CN114830293A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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CN114830293A CN202080086729.9A CN202080086729A CN114830293A CN 114830293 A CN114830293 A CN 114830293A CN 202080086729 A CN202080086729 A CN 202080086729A CN 114830293 A CN114830293 A CN 114830293A
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Abstract

一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，该基板处理装置具有：保持部，其保持所述第1基板的背面；激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；剥离部，其从所述第1基板剥离所述第2基板；以及控制部，其控制所述激光照射部的动作，所述控制部控制所述激光照射部，以在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1中公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：加热工序，从半导体基板的背面照射CO2激光，对剥离氧化膜进行局部加热；以及转印工序，在剥离氧化膜中和/或剥离氧化膜与半导体基板之间的界面产生剥离，将半导体元件向转印目标基板转印。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-220749号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术为，在将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于第2基板的表面的器件层适当地向第1基板转印。
用于解决问题的方案
根据本公开的一技术方案是一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，该基板处理装置具有：保持部，其保持所述第1基板的背面；激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；剥离部，其从所述第1基板剥离所述第2基板；以及控制部，其控制所述激光照射部的动作，所述控制部控制所述激光照射部，以在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。
发明的效果
根据本公开，在将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，能够将形成于第2基板的表面的器件层适当地向第1基板转印。
附图说明
图1是表示在晶圆处理系统中所处理的重合晶圆的结构的概略的侧视图。
图2是示意性地表示晶圆处理系统的结构的概略的俯视图。
图3是表示本实施方式的激光照射装置的结构的概略的侧视图。
图4是表示本实施方式的激光照射装置的结构的概略的俯视图。
图5是表示对激光吸收层照射激光的情形的说明图。
图6是表示对激光吸收层照射激光的情形的说明图。
图7是表示对激光吸收层照射激光的情形的说明图。
图8是表示在激光吸收层形成有剥离区域和非剥离区域的情形的说明图。
图9是表示从激光吸收层剥离第2晶圆的情形的说明图。
图10是表示另一实施方式的重合晶圆的结构的概略的侧视图。
具体实施方式
近年来，在LED的制造工艺中进行有使用激光从蓝宝石基板剥离GaN(氮化镓)系化合物晶体层(材料层)的工序、即所谓的激光剥离。在像这样进行激光剥离的背景下，可列举出，由于蓝宝石基板对于短波长的激光(例如UV光)具有透过性，因此能够使用针对吸收层而言吸收率较高的短波长的激光，激光的选择范围也较广。
另一方面，在半导体器件的制造工艺中，进行将形成于一基板(半导体等的硅基板)的表面的器件层向另一基板转印。硅基板通常对于NIR(近红外线)的区域的激光具有透过性，但吸收层对于NIR的激光也具有透过性，因此器件层有可能受到损伤。因此，为了在半导体器件的制造工艺中进行激光剥离，使用FIR(远红外线)的区域的激光。
