CN114759120A - 墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法 - Google Patents

墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114759120A
CN114759120A CN202210014528.9A CN202210014528A CN114759120A CN 114759120 A CN114759120 A CN 114759120A CN 202210014528 A CN202210014528 A CN 202210014528A CN 114759120 A CN114759120 A CN 114759120A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting element
target substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210014528.9A
Other languages
English (en)
Inventor
安正铉
金范俊
李元镐
任铉德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114759120A publication Critical patent/CN114759120A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J11/00—Devices or arrangements  of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form
    • B41J11/0015—Devices or arrangements  of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form for treating before, during or after printing or for uniform coating or laminating the copy material before or after printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0023—Digital printing methods characterised by the inks used
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
    • B41M5/0047—Digital printing on surfaces other than ordinary paper by ink-jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M7/00—After-treatment of prints, e.g. heating, irradiating, setting of the ink, protection of the printed stock
    • B41M7/0081—After-treatment of prints, e.g. heating, irradiating, setting of the ink, protection of the printed stock using electromagnetic radiation or waves, e.g. ultraviolet radiation, electron beams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/50—Sympathetic, colour changing or similar inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7655—Mechanical means, e.g. for planarising, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7665—Means for transporting the components to be connected
    • H01L2224/76655—Means for transporting the components to be connected in a fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95101—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium
    • H01L2224/95102—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium being a colloidal droplet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95143—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
    • H01L2224/95145—Electrostatic alignment, i.e. polarity alignment with Coulomb charges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请涉及墨水平整设备和制造显示设备的方法。墨水平整设备包括：台，其上设置有目标衬底；基础框架，设置在台的侧部处；移动构件，联接到基础框架并且向上和向下可移动；以及至少一个板，联接到移动构件并且设置为按压目标衬底。发光元件墨水设置在目标衬底上。

Description

墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法
技术领域
本公开涉及墨水平整设备以及使用其制造显示设备的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备的重要性越来越大。因此，正在使用各种类型的显示设备，诸如有机发光显示(OLED)设备和液晶显示(LCD)设备。
显示设备显示图像并且包括显示面板，诸如OLED面板或LCD面板。显示设备可以包括发光显示面板，并且发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为发光材料的有机LED或使用无机材料作为发光材料的无机LED等。
应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的方面提供了能够通过平整喷射到衬底上的发光元件墨水而使发光元件均匀对准的墨水平整设备以及使用该墨水平整设备的显示设备的制造方法。
应当注意，本公开的目的不限于上述目的，并且根据以下描述，本公开的其他目的对于本领域技术人员将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，墨水平整设备可以包括：台，其上设置有目标衬底；基础框架，设置在台的侧部处；移动构件，联接到基础框架并且向上和向下可移动；以及至少一个板，联接到移动构件并且设置为按压目标衬底。发光元件墨水可以设置在目标衬底上。
在实施方式中，移动构件中的每一个可以包括：移动部分，联接到基础框架中的每一个；以及固定部分，联接到移动部分并且设置成固定至少一个板。
在实施方式中，移动构件可以在基础框架的长度方向上向上和向下移动。
在实施方式中，至少一个板可以根据移动构件的向上和向下移动而向上和向下移动，以按压目标衬底。
在实施方式中，至少一个板的尺寸可以大于目标衬底的尺寸。
在实施方式中，至少一个板可以设置为多个。多个板中的每一个的尺寸可以小于目标衬底的尺寸。
在实施方式中，移动构件中的每一个可以包括：移动部分，联接到基础框架中的每一个；支承部分，联接到移动部分并且根据移动部分的移动而移动；以及至少一个固定部分，从支承部分延伸并且设置成固定多个板。
在实施方式中，至少一个固定部分可以设置为多个，并且多个固定部分可以分别联接到多个板。
根据本公开的实施方式，制造显示设备的方法可以包括：在目标衬底上设置包括发光元件的发光元件墨水；通过使板移动来按压目标衬底；通过在目标衬底上形成电场并且在目标衬底上照射紫外光来对准发光元件；以及将板与目标衬底分离。
在实施方式中，按压目标衬底可以包括：将移动构件向下移动到目标衬底，使得联接到移动构件的板接触目标衬底；以及通过板按压目标衬底和发光元件墨水。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一些子像素的剖视图；
图3是示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图；
图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的示意性剖视图；
图5是根据实施方式的发光元件的示意图；
图6是示出根据实施方式的墨水平整设备的示意性立体图；
图7和图8是示出根据实施方式的墨水平整设备的示意性前视图；
图9是示出根据另一实施方式的墨水平整设备的示意性立体图；
图10是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图；
图11至图18是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意图；
图19至图21是示出根据另一实施方式的制造显示设备的方法的示意图；
图22是示出根据又一实施方式的制造显示设备的方法的示意性平面图；
图23是示出针对衬底样品#1的发光元件墨水的流动的图像；
图24是示出针对衬底样品#2的发光元件墨水的流动的图像；
图25是针对显示设备样品#1的显示设备的子像素的发光图像；以及
图26是针对显示设备样品#2的显示设备的子像素的发光图像。
具体实施方式
现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
还应当理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
在附图中，为了便于描述和清楚起见，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的标号始终表示相同的元件。
应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征中的每个可以使用各种技术部分地或整体地彼此组合。每个实施方式可以独立地实施或者可以一起实施。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以结合的意义或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“从…的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或A和B”。
为了易于描述，可在本文中使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，在图中示出的设备被翻转的情况下，定位在另一设备“下方”或“下面”的设备可以放置在另一设备“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。设备还可以定向在其他方向上，并且因此，可以根据定向不同地解释空间相对术语。
短语“在平面图中”意味着从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意味着从侧面观察对象被竖直切割的截面。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
应当理解，当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接联接到上述另一元件，或者可以在它们之间设置居间元件。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在下文中，将参考附图描述具体实施方式。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
参考图1，显示设备10可以显示视频或静止图像。显示设备10可以指提供显示屏的任何电子设备。例如，显示设备10可以包括提供显示屏的电视、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(IoT)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏机、数码相机、便携式摄像机等。
