CN114759151A - 制造显示装置的方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 573
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 73
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 31
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
公开了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极；在第一电极上形成堤层，其中，堤层包括暴露第一电极的至少一部分的开口部分；通过烘烤堤层来形成第一堤层和第二堤层，其中，第二堤层在第一堤层上并且具有拒液性；在第一电极上形成第一层；以及通过烘烤第一堤层和第二堤层来形成第三堤层和第四堤层，其中，第四堤层在第三堤层上并且具有拒液性，其中，第四堤层比第二堤层薄。
Description
本申请要求于2021年1月8日提交的第10-2021-0002586号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的将该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述的一样。
技术领域
发明的实施例总体上涉及一种制造显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经以各种形式增加。显示装置的领域已经迅速地变为薄的、轻的并且能够具有大面积的平板显示(FPD)装置，FPD装置取代了具有大体积的阴极射线管(CRT)。FPD装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置和电泳显示(EPD)装置。
在显示装置之中，有机发光显示装置可以包括包含第一电极、第二电极和发射层的有机发光二极管(OLED)。当向OLED的第一电极和第二电极施加电压时，可以从发射层发射光(例如，可见光)。OLED的发射层可以通过溶液工艺形成在第一电极上。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一个或更多个实施例通过调节堤层的拒液性而包括形成在堤层中以具有均匀厚度的膜。然而，这样的技术问题是示例，并且公开不限于此。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来习知。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：在基底上形成第一电极；在第一电极上形成堤层，其中，堤层包括暴露第一电极的至少一部分的开口部分；通过烘烤堤层来形成第一堤层和第二堤层，其中，第二堤层在第一堤层上并且具有拒液性；在第一电极上形成第一层；以及通过烘烤第一堤层和第二堤层来形成第三堤层和第四堤层，其中，第四堤层在第三堤层上并且具有拒液性，其中，第四堤层比第二堤层薄。
通过烘烤堤层来形成第一堤层和第二堤层可以包括：通过在150℃至250℃下将堤层烘烤8分钟至12分钟来形成第一堤层和第二堤层。
第一堤层可以具有自第一电极的上表面的第一厚度，并且第二堤层可以具有自第一堤层的上表面的第二厚度。
第一层可以具有自第一电极的上表面的第三厚度，并且第三厚度可以等于或小于第一厚度。
通过烘烤第一堤层和第二堤层来形成第三堤层和第四堤层可以包括：通过在150℃至250℃下将第一堤层和第二堤层烘烤13分钟至25分钟来形成第三堤层和第四堤层。
第三堤层可以具有自第一电极的上表面的第四厚度，并且第四堤层可以具有自第三堤层的上表面的第五厚度。
第四厚度可以大于第一厚度。
第二厚度可以大于第五厚度。
所述方法还可以包括：在形成第三堤层和第四堤层之后，在第一层上形成第二层。
第二层可以具有自第一层的上表面的第六厚度，并且第四厚度可以等于或大于第三厚度和第六厚度的总和。
所述方法还可以包括：在形成第二层之后，通过烘烤第三堤层和第四堤层来形成第五堤层和第六堤层，其中，第六堤层可以在第五堤层上并且具有拒液性。
通过烘烤第三堤层和第四堤层来形成第五堤层和第六堤层可以包括：通过在150℃至250℃下将第三堤层和第四堤层烘烤13分钟至25分钟来形成第五堤层和第六堤层。
第五堤层可以具有自第一电极的上表面的第七厚度，并且第六堤层可以具有自第五堤层的上表面的第八厚度。
第七厚度可以大于第四厚度。
第八厚度可以小于第五厚度。
所述方法还可以包括：在形成第五堤层和第六堤层之后，在第二层上形成第三层。
所述方法还可以包括在第一电极上方形成第二电极。
堤层可以具有0.5μm至1.5μm的厚度。
可以通过溶液工艺形成第一层。
第一层可以是空穴注入层、空穴传输层和发射层中的一者。
将要理解的是，前面的常规描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且意图提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分：
图1是示出根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是示出根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图3和图4是示出根据实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图；以及
图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13和图14是示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词，它们是采用在这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图的形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供其中可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地被称为“元件”)可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有居间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
出于描述的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另一(另外的)元件的关系。空间相对术语除了包括在附图中描绘的方位之外，还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述/该”意图也包括复数形式。此外，当术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在这里公开的示例性实施例应不必被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必意图成为限制。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非在这里明确地如此定义。
在下文中，将参照附图描述实施例，并且彼此相同或彼此对应的那些元件在附图中被赋予相同的附图标记。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和布置在显示区域DA周围的外围区域PA。外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的像素P发射的光来提供图像，并且外围区域PA可以是其中不显示图像的非显示区域。
尽管下面描述有机发光显示装置作为根据实施例的显示装置1的示例，但是显示装置不限于此。在实施例中，显示装置1可以是诸如无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)或量子点发光显示装置的显示装置。例如，设置在显示装置1中的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
尽管图1示出了包括平坦显示表面的显示装置1，但是公开不限于此。在实施例中，显示装置1可以包括立体的显示表面或弯曲的显示表面。
当显示装置1包括立体的显示表面时，显示装置1包括指示不同方向的多个显示区域，并且可以包括例如多边形的柱状显示表面。在实施例中，当显示装置1包括弯曲的显示表面时，显示装置1可以以诸如柔性的、可折叠的或可卷曲的显示装置的各种形式实现。
图1示出了可应用于移动电话终端的显示装置1。尽管未示出，但是安装在主板上的电子模块、相机模块、电源模块等与显示装置1一起布置在支架或壳体等中，从而构成移动电话终端。特别地，显示装置1可以应用于诸如电视和监视器的大型电子装置，并且也可以应用于诸如平板个人计算机、车辆导航系统、游戏控制台和智能手表的中小型电子装置。
虽然图1示出了显示装置1的显示区域DA具有四边形形状的情况，但是显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。
显示装置1可以包括布置在显示区域DA中的像素P。像素P中的每个可以包括有机发光二极管。像素P中的每个可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。像素P可以理解为发射如上所述的红色、绿色、蓝色和白色中的一种的光的像素。
图2是根据实施例的显示装置1的示意性平面图。
参照图2，显示装置1可以包括布置在显示区域DA中的像素P。每个像素P可以电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在外围区域PA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL向每个像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115可以通过发射控制线EL向每个像素P提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行，且显示区域DA在第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。在实施例中，布置在显示区域DA中的像素P中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，其他像素P可以电连接到第二扫描驱动电路120。在实施例中，可以省略第二扫描驱动电路120。
第一发射驱动电路115可以在方向x上与第一扫描驱动电路110间隔开并且布置在外围区域PA中。另外，第一发射驱动电路115可以在方向y上与第一扫描驱动电路110交替。
端子140可以布置在基底100的一侧上。端子140可以不被绝缘层覆盖，而是可以暴露并且电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示装置1的端子140。印刷电路板PCB可以将控制器(未示出)的信号或电力传输到显示装置1。由控制器生成的控制信号可以通过印刷电路板PCB分别传输到第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115和第二扫描驱动电路120。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压ELVDD(见图3)和第二电力电压ELVSS(见图3)。可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL向每个像素P提供第一电力电压ELVDD，并且可以向每个像素P的连接到第二电源线170的第二电极提供第二电力电压ELVSS。
数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL提供到每个像素P。
尽管图2示出了布置在印刷电路板PCB上的数据驱动电路150，但是在实施例中，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括沿着方向x平行延伸的第一子线162和第二子线163，且显示区域DA在第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以以具有一侧开口的环形形状部分地围绕显示区域DA。
图3和图4是根据实施例的可以包括在显示装置中的像素的等效电路图。
参照图3，像素电路PC可以连接到有机发光二极管OLED以实现像素的发射。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应给驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被配置为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管图3示出了包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，但是公开不限于此。
参照图4，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6、第二初始化薄膜晶体管T7和存储电容器Cst。
尽管图4示出了针对每个像素电路PC提供的信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是公开不限于此。在实施例中，信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL)和初始化电压线VL中的至少一条可以由相邻的像素电路共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1可以被配置为根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并向有机发光二极管OLED供应驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的源电极可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且还可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且还可以经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的第一电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以通过将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接来使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以执行通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极来使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的第一电极。当操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通时，第一电力电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到有机发光二极管OLED的第一电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过下一扫描线SL+1接收的下一扫描信号Sn+1而导通，以使有机发光二极管OLED的第一电极初始化。
尽管图4示出了分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1的第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，但是公开不限于此。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以均连接到前一扫描线SL-1并且根据前一扫描信号Sn-1驱动。
存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
有机发光二极管OLED的第二电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流并发光。
像素电路PC不限于参照图4所描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计，并且薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计可以各种改变。
图5至图14是根据实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图。
在下文中，将参照图5至图14描述制造显示装置的方法。
参照图5，显示装置1可以包括基底100。基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性的或可弯曲的材料。在实施例中，基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。基底100可以具有上述材料的单层结构或多层结构，并且在多层结构的情况下还可以包括无机层。在实施例中，基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
可以在基底100上形成缓冲层101。缓冲层101可以定位在基底100上以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100的下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，缓冲层101可以具有单层结构或多层结构。
可以在缓冲层101上形成薄膜晶体管TFT。在实施例中，薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134和设置在半导体层134上方的栅电极136、源电极137和漏电极138。
可以在缓冲层101上形成半导体层134。半导体层134可以包括与栅电极136叠置的沟道区131以及布置在沟道区131的两侧上的源区132和漏区133。源区132和漏区133可以具有比沟道区131的杂质浓度高的杂质浓度。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区132和漏区133可以分别电连接到源电极137和漏电极138。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在实施例中，当半导体层134包括氧化物半导体时，半导体层134可以包括选自于包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层134可以是ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。在实施例中，当半导体层134包括硅半导体时，半导体层134可以包括非晶硅(a-Si)或通过使非晶硅(a-Si)结晶而获得的低温多晶硅(LTPS)。
可以在半导体层134上形成第一绝缘层103。第一绝缘层103可以包括选自于包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的组中的至少一种无机绝缘材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第一绝缘层103可以设置为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
可以在第一绝缘层103上形成栅电极136。栅电极136可以以单层或多层包括选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种金属。栅电极136可以连接到被构造为将电信号施加到栅电极136的栅极线。
可以在栅电极136上形成第二绝缘层105。第二绝缘层105可以包括选自于包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的组中的至少一种无机绝缘材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第二绝缘层105可以设置为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
可以在第一绝缘层103上形成存储电容器Cst。存储电容器Cst可以包括下电极144和上电极146。可以在第一绝缘层103上形成下电极144，可以在第二绝缘层105上形成上电极146。下电极144和上电极146可以至少部分地彼此叠置，且第二绝缘层105在下电极144与上电极146之间。
在实施例中，存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136叠置，并且存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136一体地设置。在实施例中，存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136间隔开，并且可以作为单独且独立的元件形成在第一绝缘层103上。
在实施例中，上电极146可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以设置为上述材料的单层或多层。
可以在上电极146上形成第三绝缘层107。第三绝缘层107可以包括选自于包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的组中的至少一种无机绝缘材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第三绝缘层107可以设置为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
可以在第三绝缘层107上形成源电极137和/或漏电极138。源电极137和漏电极138可以通过穿透第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107的接触孔分别电连接到源区132和漏区133。源电极137和/或漏电极138可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。在实施例中，源电极137和/或漏电极138可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的多层结构。
可以在源电极137和/或漏电极138上形成平坦化层113。平坦化层113可以以单层或多层包括包含有机材料或无机材料的膜。在实施例中，平坦化层113可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚(2-甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的商用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰基类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物(或共混物)。在实施例中，平坦化层113可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，在形成平坦化层113之后，可以执行抛光以提供平坦的上表面。
在实施例中，可以在基底100上方形成第一电极210。在实施例中，可以在平坦化层113上形成第一电极210。第一电极210可以通过限定在平坦化层113中的接触孔电连接到源电极137或漏电极138。
第一电极210可以是(半)透射电极或反射电极。第一电极210可以包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其化合物和其混合物的反射膜以及在反射膜上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可以包括选自于包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)的组中的至少一种。第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
在实施例中，可以在第一电极210上方形成发射层(EML)，可以在EML下面形成空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且可以在EML上形成电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
在实施例中，HIL可以促进空穴的注入，并且可以包括但不限于选自于包括HAT-CN、铜酞菁(CuPc)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)和N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)的组中的一种或更多种。
在实施例中，HTL可以包括但不限于具有高空穴迁移率和优异稳定性的三苯胺衍生物(诸如N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB))作为HTL的主体。
在实施例中，EML可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。EML可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
当EML包括低分子量有机材料时，EML可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等的各种有机材料。
当EML包括聚合物有机材料时，EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)类材料、聚芴类材料等的聚合物材料。
在实施例中，ETL可以促进电子的传输，并且可以包括但不限于选自于包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、8-羟基喹啉锂(Liq)、BMB-3T、PF-6P、TPBI、COT和SAlq的组中的一种或更多种。
在实施例中，EIL可以包括但不限于三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq。
参照图6，在基底100上方形成第一电极210的操作之后，可以执行在第一电极210上形成堤层180的操作，堤层180包括暴露第一电极210的至少一部分的开口部分OP。
在实施例中，堤层180可以包括暴露布置在堤层180的一部分下面的第一电极210的至少一部分的开口部分OP。由堤层180的开口部分OP暴露的区域可以被定义为发射区域。发射区域的外周是非发射区域，非发射区域可以围绕发射区域。
在实施例中，堤层180可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酰基树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等的有机绝缘材料。此外，堤层180可以包括具有拒液性(liquid repellency，或者称为“抗液性”或“防液性”)的材料。例如，堤层180可以包括氟基化合物或硅氧烷基化合物。在实施例中，堤层180可以包括氟基团。
在实施例中，堤层180可以具有自平坦化层113的上表面或第一电极210的下表面0.5μm至1.5μm的厚度tl。
参照图7，可以在第一电极210上形成堤层180的操作之后执行烘烤堤层180的操作，堤层180包括暴露第一电极210的至少一部分的开口部分OP。可以通过烘烤堤层180的操作来形成第一堤层180a和第二堤层180b。在实施例中，可以通过烘烤堤层180来形成第一堤层180a和在第一堤层180a上且具有拒液性的第二堤层180b。
在实施例中，堤层180可以包括第一堤层180a和第二堤层180b。就此而言，第一堤层180a可以是堤层180的下部，第二堤层180b可以是堤层180的上部。
在实施例中，堤层180可以包括氟基团，并且堤层180中包括的氟基团可以通过烘烤堤层180的工艺移动(扩散)到堤层180的上部和/或表面。在实施例中，因为堤层180中包括的氟基团通过烘烤工艺移动(扩散)到堤层180的上部和/或表面，所以堤层180的具有高氟基团浓度的部分可以是第二堤层180b，并且堤层180的具有比第二堤层180b的氟基团浓度低的氟基团浓度的部分可以是第一堤层180a。也就是说，堤层180可以包括第一堤层180a和第二堤层180b，第一堤层180a可以包括很少的氟基团，第二堤层180b与第一堤层180a相比可以包括更多的氟基团。因此，第二堤层180b可以具有拒液性。例如，第二堤层180b的表面(例如，上表面和侧表面)可以具有拒液性。
在本说明书中，拒液性指排斥某种溶液并防止溶液很好地渗透到表面的性质。亲液性质指对某种溶液具有优异亲和力的性质。例如，某种溶液可以与拒液表面具有低的表面结合强度，并且可以与亲液表面具有优异的表面结合强度。