通常，使用FIR的波长的激光，例如能够利用CO2激光。在上述的专利文献1所记载的方法中，通过对剥离氧化膜照射CO2激光，来在剥离氧化膜与基板之间的界面产生剥离。
在此，在上述专利文献1所记载的方法中，对剥离氧化膜局部地照射CO2激光。关于这方面，发明人们进行了深入研究，结果发现：若像这样仅对剥离氧化膜的局部照射CO2激光，则产生剥离的部分过小，有时无法适当地进行基板从氧化剥离膜的剥离。因此，需要将对氧化剥离膜照射CO2激光的范围增大到能够剥离基板的程度。在该情况下，由于从激光头一次照射CO2激光的范围有限，因此例如通过使保持基板的卡盘旋转或移动来增大照射CO2激光的范围。
但是，若在进行剥离的状态下使卡盘旋转或移动，则有可能使离心力、惯性力作用于基板，使基板从氧化剥离膜偏移，在激光处理过程中对处理对象位置以外的部位照射激光。另外，也存在剥离后的基板发生滑落的可能性。然而，在专利文献1的方法中，完全没有考虑这样的基板的偏移、滑落，也没有其启示。因此，以往的器件层的转印方法存在改善的余地。
本公开的技术为，在将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于第2基板的表面的器件层适当地向第1基板转印。以下，参照附图，对本实施方式的作为基板处理装置的具备激光照射装置的晶圆处理系统和作为基板处理方法的晶圆处理方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，来省略重复说明。
如图1所示，在本实施方式的后述的晶圆处理系统1中，对作为将作为第1基板的第1晶圆W1与作为第2基板的第2晶圆W2接合而成的重合基板的重合晶圆T进行处理。以下，对于第1晶圆W1，将与第2晶圆W2接合的一侧的面称为表面W1a，将与表面W1a相反的一侧的面称为背面W1b。同样地，对于第2晶圆W2，将与第1晶圆W1接合的一侧的面称为表面W2a，将与表面W2a相反的一侧的面称为背面W2b。
第1晶圆W1是例如硅基板等半导体晶圆。在第1晶圆W1的表面W1a从表面W1a侧起依次层叠有器件层D1和表面膜F1。器件层D1包含多个器件。作为表面膜F1，可列举出例如氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或粘接剂等。此外，也存在在表面W1a未形成器件层D1和表面膜F1的情况。
第2晶圆W2也是例如硅基板等半导体晶圆。在第2晶圆W2的表面W2a从表面W2a侧起依次层叠有激光吸收层P、器件层D2、表面膜F2。如后所述，激光吸收层P吸收从激光头110照射出的激光。激光吸收层P例如使用氧化膜(SiO2膜)，但只要能够吸收激光，就没有特别限定。器件层D2和表面膜F2分别与第1晶圆W1的器件层D1和表面膜F1同样。而且，第1晶圆W1的表面膜F1与第2晶圆W2的表面膜F2接合。此外，激光吸收层P的位置并不限定于上述实施方式，例如也可以形成于器件层D2与表面膜F2之间。另外，也存在在表面W2a未形成器件层D2和表面膜F2的情况。在该情况下，激光吸收层P形成于第1晶圆W1侧，第1晶圆W1侧的器件层D1向第2晶圆W2侧转印。
如图2所示，晶圆处理系统1具有将送入送出模块10、输送模块20以及处理模块30连接为一体的结构。送入送出模块10和处理模块30设置于输送模块20的周围。具体而言，送入送出模块10配置于输送模块20的Y轴负方向侧。处理模块30的后述的激光照射装置31配置于输送模块20的X轴负方向侧，处理模块30的后述的清洗装置32配置于输送模块20的X轴正方向侧。
送入送出模块10例如在其与外部之间分别送入送出能够收容多个重合晶圆T的盒Ct、能够收容多个第1晶圆W1的盒Cw1、能够收容多个第2晶圆W2的盒Cw2。在送入送出模块10设置有盒载置台11。在图示的例子中，在盒载置台11将多个、例如三个盒Ct、Cw1、Cw2沿X轴方向呈一列地载置自如。此外，载置于盒载置台11的盒Ct、Cw1、Cw2的个数并不限定于本实施方式，能够任意地确定。
在输送模块20设置有晶圆输送装置22，该晶圆输送装置22构成为在沿X轴方向延伸的输送路径21上移动自如。晶圆输送装置22具有例如两个保持并输送重合晶圆T、第1晶圆W1、第2晶圆W2的输送臂23、23。各输送臂23构成为在水平方向上、铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外，输送臂23的结构并不限定于本实施方式，能够采用任意的结构。而且，晶圆输送装置22而且，晶圆输送装置22构成为能够向盒载置台11的盒Ct、Cw1、Cw2、后述的激光照射装置31以及清洗装置32输送重合晶圆T、第1晶圆W1、第2晶圆W2。
