CN114695585A - 一种光伏瓦组件及其制备方法 - Google Patents
一种光伏瓦组件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114695585A CN114695585A CN202210271751.1A CN202210271751A CN114695585A CN 114695585 A CN114695585 A CN 114695585A CN 202210271751 A CN202210271751 A CN 202210271751A CN 114695585 A CN114695585 A CN 114695585A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- adhesive film
- packaging adhesive
- glass
- photovoltaic tile
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims 2
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 claims 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光伏瓦组件，包括依次层叠设置的第一玻璃层、第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层，其中，所述第一玻璃层上靠近所述第一封装胶膜层的表面设置镀膜图案层。本申请还公开了一种光伏瓦组件制备方法，包括以下步骤：对镀膜钢化玻璃下表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层，形成具有立体感的镀膜图案层；依次铺设封装胶膜、电池串和钢化玻璃，经过层压形成第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层。本申请利用钢化玻璃镀膜形成各种立体图案，形式多样，符合建筑美学要求；结构简单，造价较低，实用经济，并且便于拆卸维修，每一块光伏瓦都能够实现独立拆卸和安装。
Description
技术领域
本发明涉及一种光伏瓦组件及其制备方法，属于太阳能电池组件加工技术领域。
背景技术
随着光伏发电技术的普及，建筑领域逐渐成为光伏发电应用的重要领域，光伏组件作为光伏建材应用于建筑领域中，也是光伏应用的重点发展方向，其中，建筑屋顶与建筑外墙面是光伏组件应用的重要场景。目前，普通光伏瓦组件通常使用柔性组件，形成波峰波谷，但此工艺复杂，成本较高，或者使用晶硅组件，一般粘贴在瓦的波谷之间，组件功率较小，施工安装不便。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的问题与不足，本发明提供一种安装方便、外形美观且成本较低的光伏瓦组件及其制备方法。
技术方案：一种光伏瓦组件，包括依次层叠设置的第一玻璃层、第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层，其中，所述第一玻璃层上靠近所述第一封装胶膜层的表面设置镀膜图案层。
进一步的，所述第一玻璃层的另一表面设置减反射涂膜层。
进一步的，所述镀膜图案层包括由至少一层的金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层形成的图案层，利用钢化玻璃镀膜形成各种立体图案，形式多样，符合建筑美学要求。
进一步的，所述第二玻璃层上设置接线盒以及开设安装孔，所述安装孔用于电池串层的线路引出与所述接线盒连接。
进一步的，所述第一封装胶膜层和所述第二封装胶膜层均采用EVA或POE或PVB中的一种。
本申请还公开了一种光伏瓦组件制备方法，包括以下步骤：
（1）对第一玻璃层下表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层，形成具有立体感的镀膜图案层；
（2）依次铺设封装胶膜、电池串和钢化玻璃，经过层压形成第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层。
进一步的，所述镀膜图案层采用真空磁控溅射法、真空蒸发法、化学气相沉积法或溶胶—凝胶法中的一种。
进一步的，所述第一玻璃层和所述第二玻璃层分别通过第一封装胶膜层和所述第二封装胶膜层通过层压抽真空形成整体。
有益效果：本申请利用钢化玻璃镀膜形成各种立体图案，形式多样，符合建筑美学要求；结构简单，造价较低，实用经济，并且便于拆卸维修，每一块光伏瓦都能够实现独立拆卸和安装。
附图说明
图1为本申请光伏瓦组件一种实施例结构示意图；
图2为图1光伏瓦组件安装结构示意图；
图3为第二玻璃层结构示意图。
图中标记：1、减反射膜涂层，2、第一玻璃层，3、镀膜图案层，4、第一封装胶膜层，5、电池串层，6、第二封装胶膜层，7、第二玻璃层，71、安装孔。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明。
如图1-3所示，本实施例提供了一种光伏瓦组件，包括依次层叠设置的第一玻璃层2、第一封装胶膜层4、电池串层5、第二封装胶膜层6和第二玻璃层7，其中，第一玻璃层2上靠近第一封装胶膜层4的表面设置镀膜图案层3，另一表面设置减反射涂膜层1。
优选的，减反射涂膜层1为SiO2减反射膜涂层，采用目前成熟的技术在钢化玻璃上表面增加纳米SiO2减反射膜涂层,再经过热处理工艺使膜层与玻璃基体结合牢固，使得镀膜玻璃透光率达到94% 以上。
具体而言，镀膜图案层3包括由至少一层的金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层形成的图案层。
优选的，第一玻璃层2采用光伏镀膜钢化玻璃，厚度为2.0-2.5mm，第二玻璃层7采用钢化玻璃， 厚度为2.0-2.5mm，钢化玻璃上设置接线盒以及开设安装孔71，安装孔直径1.0-20mm，安装孔71用于电池串层5的线路引出与接线盒连接。
优选的，电池串层5选用单晶硅电池，每个单晶硅电池通过涂锡铜带焊接串联或者通过导电箔串联，电池片厚度为100-200μm。
优选的，第一封装胶膜层和第二封装胶膜层采用EVA（乙烯与醋酸乙烯）、POE（聚烯烃）和PVB（聚乙烯醇缩丁醛酯）其中的一种。
本实施例还提供了一种光伏瓦组件的制备方法，包括以下步骤：对第一玻璃层下表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层，形成具有立体感的镀膜图案层；依次铺设封装胶膜、电池串和钢化玻璃，经过层压形成第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层。
具体而言，镀膜图案层采用真空磁控溅射法、真空蒸发法、化学气相沉积法或溶胶—凝胶法中的一种，根据图案要求和太阳光谱内的波段（紫外光、可见光、远近红外光）有选择性的透过和反射，确定膜层厚度和镀膜位置，一般为50-500nm，以改变玻璃的光学性能，形成特定颜色的图案，同时具有立体感，如黑色瓦片或者深红色瓦片等。
优选的，第一玻璃层2和第二玻璃层7分别通过第一封装胶膜层4和第二封装胶膜层6通过层压抽真空形成整体。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种光伏瓦组件，其特征在于：包括依次层叠设置的第一玻璃层、第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层，其中，所述第一玻璃层上靠近所述第一封装胶膜层的表面设置镀膜图案层。
2.根据权利要求1所述的一种光伏瓦组件，其特征在于：所述第一玻璃层的另一表面设置减反射涂膜层。
3.根据权利要求1所述的一种光伏瓦组件，其特征在于：所述镀膜图案层包括由至少一层的金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层形成的图案层。
4.根据权利要求1所述的一种光伏瓦组件，其特征在于：所述第二玻璃层上设置接线盒以及开设安装孔，所述安装孔用于电池串层的线路引出与所述接线盒连接。
5.根据权利要求1所述的一种光伏瓦组件，其特征在于：所述第一封装胶膜层和所述第二封装胶膜层均采用EVA或POE或PVB。
6.一种光伏瓦组件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）对第一玻璃层下表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物与SiO2混合膜涂层，形成具有立体感的镀膜图案层；
（2）依次铺设封装胶膜、电池串和钢化玻璃，经过层压形成第一封装胶膜层、电池串层、第二封装胶膜层和第二玻璃层。
7.根据权利要求6所述的一种光伏瓦组件制备方法，其特征在于：所述镀膜图案层采用真空磁控溅射法、真空蒸发法、化学气相沉积法或溶胶—凝胶法中的一种。
8.根据权利要求6所述的一种光伏瓦组件制备方法，其特征在于：所述第一玻璃层和所述第二玻璃层分别通过第一封装胶膜层和所述第二封装胶膜层通过层压抽真空形成整体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210271751.1A CN114695585A (zh) | 2022-03-18 | 2022-03-18 | 一种光伏瓦组件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210271751.1A CN114695585A (zh) | 2022-03-18 | 2022-03-18 | 一种光伏瓦组件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114695585A true CN114695585A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=82138377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210271751.1A Pending CN114695585A (zh) | 2022-03-18 | 2022-03-18 | 一种光伏瓦组件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114695585A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116130537A (zh) * | 2023-04-14 | 2023-05-16 | 广东联塑班皓新能源科技集团有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法和应用 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924082A (zh) * | 2009-06-16 | 2010-12-22 | 东部高科股份有限公司 | 热释放半导体封装 |
| CN103746022A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-23 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 一种带艺术图案的透光薄膜太阳能组件及其制造方法 |
| WO2014132268A2 (en) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | Bilcare Limited | An anti-counterfeit packaging |
| KR20160000935U (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-22 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 코팅유리용 포장필름 |
| CN206820720U (zh) * | 2017-06-30 | 2017-12-29 | 黄石金能光伏有限公司 | 白色双玻叠瓦光伏组件及光伏系统 |
| CN108365033A (zh) * | 2018-01-15 | 2018-08-03 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种全黑多晶高效光伏组件及其制作方法 |
| CN209804682U (zh) * | 2019-01-16 | 2019-12-17 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种竖排叠瓦双玻光伏组件及光伏系统 |
| CN111029426A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-04-17 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种带图案的彩色太阳能电池及其制备方法 |
| CN111106185A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-05 | 江苏祺创光电集团有限公司 | 一种环保型太阳能光伏组件 |
| CN112531056A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-03-19 | 江苏润达光伏无锡有限公司 | 一种全黑太阳能半片双玻光伏组件及其制备方法 |
| CN112811828A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 安徽天柱绿色能源科技有限公司 | 渐变色太阳能前板及制造方法和太阳能组件封装结构 |
-
2022
- 2022-03-18 CN CN202210271751.1A patent/CN114695585A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924082A (zh) * | 2009-06-16 | 2010-12-22 | 东部高科股份有限公司 | 热释放半导体封装 |
| WO2014132268A2 (en) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | Bilcare Limited | An anti-counterfeit packaging |
| CN103746022A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-23 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 一种带艺术图案的透光薄膜太阳能组件及其制造方法 |
| KR20160000935U (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-22 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 코팅유리용 포장필름 |
| CN206820720U (zh) * | 2017-06-30 | 2017-12-29 | 黄石金能光伏有限公司 | 白色双玻叠瓦光伏组件及光伏系统 |
| CN108365033A (zh) * | 2018-01-15 | 2018-08-03 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种全黑多晶高效光伏组件及其制作方法 |
| CN209804682U (zh) * | 2019-01-16 | 2019-12-17 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种竖排叠瓦双玻光伏组件及光伏系统 |
| CN111029426A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-04-17 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种带图案的彩色太阳能电池及其制备方法 |
| CN111106185A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-05 | 江苏祺创光电集团有限公司 | 一种环保型太阳能光伏组件 |
| CN112531056A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-03-19 | 江苏润达光伏无锡有限公司 | 一种全黑太阳能半片双玻光伏组件及其制备方法 |
| CN112811828A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 安徽天柱绿色能源科技有限公司 | 渐变色太阳能前板及制造方法和太阳能组件封装结构 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116130537A (zh) * | 2023-04-14 | 2023-05-16 | 广东联塑班皓新能源科技集团有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102360087B1 (ko) | 컬러필름 적용 태양광 모듈 및 이의 제조방법 | |
| KR101483439B1 (ko) | 연성 기판을 이용하여 제조하는 플렉시블 태양 광전지 어셈블리 | |
| CN100559611C (zh) | 光电池模块 | |
| CN102916067B (zh) | 一种建材型双面玻璃光伏构件及其制造方法 | |
| US20160118519A1 (en) | Thin film solar cell panel and manufacturing method thereof | |
| WO2012037758A1 (zh) | 大面积柔性光电器件的制造方法 | |
| WO2023077346A1 (en) | Solar module and method for producing the same | |
| CN104064622A (zh) | 一种抗电势诱导衰减的太阳能电池片及其制作方法 | |
| CN108417651B (zh) | 薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃 | |
| WO2023050772A1 (zh) | 一种晶硅bipv建筑构件及其制造方法 | |
| CN112047642A (zh) | 光伏建筑一体化用黄色盖板玻璃及其制备方法 | |
| CN114695585A (zh) | 一种光伏瓦组件及其制备方法 | |
| CN101404298B (zh) | 一种光伏组件及其生产工艺和应用 | |
| CN104377251B (zh) | 一种多尺度陷光的柔性大面积叠层太阳能电池及制备方法 | |
| WO2011053087A2 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN216958055U (zh) | 一种光伏瓦组件 | |
| CN104718628A (zh) | 太阳能组件及其制造方法 | |
| CN102587545A (zh) | 一种光伏建筑玻璃幕墙组件 | |
| CN216250749U (zh) | 一种古铜色前板玻璃及其光伏组件 | |
| CN201738511U (zh) | 一种可发电太阳能瓷砖 | |
| CN102444226A (zh) | 一种光电幕墙玻璃的制作工艺 | |
| CN201302999Y (zh) | 一种透明导电膜玻璃 | |
| CN201877444U (zh) | 一种可发电汽车天窗玻璃 | |
| CN210073875U (zh) | 太阳能幕墙组件及太阳能幕墙 | |
| CN202324421U (zh) | 一种太阳能电池光伏建筑组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |