CN114851647B - 一种半导体芯片封测假片基材及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体封测假片基材及其制作方法，是将耐高温离型层、缓冲层和隔热绝缘层自上而下复合得到；其中，所述耐高温离型层为铝箔，厚度为5～20μm；所述缓冲层的厚度为15～70μm，是由聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯‑醋酸乙烯共聚物等混合制成的；所述隔热绝缘层选自白卡纸、铜版纸、牛皮纸或双胶纸中的任一种，规格为65～200g。本发明用铝箔代替铜箔，降低了成本，运输方便，性能稳定。

Description

一种半导体芯片封测假片基材及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体芯片封测技术领域，具体涉及一种半导体芯片封测假片基材及其制作方法。
背景技术
从制造工艺角度看，集成电路产业链从上至下可分为设计、制造和封测三大环节，其中，集成电路封测是集成电路产品制造的后道工序，指将通过测试的晶圆按产品型号及功能需求加工得到独立集成电路的过程，可分为封装与测试两个环节。
封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form；)、电镀(Plating)以及打印等工艺。
封装完成后，对芯片产品的电压、电流、时间、温度、电阻、电容、频率、脉宽、占空比等参数进行专业测试。从价值占比看，根据Gartner数据，集成电路封装环节价值占比约为80～85％，测试环节价值占比约为15～20％。
半导体封测制程中芯片需要灌装密封，在封测设备停复机，以及人员交接班和新旧胶管更换时都需测试灌胶枪的技术指标和封装胶的性能参数是否符合产品要求。由于芯片价格昂贵，芯片封装时不能有差错，需严格控制芯片损耗，所以需要一种测试假片(模拟芯片灌装测试的测试片)。现有技术中使用的封测假片存在以下问题：
1、目前工艺上使用比较厚的纯铜箔，导热性太高，成本较高。
2、纯铜箔只能使用CNC加工，效率很慢，加工成本高。
3、铜箔只能片材包装，易损坏，比较重不易运输。
现有技术还采用PMP薄膜(聚-4-甲基-1-戊烯，也称聚甲基戊烯)用于离型膜制备，但是，PMP由日本三井公司全球独家控制，在供应上具有一定的不确定性，另外，PMP的机械强度低，不适合切削加工。
专利申请CN110233113A公开了一种芯片的封装方法，包括以下步骤；提供基板，基板上形成有贯通其相对两侧的开口槽；提供离型基材，将所述离型基材粘接在基板的一侧，并覆盖所述开口槽；提供芯片，将芯片贴装在位于开口槽位置的离型基材上；对基板上远离所述离型基材的一侧进行封装，形成将芯片封装并固定在基板上的封装层；去除离型基材，得到芯片的封装结构。该专利技术未涉及用假片替换芯片封装，会有芯片损耗问题。
专利CN111863633B公开了一种封装载板，用于承载包括有芯片的封装体，包括：承载片和比承载片更薄的介质；介质包括如下任一：离型膜，过渡镀层，或其他能与封装体或承载片形成弱结合力的介质；对于所述承载片的至少一面，其一部分区域属于介质区域，其余部分区域则至少包括第一区域和第二区域，且第一区域属于其上连接有芯片的第一金属电极所附着的区域，第二区域属于其上连接有假片的第二金属电极所附着的第二区域，所述假片的厚度与芯片的厚度一致；所述承载片能够相对于封装体剥离并重复用于封装载板。该专利技术使用了假片，假片选择可焊接性金属导体，但对于具体使用何种金属导体并未进行进一步研究。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种半导体芯片封测假片基材及其制作方法，使用铝箔代替铜箔，降低了成本，运输方便，性能稳定。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层、缓冲层和隔热绝缘层复合而成；其中，所述耐高温离型层为铝箔，厚度为5～20μm；所述缓冲层的厚度为15～70μm，是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯0～90份，聚酰胺60～90份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～50份；所述隔热绝缘层选自白卡纸、铜版纸、牛皮纸或双胶纸中的任一种，规格为65～200g。
优选的，所述缓冲层是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯45～70份，聚酰胺630～55份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～10份。
优选的，所述缓冲层是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯45～70份，聚酰胺630～55份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～10份，聚甲基丙烯酸甲酯3～4份，马来酸酐0.2～0.3份，过氧化二异丙苯0.03～0.04份，丙酮2～3份。
上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合挤出至隔热绝缘层表面，流延成膜，即为缓冲层；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层的上表面，压合滚轮压合，进入烘烤通道进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得。
优选的，具体步骤如下：
(1)先将配方量的马来酸酐和过氧化二异丙苯加入丙酮中，搅拌分散均匀制成预混液，再将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，挤出至隔热绝缘层表面，流延成膜，即为缓冲层；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层的上表面，压合滚轮压合，进入烘烤通道进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得。
优选的，步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180～200℃，二区温度220～230℃，三区温度250～270℃，四区温度250～270℃，五区温度250～270℃，六区温度200～220℃。
优选的，步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30～35℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100～110m/min。
优选的，步骤(2)中，所述铝箔先进行预处理，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，在50～60℃条件下，300～400W超声波振荡处理40～50s，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后将碱洗铝箔加热至75～80℃，立即在碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，在65～75℃条件下，200～300W超声波振荡处理20～30s，取出后烘干即可。
进一步优选的，所述碱液是将5～7重量份三乙烯二胺、15～18重量份碳酸钠和25～27重量份偏硅酸钠溶于1000重量份水中而得。
进一步优选的，所述碱性处理液是将0.5～0.6重量份三乙醇胺、0.2～0.3重量份偏硅酸钠溶于1000重量份水中而得。
进一步优选的，所述酸性处理液是将20～30重量份氟锆酸、15～20重量份枸橼酸溶于1000重量份水中而得。
进一步优选的，碱性处理液在碱洗铝箔表面的涂布量为0.03～0.05g/m2。
优选的，步骤(2)中，将铝箔覆盖于缓冲层的上表面之前，采用磁控溅射法在缓冲层的上表面进行镀铝，镀铝厚度为0.06～0.08μm。
进一步优选的，具体方法为：抽真空至本底气压为5～6×10-3Pa，通入溅射气体氩气，气压为0.5～0.7Pa，溅射靶材为铝，溅射功率10～12kW，维持稳定的溅射状态，直至达到要求的镀铝厚度。
优选的，步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10～12MPa。
优选的，步骤(2)中，烘烤通道的长度为2～3m，平均分为三段，温度依次为55～60℃、75～80℃、65～70℃，在烘烤通道内的前进速度为8～10m/min。
上述基材在半导体芯片封测假片生产中的应用。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明将耐高温离型层、缓冲层和隔热绝缘层自上而下复合得到一种半导体芯片封测假片基材；其中，所述耐高温离型层为铝箔，厚度为5～20μm；所述缓冲层的厚度为15～70μm，是由聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物等混合制成的；所述隔热绝缘层选自白卡纸、铜版纸、牛皮纸或双胶纸中的任一种，规格为65～200g。本发明用铝箔代替铜箔，降低了成本，运输方便，性能稳定。
1、与铜箔相比，本发明使用的铝箔稳定性更好，更耐氧化；收卷成卷材，包装运输方便；在生产半导体封测假片时具有加工优势，可使用模切方式生产；生产成本低，市场前景广阔。
2、在制作过程中，对铝箔进行预处理，进一步改善其耐高温性，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，加热和超声波振荡处理，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后在预加热的碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，加热和超声波振荡处理，取出后烘干即可。
其中，碱液是将三乙烯二胺、碳酸钠和偏硅酸钠溶于水中而得。碱性处理液是将三乙醇胺、偏硅酸钠溶于水中而得。酸性处理液是将氟锆酸、枸橼酸溶于水中而得。通过这三种特定组成的处理液的表面处理，填充铝箔表面缺陷，并形成保护层，大大改善了铝箔的耐高温性。
3、本发明在铝箔与隔热绝缘层之间引入了缓冲层，通过聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物的协同作用，起到缓冲作用，对铝箔起到保护作用。
本发明在制备缓冲层时还进一步加入了聚甲基丙烯酸甲酯、马来酸酐、聚甲基丙烯酸甲酯可与其他成分协同作用，进一步改善缓冲效果，马来酸酐可在挤出过程中接枝聚乙烯，并与聚酰胺6的氨基发生缩合反应，从而构建三维网状立体结构，进一步改善缓冲效果。
加入聚甲基丙烯酸甲酯、马来酸酐、聚甲基丙烯酸甲酯后，缓冲层的制备也应该进行相应调整，先将马来酸酐和过氧化二异丙苯加入丙酮中，搅拌分散均匀制成预混液，再将聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，挤出至隔热绝缘层表面，流延成膜，即为缓冲层。马来酸酐和过氧化二异丙苯以预混液的形式投料，而后挥发除去丙酮，方可实现与其他组分的均匀混合，进而在后续挤出过程中发生一系列反应，改善缓冲效果。
4、将铝箔覆盖于缓冲层的上表面之前，还采用磁控溅射法在缓冲层的上表面进行镀铝，如此一来，在缓冲层与铝箔之间存在一层铝镀层，有助于改善后续的叠合效果，进一步改善缓冲效果，对铝箔起到更好的保护作用。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的工艺流程图；
其中，1为耐高温离型层，2为缓冲层，3为隔热绝缘层，4为压合滚轮，5为缓冲层原料，6为烘烤通道，7为半导体芯片封测假片基材。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本发明涉及的马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，购自东莞市胜浩塑胶原料有限公司。
如无特殊说明外，本发明中所有商品均通过市场渠道购买。
实施例1
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为5μm；所述缓冲层2的厚度为15μm，是由以下组分混合制成的：聚乙烯90g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物50g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为65g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180℃，二区温度220℃，三区温度250℃，四区温度250℃，五区温度250℃，六区温度200℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100m/min。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为2m，平均分为三段，温度依次为55℃、75℃、65℃，在烘烤通道6内的前进速度为8m/min。
实施例2
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为20μm；所述缓冲层2的厚度为70μm，是由以下组分混合制成的：聚酰胺690g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为200g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度200℃，二区温度230℃，三区温度270℃，四区温度270℃，五区温度270℃，六区温度220℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度35℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度110m/min。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为12MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为3m，平均分为三段，温度依次为60℃、80℃、70℃，在烘烤通道6内的前进速度为10m/min。
