CN114499521A - 信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质,信号校准方法应用于MCU,MCU与基准电压产生电路连接,基准电压产生电路用于向MCU输入基准电压信号,包括:接收并采集基准电压信号,得到第一基准电压采样值;接收并采集基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;根据第一基准电压采样值、第二基准电压采样值、第一ADC采样值及预设真实值,生成MCU的校准系数;接收并采集基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;根据第一基准电压采样值、第三基准电压采样值、第二ADC采样值及校准系数,校准待测信号的采样值,得到待测信号的真实值。
Description
技术领域
本发明涉及信号采集领域,尤其涉及一种信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
ADC(Analog-to-Digital Converter,模拟/数字转换器)采样技术是一种常用的信号采集技术,用于采集声音、图像及温度等模拟信号。MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)又被称为单片机,内部集成有ADC采样装置。
通常MCU的ADC采样装置所需要的基准电压都是由VCC(Volt Current Condenser,供电电压)电源提供。同时,VCC电源又需要为MCU的处理器、存储器及计数器等器件提供额定的工作电压。MCU运行过程中,VCC电源容易受到干扰。具体地,MCU的器件的离散性、MCU启动时VCC电源上升到稳定电压的过程、MCU的工作环境较差都会导致VCC电源发生波动。ADC采样的精确度与VCC电源的精度及稳定度有直接关系,VCC电源的波动导致VCC电源无法提供理想的基准电压,进而导致了MCU的ADC采样不精确。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质,以解决MCU的ADC采样不精确的问题。
第一方面,本申请的一个实施方式提供一种信号校准方法,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:
接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;
接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;
根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;
接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;
根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
结合第一方面,在第一种可能的实现方式中,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第二基准电压采样值,得到所述检测信号的第一补偿系数;
根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数。
结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第二可能的方式中,所述根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一补偿系数及所述第一ADC采样值,得到所述检测信号补偿后的ADC采样值;
根据所述检测信号补偿后的ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数。
结合第一方面,在第三种可能的实现方式中,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第三基准电压采样值,得到所述待测信号的第二补偿系数;
根据所述第二ADC采样值、所述第二补偿系数及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
结合第一方面,在第四种可能的实现方式中,所述MCU还包括存储器,所述接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值,包括:
接收并采集所述基准电压信号,将所述基准电压信号以外的信号归零,得到第一基准电压采样值,并将所述第一基准电压采样值存储至存储器。
结合第一方面的第四种可能的实现方式,在第五可能的方式中,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数之后,还包括:
将所述校准系数存储至所述存储器。
结合第一方面,在第六种可能的实现方式中,所述基准电压产生电路包括基准电压源及跟随器,所述基准电压源通过所述跟随器与所述MCU连接。
第二方面,本申请的一个实施方式提供一种信号校准装置,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:
电压信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;
检测信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;
校准系数生成模块,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;
待测信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;
待测信号校准模块,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
第三方面,本申请的一个实施方式提供一种计算机设备,包括处理器及存储器,所述存储器上存储有程序或指令,所述程序或指令被所述处理器执行,以使所述计算机设备执行上述的信号校准方法的步骤。
第四方面,本申请的一个实施方式提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有程序或指令,所述程序或指令被处理器执行时实现上述的信号校准方法的步骤。
本申请提供一种信号校准方法,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。通过校准待测信号的采样值,降低了MCU的采样误差,提高了MCU的采样准确度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中,类似的构成部分采用类似的编号。
图1示出了本发明实施例提供的信号校准方法的流程图;
图2示出了本发明实施例提供的基准电压产生电路的结构示意图;
图3示出了本发明实施例提供的基准电压产生电路的另一种结构示意图;
图4示出了本发明实施例提供的信号校准方法的另一种流程图;
图5示出了本发明实施例提供的信号校准装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下文中,可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合,并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有限定,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义,除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
实施例1
请参阅图1,图1示出了本发明实施例提供的信号校准方法的流程图。图1中的信号校准方法应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,图1中的信号校准方法包括以下步骤:
步骤101,接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值。
基准电压产生电路与MCU的ADC采样装置连接,基准电压产生电路用于为MCU的ADC采样装置提供所需的基准电压,其中,基准电压是指将ADC采样装置放置于0℃的温场,并输入额定工作电流时ADC采样装置的电压值。MCU的ADC采样装置接收并采集基准电压信号,得到仅输入基准电压信号时的基准电压采样值,即第一基准电压采样值。
请参阅图2,图2示出了本发明实施例提供的基准电压产生电路的结构示意图。作为一个示例,所述基准电压产生电路包括基准电压源210及跟随器U,所述基准电压源210通过所述跟随器U与所述MCU220连接。
基准电压产生电路包括基准电压源210与跟随器U,基准电压产生电路与MCU220的ADC采样装置连接。基准电压产生电路用于产生MCU的ADC采用装置所需的基准电压,且产生的基准电压不会随VCC电源201的变化而发生改变,降低了VCC电源201对ADC采用精度的影响,且不需要额外设计采样控制芯片。需要理解的是,基准电压产生电路中包含的电容、电阻及电感是根据实际需求设置的,在此不做限定。
请一并参阅图3,图3示出了本发明实施例提供的基准电压产生电路的另一种结构示意图。为便于理解本申请,图3给出了一种基准电压产生电路的示例。本申请中的基准电压源210由VCC电源201与TL431组成,TL431是一种并联稳压集成电路,可等效为晶体管。TL431用于稳定基准电压源210的输出电压,举例而言,当基准电压源210的输入电压增大时,TL431通过调整使经过自身的电流增大,进而增加电阻的压降。需要理解的是,基准电压源210的输出电压等于输入电压与电阻的压降的差值。基准电压源210的输入电压变化时,通过调节电阻的压降来调节输出电压,稳定基准电压源210的输出电压,进而通过基准电压源210用于提供稳定的基准电压。
当电路输入阻抗较小时,信号容易损失在电阻中。跟随器U为具有输入阻抗高,输出阻抗低的特点。跟随器U作为基准电压源210与MCU之间隔离级与缓冲级,提高了基准电压产生电路的负载。
步骤102,接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值。
基准电压产生电路持续为MCU的ADC采样装置提供基准电压,同时,将真实值为预设真实值的检测信号输入至MCU。ADC采样装置接收并采集检测信号,得到检测信号的ADC采样值,即第一ADC采样值。同时,输入的检测信号会对基准电压信号造成的干扰,ADC采样装置接收并采集基准电压信号,得到同步输入检测信号时的基准电压采样值,即第二基准电压采样值。已知检测信号的真实值为预设真实值,可通过检测信号的预设真实值与第一ADC采样值,得到ADC采样装置的采样误差。
需要理解的是,真实值是检测信号理想无误差的值,采样值是ADC采样装置采集得到值。具体地,采集检测信号的电压值时,若检测信号的真实值为2V,ADC采样装置采集得到第一ADC采样值可以是1.9V等任意存在误差的电压值。
步骤103,根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数。
获取MCU仅接收基准电压信号时,与同时接收基准电压信号与检测信号时,基准电压采样值的变化,即获取第一基准电压采样值与第二基准电压采样值的关系。获取第一ADC采样值与预设真实值的误差,并根据第一基准电压采样值、第二基准电压采样值、第一ADC采样值及设真实值,生成MCU的校准系数。
作为一个示例,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第二基准电压采样值,得到所述检测信号的第一补偿系数;
根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数。
记第一基准电压采样值为Vref_ADC0,第二基准电压采样值为Vref_ADC1,第一ADC采样值为ADC1,检测信号的预设真实值为Real_value0,第一补偿系数为Kc1,则第一补偿系数计算公式为:
Kc1=Vref_ADC0/Vref_ADC1
根据第一ADC采样值与预设真实值之间的误差、第一补偿系数,生成MCU的校准系数。
在一个可选的示例中,所述根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一补偿系数及所述第一ADC采样值,得到所述检测信号补偿后的ADC采样值;
根据所述检测信号补偿后的ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数。
记检测信号补偿后的ADC采样值为ADC_real0,则检测信号补偿后的ADC采样值的计算公式为:
ADC_real0=ADC1*Kc1
通过第一补偿系数补偿基准采样值的误差,进而补偿第一ADC采样值的误差,提高ADC采样值的准确度。得到检测信号补偿后的ADC采样值之后,对比检测信号补偿后的ADC采样值与预设真实值,得到MCU的校准系数。记校准系数为K,则校准系数的计算公式为:
K=Real_value0/ADC_real0
步骤104,接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值。
基准电压产生电路持续为MCU的ADC采样装置提供基准电压,同时,将待测信号输入至MCU,其中,待测信号为任意需要待采样检测的信号,在此不做限定。ADC采样装置接收并采集待测信号,得到待测信号的ADC采样值,即第二ADC采样值。同时,ADC采样装置接收并采集基准电压信号,得到输入检测信号时的基准电压采样值,即第三基准电压采样值。
步骤105,根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
通过第一基准电压采样值、第三基准电压采样值及校准系数,校准采集得到的第二ADC采样值,得到待测信号的真实值。通过校准待测信号的采样值,消减ADC采样装置采集待测信号的误差,提高MCU的ADC采样的精确度。
作为一个示例,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第三基准电压采样值,得到所述待测信号的第二补偿系数;
根据所述第二ADC采样值、所述第二补偿系数及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
记第三基准电压采样值为Vref_ADCx,第二ADC采样值为Real_ADCx,第二补偿系数为Kc2,则第二补偿系数的计算公式为:
Kc2=Vref_ADC0/Vref_ADCx
记待测信号的真实值为Real_value,则待测信号的真实值的计算公式为:
Real_value=Real_ADCx*Kc2*K
根据第一基准电压采样值与第三基准电压采样值,计算待测信号的第二补偿系数。通过第二补偿系数及校准系数,校准待测信号的采样值,得到待测信号的真实值,将得到的待测信号的真实值作为待测信号的输出值,提高了MCU的ADC采样的精确度。
作为一个示例,所述MCU还包括存储器,所述接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值,包括:
接收并采集所述基准电压信号,将所述基准电压信号以外的信号归零,得到第一基准电压采样值,并将所述第一基准电压采样值存储至存储器。
MCU的ADC采样装置通常设置有多个ADC采样通道,每个ADC采样通道对应一个引脚,以采样多种不同的信号。将连接基准电压产生电路的ADC采样通道以外的ADC采样通道的信号均归零,得到仅存在基准电压信号的采样值,即本申请中的第一基准电压采样值。
将第一基准电压采样值存储至MCU的存储器中,以便于快速调用第一基准电压采样值进行计算。需要理解的是,本申请中的MCU的存储器为EEPROM(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory,带电可擦可编程只读存储器)芯片,可通过计算机设备擦除EEPROM芯片已存储的第一基准电压采样值,并更新采集到的第一基准电压采样值。
将第一基准电压采样值写入至存储器之后,重新上电,并检测存储器中存储第一基准电压采样值是否被还原为第一基准电压采样值的默认值。若存储器中的第一基准电压采样值未被还原为存储器的默认值,则确定已将第一基准电压采样值存储至存储器。通过将第一基准电压采样值掉电存储至存储器中,有效避免了存储至存储器中的信息丢失。
请参阅图4,图4示出了本发明实施例提供的信号校准方法的另一种流程图。在一个可选的示例中,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数之后,还包括:
步骤106,将所述校准系数存储至所述存储器。
将生成的校准系数掉电存储至存储器,以便于快速调用校准系数进行计算。若MCU重新上电之后,存储器中的校准系数未被还原为存储器的默认值,则确定已将校准系数存储至存储器,避免存储至存储器中的信息丢失。
本申请提供一种信号校准方法,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。通过校准待测信号的采样值,降低了MCU的采样误差,提高了MCU的采样准确度。
实施例2
请参阅图5,图5示出了本发明实施例提供的信号校准装置的结构示意图。图5中的信号校准装置300应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,所述信号校准装置300包括:
电压信号接收模块310,用于接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;
检测信号接收模块320,用于接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;
校准系数生成模块330,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;
待测信号接收模块340,用于接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;
待测信号校准模块350,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
作为一个示例,所述校准系数生成模块330,还用于根据所述第一基准电压采样值及所述第二基准电压采样值,得到所述检测信号的第一补偿系数;
根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数。
在一个可选的示例中,所述校准系数生成模块330,还用于根据所述第一补偿系数及所述第一ADC采样值,得到所述检测信号补偿后的ADC采样值;
根据所述检测信号补偿后的ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数。
作为一个示例,所述待测信号校准模块350,还用于根据所述第一基准电压采样值及所述第三基准电压采样值,得到所述待测信号的第二补偿系数;
根据所述第二ADC采样值、所述第二补偿系数及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
作为一个示例,所述MCU还包括存储器,所述电压信号接收模块310,还用于接收并采集所述基准电压信号,将所述基准电压信号以外的信号归零,得到第一基准电压采样值,并将所述第一基准电压采样值存储至存储器。
在一个可选的示例中,所述信号校准装置300,还包括:
校准系数存储模块,用于将所述校准系数存储至所述存储器。
信号校准装置300用于执行上述的信号校准方法中的对应步骤,各个功能的具体实施,在此不再一一描述。此外,实施例1中可选示例也同样适用于实施例2的信号校准装置300。
本申请实施例还提供一种计算机设备,包括处理器及存储器,所述存储器上存储有程序或指令,所述程序或指令被所述处理器执行,以使所述计算机设备执行上述的信号校准方法。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质,其所述计算机可读存储介质上存储有程序或指令,所述程序或指令被处理器执行时实现上述的信号校准方法。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,附图中的流程图和结构图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在作为替换的实现方式中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外,在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是智能手机、个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种信号校准方法,其特征在于,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:
接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;
接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;
根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;
接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;
根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
2.根据权利要求1所述的信号校准方法,其特征在于,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第二基准电压采样值,得到所述检测信号的第一补偿系数;
根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数。
3.根据权利要求2所述的信号校准方法,其特征在于,所述根据所述预设真实值、所述第一ADC采样值及所述第一补偿系数,生成所述MCU的校准系数,包括:
根据所述第一补偿系数及所述第一ADC采样值,得到所述检测信号补偿后的ADC采样值;
根据所述检测信号补偿后的ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数。
4.根据权利要求1所述的信号校准方法,其特征在于,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值,包括:
根据所述第一基准电压采样值及所述第三基准电压采样值,得到所述待测信号的第二补偿系数;
根据所述第二ADC采样值、所述第二补偿系数及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
5.根据权利要求1所述的信号校准方法,其特征在于,所述MCU还包括存储器,所述接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值,包括:
接收并采集所述基准电压信号,将所述基准电压信号以外的信号归零,得到第一基准电压采样值,并将所述第一基准电压采样值存储至存储器。
6.根据权利要求5所述的信号校准方法,其特征在于,所述根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数之后,还包括:
将所述校准系数存储至所述存储器。
7.根据权利要求1所述的信号校准方法,其特征在于,所述基准电压产生电路包括基准电压源及跟随器,所述基准电压源通过所述跟随器与所述MCU连接。
8.一种信号校准装置,其特征在于,应用于MCU,所述MCU与基准电压产生电路连接,所述基准电压产生电路用于向所述MCU输入基准电压信号,包括:
电压信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号,得到第一基准电压采样值;
检测信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号和真实值为预设真实值的检测信号,得到第二基准电压采样值及第一ADC采样值;
校准系数生成模块,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第二基准电压采样值、所述第一ADC采样值及所述预设真实值,生成所述MCU的校准系数;
待测信号接收模块,用于接收并采集所述基准电压信号和待测信号,得到第三基准电压采样值及第二ADC采样值;
待测信号校准模块,用于根据所述第一基准电压采样值、所述第三基准电压采样值、所述第二ADC采样值及所述校准系数,校准所述待测信号的采样值,得到所述待测信号的真实值。
9.一种计算机设备,其特征在于,包括处理器及存储器,所述存储器上存储有程序或指令,所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的信号校准方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有程序或指令,所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的信号校准方法的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210148901.XA CN114499521A (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质 |
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---|---|---|---|
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202210148901.XA Pending CN114499521A (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 信号校准方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN114499521A (zh) |
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CN114967813A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-08-30 | 珠海泰芯半导体有限公司 | 基准电压的校准方法、装置及存储介质 |
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- 2022-02-18 CN CN202210148901.XA patent/CN114499521A/zh active Pending
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