CN114675074A - 一种mcu的vdda校正装置和校正方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种MCU的VDDA校正装置和校正方法，所述校正装置与自动测试仪或供电电源连接，模数转换模块用于接收主控模块的控制指令和自动测试仪提供的第一电压后，对第一电压进行模数转换得到第一数值，并将第一数值传输至主控模块；主控模块用于存储第一数值，用于将第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对供电电源提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以便利用第一数值、第二数值和第三数值计算得到实际电压。通过模数转换模块对精准采集到的第一电压进行模数转换后得到第一数值，并进行存储，从而为计算实际电压提供校准值，进而获得精准的实际电压，即当前的第二电压。

Description

一种MCU的VDDA校正装置和校正方法

技术领域

本发明涉及电压测量技术领域，特别涉及一种MCU的VDDA校正装置和校正方法。

背景技术

VDDA是电源系统中的模拟电源部分，负责为模拟器件供电，同时是数模转换和模数转换的参考电源，对于转换值结果的精确性有直接影响。在ADC采样中，可以利用VDDA作为参考电压来换算出采样电压值，同理，也可以利用采样值来反推参考电压VDDA，所以在应用中能得到准确的VDDA值非常重要。在出厂测试机台上的供电电压会记为VDDA测试值，这个值通常为一个固定值(固定VDDA值，记为准确值A)，但实际上由于不同机台给到MCU的实际电压和运算使用的固定VDDA值有差异，而现有技术并没有去采集实际电压(实际VDDA值)，这就造成了用户使用数模转换或者模数转换运算值不准确。

在ATE生产测试时，现有技术是默认ATE机台输出到芯片的测试VDDA值为固定准确输出值(固定VDDA值)，但实际上ATE机台的实际VDDA输出有波动且不同的ATE机台输出到MCU的实际VDDA值也不同，实际VDDA值的不同也会造成不同芯片的一致性较差。

由于现有使用的ATE机台上的给到MCU的实际VDDA值没有进行准确测量，如果每次进行人工测量，则会大大提高测试时间和成本，所以在使用时只是将实际VDDA值默认为一个准确值A，但VDDA的实际值和默认的准确值A是有误差的。在ADC采集运算输出结果会使用到A值时，由于与实际有偏差，就会造成输出结果有误差。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种MCU的VDDA校正装置和校正方法，旨在解决现有技术中直接采用固定VDDA值计算得到的实际电压或当前电压值不够准确的问题。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种MCU的VDDA校正装置，与自动测试仪或供电电源连接，所述MCU的VDDA校正装置包括：模数转换模块和主控模块；

所述模数转换模块分别与所述主控模块和所述自动测试仪连接，所述主控模块还与所述自动测试仪或所述供电电源连接；

所述模数转换模块用于接收所述主控模块的控制指令和所述自动测试仪提供的第一电压后，对所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值传输至所述主控模块；所述主控模块用于存储所述第一数值，用于将所述第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对所述供电电源提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以便利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述主控模块包括：稳压单元、ADC采集单元、控制单元和存储单元；

所述稳压单元分别与所述控制单元、所述ADC采集单元和所述存储单元连接，所述稳压单元还与所述自动测试仪或所述供电电源连接，所述控制单元还分别与所述ADC采集单元、所述存储单元和所述模数转换模块连接；

所述稳压单元用于对所述自动测试仪提供的所述第一电压或所述供电电源提供的第二电压进行稳压处理，并相应地输出经过稳压后的第一电压或经过稳压后的第二电压至所述ADC采集单元、所述控制单元和所述存储单元；所述ADC采集单元用于对经过稳压后的第一电压进行模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值传输至所述控制单元，还用于对经过稳压后的第二电压进行模数转换得到所述第三数值；所述控制单元用于输出所述控制指令至所述模数转换模块，以及用于读取到所述第二数值后将所述第二数值写入至所述存储单元；所述存储单元用于存储所述第一数值和所述第二数值。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述模数转换模块包括：高精度ADC采集器。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述MCU的VDDA校正装置与所述自动测试仪连接时，由所述自动测试仪提供所述第一电压至所述主控模块，所述主控模块接收所述第一电压后，先进行稳压并转换得到所述第二数值，再对所述第二数值进行存储。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述MCU的VDDA校正装置与所述供电电源连接时，由所述供电电源提供所述第二电压至所述主控模块，所述主控模块接收所述第二电压后，先进行稳压并转换得到所述第三数值。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述第一电压为测试电压，所述第一数值为校准电压值，所述第二数值为第一参考电压值。

所述MCU的VDDA校正装置中，所述第二电压为实际电压，所述第三数值为第二参考电压值。

一种基于所述的MCU的VDDA校正装置的MCU的VDDA校正方法，所述MCU的VDDA校正方法包括以下步骤：

所述主控模块输出所述控制指令至所述模数转换模块；

所述模数转换模块接收所述控制指令和采集所述自动测试仪提供的所述第一电压后，将所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值存储至所述主控模块；

所述主控模块接收所述自动测试仪提供的所述第一电压后，先进行稳压后模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值进行存储；

在所述主控模块将所述第二数值进行存储后，对所述供电电源提供的所述第二电压先进行稳压后模数转换得到所述第三数值；

利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。

所述MCU的VDDA校正方法中，所述MCU的VDDA校正方法具体包括以下步骤：

稳压单元接收所述自动测试仪提供的测试电压后，对所述测试电压进行稳压处理，并将经过稳压后的测试电压传输至控制单元、ADC采集单元和存储单元；

所述控制单元接收到经过稳压后的测试电压后，输出所述控制指令至高精度ADC采集器；

所述高精度ADC采集器接收所述控制指令和采集所述自动测试仪提供的测试电压后，将所述测试电压进行模数转换得到校准电压值，并将所述校准电压值传输至所述控制单元；

所述ADC采集单元将经过稳压后的测试电压进行模数转换得到第一参考电压值，并将所述第一参考电压值传输至所述控制单元；

所述控制单元读取所述校准电压值和所述第一参考电压值后，将所述校准电压值和所述第一参考电压值均写入存储单元；

在所述控制单元将所述第一参考电压值进行存储后，所述ADC采集单元采集同样经所述稳压单元进行稳压后的实际电压，并将经过稳压后实际电压进行模数转换得到第二参考电压值；

利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压。

所述MCU的VDDA校正方法中，所述利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压的步骤包括：

利用以下公式计算得到所述实际电压：实际电压＝(校准电压值*第一参考电压值)/第二参考电压值。

相较于现有技术，本发明提供的一种MCU的VDDA校正装置和校正方法，所述校正装置与自动测试仪或供电电源连接，所述校正装置包括：模数转换模块和主控模块；模数转换模块用于接收主控模块的控制指令和自动测试仪提供的第一电压后，对第一电压进行模数转换得到第一数值，并将第一数值传输至主控模块；主控模块用于存储第一数值，用于将第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对供电电源提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以便利用第一数值、第二数值和第三数值计算得到实际电压。通过模数转换模块对精准采集到的第一电压进行模数转换后得到第一数值，并进行存储，从而为计算实际电压提供校准值，进而获得精准的实际电压，即当前的第二电压。

附图说明

图1和2为本发明提供的MCU的VDDA校正装置的结构框图；

图3为本发明提供的MCU的VDDA校正方法的较佳实施例的流程图；

图4为本发明提供的MCU的VDDA校正方法的较佳实施例的具体流程图。

附图标记：10：MCU的VDDA校正装置；20：自动测试仪；30：供电电源；100：模数转换模块；200：主控模块；210：稳压单元；220：ADC采集单元；230：控制单元；240：存储单元；ADC1：内部ADC采集器；ADC2：高精度ADC采集器。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本发明提供的一种MCU的VDDA校正装置和校正方法，本发明中在所述校正装置与自动测试仪时，通过模数转换模块接收主控模块的控制指令和自动测试仪提供的第一电压后，对第一电压进行模数转换得到第一数值，并将作为校准电压值的第一数值存储至主控模块，同时主控模块将第一电压转换得到第二数值后同样进行存储；而在所述校正装置与供电电源连接时，通过主控模块接收供电电源提供的第二电压后转换得到第三数值，以便利用第一数值、第二数值和第三数值计算得到实际电压，即精准计算得到当前的第二电压，从而有效地对当前电压值的实际值进行了校准。

下面通过具体示例性的实施例对MCU的VDDA校正装置设计方案进行描述，需要说明的是，下列实施例只用于对发明的技术方案进行解释说明，并不做具体限定：

请参阅图1和图2，本发明提供的一种MCU的VDDA校正装置10，与自动测试仪20或供电电源30连接，所述MCU的VDDA校正装置10包括：模数转换模块100和主控模块200；

所述模数转换模块100分别与所述主控模块200和所述自动测试仪20连接，所述主控模块200还与所述自动测试仪20或所述供电电源30连接；

所述模数转换模块100用于接收所述主控模块200的控制指令和所述自动测试仪20提供的第一电压后，对所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值传输至所述主控模块200；所述主控模块200用于存储所述第一数值，用于将所述第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对所述供电电源30提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以便利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。其中，所述供电电源30可以是能为所述MCU的VDDA校正装置10提供正常电压的设备，例如供电电池等。

更进一步地，所述MCU的VDDA校正装置10与所述自动测试仪20连接时，由所述自动测试仪20提供所述第一电压至所述主控模块200，所述主控模块200接收所述第一电压后，先进行稳压并转换得到所述第二数值，再对所述第二数值进行存储。

更进一步地，所述MCU的VDDA校正装置10与所述供电电源30连接时，由所述供电电源30提供所述第二电压至所述主控模块200，所述主控模块200接收所述第二电压后，先进行稳压并转换得到所述第三数值。

其中，所述主控模块200为MCU(MCU:是Micro Controller Unit单词的首字母缩写，指微控制器芯片。MCU是一种SoC芯片，主要用于控制类的应用；例如电机控制、信号测量控制、生产自动化控制等等)；所述第一电压为测试电压，所述第一数值为校准电压值，所述第二数值为第一参考电压值；所述第二电压为实际电压，所述第三数值为第二参考电压值。

具体地，在现有技术中，对于实际给到所述MCU的实际VDDA值的推算过程如下，即推算当前的第二电压的过程一般采用以下的方式：

首先，在使用所述自动测试仪20对所述MCU进行出厂测试时，由所述自动测试仪20(ATE：Automatic Test Equipment单词的首字母缩写，是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备)提供所述测试电压(所述第一电压)给所述MCU，此时，所述MCU中的稳压单元210对所述测试电压先进行稳压，得到基准电压，所述MCU的内部ADC采样器ADC1再以所述测试电压为此时的参考电压，对所述基准电压进行采样后，经过模数转换得到所述第一参考电压值(用CAL值表示)并进行保存；然后，在所述供电电源30等外部电源(所述外部电源的标准输出电压与所述MCU的供电电压相匹配)连接所述MCU时，由所述供电电源30提供所述实际电压(当前的第二电压)至所述MCU，同理，此时所述MCU中的稳压单元210对所述实际电压先进行稳压，得到相同的基准电压，所述MCU中的内部ADC采样器ADC1再以所述实际电压为此时的参考电压，对所述实际电压进行采样后，经过模数转换得到所述第二参考电压值(用VREF值表示)；最后，直接利用所述自动测试仪20的标准输出电压(用A值表示，与所述MCU的供电电压相匹配，例如3.3V)、所述第一参考电压值(CAL值)和所述第二参考电压值(VREF值)推算此时的实际VDDA值(当前电压值，用C值表示)，计算公式如下：

C＝(CAL*A)/VREF (1)。

但是，由于在进行出厂测试时，所述自动测试仪20提供的所述测试电压不可能是标准输出电压A值，所以利用上述计算公式(1)推算出此时的实际VDDA值(C值)偏大。

需要说明的是：由于所述稳压单元210为同一个，所以两次稳压处理得到的所述基准电压相同，但是，由于两次的参考电压不一定相同，所以经过所述内部ADC采样器ADC1两次分别对所述基准电压进行模数转换后，相应得到的所述第一参考电压值(CAL值)和所述第二参考电压值(VREF值)也不一定相同。

而在本申请中，同样在对所述MCU进行出厂测试时，将所述模数转换模块100并联连接在所述MCU和所述自动测试仪20之间从而形成所述MCU的VDDA校正装置10，此时，由所述自动测试仪20提供所述第一电压至所述主控模块200，所述主控模块200接收所述第一电压(所述第一电压为所述测试电压)后，进行稳压并经过模数转换得到所述第二数值(所述第二数值为所述第一参考电压值，用CAL值表示)，并对所述第二数值进行存储，同时，所述主控模块200输出所述控制指令至所述模数转换模块100，以便控制所述模数转换模块100开始工作，然后，所述模数转换模块100对所述自动测试仪20提供的所述第一电压进行模数转换，得到所述第一数值(所述第一数值为所述校准电压值，用B值表示)后，将所述第一数值传输至所述主控模块200，所述主控模块200读取所述模数转换模块100输出的第一数值后，将所述第一数值进行存储；

而在所述MCU的VDDA校正装置10连接所述供电电源30等外部电源时，若此时所述外部电源30为满电输出，则实际VDDA值就是3.3V，所述MCU内部则输出为一个稳定电压值，即所述外部电源30为满电输出时，所述第二参考电压值(VREF值)为一个稳定电压值，此电压在-40～110度范围内波动很小且不随VDDA变化而变化。

但是，当所述外部电源输出的工作电压发生变化后，则由所述供电电源30提供所述第二电压至所述主控模块200，然后，所述主控模块200将所述第二电压先进行稳压后经过模数转换得到所述第三数值(所述第三数值为所述第二参考电压值，用VREF值表示)；最后，通过所述主控模块200直接读取所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值，计算得到精准的所述实际电压(所述实际电压为当前准确的所述第二电压，也即实际VDDA值，用C值表示)，计算公式如下：C＝(CAL*B)/VREF(2)。

需要说明的是，本发明中所述实际电压是直接被所述供电电源提供至所述MCU(所述主控模块200)的，为了节约测量成本和时间，并没有对其进行实时测量，且所述MCU只能对所述第二电压进行模数转换后的第三数值进行读取，所以所述实际电压，即当前的第二电压是通过上述公式(2)推算出来的。

本发明中在进行出厂测试阶段时，通过所述模数转换模块100采集所述自动测试仪20提供的所述第一电压(测试电压)，并将所述第一电压依次进行稳压和模数转换后，得到此时此台所述自动测试仪20提供的精准的所述第一数值(校准电压值)，并通过所述主控模块200将所述第一数值进行存储，同时，所述主控模块200将所述第一电压进行转换得到所述第二数值后同样进行存储，而在所述MCU的VDDA校正装置10连接供电电源30等外部电源时，所述主控模块200将接收到的所述供电电源30提供的所述第二电压依次进行稳压和模数转换得到所述第三数值，最后，利用所述主控模块200读取的所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值，计算得到精准的所述实际电压(所述当前电压，也即当前准确的所述第二电压)，即通过在出厂测试时精准测量出自动测试仪20输出的当时时刻的准确电压(所述第一数值)并进行存储，在通过所述供电电源30给所述MCU供电时，直接读取所述第一数值后进行计算得出此时的当前电压值，相较于现有技术中的直接采用自动测试仪20的标准输出电压(A值)，计算此时的当前电压值，本发明中的采用实际测量出自动测试仪20输出的当时时刻的准确电压(所述第一数值)，计算得到的当前电压值更加精准；且相较于实时测量所述当前电压值，通过读取存储的所述第一数值等计算得到所述当前电压值，能够有效地节约测量时间和成本。

进一步地，所述主控模块200包括：稳压单元210、ADC采集单元220、控制单元230和存储单元240；

所述稳压单元210分别与所述控制单元230、所述ADC采集单元220和所述存储单元240连接，所述稳压单元210还与所述自动测试仪20或所述供电电源30连接，所述控制单元230还分别与所述ADC采集单元220、所述存储单元240和所述模数转换模块100连接；

所述稳压单元210用于对所述自动测试仪20提供的所述第一电压或所述供电电源30提供的第二电压进行稳压处理，并相应地输出经过稳压后的第一电压或经过稳压后的第二电压至所述ADC采集单元220、所述控制单元230和所述存储单元240；所述ADC采集单元220用于对经过稳压后的第一电压进行模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值传输至所述控制单元230，还用于对经过稳压后的第二电压进行模数转换得到所述第三数值；所述控制单元230用于输出所述控制指令至所述模数转换模块100，以及用于读取到所述第二数值后将所述第二数值写入至所述存储单元240；所述存储单元240用于存储所述第一数值和所述第二数值。其中，所述ADC采集单元220包括内部ADC采集器ADC1，所述控制单元230包括处理核，所述存储单元240包括Flash("Flash Memory"：闪存，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种，是一种非挥发性(Non-Volatile)内存)。

具体地，当所述MCU的VDDA校正装置10与所述自动测试仪20连接时，首先，由所述自动测试仪20提供所述第一电压至所述稳压单元210，所述稳压单元210对所述第一电压进行稳压处理后提供基准电压(经过稳压后的第一电压)至所述ADC采集单元220(所述内部ADC采集器ADC1)、所述控制单元230(所述处理核)和所述存储单元240(所述Flash)，此时，所述控制单元230输出所述控制指令至所述模数转换模块100，然后，所述模数转换模块100根据所述控制指令开始对所述第一电压进行模数转换操作，得到所述第一数值后传输至所述控制单元230，而所述ADC采集单元220则会以所述第一电压为此时的参考电压，并采集经过稳压后的第一电压(所述基准电压)后进行模数转换得到所述第二数值，再将所述第二数值经所述内部ADC采集器ADC1上的LDO口传输至所述控制单元230，最后，所述控制单元230读取所述第一数值和所述第二数值的值后，均写入到所述存储单元240进行存储。

而在所述MCU的VDDA校正装置10连接所述供电电源30等外部电源时，由所述供电电源30提供所述第二电压至所述稳压单元210，同理，所述稳压单元210对所述第二电压进行稳压处理后提供所述基准电压(经过稳压后的第二电压)至所述ADC采集单元220、所述控制单元230和所述存储单元240，其中，由于所述稳压单元210为同一个，所以两次稳压处理得到的所述基准电压相同，即经过稳压后的第二电压和经过稳压后的第一电压均等于所述基准电压，然后，所述ADC采集单元220以所述第二电压为此时的参考电压，并采集经过稳压后的第二电压(所述基准电压)后进行模数转换得到所述第三数值，并将所述第三数值经所述内部ADC采集器ADC1上的LDO口传输至所述控制单元230，以便所述控制单元230读取所述第三数值的值，其中，虽然两次稳压后的所述基准电压相同，但是由于两次的参考电压不一定相同，所以经过所述ADC采集单元220两次分别对经过稳压后的所述第一电压和经过稳压后的所述第二电压进行模数转换后，相应得到的所述第二数值和所述第三数值也不一定相同。

本发明中通过稳压单元210为所述控制单元230、所述ADC采集单元220和所述存储单元240提供供电电源和基准电压，从而让各单元能够稳定有效地工作，通过所述控制单元230控制所述模数转换模块100对所述第一电压开始进行模数转换操作，通过所述控制单元230读取所述模数转换模块100输出的所述第一数值和所述内部ADC采集器ADC1输出的所述第二数值，并将所述第一数值和所述第二数值均写入到所述存储单元240进行存储，从而实现保存当时时刻的准确电压(所述第一数值)和所述第一参考电压值(所述第二数值)，为计算出准确的当前的第二电压或实际电压提供了有效保障。

进一步地，所述模数转换模块100包括：高精度ADC采集器ADC2。

具体地，通过所述高精度ADC采集器ADC2采集所述自动测试仪20当时时刻提供的所述第一电压，并通过模数转换得到精准的所述第一数值后，进行存储，以便利用所述第一数值计算得到精准的所述实际电压，有效地保障了计算实际电压的精准度。

请参阅图3，本发明提供的一种基于所述的MCU的VDDA校正装置10的MCU的VDDA校正方法，所述MCU的VDDA校正方法包括以下步骤：

S10、所述主控模块200输出所述控制指令至所述模数转换模块100；

S20、所述模数转换模块100接收所述控制指令和采集所述自动测试仪20提供的所述第一电压后，将所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值存储至所述主控模块200；

S30、所述主控模块200接收所述自动测试仪20提供的所述第一电压后，先进行稳压后模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值进行存储；

S40、在所述主控模块200将所述第二数值进行存储后，对所述供电电源30提供的所述第二电压先进行稳压后模数转换得到所述第三数值；

S50、利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。

具体地，在对所述MCU进行出厂测试时，将所述模数转换模块100并联连接在所述MCU和所述自动测试仪20之间从而形成本发明中的所述MCU的VDDA校正装置10，此时，由所述自动测试仪20提供所述第一电压至所述主控模块200，所述主控模块200接收所述第一电压后，依次经过稳压和模数转换操作得到所述第二数值，并对所述第二数值进行存储，同时，所述主控模块200输出所述控制指令至所述模数转换模块100，所述模数转换模块100根据所述控制指令开始进行工作，将所述自动测试仪20提供的所述第一电压进行模数转换得到所述第一数值后，再将所述第一数值传输至所述主控模块200，所述主控模块200读取所述模数转换模块100输出的第一数值后，将所述第一数值进行存储；

而在所述MCU的VDDA校正装置10连接所述供电电源30等外部电源时，所述模数转换模块100并不连接在所述MCU上，此时，由所述供电电源30提供所述第二电压至所述主控模块200，然后，所述主控模块200将所述第二电压同样依次经稳压和模数转换操作得到所述第三数值；最后，通过所述主控模块200直接读取所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值，计算得到所述实际电压(当前准确的所述第二电压)。

本发明中在对所述MCU进行出厂测试时，通过所述模数转换模块100采集所述自动测试仪20提供的所述第一电压后模数转换得到精准的所述第一数值，并进行存储，在实际使用时，直接读取所述第一数值推算得到所述实际电压，从而在节约了实时测量当前电压值的基础上，推算出所述实际电压，不仅有效地节约了测试时间和测试成本，还保障了计算所述实际电压的准确性。

进一步地，请参阅图4，所述MCU的VDDA校正方法具体包括以下步骤：

S100、稳压单元210接收所述自动测试仪20提供的测试电压后，对所述测试电压进行稳压处理，并将经过稳压后的测试电压传输至控制单元230、ADC采集单元220和存储单元240；

S200、所述控制单元230接收到经过稳压后的测试电压后，输出所述控制指令至高精度ADC采集器ADC2；

S300、所述高精度ADC采集器ADC2接收所述控制指令和采集所述自动测试仪20提供的测试电压后，将所述测试电压进行模数转换得到校准电压值，并将所述校准电压值传输至所述控制单元230；

S400、所述ADC采集单元220将经过稳压后的测试电压进行模数转换得到第一参考电压值，并将所述第一参考电压值传输至所述控制单元230；

S500、所述控制单元230读取所述校准电压值和所述第一参考电压值后，将所述校准电压值和所述第一参考电压值均写入存储单元240；

S600、在所述控制单元230将所述第一参考电压值进行存储后，所述ADC采集单元220采集同样经所述稳压单元210进行稳压后的实际电压，并将经过稳压后实际电压进行模数转换得到第二参考电压值；

S700、利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压。

具体地，当所述MCU的VDDA校正装置10与所述自动测试仪20连接时，首先，由所述自动测试仪20提供所述测试电压(所述第一电压)至所述稳压单元210，所述稳压单元210对所述测试电压进行稳压处理后输出经过稳压后的测试电压至所述ADC采集单元220(所述内部ADC采集器ADC1)、所述控制单元230(所述处理核)和所述存储单元240(所述Flash)，此时，所述控制单元230输出所述控制指令至所述高精度ADC采集器ADC2，然后，所述高精度ADC采集器ADC2根据所述控制指令将所述测试电压进行模数转，得到所述校准电压值(所述第一数值，用B值表示)后传输至所述控制单元230，而所述ADC采集单元220则会对经过稳压后的测试电压进行模数转换得到所述第一参考电压值(所述第二数值，用CAL值表示)，并将所述第一参考电压值经所述内部ADC采集器ADC1上的LDO口传输至所述控制单元230，最后，所述控制单元230读取所述校准电压值和所述第一参考电压值的值后，均写入到所述存储单元240进行存储；

而在所述MCU的VDDA校正装置10连接所述供电电源30等外部电源时，由所述供电电源30提供所述实际电压(所述第二电压，也即实际VDDA值，用C值表示)至所述稳压单元210，同理，所述稳压单元210对所述实际电压进行稳压处理后得到经过稳压后的实际电压，并传输至所述ADC采集单元220、所述控制单元230和所述存储单元240，然后，所述ADC采集单元220对经过稳压后的第二电压进行模数转换得到所述第二参考电压值(所述第三数值，用VREF值表示)，并将所述第二参考电压值同样经所述内部ADC采集器ADC1上的LDO口传输至所述控制单元230，以便所述控制单元230读取所述第二参考电压值的值；最后，利用所述控制单元230直接读取经所述内部ADC采集器ADC1传输的所述第二参考电压值，以及读取所述存储单元240中的所述校准电压值和所述第一参考电压值，计算得到所述实际电压。

本发明中通过所述高精度ADC采集器ADC2精准采集当时时刻所述自动测试仪20提供的所述测试电压后，转换得到所述校准电压值，并最终传输至所述存储单元240进行存储，以便在推算所述供电电源30提供的所述实际电压时，能直接读取所述校准电压值，从而计算得到精准的所述实际电压，相较于实时测量所述实际电压，或直接利用所述自动测试仪20的标准输出电压计算得到误差较大的实际电压的数值，本发明不仅有效地节约了测量成本和测量时间，还能快速又精准地推算出所述实际电压。

进一步地，所述利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压的步骤包括：

利用以下公式计算得到所述实际电压：实际电压＝(校准电压值*第一参考电压值)/第二参考电压值。

具体地，当所述ADC采集单元220对经过稳压后的实际电压(C值)进行模数转换得到所述第二参考电压值(VREF值)时，首先，所述ADC采集单元220将所述第二参考电压值同样经所述内部ADC采集器ADC1上的LDO口传输至所述控制单元230，然后，所述控制单元230直接读取所述内部ADC采集器ADC1传输的所述第二参考电压值，以及读取所述存储单元240中的所述校准电压值(B值)和所述第一参考电压值(CAL值)，计算得到所述实际电压，计算公式如下：实际电压＝(校准电压值*第一参考电压值)/第二参考电压值，即C＝(CAL*B)/VREF。

本发明中通过直接读取出厂测试时实际测量并进行存储的精准的所述校准电压值，计算得到当前电压值，也即实际电压值，相较于直接利用自动测试仪20的标准输出电压计算得到所述实际电压，能够更加有效地保障计算实际电压的精准度。

综上所述，本发明提供的一种MCU的VDDA校正装置和校正方法，所述校正装置与自动测试仪或供电电源连接，所述校正装置包括：模数转换模块和主控模块；模数转换模块用于接收主控模块的控制指令和自动测试仪提供的第一电压后，对第一电压进行模数转换得到第一数值，并将第一数值传输至主控模块；主控模块用于存储第一数值，用于将第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对供电电源提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以便利用第一数值、第二数值和第三数值计算得到实际电压。通过模数转换模块对精准采集到的第一电压进行模数转换后得到第一数值，并进行存储，从而为计算实际电压提供校准值，进而获得精准的实际电压，即当前的第二电压。

可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种MCU的VDDA校正装置，与自动测试仪或供电电源连接，其特征在于，所述MCU的VDDA校正装置包括：模数转换模块和主控模块；

所述模数转换模块分别与所述主控模块和所述自动测试仪连接，所述主控模块还与所述自动测试仪或所述供电电源连接；

所述模数转换模块用于接收所述主控模块的控制指令和所述自动测试仪提供的第一电压后，对所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值传输至所述主控模块；所述主控模块用于存储所述第一数值，用于将所述第一电压先进行稳压后模数转换得到第二数值并进行存储，以及用于对所述供电电源提供的第二电压先进行稳压后模数转换得到第三数值，以利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。

2.根据权利要求1所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述主控模块包括：稳压单元、ADC采集单元、控制单元和存储单元；

所述稳压单元分别与所述控制单元、所述ADC采集单元和所述存储单元连接，所述稳压单元还与所述自动测试仪或所述供电电源连接，所述控制单元还分别与所述ADC采集单元、所述存储单元和所述模数转换模块连接；

所述稳压单元用于对所述自动测试仪提供的所述第一电压或所述供电电源提供的第二电压进行稳压处理，并相应地输出经过稳压后的第一电压或经过稳压后的第二电压至所述ADC采集单元、所述控制单元和所述存储单元；所述ADC采集单元用于对经过稳压后的第一电压进行模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值传输至所述控制单元，还用于对经过稳压后的第二电压进行模数转换得到所述第三数值；所述控制单元用于输出所述控制指令至所述模数转换模块，以及用于读取到所述第二数值后将所述第二数值写入至所述存储单元；所述存储单元用于存储所述第一数值和所述第二数值。

3.根据权利要求1所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述模数转换模块包括：高精度ADC采集器。

4.根据权利要求1所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述MCU的VDDA校正装置与所述自动测试仪连接时，由所述自动测试仪提供所述第一电压至所述主控模块，所述主控模块接收所述第一电压后，先进行稳压并转换得到所述第二数值，再对所述第二数值进行存储。

5.根据权利要求4所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述MCU的VDDA校正装置与所述供电电源连接时，由所述供电电源提供所述第二电压至所述主控模块，所述主控模块接收所述第二电压后，先进行稳压并转换得到所述第三数值。

6.根据权利要求5所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述第一电压为测试电压，所述第一数值为校准电压值，所述第二数值为第一参考电压值。

7.根据权利要求6所述的MCU的VDDA校正装置，其特征在于，所述第二电压为实际电压，所述第三数值为第二参考电压值。

8.一种基于权利要求1-7任一项所述的MCU的VDDA校正装置的MCU的VDDA校正方法，其特征在于，所述MCU的VDDA校正方法包括以下步骤：

所述主控模块输出所述控制指令至所述模数转换模块；

所述模数转换模块接收所述控制指令和采集所述自动测试仪提供的所述第一电压后，将所述第一电压进行模数转换得到第一数值，并将所述第一数值存储至所述主控模块；

所述主控模块接收所述自动测试仪提供的所述第一电压后，先进行稳压后模数转换得到所述第二数值，并将所述第二数值进行存储；

在所述主控模块将所述第二数值进行存储后，对所述供电电源提供的所述第二电压先进行稳压后模数转换得到所述第三数值；

利用所述第一数值、所述第二数值和所述第三数值计算得到实际电压。

9.根据权利要求8所述的MCU的VDDA校正方法，其特征在于，所述MCU的VDDA校正方法具体包括以下步骤：

稳压单元接收所述自动测试仪提供的测试电压后，对所述测试电压进行稳压处理，并将经过稳压后的测试电压传输至控制单元、ADC采集单元和存储单元；

所述控制单元接收到经过稳压后的测试电压后，输出所述控制指令至高精度ADC采集器；

所述高精度ADC采集器接收所述控制指令和采集所述自动测试仪提供的测试电压后，将所述测试电压进行模数转换得到校准电压值，并将所述校准电压值传输至所述控制单元；

所述ADC采集单元将经过稳压后的测试电压进行模数转换得到第一参考电压值，并将所述第一参考电压值传输至所述控制单元；

所述控制单元读取所述校准电压值和所述第一参考电压值后，将所述校准电压值和所述第一参考电压值均写入存储单元；

在所述控制单元将所述第一参考电压值进行存储后，所述ADC采集单元采集同样经所述稳压单元进行稳压后的实际电压，并将经过稳压后实际电压进行模数转换得到第二参考电压值；

利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压。

10.根据权利要求9所述的MCU的VDDA校正方法，其特征在于，所述利用所述校准电压值、所述第一参考电压值和所述第二参考电压值计算得到所述实际电压的步骤包括：

利用以下公式计算得到所述实际电压：实际电压＝(校准电压值*第一参考电压值)/第二参考电压值。

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