CN114641591A - 用于沉积高品质pvd膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。

Description

用于沉积高品质PVD膜的方法
背景
领域
本公开内容的实施方式总体涉及用于处理基板的方法，且更具体而言，涉及在基板上沉积具有减少的基板弓形弯曲(bow)和改善的膜品质的膜的方法。
背景技术
经常使用物理气相沉积(PVD)将氮化铝(AlN)膜沉积于基板上。在某些应用中，对AlN膜期望具有高晶体品质。为了达成高品质膜，AlN膜的厚度通常相对地大。举例而言，AlN膜的厚度通常介于约300nm与约2微米之间。然而，当使用此厚度的膜时产生其他问题。举例而言，厚的AlN膜造成基板弓形弯曲，导致膜的破裂。基板的弓形弯曲还可影响基板的后续处理。举例而言，基板的弓形弯曲可导致在光刻工艺期间不均匀的光分配。
因此，需要用来沉积膜的改善的技术。
发明内容
在一个实施方式中，提供一种用于在基板上沉积材料的方法。方法包括在基板上沉积材料层。方法还包括在沉积材料层的同时调整施加至基板的偏压，偏压控制基板的弓形弯曲。方法还包括在材料层上执行轰击工艺。
在另一实施方式中，提供一种用于在基板上沉积材料的方法。方法顺序地包括在基板上沉积材料层的同时调整施加至基板的偏压，偏压介于约30W与约80W之间，和在材料层上执行轰击工艺。
在另一实施方式中，提供一种用于处理基板的方法。方法包括在设置于工艺腔室中的基板上沉积材料层。方法还包括在沉积材料层期间调整施加至基板的偏压。方法还包括产生氩等离子体和以氩等离子体轰击材料层。
附图说明
由此方式可详细理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式而获得上文简要概述的本公开内容的更特定说明，在附图中图示一些实施方式。然而，应注意，附图仅图示范例实施方式，且因此不应认为是对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可认可其他同等有效的实施方式。
图1根据某些实施方式图示用于在基板上沉积膜的方法的操作。
图2A是根据某些实施方式图示表示在基板上沉积材料层之后基板弓形弯曲的数据的图表。
图2B是根据某些实施方式图示表示在基板上沉积材料层之后基板弓形弯曲的数据的图表。
图3是根据某些实施方式图示表示在沉积于基板上之后材料层的测量的品质的数据的图表。
图4是根据某些实施方式图示表示在沉积于基板上之后基板弓形弯曲的数据的图表。
为了促进理解，已尽可能地使用相同的参考数字代表图中共有的相同元件。应理解一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中而无须进一步说明。
具体实施方式
本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整在沉积材料层的同时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。轰击工艺和偏压分别改善材料层的表面粗糙度和减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。
在一个实施方式中，可使用物理气相沉积(PVD)来沉积材料层。在沉积操作期间，基板设置于基板支撑基座上。在一个实施方式中，基板支撑基座为静电吸盘。第一电极设置于基板支撑基座中，且对基板提供吸附力。第二电极设置于基座中且提供偏压至基板的与基座相对的表面。施加至基板的偏压至少部分控制由沉积操作导致的基板的弓形弯曲。
图1根据某些实施方式图示用于在基板上沉积膜的方法100的操作。在操作102处，执行物理气相沉积(PVD)工艺以在基板上沉积材料。PVD工艺包括从溅射靶溅射材料，和将溅射的材料沉积至基板上。在一个实施方式中，沉积于基板上的材料为氮化铝(AlN)层。
在可与以上所讨论的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，沉积于基板上的材料包括含钪材料。在可与以上所讨论的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，材料层包括在约1原子百分比与约25原子百分比之间的浓度下的钪。举例而言，材料层可包括在约1原子百分比与约10原子百分比之间的浓度下的钪，或在约10原子百分比与约25原子百分比之间的浓度下的钪。
沉积于基板上的材料层的厚度介于约200纳米与约2,500纳米之间，例如约1微米。在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，PVD工艺被划分成多于一个的沉积操作。举例而言，沉积操作可重复约4次与约30次之间，例如约5次与约10次之间，诸如约8次之类。也就是说，材料层可为多个、较小的层的堆叠结构，所述多个、较小的层最终形成材料层。
PVD工艺的持续时间可取决于沉积操作的数量。举例而言，具有约1.5微米的厚度的材料层可通过约20次与约50次之间的沉积操作之间来沉积，诸如约30次沉积操作之类。沉积操作中的每一个沉积操作可具有介于约30秒与约80秒之间的持续时间，例如介于约45秒与约60秒之间，诸如约57秒之类。PVD工艺的功率介于约5kW与约8.5kW之间，例如约8kW。