显示设备10可以包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，尽管本公开将无机发光二极管显示面板作为示例进行描述，但是本公开不限于此，并且本公开可以应用于其他显示面板。
为了描述显示设备10，可以在附图中定义第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在平面中彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向。第三方向DR3垂直于第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个。在用于描述显示设备10的实施方式中，第三方向DR3表示显示设备10的厚度方向。
可以以多种方式修改显示设备10的形状。例如，显示设备10在平面图中可以具有这样的矩形形状，该矩形形状具有第一方向DR1上的长边，该长边比第二方向DR2上的边长。作为另一示例，显示设备10在平面图中还可以具有这样的矩形形状，该矩形形状具有第二方向DR2上的长边，该长边比第一方向DR1上的边长。然而，本公开不限于此，并且显示设备10还可以具有其他形状，诸如正方形形状、具有圆角(顶点)的四边形形状、其他多边形形状、圆形形状等。显示设备10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示设备10的整体形状。在图1中，显示设备10和显示区域DPA被示出为具有矩形形状，其中第一方向DR1上的边比第二方向DR2上的边长。
显示设备10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示图像的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。显示区域DPA可以指有效区域，并且非显示区域NDA可以指非有效区域。显示区域DPA通常可以占据显示设备10的中央。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵形式。在平面图中，像素PX中的每个的形状可以是矩形形状或正方形形状，但是本公开不限于此，并且该形状可以是其每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素PX可以交替地布置成条类型或
Figure BDA0003458522300000061
类型。像素PX中的每个可以包括一个或多个发光元件30(参见图2)，发光元件30发射特定波长带的光，从而显示特定颜色。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以设置成与显示区域DPA的四边相邻。非显示区域NDA可以形成显示设备10的边框。在每个非显示区域NDA中，可以设置包括在显示设备10中的线或电路驱动部分，或者可以安装外部设备。
图2是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一些子像素的剖视图。
参考图2，显示设备10的显示区域DPA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个可以是通过其将由显示设备10的发光元件30产生的光发射到显示设备10的外部的区域。
显示设备10可以包括衬底11、缓冲层12、晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
衬底11可以是基础衬底或基础构件，并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，衬底11可以是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性衬底。衬底11可以包括聚酰亚胺(PI)，但是本公开不限于此。光阻挡层BML可以设置在衬底11上。
缓冲层12可以设置在衬底11上。缓冲层12可以由能够防止空气或湿气渗透的无机膜制成。例如，缓冲层12可以包括交替堆叠的无机膜。
晶体管层TFTL可以设置在缓冲层12上。晶体管层TFTL可以包括第一晶体管T1、栅极绝缘层13、第一层间绝缘层15、第二层间绝缘层17和第一平坦化层19。
第一晶体管T1可以设置在缓冲层12上，并且可以构成像素中的每个的像素电路。例如，第一晶体管T1可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。第一晶体管T1可以包括有源层ACT、栅电极G1、源电极SE和漏电极DE。有源层ACT可以包括导电区域ACTa和ACTb以及插置在其之间的沟道区域ACTc。
发光元件层EML可以设置在晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括第一图案BNL1、发光元件30和第二图案BNL2。发光元件30可以设置在第一晶体管T1上。发光元件30可以设置在第一电极和第二电极之间并且连接到第一连接电极和第二连接电极中的每一个。
将在下面参考图3至图5更详细地描述以上描述的晶体管层TFTL和发光元件层EML。
第二平坦化层41可以设置在发光元件层EML上以使发光元件层EML的上端平坦化。第二平坦化层41可以包括有机材料。例如，第二平坦化层41可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
波长转换层WLCL可以包括第一封盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部分WLC1、第二波长转换部分WLC2、透光部分LTU、第二封盖层CAP2和第三平坦化层43。
第一封盖层CAP1可以设置在发光元件层EML的第二平坦化层41上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的下表面。第一封盖层CAP1可包括无机材料。例如，第一封盖层CAP1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。
第一光阻挡构件BK1可以在第一光阻挡区域BA1、第二光阻挡区域BA2和第三光阻挡区域BA3中设置在第一封盖层CAP1上。第一光阻挡构件BK1可以在厚度方向上与第二图案BNL2重叠。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件BK1可以防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3之间穿透，以防止颜色的混合，从而改善颜色再现性(色域)。在平面图中，第一光阻挡构件BK1可以设置成围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的栅格的形式。
第一光阻挡构件BK1可包括有机光阻挡材料和疏液成分(liquid-repellentcomponent)。这里，疏液成分可以包括含氟单体或含氟聚合物，例如，含氟脂族聚碳酸酯。第一光阻挡构件BK1可以包括含有疏液成分的黑色有机材料。第一光阻挡构件BK1可以通过用于包括疏液成分的有机光阻挡材料的涂覆和曝光工艺形成。
通过包括疏液成分，第一光阻挡构件BK1可以根据相应的发光区域将第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU分开。例如，在使用喷墨方法形成第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的情况下，墨水组合物可以在第一光阻挡构件BK1的上表面上流动。通过包括疏液成分，第一光阻挡构件BK1可以引导墨水组合物流入相应的发光区域。因此，第一光阻挡构件BK1可防止墨水组合物混合。
第一波长转换部分WLC1可以在第一发光区域LA1中设置在第一封盖层CAP1上。第一波长转换部分WLC1可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第一波长转换部分WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长变换体WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括具有相对高透光率的材料。第一基础树脂BS1可以由透明有机材料制成。例如，第一基础树脂BS1可以包括诸如环氧基树脂、丙烯酸基树脂、碳基树脂和酰亚胺基树脂的有机材料中的至少一种。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括金属氧化物颗粒，诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(AlxOy)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，或者可以包括诸如丙烯酸基树脂或氨基甲酸乙酯基树脂的有机颗粒。第一散射体SCT1可以在随机方向上散射入射光而不管入射光的入射方向如何，同时基本上不转换入射光的峰值波长。
第一波长变换体WLS1可以将入射光的峰值波长转换或变换到第一峰值波长。例如，第一波长变换体WLS1可以将从显示设备10提供的蓝光转换为红光，该红光具有在约610nm至约650nm的范围内的单个峰值波长。第一波长变换体WLS1可以发射红光。第一波长变换体WLS1可以是量子点、量子杆或磷光体。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的光的颗粒材料。
例如，量子点可以是半导体纳米晶体材料。根据量子点的组成和尺寸，量子点可以具有特定的带隙。因此，量子点可以吸收光，并且然后发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体及其组合。
例如，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括含有上述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层来通过防止核的化学改性以保持半导体特性，并且用作充电层以将电泳特性赋予到量子点。壳可以包括单层或多层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中的元素朝向中心较少集中。量子点的壳可以由金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合制成。
从第一波长变换体WLS1发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。因此，可以进一步改善由显示设备10所显示的颜色的纯度和再现性。从第一波长变换体WLS1发射的光可以在各个方向上发射，而与入射光的入射方向无关。因此，可以改善在第一发光区域LA1中显示的红光的横向可见性。
从发光元件层EML提供的蓝光的一部分可以透射通过第一波长转换部分WLC1，而不被第一波长变换体WLS1转换为红光。在从发光元件层EML提供的蓝光中，在没有被第一波长转换部分WLC1转换的情况下入射到第一滤色器CF1上的光可以被第一滤色器CF1阻挡。在从发光元件层EML提供的蓝光中，由第一波长转换部分WLC1转换的红光可以透射通过第一滤色器CF1并且可以发射到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红光。
第二波长转换部分WLC2可以在第二发光区域LA2中设置在第一封盖层CAP1上。第二波长转换部分WLC2可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第二波长转换部分WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长变换体WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有相对高透光率的材料。第二基础树脂BS2可以由透明有机材料制成。例如，第二基础树脂BS2和第一基础树脂BS1可以包括相同的材料，或者第二基础树脂BS2可以由从第一基础树脂BS1的材料中选择的材料制成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2和第一散射体SCT1可以包括相同的材料，或者第二散射体SCT2可以由从第一散射体SCT1的材料中选择的材料制成。第二散射体SCT2可以在随机方向上散射入射光而不管入射光的入射方向如何，同时基本上不转换入射光的峰值波长。
第二波长变换体WLS2可以将入射光的峰值波长转换或变换到与第一波长变换体WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长变换体WLS2可以将从显示设备10提供的蓝光转换为绿光，绿光具有在从约510nm至约550nm的范围内的单个峰值波长，并且第二波长变换体WLS2可以发射绿光。第二波长变换体WLS2可以是量子点、量子杆或磷光体。第二波长变换体WLS2可以包括具有与第一波长变换体WLS1的材料相同效果的材料。第二波长变换体WLS2可以由量子点、量子杆或磷光体制成，使得第二波长变换体WLS2的波长转换范围不同于第一波长变换体WLS1的波长转换范围。
