CN114690492A - 显示面板及显示终端 - Google Patents

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刘广辉
艾飞
宋继越
宋德伟
何瑞
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Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及显示终端，显示面板包括：阵列基板，包括基底，以及设置于基底上的至少一个紫外传感晶体管和至少一个控制晶体管，控制晶体管与紫外传感晶体管电连接，紫外传感晶体管包括紫外吸收层；彩膜基板，设置于阵列基板的对侧，彩膜基板包括挡光单元；其中，挡光单元在基底上的正投影覆盖紫外吸收层在基底上的正投影。本申请的显示面板中，紫外传感晶体管和控制晶体管集成在阵列基板上，使得具有紫外光监控功能的显示面板具有结构更简单、工艺更简化、更轻薄化的优点，同时通过设置挡光单元吸收或遮挡可见光，防止可见光进入紫外吸收层产生干扰，从而可以提升紫外传感晶体管对紫外光监控的精准性。

Description

显示面板及显示终端
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及显示终端。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。随着生活的进步和技术的发展，人们除了对显示面板的显示性能要求越来越高，同时还需求显示面板具有丰富的功能，高品质体验的人机互动性，面板厂家也需要提升显示面板的竞争力，例如，人们越来越关注紫外辐射对人体健康的影响，需要显示面板能够通过紫外传感器检测紫外辐射的强度，以便人们做出对自身保护的措施，包括预警外出和控制特殊工作环境的时间，减少紫外辐射对人的皮肤和眼睛灼烧损害，增强人们的身体健康。
然而，当前在显示面板的外侧设置紫外传感器时，需要单独制作紫外传感器，存在结构复杂、工艺繁多、不利于显示面板的轻薄性能提升的缺点，同时还存在可见光会进入到紫外传感器中，使得紫外传感器不能精确的监控紫外光的强度的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及显示终端，可以解决当前具有紫外光监控功能的显示面板所存在的结构复杂、工艺繁多、不够轻薄化的问题，以及可见光进入到紫外传感器中，使得紫外传感器不能精确的监控紫外光的强度的问题。
本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
阵列基板，包括基底，以及设置于所述基底上的至少一个紫外传感晶体管和至少一个控制晶体管，所述控制晶体管与所述紫外传感晶体管电连接，所述紫外传感晶体管包括紫外吸收层；
彩膜基板，设置于所述阵列基板的对侧，所述彩膜基板包括挡光单元；
其中，所述挡光单元在所述基底上的正投影覆盖所述紫外吸收层在所述基底上的正投影。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述彩膜基板还包括第一颜色色阻、第二颜色色阻、第三颜色色阻，所述挡光单元包括所述第一颜色色阻、所述第二颜色色阻、所述第三颜色色阻中一种或堆叠设置的至少两种。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述彩膜基板还包括遮光层，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述控制晶体管的半导体层在所述基底上的正投影。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述挡光单元和所述紫外吸收层之间的第一有机层，所述第一有机层包括第一开孔，所述第一开孔在所述基底上的正投影与所述紫外吸收层在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选地，在本申请的一些实施例中，包括非显示区和显示区，所述紫外传感晶体管和所述控制晶体管均设置于所述非显示区；
所述显示面板还包括遮挡层，所述遮挡层设置于所述紫外传感晶体管与所述基底之间，所述遮挡层在所述基底上的正投影覆盖所述紫外吸收层在所述基底上的正投影。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述紫外传感晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述控制晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一栅极和所述第二栅极位于同一层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层和所述控制晶体管的半导体层位于同一层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括设置于所述非显示区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个栅极驱动晶体管，所述栅极驱动晶体管包括第三栅极、第三源极、第三漏极和有源层；
所述第一栅极和所述第三栅极位于同一层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第三源极和所述第三漏极位于同一层，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层和所述栅极驱动晶体管的有源层位于同一层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层、所述控制晶体管的半导体层和所述栅极驱动晶体管的有源层均为多晶硅。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述紫外传感晶体管的所述紫外吸收层的面积大于所述控制晶体管的半导体层的面积。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道宽度为200微米至5000微米，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道长度为3微米至6微米；
所述控制晶体管的半导体层的沟道宽度为3微米至20微米，所述控制晶体管的半导体层的沟道长度为3微米至6微米。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示终端，包括终端主体和上述任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例中，提供了一种显示面板及显示终端，显示面板包括：阵列基板，包括基底，以及设置于基底上的至少一个紫外传感晶体管和至少一个控制晶体管，控制晶体管与紫外传感晶体管电连接，紫外传感晶体管包括紫外吸收层；彩膜基板，设置于阵列基板的对侧，彩膜基板包括挡光单元；其中，挡光单元在基底上的正投影覆盖紫外吸收层在基底上的正投影。本申请实施例的显示面板中，紫外传感晶体管和控制晶体管集成在阵列基板上，使得具有紫外光监控功能的显示面板具有结构更简单、工艺更简化、更轻薄化的优点，同时通过设置挡光单元吸收或遮挡可见光，防止可见光进入紫外吸收层产生干扰，从而可以提升紫外传感晶体管对紫外光监控的精准性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的一种显示面板的第一种截面结构示意图；
图2是本申请一实施例提供的一种显示面板的第二种截面结构示意图；
图3是本申请一实施例提供的一种显示面板的第三种截面结构示意图；
图4是本申请一实施例提供的一种显示面板的第四种截面结构示意图；
图5是本申请一实施例提供的一种显示面板的第五种截面结构示意图；
图6是本申请一实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图7是本申请一实施例提供的一种显示终端的示意图；
图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种流程步骤示意图；
图9为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种流程步骤示意图；
图10为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种过程示意图；
图11为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种过程示意图；
图12为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第三种过程示意图；
图13为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第四种过程示意图；
图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第五种过程示意图；
图15为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第六种过程示意图；
图16为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第七种过程示意图；
图17为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第八种过程示意图；
图18为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第九种过程示意图；
图19为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第十种过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请提供了一种显示面板，包括：阵列基板，包括基底，以及设置于基底上的至少一个紫外传感晶体管和至少一个控制晶体管，控制晶体管与紫外传感晶体管电连接，紫外传感晶体管包括紫外吸收层；彩膜基板，设置于阵列基板的对侧，彩膜基板包括挡光单元；其中，挡光单元在基底上的正投影覆盖紫外吸收层在基底上的正投影。本申请还提供了一种显示终和前述显示面板的制造方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一
请参阅图1至图5，图1为本申请实施例提供的一种显示面板100的第一种截面结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种显示面板100的第二种截面结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种显示面板100的第三种截面结构示意图；图4为本申请实施例提供的一种显示面板100的第四种截面结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种显示面板100的第五种截面结构示意图。其中，图1和图2相同或相似，不同之处在于图1和图2中的挡光单元240的结构不同，以及图2中还示意了栅极驱动晶体管80的结构。
本申请实施例提供了一种显示面板100，显示面板100，包括阵列基板101、彩膜基板102，阵列基板101包括基底11，以及设置于基底11上的至少一个紫外传感晶体管60和至少一个控制晶体管70，控制晶体管70与紫外传感晶体管60电连接，紫外传感晶体管60包括紫外吸收层61；彩膜基板102设置于阵列基板101的对侧，彩膜基板102包括挡光单元240；其中，挡光单元240在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影。
具体地，紫外传感器包括至少一个紫外传感晶体管60(如图1中虚线框所示)和至少一个控制晶体管70(如图1中虚线框所示)，紫外传感器的紫外传感晶体管60和控制晶体管70集成在阵列基板101中，使得具有紫外光监控功能的显示面板具有结构更简单、工艺更简化、更轻薄化的优点。
具体地，彩膜基板102设置于阵列基板101的对侧，彩膜基板102包括挡光单元240；其中，挡光单元240在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影。通过设置挡光单元240吸收或遮挡可见光，防止可见光进入紫外吸收层61产生干扰，从而可以提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
具体地，显示面板100还包括设置于阵列基板101和彩膜基板102之间的液晶层23。
具体地，在紫外传感晶体管60工作时，可见光照射至紫外吸收层61，也会使得紫外吸收层61中产生一定的电流或电荷传输，降低了对紫外光监控的精准性，通过设置挡光单元240在基底11上的正投影与紫外吸收层61在基底11上的正投影至少部分重叠，或设置挡光单元240在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影，挡光单元240可以吸收可见光，提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
需要说明的是，显示面板100可以包括紫外传感器，紫外传感器包括控制晶体管70、紫外传感晶体管60和存储电容，存储电容包括第一电容电极板和第二电容电极板，第一电容电极板电连接控制晶体管70的第二漏极722，或第一电容电极板电连与控制晶体管70的第二漏极722所电连接的紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622，或者第一电容电极板为控制晶体管70的第二漏极722或紫外传感晶体管60的第一源极621(或者是第一电容电极板为控制晶体管70的第二漏极722或紫外传感晶体管60的第一漏极622)，控制晶体管70可以控制传输第一电容电极的电信号，当紫外传感晶体管60工作时，控制晶体管70可以关闭并停止向电一电容电极传递电信号，使得存储电容存储的电荷保持稳定，直至紫外光照射至紫外吸收层61，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61中产生电荷或电流，使得存储电容中存储的电荷量发生变化或第一电容电极的电位发生变化，存储电容的一端电连接集成电路芯片，集成电路芯片可以检测到存储电容中的电荷或电位的变化量，从而判断或显示是否有紫外光辐射，以及紫外光辐射的强度。在这里简述了传感器控制电路的结构和工作原理和紫外光监测的原理的一种方式，但不限于此，本申请实施例的紫外传感晶体管60或/和控制晶体管70可以用于任一种的传感器控制电路，在此不再赘述。
在一些实施例中，彩膜基板102还包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243，挡光单元240包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243中一种或堆叠设置的至少两种。
具体地，第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243可以分别为红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻，在此不做限定。
具体地，如图1所示，挡光单元240包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243中一种。设置挡光单元240包括一种颜色的色阻时可以吸收或遮挡对应颜色的可见光，从而提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
具体地，挡光单元240包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243中堆叠设置的至少两种。彩膜基板102可以包括衬底26，例如，如图2所示，挡光单元240包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242，第一颜色色阻241和第二颜色色阻242堆叠设置于衬底26上；例如，如图3所示，挡光单元240包括第一颜色色阻241、第二颜色色阻242和第三颜色色阻243三种，第一颜色色阻241、第二颜色色阻242和第三颜色色阻243堆叠设置于衬底26上。设置挡光单元240包括两种或两种以上的不同颜色的色阻，不同颜色的色阻堆叠设置，可以吸收多种颜色的可见光或全部的可见光，从而提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。当第一颜色色阻241、第二颜色色阻242、第三颜色色阻243中三种堆叠成挡光单元240时，可以完全吸收可见光，可以更好的提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
在本实施例中，提供了一种显示面板100，紫外传感晶体管60和控制晶体管70集成在阵列基板101，使得具有紫外光监控功能的显示面板100具有结构更简单、工艺更简化、更轻薄化的优点，同时通过设置挡光单元240吸收或遮挡可见光，防止可见光进入紫外吸收层61产生干扰，从而可以提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
实施例二
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处在于进一步描述了显示面板100的结构。
在一些实施例种，彩膜基板102还包括遮光层25，遮光层25在基底11上的正投影覆盖控制晶体管70的半导体层71在基底11上的正投影。
具体地，控制晶体管70打开和关闭时，可见光或紫外光照射至控制晶体管70的半导体层71，会影响控制晶体管70打开和关闭的性能，通过设置遮光层25，可以防止外界光线对制晶体管70打开和关闭的性能的影响，从而提升传感器控制电路的稳定性和可靠性，从而提升对紫外光监控的精准性。
具体地，遮光层25可以为黑矩阵(blackmatrix，BM)，彩膜基板102可以为现有技术中任一种的结构，在此不做限定。
在一些实施例种，显示面板100还包括位于挡光单元240和紫外吸收层61之间的第一有机层30，第一有机层30包括第一开孔31，第一开孔31在基底11上的正投影与紫外吸收层61在基底上的正投影至少部分重叠。
具体地，第一有机层30包括第一开孔31，可以避免第一有机层30对紫外光的吸收，提升紫外光到达紫外吸收层61的透过率，促使有足够多的紫外光到达紫外吸收层，从而提升对紫外光监控的灵敏性和精准性。
优选地，第一开孔31在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影，可以更好的提升对紫外光监控的灵敏性和精准性。
具体地，在一些实施情况中，如图1至图4所示，第一有机层30可以为阵列基板101上的第一平坦层19，第一开孔31可以为第一平坦层19中的第一子开孔191。
具体地，在一些实施情况中，如图5所示，第一有机层30可以为彩膜基板102上的第二平坦层27，第一开孔31可以为第二平坦层27中的第二子开孔271。
具体地，在一些实施情况中，如图5所示，第一有机层30可以同时包括阵列基板101上的第一平坦层19和彩膜基板102上的第二平坦层27，第一开孔31包括第一子开孔191和第二子开孔271，第一子开孔191在基底11上的正投影和第二子开孔271在基底11上的正投影均覆盖紫外吸收层61在基底上的正投影，可以更好的避免第一有机层30对紫外光的吸收，提升紫外光到达紫外吸收层61的透过率，促使有足够多的紫外光到达紫外吸收层，从而提升对紫外光监控的精准性。
实施例三
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处在于进一步描述了显示面板100的结构。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的一种显示面板100的俯视示意图。
在一些实施例中，显示面板100包括非显示区BB和显示区AA，紫外传感晶体管60和控制晶体管70均设置于非显示区BB；显示面板100还包括遮挡层12，遮挡层12设置于紫外传感晶体管60与基底11之间，遮挡层12在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底上的正投影。
具体地，如图6所示，非显示区BB包括第一边框区BB1、第二边框区BB2和第三边框区BB3，第一边框区BB1、第二边框区BB2和第三边框区BB3至少部分围绕显示区AA设置，其中，第一边框区BB1和第二边框区BB2相对设置，第三边框区BB3位于第一边框区BB1和第二边框区BB2之间。
具体地，紫外传感晶体管60和控制晶体管70均设置于非显示区BB，可以避免紫外传感器的紫外传感晶体管60和控制晶体管70影响显示区AA内的子像素的开口率，从而不影响显示面板的图像显示。
具体地，如图5所示，遮挡层12可以遮挡光线，遮挡层12可以为阵列基板上的遮光层(LS)。
具体地，遮挡层12在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影，可以防止光线从基底11的一侧照射至紫外吸收层61，避免背光等的光线影响紫外吸收层61对外界环境紫外光的监控，从而提升对紫外光监控的精准性。
具体地，进一步地，遮挡层12在基底11上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影，以及控制晶体管70的半导体层71在基底11上的正投影，遮挡层12同时防止光线从基底11的一侧照射至紫外吸收层61和半导体层71，可以防止来自基底11的一侧的光线对制晶体管70打开和关闭的性能的影响，同时防止来自基底11的一侧的光线对紫外吸收层61的影响，从而提升传感器控制电路的稳定性和可靠性，从而提升对紫外光监控的精准性。
在一些实施例中，紫外传感晶体管60包括第一栅极62、第一源极621和第一漏极622，控制晶体管70包括第二栅极72、第二源极721和第二漏极722；第一栅极62和第二栅极72位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第二源极721和第二漏极722位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71位于同一层。
具体地，参照图1和图2所示，第一栅极62和第二栅极72位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第二源极721和第二漏极722位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71位于同一层，即紫外传感晶体管60的多个层结构与控制晶体管70的多个层结构可以同工艺制作，简化制作工艺步骤，降低生产成本，此外，使得紫外传感器可以在现有技术和设备上进行制造，也使得本实施例种具有紫外传感器的显示面板100具有工艺简单，低成本的效果。
具体地，第一栅极62和第二栅极72位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第二源极721和第二漏极722位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71位于同一层，第一栅极62和紫外吸收层61之间设置有栅极绝缘层15，第二栅极72和控制晶体管70的半导体层71之间设置有栅极绝缘层15，第一源极621、第一漏极622、第二源极721和第二漏极722与紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71之间设置有层间绝缘层17。
具体地，图1至图5示意了阵列基板101的层结构依次为：基底11、遮挡层12、缓冲层13、多晶硅层14、栅极绝缘层15、栅极层16、层间绝缘层17、源漏极层18、第一平坦层19、第一金属层20、第一绝缘层21、第二金属层22，栅极层16包括第一栅极62和第二栅极72，源漏极层18包括第一源极621、第一漏极622、第二源极721和第二漏极722，第一金属层20可以包括公共电极201，第二金属层22可以包括像素电极221，阵列基板101的层结构还可以为其他结构，例如紫外传感晶体管60和控制晶体管70的结构可以为顶栅结构，也可以为底栅结构，在此不做限定。
需要说明的是，在一些实施例中，控制晶体管70的第二漏极722与紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622电连接，或控制晶体管70的第二漏极722与紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622为同一电极。具体地，控制晶体管70用以控制紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622的电信号，如图1至图3所示，控制晶体管70的第二漏极722与紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622为同一电极，可以减小电极的数量，提升版图空间利用率。具体地，如图4所示，控制晶体管70的第二漏极722与紫外传感晶体管60的第一源极621或第一漏极622电连接(未示意)。此外，如图1所示，控制晶体管70的半导体层71与紫外传感晶体管60的紫外吸收层61可以为连接的一整体，避免分割控制晶体管70的半导体层71与紫外传感晶体管60的紫外吸收层61占据版图空间(layout)，提升版图空间利用率。
在一些实施例中，显示面板100还包括设置于非显示区BB的栅极驱动电路GOA，栅极驱动电路BB包括多个栅极驱动晶体管80，栅极驱动晶体管80包括第三栅极82、第三源极821、第三漏极822和有源层81；第一栅极62和第三栅极82位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第三源极821和第三漏极822位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和栅极驱动晶体管80的有源层81位于同一层。具体地，进一步地，显示面板100还包括设置于非显示区BB的栅极驱动电路GOA，第一栅极62和第三栅极82位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第三源极821和第三漏极822位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和栅极驱动晶体管80的有源层81位于同一层。使得紫外传感晶体管60的多个膜层结构和栅极驱动晶体管80的多个膜层可以同工艺制作，简化制作工艺步骤，降低生产成本，此外，使得紫外传感器可以在现有技术和设备上进行制造，也使得本实施例种具有紫外传感器的显示面板100具有工艺简单，低成本的效果。
具体地，更进一步地，第一栅极62、第二栅极72和第三栅极82位于同一层，第一源极621、第一漏极622、第二源极721、第二漏极722、第三源极821和第三漏极822位于同一层，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61、控制晶体管70的半导体层71和栅极驱动晶体管80的有源层81位于同一层，使得紫外传感晶体管60的多个膜层结构、控制晶体管70的多个膜层结构和栅极驱动晶体管80的多个膜层结构可以同工艺制作，简化制作工艺步骤，降低生产成本，此外，使得紫外传感器可以在现有技术和设备上进行制造，也使得本实施例种具有紫外传感器的显示面板100具有工艺简单，低成本的效果。
需要说明的是，栅极驱动电路GOA可以为现有技术中任一种，在此不再赘述栅极驱动电路GOA和栅极驱动晶体管的结构。
需要说明的是，如图6所示，第三边框区BB3上设置有焊盘BBC，焊盘BBC可以连接柔性电路板(FPC、PCB)和驱动芯片(IC)，栅极驱动电路GOA至少设置在第一边框区BB1和第二边框区BB2的至少一个上，在一些实施情况中栅极驱动电路GOA同时设置在第一边框区BB1和第二边框区BB2。在一些实施情况中，紫外传感晶体管60和控制晶体管70设置于第一边框区BB1、第二边框区BB2和第三边框区BB3中至少一个区域；在一些优选实施情况中，紫外传感晶体管60和控制晶体管70设置于第一边框区BB1或/和第二边框区BB2。
实施例四
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处在于进一步描述了显示面板100的结构。
在一些实施例中，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61、控制晶体管70的半导体层71和栅极驱动晶体管80的有源层81均为多晶硅。
具体地，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71均为多晶硅，采用多晶硅作为紫外吸收层61，利用显示面板中的多晶硅的成熟工艺来制作紫外吸收层61，可以在现有技术和设备上进行制造，具有工艺简单，低成本的效果。
具体地，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61、控制晶体管70的半导体层71和栅极驱动晶体管80的有源层81层均为多晶硅，采用多晶硅作为紫外吸收层61，利用显示面板中的多晶硅的成熟工艺来制作紫外吸收层61，可以在现有技术和设备上进行制造，具有工艺简单，低成本的效果。
需要说明的是，紫外传感晶体管60、控制晶体管70和栅极驱动晶体管80均是指薄膜晶体管，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61、控制晶体管70的半导体层71和栅极驱动晶体管80的有源层81中有载流子(电子或/和空穴)迁移或截止迁移，从而使得紫外传感晶体管60、控制晶体管70和栅极驱动晶体管80打开或关闭。
在一些实施例中，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61的面积大于控制晶体管70的半导体层71的面积。
具体地，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61需要足够大的面积，以吸收足够多的紫外光，可以提升显示面板100对紫外光的监控的灵敏性和准确性。
具体地，控制晶体管70起到开关控制和驱动控制紫外传感晶体管60的作用，因此可以设置控制晶体管70的半导体层71具有较小面积，可以减小控制晶体管70对版图布局空间(layout)的占用，可以减小显示面板的边框宽度。
在一些实施例中，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61的沟道宽度(W)为200微米至5000微米，紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道长度(L)为3微米至6微米；控制晶体管70的半导体层71的沟道宽度(W)为3微米至20微米，控制晶体管的半导体层的沟道长度(L)为3微米至6微米。
具体地，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61的沟道宽度为200微米至5000微米，紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道长度为3微米至6微米，紫外传感晶体管60的紫外吸收层61具有足够大的面积，可以吸收足够多的紫外光，可以提升显示面板100对紫外光的监控的灵敏性和准确性，同时紫外传感晶体管60还能保持良好的晶体管的导通和关闭性能。
具体地，沟道宽度即为沟道区141的宽度，沟道长度即为沟道区141的长度。
此外，紫外传感晶体管60存在开启和关闭状态，可以调整紫外传感晶体管60的栅极的电压，使紫外传感晶体管60处于关闭状态时的漏电流很低，从而降低紫外光照情况下，漏电流对光生电流的影响，从而降低噪音，提升紫外传感晶体管60对紫外光监控的精准性。
实施例五
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的一种显示终端200的示意图。
本申请实施例中提供了一种显示终端200，显示终端200包括终端主体2001和上述实施例中任一项的显示面板100，终端主体2001与显示面板100组合为一体。
具体地，显示终端200可以手机、笔记本电脑等。
实施例六
请参阅图8至图19，图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种流程步骤示意图；图9为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种流程步骤示意图；图10为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第一种过程示意图；图11为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第二种过程示意图；图12为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第三种过程示意图；图13为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第四种过程示意图；图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第五种过程示意图；图15为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第六种过程示意图；图16为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第七种过程示意图；图17为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第八种过程示意图；图18为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第九种过程示意图；图19为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的第十种过程示意图。
本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法，上述实施例中的任一项显示面板100可以采用本实施例中的显示面板的制造方法制造而成，如图8所示，显示面板的制造方法至少包括步骤：步骤S100、步骤S200和步骤S300。
步骤S100：提供一基底，在基底上形成至少一紫外传感晶体管和至少一控制晶体管，其中，通过形成多晶硅层，以形成紫外传感晶体管的紫外吸收层。
具体地，如图10至图15所示，提供一基底11，在基底11上形成至少一紫外传感晶体管60和至少一控制晶体管70，其中，通过形成多晶硅层14，多晶硅层14图案化以形成紫外传感晶体管60的紫外吸收层61。
步骤S200：提供一衬底，形成彩膜基板，包括形成彩膜基板的挡光单元和遮光层。
具体地，彩膜基板102可以包括衬底26，设置于衬底26上的遮光层25，设置于遮光层25上的挡光单元240，彩膜基板102还可以包括设置于挡光单元240上的第二平坦层27。
具体地，彩膜基板102的结构和制作工艺可以与现有技术中任一项彩膜基板的结构和制作相同或相似，在此不再赘述。
步骤S300：将彩膜基板与阵列基板对位成盒，完成显示面板的制作。
具体地，彩膜基板102与阵列基板101对位成盒的工艺可以与现有技术中对位成盒的工艺的制作相同或相似，在此不再赘述。
请参阅图9，下面进一步介绍步骤S100、步骤S200和步骤S300。
在一些实施例中，在步骤S100中，形成多晶硅层时，将多晶硅层图案化同时形成紫外传感晶体管的紫外吸收层和控制晶体管的半导体层，完成阵列基板的制作。
具体地，如图9所示，在基底11上形成多晶硅层14时，将多晶硅层14图案化同时形成紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71。
具体地，控制晶体管70的半导体层71和紫外传感晶体管60的紫外吸收层61均为多晶硅，多晶硅图案化时同时制作成控制晶体管70的半导体层71和紫外传感晶体管60的紫外吸收层61，简化了制作工艺步骤，降低生产成本。
在一些实施例中，在步骤S300的显示面板100中，挡光单元240在基底上的正投影与紫外吸收层61在基底11上的正投影至少部分重叠，或者挡光单元240在基底上的正投影覆盖紫外吸收层61在基底11上的正投影。
在一些实施例中，在步骤S300的显示面板100中，遮光层25在基底11上的正投影覆盖控制晶体管70的半导体层71在基底11上的正投影。
在一些实施例中，在步骤S100中，还包括在紫外吸收层61远离基底11一侧形成第一平坦层19，第一平坦层19包括第一子开孔191，在步骤S300的显示面板100中，第一子开孔191在基底11上的正投影与紫外吸收层61在基底上的正投影至少部分重叠。
下面以图1和图19所示中的阵列基板101为例，举例说明阵列基板101的一种详细制作过程，参阅图10至图19，阵列基板101的制作过程包括步骤S110、步骤S120、步骤S130、步骤S140、步骤S150、步骤S160、步骤S170、步骤S180、步骤S190、步骤S210、步骤S220。
步骤S110：如图10所示，提供一基底11，在基底11上形遮挡层12。
步骤S120：如图11所示，在遮挡层12上形成缓冲层13，在缓冲层13上形成多晶硅层14。
步骤S130：如图12所示，对多晶硅层14进行重掺杂工艺(N+掺杂)，形成重掺杂区142，重掺杂区142可以包括控制晶体管70的半导体层71的源极区和漏极区，以及紫外传感晶体管60的紫外吸收层61的源极区和漏极区。
步骤S140：如图13所示，在多晶硅层14上形成栅极绝缘层15，在栅极绝缘层15上形成栅极层16，栅极层16包括控制晶体管70的第二栅极72和紫外传感晶体管60的第一栅极62。
步骤S150：如图13所示，对多晶硅层14进行轻掺杂工艺(N-掺杂)，形成轻掺杂区143，轻掺杂区143包括控制晶体管70的半导体层71的对应区域，以及紫外传感晶体管60的紫外吸收层61的对应区域。
具体地，通过步骤120至步骤S150，同时形成了控制晶体管70的半导体层71和紫外传感晶体管60的紫外吸收层61，半导体层71和紫外吸收层61均分别包括对应重掺杂区142、轻掺杂区143、沟道区141的区域。
步骤S160：如图14所示，在栅极层16上形成层间绝缘层17，并对层间绝缘层17开孔，形成通孔171。
步骤S170：如图15所示，在层间绝缘层17上形成源漏极层18，源漏极层18包括控制晶体管70的第二源极721和第二漏极722，以及紫外传感晶体管60的第一源极621和第一漏极622。
步骤S180：如图16所示，在源漏极层18上形成第一平坦层19，并在第一平坦层上形成第一子开孔191。
步骤S190：如图17所示，在第一平坦层19上形成第一金属层20。
具体地，第一金属层20可以图案化形成公共电极201，第一金属层20可以为氧化铟锡(ITO)。
步骤S210：如图18所示，在第一金属层20上形成第一绝缘层21。
步骤S220：如图19所示，在第一绝缘层21上形成第二金属层22。
具体地，第二金属层22可以图案化形成像素电极221或/和其他电极222，第二金属层22可以为氧化铟锡(ITO)。
综合上述制造步骤S110至步骤S220，图1和图18所示中的阵列基板101的层结构依次包括：基底11、遮挡层12、缓冲层13、多晶硅层14、栅极绝缘层15、栅极层16、层间绝缘层17、源漏极层18、第一平坦层19、第一金属层20、第一绝缘层21、第二金属层22。
在本实施例中，采用紫外传感晶体管作为紫外传感器部件，多晶硅作为紫外吸收层，显示面板可以做出对紫外辐射的强度的监控，提供预警，便于人们做出防护措施；同时，采用多晶硅作为紫外吸收层，利用显示面板中的多晶硅的成熟工艺来制作紫外吸收层，可以在现有技术和设备上进行制造，具有工艺简单，低成本的效果；此外，本申请实施例的紫外传感器部件的制造完全兼容低温多晶硅显示面板的生产线，提升了量产可实施性和降低了制造成本。
进一步地，多晶硅层图案化同时形成紫外传感晶体管60的紫外吸收层61和控制晶体管70的半导体层71，具有工艺简单，不用额外增加制作工艺的效果。
需要说明的是，实施例一至实施例五中的显示面板100的阵列基板101的结构不限于图1、图19所示中的阵列基板101的结构，例如紫外传感晶体管60和控制晶体管70的结构可以为顶栅结构，也可以为底栅结构，在此不做限定。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括基底，以及设置于所述基底上的至少一个紫外传感晶体管和至少一个控制晶体管，所述控制晶体管与所述紫外传感晶体管电连接，所述紫外传感晶体管包括紫外吸收层；
彩膜基板，设置于所述阵列基板的对侧，所述彩膜基板包括挡光单元；
其中，所述挡光单元在所述基底上的正投影覆盖所述紫外吸收层在所述基底上的正投影。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括第一颜色色阻、第二颜色色阻、第三颜色色阻，所述挡光单元包括所述第一颜色色阻、所述第二颜色色阻、所述第三颜色色阻中一种或堆叠设置的至少两种。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括遮光层，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述控制晶体管的半导体层在所述基底上的正投影。
4.如权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述挡光单元和所述紫外吸收层之间的第一有机层，所述第一有机层包括第一开孔，所述第一开孔在所述基底上的正投影与所述紫外吸收层在所述基底上的正投影至少部分重叠。
5.如权利要求1～3任一项所述的显示面板，其特征在于，包括非显示区和显示区，所述紫外传感晶体管和所述控制晶体管均设置于所述非显示区；
所述显示面板还包括遮挡层，所述遮挡层设置于所述紫外传感晶体管与所述基底之间，所述遮挡层在所述基底上的正投影覆盖所述紫外吸收层在所述基底上的正投影。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述紫外传感晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述控制晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；
所述第一栅极和所述第二栅极位于同一层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层和所述控制晶体管的半导体层位于同一层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述非显示区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个栅极驱动晶体管，所述栅极驱动晶体管包括第三栅极、第三源极、第三漏极和有源层；
所述第一栅极和所述第三栅极位于同一层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第三源极和所述第三漏极位于同一层，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层和所述栅极驱动晶体管的有源层位于同一层。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层、所述控制晶体管的半导体层和所述栅极驱动晶体管的有源层均为多晶硅。
9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述紫外传感晶体管的所述紫外吸收层的面积大于所述控制晶体管的半导体层的面积。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道宽度为200微米至5000微米，所述紫外传感晶体管的紫外吸收层的沟道长度为3微米至6微米；
所述控制晶体管的半导体层的沟道宽度为3微米至20微米，所述控制晶体管的半导体层的沟道长度为3微米至6微米。
11.一种显示终端，其特征在于，包括终端主体和如权利要求1至10任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101762899A (zh) * 2008-12-25 2010-06-30 索尼株式会社 显示面板,模块和电子装置
CN102564581A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 元太科技工业股份有限公司 光感测电路单元
CN104952881A (zh) * 2015-05-06 2015-09-30 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
CN105047674A (zh) * 2015-08-06 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN105446000A (zh) * 2016-01-21 2016-03-30 武汉华星光电技术有限公司 护眼式液晶显示装置的制作方法
CN109738060A (zh) * 2018-12-18 2019-05-10 惠科股份有限公司 一种检测环境因素的传感装置及其使用方法
CN111123573A (zh) * 2019-12-18 2020-05-08 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN112582438A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113629069A (zh) * 2021-07-16 2021-11-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及制备方法、光探测器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102891150A (zh) * 2011-07-22 2013-01-23 中国科学院微电子研究所 紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法
TW201438204A (zh) * 2013-03-19 2014-10-01 Univ Nat Chiao Tung 平板型ｘ光偵測器的ｔｆｔ－ｐｉｎ陣列基板及組裝結構
CN104393024B (zh) * 2014-12-03 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置
CN107219676A (zh) * 2017-08-03 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板、背光模组、显示装置及显示系统

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101762899A (zh) * 2008-12-25 2010-06-30 索尼株式会社 显示面板,模块和电子装置
CN102564581A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 元太科技工业股份有限公司 光感测电路单元
CN104952881A (zh) * 2015-05-06 2015-09-30 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
CN105047674A (zh) * 2015-08-06 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN105446000A (zh) * 2016-01-21 2016-03-30 武汉华星光电技术有限公司 护眼式液晶显示装置的制作方法
CN109738060A (zh) * 2018-12-18 2019-05-10 惠科股份有限公司 一种检测环境因素的传感装置及其使用方法
CN111123573A (zh) * 2019-12-18 2020-05-08 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN112582438A (zh) * 2020-12-10 2021-03-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113629069A (zh) * 2021-07-16 2021-11-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及制备方法、光探测器

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