CN114967813A - 基准电压的校准方法、装置及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种基准电压的校准方法、装置及存储介质，涉及芯片校准领域。校准方法包括：获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；获取待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；计算步长值；获取待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；判断第三基准电压值是否位于预设电压值范围内；若为是，判断第三基准电压值是否大于目标基准电压值；若为是，将trim_coarse‑1作为目标trim值。本申请可以减少校准次数，提高校准效率。
Description
技术领域
本申请涉及芯片校准领域，尤其涉及一种基准电压的校准方法、装置及存储介质。
背景技术
现有技术中在芯片样片流片回来后，实验室阶段对芯片相关功能进行测试前最重要的一步就是对芯片时钟进行校准。芯片在生产过程中，由于设备、工艺等问题，出厂后的芯片的实际基准电压与设定的目标基准电压存在一定偏差。
为了使芯片可以正常工作，则必须对芯片的基准电压进行校准，现有技术中在芯片设计之初就会在芯片内部预留有trim寄存器，用于实现对基准电压的校准，现有技术中在对芯片的基准电压进行校准时，采用递增法或二分法校准基准电压，需要执行较多的次数才能完成校准，这种校准方式的效率比较低，尤其是在trim寄存器的最大trim值较大的情况下，校准次数会快速增加。
发明内容
本申请实施例提供了基准电压的校准方法、装置、及存储介质，可以解决现有技术中基准电压的校准效率较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种基准电压的校准方法，所述方法包括：
获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；
获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；
计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；
获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；
判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；
若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。
第二方面，本申请实施例提供了一种基准电压的校准装置，所述装置包括：
获取单元，用于获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；
所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；
计算单元，用于计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；
所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；
判断单元，用于判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
所述判断单元，还用于若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；
校准单元，用于若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。
第三方面，本申请实施例提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行上述的方法步骤。
第四方面，本申请实施例提供一种校准装置，可包括：处理器和存储器；其中，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序适于由所述处理器加载并执行上述的方法步骤。
本申请一些实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
基于trim_mid和trim_mid+1得到的两个基准电压的电压值计算步长值，然后根据步长值、目标基准电压值、基于trim_mid调整的第一基准电压值和trim_mid计算trim_coarse，然后将trim_coarse调整后的第三基准电压值和预设电压值范围进行比较，在第三基准电压值在预设电压值范围且大于目标基站电压值时，将trim_coarse-1作为目标trim值，以便待校准芯片基于目标trim值进行基准电压的调整，本申请相对于递增法或二分法确定目标trim值来说，可以减少校准次数，尤其是在最大trim值较大时，性能提升较为明显，因此具有较高的校准效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请实施例提供的网络架构示意图；
图2是本申请实施例提供的基准电压的校准方法的流程示意图；
图3是本申请实施例提供的基准电压的校准方法的另一流程示意图；
图4是本申请提供的一种基准电压的校准装置的结构示意图；
图5是本申请提供的一种基站电压的校准装置的另一结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施例方式作进一步地详细描述。
需要说明的是，本申请提供的基准电压的校准方法一般由校准装置执行，相应的，基准电压的校准装置一般设置于校准装置中。
图1示出了可以应用于本申请的基准电压的校准方法或基准电压的校准装置的示例性系统架构。
如图1所示，系统架构可以包括：校准装置、待校准芯片和电压跟随器。
其中，校准装置第一端口1与待校准芯片的控制引脚相连，校准装置通过第一端口向待校准芯片的trim寄存器写入trim值。校准装置2的第二端口2通过电压跟随器与待校准芯片的基准电压输出引脚相连，电压跟随器提升待校准芯片的驱动能力。待校准芯片基于trim寄存器中的trim值调整基准电压，然后通过基准电压输出引脚输出基准电压信号，待校准装置通过第二端口2测量基准电压信号的电压值。
校准装置可以上位机，即校准装置可以是具有显示屏的各种校准装置，包括但不限于智能手机、平板电脑、膝上型便携式计算机和台式计算机等等。
应理解，图1中的校准装置、电压跟随器和待校准芯片的数目仅是示意性的。根据实现需要，可以是任意数量。
下面将结合附图2，对本申请实施例提供的基准电压的校准方法进行详细介绍。其中，本申请实施例中的基准电压的校准装置可以是图1所示的校准装置。
请参见图2，为本申请实施例提供了一种基准电压的校准方法的流程示意图。如图2所示，本申请实施例的所述方法可以包括以下步骤：
S201、获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值。
其中，待校准芯片设置有trim寄存器，trim寄存器用于存储trim值，待校准芯片根据trim寄存器中存储的trim值调整基准电压。校准装置和待校准芯片的基准电压输出引脚相连，校准专职通过基准电压输出引脚获取待校准芯片的基准电压值，校准装置和待校准芯片的寄存器引脚相连，通过寄存器引脚向trim寄存器写入trim值。校准装置向trim寄存器写入trim_mid后，待校准芯片基于trim_mid进行基准电压调整，校准装置获取调整后的第一基准电压值，trim_mid为trim寄存器的最大trim值的一半，trim寄存器的最大trim值与位数有关，例如：tirm寄存器的位数为8，trim寄存器的取值范围为0～255，即最大trim值为255，trim_mid为127，校准装置获取待校准芯片基于trim值为127调整后的第一基准电压值。
S202、获取待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值。
例如：校准装置获取待校准芯片基于trim值为128调整后的第二基准电压值。由于基准电压值和trim值呈正相关性，那么第二基准电压值大于第一基准电压值。
S203、计算步长值。
其中，根据如下公式计算步长值：LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值。
S204、获取待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值。
其中，根据如下公式计算trim_coarse：trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，VREF_target为待校准芯片的目标基准电压值，即待校准芯片最终输出的基准电压值，VREF1为第一基准电压值，LSB为步长值，trim_mid为最大trim值的一半。
S205、判断第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内。
其中，判断是否满足VREF_target-LSB≤VREF3≤VREF_target+LSB，VREF3为第三基准电压值，VREF_target为目标基准电压值，LSB为步长值。
S206、若为是，判断第三基准电压值是否大于VREF_target。
其中，若满足VREF_target-LSB≤VREF3≤VREF_target+LSB，继续判断VREF3是否大于VREF_target。
S207、将trim_coarse-1作为目标trim值。
其中，校准装置将trim_coarse-1写入到trim寄存器中，待校准芯片根据trim_coarse-1调整基准电压。
本申请的实施例在校准芯片的基准电压时，基于trim_mid和trim_mid+1得到的两个基准电压的电压值计算步长值，然后根据步长值、目标基准电压值、基于trim_mid调整的第一基准电压值和trim_mid计算trim_coarse，然后将trim_coarse调整后的第三基准电压值和预设电压值范围进行比较，在第三基准电压值在预设电压值范围且大于目标基站电压值时，将trim_coarse-1作为目标trim值，以便待校准芯片基于目标trim值进行基准电压的调整，本申请相对于递增法或二分法确定目标trim值来说，可以减少校准次数，尤其是在最大trim值较大时，性能提升较为明显，因此具有较高的校准效率。
参见图3所示，图3为本申请实施例提供的一种基准电压的校准方法的另一流程示意图，在本申请实施例中，该方法包括如下步骤：
S301、获取待校准芯片基于tirm_mid调整后的第一基准电压值。
其中，trim_mid为trim寄存器中最大trim值的一半，即trim_mid＝trim_full/2，trim_full为最大trim值。
S302、获取待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值。
S303、计算步长值。
其中，根据如下公式计算步长值：LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值。
S304、获取待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值。
S305、判断第三基准电压值是否小于或等于VREF_target+LSB。
其中，VREF_target为预设的目标基准电压值，LSB为S303中计算得到的步长值。若判断结果为是，执行S306；若判断结果为否，执行S313。
S306、判断第三基准电压值是否大于或等于VREF_target-LSB。
其中，若判断结果为是，执行S307，若判断结果为否，执行S314。
S307、判断第三基准电压值是否大于VREF_target。
其中，若判断结果为是，执行S308，若判断结果为否，执行S309。
S308、将trim_coarse-1作为目标trim值。
其中，校准装置将trim_coarse-1写入到待校准芯片的trim寄存器中，待校准芯片根据trim_coarse-1执行基准电压的校准。
S309、获取待校准芯片基于trim_coarse+1调整后的第五基准电压值。
S310、判断是否满足abs(VREF5-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)。
其中，abs表示绝对值运算符。若判断结果为是，执行S311，若判断结果为否，执行S312。
S311、将trim_coarse作为目标trim值。
其中，校准装置将trim_coarse写入到trim寄存器中，待校准芯片根据trim寄存器中写入的trim_coarse进行基准电压的调整。
S312、将trim_coarse-1作为目标trim值。
其中，校准装置将trim_coarse-1写入到待校准芯片的trim寄存器中。
S313、将trim_coarse-1作为目标trim值。
S314、获取待校准芯片基于trim_coarse-1调整后的第四基准电压值。
S315、判断第四基准电压值是否在VREF_target±LSB的范围内。
其中，判断是否满足VREF_target-LSB≤VREF4≤VREF_target+LSB，若为否，执行S316，若为是，执行S317。
S316、根据第四基准电压值更新第三基准电压值。
其中，将第四基准电压值作为新的第三基准电压值，然后再跳转执行S305。
S317、判断第四基准电压值是否大于VREF_target。
其中，若判断结果为是，执行S318，若判断结果为否，执行S319。
S318、将trim_coarse作为目标trim值。
S319、获取待校准芯片基于trim_coarse+2调整后的第六基准电压值。
S320、判断是否满足abs(VREF6-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)。
其中，VREF6为第六基准电压值。
S321、将trim_coarse+1作为目标trim值。
S322、将trim_coarse+2作为目标trim值。
本申请实施例，基于trim_mid和trim_mid+1得到的两个基准电压的电压值计算步长值，然后根据步长值、目标基准电压值、基于trim_mid调整的第一基准电压值和trim_mid计算trim_coarse，然后将trim_coarse调整后的第三基准电压值和预设电压值范围进行比较，在第三基准电压值在预设电压值范围且大于目标基站电压值时，将trim_coarse-1作为目标trim值，以便待校准芯片基于目标trim值进行基准电压的调整，本申请相对于递增法或二分法确定目标trim值来说，可以减少校准次数，尤其是在最大trim值较大时，性能提升较为明显，因此具有较高的校准效率
下述为本申请装置实施例，可以用于执行本申请方法实施例。对于本申请装置实施例中未披露的细节，请参照本申请方法实施例。
请参见图4，其示出了本申请一个示例性实施例提供的基准电压的校准装置的结构示意图，以下简称装置4。该装置4可以通过软件、硬件或者两者的结合实现成为校准装置的全部或一部分。装置4包括：获取单元401、计算单元402、判断单元403、校准单元404。
获取单元401，用于获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；
所述获取单元401，还用于获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；
计算单元402，用于计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；
所述获取单元401，还用于获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；
判断单元403，用于判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
所述判断单元403，还用于若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；
校准单元404，用于若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。
在一个或多个可能的实施例中，校准单元404，还用于：
若所述第三基准电压值小于或等于VREF_target，获取所述待校准芯片基于trim_coarse+1调整后的第五基准电压值；
判断是否满足abs(VREF5-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)；其中，VREF5为所述第五基准电压值；
若为是，将trim_coarse作为目标trim值；
若为否，将trim_coarse-1作为目标trim值。
在一个或多个可能的实施例中，校准单元404，还用于：
若所述第三基准电压值大于VREF_target+LSB，将trim_coarse-1作为目标trim值；或
若所述第三基准电压值小于VREF_target-LSB，获取所述待校准芯片基于trim_coarse+1调整后的第四基准电压值；
判断所述第四基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
若为否，则根据所述第四基准电压值更新第三基准电压值，继续执行所述判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内的步骤。
在一个或多个可能的实施例中，校准单元404，还用于：
若所述第四基准电压值位于VREF_target±LSB的范围内，判断所述第四基准电压值是否大于VREF_target；
若为是，则将trim_coarse作为目标trim值；
在一个或多个可能的实施例中，校准单元404，还用于：
若所述第四基准电压值小于或等于VREF_target，获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第六基准电压值；
判断是否满足(VREF6-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)；其中，VREF6为所述第六基准电压值；
若为是，将trim_coarse+1作为目标trim值；
若为否，将trim_coarse+2作为目标trim值。
在一个或多个可能的实施例中，所述获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值，包括：
将trim_mid写入到待校准芯片的trim寄存器，以使所述trim寄存器根据所述trim_mid进行基准电压的调整输出第一基准电压信号；
通过电压测量单元测量所述第一基准电压信号的第一基准电压值。
在一个或多个可能的实施例中，所述trim寄存器的最大trim值由位宽决定。
需要说明的是，上述实施例提供的装置4在执行基准电压的校准方法时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将设备的内部结构划分成不同的功能模块，以完成上述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的基准电压的校准装置与基准电压的校准方法实施例属于同一构思，其体现实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本申请实施例还提供了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质可以存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行如上述图2所示实施例的方法步骤，具体执行过程可以参见图2所示实施例的具体说明，在此不进行赘述。
本申请还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行以实现如上各个实施例所述的基准电压的校准方法。
请参见图5，为本申请实施例提供了一种校准装置的结构示意图。如图5所示，所述校准装置500可以包括：至少一个处理器501，至少一个网络接口504，用户接口503，存储器505，至少一个通信总线502。
其中，通信总线502用于实现这些组件之间的连接通信。
其中，用户接口503可以包括显示屏(Display)、摄像头(Camera)，可选用户接口503还可以包括标准的有线接口、无线接口。
其中，网络接口504可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。
其中，处理器501可以包括一个或者多个处理核心。处理器501利用各种接口和线路连接整个校准装置500内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器505内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器505内的数据，执行校准装置500的各种功能和处理数据。可选的，处理器501可以采用数字信号处理(Digital Signal Processing，DSP)、现场可编程门阵列(Field-Programmable GateArray，FPGA)、可编程逻辑阵列(ProgrammableLogic Array，PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器501可集成中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)、图像处理器(Graphics Processing Unit，GPU)和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器501中，单独通过一块芯片进行实现。
其中，存储器505可以包括随机存储器(RandomAccess Memory，RAM)，也可以包括只读存储器(Read-Only Memory)。可选的，该存储器505包括非瞬时性计算机可读介质(non-transitory computer-readable storage medium)。存储器505可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器505可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现上述各个方法实施例的指令等；存储数据区可存储上面各个方法实施例中涉及到的数据等。存储器505可选的还可以是至少一个位于远离前述处理器501的存储装置。如图5所示，作为一种计算机存储介质的存储器505中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及应用程序。
在图5所示的校准装置500中，用户接口503主要用于为用户提供输入的接口，获取用户输入的数据；而处理器501可以用于调用存储器505中存储的应用程序，并具体执行如图2所示的方法，具体过程可参照图2所示，此处不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。
以上所揭露的仅为本申请较佳实施例而已，当然不能以此来限定本申请之权利范围，因此依本申请权利要求所作的等同变化，仍属本申请所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种基准电压的校准方法，其特征在于，包括：
获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；
获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；
计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；
获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；
判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；
若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第三基准电压值小于或等于VREF_target，获取所述待校准芯片基于trim_coarse+1调整后的第五基准电压值；
判断是否满足abs(VREF5-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)；其中，VREF5为所述第五基准电压值；
若为是，将trim_coarse作为目标trim值；
若为否，将trim_coarse-1作为目标trim值。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第三基准电压值大于VREF_target+LSB，将trim_coarse-1作为目标trim值；或
若所述第三基准电压值小于VREF_target-LSB，获取所述待校准芯片基于trim_coarse+1调整后的第四基准电压值；
判断所述第四基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
若为否，则根据所述第四基准电压值更新第三基准电压值，继续执行所述判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第四基准电压值位于VREF_target±LSB的范围内，判断所述第四基准电压值是否大于VREF_target；
若为是，则将trim_coarse作为目标trim值。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第四基准电压值小于或等于VREF_target，获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第六基准电压值；
判断是否满足(VREF6-VREF_target)>abs(VREF3-VREF_target)；其中，VREF6为所述第六基准电压值；
若为是，将trim_coarse+1作为目标trim值；
若为否，将trim_coarse+2作为目标trim值。
6.根据权利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，所述获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值，包括：
将trim_mid写入到待校准芯片的trim寄存器，以使所述trim寄存器根据所述trim_mid进行基准电压的调整输出第一基准电压信号；
通过电压测量单元测量所述第一基准电压信号的第一基准电压值。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述trim寄存器的最大trim值由位宽决定。
8.一种基准电压的校准装置，其特征在于，包括：
获取单元，用于获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；
所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；
计算单元，用于计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；
所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；
判断单元，用于判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；
所述判断单元，还用于若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；
校准单元，用于若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。
9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行如权利要求1～7任意一项的方法步骤。
10.一种基准电压的校准装置，其特征在于，包括：处理器和存储器；其中，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序适于由所述处理器加载并执行如权利要求1～7任意一项的方法步骤。
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Denomination of invention: Calibration method, device, and storage medium for reference voltage Granted publication date: 20240903 Pledgee: Hengqin Financial Investment International Finance Leasing Co.,Ltd. Pledgor: ZHUHAI HUGE-IC Co.,Ltd. Registration number: Y2024980043932 |