CN114678218A - 多层电子组件和介电组合物 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。

Description

多层电子组件和介电组合物
本申请要求于2020年12月24日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0183641号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及多层电子组件和介电组合物。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC，一种类型的多层电子组件)是安装在各种类型的电子产品的印刷电路板上并用于充电或放电的片式电容器，所述电子产品包括诸如液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的图像显示装置、计算机、智能电话、移动电话等。
这样的多层陶瓷电容器由于其诸如小型化、高电容和易于安装的优点而可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的电子装置被小型化并以高输出实现，对多层陶瓷电容器的实现小型化和高电容的需求正在增加。
为了实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容，有必要通过减小介电层和内电极的厚度来增加堆叠的介电层和内电极的数量。目前，介电层的厚度已经达到约0.6μm的水平，并且正在进行减薄。
然而，随着介电层的厚度减小，每单位厚度施加的电场变大，因此，可能发生诸如温度升高、有效电容变化率提高、击穿电压降低等的问题，使得存在可靠性降低的担忧。
为了解决这些问题，需要一种不仅在多层陶瓷电容器的结构方面而且在介电层的组成方面能够确保高可靠性的新方法。
如果确保可将当前水平的可靠性进一步提高一个层次的介电组合物，则可制造更薄的多层陶瓷电容器。
发明内容
本公开的一方面在于提供具有优异可靠性的多层电子组件和介电组合物。
本公开的一方面在于提供一种能够实现均匀异常晶粒生长系统的多层电子组件和介电组合物。
本公开的一方面在于提供一种具有降低的耗散因子(DF)和有效电容变化率的多层电子组件和介电组合物。
本公开的一方面在于提供一种具有优异的耐受电压特征和介电常数特性的多层电子组件和介电组合物。
然而，本公开的目的不限于以上描述，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。
根据本公开的一方面，一种介电组合物包括：BaTiO3基主成分和第一副成分，其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，其中，相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物包括BaTiO3基主成分和第一副成分，其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图2示意性地示出了沿图1的线I-I'截取的截面图；
图3示意性地示出了沿图1的线II-II'截取的截面图；
图4是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的主体的分解立体图；
图5是通过扫描电子显微镜(SEM)扫描试验编号1的介电层的截面而获得的图像；
图6是使用粒径测量软件Zootos测量试验编号1的每个介电晶粒的费雷特(feret)直径的照片；
图7是示出试验编号1的介电晶粒的尺寸分布的图；
图8是示出试验编号2的介电晶粒的尺寸分布的图；
图9是示出试验编号3的介电晶粒的尺寸分布的图；以及
图10是示出试验编号4的介电晶粒的尺寸分布的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为限于这里阐述的具体实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在附图中，为了清楚起见，元件的形状和尺寸可能被放大。此外，在附图中，在发明构思的相同范围内具有相同功能的元件将由相同的附图标记表示。
在附图中，将省略不相关的描述以清楚地描述本公开，并且为了清楚地表达多个层和区域，可放大厚度。将使用相同的附图标记来描述在相同构思的范围内具有相同功能的相同元件。在整个说明书中，除非另有具体说明，否则当组件被称为“包括”或“包含”时，其意味着该组件也可包括其他组件，而不是排除其他组件。
在附图中，第一方向可被定义为堆叠方向或厚度(T)方向，第二方向可被定义为长度(L)方向，并且第三方向可被定义为宽度(W)方向。
介电组合物
根据本公开的一些实施例的介电组合物包括BaTiO3基主成分和第一副成分，其中第一副成分包括BaCO3和SiO2，并且相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，而相对于100摩尔％的主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。
通常，已知的是，耗散因子(DF)的提高、有效电容变化率的提高和击穿电压的降低是由于异常晶粒生长伴随的介电晶粒尺寸的分散引起的。
此外，已知的是，液态元素(liquid element)(诸如BaCO3、SiO2等)的添加引起异常晶粒生长。因此，通常，常见的是加入少量的液态元素(诸如BaCO3、SiO2等)。
另一方面，在本公开中，通过添加大量液态元素以同时诱导异常晶粒生长，通过由于晶粒撞击(grain impingement)引起的均匀的晶粒生长(而不是一些晶粒的选择性生长)来确保均匀的微观结构。因此，可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低和击穿电压提高的效果，从而提高多层电子组件的可靠性。
根据本公开的一些实施例，通过添加4.0摩尔％或更多的BaCO3(相对于100摩尔％的主成分的Ti)以及7.0摩尔％或更多的SiO2(相对于100摩尔％的主成分的Ti)，可实现介电晶粒的均匀异常晶粒生长系统。因此，可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低和击穿电压提高的效果，从而提高多层电子组件的可靠性。
在下文中，将更详细地描述根据本公开的一些实施例的介电组合物的每种成分。
a)主成分
根据本公开的一些实施例的介电组合物可包括BaTiO3基主成分。