处理模块30具有激光照射装置31和清洗装置32。激光照射装置31向第2晶圆W2的激光吸收层P照射激光。此外，激光照射装置31的结构随后叙述。
清洗装置32对在利用激光照射装置31分离开的第一晶圆W1的表面W1a形成的激光吸收层P的表面进行清洗。例如使刷子抵接于激光吸收层P的表面，来对该表面进行刷洗。此外，表面的清洗也可以使用加压后的清洗液。另外，清洗装置32也可以具有将第1晶圆W1的背面W1b与表面W1a侧一起清洗的结构。
在以上的晶圆处理系统1设置有作为控制部的控制装置40。控制装置40例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制晶圆处理系统1中的重合晶圆T的处理的程序。另外，在程序存储部还存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。此外，上述程序也可以存储于计算机能够读取的存储介质H，并从该存储介质H加载于控制装置40。
接着，对上述的激光照射装置31进行说明。
如图3和图4所示，激光照射装置31具有作为保持部的卡盘100，该卡盘100在上表面保持重合晶圆T。卡盘100吸附保持第1晶圆W1的背面W1b的整面。此外，卡盘100也可以吸附保持背面W1b的局部。在卡盘100设置有用于从下方支承重合晶圆T并使其升降的升降销(未图示)。升降销贯穿通过贯通卡盘100而形成的贯通孔(未图示)，并构成为升降自如。
此外，也可以在卡盘100的外部设置用于保持第2晶圆W2的保持部(未图示)。如后所述，在本实施方式中，存在非剥离区域B，从而防止第2晶圆W2从激光吸收层P偏移、滑落，但能够利用上述保持部更可靠地该偏移、滑落。
如图3和图4所示，卡盘100借助空气轴承101支承于滑动台102上。在滑动台102的下表面侧设置有旋转机构103。旋转机构103例如内置有马达来作为驱动源。卡盘100构成为利用旋转机构103借助空气轴承101绕θ轴线(铅垂轴线)旋转自如。滑动台102构成为能够利用设置于其下表面侧的移动机构104而沿着设置于基台106且在Y轴方向上延伸的轨道105移动。此外，移动机构104的驱动源没有特别限定，例如使用线性马达。
在卡盘100的上方设置有作为激光照射部的激光头110。激光头110具有透镜111。透镜111是设置于激光头110的下表面的筒状的构件，用于向保持于卡盘100的重合晶圆T照射激光。在本实施方式中，激光是CO2激光，从激光头110发出的激光透过第2晶圆W2向激光吸收层P照射。此外，CO2激光的波长例如为8.9μm～11μm。另外，激光头110构成为利用升降机构(未图示)升降自如。此外，激光的光源设置于激光头110的外部的分离开的位置。
另外，在卡盘100的上方设置有作为剥离部的输送盘120。输送盘120构成为利用升降机构(未图示)升降自如。另外，输送盘120具有第2晶圆W2的吸附面。而且，输送盘120在卡盘100与输送臂23之间输送第2晶圆W2。具体而言，在使卡盘100移动至输送盘120的下方(与输送臂23的交接位置)之后，输送盘120吸附保持第2晶圆W2的背面W2b，将其从第1晶圆W1剥离。接着，将剥离后的第2晶圆W2从输送盘120向输送臂23交接，并从激光照射装置31送出。此外，输送盘120也可以构成为利用翻转机构(未图示)来使晶圆的表背面翻转。
在图4所示的激光照射装置31中，输送臂23从X轴正方向侧接近输送盘120。但是，也可以使图4所示的激光照射装置31逆时针旋转90度，输送臂23从Y轴负方向侧接近输送盘120。
此外，在向激光照射装置31送入重合晶圆T时，从输送臂23向升降销交接重合晶圆T，使升降销下降，从而将该重合晶圆T载置于卡盘100。另外，在将剥离后的第1晶圆W1从激光照射装置31送出时，载置于卡盘100的重合晶圆T利用升降销上升，并从升降销向输送臂23交接。
接着，对使用如以上这样构成的晶圆处理系统1进行的晶圆处理进行说明。此外，在本实施方式中，在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)，将第1晶圆W1与第2晶圆W2接合，预先形成重合晶圆T。