实施例3
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为5μm；所述缓冲层2的厚度为15μm，是由以下组分混合制成的：聚乙烯45g，聚酰胺630g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5g；所述隔热绝缘层3为牛皮纸，规格为65g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180℃，二区温度220℃，三区温度250℃，四区温度250℃，五区温度250℃，六区温度200℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100m/min。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为2m，平均分为三段，温度依次为55℃、75℃、65℃，在烘烤通道6内的前进速度为8m/min。
实施例4
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为20μm；所述缓冲层2的厚度为70μm，是由以下组分混合制成的：聚乙烯70g，聚酰胺655g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物10g；所述隔热绝缘层3为牛皮纸，规格为200g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度200℃，二区温度230℃，三区温度270℃，四区温度270℃，五区温度270℃，六区温度220℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度35℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度110m/min。
步骤(2)中，所述铝箔先进行预处理，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，在60℃条件下，400W超声波振荡处理50s，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后将碱洗铝箔加热至80℃，立即在碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，在75℃条件下，300W超声波振荡处理30s，取出后烘干即可。
所述碱液是将7g三乙烯二胺、18g碳酸钠和27g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述碱性处理液是将0.6g三乙醇胺、0.3g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述酸性处理液是将30g氟锆酸、20g枸橼酸溶于1000g水中而得。
碱性处理液在碱洗铝箔表面的涂布量为0.05g/m2。
步骤(2)中，将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面之前，采用磁控溅射法在缓冲层2的上表面进行镀铝，镀铝厚度为0.08μm。具体方法为：抽真空至本底气压为6×10-3Pa，通入溅射气体氩气，气压为0.7Pa，溅射靶材为铝，溅射功率12kW，维持稳定的溅射状态，直至达到要求的镀铝厚度。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为12MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为3m，平均分为三段，温度依次为60℃、80℃、70℃，在烘烤通道6内的前进速度为10m/min。
实施例5
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为5μm；所述缓冲层2是由以下组分混合制成的：聚乙烯45g，聚酰胺630g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5g，聚甲基丙烯酸甲酯3g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为65g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180℃，二区温度220℃，三区温度250℃，四区温度250℃，五区温度250℃，六区温度200℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100m/min。
步骤(2)中，所述铝箔先进行预处理，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，在50℃条件下，300W超声波振荡处理40s，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后将碱洗铝箔加热至75℃，立即在碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，在65℃条件下，200W超声波振荡处理20s，取出后烘干即可。
所述碱液是将5g三乙烯二胺、15g碳酸钠和25g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述碱性处理液是将0.5g三乙醇胺、0.2g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述酸性处理液是将20g氟锆酸、15g枸橼酸溶于1000g水中而得。
碱性处理液在碱洗铝箔表面的涂布量为0.03g/m2。
步骤(2)中，将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面之前，采用磁控溅射法在缓冲层2的上表面进行镀铝，镀铝厚度为0.06μm。具体方法为：抽真空至本底气压为5×10-3Pa，通入溅射气体氩气，气压为0.5Pa，溅射靶材为铝，溅射功率10kW，维持稳定的溅射状态，直至达到要求的镀铝厚度。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为2m，平均分为三段，温度依次为55℃、75℃、65℃，在烘烤通道6内的前进速度为8m/min。
实施例6
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为20μm；所述缓冲层2是由以下组分混合制成的：聚乙烯70g，聚酰胺655g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物10g，马来酸酐0.3g，过氧化二异丙苯0.04g，丙酮3g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为200g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的马来酸酐和过氧化二异丙苯加入丙酮中，搅拌分散均匀制成预混液，再将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度200℃，二区温度230℃，三区温度270℃，四区温度270℃，五区温度270℃，六区温度220℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度35℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度110m/min。
步骤(2)中，所述铝箔先进行预处理，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，在60℃条件下，400W超声波振荡处理50s，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后将碱洗铝箔加热至80℃，立即在碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，在75℃条件下，300W超声波振荡处理30s，取出后烘干即可。
所述碱液是将7g三乙烯二胺、18g碳酸钠和27g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述碱性处理液是将0.6g三乙醇胺、0.3g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述酸性处理液是将30g氟锆酸、20g枸橼酸溶于1000g水中而得。
碱性处理液在碱洗铝箔表面的涂布量为0.05g/m2。
步骤(2)中，将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面之前，采用磁控溅射法在缓冲层2的上表面进行镀铝，镀铝厚度为0.08μm。具体方法为：抽真空至本底气压为6×10-3Pa，通入溅射气体氩气，气压为0.7Pa，溅射靶材为铝，溅射功率12kW，维持稳定的溅射状态，直至达到要求的镀铝厚度。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为12MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为3m，平均分为三段，温度依次为60℃、80℃、70℃，在烘烤通道6内的前进速度为10m/min。
实施例7
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为10μm；所述缓冲层2是由以下组分混合制成的：聚乙烯60g，聚酰胺645g，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物8g，聚甲基丙烯酸甲酯3.5g，马来酸酐0.25g，过氧化二异丙苯0.035g，丙酮2.5g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为150g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的马来酸酐和过氧化二异丙苯加入丙酮中，搅拌分散均匀制成预混液，再将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度190℃，二区温度225℃，三区温度260℃，四区温度260℃，五区温度260℃，六区温度210℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度33℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度105m/min。
步骤(2)中，所述铝箔先进行预处理，具体方法如下：先将铝箔完全浸没于碱液中，在55℃条件下，400W超声波振荡处理45s，取出后用去离子水洗涤至中性，得到碱洗铝箔；然后将碱洗铝箔加热至78℃，立即在碱洗铝箔表面均匀涂布碱性处理液，烘干，得到涂层铝箔；最后将涂层铝箔完全浸没于酸性处理液中，在70℃条件下，250W超声波振荡处理25s，取出后烘干即可。
所述碱液是将6g三乙烯二胺、17g碳酸钠和26g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述碱性处理液是将0.55g三乙醇胺、0.25g偏硅酸钠溶于1000g水中而得。
所述酸性处理液是将25g氟锆酸、18g枸橼酸溶于1000g水中而得。
碱性处理液在碱洗铝箔表面的涂布量为0.04g/m2。
步骤(2)中，将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面之前，采用磁控溅射法在缓冲层2的上表面进行镀铝，镀铝厚度为0.07μm。具体方法为：抽真空至本底气压为5×10-3Pa，通入溅射气体氩气，气压为0.6Pa，溅射靶材为铝，溅射功率11kW，维持稳定的溅射状态，直至达到要求的镀铝厚度。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为11MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为2.5m，平均分为三段，温度依次为58℃、78℃、68℃，在烘烤通道6内的前进速度为9m/min。
对比例
如图1所示的一种半导体芯片封测假片基材，自上而下，是由耐高温离型层1、缓冲层2和隔热绝缘层3复合而成；其中，所述耐高温离型层1为铝箔，厚度为5μm；所述缓冲层2的厚度为15μm，是由以下组分混合制成的：聚乙烯45g，聚酰胺645g；所述隔热绝缘层3为白卡纸，规格为65g。
如图2所示，上述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，具体步骤如下：
(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6混合得到缓冲层原料5，挤出至隔热绝缘层1表面，流延成膜，即为缓冲层2；
(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层2的上表面，压合滚轮4压合，进入烘烤通道6进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得半导体芯片封测假片基材7。
步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180℃，二区温度220℃，三区温度250℃，四区温度250℃，五区温度250℃，六区温度200℃。
步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100m/min。
步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10MPa。
步骤(2)中，烘烤通道6的长度为2m，平均分为三段，温度依次为55℃、75℃、65℃，在烘烤通道6内的前进速度为8m/min。
分别对实施例1～7和对比例所得基材进行性能测试，具体方法如下：
1、耐高温性：各取基材20cm×10cm，将铝箔面依次加热至200℃、300℃、500℃，每个温度节点持续20分钟，观察铝箔表面变化，铝箔表面无变化说明具有良好的耐高温性，同时测试基材的尺寸变化率(长度)。测试结果见表1。
2、缓冲效果：利用万能试验机对基材的耐冲击性进行测试，耐冲击性越好说明缓冲层对铝箔的缓冲性越好。测试结果见表2。
表1.耐高温性测试结果
表2.缓冲效果测试结果
由表1和表2可知，实施例1～7所得基材具有较好的耐高温性和缓冲效果，满足半导体封测假片的加工要求。
实施例1中缓冲层原料为聚乙烯和马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，实施例2的缓冲层原料为聚酰胺6和马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，实施例3中缓冲层原料为聚乙烯、聚酰胺6和马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，实施例4中缓冲层原料为马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，并且对铝箔、缓冲层进行了预处理，实施例5中缓冲层原料加入了聚甲基丙烯酸甲酯，实施例6中缓冲层原料加入了马来酸酐等，实施例7中缓冲层原料加了聚甲基丙烯酸甲酯、马来酸酐等。由于实施例1、2、3未对铝箔进行预处理，铝箔的耐高温性略差，实施例4、5、6、7对缓冲层原料进行了调整或者缓冲层形成后进行预处理，其缓冲效果更好。
对比例略去马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物，缓冲效果明显变差。
本发明通过上述实施例来说明本发明的技术构思，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品个别原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体芯片封测假片基材，其特征在于，自上而下，是由耐高温离型层、缓冲层和隔热绝缘层复合而成；其中，所述耐高温离型层为铝箔，厚度为5～20μm；所述缓冲层的厚度为15～70μm，是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯为45～90份，聚酰胺6为0～90份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～50份；所述隔热绝缘层选自白卡纸、铜版纸、牛皮纸或双胶纸中的任一种，规格为65～200g。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封测假片基材，其特征在于，所述缓冲层是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯为45～70份，聚酰胺6为30～55份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～10份。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封测假片基材，其特征在于，所述缓冲层是由以下重量份的组分混合制成的：聚乙烯为45～70份，聚酰胺6为30～55份，马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物5～10份，聚甲基丙烯酸甲酯3～4份，马来酸酐0.2～0.3份，过氧化二异丙苯0.03～0.04份，丙酮2～3份。
4.权利要求1或2所述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)先将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物混合挤出至隔热绝缘层表面，流延成膜，即为缓冲层；(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层的上表面，压合滚轮压合，进入烘烤通道进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得。
5.权利要求3所述一种半导体芯片封测假片基材的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)先将配方量的马来酸酐和过氧化二异丙苯加入丙酮中，搅拌分散均匀制成预混液，再将配方量的聚乙烯、聚酰胺6、马来酸酐接枝乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯混合均匀，得到预混物，然后将预混液倒入预混物中，搅拌混匀，静置，直至丙酮完全挥发，挤出至隔热绝缘层表面，流延成膜，即为缓冲层；(2)然后将铝箔覆盖于缓冲层的上表面，压合滚轮压合，进入烘烤通道进行加热烘烤，冷却定型，在线测厚，牵引，切边，收卷，即得。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，利用双螺杆挤出机进行挤出，分为六个区，各区温度依次为：一区温度180～200℃，二区温度220～230℃，三区温度250～270℃，四区温度250～270℃，五区温度250～270℃，六区温度200～220℃。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，流延成膜的工艺条件为：冷却温度30～35℃，一个主冷却辊，一个辅助冷却辊，线速度100～110m/min。
8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，压合滚轮的压合压力为10～12MPa。
9.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，烘烤通道的长度为2～3m，平均分为三段，温度依次为55～60℃、75～80℃、65～70℃，在烘烤通道内的前进速度为8～10m/min。
10.权利要求1～3中任一项所述基材在半导体芯片封测假片生产中的应用。
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