作为另一范例，具有约200纳米的厚度的材料层可通过约5次与约10次之间的沉积操作来沉积，诸如约8次沉积操作之类。沉积操作中的每一个沉积操作可具有介于约10秒与约60秒之间的持续时间，例如介于约15秒与约30秒之间，诸如约25秒之类。任何特定沉积操作可具有比先前或后续沉积操作更长或更短的持续时间。在每个沉积操作期间沉积的材料的厚度可为不同的。举例而言，五个沉积操作可沉积5nm的材料，而八个后续的沉积操作可沉积20nm的材料。
在基板上沉积材料的同时，基板可能弓形弯曲(bow)(例如，成曲形(curve))。为了减少基板弓形弯曲的量，在沉积工艺期间施加偏压至基板。可在每个沉积操作期间施加偏压至基板。在可与以上所讨论的一个或多个实施方式结合的一个实施方式中，在每个沉积操作期间施加单一偏压(例如，50W)至基板。在沉积操作的每个沉积操作期间可施加相同偏压(例如，50W)至基板。
在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，在第一数量的沉积操作期间可施加第一偏压值至基板，且在第二数量的沉积操作期间可施加第二偏压值至基板。举例而言，在第一个10次沉积操作期间施加约40W的第一偏压，且在后续12次沉积操作期间施加60W的第二偏压。
在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，可基于先前沉积操作造成的基板弓形弯曲来确定施加至基板的偏压。举例而言，在第一沉积操作期间施加至基板的第一偏压可造成基板弓形弯曲。在第一沉积操作之后测量基板的弓形弯曲。可基于测量的基板弓形弯曲来确定在后续沉积操作期间施加至基板的偏压，使得在后续操作期间施加的偏压抵销测量的基板弓形弯曲。也就是说，在后续的沉积操作以后，基板的弓形弯曲是可忽略的。
举例而言，建立凹的基板弓形弯曲的偏压(例如，40W)可在建立凸的基板弓形弯曲的沉积操作(例如，60W)以后而施加至基板。也就是说，施加至基板的偏压可通过施加与先前沉积操作造成的弓形弯曲相反的弓形弯曲来减少基板的弓形弯曲。在沉积操作期间施加至基板的偏压可在造成凸的基板弓形弯曲的偏压与造成凹的基板弓形弯曲的偏压之间交替。因此，具有沉积在基板上的材料层的基板的弓形弯曲实质上减少。
在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，在基板上沉积材料层之前已知基板的弓形弯曲。在此情况中，可基于基板预先存在的弓形弯曲来确定达成合适的基板弓形弯曲的偏压。举例而言，造成凸的基板弓形弯曲的偏压可施加至具有凹的弓形弯曲的基板，使得在基板上沉积材料层之后基板所得到的弓形弯曲大体上为中和的。
在可与以上所讨论的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，在每个沉积操作期间施加的偏压可与在先的沉积操作期间施加的偏压不同。举例而言，在第一沉积操作期间的偏压可为约0W。偏压可对每个后续沉积操作增加，使得在最后沉积操作期间的偏压为约100W。
在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，可基于沉积于基板上材料的厚度调整偏压。举例而言，随着沉积的材料的厚度增加可增大偏压。随着沉积的材料的厚度增加，更大的偏压可达成合适的基板弓形弯曲轮廓(profile)。
在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的某些实施方式中，可基于线性函数对每个沉积操作调整偏压。在可与以上所述的一个或多个实施方式结合的其他实施方式中，可基于阶跃函数对每个沉积操作调整偏压。
在操作102期间施加至基板的平均偏压介于约30W与约100W之间，例如介于约50W与约75W之间。施加至基板的偏压可为连续偏压或脉冲偏压。在基板的处理期间，施加至基板的偏压通过控制器自动调整。
有利地，调整施加至基板的偏压控制基板的弓形弯曲。调整偏压将基板弓形弯曲从拉伸型弓形弯曲改变至压缩型弓形弯曲。也就是说，对具有设置在基板上的材料层的基板达成大体上中和的弓形弯曲轮廓。通过控制基板的弓形弯曲，减少对材料层的损伤(例如破裂)的发生。基板的弓形弯曲还可影响基板的后续处理。举例而言，基板的弓形弯曲可导致在光刻工艺期间不均匀的光分配。此外，调整或调节基板偏压不会降低材料层的品质(例如结晶度)。
在PVD工艺期间使用的压力可介于约1.5mTorr与约6.5mTorr之间，举例而言介于约2mTorr与约3.5mTorr之间，诸如约2.5mTorr之类。可调整压力以改善材料层的表面粗糙度。
在操作104处，在沉积于基板上的材料层上执行氩轰击工艺。氩轰击工艺包括在工艺腔室中产生氩等离子体。轰击工艺执行达约50秒与约250秒之间，例如介于约100秒与约200秒之间，诸如约150秒之类。
有利地，轰击工艺进一步改善沉积的材料层的表面粗糙度，而不影响基板弓形弯曲或材料层的结晶度(即，品质)。在轰击工艺之后材料层的表面粗糙度介于约1.10纳米与约0.85纳米之间，例如约0.99纳米。
在可与以上所述一个或多个实施方式结合的一个实施方式中，可重复方法100。举例而言，可执行操作102以在基板上沉积材料达约10秒与30秒之间，例如约22秒与28秒之间，诸如约25秒之类。可接着执行操作104的轰击工艺达约15秒与约45秒之间，例如约20秒与40秒之间，诸如约30秒之类。在此实施方式中，方法100可重复约5次与约10次之间，诸如约8次之类，使得操作102的总沉积时间为介于约50秒与约300秒之间，诸如约200秒之类，且操作104的总轰击时间为介于约75秒与约450秒之间，诸如约240秒之类。
图2A是根据某些实施方式图示表示在基板上沉积材料层之后基板弓形弯曲的数据的图表200。材料层通过沉积工艺而沉积于基板上，沉积工艺诸如是关于图1所讨论的沉积工艺之类。对应于图2A的沉积工艺的功率为约8kW。
对应于图表200中描绘的基板弓形弯曲的沉积于基板上的材料层的厚度为约500nm。图表200的竖直轴对应于基板弓形弯曲，且水平轴为基板上距离基板的中心点(Y＝0mm)的位置。关于图2A讨论的材料层上没有执行后处理。
在图表200上的第一线252描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在处理期间没有施加偏压至对应于第一线252的基板。如通过第一线252所描绘的，基板具有凸的弓形弯曲，其中基板的外部部分(在约Y＝±150mm处接近外部边缘)以朝向基板具有材料层沉积于表面上的所述表面的方向弓形弯曲，且基板的中心部分(在约Y＝0mm处接近基板的中心)远离具有材料层沉积于表面上的表面而弓形弯曲。作为范例，对应于第一线252的基板的总的所得到的弓形弯曲为介于约120微米与约180微米之间，诸如约140微米之类。
在图表200上的第二线254描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在处理期间施加至对应于第二线254的基板的偏压高于施加至对应于第一线252的基板的偏压。举例而言，施加至对应于第二线254的基板的偏压介于约10W与约45W之间，诸如约40W之类。
如通过第二线254描绘的，对应的基板具有凸的弓形弯曲，其中基板的外部部分(接近Y＝±150mm)朝向在基板上沉积的材料层弓形弯曲，且基板的中心部分(接近Y＝0mm)远离材料层而弓形弯曲。对应于第二线254的基板的弓形弯曲小于对应于第一线252的基板的弓形弯曲。对应于第二线254的基板的总弓形弯曲介于约90微米与约120微米之间，诸如约105微米之类。也就是说，对应于第二线254的基板的弓形弯曲相较于对应于第一线252的基板的弓形弯曲减少约百分之25。
在图表200上的第三线256描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在处理期间施加至对应于第三线256的基板的偏压高于施加至对应于第二线254的基板的偏压。举例而言，施加至对应于第三线256的基板的偏压介于约30W与约55W之间，诸如约50W之类。
如第三线256所描绘的，对应的基板接近基板的中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲(远离材料层而弓形弯曲)，并且接近基板的外部边缘(Y＝±150mm)具有凹的弓形弯曲(朝向材料层弓形弯曲)。对应于第三线256的基板的弓形弯曲小于(即，减少)对应于第二线254的基板的弓形弯曲。举例而言，对应于第三线256的基板的弓形弯曲介于约10微米与约50微米之间，诸如约20微米之类。也就是说，对应于第三线256的基板的弓形弯曲相较于对应于第二线254的基板的弓形弯曲减少约百分之80。
在图表200上的第四线258描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在处理期间施加至对应于第四线258的基板的偏压高于施加至对应于第三线256的基板的偏压。举例而言，施加至对应于第四线258的基板的偏压为介于约50W与约80W之间，诸如约60W之类。
如第四线258所描绘的，对应的基板具有凹的弓形弯曲，其中基板的中心部分(接近在Y＝0mm处的基板的中心)朝向材料层弓形弯曲，且基板的外部部分(接近在Y＝±150mm处的基板的外部边缘)远离材料层而弓形弯曲。对应于第四线258的基板的弓形弯曲大于对应于第三线256的基板的弓形弯曲。然而，对应于第四线258的基板的弓形弯曲小于对应于第一线252和第二线254的基板的弓形弯曲。
施加至对应于第四线258的基板的偏压相较于对应于第三线256的基板的弓形弯曲造成基板的弓形弯曲增加。举例而言，对应于第四线258的基板的弓形弯曲介于约50微米与约150微米之间，诸如约75微米之类。因此，对应于第四线258的基板的弓形弯曲相较于对应于第三线256的基板产生增加约百分之30的基板弓形弯曲。在图表200上的第五线260描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在处理期间施加至对应于第五线260的基板的偏压高于施加至对应于第四线258的基板的偏压。举例而言，施加至对应于第五线260的基板的偏压为介于约65W与约120W之间，诸如约100W之类。
如第五线260所描绘的，对应的基板具有凹的弓形弯曲，其中基板的中心部分(接近在Y＝0mm处的基板的中心)朝向材料层弓形弯曲，且基板的外部部分(接近在Y＝±150mm处的基板的外部边缘)远离材料层而弓形弯曲。对应于第五线的基板的弓形弯曲大于对应于第一线252、第二线254、第三线256和第四线258的基板的弓形弯曲。对应于第五线260对基板的最大弓形弯曲为约375微米。
尽管将第一线252和第二线254图示为具有凸的弓形弯曲，取决于各种参数(诸如施加至基板的偏压或在基板的哪个表面上沉积材料层)，这些线可具有凹的弓形弯曲。类似地，对应于第三线256、第四线258和第五线260的基板的弓形弯曲可与图表200中所描绘和以上所述的弓形弯曲相反。
如图表200图示，在材料层的沉积期间调整施加至基板的偏压控制基板的弓形弯曲。举例而言，随着偏压增加，直到某点，基板的弓形弯曲减少，在此点之后基板的弓形弯曲增加。基于以上的图表200，在材料层的沉积期间，基板的弓形弯曲最小化的偏压在约40W与约60W之间施加到基板。基板的弓形弯曲最小化的偏压由于各种参数而可改变，参数诸如是在处理期间沉积于基板上的材料层的厚度、在偏压的沉积操作之前于基板上存在的材料层的厚度等等。
图2B图示根据某些实施方式表示在特定厚度的材料层沉积于基板上之后的最小基板弓形弯曲的数据的图表250。图表包括一个或多个线210-218，每个线对应于具有不同厚度的材料层沉积于基板上的基板。如以下所讨论，材料层的厚度从第一线210到第五线218减少。沉积材料层的沉积工艺的压力介于约4mTorr与约6mTorr之间，诸如约5.2mTorr之类。图表250的竖直轴以微米单位对应于基板弓形弯曲，且水平轴对应于基板上从基板的外部边缘(Y＝±150mm)至中心点(Y＝0mm)的位置。关于图2B讨论的材料层上没有执行后处理。
第一线210描绘具有约2500nm的厚度的材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在材料层的沉积期间施加至基板的偏压介于约70W与约80W之间，诸如约75W之类。如第一线210所描绘的，基板接近中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲，且接近边缘在约Y＝±125mm处具有凹的弓形弯曲。
第二线212描绘具有约1500nm的厚度的材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在材料层的沉积期间施加至基板的偏压介于约65W与约75W之间，诸如约70W之类。如第二线212所描绘的，对应的基板接近中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲，且接近边缘在约Y＝±125mm处具有凹的弓形弯曲。对应于第二线212的基板的弓形弯曲相较于对应于第一线210的基板减少约百分之50。
第三线214描绘具有约1000nm的厚度的材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在材料层的沉积期间施加至基板的偏压介于约60W与约70W之间，诸如约65W之类。如第三线214所描绘的，对应的基板接近中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲，且接近边缘在约Y＝±125mm处具有凹的弓形弯曲。对应于第三线214的基板的弓形弯曲相较于对应于第二线212的基板减少约百分之25。
第四线216描绘具有约400nm的厚度的材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在材料层的沉积期间施加至基板的偏压介于约50W与约60W之间，诸如约55W之类。如第四线216所描绘的，对应的基板接近中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲，且接近边缘在约Y＝±125mm处具有凹的弓形弯曲。对应于第四线216的基板的弓形弯曲相较于对应于第三线214的基板减少约百分之50。
第五线218描绘具有约200nm的厚度的材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。在材料层的沉积期间施加至基板的平均偏压介于约45W与约55W之间，诸如约50W之类。如第五线218所描绘的，对应的基板接近中心(Y＝0mm)具有凸的弓形弯曲，且接近边缘在约Y＝±125mm处具有凹的弓形弯曲。对应于第五线218的基板的弓形弯曲相较于对应于第四线216的基板减少约百分之70。
以上所讨论的材料层的厚度和偏压的结合展现出可使用在材料层的沉积期间施加至基板的偏压来调节基板的弓形弯曲。如在图2B中图示的，可取决于沉积于基板上的材料层的厚度而使用在材料层的沉积期间施加至基板的偏压来影响或调节基板的弓形弯曲。对于具有小于2500nm的厚度的材料层，在任何方向中的基板的弓形弯曲可维持至小于约100微米。
图3是根据某些实施方式图示表示在沉积于基板上之后材料层的测量的品质的数据的图表300。使用x射线衍射摇摆曲线扫描沿着AlN(002)晶体方向(crystal direction)测量材料层的品质。材料层通过沉积工艺而沉积在基板上，沉积工艺诸如是关于以上图1、图2A和图2B所讨论的沉积工艺。用于在基板上沉积材料层的沉积工艺的压力为介于约4mTorr与约6mTorr之间，诸如约5.2mTorr之类。材料层的厚度为约2500微米。
第一线310、第二线312和第三线314分别表示在基板的中心点处、距中心点约70mm和接近边缘的材料层的品质。小于1度的AlN(002)摇摆曲线的半峰全宽(FWHM)表示材料层的足够结晶度(结构)。XRD摇摆曲线已归一化至1，且因此半峰为约0.5。针对第一线310和第二线312的半峰全宽为小于1度，而针对第三线314的FWHM为约1度。针对第一线310、第二线312和第三线314的FWHM图示材料层的结晶度从中心点(对应于第一线310)至基板的外部边缘(对应于第三线314)为一致(consistent)且均匀的。因此，以上所讨论的沉积工艺改善具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲，同时在材料层内维持足够的结晶度和均匀的晶体品质。
图4是根据某些实施方式图示表示在基板上沉积材料层之后基板弓形弯曲的数据的图表400。材料层通过沉积工艺而沉积于基板上，沉积工艺诸如是关于以上图1、图2A和图2B讨论的沉积工艺。在图表400中描绘的基板弓形弯曲代表具有200nm厚的材料沉积于基板上的基板的弓形弯曲。图表400的竖直轴代表基板弓形弯曲，且水平轴为基板上距离基板的中心点(Y＝0mm)的位置。
在图表400上的第一线404描绘具有材料层沉积于基板上的基板的弓形弯曲。沉积材料层的PVD工艺的压力为约介于约2mTorr与约6mTorr之间，诸如5.2mTorr之类。沉积工艺重复约八次，以达到200nm的材料层厚度。也就是说，通过八次操作中的每一次操作而沉积的材料层的厚度为约25nm。在材料层上没有执行沉积后工艺，诸如轰击之类。如第一线404所描绘的，对应的基板从任一外部边缘(Y＝±150mm)至中心(Y＝0mm)具有约10微米的总弓形弯曲幅度。通过第一线404描绘的沉积于基板上的材料层的表面粗糙度为约1.24nm。
在图表400上的第二线402描绘具有材料层设置于基板上的基板的弓形弯曲。材料层以间隔(in intervals)沉积于基板上，以达到约200nm的厚度。重复沉积操作约6次与约12次之间，诸如约8次之类。也就是说，通过每次沉积操作在基板上沉积的材料层的厚度为约16nm与约33nm之间，诸如约25nm之类。
在沉积每个20nm材料层之后执行诸如关于以上图1讨论的轰击工艺之类的轰击工艺。如第二线402所描绘的，对应的基板从任一外部边缘(Y＝±150mm)至中心(Y＝0mm)具有约135微米的总弓形弯曲幅度。通过第二线402描绘的沉积于基板上的材料层的表面粗糙度为约0.86nm。用于沉积材料层的PVD工艺的压力为约2mTorr与约6mTorr之间，诸如2.5mTorr之类。
在图表400上的第三线406描绘具有材料层设置于基板上的基板的弓形弯曲。材料层以间隔沉积于基板上，以达到约200nm的厚度。重复沉积操作约6次与约12次之间，诸如约8次之类。用于沉积材料层的PVD工艺的压力为约2mTorr与约6mTorr之间，诸如2.5mTorr之类。在沉积200nm材料层之后执行诸如关于以上图1讨论的轰击工艺的轰击工艺。如第三线406所描绘的，对应的基板从任一外部边缘(Y＝±150mm)至中心(Y＝0mm)具有约13微米的总弓形弯曲幅度。通过第三线406描绘的沉积于基板上的材料层的表面粗糙度为约0.97nm。
如上所讨论，在轰击工艺之后对应于第二线402和第三线406的基板上沉积的材料层的表面粗糙度比没有轰击工艺的对应于第一线404的基板上沉积的材料层更平滑。尽管在对应于第二线402的基板上执行的轰击工艺提供与在基板上执行了轰击工艺的对应于第三线406的基板相比略微更平滑的表面粗糙度，但是对应于第三线406的基板的弓形弯曲比对应于第二线402的基板的弓形弯曲显著较佳。也就是说，在对应于第二线402的基板上于材料层的沉积间隔的每一个沉积间隔之后的轰击操作与对应于第三线406在材料层沉积之后的单一轰击操作相比导致显著增加的基板弓形弯曲。因此，使用在材料层的沉积之后的单一轰击操作来达成低的基板弓形弯曲和平滑的表面粗糙度两者。
尽管前述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下可想出本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围通过所附的权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种用于在基板上沉积复合氮化物材料的方法，所述方法包含以下步骤：
在基板上沉积材料层；和
在沉积所述材料层的同时调整施加至所述基板的偏压，所述偏压控制所述基板的弓形弯曲。
2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述材料层的步骤的压力介于约2mTorr与约6mTorr之间。
3.如权利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏压介于约40瓦特与约100瓦特之间。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述材料层的厚度介于约100纳米与约2500纳米之间。
5.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述材料层的功率介于约4kW与约10kW之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏压介于约40瓦特与约80瓦特之间，并且其中使用所述偏压来减小所述基板的弓形弯曲轮廓。
7.如权利要求1所述的方法，其中调整所述偏压的步骤包含以下步骤：
在沉积所述材料层的第一部分的同时施加第一偏压；和
在沉积所述材料层的第二部分的同时施加第二偏压，其中所述第一偏压不同于所述第二偏压。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述材料层包含氮化铝。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述材料层进一步包含在约1原子百分比与约10原子百分比之间的浓度中的钪。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述材料层进一步包含在约10原子百分比与约25原子百分比之间的浓度中的钪。
11.一种用于在基板上沉积复合氮化物材料的方法，所述方法顺序地包含以下步骤：
在基板上沉积材料层的同时调整施加至所述基板的偏压；和
在所述材料层上执行氩轰击工艺。
12.如权利要求11所述的方法，其中沉积所述材料层的步骤的压力介于约2mTorr与约6mTorr之间。
13.如权利要求11所述的方法，其中施加至所述基板的所述偏压介于约40瓦特与约80瓦特之间。
14.一种用于在基板上沉积复合氮化物材料的方法，所述方法顺序地包含以下步骤：
在基板上沉积材料层的同时调整施加至所述基板的偏压；和
在所述材料层上执行氩轰击工艺，其中所述氩轰击工艺包含：
产生定位(localize)在所述基板的表面上的氩等离子体；和
将所述材料层暴露至所述氩等离子体以降低所述材料层的表面粗糙度。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述氩轰击工艺的功率介于约250W与约1000W之间，且其中所述氩轰击工艺的持续时间介于约10秒与约400秒之间。
16.如权利要求15所述的方法，其中用于沉积所述材料层的功率介于约4kW与约10kW之间。
17.如权利要求14所述的方法，其中所述材料层的厚度介于约100纳米与约2500纳米之间。
18.如权利要求14所述的方法，其中所述材料层包含氮化铝。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述材料层进一步包含在约1原子百分比与约10原子百分比之间的浓度中的钪。
20.如权利要求18所述的方法，其中所述材料层进一步包含在约10原子百分比与约25原子百分比之间的浓度中的钪。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5382340A (en) * 1992-03-13 1995-01-17 At&T Corp. Process for reduced stress tungsten deposition
JP2000273633A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Agency Of Ind Science & Technol 高硬度、高耐食性被覆鋼の製造方法
US20020182546A1 (en) * 2001-03-30 2002-12-05 Masahito Konishi Optical disk master, optical disk substrate stamper, process for production thereof, and magneto-optical recording medium
TW200828449A (en) * 2006-07-20 2008-07-01 Agency Science Tech & Res Method for straining a semiconductor wafer and a wafer substrate unit used therein
US20150357398A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-10 Spts Technologies Limited Substrate
CN107012422A (zh) * 2015-10-09 2017-08-04 Spts科技有限公司 沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5976993A (en) 1996-03-28 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films
JP2002187793A (ja) * 2000-10-11 2002-07-05 Osg Corp ダイヤモンド被膜の平滑化方法、およびダイヤモンド被覆部材の製造方法
KR100668359B1 (ko) * 2004-12-31 2007-01-12 한국야금 주식회사 표면 조도가 우수한 질화계 경질 박막
US8138104B2 (en) 2005-05-26 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ UV cure
EP2042261A3 (en) * 2007-09-26 2015-02-18 Sandvik Intellectual Property AB Method of making a coated cutting tool
US8808513B2 (en) 2008-03-25 2014-08-19 Oem Group, Inc Stress adjustment in reactive sputtering
EP3232463B1 (en) 2016-04-11 2020-06-24 SPTS Technologies Limited Dc magnetron sputtering
JP6653383B2 (ja) 2016-05-16 2020-02-26 株式会社アルバック 内部応力制御膜の形成方法
US10745282B2 (en) 2017-06-08 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Diamond-like carbon film
WO2018226370A1 (en) * 2017-06-08 2018-12-13 Applied Materials, Inc. High-density low temperature carbon films for hardmask and other patterning applications
US11043375B2 (en) 2017-08-16 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Plasma deposition of carbon hardmask
US10896821B2 (en) * 2018-09-28 2021-01-19 Lam Research Corporation Asymmetric wafer bow compensation by physical vapor deposition

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5382340A (en) * 1992-03-13 1995-01-17 At&T Corp. Process for reduced stress tungsten deposition
JP2000273633A (ja) * 1999-03-26 2000-10-03 Agency Of Ind Science & Technol 高硬度、高耐食性被覆鋼の製造方法
US20020182546A1 (en) * 2001-03-30 2002-12-05 Masahito Konishi Optical disk master, optical disk substrate stamper, process for production thereof, and magneto-optical recording medium
TW200828449A (en) * 2006-07-20 2008-07-01 Agency Science Tech & Res Method for straining a semiconductor wafer and a wafer substrate unit used therein
US20150357398A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-10 Spts Technologies Limited Substrate
CN107012422A (zh) * 2015-10-09 2017-08-04 Spts科技有限公司 沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
季一勤: "《薄膜光学与真空镀膜技术》", 哈尔滨工业大学出版社, pages: 160 - 161 *

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Publication number Publication date
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