CN114823136A - 陶瓷电子组件 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB1/G1为5或更大，其中，G1是所述晶粒的Si的质量含量，并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。
Description
本申请要求于2021年1月21日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0008811号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种陶瓷电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC，一种陶瓷电子组件)是安装在诸如显示装置(包括液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP))、计算机、智能手机、移动电话等各种类型的电子产品的印刷电路板上的片式电容器，以允许向其中充电和从其中放电。
这种MLCC具有诸如紧凑性、确保高电容和易于安装的优点，可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机、移动装置等的各种电子装置变得越来越小，输出功率越来越高，对多层陶瓷电容器的小型化和更高电容的需求已经增加。
为了实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容，需要通过减小介电层和内电极的厚度来增加介电层和内电极的层数。目前，介电层的厚度已经达到约0.6μm的水平，并且正在进行介电层的减薄。然而，随着介电层的厚度减小，可靠性降低，并且诸如绝缘电阻、击穿电压等的特性降低。
特别是根据用于处理大量数据的应用处理器(AP)的高性能，对多层陶瓷电容器的温度稳定性的需求已经增加。
发明内容
本公开的一方面可提供具有一种具有优异的可靠性的陶瓷电子组件。
本公开的一方面还可提供一种具有优异的高温可靠性的陶瓷电子组件。
根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB1/G1为5或更大，其中，G1是所述晶粒的Si的质量含量，并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。
根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。包含作为主成分的BaTiO3和作为子成分的Dy和Si的所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB2/GB1大于等于1.5且小于等于2.3，其中，GB1是所述晶界的Si的质量含量，并且GB2是所述晶界的Dy的质量含量。
根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极。包含作为主成分的BaTiO3和作为子成分的Mn和Si的所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB3/GB1大于等于0.2且小于等于0.5，其中，GB1是所述晶界的Si的质量含量，并且GB3是所述晶界的Mn的质量含量。
附图说明
通过结合附图以及以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件的示意性立体图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图；
图3是沿着图1的线II-II'截取的截面图；
图4是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件的主体的分解立体图；
图5是图2的P区域的放大图；
图6是使用透射电子显微镜(TEM)扫描的测试编号3的介电层的图像以及Dy、Si和Mn的映射(mapping)图像；
图7A和图7B是沿着图6的箭头进行线形分析的结果；
图8是使用TEM扫描的测试编号1*的介电层的图像以及Dy、Si和Mn的映射图像；以及
图9A和图9B是沿着图8的箭头进行线形分析的结果。
具体实施方式
现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
在附图中，第一方向可被定义为堆叠方向或厚度(T)方向，第二方向可被定义为长度(L)方向，并且第三方向可被定义为宽度(W)方向。
陶瓷电子组件
图1是根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件的示意性立体图。
图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿着图1的线II-II'截取的截面图。
图4是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件的主体的分解立体图。
图5是图2的P区域的放大图。
在下文中，将参照图1至图5详细描述根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件100。另外，多层陶瓷电容器被作为陶瓷电子组件的示例进行描述，但是本公开不限于此，并且本公开可应用于使用陶瓷材料的各种陶瓷电子组件，例如电感器、压电元件、压敏电阻器或热敏电阻器。
根据本公开的示例性实施例的陶瓷电子组件100可包括：主体110，包括介电层111和内电极121和122；以及外电极131和132，设置在主体110上并且连接到内电极121和122。介电层111包含多个晶粒111a和设置在相邻晶粒之间的晶界111b，并且GB1/G1可为5或更大，其中，G1是晶粒的Si的质量含量，并且GB1是晶界的Si的质量含量。
在主体110中，介电层111以及内电极121和122交替堆叠。
对主体110的具体形状没有特别限制，但是如图所示，主体110可具有六面体形状或与其类似的形状。由于包含在主体110中的陶瓷粉末颗粒在烧结工艺期间的缩小(或收缩)，主体110可具有大致六面体形状，但是可不具有带有完美直线的六面体形状。
主体110可具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4、以及连接到第一表面1和第二表面2且连接到第三表面3和第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
形成主体110的多个介电层111处于烧结状态，并且相邻的介电层111可一体化，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下它们之间的边界可能不容易区分。
介电层111包含多个晶粒111a和设置在相邻晶粒之间的晶界111b，并且当晶粒的Si的质量含量为G1并且晶界的Si的质量含量为GB1时，GB1/G1为5或更大。
作为一种陶瓷电子组件的多层陶瓷电容器(MLCC)趋于具有高电容并且趋于变薄。为了实现介电层的减薄，需要一种通过基本上减小介电晶粒的尺寸并且增加介电晶粒的晶界电阻来抑制基本电荷转移的技术。
根据本公开的示例性实施例，可通过控制具有高功函数的Si元素在晶粒111a和晶界111b中的分布来提高可靠性。具体地，可通过将晶界中的Si的质量含量与晶粒中的Si的质量含量的比(GB1/G1)控制为5或更大来增加晶界的能级，从而提高可靠性。
这里，GB1/G1的上限可不受特别限制，例如，GB1/G1可小于6.5。
此外，控制GB1/G1的方法可不受特别限制，例如，可通过控制烧结期间的还原气氛来控制晶界的元素分布和晶界的厚度。
介电层111可包含作为主成分的钛酸钡(BaTiO3)和作为子成分的镝(Dy)、锰(Mn)和硅(Si)。
当将Dy添加到作为主成分的钛酸钡(BaTiO3)中时，Dy取代Ba位点以起施主作用，从而降低氧空位的浓度并提高可靠性。
作为具有可变价(多价)的元素的Mn可用于降低烧结温度并提高高温耐电压特性。另外，当将Mn添加到钛酸钡(BaTiO3)中时，Mn可取代Ti位点。
由于Si具有高功函数，因此当Si分布在晶界中时，Si可增加晶界的能级以提高可靠性。另外，当将Si添加到主成分钛酸钡(BaTiO3)中时，Si可取代Ti位点。
此外，子成分还可包含Ni。
在示例性实施例中，晶界111b的平均厚度可为1.1nm或更大。
如果晶界111b的平均厚度小于1.1nm，则根据控制GB1/G1提高可靠性的效果可能不足。
这里，晶界111b的平均厚度的上限可不受特别限制。例如，晶界的平均厚度可小于3.0nm。
在示例性实施例中，晶粒中包含的Si的质量含量(G1)可为0.4wt％或更少，晶界中包含的Si的质量含量(GB1)可为1.6wt％或更大。这里，G1是基于100wt％的晶粒的值，并且GB1是基于100wt％的晶界的值。也就是说，基于100wt％的晶粒，晶粒中Si质量含量为0.4wt％或更小，并且基于100wt％的晶界，晶界中Si质量含量为1.6wt％或更大。
如果G1大于0.4wt％或GB1小于1.6wt％，则晶粒和晶界之间的能级差可能较小，并且提高可靠性的效果可能不足。
在示例性实施例中，当晶界的Dy的质量含量为GB2时，GB2/GB1可为2.3或更小。GB2是基于100wt％的晶界的值。
如果GB2/GB1超过2.3，则由于晶界的电荷密度增加，可靠性可能劣化。
这里，GB2/GB1的下限可不受特别限制，例如，GB2/GB1可为1.5或更大。
在示例性实施例中，当晶界的Mn的质量含量为GB3时，GB3/GB1可为0.5或更小。GB3是基于100wt％的晶界的值。
如果GB3/GB1超过0.5，则由于晶界的电荷密度增加，可靠性可能降低。
这里，GB3/GB1的下限可不受特别限制，例如，GB3/GB1可为0.2或更大。
根据本公开，可通过控制GB1/G1增加晶界中的Si的分布来增加晶界的能级，并且可通过控制GB2/GB1和/或GB3/GB1使晶界中的施主(donor)和受主(acceptor)的分布减少来提高晶界的耐电压特性，由此可改善高温可靠性特性。
此外，介电层111的厚度td可不受限制。
然而，通常，如果介电层被形成为薄至具有小于0.6μm的厚度，特别是如果介电层的厚度为0.45μm或更小，则可靠性可能劣化。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，由于通过将包含在晶界中的Si的质量含量与包含在晶粒中的Si的质量含量的比(GB1/G1)控制为5或更大，以增加晶界的能级来提高可靠性，因此即使当介电层111的厚度为0.5μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当介电层111的厚度为0.45μm或更小时，根据本公开的提高可靠性的效果可能更显著。
介电层111的厚度td可指设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。
介电层111的平均厚度可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的长度方向-厚度方向(L-T)截面的图像来测量。
例如，对于使用SEM从主体110在第三方向(宽度方向)上的中央部分中获取的第二方向-第一方向(长度方向-厚度方向)截面的图像中提取的特定介电层，可在长度方向上呈相等间隔的30个点处测量特定介电层的厚度，并且可计算所测量的厚度的平均值。
在相等间隔的30个点处测量的厚度可在电容形成部Ac测量，电容形成部Ac是指第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域。
主体110可包括：电容形成部Ac，形成在主体110内部，并且利用设置成彼此面对且介电层111介于其间的第一内电极121和第二内电极122形成电容；以及盖部112和113，在第一方向上形成在电容形成部Ac的上方和下方。
即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
另外，电容形成部Ac是对于形成电容器的电容有贡献的部分，可以通过重复堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于它们之间而形成电容形成部Ac。
盖部112和113可包括在第一方向上设置在电容形成部Ac上方的上盖部112和在第一方向上设置在电容形成部Ac下方的下盖部113。
上盖部112和下盖部113可通过在厚度方向上分别在电容形成部Ac的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可用于防止由于物理应力或化学应力而损坏内电极。
上盖部112和下盖部113可不包括内电极，并且可包含与介电层111的材料相同的材料。
也就是说，上盖部112和下盖部113可包含陶瓷材料，例如，钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。
此外，盖部112和113的厚度可不受限制。然而，盖部112和113的厚度tp可为20μm或更小，以更容易地实现陶瓷电子组件的小型化和高电容。
另外，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac的侧表面上。
边缘部114和115可包括设置在电容形成部Ac的与主体110的第五表面5相对应的侧表面上的边缘部114和设置在电容形成部Ac的与主体110的第六表面6相对应的侧表面上的边缘部115。即，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac在宽度方向上的两个侧表面上。
如图3所示，边缘部114和115可指在主体110的厚度方向-宽度方向(第一方向-第三方向)上截取的截面中，第一内电极121的两端和第二内电极122的两端与主体110的第五表面和第六表面之间的区域。
边缘部114和115可基本上用于防止由于物理应力或化学应力而损坏内电极。
边缘部114和115可通过将导电膏涂覆在陶瓷生片的除了要形成边缘部的区域之外的区域上来形成内电极而形成。
另外，为了抑制由于内电极121和122引起的台阶差，边缘部114和115可通过以下方式形成：在堆叠其上印刷有用于内电极的导电膏的陶瓷生片之后，切割堆叠体以使内电极暴露，随后在电容形成部Ac在宽度方向上的两个侧表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层。
内电极121和122与介电层111交替堆叠。
内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置成彼此面对，且构成主体110的介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图2，第一内电极121可与第四表面4间隔开并且暴露于第三表面3，并且第二内电极122可与第三表面3间隔开并且暴露于第四表面4。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电分离。
参照图4，可通过交替堆叠其上印刷有用于形成第一内电极121的导电膏的陶瓷生片和其上印刷有用于形成第二内电极122的导电膏的陶瓷生片并随后烧结该堆叠体来形成主体110。
用于形成内电极121和122的材料没有特别限制，并且可使用具有优异导电性的材料。例如，内电极121和122可包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)以及它们的合金中的至少一种。
另外，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏来形成，用于内电极的导电膏包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)以及它们的合金中的至少一种。用于内电极的导电膏的印刷方法可为丝网印刷法或凹版印刷法，但是本公开不限于此。
此外，内电极121和122的厚度te可不受特别限制。
然而，通常，如果内电极被形成为薄至具有小于0.6μm的厚度，特别是如果内电极的厚度为0.5μm或更小，则可靠性可能降低。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，由于通过将包含在晶界中的Si的质量含量与包含在晶粒中的Si的质量含量的比(GB1/G1)控制为5或更大，以增加晶界的能级来提高可靠性，因此即使当内电极121和122的厚度为0.50μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当内电极121和122的厚度为0.50μm或更小时，根据本公开的上述效果可更显著，并且可更容易地实现陶瓷电子组件的小型化和高电容。
内电极121和122的厚度te可指内电极121和122的平均厚度。
内电极121和122的平均厚度可通过使用SEM扫描主体110的长度方向-厚度方向(L-T)截面的图像来测量。
例如，在通过扫描在主体110在第三方向(宽度方向)上的中央部分中截取的主体110在第二方向-第一方向(长度方向-厚度方向)上的截面而获得的图像中，可提取特定的第一内电极121或第二内电极122，并且可测量第一内电极121或第二内电极122的在长度方向上呈相等间隔的30个点处的厚度，并且可计算所测量的厚度的平均值。
可在电容形成部Ac中测量相等间隔的30个点，电容形成部Ac是指内电极121和122彼此叠置的区域。
外电极131和132设置在主体110的第三表面3和第四表面4上。
外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131设置在主体110的第三表面3上并且连接到第一内电极121，第二外电极132设置在主体110的第四表面4上并且连接到第二内电极122。
参照图1，外电极131和132可设置为覆盖边缘部114和115在第二方向上的两个端面。
在该示例性实施例中，描述了陶瓷电子组件100具有两个外电极131和132的结构，但是外电极131和132的数量或形状可根据内电极121和122的形状或其他目的而改变。
此外，外电极131和132可利用任何材料(诸如金属)形成，只要该材料具有导电性即可，并且可考虑电特性和结构稳定性来确定具体材料，此外，外电极131和132可具有多层结构。
例如，外电极131和132可包括设置在主体110上的电极层131a和132a以及形成在电极层131a和132a上的镀层131b和132b。
对于电极层131a和132a的更具体的示例，电极层131a和132a可为包含导电金属和玻璃的烧制电极或包含导电金属和树脂的树脂基电极。
另外，电极层131a和132a可具有在主体上依次形成烧制电极和树脂基电极的形式。另外，电极层131a和132a可通过将包含导电金属的片材转印到主体上或通过将包含导电金属的片材转印到烧制电极上来形成。
可使用具有优异的导电性的材料作为包含在电极层131a和132a中的导电金属，并且该材料没有特别限制。例如，导电金属可为镍(Ni)、铜(Cu)以及它们的合金中的一种或更多种。
镀层131b和132b用于改善安装特性。镀层131b和132b的类型不受限制，并且可为包含Ni、Sn、Pd以及它们的合金中的至少一种的镀层，或者可由多个层形成。
对于镀层131b和132b的更具体的示例，镀层131b和132b可包含Ni镀层和/或Sn镀层。Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在电极层131a和132a上，或者Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在电极层131a和132a上。另外，镀层131b和132b可包含多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。
陶瓷电子组件100的尺寸可不受特别限制。
然而，为了实现小型化和高电容两者，需要通过减小介电层和内电极的厚度来增加层数，因此，在具有1005尺寸(长×宽，1.0mm×0.5mm)或更小尺寸的陶瓷电子组件100中，根据本示例性实施例的提高可靠性和绝缘电阻的效果可以是显著的。
因此，当陶瓷电子组件100的长度为1.1mm或更小并且其宽度为0.55mm或更小时，考虑到制造误差和外电极的尺寸，根据本公开的提高可靠性的效果可以更显著。这里，陶瓷电子组件100的长度是指陶瓷电子组件100在第二方向上的尺寸，并且陶瓷电子组件100的宽度是指陶瓷电子组件100在第三方向上的尺寸。
(示例性实施例)
在本公开的示例性实施例中，制备了包含作为主成分的钛酸钡(BaTiO3)并且包含作为子成分的Dy、Si和Mn的介电组合物，并且制备了原型MLCC，在该原型MLCC中，通过使用包含上述介电组合物的陶瓷生片且在烧结期间通过调节还原气氛来控制晶界而形成介电层。
对于测试编号1*、2*和3，在如上所述完成的原型MLCC样品中，测量晶界的厚度以及晶粒和晶界的元素的质量含量并示出在下表1中，并且测量高温绝缘电阻(IR)劣化程度并示出在下表1中。
通过在垂直穿过晶粒之间的晶界的10nm范围内进行线形(line profile)分析测量晶界的厚度，晶界的厚度对应于Si的质量含量的半峰全宽(FWHM)。这里，FWHM指的是呈现为山形分布的曲线中与最大值的1/2相对应的分布的宽度。例如，可通过透射电子显微镜(TEM)进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
晶界的Si、Dy和Mn的质量含量(GB1、GB2和GB3)是在线形分析结果中的晶界中包含的Si、Dy和Mn的质量含量的测量平均值，并且晶粒的Si、Dy和Mn的质量含量(G1、G2和G3)是在线形分析结果中的晶粒中包含的Si、Dy和Mn的质量含量的测量平均值。
对于高温IR劣化程度，每个测试编号制备40个样品片，并且在105℃下将对应于额定电压的1.5倍的电压施加到样品片上72小时。将绝缘电阻降低到小于1kΩ的样品片确定为缺陷片，并计算和示出缺陷片的百分比。
[表1]
测试编号1*和2*的GB1/G1小于5，高温可靠性较差。此外，可以看出，测试编号3的GB1/G1为5或更大，高温可靠性优异。
另外，在测试编号3的情况下，仅22.5％的样品片为缺陷片，除了缺陷片之外的样品片在高温IR劣化评估后具有大于等于10MΩ的绝缘电阻，从而具有优异的高温可靠性。
另外，可以看出，晶界的厚度随着GB1/G1值的增加而增加，并且测试编号3的晶界的厚度为1.1nm或更大。
另外，根据测试编号2*和3，可以看出，随着GB1/G1值的增加，晶界处的Dy/Si的质量含量比(GB2/GB1)和晶界处的Mn/Si的质量含量比(GB3/GB1)降低，并且可以看出，测试编号3的GB2/GB1满足小于等于2.3，并且测试编号3的GB3/GB1满足小于等于0.5。
