CN114624272B - 评估晶片与静电吸盘之间的接触 - Google Patents

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Abstract

一种方法、非瞬态计算机可读介质和设备。该方法可包括：(a)引入在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差，该引入在晶片由静电吸盘支撑并且被静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；(b)在开始电压差的引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及(c)基于监测结果来确定晶片与静电吸盘之间的接触的电参数。

Description

评估晶片与静电吸盘之间的接触
交叉引用
本申请要求于2020年12月8日提交的美国申请第17/115,656号的优先权。所述美国申请的公开内容出于所有目的通过引用以其整体并入本文。
背景技术
晶片可由评估系统进行评估，所述评估系统诸如但不限于扫描电子显微镜(SEM)。
理想地，一旦由静电吸盘支撑，晶片的正面就应该被均匀地充电。实际上，晶片的正面可能被不均匀地充电。不均匀的电荷可能引入测量误差。典型的测量误差可涉及扫描晶片的电子束的不想要的偏转。
对晶片的正面的电荷的评估应该在不接触晶片且不污染晶片的情况下进行。
越来越需要提供一种用于评估晶片正面的充电的无接触且无污染的方法。
晶片可由机械台、由静电吸盘或由支撑元件支撑。支撑元件可以不属于机械台，并且可以不属于静电吸盘。
在对晶片的评估期间，晶片可由静电吸盘支撑。静电吸盘可由机械台支撑。
在(例如，对晶片的评估之后的)各个时间点，可将晶片从机械台移开。在一些情况下，晶片可能以如下方式充电：当机械台距离晶片足够远时，晶片将跳动。跳动可能损坏晶片。
越来越需要预测跳动，甚至防止跳动。
晶片一旦被静电吸盘支撑就可以被应该使晶片接地的多个销接触。由于各种原因(包括在晶片背面处形成的绝缘层)，接地可能失效。
越来越需要评估晶片与销之间的接触的质量。
发明内容
本发明的一些实施例涉及用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法、非瞬态计算机可读介质和系统。
附图说明
在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点，在附图中：
图1示出了方法的示例；
图2示出了晶片和带电粒子系统的示例；
图3示出了的静电传感器的示例；
图4示出了方法的示例；
图5示出了晶片和带电粒子系统的一些部分的示例；
图6示出了电压差的引入的示例；
图7示出了方法的示例；
图8示出了电压相对距离的关系的示例；以及
图9示出了在晶片与机械台之间引入距离的示例。
具体实施方式
在以下详细描述中，阐述了众多具体细节以便提供对本公开的实施例的透彻理解。
然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开的当前实施例。在其他实例中，未详细地描述公知的方法、程序和部件，以免混淆本公开的当前实施例。
在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下具体实施方式可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点。
将领会，为了说明的简单和清楚，附图中示出的要素不一定按比例绘制。例如，为清楚起见，要素中的一些要素的尺寸可能相对于其他要素被放大。此外，在认为适当的地方，在附图间可重复附图标记以指示相应或类似的要素。
由于本公开的所示实施例的大部分可使用本领域技术人员已知的电子部件和电路来实现，因此将不会为了理解和领会本公开的当前实施例的基本概念而以比如上说明的认为必要的程度更大的程度来阐释细节，以便不混淆或分散本公开的当前实施例的教导。
说明书中对方法的任何提及应在经必要修改后应用于能够执行该方法的系统，并且应在经必要修改后应用于非瞬态且存储用于执行该方法的指令的计算机可读介质。
说明书中对系统的任何提及应在经必要修改后应用于可由该系统执行的方法，并且应在经必要修改后应用于非瞬态且存储由该系统执行的指令的计算机可读介质。
说明书中对计算机可读介质的任何提及应在经必要修改后应用于在执行存储在该计算机可读介质中的指令时可应用的方法，并且应在经必要修改后应用于被配置成执行存储在该计算机可读介质中的指令的系统。
提供了可使用静电传感器的方法、设备和非瞬态计算机可读介质。
静电传感器可包括感测元件。感测元件可以是开尔文(Kelvin)探针，或可以与开尔文探针不同。为了阐释的简单，以下文本可涉及开尔文探针。可使用其他类型的静电传感器。
评估晶片的正面的区域的电荷分布
可以提供用于评估晶片的正面的区域的电荷分布的方法。该区域可覆盖整个晶片或仅晶片的部分。该方法可应用在晶片的多个区域上。
电荷分布可包括在晶片的两个或更多个点处的电荷值，以及附加地或替代地，在晶片的两个或更多个点之间的电荷值。两个或更多个点可形成点阵列。点可以彼此相距厘米范围内(例如，可在0.1厘米与10厘米之间的范围内)的距离。
距离可以在低于0.1厘米的范围内，以及附加地或替代地，可以超过10厘米。点可以均匀地分布在该区域上，或可以非均匀地分布在该区域上。
带电粒子系统是被配置成评估晶片(或晶片的部分)的系统，而评估包括用一个或多个带电粒子束(诸如电子束)照亮该晶片(或该晶片的该部分)。带电粒子系统的非限制性示例包括电子束成像器，以及电子显微镜，诸如但不限于扫描电子显微镜。
评估可包括以下各项中的至少一项：缺陷审查、检查、计量(例如，关键尺寸测量)等。
为了阐释的简单，附图和文本中的一些是指扫描电子显微镜(SEM)，诸如审查SEM。
图1示出了用于评估区域的电荷分布的方法100。
方法100可通过初始化步骤105开始。
初始化步骤105可包括将晶片放置在带电粒子系统的静电吸盘上。
步骤105之后可以是使用静电传感器来评估电荷分布的步骤110。
静电传感器包括感测元件，该感测元件相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封。该密封防止感测元件污染内部空间。
感测元件可以是可移动开尔文探针。在电荷测量期间，开尔文探针可在不同位置之间移动。该移动可包括振动、振荡等。
步骤110可包括在区域内的不同位置处执行电荷测量。
电荷测量可涉及通过移动(例如，振动，以及附加地或替代地，振荡)可移动开尔文探针来在区域内的特定位置处执行电压测量。该移动相对较小，例如为几毫米。电压测量值指示特定点的电荷。
在该特定位置处，开尔文探针可以沿任何路径移动。路径可以是水平的，可以是垂直的，可以是倾斜的，可以是弯曲的，等等。
在该特定位置处，开尔文探针可在第一位置到第二位置之间移动。当处于第一位置时，开尔文探针可被遮蔽，从而防止感测区域的电压。当处于第二位置时，开尔文探针被解除遮蔽。
(在特定位置处)测量之后是(a)移动晶片和静电传感器中的至少一者，使得静电传感器面向另一个位置以及(b)执行对该另一个位置的电压测量。
测量和移动迭代的次数可以超过两次。
该移动可以通过在真空腔室内移动晶片的机械台来执行。
机械台可以从另一机械单元接收晶片，该另一机械单元诸如用于在带电粒子系统的装载锁与真空腔室之间移动晶片的机器人或另一机械单元。
步骤110之后是评估区域的步骤120。该步骤可包括对区域的疑似缺陷的缺陷审查、测量区域的结构元件的关键尺寸等。
步骤110之后还可以是基于所评估的区域的电荷分布来确定至少一个评估参数的步骤125。评估参数可以是在对晶片的评估期间用于辐照晶片的电子束的偏转方案。偏转方案可对抗(或至少减轻)晶片正面的电荷分布的非均匀性。
图2示出晶片130和带电粒子系统140，带电粒子系统140包括静电传感器150、装载锁142、静电吸盘183(位于晶片130下方)、真空腔室144、带电粒子柱146、光学显微镜147、处理器148和控制器149。
图2还示出了位于晶片130的区域132内的不同测量点131。该区域可以是任何形状(多边形、曲线形状、圆形、椭圆形等)，并且附加地或替代地，该区域可以是任何大小。
装载锁142可以是在带电粒子系统140与带电粒子系统140的环境之间的接口。它可以从连接到接口的晶片盒接收晶片。
机械臂(未示出)可以在装载锁142与真空腔室144之间移动晶片。
带电粒子柱146可具有尖端或下端，以及附加地或替代地，位于真空腔室144内的透镜。
静电传感器150或至少静电传感器150的下部可位于真空腔室144内。例如，静电传感器150可具有感测元件，诸如相对真空腔室的内部空间密封以防止污染的感测探针。
光学显微镜147可通过形成在真空腔室144中的窗口观察晶片130。
晶片130可由静电吸盘183支撑，并且静电吸盘183在真空腔室中时可由机械台(未示出)移动。
控制器149被配置成控制带电粒子系统140的操作。
处理器148被配置成处理从静电传感器150输出的信号，并且可以执行方法100的至少一些阶段。
图3示出了静电传感器150的横截面。
静电传感器150包括导电密封件151、密封壳体152、可移动接地元件153、被配置成移动可移动接地元件153的第一机械单元155、导体156、被配置成移动感测元件的第二机械单元157、诸如开尔文探针159之类的感测元件、以及内部遮罩158。
导电密封件151被密封地连接到密封壳体152，以便将静电传感器150的内部，尤其是开尔文探针159、第一机械单元155和第二机械单元157，与真空腔室的内部空间隔离，以防止对晶片的污染。
应注意，第一机械单元155可位于静电传感器150的外部。
在任何电荷测量期间，第二机械单元157可以振动，以及附加地或替代地，振荡开尔文探针。
可移动接地元件153可以(由第一机械单元155)在(a)可移动接地元件电耦合到感测元件的接地位置与(b)可移动接地元件不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
评估晶片与静电吸盘之间的接触
图4示出了用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法300。
方法300可通过初始化步骤305开始。
初始化步骤305可包括将晶片放置在带电粒子系统的静电吸盘上。
初始化步骤305还可包括将静电吸盘的一个或多个导电接触销(或其他导电元件)定位在该一个或多个导电接触销(或其他导电元件)应该接触晶片的位置处。例如，如果销在定位在上部位置处时应该接触晶片，则销被定位在该上部位置处。
初始化步骤305之后可以是引入在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差的步骤310。
电压差可以是突变的，例如，在毫秒量级持续时间(例如，在1毫秒与90毫秒之间)的时间段内引入数十伏的变化。
初始化步骤305之后还可以是在开始引入电压差之后的不同时间点处，由静电传感器监测位于晶片正面处的测量点处的电荷的步骤320。步骤320的结果是监测结果。
静电传感器可以是上述静电传感器中的任一者。
例如，静电传感器可包括感测元件，该感测元件相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封。感测元件可以是开尔文探针。静电传感器可包括用于在电荷测量期间移动开尔文探针的机械单元。静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件被配置成在可移动接地元件电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
方法300还包括获得对由晶片和静电吸盘形成的虚拟电容器的电容的估计的步骤330。
步骤330可包括通过电容静电传感器测量电容或以其他方式接收估计的电容。
步骤320和步骤330之后可以是基于监测结果来确定晶片与静电吸盘之间的接触的电参数的步骤340。
电参数可以是该接触的电阻。由于晶片可以在多个位置处被多个导电销接触，因此该接触的电阻表示多个导电销的整体影响。换言之，该电阻可表示形成在晶片与静电吸盘之间的虚拟电阻器。
电压差的引入可被视为对电阻器-电容器电路充电，并且随时间形成的电荷分布图(charge pattern)可表示电阻器-电容器电路的放电(除非晶片与静电吸盘完全断开)。
因此，步骤340可包括将由监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。
电压差可以是突变的，例如，以至少每毫秒1伏的速率变化。
图5示出了静电吸盘183、晶片130、控制器149、正电源188和负电源189的示例
晶片130由静电吸盘183支撑。静电吸盘183包括正极185、负极186、以及可朝向晶片130或远离晶片移动的一个或多个导电接触销187。
正极185由正电源188馈电。负电源189为负极186馈电。
控制器149可控制电源中的任一者的电压供应。
图6示出了在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差的引入。
图6包括曲线图359和曲线图358。x轴是时间，而y轴表示静电传感器的电压读数。
曲线图358包括示出阶跃函数351(电压差的引入)的曲线351。
曲线图359示出了对电压差的引入的响应。
电荷分布图352在阶跃函数之后，并且表示静电吸盘与晶片之间的完全断开。
电荷分布图352、353、354和355分别示出了针对静电吸盘与晶片之间的不同电阻值(例如50兆欧、10兆欧和1兆欧)获得的电荷分布图。电容为10纳法。
预测晶片的跳动
图7示出了用于预测晶片的跳动的方法500的示例。
方法500可通过获得预测器的步骤510开始，该预测器预测晶片是否将由于晶片与评估系统的机械台之间的距离的增加而跳动。
可基于在晶片与评估系统之间的不同连接条件下的晶片电压的变化来生成预测器。该变化通过改变晶片与机械台之间的距离而引起。
预测器可以是指由静电传感器测量的电压变化的模式。例如，预测器可以是指电压的变化速率、电压变化的电压范围等。
不同连接条件可以是指电导率彼此不同的连接。电导率可受到各种参数的影响，例如晶片与机械台之间的空间关系(例如，晶片是否与机械台平行，晶片是否扭曲、晶片与机械台之间的最小距离)、是否存在到晶片的放电路径等。
步骤510之后可以是由静电传感器监测晶片的区域的电压的步骤520。
静电传感器可以是上述静电传感器中的任一者。
静电传感器可包括感测元件，该感测元件相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封。感测元件可以是开尔文探针。静电传感器可包括用于在电荷测量期间移动开尔文探针的机械单元。静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件被配置成在可移动接地元件电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
监测发生在晶片与机械台之间的距离增加的监测时间段期间，该监测提供监测结果。
步骤520之后可以是预测晶片是否将跳动的步骤530，其中预测是基于预测器和监测结果。
步骤520之后还可以是预测在晶片与测量系统之间电弧发生的定时的步骤540。
步骤530和步骤540中的任何一者之后可以是响应预测的步骤550。
步骤550可包括生成警报、在电弧发生的预测定时之前停止晶片与机械台之间的距离的增长、或执行任何其他响应。
图8示出了电压相对距离的关系的示例，如由第一曲线561、第二曲线562、第三曲线563和第四曲线564所示。
第一曲线561和第二曲线562表示晶片没有跳动的情况。
第三曲线563和第四曲线564示出晶片跳动并且在晶片与其周围环境之间形成电弧(为事件564(1)和电弧563(1))的情况。每个电弧使晶片放电。
图9示出了晶片与机械台之间的距离700增长的示例。
图9的上部示出了由销181和静电吸盘183支撑的晶片130。静电吸盘183由机械台182支撑。
图9的中间部分示出了通过降低支撑静电吸盘183的机械台182来在晶片130与静电吸盘183之间引入距离700。
图9的下部示出了通过升高销181进而升高晶片来在晶片130与静电吸盘183之间引入距离700。
可以提供用于评估晶片的正面的区域的电荷分布的方法，该方法可包括使用静电传感器来评估区域的电荷分布，该静电传感器可包括感测元件，该感测元件可相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封，该评估可包括在区域内的不同测量点处执行电荷测量。
感测元件可以是开尔文探针，其中静电传感器可包括用于在电荷测量期间移动开尔文探针的机械单元。
静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。
静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件可被配置成在可移动接地元件可以电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件可以不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
该方法可包括确定在对区域的评估期间要使用的至少一个评估参数，该确定可以基于所评估的区域的电荷分布。
该方法可包括在不同位置中的第一位置与该不同位置中的另一位置之间移动晶片，其中该移动可由带电粒子系统的机械台执行。
可以提供用于评估晶片的正面的区域的电荷分布的设备，该设备可包括处理电路；以及静电传感器，该静电传感器可包括感测元件，该感测元件可相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封；其中静电传感器可被配置成在区域内的不同测量点处执行电荷测量，静电传感器；并且其中处理电路可被配置成基于电荷测量来评估区域的电荷分布。
感测元件可以是开尔文探针，其中静电传感器可包括用于在电荷测量期间移动开尔文探针的机械单元。
静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。
静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件可被配置成在可移动接地元件可以电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件可以不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
处理电路可被配置成基于所评估的区域的电荷分布来确定晶片的至少一个评估参数。
可以提供用于评估晶片的正面的区域的电荷分布的非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质存储用于使用静电传感器来评估区域的电荷分布的指令，该静电传感器可包括感测元件，该感测元件可相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封，该评估可包括在区域内的不同测量点处执行电荷测量。
可以提供用于预测晶片的跳动的方法，该方法可包括：获得预测器，该预测器预测晶片是否将由于晶片与带电粒子系统的机械台之间的距离的增加而跳动；其中可基于在晶片与带电粒子系统之间的不同连接条件下的晶片电压的变化来生成预测器，该变化可通过改变晶片与机械台之间的距离来引起；通过可包括感测元件的静电传感器来监测晶片的区域的电压，其中该监测发生在晶片与机械台之间的距离可增加的监测时间段期间，该监测提供监测结果；以及预测晶片是否将跳动，其中该预测可基于预测器和监测结果。
该方法可包括预测在晶片与测量系统之间电弧发生的定时。
该方法可包括在电弧发生的预测定时之前停止晶片与机械台之间的距离的增长。
预测器可以是每距离增量的电压增量率。
该方法可包括生成预测器。
感测元件可以是开尔文探针，其中静电传感器可包括用于在监测期间移动开尔文探针的机械单元。
静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。
静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件可被配置成在可移动接地元件可以电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件可以不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
可以提供用于预测晶片的跳动的设备，该设备可包括：处理电路；以及静电传感器，该静电传感器可包括感测元件；其中静电传感器可被配置成监测晶片的区域的电压，其中该监测发生在晶片与机械台之间的距离可增加的监测时间段期间，机械台属于带电粒子系统，该监测提供监测结果；其中处理电路可被配置成获得预测器，该预测器预测晶片是否将由于晶片与机械台之间的距离的增加而跳动；其中可基于在晶片与带电粒子系统之间的不同连接条件下的晶片电压的变化来生成预测器，该变化可通过改变晶片与机械台之间的距离来引起；以及预测晶片是否将跳动，其中该预测可基于预测器和监测结果。
处理电路可被配置成预测在晶片与测量系统之间电弧发生的定时。
处理电路可被配置成在电弧发生的预测定时之前请求停止晶片与机械台之间的距离的增长。
预测器可以是每距离增量的电压增量率。
处理电路可被配置成生成预测器。
感测元件可以是开尔文探针，其中静电传感器可包括用于在监测期间移动开尔文探针的机械单元。
静电传感器可包括密封感测元件的导电密封元件。
静电传感器可包括可移动接地元件，该可移动接地元件可被配置成在可移动接地元件可以电耦合到感测元件的接地位置与可移动接地元件可以不电耦合到感测元件的断开位置之间移动。
可以提供用于预测晶片的跳动的非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质存储用于获得预测器的指令，该预测器预测晶片是否将由于晶片与带电粒子系统的机械台之间的距离的增加而跳动；其中可基于在晶片与带电粒子系统之间的不同连接条件下的晶片电压的变化来生成预测器，该变化可通过改变晶片与机械台之间的距离来引起；通过可包括感测元件的静电传感器来监测晶片的区域的电压，其中该监测发生在晶片与机械台之间的距离可增加的监测时间段期间，该监测提供监测结果；以及预测晶片是否将跳动，其中该预测可基于预测器和监测结果。
可以以任何方式习得上述关系中的任一者。例如，可以照亮具有已知尺寸的凹槽的参考结构元件以提供与凹槽的已知尺寸相关联的测量结果。附加地或替代地，可以通过模拟在扫描结构元件时获得的电子图像来习得该关系。
在前述说明书中，已经参考本公开的实施例的具体示例描述了本公开的实施例。然而，将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广泛精神和范围的情况下在其中进行各种修改和改变。
此外，本说明书和权利要求书中的术语“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”等(如果有)用于描述目的而不一定用于描述永久的相对位置。应当理解，如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，使得本文中描述的本公开的实施例例如能够以不同于本文中所示或以其他方式描述的取向之外的其他取向操作。
如本文中所讨论的连接可以是适合于例如经由中间设备从相应节点、单元或设备或向相应节点、单元或设备传送信号的任何类型的连接。因此，除非另有暗示或说明，否则连接可以例如是直接连接或间接连接。可以参考单个连接、多个连接、单向连接或双向连接来说明或描述连接。然而，不同实施例可以改变连接的实现方式。例如，可以使用分开的单向连接而不是双向连接，反之亦然。此外，多个连接可以用以串行方式或以时间复用方式传送多个信号的单个连接来替代。类似地，携载多个信号的单个连接可以分离成携载这些信号的子集的各种不同连接。因此，存在用于传送信号的许多选项。
用于实现相同功能的任何部件布置都有效地“相关联”从而实现期望的功能。因此，本文中组合用于实现特定功能的任何两个部件可被视为彼此“相关联”从而实现期望的功能，而不管架构或中间部件如何。类似地，如此相关联的任何两个部件也可被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦合”以实现期望的功能。
此外，本领域技术人员将认识到，上述操作之间的边界仅是示意性的。多个操作可被组合成单个操作，单个操作可分布在附加的操作中并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。此外，替代实施例可包括特定操作的多个实例，并且可以在各种其他实施例中改变操作的顺序。
此外，例如，在一个实施例中，所示示例可以实现为位于单个集成电路上或在同一设备中的电路系统。替代地，示例可以实现为以合适方式彼此互连的任意数量的单独集成电路或单独设备。
然而，其他修改、变化和替代也是可能的。因此，说明书和附图应被认为是说明性而非限制性意义的。
在权利要求中，置于括号之间的任何参考标记不应被解释为限制权利要求。“包括”一词不排除权利要求中列出的要素或步骤之外的其他要素或步骤的存在。如本文中所使用的术语“一(a)”或“一个(an)”被定义为一个或多于一个。此外，权利要求中使用诸如“至少一个”和“一个或多个”之类的介绍性短语不应被解释为暗示通过不定冠词“一”或“一个”引入另一个权利要求要素将包含此类引入的权利要求要素的任何特定权利要求限制到仅包含一个此类要素的本公开的实施例，即使当同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”与诸如“一”或“一个”之类的不定冠词时也是如此。对于定冠词的使用也是如此。除非另有说明，否则诸如“第一”和“第二”之类的术语用于任意地区分此类术语描述的要素。因此，这些术语不一定旨在指示此类要素的时间或其他优先顺序。在相互不同的权利要求中记载某些措施的纯粹事实并不指示不能有利地使用这些措施的组合。
尽管本文中已经说明和描述了本公开的实施例的某些特征，但本领域普通技术人员现在将想到许多修改、替换、改变和等效物。因此，应理解，所附权利要求书旨在覆盖落入本公开的实施例的真正精神内的所有此类修改和改变。

Claims (22)

1.一种用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法，所述方法包括：
在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时，引入在所述静电吸盘的耦接到负电压源的负极的绝对值与所述静电吸盘的耦接到正电压源的正极的绝对值之间的电压差；
在开始所述电压差的所述引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及
基于所述监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述电参数的所述确定包括：确定所述接触的电阻。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述电压差的所述引入包括：以至少每1毫秒1伏的速率引入电压差。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述引入步骤之前：
将所述晶片支撑在真空腔室中的静电吸盘上，并且通过机械台在所述真空腔室内移动所述静电吸盘；以及
使所述晶片与所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触。
9.一种用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的设备，所述设备包括：
处理电路；以及
静电传感器，所述静电传感器包括感测元件；
其中所述静电传感器被配置成在开始所述静电吸盘的耦接到负电压源的负极的绝对值与所述静电吸盘的耦接到正电压源的正极的绝对值之间的电压差的引入之后的不同时间点处，监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，其中所述引入在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；以及
其中所述处理电路被配置成基于对所述电荷的监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。
10.如权利要求9所述的设备，其中所述处理电路被配置成通过确定所述接触的电阻来确定所述接触的电参数。
11.如权利要求10所述的设备，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述电荷的所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。
12.如权利要求9所述的设备，其中所述电压差被以至少每1毫秒1伏的速率引入。
13.如权利要求9所述的设备，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。
14.如权利要求9所述的设备，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。
15.如权利要求9所述的设备，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。
16.如权利要求9所述的设备，其中所述设备是被配置成评估晶片或晶片的一部分的带电粒子系统的部件，所述带电粒子系统包括：
带电粒子柱，所述带电粒子柱被配置成生成带电粒子束；
真空腔室；
静电吸盘，所述静电吸盘被配置成在所述真空腔室内支撑晶片，其中所述静电吸盘包括负极、正极、以及多个导电接触销，所述多个导电接触销可操作以接触由所述静电吸盘支撑的晶片的背面；以及
机械台，所述机械台被配置成在所述真空腔室内移动所述静电吸盘。
17.一种用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的非瞬态计算机可读介质，所述非瞬态计算机可读介质存储用于以下操作的指令：
在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时，引入在所述静电吸盘的耦接到负电压源的负极的绝对值与所述静电吸盘的耦接到正电压源的正极的绝对值之间的电压差；
在开始所述电压差的引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及
基于所述监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。
18.如权利要求17所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述电参数的所述确定包括：确定所述接触的电阻。
19.如权利要求18所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。
20.如权利要求17所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。
21.如权利要求17所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。
22.如权利要求17所述的非瞬态计算机可读介质，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。
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