透光部分LTU可以在第三发光区域LA3中设置在第一封盖层CAP1上。透光部分LTU可以被第一光阻挡构件BK1围绕。透光部分LTU可以透射入射光，同时保持入射光的峰值波长。透光部分LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括具有相对高透光率的材料。第三基础树脂BS3可以由透明有机材料制成。例如，第三基础树脂BS3、第一基础树脂BS1和第二基础树脂BS2可以包括相同的材料，或者第三基础树脂BS3可以由从第一基础树脂BS1或第二基础树脂BS2的材料中选择的材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3的折射率不同的折射率，并且第三散射体SCT3可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以包括与第一散射体SCT1或第二散射体SCT2相同的材料，或者可以由从第一散射体SCT1和第二散射体SCT2的材料中选择的材料制成。第三散射体SCT3可以在随机方向上散射入射光而不管入射光的入射方向如何，同时基本上不转换入射光的峰值波长。
波长转换层WLCL可以直接设置在发光元件层EML的第二平坦化层41上。因此，显示设备10可以不需要用于第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的单独的衬底。因此，第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU可以分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3容易地对准，并且可以相对减小显示设备10的厚度。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2、透光部分LTU以及第一光阻挡构件BK1。例如，第二封盖层CAP2可以密封第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU，以防止对第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU造成损坏或污染。第二封盖层CAP2可以由与第一封盖层CAP1相同的材料制成，或者可以由从第一封盖层CAP1的材料中选择的材料制成。
第三平坦化层43可以设置在第二封盖层CAP2上，以平坦化第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的上端。第三平坦化层43可以包括有机材料。例如，第三平坦化层43可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
滤色器层CFL可以包括第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及保护层PRT。
第二光阻挡构件BK2可以在第一光阻挡区BA1、第二光阻挡区BA2和第三光阻挡区BA3中设置在波长转换层WLCL的第三平坦化层43上。第二光阻挡构件BK2可以在厚度方向上与第一光阻挡构件BK1或第二图案BNL2重叠。第二光阻挡构件BK2可以阻挡光的透射。第二光阻挡构件BK2可以防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3之间穿透，以防止颜色的混合，从而改善颜色再现性(色域)。在平面图中，第二光阻挡构件BK2可以设置成围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的栅格的形式。
第一滤色器CF1可以在第一发光区域LA1中设置在第三平坦化层43上。第一滤色器CF1可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部分WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。红色着色剂可以包括红色染料或红色颜料。
第二滤色器CF2可以在第二发光区域LA2中设置在第三平坦化层43上。第二滤色器CF2可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部分WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。绿色着色剂可以包括绿色染料或绿色颜料。
第三滤色器CF3可以在第三发光区域LA3中设置在第三平坦化层43上。第三滤色器CF3可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光部分LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器并且可以包括蓝色着色剂。蓝色着色剂可以包括蓝色染料或蓝色颜料。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示设备10的外部进入的光的一部分，以减少由于外部光所引起的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由于外部光反射而引起的颜色失真。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以直接设置在波长转换层WLCL的第三平坦化层43上。因此，显示设备10可以不需要用于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独的衬底。因此，可以相对减小显示设备10的厚度。
保护层PRT可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。保护层PRT可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层TFE可以设置在滤色器层CFL的保护层PRT上。封装层TFE可以覆盖显示层的上表面和侧表面。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜以防止氧气或湿气的渗透。封装层TFE可以包括至少一个有机膜，以保护显示设备10不受诸如灰尘的异物的影响。例如，封装层TFE可以具有其中至少一个有机膜堆叠在两个无机膜之间的结构。无机膜可以各自包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅、氟化锂等。有机膜可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、二萘嵌苯基树脂等。然而，封装层TFE的结构不限于上述示例，并且可以以各种方式改变堆叠结构。
在下文中，将使用根据实施方式的显示设备的像素的平面图和剖视图来详细描述晶体管层TFTL和发光元件层EML。
图3是示出根据实施方式的显示设备的像素的平面图。
参考图3，像素PX中的每个可以包括子像素PXn(其中n是从1到3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。作为示例，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，并且子像素PXn可以发射具有相同颜色的光。在图3中，像素PX被示出为包括三个子像素PXn，但不限于此，并且可以包括更多数量的子像素PXn。
显示设备10的子像素PXn中的每个可以包括发光部分EMA和非发光区域(未示出)。发光部分EMA可以是其中设置有发光元件30从而发射具有特定波长带的光的部分，并且非发光区域可以是其中不设置发光元件30并且从发光元件30发射的光不会到达从而不发射光的区域。发光部分EMA可以包括其中设置有发光元件30的区域，并且可以包括与发光元件30相邻并且从发光元件30发射的光通过其发射的区域。
本公开不限于此，并且发光部分EMA还可以包括其中从发光元件30发射的光由于另一构件而被反射或折射以发射的区域。发光元件30可以设置在子像素PXn中的每个中，并且其中设置有发光元件30的区域和与该区域相邻的区域可以形成发射区域。
此外，每个子像素PXn可以包括设置在非发光区域中的切除部分CBA。切除部分CBA可以设置在发光部分EMA的在第二方向DR2上的一侧处。切除部分CBA可以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素PXn的发光部分EMA之间。发光部分EMA和切除部分CBA可以布置在显示设备10的显示区域DPA中。例如，发光部分EMA和切除部分CBA中的每一个可以在第一方向DR1上重复布置，并且发光部分EMA和切除部分CBA可以在第二方向DR2上交替布置。切除部分CBA之间的在第一方向DR1上的间隔距离可以小于发光部分EMA之间的在第一方向DR1上的间隔距离。第二图案BNL2可以设置在切除部分CBA和发光部分EMA之间，并且它们之间的距离可以根据第二图案BNL2的宽度而变化。由于发光元件30不设置在切除部分CBA中，所以光不通过切除部分CBA发射，但是设置在每个子像素PXn中的电极21和22中的一些可以设置在切除部分CBA中。设置在每个子像素PXn中的电极21和22可以设置成在切除部分CBA中彼此分离。
图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的剖视图。图4示出了横穿设置在图3的第一子像素PX1中的发光元件30的两个端部的截面。
与图3一起参考图4，显示设备10可以包括衬底11以及设置在衬底11上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示设备10的电路层和发光元件层。
光阻挡层BML可以设置在衬底11上。光阻挡层BML可以设置成与显示设备10的第一晶体管T1的有源层ACT重叠。光阻挡层BML可以包括阻挡光的材料，从而防止光入射到第一晶体管T1的有源层ACT上。例如，光阻挡层BML可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。然而，本公开不限于此，并且在一些情况下，可以省略光阻挡层BML。光阻挡层BML可以电连接到源电极SE以抑制晶体管的电压变化。光阻挡层BML可以用作线，例如，电力线、数据线或栅极线。
缓冲层12可以完全设置在衬底11(包括光阻挡层BML)上。缓冲层12可以形成在衬底11上，以保护像素PX的第一晶体管T1不受渗透通过衬底11(其易于被湿气渗透)的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以由交替堆叠的无机层形成。例如，缓冲层12可以包括通过交替堆叠无机层形成的多层，无机层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。
半导体层可以设置在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT。半导体层和有源层ACT可以设置成与将在下面描述的第一栅极导电层的栅电极G1等部分地重叠。
在附图中，仅示出了包括在显示设备10的子像素PXn中的第一晶体管T1，但是本公开不限于此。显示设备10可以包括更多数量的晶体管。例如，除了第一晶体管T1之外，显示设备10还可以包括一个或多个晶体管，并且因此可以包括用于每个子像素PXn的两个或三个晶体管。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，每个有源层ACT可以包括导电区域ACTa和ACTb以及插置在其之间的沟道区域ACTc。氧化物半导体可以是包括铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。
在另一实施方式中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过结晶非晶硅形成，并且有源层ACT的导电区域ACTa和ACTb可以是掺杂有杂质的掺杂区域。
栅极绝缘层13可以设置在半导体层和缓冲层12上。栅极绝缘层13可以用作每个晶体管的栅极绝缘膜。栅极绝缘层13可以由无机层形成，无机层包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料，或者栅极绝缘层13可以形成为包括上述无机材料的无机层的堆叠结构。
第一栅极导电层可以设置在栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器的第一电容器电极CSE1。栅电极G1可以设置成在厚度方向上与有源层ACT的沟道区域ACTc重叠。第一电容器电极CSE1可以设置成在厚度方向上与下面将描述的第二电容器电极CSE2重叠。在实施方式中，第一电容器电极CSE1可以连接到栅电极G1并与栅电极G1一体。第一电容器电极CSE1可以设置成在厚度方向上与第二电容器电极CSE2重叠，并且可以在它们之间形成存储电容器。
