰值的差值小于30nm。
9.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，所述第一主体材料包括p型材料与n型材料；
所述第一主体材料的荧光发射光谱的峰值，比所述n型材料的荧光发射光谱的峰值大10nm以上。
10.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，所述第一主体材料包括p型材料与n型材料；
所述第一主体材料的荧光发射光谱的峰值，与所述n型材料的荧光发射光谱的峰值差值小于10nm；
且所述n型材料的单重态和三重态能级差值，小于所述p型材料的单重态和三重态能级差值。
11.根据权利要求9或10所述发光器件，其特征在于，
所述p型材料的三重态能级，大于所述第一客体材料的三重态能级；
所述n型材料的三重态能级，大于所述第一客体材料的三重态能级；
所述第一客体材料的三重态能级范围为2.0eV~2.5eV。
12.根据权利要求11所述发光器件，其特征在于，所述至少一个子像素发光层还包括第三子像素发光层，所述第三子像素发光层的材料包括第三主体材料和第三客体材料；
其中，所述第三客体材料在所述第三子像素发光层材料中的质量占比范围为1%~5%；
所述第二客体材料在所述第二子像素发光层材料中的质量占比范围为1%~5%；
所述第一客体材料在所述第一子像素发光层材料中的质量占比范围为8%~12%。
13.根据权利要求12所述发光器件，其特征在于，所述第三子像素发光层在第一方向上的尺寸，大于或等于所述第一子像素发光层在所述第一方向上的尺寸；
所述第一子像素发光层在所述第一方向上的尺寸，大于所述第二子像素发光层在所述第一方向上的尺寸；
其中，所述第一方向为由所述第一电极指向所述第二电极的方向。
14.根据权利要求13所述发光器件，其特征在于，所述第三子像素发光层、所述第一子像素发光层和所述第二子像素发光层沿第二方向依次设置，所述第二方向与所述第一方向垂直；
所述发光单元还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包括第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素发光层远离所述第二电极的一侧，所述第二电子阻挡层设置于所述第二子像素发光层远离所述第二电极的一侧，所述第三电子阻挡层设置于所述第三子像素发光层远离所述第二电极的一侧；
其中，所述第一电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸，与所述第二电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸相等；所述第三电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸，大于所述第一电子阻挡层在所述第一方向上的尺寸。
15.根据权利要求12所述发光器件，其特征在于，所述第三主体材料包括第一子主体材料和第二子主体材料，第一子主体材料的结构式如下式RH-P所示；
Figure 741600DEST_PATH_IMAGE004
；
所述第二子主体材料的结构式如下RH-N所示；
Figure DEST_PATH_IMAGE005
；
所述第三客体材料的结构式如下RD所示；
Figure 990178DEST_PATH_IMAGE006
。
16.根据权利要求1或15所述发光器件，其特征在于，所述至少一个发光单元包括两个发光单元，所述两个发光单元堆叠设置。
17.根据权利要求16所述发光器件，其特征在于，所述两个发光单元之间设置有电荷产生层。
18.根据权利要求2或17所述发光器件，其特征在于，所述发光器件在100℃条件下存储200小时后，所述发光器件的发光效率，与所述发光器件的初始发光效率的比值大于或等于95%；所述发光器件的器件寿命，与所述发光器件的初始器件寿命的比值大于或等于90%；
其中，所述发光器件在100℃条件下存储之前的发光效率称为初始发光效率；所述发光器件在100℃条件下存储之前的器件寿命称为初始器件寿命。
19.一种发光基板，其特征在于，包括如权利要求1~18任一项所述的发光器件。
20.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求19所述的发光基板。
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