图6是使用透射电子显微镜(TEM)扫描的测试编号3的介电层的图像以及Dy、Si和Mn的映射图像。图7A和图7B是沿着图6的箭头进行线形分析的结果。图7B是图7A中0wt％至2.0wt％部分的放大图。
图8是使用TEM扫描的测试编号1*的介电层的图像以及Dy、Si和Mn的映射图像。图9A和图9B是沿着图8的箭头进行线形分析的结果。图9B是图9A中0wt％至2.0wt％部分的放大图。
在测试编号1*的情况下，晶界的厚度小，Dy主要分布在晶界处，并且仅非常少量的Mn、Si等分布在晶界处。在这种结构中，由于不能确保晶界的高能级，所以难以确保优异的可靠性。
在测试编号3的情况下，晶界的厚度(为约1.23nm)足够大，分布在晶界中的Si越多，晶界的能级越高，且因为GB2/GB1和GB3/GB1小，因此分布在晶界中的施主和受主少，从而确保优异的高温可靠性特性。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，可提高介电组合物和包含其的陶瓷电子组件的可靠性。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。
Claims (19)
1.一种陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，
其中，所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且GB1/G1为5或更大，其中，G1是所述晶粒的Si的质量含量，并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，所述介电层包含作为主成分的BaTiO3以及作为子成分的Dy、Mn和Si。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶界的平均厚度为1.1nm或更大。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶界的平均厚度小于3.0nm。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶界的平均厚度大于等于1.1nm且小于3.0nm。
6.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，GB1/G1大于等于5且小于6.5。
7.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，相对于100wt％的所述晶粒，G1为0.4wt％或更小，并且相对于100wt％的所述晶界，GB1为1.6wt％或更大。
8.根据权利要求2所述的陶瓷电子组件，其中，GB2/GB1为2.3或更小，其中，GB2是所述晶界的Dy的质量含量。
9.根据权利要求8所述的陶瓷电子组件，其中，GB2/GB1大于等于1.5且小于等于2.3。
10.根据权利要求2所述的陶瓷电子组件，其中，GB3/GB1为0.5或更小，其中，GB3是所述晶界的Mn的质量含量。
11.根据权利要求10所述的陶瓷电子组件，其中，GB3/GB1大于等于0.2且小于等于0.5。
12.根据权利要求10所述的陶瓷电子组件，其中，GB2/GB1为2.3或更小，其中，GB2是所述晶界的Dy的质量含量。
13.一种陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，
其中，包含作为主成分的BaTiO3和作为子成分的Dy和Si的所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且
GB2/GB1大于等于1.5且小于等于2.3，其中，GB1是所述晶界的Si的质量含量，并且GB2是所述晶界的Dy的质量含量。
14.根据权利要求13所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶界的平均厚度大于等于1.1nm且小于3.0nm。
15.根据权利要求13所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶粒的Si的质量含量为G1，相对于100wt％的所述晶粒，G1为0.4wt％或更小，并且
相对于100wt％的所述晶界，GB1为1.6wt％或更大。
16.根据权利要求13所述的陶瓷电子组件，其中，所述介电层还包含作为子成分的Mn，并且
GB3/GB1大于等于0.2且小于等于0.5，其中，GB3为所述晶界的Mn的质量含量。
17.一种陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，
其中，包含作为主成分的BaTiO3和作为子成分的Mn和Si的所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界，并且
GB3/GB1大于等于0.2且小于等于0.5，其中，GB1是所述晶界的Si的质量含量，并且GB3是所述晶界的Mn的质量含量。
18.根据权利要求17所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶界的平均厚度大于等于1.1nm且小于3.0nm。
19.根据权利要求17所述的陶瓷电子组件，其中，所述晶粒的Si的质量含量为G1，相对于100wt％的所述晶粒，G1为0.4wt％或更小，并且
相对于100wt％的所述晶界，GB1为1.6wt％或更大。
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