根据本公开的一些实施例，主成分可包括从由BaTiO3、(Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3(其中，x为0≤x≤0.3，y为0≤y≤0.1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(其中，x为0≤x≤0.3，y为0≤y≤0.5)和Ba(Ti1-yZry)O3(其中，0≤y≤0.5)组成的组中选择的一种或更多种，但不一定限于此。
特别地，当根据小型化和高电容的要求将介电层薄薄地形成至小于0.6μm的厚度时，通常使用100nm或更小的细粉末。因此，发生异常晶粒生长的可能性会增加，并且会难以获得均匀的微观结构。
然而，如下所述，当添加大量液态元素时，可同时引起异常晶粒生长，使得可通过由于晶粒撞击引起的均匀的晶粒生长(而不是一些晶粒的选择性生长)来确保均匀的微观结构。
因此，当主成分粉末的平均粒径为100nm或更小时，实现根据本公开的均匀晶粒生长系统的效果可更有效。
b)第一副成分
根据本公开的一些实施例，介电组合物可包括作为第一副成分元素的BaCO3和SiO2，其中相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，并且相对于100摩尔％的主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。当添加过量的BaCO3和SiO2(液态元素)时，根据温度的晶粒生长行为变慢，烧结窗口可变宽，并且可同时引起异常晶粒生长，使得可通过由于晶粒撞击引起的均匀的晶粒生长(而不是一些晶粒的选择性生长)来确保均匀的微观结构。
因此，可实现介电晶粒的均匀异常晶粒生长系统，并且可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低、击穿电压提高等的效果，从而提高多层电子组件的可靠性。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量小于4.0摩尔％时，或者当相对于100摩尔％的主成分的Ti，SiO2的含量小于7.0摩尔％时，诱导异常晶粒生长的效果可能不足，使得晶粒撞击可能不足，因此可能难以确保均匀的微观结构。
另外，由于BaCO3和SiO2满足上述含量范围，因此烧结后包括在介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层中的介电晶粒的总数的比可以是55％或更大。
在一些实施例中，相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量可以是大于或等于4.0摩尔％且小于或等于5.0摩尔％，并且相对于100摩尔％的主成分的Ti，SiO2的含量可以是大于或等于7.0摩尔％且小于或等于9.5摩尔％。因此，能够在提高可靠性的同时确保高介电常数。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量超过5.0摩尔％时，或者当相对于100摩尔％的主成分的Ti，SiO2的含量超过9.5摩尔％时，可确保更均匀的微观结构，但是介电常数可能降低，这可能导致MLCC中的电容不足。
另外，由于BaCO3和SiO2满足上述含量范围，因此烧结后包括在介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层中的介电晶粒的总数的比可大于或等于55％且小于或等于65％。
此外，根据本公开的一些实施例的介电组合物在室温下的介电常数不受特别限制，但例如室温下的介电常数可以是2000或更高。
c)第二副成分
根据本公开的一些实施例，介电组合物可包括含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物和/或碳酸盐作为第二副成分。
作为第二副成分，相对于100摩尔％的主成分的Ti，可包括含量为0.1摩尔％至2.0摩尔％的包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物和/或碳酸盐。
第二副成分可用于降低烧结温度并改善应用介电组合物的多层陶瓷电容器的高温耐受电压特征。
第二副成分的含量是相对于100摩尔％的主成分的Ti包括的量，并且可具体地定义为副成分中包括的金属离子的摩尔数。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，第二副成分的含量低于0.1摩尔％时，烧结温度可能升高并且高温耐受电压特征可能略微降低。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，第二副成分的含量高于2.0摩尔％时，高温耐受电压特征和室温电阻率可能降低。
特别地，根据本公开的一些实施例的介电组合物可包括含量为0.1摩尔％至2.0摩尔％的第二副成分(相对于100摩尔％的主成分的Ti)，从而能够进行低温烧结并获得高的高温耐受电压特征。
d)第三副成分
根据本公开的一些实施例，介电陶瓷组合物可包括第三副成分，第三副成分包括Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd中的至少一种元素，例如，第三副成分包括从由Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd中的至少一种元素的氧化物和碳酸盐组成的组中选择的一种或更多种。
相对于100摩尔％的主成分的Ti，可包括含量为4.0摩尔％或更少的第三副成分。
第三副成分的含量可以是基于包括在第三副成分中的Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd的含量，而与Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd的形式(诸如氧化物或碳酸盐)无关。
例如，包括在第三副成分中的元素Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd的含量的总和相对于100摩尔％的主成分的Ti可以是4.0摩尔％或更少。
在本公开的一些实施例中，第三副成分可用于防止应用介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器的可靠性劣化。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，第三副成分的含量超过4.0摩尔％时，高温耐受电压特征可能由于产生烧绿石(RE2Ti2O7)第二相(其中RE是Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd中的至少一种元素)而劣化。
e)第四副成分
根据本公开的一些实施例，介电组合物可包括包含Al的氧化物作为第四副成分。
相对于100摩尔％的主成分的Ti，介电组合物还可包括0.5摩尔％或更少的第四副成分，第四副成分是包含Al的氧化物。
第四副成分的含量可以是相对于第四副成分中包含的Al元素的含量，而与添加形式(诸如玻璃、氧化物或碳酸盐)无关。
第四副成分可用于降低烧结温度并改善应用介电组合物的多层陶瓷电容器的高温耐受电压特征。
当相对于100摩尔％的主成分的Ti，第四副成分的含量超过0.5摩尔％时，可能发生诸如烧结性和密度降低以及产生第二相的问题，这不是优选的。
多层电子组件
图1是根据本公开的一些实施例的多层电子组件的示意性立体图。
图2示意性地示出了沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3示意性地示出了沿图1的线II-II'截取的截面图。
图4是示意性地示出根据本公开的一些实施例的多层电子组件的主体的分解立体图。
在下文中，将参照图1至图4详细描述根据本公开的一些实施例的多层电子组件。然而，将省略与上述介电组合物中描述的部分重复的部分，以避免多余的说明。另外，多层陶瓷电容器被描述为多层电子组件的示例。然而，本公开可应用于使用上述介电组合物的各种电子产品，诸如电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等。
根据本公开的一些实施例的多层电子组件100包括：主体110，包括介电层111以及与介电层111交替地设置的内电极121和122；以及外电极131和132，设置在主体110上，其中，包括在介电层111中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层111中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。
主体110形成为使得介电层111与内电极121和122交替地堆叠。
主体110的具体形状没有特别限制，但是如图所示，主体110可具有六面体形状或与六面体形状类似的形状。由于在烧结过程期间包括在主体110中的陶瓷粉末的收缩，主体110可具有大体上六面体形状，但是可不具有包括完全直线的六面体形状。
主体110可具有第一表面1和第二表面2、第三表面3和第四表面4以及第五表面5和第六表面6，第一表面1和第二表面2在第一方向上彼此相对，第三表面3和第四表面4连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对，第五表面5和第六表面6连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在第三方向上彼此相对。
形成主体110的多个介电层111处于烧结状态，并且相邻介电层111可成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以确认它们之间的边界。
介电层111可使用上述介电组合物形成。
包括在介电层111中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层111中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。因此，可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低和击穿电压提高的效果，从而提高多层电子组件的可靠性。
如果包括在介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层111中的介电晶粒的总数的比小于55％，则微观结构是不均匀的，并且存在可靠性可能劣化的担忧。
可从通过用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体的截面(沿第一方向和第二方向切割的截面)的在第一方向和第二方向上的中央而获得的图像中测量尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量的比。
具体地，在使用ZEISS的SEM以50k放大倍率扫描的图像中，通过使用利用Zootos(一种晶粒尺寸测量软件)测量的每个介电晶粒的费雷特(feret)直径作为介电晶粒的尺寸来分析介电晶粒根据尺寸的分布。
在一些实施例中，包括在介电层111中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层中的介电晶粒的总数的比可以大于或等于55％且小于或等于65％。因此，能够在提高可靠性的同时确保高介电常数。
当100nm至250nm的介电晶粒的数量的比超过65％时，存在介电常数可能降低的担忧。
此外，介电层111的厚度td不需要特别限制。
然而，通常，当介电层形成得较薄从而具有小于0.6μm的厚度时，特别是当介电层的厚度为0.45μm或更小时，存在可靠性可能降低的担忧。
如上所述，根据本公开的一些实施例，可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低和击穿电压提高的效果，即使当介电层111的厚度为0.45μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当介电层111的厚度为0.45μm或更小时，可更显著地提高根据本实施例的可靠性改善效果。
介电层111的厚度td可指设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。
介电层111的平均厚度可通过用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的长度方向-厚度方向的截面(L-T截面)来测量。
例如，关于从通过用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面(主体110的在第三方向(宽度方向)上的中央部分切割的在第一方向和第二方向(厚度方向和长度方向)上的截面)而获得的图像中提取的任意介电层，可通过在第二方向上具有相等间隔的30个点处测量介电层111的厚度来测量介电层1112的厚度的平均值。
可在电容形成部A处测量具有相等间隔的30个点，电容形成部A是指内电极121和122彼此叠置的区域。
主体110可包括：电容形成部A，设置在主体110中并且包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122设置成彼此相对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且在电容形成部A中形成电容；以及覆盖部112和113，形成在电容形成部A的上部和下部。
另外，电容形成部A是对电容器的电容形成有贡献的部分，并且可通过重复层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间而形成。
覆盖部112和113可包括上覆盖部112和下覆盖部113，上覆盖部112在第一方向上设置在电容形成部A上方，下覆盖部113在第一方向上设置在电容形成部A下方。
上覆盖部112和下覆盖部113可通过在厚度方向上分别在电容形成部A的上表面和下表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且上覆盖部112和下覆盖部113可用于基本上防止由于物理应力或化学应力而对内电极的损坏。
上覆盖部112和下覆盖部113可不包括内电极，并且可包括与介电层111的材料相同的材料。
也就是说，上覆盖部112和下覆盖部113可包括陶瓷材料，例如钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。
此外，覆盖部112和113的厚度不需要特别限制。然而，覆盖部112和113的厚度tp可以是20μm或更小，以便更容易地实现多层电子组件的小型化和高电容。
另外，边缘部114和115可设置在电容形成部A的侧表面上。
边缘部114和115可包括设置在主体110的第五表面5上的边缘部114和设置在主体110的第六表面6上的边缘部115。也就是说，边缘部114和115可设置在主体110的在宽度方向上的两个侧表面上。
边缘部114和115可表示在主体110的在宽度-厚度(W-T)方向上的截面中第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的表面之间的区域，如图3所示。
边缘部114和115可基本上用于防止由于物理应力或化学应力而损坏内电极。
可通过以下方式来形成边缘部114和115：将导电膏涂覆到陶瓷生片的除了要形成边缘部的部分之外的部分上以形成内电极。
另外，为了抑制由内电极121和122引起的台阶，也可通过以下方式来形成边缘部114和115：在内电极在层叠之后被切割以暴露于主体的第五表面5和第六表面6之后，在电容形成部A的在宽度方向(第三方向)上的两个侧表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层。
内电极121和122交替层叠。
内电极可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置成彼此相对，且构成主体110的介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图2，第一内电极121可与第四表面4间隔开并且通过第三表面3暴露，并且第二内电极122可与第三表面3间隔开并且通过第四表面4暴露。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在它们之间的介电层111彼此电隔离。
参照图4，主体110可通过以下方式来形成：交替层叠其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片，然后烧结。
形成内电极121和122的材料没有特别限制，但是可使用具有优异导电性的材料。例如，可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏(包含钯(Pd)、镍(Ni)、铜(Cu)和它们的合金中的至少一种)来形成内电极121和122。
此外，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏(包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的一种或更多种)来形成。内电极121和122可通过丝网印刷法或凹版印刷法形成，但是本公开不限于此。
此外，内电极的厚度te可不需要特别限制。
然而，通常，当内电极形成为具有小于0.6μm的厚度时，特别是当内电极的厚度为0.45μm或更小时，存在可靠性可能降低的担忧。
如上所述，根据本公开的一些实施例，由于可确保诸如耗散因子(DF)降低、有效电容变化率降低、击穿电压提高等的效果，因此即使当内电极121和122的厚度为0.45μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当内电极121和122的厚度为0.45μm或更小时，可更显著地提高根据本公开的效果，并且可更容易地实现多层电子组件的小型化和高电容。
内电极121和122的厚度te可表示第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
内电极121和122的平均厚度可通过用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度方向和厚度方向(L-T)上的截面来测量。
例如，关于从通过用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在第二方向(L方向)上的中央部分切割的第三方向-第一方向截面(W-T截面)获得的图像中提取的任意第一内电极121和第二内电极122，可通过在第三方向上具有相等间隔的30个点处测量内电极121和122的厚度来测量内电极121和122的厚度的平均值。
可在电容形成部A处测量具有相等间隔的30个点，电容形成部A是指内电极121和122彼此叠置的区域。
外电极131和132设置在主体110上并连接到内电极121和122。
外电极131和132可分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上，并且可包括第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132分别连接到第一内电极121和第二内电极122。
参照图1，外电极131和132可设置为覆盖侧边缘部114和115的在第二方向上的两个端表面。
在本实施例中，描述了多层电子组件100具有两个外电极131和132的结构，但是外电极131和132的数量或形状可根据内电极121和122的形状或其他目的而改变。
此外，外电极131和132可使用诸如金属等的任何材料形成，只要它们具有导电性即可，并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定具体的材料，并且外电极131和132还可具有包括多层的结构。
例如，外电极131和132可包括电极层131a和132a以及镀层131b和132b，电极层131a和132a设置在主体110上，镀层131b和132b形成在电极层131a和132a上。
更具体地，关于电极层131a和132a，例如，电极层131a和132a可以是包括导电金属或玻璃成分的烧结电极，或者是包括导电金属和树脂的树脂基电极。
另外，电极层131a和132a可以以在主体上顺序地形成烧结电极和树脂基电极的这样的方式形成。另外，电极层131a和132a可通过将包括导电金属的片转印到主体上来形成，或者可通过将包括导电金属的片转印到烧结电极上来形成。
具有优异导电性的材料可用作包括在电极层131a和132a中的导电金属，并且没有特别限制。例如，导电金属可包括镍(Ni)、铜(Cu)和它们的合金中的一种或更多种。
镀层131b和132b可用于改善安装特性。镀层131b和132b的类型没有特别限制，并且可以是包括Ni、Sn、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层，并且可利用多个层形成。
对于镀层131b和132b的更具体的示例，镀层131b和132b可以是Ni镀层或Sn镀层，或者可具有在电极层131a和132a上顺序形成Ni镀层和Sn镀层的形式，或者可具有顺序形成Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层的形式。此外，镀层131b和132b也可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。
多层电子组件100的尺寸不需要特别限制。
然而，为了同时实现小型化和高电容，由于需要通过减小介电层和内电极的厚度来增加堆叠的介电层的数量，因此在尺寸为0402(长×宽，0.4mm×0.2mm)或更小的多层电子组件100中，可更显著地改善根据本公开的可靠性和绝缘电阻改善效果。
因此，当多层电子组件100的长度为0.44mm或更小并且宽度为0.22mm或更小时，考虑到制造误差和外电极的尺寸等，可更显著地提高根据本公开的可靠性改善效果。这里，多层电子组件100的长度可指多层电子组件100在第二方向上的最大尺寸，并且多层电子组件100的宽度可指多层电子组件100在第三方向上的最大尺寸。
(示例)
在本公开的示例中，制备包含钛酸钡(BaTiO3)作为主成分并且具有如表1所示的BaCO3和SiO2的含量(相对于100摩尔％的主成分的Ti)的介电组合物，然后制备其中使用包括该介电组合物的陶瓷生片形成介电层的原型多层陶瓷电容器(MLCC)。
对作为如上所述完成的原型多层陶瓷电容器(MLCC)的试样的试验编号1至试验编号4测量的介电常数、DF和有效电容变化率，并在下表1中示出。
有效电容和DF是使用测量装置测量的值，并且介电常数是根据介电厚度和介电晶粒尺寸换算的值。
[表1]
Figure BDA0003206435560000131
Figure BDA0003206435560000141
(*：对比示例)
在试验编号1的情况下，BaCO3的含量小于4.0摩尔％，SiO2的含量小于7.0摩尔％，因此可看出DF和有效电容变化率大，因此可靠性劣化。
另一方面，在试验编号2至试验编号4的情况下，可看出BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，并且SiO2的含量为7.0摩尔％或更多，使得DF和有效电容变化率低，并且可靠性优异。
然而，在试验编号4的情况下，介电常数为1300，略低。因此，为了提高可靠性并确保高介电常数，可能希望BaCO3的含量大于或等于4.0摩尔％且小于或等于5.0摩尔％(相对于100摩尔％的主成分的Ti)，并且SiO2的含量大于或等于7.0摩尔％且小于或等于9.5摩尔％(相对于100摩尔％的主成分的Ti)。
图5示出了使用ZEISS公司的SEM以50k放大倍率扫描的试验编号1的样品片的在第三方向上的中央沿第一方向和第二方向切割的截面的在第一方向和第二方向上的中央部分中的图像。图6是使用粒径测量软件Zootos测量试验编号1的每个介电晶粒的费雷特直径的照片，图7是使用Zootos测量的每个介电晶粒的费雷特直径作为介电晶粒的尺寸，分析试验编号1的介电晶粒根据尺寸的分布的图。
图8至图10分别是分析试验编号2至试验编号4的介电晶粒根据尺寸的分布的图，并且是通过与分析图7的方法相同的方法而获得的图。
参照图7至图10，可看出，随着BaCO3和SiO2含量的增加，介电晶粒的尺寸分布逐渐变得均匀和更小。
此外，总结上表1中的结果，可看出，当包括在介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大时，介电组合物表现出改善的可靠性。
另外，当包括在介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大时，可确认可确保高介电常数，同时提高可靠性。
如上所述，根据本公开的一些实施例，作为本公开的各种效果之一，可改善多层电子组件和介电组合物的可靠性。
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，可在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。

Claims (18)

1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及
外电极，设置在所述主体上，
其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物包括BaTiO3基主成分和第一副成分，
其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，
其中，相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更大，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更大。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比大于或等于55％且小于或等于65％。
4.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物包括BaTiO3基主成分和第一副成分，
其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，
相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，BaCO3的含量大于或等于4.0摩尔％且小于或等于5.0摩尔％，并且
相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量大于或等于7.0摩尔％且小于或等于9.5摩尔％。
5.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述介电组合物还包括第二副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第二副成分包括含量为0.1摩尔％至2.0摩尔％的包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物和/或碳酸盐。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，所述介电组合物还包括第三副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第三副成分包括含量为4.0摩尔％或更少的Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd中的至少一种元素。
7.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述介电组合物还包括第四副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第四副成分包括含量为0.5摩尔％或更少的包含Al的氧化物。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.45μm或更小。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度为0.45μm或更小。
10.一种介电组合物，包括：
BaTiO3基主成分和第一副成分，
其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，
其中，相对于100摩尔％的主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。
11.根据权利要求10所述的介电组合物，其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，BaCO3的含量大于或等于4.0摩尔％且小于或等于5.0摩尔％，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量大于或等于7.0摩尔％且小于或等于9.5摩尔％。
12.根据权利要求10所述的介电组合物，其中，所述主成分的平均粒径为100nm或更小。
13.根据权利要求10所述的介电组合物，其中，所述介电组合物还包括第二副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第二副成分包括含量为0.1摩尔％至2.0摩尔％的包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物和/或碳酸盐。
14.根据权利要求13所述的介电组合物，其中，所述介电组合物还包括第三副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第三副成分包括含量为4.0摩尔％或更少的Y、Dy、Ho、Sm、Gd、Er、La、Ce、Tb、Tm、Yb和Nd中的至少一种元素。
15.根据权利要求14所述的介电组合物，其中，所述介电组合物还包括第四副成分，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，所述第四副成分包括含量为0.5摩尔％或更少的包含Al的氧化物。
16.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层和与所述介电层交替地设置的内电极；以及
外电极，设置在所述主体上，
其中，所述介电层包括介电组合物，所述介电组合物包括BaTiO3基主成分和第一副成分，
其中，所述第一副成分包括BaCO3和SiO2，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，BaCO3的含量为4.0摩尔％或更多，
其中，相对于100摩尔％的所述主成分的Ti，SiO2的含量为7.0摩尔％或更多。
17.根据权利要求16所述的多层电子组件，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比为55％或更大。
18.根据权利要求16所述的多层电子组件，其中，包括在所述介电层中的尺寸为100nm至250nm的介电晶粒的数量相对于包括在所述介电层中的介电晶粒的总数的比大于或等于55％且小于或等于65％。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP5217405B2 (ja) * 2007-12-11 2013-06-19 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
KR20130036594A (ko) * 2011-10-04 2013-04-12 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품
KR101994745B1 (ko) * 2014-12-16 2019-09-30 삼성전기주식회사 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터
KR102089701B1 (ko) 2015-10-21 2020-03-16 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR101751177B1 (ko) * 2016-03-21 2017-06-26 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
US10262796B2 (en) * 2016-08-03 2019-04-16 Tdk Corporation Dielectric composition and electronic component
JP6869677B2 (ja) * 2016-09-27 2021-05-12 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101933420B1 (ko) * 2017-09-29 2018-12-28 삼성전기 주식회사 적층 세라믹 커패시터

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