第一栅极导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金制成。然而，本公开不限于此。
第一层间绝缘层15可以设置在第一栅极导电层上。第一层间绝缘层15可以用作第一栅极导电层和设置在其上的其他层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层15可以设置成覆盖第一栅极导电层并执行保护第一栅极导电层的功能。第一层间绝缘层15可以由无机层形成，无机层包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料，或者第一层间绝缘层15可以形成为包括上述无机材料的无机层的堆叠结构。
第一数据导电层可以设置在第一层间绝缘层15上。第一数据导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极SE和第一漏电极DE、数据线DTL和第二电容器电极CSE2。
第一晶体管T1的第一源电极SE和第一漏电极DE可以分别通过穿过第一层间绝缘层15和栅极绝缘层13的接触孔与有源层ACT的导电区域ACTa和ACTb接触。第一晶体管T1的第一源电极SE可以通过另一个接触孔电连接到光阻挡层BML。
可以通过数据线DTL将数据信号施加到包括在显示设备10中的另一晶体管(未示出)。尽管图中未示出，但是数据线DTL可以连接到另一晶体管的源电极和漏电极，使得从数据线DTL施加的信号可以传输到另一晶体管。
第二电容器电极CSE2可以设置成在厚度方向上与第一电容器电极CSE1重叠。在实施方式中，第二电容器电极CSE2可以与第一源电极SE一体并且连接到第一源电极SE。
第一数据导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金制成。然而，本公开不限于此。
第二层间绝缘层17可以设置在第一数据导电层上。第二层间绝缘层17可以用作第一数据导电层和设置在其上的其他层之间的绝缘膜。第二层间绝缘层17可以覆盖第一数据导电层以执行保护第一数据导电层的功能。第二层间绝缘层17可以由无机层形成，无机层包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机材料，或者第二层间绝缘层17可以形成为包括上述无机材料的无机层的堆叠结构。
第二数据导电层可以设置在第二层间绝缘层17上。第二数据导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。待提供给第一晶体管T1的高电势电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线VL1，并且待提供给第二电极22的低电势电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线VL2。在显示设备10的制造工艺中，用于对准发光元件30所需的对准信号可以施加到第二电压线VL2。
第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层17中的接触孔连接到第二电容器电极CSE2。第二电容器电极CSE2可以与第一晶体管T1的第一源电极SE一体，并且第一导电图案CDP可以电连接到第一源电极SE。第一导电图案CDP也可以接触下面将要描述的第一电极21，并且第一晶体管T1可以通过第一导电图案CDP将从第一电压线VL1施加的第一电源电压传输到第一电极21。在附图中，第二数据导电层被示出为包括一个第二电压线VL2和一个第一电压线VL1，但是本公开不限于此。第二数据导电层可以包括更多数量的第一电压线VL1和更多数量的第二电压线VL2。然而，本公开不限于此，并且第一数据导电层也可以用于传输诸如电源电压的信号，并且可以省略第二数据导电层。
第二数据导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金制成。然而，本公开不限于此。
第一平坦化层19可以设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。
第一图案BNL1、电极21和22、发光元件30、连接电极CNE1和CNE2以及第二图案BNL2可以设置在第一平坦化层19上。绝缘层PAS1、PAS2、PAS3和PAS4可以设置在第一平坦化层19上。
第一图案BNL1可以直接设置在第一平坦化层19上。第一图案BNL1中的每一个在每个子像素PXn中可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，但是可以不延伸到第二方向DR2上的另一相邻的子像素PXn，并且可以设置在发光部分EMA中。第一图案BNL1可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开，并且发光元件30可以设置在它们之间。第一图案BNL1可以针对每个子像素PXn设置成在显示设备10的显示区域DPA中形成线性图案。在附图中示出了两个第一图案BNL1，但是本公开不限于此。根据电极21和22的数量，可以设置更多数量的第一图案BNL1。
第一图案BNL1可以具有其至少一部分从第一平坦化层19的上表面突出的结构。第一图案BNL1的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发射的光可以由设置在第一图案BNL1上的电极21和22反射，并且可以在第一平坦化层19的向上方向上发射。第一图案BNL1可以提供其中设置发光元件30的区域，并且同时可以用作向上反射从发光元件30发射的光的反射分隔壁。第一图案BNL1的侧表面可以以线性形状倾斜，但本公开不限于此。第一图案BNL1可以具有曲化的半圆形或半椭圆形形状的外表面。第一图案BNL1可包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但本公开不限于此。
电极21和22可以设置在第一图案BNL1和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一电极21和第二电极22可以各自在子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，并且可以与切除部分CBA中的其他电极21和22分离。例如，切除部分CBA可以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素PXn的发光部分EMA之间，并且第一电极21和第二电极22可以在切除部分CBA中与设置在第二方向DR2上相邻的子像素PXn中的另一第一电极21和另一第二电极22分离。然而，本公开不限于此，并且针对每个子像素PXn，一些电极21和22可以不分离，并且可以设置成延伸到在第二方向DR2上相邻的子像素PXn，或者针对每个子像素PXn，第一电极21和第二电极22中的仅一个可以分离。
第一电极21可以通过第一接触孔CT1电连接到第一晶体管T1，并且第二电极22可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。例如，第一电极21可以在第二图案BNL2的在第一方向DR1上延伸的部分处通过穿过第一平坦化层19的第一接触孔CT1接触第一导电图案CDP。此外，第二电极22可以在第二图案BNL2的在第一方向DR1上延伸的部分处通过穿过第一平坦化层19的第二接触孔CT2接触第二电压线VL2。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2可以设置在被第二图案BNL2围绕的发光部分EMA中，以不与第二图案BNL2重叠。在另一实施方式中，第二电极22可以直接接触第一数据导电层，并且因此可以向第二电极22施加电压。
在附图中，示出了针对每个子像素PXn设置一个第一电极21和一个第二电极22，但是本公开不限于此，并且可以针对每个子像素PXn设置更多数量的第一电极21和第二电极22。设置在每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22可以不必具有在一个方向上延伸的形状，并且第一电极21和第二电极22可以设置成各种结构。例如，第一电极21和第二电极22可以各自具有部分曲化或弯曲的形状，并且第一电极21和第二电极22中的一个电极可以设置成围绕第一电极21和第二电极22中的另一个电极。
第一电极21和第二电极22中的每一个可以直接设置在第一图案BNL1上。第一电极21和第二电极22中的每一个可以形成为具有比第一图案BNL1的宽度大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22中的每一个可以设置成覆盖第一图案BNL1的外表面。第一电极21和第二电极22中的每一个可以设置在第一图案BNL1的侧表面上，并且第一电极21和第二电极22之间的距离可以小于第一图案BNL1之间的距离。第一电极21和第二电极22中的每一个的至少一部分区域可以直接设置在第一平坦化层19上，以彼此共面。然而，本公开不限于此。在一些情况下，电极21和22中的每一个的宽度可以比第一图案BNL1的宽度小。然而，电极21和22中的每一个可以设置成覆盖第一图案BNL1的至少一个侧表面，以反射从发光元件30发射的光。
电极21和22中的每一个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，作为具有高反射率的导电材料，电极21和22中的每一个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属，或者可以包括具有铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。电极21和22中的每一个可以将从发光元件30发射并且朝向第一图案BNL1的侧表面行进的光在每个子像素PXn的向上方向上反射。
然而，本公开不限于此，并且电极21和22中的每一个还可以包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每一个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等材料。在一些实施方式中，电极21和22中的每一个可以由透明导电材料的一个或多个层和具有高反射率的金属层的堆叠形成，或者可以形成为包括透明导电材料和金属材料的单层。例如，电极21和22中的每一个可以具有堆叠结构，诸如ITO/银(Ag)/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/IZO/IZO。
电极21和22可以电连接到发光元件30并且可以接收预定电压以允许发光元件30发光。电极21和22可以通过连接电极CNE1和CNE2电连接到发光元件30，并且施加到电极21和22的电信号可以通过连接电极CNE1和CNE2传输到发光元件30。
第一电极21和第二电极22中的一个可以电连接到发光元件30的阳极，并且另一个可以电连接到发光元件30的阴极。然而，本公开不限于此，并且相反的情况也是可以的。
此外，电极21和22中的每一个可用于在子像素PXn中形成电场，从而对准发光元件30。由于形成在第一电极21和第二电极22之间的电场，发光元件30可以设置在第一电极21和第二电极22之间。显示设备10的发光元件30可以通过喷墨印刷工艺喷射到电极21和22上。当包括发光元件30的墨水喷射到电极21和22上时，对准信号施加到电极21和22以产生电场。分散在墨水中的发光元件30可以通过接收由在电极21和22之间产生的电场而引起的介电泳力而在电极21和22上对准。
第一绝缘层PAS1可以设置在第一平坦化层19上。第一绝缘层PAS1可以设置成覆盖第一图案BNL1以及第一电极21和第二电极22。第一绝缘层PAS1可以保护第一电极21和第二电极22，并且同时使第一电极21与第二电极22绝缘。可以通过防止设置在第一绝缘层PAS1上的发光元件30与其他构件直接接触而受到损坏。
在实施方式中，第一绝缘层PAS1可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口OP。开口OP中的每一个可以部分地暴露电极21和22中的每一个的设置在第一图案BNL1的上表面上的部分。连接电极CNE1和CNE2中的每一个的一部分可以接触通过开口OP暴露的电极21和22中的每一个。
可以在第一绝缘层PAS1中形成台阶差，使得其上表面的一部分在第一电极21和第二电极22之间凹陷。例如，由于第一绝缘层PAS1设置成覆盖第一电极21和第二电极22，所以第一绝缘层PAS1的上表面可以根据设置在第一绝缘层PAS1下方的电极21和22的形状而台阶化。然而，本公开不限于此。
第二图案BNL2可以设置在第一绝缘层PAS1上。第二图案BNL2可以在显示区域DPA的整个表面上设置成包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分的栅格图案。第二图案BNL2可以设置成跨过子像素PXn的边界，以将相邻的子像素PXn区分开。
此外，第二图案BNL2可以设置成围绕针对每个子像素PXn设置的发光部分EMA和切除部分CBA，以将发光部分EMA和切除部分CBA区分开。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置成与第二图案BNL2的在第一方向DR1上延伸的部分交叉。在第二图案BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分中，设置在发光部分EMA之间的部分的宽度可以大于设置在切除部分CBA之间的部分的宽度。因此，切除部分CBA之间的距离可以小于发光部分EMA之间的距离。
第二图案BNL2可以形成为具有比第一图案BNL1的高度大的高度。第二图案BNL2可以防止墨水在显示设备10的制造工艺的喷墨印刷工艺中溢出到相邻的子像素PXn，从而分离墨水以避免混合，在墨水中，针对不同的子像素PXn，分散有不同的发光元件30。与第一图案BNL1类似，第二图案BNL2可以包括聚酰亚胺(PI)，但本公开不限于此。
发光元件30可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件30设置成在电极21和22中的每一个延伸的第二方向DR2上彼此间隔开，并且可以彼此基本上平行地对准。发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状，并且发光元件30的延伸方向可以基本上垂直于电极21和22中的每一个延伸的方向。然而，本公开不限于此，并且发光元件30可以倾斜地设置而不垂直于电极21和22中的每一个延伸的方向。
设置在每个子像素PXn中的发光元件30可以包括具有不同材料的发光层36(在图5中)，以向外部发射不同波长带的光。因此，第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光可以分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3发射。然而，本公开不限于此，并且子像素PXn可以包括相同类型的发光元件30以发射基本上相同颜色的光。
发光元件30的两个端部可以在第一图案BNL1之间分别设置在电极21和22上。发光元件30的延伸长度可以大于第一电极21和第二电极22之间的距离，并且发光元件30的两个端部可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。例如，发光元件30可以设置成使得一个端部放置在第一电极21上，并且另一端部放置在第二电极22上。
发光元件30可以包括在垂直于衬底11或第一平坦化层19的上表面的方向上设置的层。发光元件30可以设置成使得发光元件30延伸的一个方向平行于第一平坦化层19的上表面，并且包括在发光元件30中的半导体层可以依次设置在平行于第一平坦化层19的上表面的方向上。然而，本公开不限于此，并且在发光元件30具有不同结构的情况下，半导体层可以设置在垂直于第一平坦化层19的上表面的方向上。
发光元件30的两个端部可以分别接触连接电极CNE1和CNE2。例如，绝缘膜38(图5中)可以不形成在发光元件30的在发光元件30延伸的一个方向上的端表面上，半导体层31和32(图5中)或电极层37(图5中)可以部分暴露，并且暴露的半导体层31和32(图5中)或暴露的电极层37(图5中)可以接触连接电极CNE1和CNE2。然而，本公开不限于此，并且绝缘膜38的至少一部分区域可以从发光元件30去除，使得半导体层31和32(在图5中)中的每个的两个端部的侧表面可以部分暴露。半导体层31和32(在图5中)的暴露的侧表面也可以直接接触连接电极CNE1和CNE2。
第二绝缘层PAS2可以部分地设置在发光元件30上。例如，第二绝缘层PAS2可以在发光元件30上设置成具有小于发光元件30的长度的宽度，从而在围绕发光元件30的同时暴露发光元件30的两个端部。在显示设备10的制造工艺中，第二绝缘层PAS2设置成覆盖发光元件30、电极21和22以及第一绝缘层PAS1，并且然后可以去除第二绝缘层PAS2以暴露发光元件30的两个端部。在平面图中，第二绝缘层PAS2设置成在第一绝缘层PAS1上在第二方向DR2上延伸，从而在每个子像素PXn中形成线性或岛状图案。在显示设备10的制造工艺中，第二绝缘层PAS2可以保护发光元件30并且同时固定发光元件30。
连接电极CNE1和CNE2以及第三绝缘层PAS3可以设置在第二绝缘层PAS2上。
连接电极CNE1和CNE2可以具有在一个方向上延伸的形状，并且可以分别设置在电极21和22上。连接电极CNE1和CNE2可以包括设置在第一电极21上的第一连接电极CNE1和设置在第二电极22上的第二连接电极CNE2。连接电极CNE1和CNE2可以设置成彼此间隔开并且彼此面对。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别设置在第一电极21和第二电极22上，并且在第一方向DR1上彼此间隔开。连接电极CNE1和CNE2中的每一个可以在每个子像素PXn的发光部分EMA中形成条纹图案。
连接电极CNE1和CNE2中的每一个可以接触发光元件30。第一连接电极CNE1可以接触发光元件30中的每个的一端部，并且第二连接电极CNE2可接触另一端部。半导体层在发光元件30的延伸方向上的两个端表面处暴露，并且连接电极CNE1和CNE2中的每一个可以接触发光元件30的暴露的半导体层以电连接到发光元件30。接触发光元件30的两个端部的连接电极CNE1和CNE2中的每个的一侧可以设置在第二绝缘层PAS2上。第一连接电极CNE1可以通过暴露第一电极21的上表面的一部分的开口OP接触第一电极21，并且第二连接电极CNE2可以通过暴露第二电极22的上表面的一部分的开口OP接触第二电极22。
连接电极CNE1和CNE2中的每个的在一个方向上测量的宽度可以小于电极21和22中的每个的在一个方向上测量的宽度。连接电极CNE1和CNE2可以设置成分别接触发光元件30的一个端部和另一端部，并且同时覆盖第一电极21和第二电极22中的每一个的上表面的一部分。然而，本公开不限于此，连接电极CNE1和CNE2可以形成为具有比电极21和22中的每一个的宽度大的宽度，以覆盖电极21和22中的每一个的两侧。
连接电极CNE1和CNE2可以包括透明导电材料。例如，连接电极CNE1和CNE2可以包括ITO、IZO、ITZO等。从发光元件30发射的光可以穿过连接电极CNE1和CNE2并且朝向电极21和22行进。然而，本公开不限于此。
在附图中，示出了两个连接电极CNE1和CNE2设置在一个子像素PXn中，但是本公开不限于此。连接电极CNE1和CNE2的数量可以根据针对每个子像素PXn设置的电极21和22的数量而变化。
第三绝缘层PAS3可以设置成覆盖第一连接电极CNE1。基于第二绝缘层PAS2的位置，第三绝缘层PAS3可以设置成覆盖设置有第一连接电极CNE1的部分(包括第一连接电极CNE1)。例如，第三绝缘层PAS3可以设置成覆盖第一连接电极CNE1和设置在第一电极21上的第一绝缘层PAS1。这种布置可以通过在绝缘材料层完全设置在发光部分EMA上之后，部分去除形成第三绝缘层PAS3的绝缘材料层以形成第二连接电极CNE2的工艺来形成。在上述工艺中，形成第三绝缘层PAS3的绝缘材料层可以与形成第二绝缘层PAS2的绝缘材料层一起被去除，并且第三绝缘层PAS3的一侧可以与第二绝缘层PAS2的一侧对准。第二连接电极CNE2的一侧可以设置在第三绝缘层PAS3上，并且第二连接电极CNE2可以与第一连接电极CNE1绝缘，且第三绝缘层PAS3位于第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2之间。
第四绝缘层PAS4可以完全设置在衬底11的显示区域DPA中。第四绝缘层PAS4可以用于保护设置在衬底11上的组件免受外部环境的影响。在其他实施方式中，可以省略第四绝缘层PAS4。
如上所述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4中的每一个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以各自包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlxOy)、氮化铝(AlN)等。在其他实施方式中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以各自包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多(cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于此。
图5是根据实施方式的发光元件的示意图。
参考图5，发光元件30可以是颗粒元件，并且可以具有拥有预定纵横比的杆形状或圆柱形形状。发光元件30可以具有在纳米级(约1nm或更大且小于约1μm)至微米级(约1μm或更大且小于约1mm)的范围内的尺寸。在实施方式中，发光元件30的直径和长度(或高度；参考图5中的h)两者可以具有纳米级的尺寸或微米级的尺寸。在一些其他实施方式中，发光元件30的直径可以具有纳米级的尺寸，并且发光元件30的长度可以具有微米级的尺寸。在一些实施方式中，发光元件30中的一些的直径和/或长度可以具有纳米级的尺寸，并且发光元件30中的另一些的直径和/或长度可以具有微米级的尺寸。
在实施方式中，发光元件30可以是无机发光二极管。例如，发光元件30可以包括掺杂有任意导电类型(例如p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部电源施加的电信号，并且将接收到的电信号发射为波长带的光。
根据实施方式的发光元件30可以包括在长度方向上顺序堆叠的第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37。发光元件30还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32和发光层36的外表面的绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。当发光元件30发射蓝色波长带的光时，第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn、Se等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有作为n型掺杂剂的Si的n-GaN。第一半导体层31可具有在约1.5μm至约5μm的范围内的长度，但本公开不限于此。
第二半导体层32可以设置在下面将要描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体，并且在发光元件30发射蓝色波长带或绿色波长带的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有作为p型掺杂剂的Mg的p-GaN。第二半导体层32可具有在约0.05μm至约0.10μm的范围内的长度，但本公开不限于此。
在附图中，第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为一个层，但是本公开不限于此。根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层，例如，包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
发光层36可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层36包括具有多量子阱结构的材料时，发光层36可以具有其中量子层和阱层交替堆叠的结构。发光层36可以由于响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号而引起的电子-空穴对的复合而发光。当发光层36发射蓝色波长带的光时，发光层36可以包括诸如AlGaN、AlGaInN等的材料。当发光层36具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。例如，发光层36可以包括AlGaInN作为量子层和AlInN作为阱层。如上所述，发光层36可以发射中心波长带在约450nm至约495nm的范围内的蓝光。
然而，本公开不限于此，并且发光层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者根据发射光的波长带包括其他III族至V族半导体材料。由发光层36发射的光不限于蓝色波长带的光，并且在一些情况下，发光层36还可以发射红色波长带或绿色波长带的光。发光层36可以具有在约0.05μm至约0.10μm的范围内的长度，但本公开不限于此。
同时，从发光层36发射的光不仅可以发射到发光元件30的在长度方向上的外表面，而且还可以发射到发光元件30的两个侧表面。从发光层36发射的光的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37也可以是肖特基连接电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。尽管发光元件30在图5中示出为包括一个电极层37，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件30可以包括更多数量的电极层37，或者可以省略电极层37。即使当电极层37的数量变化或者还包括另一结构时，也可以同样地适用下面对发光元件30的描述。
在根据实施方式的显示设备10中，当发光元件30电连接到电极或连接电极时，电极层37可以减小发光元件30和电极之间或发光元件30和连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电材料。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。此外，电极层37可以包括掺杂有n型杂质或p型杂质的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料，但是本公开不限于此。
绝缘膜38可以设置成围绕如上所述的半导体层31和32和电极层37的外表面。例如，绝缘膜38可以设置成至少围绕发光层36的外表面，并且可以在发光元件30延伸的方向上延伸。绝缘膜38可用于保护上述构件。绝缘膜38可以形成为围绕构件的侧表面部分并且暴露发光元件30在长度方向上的两个端部。
在附图中，绝缘膜38被示出为形成为在发光元件30的长度方向上延伸以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面，但是本公开不限于此。由于绝缘膜38仅覆盖包括发光层36的一些半导体层的外表面，或者仅覆盖电极层37的外表面的一部分，因此电极层37的外表面可以部分暴露。绝缘膜38的上表面可以形成为在邻近发光元件30的至少一个端部的区域中的截面为圆形。
绝缘膜38可具有在约10nm至约1.0μm的范围内的厚度，但本公开不限于此。例如，绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
绝缘膜38可以包括绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(AlxOy)等。绝缘膜38可以由单个膜或多层膜形成，单个膜或多层膜由具有绝缘特性的材料制成。因此，可以防止当发光层36与电极直接接触时可能发生的短路，电信号通过该电极传输到发光元件30。此外，由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件30的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。发光元件30可以通过以分散在预定墨水中的状态喷射到电极上来对准。这里，为了保持其中发光元件30分散在墨水中而不与其他相邻发光元件30聚集的状态，可以将绝缘膜38的表面处理成疏水的或亲水的。例如，绝缘膜38的外表面可以用诸如硬脂酸或2,3-萘二甲酸的材料进行表面处理。
在上述显示设备10中，发光元件30可以以分散在预定的发光元件墨水中的状态喷射到衬底11上并且在衬底11上对准。在完成照射紫外线(UV)光的同时执行的发光元件30的对准之后，可以干燥其上喷射有发光元件墨水的衬底11。发光元件墨水可以施加到衬底11的发光部分EMA，使得中央部分处的厚度大于外周边处的厚度。当交流(AC)电压施加到电极21和22以对准发光元件30时，由于AC电压而在发光元件墨水中产生渗透流(osmoticflow)。随着发光元件墨水的厚度减小，渗透流的速度增加，使得发光元件30可以被进一步推出到外周边。因此，发光元件30可以在发光部分EMA的外周边处聚集，从而降低对准程度。
在下文中，将描述能够通过平整发光元件墨水的厚度并均匀地对准发光元件30来改善对准程度的墨水平整设备。
图6是示出根据实施方式的墨水平整设备的立体图。图7和图8是示出根据实施方式的墨水平整设备的前视图。
参考图6至图8，根据实施方式的墨水平整设备100可以包括台110、基础框架120、板130和移动构件140。墨水平整设备100可以使用板130按压其上喷射有预定的发光元件墨水的目标衬底150，以平整所喷射的发光元件墨水。
台110可以提供其中放置目标衬底150的区域。台110可以设置有诸如表面板的平面桌面，目标衬底150可以放置在平面桌面处。在附图中，台110被示出为具有固定结构，但是在一些实施方式中，台110可以沿着轨道移动。
基础框架120可以在台110的两侧上设置成在第一方向DR1上彼此间隔开，并且在第三方向DR3上延伸。配置成固定板130的移动构件140可联接到基础框架120以支承它们。基础框架120可具有固定到台110两侧的结构，但在一些实施方式中，基础框架120中的每一个可沿轨道在第二方向DR2上水平移动。基础框架120各自被示出为形成为棒形状，但是本公开不限于此，并且可以由地板牢固地支承的任何形状(诸如，结合多个棒的梯子形状)均为适用的。
板130的两侧可以分别固定到移动构件140，移动构件140分别联接到基础框架120的两侧。板130按压目标衬底150以平整喷射到目标衬底150上的墨水。墨水平整设备100可以执行将包括发光元件的墨水喷射到目标衬底150上并且在用板130按压目标衬底150的同时对准发光元件的工艺。在对准发光元件的工艺中，UV光可以连续地照射到目标衬底150以激活发光元件的偶极矩。板130可以由透明材料制成，使得UV光通过板130照射到目标衬底150。板130可具有刚性性质以按压目标衬底150。例如，板130可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯酸酯(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等制成。然而，本公开不限于此，并且板130可以由各种材料制成，只要这些材料是刚性和透明的即可。
移动构件140可以各自包括移动部分145和固定部分147，移动部分145联接到基础框架120并且在竖直方向上可移动，固定部分147设置在移动部分145的端部处以固定板130。移动部分145可以在基础框架120的长度方向上向上和向下移动。移动部分145可沿基础框架120在第三方向DR3上移动。固定部分147可以固定到移动部分145，并且根据移动部分145的移动在第三方向DR3上移动。固定部分147可以固定板130，使得板130也可根据移动部分145的移动在第三方向DR3上移动。
在实施方式中，基础框架120可以分别设置在台110的两侧上，并且每个基础框架120可以包括移动构件140。板130的一侧和另一侧可以分别固定到基础框架120的固定部分147。设置在基础框架120中的移动构件140可以彼此同步，并且因此可以以相同的方式移动。例如，固定部分147可以同时向下移动以靠近台110，或者可以同时向上移动以远离台110。因此，墨水平整设备100可以根据板130的向上和向下运动来按压放置在台110上的目标衬底150，从而平整喷射到目标衬底150上的墨水。
图9是示出根据另一实施方式的墨水平整设备的立体图。
参考图9，该实施方式与以上参考图6至图8描述的实施方式的不同之处在于，墨水平整设备100包括固定部分147和多个板130。在下文中，将详细描述不同的组件，并且将省略相同组件的描述。
根据实施方式的墨水平整设备100可以包括设置在基础框架120中的移动构件140。移动构件140可以各自包括移动部分145、联接到移动部分145的支承部分148以及各自从支承部分148延伸的固定部分147。
支承部分148可以用于支承固定部分147，并且可以联接到移动部分145。支承部分148可以在第二方向DR2上延伸，并且固定部分147可以各自设置成在第一方向DR1上从支承部分148突出。固定部分147可以设置成在第二方向DR2上以规则的间隔彼此间隔开。在另一实施方式中，固定部分147可以设置为一体的，并且在第一方向DR1上从支承部分148突出。
墨水平整设备100可以包括板130。在以上描述的图6中设置了单个板130，并且在图9的实施方式中可以设置多个板130。板130可针对每个区域均匀地按压目标衬底150，使得可向目标衬底150的每个区域施加均匀的压力。板130的两侧可以固定到相应的固定部分147，并且可以通过移动部分145的移动而移动。每个固定部分147可以以一对一的方式联接到板130中的一个的一侧。
上述墨水平整设备100可以通过在将墨水喷射到目标衬底150上之后按压目标衬底150来平整包括发光元件的墨水。在下文中，将详细描述使用根据实施方式的墨水平整设备100制造显示设备的方法。
图10是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图。图11至图18是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的图。
参考图10，根据实施方式的制造显示设备的方法可以包括准备目标衬底(S100)、将发光元件墨水喷射到目标衬底上(S200)、使用墨水平整设备的板按压目标衬底(S300)、在目标衬底上产生电场并且照射UV光以对准发光元件(S400)以及去除板(S500)。
与图10一起参考图11，准备目标衬底150(S100)。第一电极21、第二电极22、第一绝缘层PAS1、第一图案BNL1和第二图案BNL2可以设置在目标衬底150上。在附图中，示出了一个电极对设置在目标衬底150上，但是可以在目标衬底150上设置更多数量的电极对。除了上述显示设备10的衬底11之外，目标衬底150还可以包括设置在衬底11上的电路元件。在下文中，为了便于描述，将省略衬底11和电路元件。
参考图12，将发光元件墨水200喷射到目标衬底150上(S200)。发光元件墨水200可以包括溶剂220和分散在溶剂220中的发光元件30。发光元件30可以均匀地分散在溶剂220中。
在实施方式中，可以使用喷墨印刷设备通过印刷工艺将发光元件墨水200喷射到第一绝缘层PAS1上。可以通过包括在喷墨印刷设备中的喷墨头的喷嘴喷射发光元件墨水200。从喷嘴排出的发光元件墨水200可以安置在设置在目标衬底150上的、其上形成有电极21和22的第一绝缘层PAS1上。发光元件30可以各自具有在一个方向上延伸的形状，并且可以以发光元件墨水200延伸的方向具有随机取向方向的状态下分散。在将发光元件墨水200喷射到第一绝缘层PAS1上的情况下，可以将发光元件墨水200施加到第二图案BNL2内，而不溢出第二图案BNL2。
如附图中所示，发光元件墨水200可以具有其中央部分是凸形的形状，并且厚度朝向外周边而变得更小。在随后的工艺中，当将AC电压施加到电极21和22以对准发光元件30时，由于AC电压在墨水中产生渗透流。随着墨水的厚度减小，渗透流的速度增加，使得发光元件30可以被进一步推出到外周边。因此，发光元件30可以在外周边处聚集。当发光元件30非均匀对准时，一个子像素内的发光可能变得不均匀。
在实施方式中，可以使用墨水平整设备100来使发光元件墨水200的厚度均匀。
与图6一起参考图13至图15，使用墨水平整设备100的板130按压目标衬底150(S300)。
调整墨水平整设备100，并且将板130和目标衬底150对准。移动构件140的移动部分145向下移动，以使固定到固定部分147的板130与目标衬底150接触。可以使板130与设置在目标衬底150上的第二图案BNL2的上表面接触。喷射到目标衬底150上的发光元件墨水200也可以接触板130。板130可以形成为具有比目标衬底150更大的尺寸，以完全覆盖目标衬底150。
随后，墨水平整设备100的移动部分145进一步向下移动，使得板130压靠在目标衬底150上。当通过与第二图案BNL2的上表面接触的板130按压时，取决于按压的距离，第二图案BNL2的高度可以通过来自板130的压力而减小。板130可以不接触形成在目标衬底150上的第一绝缘层PAS1，从而避免损坏形成在目标衬底150上的组件。在实施方式中，第一绝缘层PAS1和第二图案BNL2的上表面之间的距离可以形成在约0.4至约0.5μm的范围内，并且板130所按压的距离可以在约0.1至约0.3μm的范围内。
板130可以接触发光元件墨水200，并且可以按压和分散第二图案BNL2之间的发光元件墨水200。板130可以阻挡第二图案BNL2之间的上部分，并且可以横向分散发光元件墨水200，同时防止发光元件墨水200跨越第二图案BNL2流动。
在实施方式中，可以基于发光元件墨水200的量通过板130按压喷射在第二图案BNL2之间的发光元件墨水200。如下面的等式1中所示，发光元件墨水200的量可以通过将每滴的墨水体积乘以墨水的滴数来获得，并且该结果可以等于通过将子像素的面积乘以通过板130按压之后的第二图案BNL2的厚度而获得的结果。
[等式1]
Figure BDA0003458522300000341
通过板130按压之后的第二图案BNL2的厚度是通过从距第一绝缘层PAS1的上表面的第二图案BNL2的初始高度减去板130按压的距离而获得的值。
如上所述，通过调节喷射到子像素上的发光元件墨水200的量，当通过板130按压时，可以防止发光元件墨水200由于所施加的压力而跨越第二图案BNL2溢出到相邻的子像素，或者防止内部组件层由于所施加的压力而受到损坏。
参考图16，通过板130的按压，发光元件墨水200可以通过在第二图案BNL2之间铺展成均匀的厚度而平整。
随后，在目标衬底150上产生电场并照射UV光以对准发光元件30(S400)。在其中由于板130而保持压力的目标衬底150上对准UV照射设备UVD并且照射UV光。UV光可以激活发光元件30的偶极矩，以允许发光元件30通过所产生的电场容易地对准。
将对准信号施加到电极21和22以在目标衬底150上产生电场。分散在溶剂220中的发光元件30可以经受由电场引起的介电泳力，并且可以在改变发光元件30的取向方向和位置的同时设置在电极21和22上。
当在目标衬底150上产生电场时，发光元件30可以接收介电泳力。当在目标衬底150上产生的电场与目标衬底150的上表面平行地产生时，发光元件30可以布置成使得发光元件30延伸的方向平行于目标衬底150，并且设置在第一电极21和第二电极22上。发光元件30可以各自通过介电泳力从初始散布位置朝向电极21和22移动。发光元件30中的每个的两个端部可以在通过电场改变其位置和取向方向的同时设置在第一电极21和第二电极22上。发光元件30中的每个可以包括掺杂有不同导电类型杂质的半导体层，并且可以具有形成在其中的偶极矩。当具有偶极矩的发光元件30位于电场中时，发光元件30可以通过接收介电泳力而对准，使得其两个端部分别设置在电极21和22上。
当将AC电压施加到电极21和22以对准发光元件30时，由于AC电压，在发光元件墨水200中产生流动。随着发光元件墨水200的厚度减小，流速增加，使得发光元件30可以进一步被推出到外周边。在实施方式中，将发光元件墨水200平整到具有均匀厚度可以防止由于因AC电压引起的流动而形成被推出到外周边的发光元件30的聚集。因此，发光元件30可以均匀地分布和对准。
参考图17，去除板130(S500)。在完成对准发光元件30的工艺之后，向上移动墨水平整设备100的板130，并且将板130与目标衬底150分离和去除。也可以分离和去除UV照射设备UVD。
随后，对目标衬底150进行热处理以去除发光元件溶剂。可以在能够调节内部压力的室中执行热处理工艺。室可以调节设备中的内部压力，并且在调节压力的同时将热量辐射到目标衬底150上，从而除去发光元件溶剂。在制造显示设备10的方法中，可以通过在低压环境中执行热处理来完全除去发光元件溶剂。根据一个实施方式，在约10-4托至约1托的压力下在约25℃至约150℃的温度范围内执行去除发光元件溶剂的工艺。当在压力范围内执行热处理工艺时，发光元件溶剂的沸点也降低，从而可以更容易地去除溶剂。在室中执行的热处理工艺可以进行1分钟至30分钟。然而，本公开不限于此。
在去除发光元件溶剂之后，可以在目标衬底150上形成第一连接电极CNE1、第二绝缘层PAS2、第二连接电极CNE2和第三绝缘层PAS3。
参考图18，将绝缘材料堆叠在其上设置有第一绝缘层PAS1和发光元件30的目标衬底150上，并且被图案化以形成覆盖发光元件30的一部分的第二绝缘层PAS2，并且在形成第二绝缘层PAS2的同时形成暴露电极21和22中的每一个的开口OP。将电极材料层堆叠在目标衬底150上并且被图案化以形成第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1与发光元件30的一个端部接触，同时通过开口OP接触第一电极21。随后，将绝缘材料堆叠在目标衬底150上并且被图案化以形成覆盖第一连接电极CNE1并暴露发光元件30的另一端部的第三绝缘层PAS3。将电极材料层堆叠在目标衬底150上并且被图案化以形成第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2与发光元件30的另一端部接触，同时通过开口OP与第二电极22接触。此后，在目标衬底150上形成第四绝缘层PAS4，从而制造根据实施方式的显示设备。
如上所述，在根据实施方式的制造显示设备的方法中，在喷射发光元件墨水之后，在使用墨水平整设备平整发光元件墨水的同时执行对准发光元件的工艺，从而可以防止在子像素的外周边中发生发光元件的聚集，从而均匀地对准发光元件。
图19至图21是示出根据另一实施方式的制造显示设备的方法的图。图19至图21是示意性地示出墨水平整设备100的板130顺序地按压目标衬底150的状态的图。
根据另一实施方式的制造显示设备的方法与参考图11至图18示出的实施方式的不同之处在于，板130的尺寸小于目标衬底150的尺寸，并且板130针对每个区域顺序地按压目标衬底150。在下文中，将详细描述这些差异，并且将省略相同组件的描述。
参考图19至图21，根据实施方式的墨水平整设备100可以包括比目标衬底150小的板130。板130在第一方向DR1上的宽度可以小于目标衬底150在第一方向DR1上的宽度。板130在第二方向DR2上的宽度可以大于目标衬底150在第二方向DR2上的宽度。
与以上参考图13描述的那些类似，当将发光元件墨水200喷射到目标衬底150上时，板130在目标衬底150的一侧上对准。板130可以对准成比目标衬底150的一侧更向外突出，从而完全覆盖目标衬底150的一侧。移动构件140的移动部分145向下移动，并且目标衬底150的一侧区域由板130按压。由于上面已经描述了按压工艺，因此将省略其描述。在该实施方式中，在目标衬底150通过板130按压的状态下，不执行对准发光元件的工艺。随后，在完成按压之后，移动构件140的移动部分145向上移动，并且板130与目标衬底150分离。
此后，基础框架120在第一方向DR1上移动，使得板130在目标衬底150的未被按压的区域上对准。此后，移动构件140的移动部分145向下移动，并且目标衬底150的另一区域由板130按压，并且在完成按压之后，移动构件140的移动部分145向上移动，使得板130与目标衬底150分离。通过重复上述过程，从目标衬底150的一侧到另一侧的整个区域被划分成多个区域，并且被板130顺序地按压，以平整喷射到目标衬底150上的发光元件墨水。在实施方式中，可通过使由按压目标衬底150的板130按压的区域部分地彼此重叠来按压目标衬底150的整个区域。
此后，在将UV光照射到目标衬底150上的同时，产生电场以对准发光元件，从而制造显示设备。
在该实施方式中，目标衬底150被划分成多个区域，并且由板130顺序地按压，其中，板130的尺寸小于目标衬底150的尺寸。当目标衬底150的尺寸大时，通过用尺寸相对小的板130按压目标衬底150，板130的按压压力可以均匀地施加到目标衬底150的整个区域。因此，设置在目标衬底150的整个区域中的发光元件墨水可以均匀地平整。
图22是示出根据又一实施方式的制造显示设备的方法的平面图。图22是示意性地示出使用上述图9的墨水平整设备100按压目标衬底150的状态的图。
根据又一实施方式的制造显示设备的方法与参考图11至图21所示的实施方式的不同之处在于，使用分开的板130按压目标衬底150。在下文中，将详细描述这些差异，并且将省略相同组件的描述。
参考图22，根据实施方式的墨水平整设备100可以包括联接到移动部分145的支承部分148和从支承部分148延伸的多个固定部分147。支承部分148可以具有在第一方向DR1上延伸的长度，以支承多个板130。固定部分147可以设置成与板130的数量相同的数量，以支承板130中的每个。板130可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开，并且间隔开的距离可以非常小。板130可以各自形成为具有比目标衬底150的尺寸小的尺寸，但是板130的总尺寸可以大于目标衬底150的尺寸，从而覆盖整个目标衬底150。
与以上参考图13描述的那些类似，当将发光元件墨水喷射到目标衬底150上时，在目标衬底150上对准板130。板130可以覆盖目标衬底150。移动构件140的移动部分145向下移动，并且目标衬底150的一侧区域由板130按压。喷射到目标衬底150上的发光元件墨水可以通过由板130按压而完全平整。如以上参考图16所描述的，在通过UV照射设备照射UV光的同时通过施加电场来对准发光元件。随后，在完成发光元件的对准之后，移动构件140的移动部分145向上移动，并且板130与目标衬底150分离。
在实施方式中，通过使用划分的板130按压目标衬底150的整个区域，来自多个板130的按压压力可以均匀地施加到目标衬底150的整个区域。因此，设置在目标衬底150的整个区域中的发光元件墨水可以均匀平整。
在下文中，将使用制造示例和实验示例更详细地描述实施方式。
<制造示例1：目标衬底样品的制造>
通过将包括发光元件的发光元件墨水喷射到目标衬底上(如图12中所示)来制备衬底样品#1和衬底样品#2。
<制造示例2：显示设备的制造>
分别使用在制造示例1中制造的衬底样品#1和#2制备如图18中所示的显示设备样品#1和#2。
<实验示例1：在平整发光元件墨水的情况下或在不平整发光元件墨水的情况下测量发光元件墨水的流动>
通过向衬底样品#1施加电场来测量发光元件墨水的流动。在通过使用墨水平整设备的板按压衬底样品#2来平整发光元件墨水的状态下通过施加电场来测量发光元件墨水的流动。图23和图24中分别示出了通过模拟发光元件墨水的流动获得的图像。图23是示出衬底样品#1的发光元件墨水的流动的图像。图24是示出衬底样品#2的发光元件墨水的流动的图像。
参考图23，衬底样品#1在发光元件墨水的外周边中具有强流动。另一方面，参考图24，衬底样品#2在发光元件墨水的中央部分和外周边中具有相同的流动。
<实验示例2：显示设备的发光元件的对准的测量>
图25和图26分别示出了在制造示例2中制造的显示设备样品#1和#2发光之后，通过测量子像素的光发射而获得的图像。图25是显示设备样品#1的子像素的发光图像。图26是显示设备样品#2的子像素的发光图像。
参考图25，在显示设备样品#1中，发光元件集中在子像素的上侧和下侧上，使得亮度在子像素的上侧和下侧处是强的。参考图26，在显示设备样品#2中，发光元件基本上均匀地分布在子像素内，从而在整个子像素中呈现均匀的亮度。
通过以上实验示例，根据实施方式的通过制造显示设备的方法制造的显示设备可以通过使发光元件均匀地对准和分布在子像素内来改善对准和亮度均匀性。
在根据实施方式的墨水平整设备和使用该墨水平整设备的显示设备的制造方法中，可以改善发光元件的对准，并且通过在平整喷射到衬底上的发光元件墨水之后对准发光元件，可以改善子像素中的亮度均匀性。
根据实施方式的效果不受上述内容的限制，并且在说明书中可以包括其他效果。
本文中已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是它们仅以一般和描述性的意义来使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如将对于本领域普通技术人员显而易见的，除非另外特别指出，否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.墨水平整设备，包括：
台，在所述台上设置有目标衬底，其中，所述目标衬底上设置有发光元件墨水；
基础框架，设置在所述台的侧部处；
移动构件，联接到所述基础框架并且向上和向下移动；以及
至少一个板，联接到所述移动构件并且设置为按压所述目标衬底。
2.根据权利要求1所述的墨水平整设备，其中，所述移动构件中的每一个包括：
移动部分，联接到所述基础框架中的每一个；以及
固定部分，联接到所述移动部分并且设置成固定所述至少一个板。
3.根据权利要求2所述的墨水平整设备，其中，所述移动构件在所述基础框架的长度方向上向上和向下移动。
4.根据权利要求1所述的墨水平整设备，其中，所述至少一个板根据所述移动构件的移动而向上和向下移动，以按压所述目标衬底。
5.根据权利要求1所述的墨水平整设备，其中，所述至少一个板的尺寸大于所述目标衬底的尺寸。
6.根据权利要求1所述的墨水平整设备，其中，
所述至少一个板设置为多个，以及
多个所述板中的每一个的尺寸小于所述目标衬底的尺寸。
7.根据权利要求6所述的墨水平整设备，其中，所述移动构件中的每一个包括：
移动部分，联接到所述基础框架中的每一个；
支承部分，联接到所述移动部分并且根据所述移动部分的移动而移动；以及
至少一个固定部分，从所述支承部分延伸并且设置成固定多个所述板。
8.根据权利要求7所述的墨水平整设备，其中，
所述至少一个固定部分设置为多个，以及
多个所述固定部分分别联接到多个所述板。
9.制造显示设备的方法，所述方法包括：
在目标衬底上设置包括发光元件的发光元件墨水；
通过使板移动来按压所述目标衬底；
通过在所述目标衬底上形成电场并且在所述目标衬底上照射紫外光来对准所述发光元件；以及
将所述板与所述目标衬底分离。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，按压所述目标衬底包括：
将移动构件向下移动到所述目标衬底，使得联接到所述移动构件的所述板接触所述目标衬底；以及
通过所述板按压所述目标衬底和所述发光元件墨水。
CN202210014528.9A 2021-01-08 2022-01-06 墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法 Pending CN114759120A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210002427A KR20220100748A (ko) 2021-01-08 2021-01-08 잉크 평탄화 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR10-2021-0002427 2021-01-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114759120A true CN114759120A (zh) 2022-07-15

Family

ID=82322501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210014528.9A Pending CN114759120A (zh) 2021-01-08 2022-01-06 墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220223562A1 (zh)
KR (1) KR20220100748A (zh)
CN (1) CN114759120A (zh)

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7278728B2 (en) * 2004-02-20 2007-10-09 Agfa Graphics Nv Ink-jet printing system
US7259030B2 (en) * 2004-03-29 2007-08-21 Articulated Technologies, Llc Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US7332361B2 (en) * 2004-12-14 2008-02-19 Palo Alto Research Center Incorporated Xerographic micro-assembler
KR101519038B1 (ko) * 2007-01-17 2015-05-11 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프린팅­기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템
WO2012098576A1 (ja) * 2011-01-19 2012-07-26 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置
WO2012158709A1 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed led arrays assembled by printing
US9242498B2 (en) * 2011-07-26 2016-01-26 Seiko Epson Corporation Printing method, printing device, printed material and molded article
US10283476B2 (en) * 2017-03-15 2019-05-07 Immunolight, Llc. Adhesive bonding composition and electronic components prepared from the same
US10361337B2 (en) * 2017-08-18 2019-07-23 Intel Corporation Micro light-emitting diode (LED) display and fluidic self-assembly of same
KR102446139B1 (ko) * 2017-12-06 2022-09-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 장치 및 이의 제조 방법
KR102493479B1 (ko) * 2018-02-06 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
US10822507B2 (en) * 2018-03-13 2020-11-03 Ricoh Company, Ltd. Curable composition, curable ink, composition stored container, image forming apparatus, image forming method, cured product, and decorated body
JP7024532B2 (ja) * 2018-03-19 2022-02-24 株式会社リコー 組成物、硬化物、収容容器、像形成装置、及び像形成方法
JP2020015790A (ja) * 2018-07-24 2020-01-30 株式会社リコー 硬化型組成物、硬化型インク、収容容器、２次元又は３次元の像形成装置、２次元又は３次元の像形成方法、硬化物、及び印刷物
US11084940B2 (en) * 2018-07-30 2021-08-10 Ricoh Company, Ltd. Composition, cured product, storage container, image forming apparatus, and image forming method
US11059985B2 (en) * 2018-07-30 2021-07-13 Ricoh Company, Ltd. Composition, cured product, storage container, image forming apparatus, and image forming method
JP2020117586A (ja) * 2019-01-22 2020-08-06 株式会社リコー 硬化型組成物、収容容器、２次元又は３次元の像形成装置、２次元又は３次元の像形成方法、及び硬化物
US20200411491A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having microgrooves or wells
US11610874B2 (en) * 2019-06-27 2023-03-21 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having hybrid inorganic-organic pixel structures
US11721786B2 (en) * 2019-06-27 2023-08-08 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having color correction films applied thereto
US11515297B2 (en) * 2019-06-27 2022-11-29 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having colloidal or graded index quantum dot films
KR20210022799A (ko) * 2019-08-20 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210063504A (ko) * 2019-11-22 2021-06-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210086805A (ko) * 2019-12-30 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20210132279A (ko) * 2020-04-24 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 잉크 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210143969A (ko) * 2020-05-20 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220019120A (ko) * 2020-08-06 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220021949A (ko) * 2020-08-13 2022-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230010137A (ko) * 2021-07-09 2023-01-18 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린팅 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR20230060573A (ko) * 2021-10-27 2023-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230117019A (ko) * 2022-01-28 2023-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20230128171A (ko) * 2022-02-25 2023-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220100748A (ko) 2022-07-18
US20220223562A1 (en) 2022-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220037296A1 (en) Tiled display
US20210408109A1 (en) Display device and tiled display including the same
US20230155077A1 (en) Display device
US20220223664A1 (en) Display device
US20240038943A1 (en) Display device
US20220045124A1 (en) Tiled display device
US20230011658A1 (en) Method for inkjet printing and method for manufacturing display device using the same
US11882744B2 (en) Display device including display devices connected together via protrusions and grooves
US20220069167A1 (en) Display device
CN116259642A (zh) 显示装置
EP4191677A1 (en) Display device
CN114759120A (zh) 墨水平整设备和使用其制造显示设备的方法
CN115036346A (zh) 显示装置
CN114597227A (zh) 显示装置
US20220208849A1 (en) Display device
CN217293982U (zh) 喷墨印刷装置
US20220262870A1 (en) Display device
US11780229B2 (en) Inkjet printing device and method of addressing non-discharge therein
US20230154906A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240014363A1 (en) Display device
US20220302203A1 (en) Display device
US20220013576A1 (en) Display device and tiled display device including the same
US20230335689A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
KR20220049085A (ko) 잉크젯 프린팅 장치
KR20230055445A (ko) 잉크젯 프린팅 장치 및 그 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination