CN114858868A - 一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器 - Google Patents

一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，包括承载部件封装在承载部件内的气敏元件，所述承载部件包括基座、加热引脚、信号测量引脚及保护帽；保护帽外套装有导流组件，导流组件中部设有容腔，导流组件底部设有导流室，保护帽的下部设有过气孔，容腔与导流室之间设有通气槽，所述导流室依次通过通气槽、容腔及过气孔实现与保护帽内腔相连通，导流室的侧壁上设有出气口，并连接有导流扇；所述气敏元件包括绝缘陶瓷管，绝缘陶瓷管外侧壁镶嵌有测量电极，并覆有气敏涂层，绝缘陶瓷管内部绕设有加热电阻丝。本发明通过导流组件使气体流动由自由扩散变为流动扩散，气体扩散速度快、浓度分布均匀，提高了传感器检测的响应/恢复速度。

Description

一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器
技术领域
本发明属于半导体气体传感器技术领域，具体涉及一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器。
背景技术
半导体气体传感器以金属氧化物为气敏材料，其工作原理是根据在一定工作温度下待测气体在半导体金属氧化物表面发生氧化/还原反应时引起氧化物的电阻值发生变化。此种传感器气敏性能优异、测量范围广、制作工艺相对简单且价格低廉，便于集成与构建无线传感器网络，被广泛应用于碳氧化物、氮氧化物和挥发性有机复合物等部分有毒、易燃、易爆和污染气体等的监测。
根据加热方式，半导体气体传感器可分为直热式和旁热式。直热式是将加热丝、测量丝直接埋入气敏材料粉末中烧结而成，工作时加热丝通电，测量丝测量材料电阻值，直热式器件制作简单，成本低，但是测量回路和加热回路之间没有隔离，容易相互干扰。旁热式整体结构可分为加热元件、气敏材料、检测部件和承载部件四部分，是现在使用最为广泛的半导体气体传感器结构。但是，随着半导体气体传感器工作时间的延长，会出现零点漂移和灵敏度下降的现象，对目标气体的响应/恢复速度减慢。
申请号为CN202122305913.2的专利公开了一种固定式可燃气体检测仪结构，包括保护壳，保护壳的内部设置有气体检测显示电路系统，保护壳的后表面设置有安装机构，气体检测显示电路系统包括两个通气管道，两个通气管道的内部安装有保温管，保护壳的正表面固定安装有卡环，卡环的外表面螺纹连接有盖帽，盖帽的内部活动嵌设有玻璃片。当催化燃烧可燃气体传感器进行工作时，会产生一定热量，由于两个通气管道与保温管呈管状，使得顶部通气管道中的空气温度高于外部空气温度，通过热空气上升的原理，使得外部气体流入保护壳内部，明显快于气体自由扩散进入保护壳内部，因此传感器装置响应速度会明显提高，从而达到提高可燃气体检测仪响应速度。
虽然气体流动受制于管路和腔体，但是实际检测中，还和环境中气体的互扩散过程有关，如果气体的扩散较慢，比如在低温下或者气体分子扩散系数较低的情况，实际上腔体中气体的切换仍产生不同程度的滞后，不利于气敏元件获得快速响应恢复的性能，进而影响可燃气体传感器检测的灵敏度。
发明内容
为了提高半导体可燃气体传感器的响应恢复速度，本发明提供了一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，包括承载部件封装在承载部件内的气敏元件，所述承载部件包括基座，基座上插接有加热引脚及信号测量引脚，基座顶部套设有保护帽，保护帽的顶部设有若干透气孔；保护帽外套装有导流组件，所述导流组件的中部设有容腔，导流组件的底部设有导流室，保护帽侧壁的下部设有过气孔，容腔与导流室之间设有通气槽，所述导流室依次通过通气槽、容腔及过气孔实现与保护帽内腔相连通，导流室的侧壁上设有出气口，所述出气口处连接有导流扇；所述气敏元件包括绝缘陶瓷管，绝缘陶瓷管外侧壁镶嵌有测量电极，测量电极的端部连接有导电带，所述导电带与信号测量引脚电性连接；绝缘陶瓷管外覆有气敏涂层，所述气敏涂层覆盖测量电极；绝缘陶瓷管内部沿圆周方向绕设有若干圈加热电阻丝，加热电阻丝的端部与加热引脚电性连接。