首先，将收纳有多个重合晶圆T的盒Ct载置于送入送出模块10的盒载置台11。
接着，利用晶圆输送装置22取出盒Ct内的重合晶圆T，并将其向激光照射装置31输送。在激光照射装置31中，重合晶圆T从输送臂23向升降销交接，并被吸附保持于卡盘100。接着，利用移动机构104使卡盘100向处理位置移动。该处理位置是能够从激光头110向重合晶圆T(激光吸收层P)照射激光的位置。
接着，如图5和图6所示，从激光头110向激光吸收层P以脉冲状照射激光L(CO2激光)。此时，激光L从第2晶圆W2的背面W2b侧透过该第2晶圆W2，在激光吸收层P被吸收。于是，利用该激光L，在激光吸收层P与第2晶圆W2之间的界面产生剥离。此外，激光L几乎全部被激光吸收层P吸收，不会到达器件层D2。因此，能够抑制器件层D2受到损伤。
在向激光吸收层P照射激光L时，利用旋转机构103使卡盘100(重合晶圆T)旋转，并且利用移动机构104使卡盘100沿Y轴方向移动。于是，激光L相对于激光吸收层P从径向外侧朝向内侧照射，其结果，从外侧向内侧呈螺旋状地照射。此外，图6所示的涂黑箭头表示卡盘100的旋转方向。
激光L的照射开始位置优选为第2晶圆W2的外周端Ea与重合晶圆T中的第1晶圆W1和第2晶圆W2的接合端Eb之间。在该情况下，例如在重合晶圆T中，即使在第1晶圆W1的中心与第2晶圆W2的中心错开而偏心了的情况下，也能够吸收该偏心量，向激光吸收层P适当地照射激光L。
此外，如图7所示，在激光吸收层P，激光L也可以呈同心圆状地环状地照射。但是，在该情况下，卡盘100的旋转和卡盘100的Y方向交替地进行，因此，如上述那样呈螺旋状地照射激光L能够缩短照射时间并提高生产率。
另外，在激光吸收层P，激光L也可以从径向内侧朝向外侧照射。但是，在该情况下，由于激光吸收层P的内侧先剥离，因此有时伴随剥离产生的应力去向径向外侧，而使在该外侧未照射激光L的部分也产生剥离。关于这方面，在如上述那样从径向外侧朝向内侧照射激光L的情况下，能够使伴随剥离产生的应力向外侧释放，因此剥离的控制更加容易。另外，通过适当地控制剥离，也能够抑制剥离面的粗糙。
另外，在本实施方式中，在向激光吸收层P照射激光L时，使卡盘100旋转，但也可以使激光头110移动，来使激光头110相对于卡盘100相对地旋转。另外，使卡盘100在Y轴方向上移动，但也可以使激光头110在Y轴方向上移动。
在此，在像这样将激光L从径向外侧向内侧呈螺旋状(或同心圆状)地照射时，若进行剥离，则由于卡盘100旋转，因此离心力作用于第2晶圆W2，第2晶圆W2从激光吸收层P偏移，在激光处理过程中，有可能使激光L照射到处理对象位置以外的部位。另外，也存在第2晶圆W2从卡盘100滑落的情况。
因此，在本实施方式中，如图8所示，在激光吸收层P形成剥离区域A和非剥离区域B。剥离区域A是照射激光L的区域，在该剥离区域A中，在激光吸收层P与第2晶圆W2之间的界面产生剥离。另一方面，非剥离区域B是未照射激光L的区域，在该非剥离区域B中，在激光吸收层P与第2晶圆W2之间的界面未产生剥离，该激光吸收层P与第2晶圆W2接合。由于存在该非剥离区域B，因而即使卡盘100旋转，也能够防止第2晶圆W2从激光吸收层P偏移、滑落。于是，由于能够像这样防止第2晶圆W2的偏移、滑落，因此能够对适当的位置照射激光L。
此外，为了形成剥离区域A和非剥离区域B，只要在预定形成非剥离区域B的位置停止来自激光头110的激光L的照射即可。
另外，在图8的例子中，在激光吸收层P的中央部和其周缘的四个部位形成有非剥离区域B，但非剥离区域B的位置、数量是任意的。只要以不产生第2晶圆W2的偏移、滑落的程度形成非剥离区域B即可。但是，使剥离区域A的范围比非剥离区域B的范围大，以在如后述那样使用输送盘120将第2晶圆W2从激光吸收层P剥离时，不施加较大的载荷。
这样一来，在激光照射装置31中，以在激光吸收层P形成剥离区域A和非剥离区域B的方式以脉冲状照射激光L。在此，发明人们进行了深入研究，发现了剥离的产生要因不是激光L的能量，而是峰值功率(激光的最大强度)。例如，在使激光L连续振荡的情况下(使用了连续波的情况)，难以提高峰值功率，有时无法产生剥离。另一方面，在使激光L以脉冲状振荡的情况下(使用了脉冲波的情况)，提高峰值功率，能够在激光吸收层P与第2晶圆W2之间的界面产生剥离，能够使第2晶圆W2从激光吸收层P适当地剥离。另外，在本公开中，使CO2激光以脉冲状振荡的激光是所谓的脉冲激光，其功率反复于0(零)和最大值。
接着，利用移动机构104使卡盘100向交接位置移动。在此，在卡盘100的移动过程中，惯性力作用于第2晶圆W2，有可能使第2晶圆W2从激光吸收层P偏移。在该情况下，在之后利用输送盘120来吸附保持第2晶圆W2的背面W2b时，无法对适当的位置进行吸附保持。关于这方面，在本实施方式中，由于在激光吸收层P形成有非剥离区域B，因此能够防止第2晶圆W2的偏移。
如图9的(a)所示，在交接位置，利用输送盘120吸附保持第2晶圆W2的背面W2b。然后，如图9的(b)所示，在输送盘120吸附保持着第2晶圆W2的状态下，使该输送盘120上升，从激光吸收层P剥离第2晶圆W2。此时，由于在激光吸收层P形成有非剥离区域B，因此在该非剥离区域B以能够从激光吸收层P剥离第2晶圆W2的程度施加载荷。于是，能够从激光吸收层P剥离第2晶圆W2。此外，也可以使输送盘120绕铅垂轴线旋转来剥离第2晶圆W2。
剥离后的第2晶圆W2从输送盘120向晶圆输送装置22的输送臂23交接，并向盒载置台11的盒Cw2输送。此外，从激光照射装置31送出来的第2晶圆W2也可以在向盒Cw2输送之前向清洗装置32输送，对作为该剥离面的表面W2a进行清洗。在该情况下，也可以利用输送盘120使第2晶圆W2的表背面翻转，并向输送臂23交接。
另一方面，对于保持于卡盘100的第1晶圆W1，将其利用升降销从卡盘100上升，向输送臂23交接，向清洗装置32输送。在清洗装置32中，对作为剥离面的激光吸收层P的表面进行刷洗。此外，在清洗装置32中，也可以将第1晶圆W1的背面W1b与激光吸收层P的表面一起清洗。另外，也可以独立地设置清洗激光吸收层P的表面的清洗部和清洗第1晶圆W1的背面W1b的清洗部。
之后，利用晶圆输送装置22将实施了所有处理的第1晶圆W1向盒载置台11的盒Cw1输送。这样一来，晶圆处理系统1中的一系列晶圆处理结束。
根据以上的实施方式，在将激光L从激光吸收层P的径向外侧向内侧呈螺旋状地照射时，形成非剥离区域B，因此即使卡盘100旋转，也能够防止第2晶圆W2的偏移、滑落。另外，在进行了激光L的照射之后，在卡盘100移动时，也能够利用非剥离区域B来防止第2晶圆W2的偏移。因此，能够从激光吸收层P适当地剥离第2晶圆W2，能够将器件层D2向第1晶圆W1转印。
在以上的实施方式中，呈螺旋状、同心圆状地向激光吸收层P照射激光L，但激光L的照射图案并不限定于此。另外，与像这样的各种照射图案对应的装置的结构也不限定于上述实施方式的激光照射装置31。在上述激光照射装置31中，卡盘100绕θ轴线旋转自如且沿一轴线(Y轴)方向移动自如，但也可以使该卡盘100沿两轴线(X轴和Y轴)移动。另外，激光头110也可以使用例如检电扫描器，使从激光头110照射的激光L对激光吸收层P进行扫描。
在该情况下，在照射激光L时，在激光吸收层P的预定的扫描范围内使激光L进行扫描。接着，在停止了激光L的照射的状态下使卡盘100沿X轴方向移动。像这样重复进行激光L的照射以及扫描和卡盘100的移动，在X轴方向上呈一列地照射激光L。接着，使卡盘100以在Y轴方向上错开的方式移动，与上述同样地重复进行激光L的照射以及扫描和卡盘100的移动，在X轴方向上呈一列地照射激光L。于是，向激光吸收层P照射激光L。
另外，在上述激光L的照射图案中，重复进行激光L的照射以及扫描和卡盘100的移动，但也可以在X轴方向上的一列，一边使卡盘100移动一边进行激光L的照射以及扫描。然后，在对X轴方向上的一列照射了激光L之后，使卡盘100以在Y轴方向上错开的方式移动，向激光吸收层P照射激光L。
另外，也可以将以上的实施方式的螺旋状(或同心圆状)的激光L的照射与激光L的照射以及扫描组合。
在使卡盘100(重合晶圆T)旋转的情况下，随着激光L从径向外侧向内侧移动，卡盘100的旋转速度变大。因此，在激光吸收层P的外周部，一边使卡盘100旋转，一边使该卡盘100从径向外侧向内侧移动，呈螺旋状地照射激光L。然后，当卡盘100的旋转速度达到上限时，在激光吸收层P的中央部，停止卡盘100的旋转，一边照射激光L一边进行扫描。
通过像这样在激光吸收层P的外周部和中央部改变激光L的照射图案，从而能够使激光L不重叠，使照射激光L的间隔、即脉冲的间隔恒定。其结果，能够在晶圆面内均匀地进行第1晶圆W1与第2晶圆W2的剥离。
上述实施方式的晶圆处理系统1具有清洁装置32，但晶圆处理系统1也可以还具有蚀刻装置(未图示)。蚀刻装置对剥离后的第1晶圆W1的表面W1a、具体而言激光吸收层P的表面进行蚀刻处理。例如，在利用清洗装置32对激光吸收层P的表面进行了刷洗之后，对激光吸收层P的表面供给药液(蚀刻液)，对该表面进行湿式蚀刻。另外，晶圆处理系统1也可以具有清洗装置32和蚀刻装置中的任一者。
在以上的实施方式所处理的重合晶圆T中，如图10所示，也可以在激光吸收层P和器件层D2之间设置反射膜R。即，反射膜R形成于激光吸收层P中的与激光L的入射面相反的一侧的面。反射膜R使用针对激光L的反射率较高、熔点较高的材料，例如金属膜。此外，器件层D2是具有功能的层，与反射膜R不同。
在该情况下，从激光头110发出的激光L透过第2晶圆W2，在激光吸收层P几乎全部被吸收，但即使存在未完全吸收的激光L，也会被反射膜R反射。其结果，激光L不会到达器件层D2，能够可靠地抑制器件层D2受到损伤。
另外，被反射膜R反射的激光L被激光吸收层P吸收。因此，能够提高第2晶圆W2的剥离效率。
应该认为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示，不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
31、激光照射装置；40、控制装置；100、卡盘；110、激光头；120、输送盘；A、剥离区域；B、非剥离区域；D1、D2、器件层；P、激光吸收层；T、重合晶圆；W1、第1晶圆；W2、第2晶圆。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，
该基板处理装置具有：
保持部，其保持所述第1基板的背面；
激光照射部，其在所述保持部保持着所述第1基板的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；
剥离部，其从所述第1基板剥离所述第2基板；以及
控制部，其控制所述激光照射部的动作，
所述控制部控制所述激光照射部，以在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部控制所述激光照射部，以使所述剥离区域的范围比所述非剥离区域的范围大。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述控制部控制所述剥离部，以利用所述剥离部对所述非剥离区域进行剥离。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述激光照射部以脉冲状照射所述激光。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述激光吸收层中的与所述激光的入射面相反的一侧的面形成有反射膜。
6.一种基板处理方法，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，将形成于所述第2基板的表面的器件层向所述第1基板转印，其中，
该基板处理方法具有以下步骤：
在保持部保持着所述第1基板的下表面的状态下，从该第2基板的背面侧对形成于所述第2基板和所述器件层之间的激光吸收层照射激光；以及
从所述第1基板剥离所述第2基板，
在照射所述激光时，在所述激光吸收层形成照射所述激光的第1基板和第2基板的剥离区域以及未照射所述激光的非剥离区域。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述剥离区域的范围比所述非剥离区域的范围大。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其中，
照射所述激光，对所述剥离区域进行剥离，
在结束了所述激光的照射之后，剥离部对所述非剥离区域进行剥离。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的基板处理方法，其中，
以脉冲状照射所述激光。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述激光吸收层中的与所述激光的入射面相反的一侧的面形成反射膜，
照射于所述激光吸收层的所述激光中的未被该激光吸收层吸收的所述激光被所述反射膜反射。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
被所述反射膜反射了的所述激光被所述激光吸收层吸收。
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