在实施例中，烘烤堤层180的操作可以是在150℃至250℃的温度下将堤层180烘烤8分钟至12分钟的操作。当堤层180的烘烤温度小于150℃时，堤层180中包括的氟基团以低速移动(扩散)到堤层180的上部和/或表面，因此，形成第一堤层180a和第二堤层180b的工艺时间会增加。另一方面，当堤层180的烘烤温度大于250℃时，堤层180中包括的氟基团的移动(扩散)速度太高而无法控制氟基团的位置，因此，将要形成在被堤层180至少部分地暴露的第一电极210上的膜的厚度变化会增加。
当堤层180的烘烤时间小于8分钟时，第一堤层180a形成为薄的，因此，将要形成在被堤层180至少部分地暴露的第一电极210上的膜的边缘部分变薄，并且膜的中心部分形成为厚的，这会增加边缘部分与中心部分之间的厚度偏差，从而降低有机发光二极管OLED的发射效率。另一方面，当堤层180的烘烤时间大于12分钟时，第一堤层180a形成为厚的，因此，膜形成在非预期部分(或非目标部分)中，这会导致有机发光二极管OLED中的缺陷。
因此，当在150℃至250℃的温度下将堤层180烘烤8分钟至12分钟时，可以控制堤层180中包括的氟基团向堤层180的上部和表面的移动(扩散)，因此，可以防止或减少将要形成在堤层180中的膜的厚度偏差的发生，并且可以以均匀的厚度形成膜。
参照图8，在烘烤堤层180以形成第一堤层180a和在第一堤层180a上且具有拒液性的第二堤层180b的操作之后，可以执行在第一电极210上形成第一层221的操作。
在实施例中，可以在限定在堤层180中的开口部分OP中在第一电极210上形成第一层221。在实施例中，可以通过溶液工艺在第一电极210上形成第一层221。例如，可以通过喷墨印刷工艺在第一电极210上形成第一层221。
在实施例中，在通过溶液工艺将用于形成第一层221的材料印刷在第一电极210上之后，可以执行干燥材料中包括的溶剂的工艺。
在实施例中，形成在第一电极210上的第一层221的侧表面可以直接接触第一堤层180a的侧表面，并且可以不直接接触第二堤层180b的侧表面。
可以在第一电极210上形成第一层221，以对应于第一电极210。然而，当堤层180不具有拒液性时，用于形成第一层221的材料也会形成(或印刷)在堤层180的上表面和/或堤层180的侧表面上而引起有机发光二极管OLED中的缺陷。当仅堤层180的最上面的部分具有拒液性时，会在堤层180的侧表面上形成(或印刷)用于形成第一层221的材料而引起有机发光二极管OLED中的缺陷。当堤层180的所有部分具有拒液性时，第一层221的中心部分和第一层221的与堤层180相邻的边缘部分之间的厚度偏差会发生，并且由于厚度偏差，有机发光二极管OLED的发射效率偏差会发生。
参照图7和图8，在实施例中，第一堤层180a可以在平坦化层113和第一电极210上，第二堤层180b可以在第一堤层180a上。第一堤层180a可以具有从平坦化层113的上表面到第二堤层180b的底表面的厚度ta。在实施例中，第一堤层180a可以具有在基底100的厚度方向(方向z)上自第一电极210的上表面的第一厚度t1，第二堤层180b可以具有在基底100的厚度方向(方向z)上从第一堤层180a的上表面到第二堤层180b的顶表面的第二厚度t2。在实施例中，第一层221可以具有在基底100的厚度方向(方向z)上自第一电极210的上表面的第三厚度t3。就此而言，第一层221的第三厚度t3可以等于或小于第一堤层180a的第一厚度t1。
在实施例中，通过控制烘烤堤层180的温度和时间来调节堤层180的拒液性，可以在被堤层180至少部分地暴露的第一电极210上以均匀的厚度形成第一层221，并且通过以均匀的厚度形成第一层221，可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。
具体地，在通过烘烤堤层180形成第一堤层180a和具有拒液性的第二堤层180b的工艺期间，通过形成厚度(例如，第一厚度t1)等于或近似于将要在后续工艺中形成的第一层221的厚度(例如，第三厚度t3)的第一堤层180a，可以以均匀的厚度形成将要形成在堤层180中的第一层221，并且通过以均匀的厚度形成第一层221可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。第一堤层180a和第二堤层180b的组合厚度形成为与堤层180的厚度tl基本上相同。
在实施例中，第一层221可以是上述HIL、HTL、EML、ETL和EIL中的至少一者。然而，公开不限于此。
参照图9，可以在第一电极210上形成第一层221的操作之后执行烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的操作。可以通过烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的操作来分别形成第三堤层180c和第四堤层180d。在实施例中，可以通过烘烤第一堤层180a和第二堤层180b来形成第三堤层180c和设置在第三堤层180c上且具有拒液性的第四堤层180d。
在实施例中，可以在第一电极210上形成第一层221的操作之后烘烤第一堤层180a和第二堤层180b。也就是说，在烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的同时，也可以烘烤第一层221。
在实施例中，堤层180可以包括第三堤层180c和第四堤层180d。就此而言，第三堤层180c可以是堤层180的下部，第四堤层180d可以是堤层180的上部。在实施例中，第三堤层180c可以是通过烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的至少一部分形成的层，第四堤层180d可以是通过烘烤第二堤层180b的至少一部分形成的层。
在实施例中，在烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的同时，第二堤层180b中包括的氟基团可以移动(或扩散)到第二堤层180b的上部和/或表面，从而形成第三堤层180c和第四堤层180d。具体地，在烘烤包括第一堤层180a和第二堤层180b的堤层180的同时，堤层180(例如，第二堤层180b)中包括的氟基团可以移动(或扩散)到堤层180(例如，第二堤层180b)的上部和/或表面，从而形成具有拒液性的第四堤层180d并且形成在第四堤层180d下面的第三堤层180c。第三堤层180c可以是不具有拒液性的部分，第四堤层180d可以是具有拒液性的部分。就此而言，第四堤层180d的表面(例如，上表面和侧表面)可以具有拒液性。
在实施例中，第四堤层180d中的氟基团的浓度可以高于第三堤层180c中的氟基团的浓度。例如，第四堤层180d与第三堤层180c相比可以包括更多的氟基团。
在实施例中，烘烤第一堤层180a和第二堤层180b的操作可以是在150℃至250℃的温度下将第一堤层180a和第二堤层180b烘烤13分钟至25分钟的操作。当第一堤层180a和第二堤层180b的烘烤温度小于150℃时，第二堤层180b中包括的氟基团以低速移动(扩散)到第二堤层180b的上部和/或表面，因此，形成第三堤层180c和第四堤层180d的处理时间会增加。另一方面，当第一堤层180a和第二堤层180b的烘烤温度大于250℃时，第二堤层180b中包括的氟基团的移动(扩散)速度太高而无法控制氟基团的位置，因此，将要形成在由堤层180限定的开口部分OP中的膜的厚度变化会增加。
当第一堤层180a和第二堤层180b的烘烤时间小于13分钟时，第三堤层180c是薄的，因此，将要形成在堤层180中的膜的边缘部分是薄的，并且膜的中心部分是厚的，这会增加边缘部分与中心部分之间的厚度偏差，从而降低有机发光二极管OLED的发射效率。另一方面，当第一堤层180a和第二堤层180b的烘烤时间大于25分钟时，第三堤层180c是厚的，因此，膜形成在非预期部分中，这会导致有机发光二极管OLED中的缺陷。
因此，当在150℃至250℃的温度下将堤层180烘烤13分钟至25分钟时，可以控制堤层180(例如，第二堤层180b)中包括的氟基团向堤层180(例如，第二堤层180b)的上部和表面的移动(扩散)，因此，可以防止或减少将要形成在堤层180中的膜的厚度偏差的发生，并且可以以均匀的厚度形成膜。
参照图10，在通过烘烤第一堤层180a和第二堤层180b而形成第三堤层180c和在第三堤层180c上且具有拒液性的第四堤层180d的操作之后，可以执行在第一层221上形成第二层222的操作。
在实施例中，可以在限定在堤层180中的开口部分OP中在第一层221上形成第二层222。在实施例中，可以通过溶液工艺在第一层221上形成第二层222。例如，可以通过喷墨印刷工艺在第一层221上形成第二层222。
在实施例中，在通过溶液工艺将用于形成第二层222的材料印刷在第一层221上之后，可以执行干燥材料中包括的溶剂的工艺。
在实施例中，形成在第一层221上的第二层222可以直接接触第三堤层180c的侧表面，并且可以不直接接触第四堤层180d的侧表面。
参照图9和图10，在实施例中，第三堤层180c可以设置在平坦化层113和第一电极210上，第四堤层180d可以在第三堤层180c上。第三堤层180c可以具有从平坦化层113的上表面到第四堤层180d的底表面的厚度tc。在实施例中，第三堤层180c可以具有在基底100的厚度方向(方向z)上自第一电极210的上表面的第四厚度t4，并且第四堤层180d可以具有在基底100的厚度方向(方向z)上从第三堤层180c的上表面到第四堤层180d的上表面的第五厚度t5。在实施例中，第二层222可以具有在方向z上自第一层221的上表面的第六厚度t6。就此而言，第三堤层180c的厚度(例如，第四厚度t4)可以大于第二层222的厚度(例如，第六厚度t6)。另外，第三堤层180c的厚度(例如，第四厚度t4)可以等于或大于第一层221的厚度(例如，第三厚度t3)与第二层222的厚度(例如，第六厚度t6)的总和。
因此，第三堤层180c的厚度tc可以形成为比第一堤层180a的厚度ta厚。第四堤层180d的第五厚度t5可以形成为比第二堤层180b的第二厚度t2薄。第一堤层180a和第二堤层180b的组合厚度形成为与第三堤层180c和第四堤层180d的组合厚度基本上相同。
在实施例中，通过控制烘烤堤层180的温度和时间来调节堤层180的拒液性，可以以均匀的厚度形成将要形成在堤层180中的第二层222，并且通过以均匀的厚度形成第二层222，可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。
具体地，在通过烘烤堤层180(例如，第一堤层180a和第二堤层180b)形成第三堤层180c和具有拒液性的第四堤层180d的工艺期间，通过形成厚度(例如，第四厚度t4)等于或近似于第一层221的厚度(例如，第三厚度t3)和将要在后续工艺中形成的第二层222的厚度(例如，第六厚度t6)的总和的第三堤层180c，可以以均匀的厚度形成将要形成在堤层180中的第二层222，并且通过以均匀的厚度形成第二层222，可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。
在实施例中，第二层222可以是上述HIL、HTL、EML、ETL和EIL中的至少一者。然而，公开不限于此。
在实施例中，当第一层221形成为HIL时，第二层222可以形成为HTL和EML中的至少一者，当第一层221形成为HTL时，第二层222可以形成为EML。然而，公开不限于此。
参照图8和图10，为了使形成在堤层180中的膜具有均匀的厚度，堤层180的拒液部分的厚度必须随着工艺的进行而逐渐减小，因此，第一堤层180a的厚度(例如，第一厚度t1)可以小于第三堤层180c的厚度(例如，第四厚度t4)，第二堤层180b的厚度(例如，第二厚度t2)可以大于第四堤层180d的厚度(例如，第五厚度t5)。
参照图11，在第一层221上形成第二层222的操作之后，可以执行在第一电极210上方形成第二电极230的操作。
在实施例中，第二电极230可以至少部分地与第一电极210叠置。在实施例中，可以在第一电极210与第二电极230之间设置第一层221和/或第二层222。尽管未示出，但是可以在第一电极210与第二电极230之间进一步设置层。
在实施例中，第二电极230可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，第二电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。可选择地，第二电极230还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上的层(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3)。
在实施例中，顺序堆叠的第一电极210、第一层221、第二层222和第二电极230可以构成有机发光二极管OLED。就此而言，第一层221和/或第二层222可以是HIL、HTL和EML中的至少一者。尽管未示出，但是可以在第一电极210与第二电极230之间进一步形成ETL和/或EIL。
参照图12，可以在第一层221上形成第二层222的操作之后执行烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的操作。可以通过烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的操作来形成第五堤层180e和第六堤层180f。在实施例中，可以通过烘烤第三堤层180c和第四堤层180d来形成第五堤层180e和在第五堤层180e上且具有拒液性的第六堤层180f。
在实施例中，可以在第一层221上形成第二层222的操作之后烘烤第三堤层180c和第四堤层180d。在实施例中，在烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的同时，也可以烘烤第二层222。
在实施例中，堤层180可以包括第五堤层180e和第六堤层180f。就此而言，第五堤层180e可以是堤层180的下部，第六堤层180f可以是堤层180的上部。在实施例中，第五堤层180e可以是通过烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的至少一部分形成的层，第六堤层180f可以是通过烘烤第四堤层180d的至少一部分形成的层。
在实施例中，在烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的同时，第四堤层180d中包括的氟基团可以移动(或扩散)到第四堤层180d的上部和/或表面，从而形成第五堤层180e和第六堤层180f。具体地，在烘烤包括第三堤层180c和第四堤层180d的堤层180的同时，堤层180(例如，第四堤层180d)中包括的氟基团可以移动(或扩散)到堤层180(例如，第四堤层180d)的上部和/或表面，从而形成具有拒液性的第六堤层180f并且形成在第六堤层180f下面的第五堤层180e。第五堤层180e可以是不具有拒液性的部分，第六堤层180f可以是具有拒液性的部分。就此而言，第六堤层180f的表面(例如，上表面和侧表面)可以具有拒液性。在实施例中，第六堤层180f中的氟基团的浓度可以高于第五堤层180e中的氟基团的浓度。例如，第六堤层180f与第五堤层180e相比可以包括更多的氟基团。
在实施例中，烘烤第三堤层180c和第四堤层180d的操作可以是在150℃至250℃的温度下将第三堤层180c和第四堤层180d烘烤13分钟至25分钟的操作。当第三堤层180c和第四堤层180d的烘烤温度小于150℃时，第四堤层180d中包括的氟基团以低速移动(扩散)到第四堤层180d的上部和/或表面，因此，形成第五堤层180e和第六堤层180f的处理时间会增加。另一方面，当第三堤层180c和第四堤层180d的烘烤温度大于250℃时，第四堤层180d中包括的氟基团的移动(扩散)速度太高而无法控制氟基团的位置，因此，将要形成在堤层180中的膜的厚度变化会增加。
当第三堤层180c和第四堤层180d的烘烤时间小于13分钟时，第五堤层180e是薄的，因此，将要形成在堤层180中的膜的边缘部分是薄的，并且膜的中心部分是厚的，这会增加边缘部分与中心部分之间的厚度偏差，从而降低有机发光二极管OLED的发射效率。另一方面，当第三堤层180c和第四堤层180d的烘烤时间大于25分钟时，第五堤层180e是厚的，因此，膜形成在非预期部分中，这会导致有机发光二极管OLED中的缺陷。
因此，当在150℃至250℃下将堤层180烘烤13分钟至25分钟时，可以控制堤层180(例如，第四堤层180d)中包括的氟基团向堤层180(例如，第四堤层180d)的上部和表面的移动(扩散)，因此，可以防止或减少将要形成在堤层180中的膜的厚度偏差的发生，并且可以以均匀的厚度形成膜。
参照图13，在通过烘烤第三堤层180c和第四堤层180d来形成第五堤层180e和在第五堤层180e上且具有拒液性的第六堤层180f的操作之后，可以执行在第二层222上形成第三层223的操作。
在实施例中，可以在限定在堤层180中的开口部分OP中在第二层222上形成第三层223。在实施例中，可以通过溶液工艺在第二层222上形成第三层223。例如，可以通过喷墨印刷工艺在第二层222上形成第三层223。
在实施例中，在通过溶液工艺将用于形成第三层223的材料印刷在第二层222上之后，可以执行干燥材料中包括的溶剂的工艺。
在实施例中，形成在第二层222上的第三层223可以直接接触第五堤层180e的侧表面，并且可以不直接接触第六堤层180f的侧表面。
参照图12和图13，在实施例中，第五堤层180e可以设置在平坦化层113和第一电极210上，第六堤层180f可以在第五堤层180e上。第五堤层180e可以具有从平坦化层113的上表面到第六堤层180f的底表面的厚度te。在实施例中，第五堤层180e可以具有在基底100的厚度方向上自第一电极210的上表面的第七厚度t7，并且第六堤层180f可以具有在基底100的厚度方向上自第五堤层180e的上表面的第八厚度t8。在实施例中，第三层223可以具有在基底100的厚度方向上自第二层222的上表面的第九厚度t9。就此而言，第五堤层180e的厚度(例如，第七厚度t7)可以大于第三层223的厚度(例如，第九厚度t9)。另外，第五堤层180e的厚度(例如，第七厚度t7)可以等于或大于第一层221的厚度(例如，第三厚度t3)、第二层222的厚度(例如，第六厚度t6)和第三层223的厚度(例如，第九厚度t9)的总和。
因此，第五堤层180e的厚度te可以形成为比第三堤层180c的厚度tc厚。第六堤层180f的第八厚度t8可以形成为比第四堤层180d的第五厚度t5薄。第三堤层180c和第四堤层180d的组合厚度形成为与第五堤层180e和第六堤层180f的组合厚度基本上相同。
在实施例中，通过控制烘烤堤层180的温度和时间来调节堤层180的拒液性，可以以均匀的厚度形成将要形成在堤层180中的第三层223，并且通过以均匀的厚度形成第三层223，可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。
具体地，在通过烘烤堤层180(例如，第三堤层180c和第四堤层180d)形成第五堤层180e和具有拒液性的第六堤层180f的工艺期间，通过形成厚度(例如，第七厚度t7)等于或近似于第一层221的厚度(例如，第三厚度t3)、第二层222的厚度(例如，第六厚度t6)和将要在后续工艺中形成的第三层223的厚度(例如，第九厚度t9)的总和的第五堤层180e，可以以均匀的厚度形成将要形成在堤层180中的第三层223，并且通过以均匀的厚度形成第三层223，可以防止或减少有机发光二极管OLED的发射效率偏差的发生。
在实施例中，第三层223可以是上述HIL、HTL、EML、ETL和EIL中的至少一者。然而，公开不限于此。
在实施例中，第一层221可以形成为HIL，第二层222可以形成为HTL，第三层223可以形成为EML。然而，公开不限于此。
参照图10和图13，当在堤层180中形成膜时，堤层180的拒液部分的厚度必须减小，因此，第三堤层180c的厚度(例如，第四厚度t4)可以小于第五堤层180e的厚度(例如，第七厚度t7)，并且第四堤层180d的厚度(例如，第五厚度t5)可以大于第六堤层180f的厚度(例如，第八厚度t8)。
参照图14，可以在第二层222上形成第三层223的操作之后执行在第一电极210上方形成第二电极230的操作。
在实施例中，第二电极230可以至少部分地与第一电极210叠置。在实施例中，可以在第一电极210与第二电极230之间设置第一层221、第二层222和第三层223中的至少一者。尽管未示出，但是可以在第一电极210与第二电极230之间进一步设置ETL和/或EIL。
在实施例中，顺序堆叠的第一电极210、第一层221、第二层222、第三层223和第二电极230可以构成有机发光二极管OLED。就此而言，第一层221、第二层222和第三层223可以分别是HIL、HTL和EML中的至少一者。尽管未示出，但是可以在第一电极210与第二电极230之间进一步形成ETL和/或EIL。
根据上述实施例中的一个或更多个，可以实现一种制造显示装置的方法，由此可以通过调节烘烤堤层的温度和时间来控制堤层的拒液性，并且可以通过控制堤层的拒液性来在堤层中形成具有均匀厚度的膜。然而，公开不被这样的效果限制。
尽管在这里已经描述了某些实施例和实施方式，但是其他实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更宽泛的范围以及如对于本领域普通技术人员将是明显的各种明显的修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成堤层，其中，所述堤层包括暴露所述第一电极的至少一部分的开口部分；
通过烘烤所述堤层来形成第一堤层和第二堤层，其中，所述第二堤层在所述第一堤层上并且具有拒液性；
在所述第一电极上形成第一层；以及
通过烘烤所述第一堤层和所述第二堤层来形成第三堤层和第四堤层，其中，所述第四堤层在所述第三堤层上并且具有拒液性，
其中，所述第四堤层比所述第二堤层薄。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过烘烤所述堤层来形成所述第一堤层和所述第二堤层包括：
通过在150℃至250℃下将所述堤层烘烤8分钟至12分钟来形成所述第一堤层和所述第二堤层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一堤层具有自所述第一电极的上表面的第一厚度，并且所述第二堤层具有自所述第一堤层的上表面的第二厚度，并且
其中，所述第一层具有自所述第一电极的所述上表面的第三厚度，并且所述第三厚度等于或小于所述第一厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过烘烤所述第一堤层和所述第二堤层来形成所述第三堤层和所述第四堤层包括：
通过在150℃至250℃下将所述第一堤层和所述第二堤层烘烤13分钟至25分钟来形成所述第三堤层和所述第四堤层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三堤层具有自所述第一电极的所述上表面的第四厚度，并且所述第四堤层具有自所述第三堤层的上表面的第五厚度，
其中，所述第四厚度大于所述第一厚度，并且
其中，所述第二厚度大于所述第五厚度。
6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述第三堤层和所述第四堤层之后，在所述第一层上形成第二层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二层具有自所述第一层的上表面的第六厚度，并且所述第四厚度等于或大于所述第三厚度和所述第六厚度的总和。
8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述第二层之后，通过烘烤所述第三堤层和所述第四堤层来形成第五堤层和第六堤层，其中，所述第六堤层在所述第五堤层上并且具有拒液性。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过烘烤所述第三堤层和所述第四堤层来形成所述第五堤层和所述第六堤层包括：
通过在150℃至250℃下将所述第三堤层和所述第四堤层烘烤13分钟至25分钟来形成所述第五堤层和所述第六堤层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第五堤层具有自所述第一电极的所述上表面的第七厚度，并且所述第六堤层具有自所述第五堤层的上表面的第八厚度，
其中，所述第七厚度大于所述第四厚度，并且
其中，所述第八厚度小于所述第五厚度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210002586A KR20220100763A (ko) | 2021-01-08 | 2021-01-08 | 표시 장치의 제조 방법 |
| KR10-2021-0002586 | 2021-01-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114759151A true CN114759151A (zh) | 2022-07-15 |
Family
ID=82322516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210010349.8A Pending CN114759151A (zh) | 2021-01-08 | 2022-01-06 | 制造显示装置的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11903263B2 (zh) |
| KR (1) | KR20220100763A (zh) |
| CN (1) | CN114759151A (zh) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5543599B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| WO2014030354A1 (ja) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | パナソニック株式会社 | 有機電子デバイスの製造方法および有機ｅｌデバイスの製造方法 |
| KR20140064328A (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR102024098B1 (ko) | 2013-05-28 | 2019-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN103337594B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
| KR101795428B1 (ko) | 2015-10-30 | 2017-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치의 제조방법 |
| GB201605126D0 (en) | 2016-03-24 | 2016-05-11 | Univ Nottingham | Inhibitors and their uses |
| CN107887423B (zh) | 2017-11-14 | 2019-08-13 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 |
| EP3660907B1 (en) * | 2018-11-28 | 2023-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102206329B1 (ko) | 2020-02-13 | 2021-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20220093713A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
-
2021
- 2021-01-08 KR KR1020210002586A patent/KR20220100763A/ko unknown
- 2021-09-16 US US17/477,465 patent/US11903263B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-06 CN CN202210010349.8A patent/CN114759151A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220223665A1 (en) | 2022-07-14 |
| US11903263B2 (en) | 2024-02-13 |
| KR20220100763A (ko) | 2022-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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