本发明通过导流组件形成环状的容腔及导流室，通过合理设计过气孔、通气槽、出气口的位置，使气体流动由自由扩散变为流动扩散，并且半导体可燃气体传感器内不存在气体交互的死体积，气体扩散速度快、浓度分布均匀，提高了传感器检测的响应/恢复速度。
附图说明
图1为本发明所述半导体可燃气体传感器的结构示意图；
图2是图1中保护帽及导流组件的结构示意图；
图3是图2中内套件的结构示意图；
图4是所述测量电极及导电带的结构示意图；
图5是实施例3所述气敏涂层的扫描电镜表征图(SEM)。
具体实施方式
为了使本发明的技术目的、技术方案和有益效果更加清楚，下面结合具体实施例对本发明的技术方案作出进一步的说明，但所述实施例旨在解释本发明，而不能理解为对本发明的限制，实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
下述实施例中所述氧化锡购自麦克林，型号为T817641，粒径为50～70nm；铂黑购自阿拉丁，型号为P113302，粒径为10nm；氯化钯购自阿拉丁，型号为P282904，粒径为70nm；氧化铝购自麦克林，型号为A800207，粒径为150nm；硫酸亚锡购自阿拉丁，型号为S112918，粒径为0.1mm；氧化镁购自麦克林，型号为M813080，粒径为100nm；三氧化钨购自麦克林，型号为T818835，粒径为150nm；五氧化二钒购自阿拉丁，型号为V112535，粒径为80nm；五氧化二锑购自阿拉丁，型号为A100109，粒径为20nm；酸洗石棉购自阿拉丁，型号为A104830；硅酸四乙酯购自麦克林，型号为T819505。
实施例1
如图1～4所示，一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，包括承载部件封装在承载部件内的气敏元件1。所述承载部件包括基座2，基座2上插接有加热引脚3及信号测量引脚4，基座2顶部套设有保护帽5，保护帽5的顶部设有若干透气孔6。基座2的一侧设有引导块7，保护帽5的底部设有连接板8，连接板8的底部设有引导槽9，所述引导槽9与引导块7相匹配。
保护帽5外套装有导流组件，所述导流组件包括同轴设置的外套件10、内套件11及导流环12。所述外套件10包括呈上下同轴连接的第一筒部101及第二筒部102，所述第一筒部101与第二筒部102的外径相同，第一筒部101的内径与保护帽5的外径相适配，且第一筒部101的内侧壁与保护帽5外侧壁的中部螺纹连接，所述第二筒部102的内径大于第一筒部101的内径，以使第二筒部102的内侧壁与保护帽5外侧壁之间有间距。所述内套件11的内径与保护帽5的外径相适配，且内套件11套装于保护帽5外侧壁的下部，内套件11上部设置有外螺纹17，内套件11通过外螺纹17与第二筒部102下部螺纹连接，内套件11的底部低于外套件10的底面。内套件11的顶面与第一筒部101的底面之间有间距，第一筒部101底面、第二筒部102内侧面、内套件11顶面及保护帽5外侧面围合形成环状的容腔13，所述容腔13绕保护帽5外环绕一周，且容腔13位于保护帽5的下部，保护帽5外侧壁的下部设有过气孔15，所述容腔13通过过气孔15与保护帽5内腔相连通。所述导流环12位于外套件10的下方，导流环12包括管体部121及连接于管体部121底面的环面部122，所述管体部121的顶部插接于外套件10的底部，所述管体部121的内径大于内套件11的外径，所述环面部122的内侧与内套件11外侧面的底部无缝靠接。所述导流环12、内套件11的外侧面及第二筒部102的底面围合形成环状的导流室14，所述导流室14绕内套件11外环绕一周。内套件11的外螺纹处沿轴向设置有通气槽18，容腔13通过通气槽18与导流室14相连通，所述导流室14依次通过通气槽18、容腔13及过气孔15实现与保护帽5内腔相连通。导流室14的侧壁上设有出气口16，所述出气口16处通过导流管连接有导流扇。所述过气孔15位于保护帽5的左侧，所述通气槽18位于内套件11的右侧，所述出气口16位于导流环12的左侧。
所述气敏元件1包括绝缘陶瓷管，所述绝缘陶瓷管采用氧化铝陶瓷管。绝缘陶瓷管外侧壁镶嵌有测量电极，所述测量电极包括两个沿横向设置的连接部19，两个连接部19分别位于绝缘陶瓷管的上、下两侧；每个连接部19上都均匀间隔设置有若干条齿部20，所述条齿部20呈弧形，且条齿部20的轴向中心线与绝缘陶瓷管的轴向中心线重合，所有的条齿部20呈梳状插齿排列。绝缘陶瓷管上设有用于嵌合测量电极的凹槽。连接部19的端部连接有导电带21，所述导电带21分别位于绝缘陶瓷管的左、右两端，所述导电带21上连接有测量引线22，测量引线22的另一端与信号测量引脚4相连。绝缘陶瓷管外覆有气敏涂层，所述气敏涂层覆盖测量电极。绝缘陶瓷管内部沿圆周方向绕设有若干圈加热电阻丝23，加热电阻丝23的端部连接有加热引线24，加热引线24的另一端与加热引脚3相连。对于气敏元件1的封装采用本领域的常规技术手段即可，并非本发明的创新所在，故不再详细赘述。
上述半导体可燃气体传感器检测时，气体通过透气孔6进入保护帽5内，基座2上通过加热引脚3为加热电阻丝23提供所需电源，使其发出固定条件的温度给气敏涂层，被测气体到达固定温度的气敏涂层表面，并与气敏涂层内部的自由电荷进行氧发生化学反应，在反应过程中伴随电荷转移，进而引起气敏涂层材料电阻的变化，通过测试电极读取材料测量端电阻的变化引起的电压变化，通过电压差的变化就可以实现对气体浓度的检测。进入保护帽5内的气体与气敏涂层接触后，经过气孔15进入容腔13，再由通气槽18进入导流室14，在导流扇的作用下，从出气口16排出。
实施例2
按照实施例1所述半导体可燃气体传感器的结构，为了提高气敏材料受环境温、湿度及空气质量等外界因素干扰的能力，气敏涂层采用双层涂层，具体涂覆步骤如下：
(1)准备气敏涂层浆料的各原料：
第一层浆料：氧化锡2.0g、硫酸亚锡1.4g、酸洗石棉0.08g、氧化铝0.2g、铂黑0.08g、氯化钯0.01g、三氧化钨0.08g、五氧化二锑0.01g、氧化镍0.06g、三氧化二铁0.07g、氧化铜0.04g、纯水2.0mL、无水乙醇2.5mL；
第二层浆料：硅酸四乙酯2.0g、无水乙醇1.5mL、盐酸0.1mL、二丁基醚1.5mL；
(2)制备第一层浆料：
采用玛瑙研磨钵，在无尘洁净环境下以手动研磨干磨的混合方式，将铂黑、氯化钯、氧化铝，氧化锡、酸洗石棉、三氧化二锑、三氧化二铁、三氧化钨、氧化镍、氧化铜，混合60min，然后加入纯水及无水乙醇继续研磨60min，在研磨过程中以手感确认在材料呈现无明显颗粒及结块时，即得第一层浆料；
制备第二层浆料：
将硅酸四乙酯、无水乙醇、盐酸、二丁基醚依次导入棕色试剂瓶中以手摇的方式顺时针混合15min，再逆时针混合15min，即得第二涂层浆料；
(3)将步骤(2)所得第一涂层浆料涂覆在气敏元件1上，涂覆厚度为0.2mm，然后于630度烧结3小时，再涂覆第二涂层，涂覆厚度为0.05mm，于450℃烧结1.5小时。
经检测计算，实施例2所述半导体可燃气体传感器在450℃对5000ppm甲烷的响应、恢复时间，分别约为3s和7s，可见该半导体可燃气体传感器具有较快的响应恢复速度。
实施例3
按照实施例1所述半导体可燃气体传感器的结构，为了改善气敏元件1的一致性和稳定性，所述气敏涂层采用单层涂层，具体涂覆步骤如下：
(1)准备混合浆料的各原料：
氧化锡180～220份、硫酸亚锡72～88份、酸洗石棉3.6～4.4份、氧化铝45～55份、贵金属催化剂6.7～8.3份、三氧化钨6.3～7.7份、氧化镁3.0～3.8份、五氧化二钒2.7～3.3份、五氧化二锑1.4～1.8份、硅酸四乙酯250～310份、甲酸330～400份、乙二醇100～125份、N-甲基吡咯烷酮135～170份、无水乙醇140～175份、纯水180～220份；
其中，最优配方为：氧化锡2.0g、硫酸亚锡0.8g、酸洗石棉0.04g、氧化铝0.5g、铂黑0.06g、氯化钯0.015g、三氧化钨0.07g、氧化镁0.034g、五氧化二钒0.03g、五氧化二锑0.016g、硅酸四乙酯3.0mL、甲酸3.0mL、乙二醇1.0mL、N-甲基吡咯烷酮1.5mL、无水乙醇2.0mL、纯水2.0mL；
(2)制备混合浆料：
采用行星式球磨设备(罐体体积为20mL)，以密闭湿磨的混合方式，将铂黑、氯化钯、氧化铝及纯水混合40min，再加入硫酸亚锡，混合30min后，以30℃/min的速率升温至180℃并保温混合50min，冷却至室温；然后依次加入氧化锡、无水乙醇、N-甲基吡咯烷酮、氧化镁、三氧化钨、五氧化二钒、五氧化二锑、酸洗石棉、乙二醇、硅酸四乙酯及甲酸，继续混合30min，即得混合浆料；
(3)将步骤(2)所得混合浆料采用丝网印刷技术涂覆在气敏元件1上，涂覆厚度为0.2mm，然后将气敏元件1置于马弗炉内，以50℃/min的升温速率升温至730℃，恒温烧结3.5小时。
实施例3中所述混合浆料以氧化锡(SnO2，能带隙Eg为3.5eV)作为基体材料，在弱酸性环境中，通过各纳米材料的不饱和键进行键和反应，提升气敏元件1高温工作环境中的稳定性；其中，三氧化钨(WO3)、氧化镁(MgO)、五氧化二钒(V2O5)主要作用是维持浆料制备过程中的酸碱环境，依据元素的活泼性，W、Mg、V和配方内其他过渡元素共同保持烧结后的气敏材料内的平衡；五氧化二锑(Sb2O5)在混合浆料中维持半导体浆料的半导体特性，对半导体浆料电阻值起调节作用；另外，在气敏元件1工作过程中，其反应的灵敏度取决于贵金属催化剂的活性与含量，W、V、Sb元素与贵金属催化剂形成点位势能互补，保持贵金属元素在高温环境下的活性，增加气敏元件1在工作过程中的稳定性。经高温烧结后，SnO2与WO3(Eg2.7eV)、V2O5(Eg 2.8eV)、Sb2O5(Eg 3.0eV)形成半导体复合氧化物，晶格内产生替位杂质缺陷和氧空位缺陷，有助于载流子的释放、传输及注入输运过程，促进了测试气体的吸、脱附过程及响应速度。同时，选用铂黑(Pt)及氯化钯(PdCl2)作为贵金属催化剂，通过键合充分附着在Al2O3载体上，再与金属氧化物混合，可以增加材料表面的活性位点，使材料可以吸附更多的气体，同时还会夺走金属氧化物材料表面的电子，形成耗尽层，当材料暴露于还原气体之下时，贵金属氧化物会迅速还原，导致阻值明显下降，从而提高气敏性质。硫酸亚锡(SnSO4)同步参与Al2O3和贵金属催化剂的置换反应，SO4 2-增加贵金属元素在高温条件下工作过程中的稳定性，增加气敏元件1在整个可燃气体传感器中的使用寿命及产品稳定性。硅酸四乙酯(TEOS)与纯水发生水解反应生成SiO2，通过SiO2表面不饱和键与带有羟基(-OH)的有机挥发性气体(如甲醇、乙醇等)发生键合反应，在工作过程中避免-OH基团直接与贵金属催化剂接触，从而降低此类气体的干扰。并且，SiO2与配方中的Sb元素产生偶联，进而改善整体器件涂层的稳定性，在浆料配制过程中实现对可燃气体的检测，又能满足抗干扰的效果。
为了观察实施例3所制备气敏涂层的微观组织形貌，将实施例3所述混合浆料直接涂覆上陶瓷基板上(涂覆厚度为0.2mm)，经烧结后(以50℃/min的升温速率升温至730℃，恒温烧结3.5小时)形成样品涂层，对该样品涂层进行扫描电镜表征，结果如图5所示。从图5可以看到，样品涂层的微观形貌呈蜂窝状离散分布，同时存在大量介孔，可燃气体小分子气流通过介孔被贵金属催化剂捕捉，进而发生氧化还原反应，引起电位变化实现对可燃气体气体(如甲烷、丙烷、异丁烷等)检测，表面纳米二氧化硅包覆，隔绝醇类中羟基，实现抗酒精干扰。
由于半导体可燃气体传感器的气敏特性受工作温度影响，下面检测实施例3所制备的半导体可燃气体传感器在不同工作温度下(250～600℃)对甲烷(5000ppm)的响应情况。按照GB 15322.2-2003规范条件进行重复测试，使用现有数据采集系统，在传感器正常工作条件下，对传感器相匹配的固定阻值的分压测量电阻的电压进行采集，通过采集分压测量电阻在注气前后的电压变化，得出传感器半导体气敏材料的响应变化量，以此来判定传感器的气敏性能。
经检测得出，随着工作温度的升高，半导体可燃气体传感器对甲烷的响应值逐渐增大，当工作温度升至450℃时，响应值达到最大，随着温度的进一步升高，半导体可燃气体传感器对甲烷的响应值反而下降。这是因为，在温度较低时，没有足够的能量支持气敏反应，因此随着温度的升高，灵敏度增加；当温度过高时，气体在材料表面的吸附变得更困难，即吸附在材料表面的气体还未反应就已经脱附，导致参与气敏过程的分子数降低，从而使灵敏度有所下降。实施例1所述半导体可燃气体传感器在450℃对5000ppm甲烷表现出了最大的响应值(传感器对5000ppm甲烷的读数值减去零点值)，约为2.82V。
通过检测实施例3所述半导体可燃气体传感器在450℃对5000ppm甲烷的响应恢复情况，计算得出实施例1所述半导体可燃气体传感器在450℃对5000ppm甲烷的响应、恢复时间，分别为3s和6s，可见该半导体可燃气体传感器具有较快的响应恢复速度。
为了验证实施例3所述半导体可燃气体传感器对甲烷检测的重复性，于不同时间、在450℃的工作温度下对该传感器实施了连续15次的检测。对应不同浓度甲烷气体的响应数据(传感器读数值)如表1所示。
表1实施例3所述半导体可燃气体传感器对不同浓度甲烷检测结果(单位/V)
Figure BDA0003617845740000071
从表1中可以看出，随着测试甲烷浓度的增大，当甲烷浓度大于500ppm，半导体可燃气体传感器的响应值表现出明显的阶梯状分布，响应值变化与甲烷浓度近似呈线性关系。此外，该传感器对低至50ppm的甲烷的响应值约0.35V，表现出了良好的低浓度甲烷检测能力。并且，该传感器的最大响应值仅有较小幅度的变化。这说明半导体可燃气体传感器在450℃的工作温度下对甲烷气体具有良好的重复性。
下面对实施例2及3所述半导体可燃气体传感器的抗干扰气敏性能进行检测。在2000ppm酒精蒸汽环境中的读数减去零点值，即为传感器对2000ppm酒精的响应值，在5000ppm甲烷气体浓度中的数值减去零点值，即为传感器对5000ppm甲烷的响应值。5000ppm甲烷响应值减去2000ppm酒精响应值，即为抗酒精干扰差值。每个实施例制备5个平行试样，每个试样测试5次，最后取平均值，结果如表2所示，表2内显示数据为仪器读数。
表2实施例2及实施例3的气敏性能测试结果(单位/V)
样品 零点值 2000ppm酒精 5000ppm甲烷
实施例2 0.80 1.10 3.23
实施例3 0.75 1.14 3.59
从表2中可以看出，实施例2、实施例3在2000ppm酒精干扰环境下和5000ppm甲烷环境，甲烷与干扰气体差值均能达到700mV以上的落差，但实施例2有效使用期限为6个月，持续通电6个月后第二涂层会失效，不能继续实现抗酒精干扰，实施例3持续12个月重复使用后，响应值无明显衰减。
综上所述，本发明制备的半导体可燃气体传感器，检测灵敏度高，响应时间约3s，恢复时间达7s以下，通过涂覆双层或单层气敏涂层，还可稳定实现抗酒精挥发干扰。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，包括承载部件封装在承载部件内的气敏元件，其特征在于：所述承载部件包括基座，基座上插接有加热引脚及信号测量引脚，基座顶部套设有保护帽，保护帽的顶部设有若干透气孔；保护帽外套装有导流组件，所述导流组件的中部设有容腔，导流组件的底部设有导流室，保护帽侧壁的下部设有过气孔，容腔与导流室之间设有通气槽，所述导流室依次通过通气槽、容腔及过气孔实现与保护帽内腔相连通，导流室的侧壁上设有出气口，所述出气口处连接有导流扇；所述气敏元件包括绝缘陶瓷管，绝缘陶瓷管外侧壁镶嵌有测量电极，测量电极的端部连接有导电带，所述导电带与信号测量引脚电性连接；绝缘陶瓷管外覆有气敏涂层，所述气敏涂层覆盖测量电极；绝缘陶瓷管内部沿圆周方向绕设有若干圈加热电阻丝，加热电阻丝的端部与加热引脚电性连接。
2.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述导流组件包括同轴设置的外套件、内套件及导流环；所述外套件的上部套装于保护帽的中部，外套件下部的内侧壁与保护帽的外侧壁之间有间距；所述内套件套装于保护帽的下部，且内套件与外套件下部的内侧壁螺纹连接，内套件的底面低于外套件的底面；所述容腔位于外套件内，且容腔位于内套件的上方；所述导流环位于外套件的下方，且导流环套装于内套件的下部，所述导流室位于导流环内。
3.根据权利要求2所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述外套件包括呈上下同轴连接的第一筒部及第二筒部，所述第一筒部与第二筒部的外径相同，第一筒部的内径与保护帽的外径相适配，且第一筒部紧固安装于保护帽外侧壁的中部，所述第二筒部的内径大于第一筒部的内径；所述内套件的内径与保护帽的外径相适配，内套件上部设置有外螺纹，所述内套件通过外螺纹与第二筒部下部螺纹连接，内套件的顶面与第一筒部的底面之间有间距，以使第二筒部内形成环状的容腔。
4.根据权利要求2所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述导流环包括管体部及连接于管体部底面的环面部，所述环面部的内侧与内套件外侧面的底部无缝靠接，所述管体部的顶部插接于外套件的底部，所述管体部的内径大于内套件的外径，以使管体部与内套件之间形成环状的导流室。
5.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述通气槽与过气孔分别位于保护帽的左、右两侧，所述出气口与过气孔位于同一侧。
6.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：基座的一侧设有引导块，保护帽的底部设有连接板，连接板的底部设有引导槽，所述引导槽与引导块相匹配。
7.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述测量电极呈梳状插齿排列。
8.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述绝缘陶瓷管采用氧化铝陶瓷管，氧化铝陶瓷管上设有用于嵌合测量电极的凹槽。
9.根据权利要求1所述快速响应恢复的半导体可燃气体传感器，其特征在于：所述导电带上连接有测量引线，测量引线的另一端与信号测量引脚相连；所述加热电阻丝的端部连接有加热引线，加热引线的另一端与加热引脚相连。
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