CN114875460B - 一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法以及应用 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000011049 filling Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compound Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims abstract description 15
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C=NC=C1C1=CC=CC=C1 XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- DQJCHOQLCLEDLL-UHFFFAOYSA-N tricyclazole Chemical compound CC1=CC=CC2=C1N1C=NN=C1S2 DQJCHOQLCLEDLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 8
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 37
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 9
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 8
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 8
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NLFBCYMMUAKCPC-KQQUZDAGSA-N ethyl (e)-3-[3-amino-2-cyano-1-[(e)-3-ethoxy-3-oxoprop-1-enyl]sulfanyl-3-oxoprop-1-enyl]sulfanylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)\C=C\SC(=C(C#N)C(N)=O)S\C=C\C(=O)OCC NLFBCYMMUAKCPC-KQQUZDAGSA-N 0.000 description 7
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- OBTZDIRUQWFRFZ-UHFFFAOYSA-N 2-(5-methylfuran-2-yl)-n-(4-methylphenyl)quinoline-4-carboxamide Chemical compound O1C(C)=CC=C1C1=CC(C(=O)NC=2C=CC(C)=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=N1 OBTZDIRUQWFRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DRSHXJFUUPIBHX-UHFFFAOYSA-N COc1ccc(cc1)N1N=CC2C=NC(Nc3cc(OC)c(OC)c(OCCCN4CCN(C)CC4)c3)=NC12 Chemical compound COc1ccc(cc1)N1N=CC2C=NC(Nc3cc(OC)c(OC)c(OCCCN4CCN(C)CC4)c3)=NC12 DRSHXJFUUPIBHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010063385 Intellectualisation Diseases 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法以及应用。所述整平剂由两类胺类物质和一类醚类物质共聚所得，一类胺类物质为线性聚乙烯亚胺，另一类胺类物质为含氮杂环化合物，其中包括含氮杂环化合物A:哌嗪，吡唑，咪唑，2‑苯基咪唑，4‑苯基咪唑，以及含氮杂环化合物B，含氮杂环化合物B的添加，可以增强铜在硫酸溶液中的防腐蚀性能。醚类物质为二元环氧化合物。采用该整平剂搭配其他添加剂所得填孔镀铜面铜更薄，所带来的好处有三个方面：1)可以缩短电镀填孔的时间，提高客户端的效率；2)减少铜的使用量，节约了客户端的成本；3)使得细线路工艺变得更加容易，在后续工艺中不需要减铜处理。
Description
技术领域
本发明涉及PCB电镀技术领域，具体为一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法以及应用。
背景技术
近年来，随着电子产品智能化，多媒体功能多样性，及高频信号传递的增多，使各类 PCB外形越来越小，器件布局也越来越密。这种趋势不断推动线路板制作工艺的提升，并最终导至高密度互连电路板(HDI)的出现。HDI上进行盲孔填孔，不仅可以做到垫内盲孔的焊接，而且还可以采用上下叠孔的方式，替代部分层次或全层次之间的通孔。同时拥有优异的散热及可靠性。
目前市面上所存在的盲孔填孔镀铜工艺，所得电镀面铜均较厚，如果镀铜厚度不够会造成较大的凹陷值，需要额外的后续处理工艺(更厚的面铜厚度)，然后再进行减薄铜制程来减小凹陷的问题，造成生产工序和成本的增加。另外电镀铜厚过厚，在线路蚀刻的过程中由于侧蚀的影响无法制备精细线路，无法制作精密化工艺产品，不利于细线路的制作。故电镀铜填孔工艺发展的方向是在确保盲孔被完整填充的前提下将电镀铜厚控制在一定厚度区间，比如5～10um，此铜厚条件能够制备更为精细的线路，同时能够省去减薄铜工艺，节约铜材，降低生产流程时间，降低生产成本。
因此，为了优化了客户端细线路工艺，提高了客户端的生产效率，节约了客户端的生产成本。本发明提供了一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法以及应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法以及应用，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
一种超薄填孔镀铜整平剂，由两类胺类物质和一类醚类物质共聚所得；一类胺类物质为线性聚乙烯亚胺，另一类胺类物质为含氮杂环化合物；醚类物质为二元环氧化合物。
较为优化地，所述线性聚乙烯亚胺的分子量在300～1000。
较为优化地，所述含氮杂环化合物包括含氮杂环化合物A和含氮杂环化合物B中的任意一种或两种复配；所述含氮杂环化合物A为哌嗪，吡唑，咪唑，2-苯基咪唑，4-苯基咪唑中的任意一种或多种；含氮杂环化合物B为三环唑、苯并三氮唑中的任意一种或多种。
较为优化地，所述二元环氧化合物的结构式如下所示结构式中的任意一种或多种组合：
式(I)
式(II)
式(III)
式(IV)
式(V)
式(VI)
一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：将线性聚乙烯亚胺、二元环氧化合物混合均匀，在-20℃～10℃下，反应2～6 小时，得到反应产物A；
步骤二：在反应产物A中加入含氮杂环化合物，在80℃～160℃下，反应8～12h，得到超薄填孔镀铜整平剂。
较为优化地，当含氮杂环化合物为含氮杂环化合物A、含氮杂环化合物B复配时，包括以下步骤：
步骤一：将线性聚乙烯亚胺、二元环氧化合物混合均匀，在-20℃～10℃下，反应2～6 小时，得到反应产物A；
步骤二：在反应产物A中加入含氮杂环化合物A，在80℃～160℃下，反应8～12h，加入含氮杂环化合物B，100～190℃下，反应8～12h，超声分散5～10min，得到超薄填孔镀铜整平剂。
较为优化地，步骤一中，线性聚乙烯亚胺和二元环氧化合物的摩尔量在2:1～2.5:1；步骤二中，反应产物A和含氮杂环化合物的摩尔量控制在1:1～1.1:1；含氮杂环化合物A和含氮杂环化合物B的摩尔量控制在1:1～1.1:1。
一种超薄填孔镀铜整平剂的应用，其特征在于：所述整平剂应用于镀铜液，所述整平剂在镀铜液中的使用浓度为100～500ppm。
较为优化地，所述镀铜液的成分及含量如下：
五水硫酸铜：180～270g/L、硫酸：30～100g/L、氯离子：30～100ppm、加速剂：0.1～10pmm、承载剂：0.1～10g/L、整平剂：0.1～10g/L
较为优化地，提供了一种针对线路板、半导体载板，有机材料基板、陶瓷板等基板能够填充盲孔的镀铜技术，该技术可以运用在PCB镀铜中。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
(1)采用新型季铵盐类填孔整平剂。新型季铵盐类填孔整平剂的应用具有更强的整平能力，使用带有本专利整平剂的填孔镀液能够获得更薄的电镀厚度(通常在5～10um)即可填平孔径在3～5mil,介质厚度在2～4mil尺寸的常规盲孔，更利于精细线路的制作。同时能够达到减少电镀时间，提高生产效率，节约铜材，降低生产成本的效果。
(2)整平剂中含有含氮杂环化合物A以及含氮杂环化合物B，其中含氮杂环化合物A为哌嗪，吡唑，咪唑，2-苯基咪唑，4-苯基咪唑，含氮杂环化合物B中含有三环唑、苯并三氮唑。首先，在含氮杂环化合物A中加入含氮杂环化合物B，能够提升整平剂的整平作用，整平能力提高。
其次，三环唑、苯并三氮唑含有杂原子、共轭双键或不饱和键，可通过供体与受体的相互作用以及铜原子空轨道之间成键而直接吸附在铜表面，从而阻止外界腐蚀性介质对铜的攻击。铜在固液界面处取代一个三环唑或苯并三氮唑分子的官能团中的原子，以共价健连接，并与另一个三环唑或苯并三氮唑分子唑分子中的氮原子的自由电子以配位键相连接形成半渗透聚合络合物，在金属表面进一步聚合而形成沉淀保护膜，从而阻止了腐蚀过程。
而含氮杂环化合物A中的成分对铜的吸附性不强，形成的保护膜易在酸性溶液中溶解。三环唑、苯并三氮唑的加入使得电荷转移电阻逐渐增加，分子取代铜表面上的H2O 分子，导致较厚的双电层，在铜表面形成了致密的保护膜，使得暴露在腐蚀介质中的铜表面积减少，铜表面得到了有效保护，而且容易吸附在盲孔表面尤其是盲孔孔口，抑制此处铜的沉积。
经过超声分散含氮杂环化合物B与含氮杂环化合物A更好地均匀混合在一起，发生季铵盐反应，所得的季铵盐型整平剂内部含有易极化的氮原子，可以使得季铵盐粒子带正电荷，可以被吸附在阴极表面，改善盲孔内的电流密度分布。
该整平剂添加在镀铜液中时，电镀产生的极化现象会使季铵盐整平剂向阴极方向移动，并吸附于阴极表面。阴极表面的电荷会在阴极表面凸出的地方富集，会吸附较多的整平剂粒子，从而增大高电流密集区域的反应阻力，减少铜离子沉积，使得镀层填满，使镀层得到整平，同时在铜表面形成了致密的保护膜，使得暴露在腐蚀介质中的铜表面积减少，使得铜在硫酸溶液中不被腐蚀，表面更光滑。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例1直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示1；
图2是本发明实施例2直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示2；
图3是本发明实施例3直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示3；
图4是本发明实施例4直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示4；
图5是本发明实施例5直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示5；
图6是本发明实施例6直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示6；
图7是本发明实施例7直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示7；
图8是本发明实施例8直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示8；
图9是本发明实施例1直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示9；
图10是本发明实施例2直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示10；
图11是本发明实施例3直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示11；
图12是本发明实施例4直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示12；
图13是本发明实施例5直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示13；
图14是本发明实施例6直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示14；
图15是本发明实施例7直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示15；
图16是本发明实施例8直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示16；
图17是本发明对比例直径为100um、深度为60um的盲孔的填孔效果图示17；
图18是本发明对比例直径为125um、深度为70um的盲孔的填孔效果图示18。
具体实施方式
实施例1：实施例1中，含氮杂环化合物为咪唑。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应 4个小时；然后缓慢滴加咪唑：6.8g(0.1mol)，然后升温至110度，搅拌反应8小时，通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为 60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+ 空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例1合成的产物)：300mg/L
二元环氧化合物Ⅲ的结构式如下所示：
实施例2：实施例2中，含氮杂环化合物为4-苯基咪唑。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw300)：9.68g(0.225mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应6个小时；然后缓慢滴加4-苯基咪唑：6.8g(0.1mol)，然后升温至150度，搅拌反应8 小时，通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。
采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um 的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：240g/L
硫酸：40g/L
氯离子：60mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2.5mg/L
三洋50-HB-660(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例2合成的产物)：500mg/L
实施例3：实施例3中，采用二元环氧化合物Ⅱ，其余与实施例1相同。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅱ(378g/e.q)：37.8g，控制反应温度为5度，搅拌反应4 个小时；然后缓慢滴加咪唑：6.8g(0.1mol)，然后升温至110度，搅拌反应8小时，通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为 60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+ 空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例3合成的产物)：200mg/L
二元环氧化合物Ⅱ的结构式如下所示：
实施例4：实施例4中，采用二元环氧化合物Ⅳ。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅳ(244g/e.q)：54.4g，控制反应温度为5度，搅拌反应4 个小时；然后缓慢滴加咪唑：6.8g(0.1mol)，然后升温至110度，搅拌反应8小时，通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为 60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+ 空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例4合成的产物)：160mg/L
二元环氧化合物Ⅳ的结构式如下所示：
实施例5：实施例5中，含氮杂环化合物为咪唑、三环唑。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应 4个小时；然后缓慢滴加咪唑：3.4g(0.05mol)，然后升温至110度，搅拌反应8小时，加入三环唑：9.5g(0.05mol)，在190度下，反应10小时，超声分散7分钟，通过NMR 确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um 的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例5合成的产物)：400mg/L
实施例6：实施例6中，含氮杂环化合物为4-苯基咪唑、苯并三氮唑。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw300)：9.68g(0.225mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应 6个小时；然后缓慢滴加4-苯基咪唑：6.8g(0.1mol)，然后升温至150度，搅拌反应8 小时，加入苯并三氮唑，6g(0.05mol)在100度下，反应10小时，超声分散7分钟，得到季铵化类型的整平剂；通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。
采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um 的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：240g/L
硫酸：40g/L
氯离子：60mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2.5mg/L
三洋50-HB-660(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例6合成的产物)：420mg/L
实施例7：实施例7中，含氮杂环化合物为三环唑。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应 4个小时；然后缓慢滴加三环唑：9.5g(0.05mol)，在190度下，反应10小时，超声分散7分钟，通过NMR确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例7合成的产物)：450mg/L
实施例8：实施例8中，咪唑和三环唑的摩尔量比为3:1。
整平剂的合成：
向装有温度计、搅拌器、分液漏斗的三口烧瓶(250ml)中加入去离子水50g，再加入线性聚乙烯亚胺(Mw600)：10.75g(0.25mol的胺基)，搅拌使其溶解后，冷却至0 度，缓慢滴加二元环氧化合物Ⅲ(125g/e.q)：12.5g)，控制反应温度为5度，搅拌反应 4个小时；然后缓慢滴加咪唑：5.1g(0.075mol)，然后升温至110度，搅拌反应8小时，加入三环唑：5g(0.025mol)，在190度下，反应10小时，超声分散7分钟，通过NMR 确认来自环氧化物的信号消失，从而获得整平剂，该整平剂无需纯化，可直接用于电镀实验。采用上述整平剂，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间30min；针对孔径为125um，阶层为70um 的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间32min，搅拌：喷流+空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂(实施例8合成的产物)：380mg/L
实施例1～实施例8镀铜填孔效果分别如图1～图16所示。
对比例：使用常规填孔镀铜整平剂EP110填孔。
采用常规填孔镀铜整平剂EP110，按照如下电镀液的配置，针对孔径为100um，阶层为60um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.2ASD，电镀时间50min；针对孔径为125um，阶层为70um的盲孔进行电镀实验，电流密度：1.4ASD，电镀时间55min，搅拌：喷流+ 空气搅拌，温度：25度。
五水硫酸铜：230g/L
硫酸：50g/L
氯离子：50mg/L
聚二硫二丙烷磺酸钠(加速剂)：2mg/L
三洋50-HB-400(承载剂)：1g/L
整平剂EP110：500mg/L
对比例镀铜填孔效果分别如图17～图18所示。
实验1：
将5×5cm的铜片浸泡在由实施例1～8制备得到的镀铜液中72h后，取出铜片，通过扫描电子显微镜观察实施例1～4铜片的表面。结果如表一所示。
表一
结论：由表一可知，实施例1～4未加含氮杂环化合物B，铜表面受到腐蚀，出现了“小颗粒形”的较小腐蚀产物。而实施例5～7的铜片表面光滑均匀，铜片具有耐腐蚀性。实施例8的铜片表面出现“针状形”的微小腐蚀产物，耐腐蚀性能不如实施例5～7。由于含氮杂环化合物B有更多的活性位点，而且能够平行吸附在金属表面，与金属铜之间具有更高的相互作用能，吸附在金属表面，形成了致密的保护膜，从而抑制金属受到外界腐蚀环境的攻击，且当含氮杂环化合物A和含氮杂环化合物B的摩尔量控制在1:1～1.1:1时，耐腐蚀性能最好。
实验2：
结论：(1)本发明实施例3中，针对直径为100um、深度为60um的盲孔的环氧树脂基板实施镀铜只需电镀5um铜厚可以完成填孔，而对比常规填孔镀铜整平剂EP110，需要电镀15um铜厚才可以完成填孔。本发明实施例有更强填孔能力，有利于省铜和精细线路的制作。
(2)本发明实施例4中，针对直径为125um、深度为70um的盲孔的环氧树脂基板实施镀铜，只需电镀7um铜厚可以完成填孔，而对比常规填孔镀铜整平剂EP110，需要电镀 18um铜厚才可以完成填孔。本发明实施例有更强填孔能力，有利于省铜和精细线路的制作。
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种超薄填孔镀铜整平剂的合成方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：将线性聚乙烯亚胺、二元环氧化合物混合均匀，在-20℃～10℃下，反应2～6小时，得到反应产物A；
S2：在反应产物A中加入含氮杂环化合物A，在80℃～160℃下，反应8～12h，加入含氮杂环化合物B，100～190℃下，反应8～12h，超声分散5～10min，得到超薄填孔镀铜整平剂；
S1中，线性聚乙烯亚胺和二元环氧化合物的摩尔量在2:1～2.5:1；S2，反应产物A和含氮杂环化合物的摩尔量控制在1:1～1.1:1；含氮杂环化合物A和含氮杂环化合物B的摩尔量控制在1:1～1.1:1；
所述线性聚乙烯亚胺的分子量在300～1000；
所述含氮杂环化合物A为哌嗪，吡唑，咪唑，2-苯基咪唑，4-苯基咪唑中的任意一种或多种；含氮杂环化合物B为三环唑、苯并三氮唑中的任意一种或多种；
所述二元环氧化合物的结构式如下所示结构式中的任意一种或多种组合：
。
2.根据权利要求1所述的一种超薄填孔镀铜整平剂的应用，其特征在于：所述整平剂应用于镀铜液，所述整平剂在镀铜液中的使用浓度为100～500ppm。
3.根据权利要求2所述的一种超薄填孔镀铜整平剂的应用，其特征在于：所述镀铜液的成分及含量如下：五水硫酸铜：180～270g/L、硫酸：30～100g/L、氯离子：30～100ppm、加速剂：0.1～10pmm、承载剂：0.1～10g/L、整平剂：0.1～10g/L。
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN114875460B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |