CN114616613B - 显示基板和显示装置 - Google Patents
显示基板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114616613B CN114616613B CN202080001425.8A CN202080001425A CN114616613B CN 114616613 B CN114616613 B CN 114616613B CN 202080001425 A CN202080001425 A CN 202080001425A CN 114616613 B CN114616613 B CN 114616613B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sub
- signal line
- signal
- compensation
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 27
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
- G02F1/13312—Circuits comprising photodetectors for purposes other than feedback
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示基板(20)及显示装置(40),显示基板(20)包括显示区(21)、透明区(22)以及位于显示区(21)和透明区(22)之间的周边区(23),显示基板(20)还包括第一信号线(31),第一信号线(31)包括位于显示区(21)的第一信号线部分(31a)和位于周边区(23)的第二信号线部分(31b);第一信号线(31)的第二信号线部分(31b)包括依次连接的第一子部(313a)、第二子部(313b)和第三子部(313c),第一信号线(31)的第一子部(313a)和第三子部(313c)均包括曲线型结构,第二子部(313b)为直线型结构;显示基板(20)还包括位于周边区(23)的第一补偿电极(315),第一补偿电极(315)与第一信号线(31)的第二信号线部分(31b)的第二子部(313b)在垂直于衬底基板的方向上重叠以形成补偿电容,提高了显示的均一性。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
目前,显示器件的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展。通常,显示器件(例如手机、平板电脑等)具有摄像装置(或成像装置),该摄像装置通常设置在显示屏显示区域外的一侧。但是,由于摄像装置的安装需要一定的位置,因此不利于显示屏的全屏化、窄边框设计。例如,可以将摄像装置与显示屏的显示区域结合在一起,在显示区域中为摄像装置预留位置,以获得显示屏显示区域的最大化。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板,包括显示区、透明区以及所述显示区与所述透明区之间的周边区,所述显示基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上且位于所述显示区的多个子像素,所述多个子像素沿第一方向和第二方向分布为多个像素行和多个像素列,所述第一方向和所述第二方向不同;所述显示基板还包括沿所述第一方向延伸的第一信号线,所述第一信号线包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分,所述第一信号线部分和所述第二信号线部分彼此电连接;所述第一信号线的第二信号线部分包括依次连接的第一子部、第二子部和第三子部,所述第一信号线的第一子部和第三子部均包括曲线型结构,所述第一信号线的第二子部为直线型结构;所述显示基板还包括位于所述周边区的第一补偿电极,所述第一补偿电极与所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向上重叠以形成补偿电容。
在一些示例中,所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部的平均线宽大于所述第一信号线的第二信号线部分的第一子部或第三子部的平均线宽。
在一些示例中,所述第一信号线的第一子部和第三子部分别与所述第一信号线的第二子部沿所述第一方向的两端直接电连接,所述第一子部在所述第一子部与所述第二子部子的连接点处的切线与所述第二子部所在的直线的夹角为锐角;所述第三子部在所述第三子部与所述第二子部的连接点处的切线与所述第二子部所在的直线的夹角为锐角。
在一些示例中,所述第一信号线的第一信号线部分位于所述第一信号线的第二信号线部分靠近所述衬底基板的一侧。
在一些示例中,所述显示基板还包括第一连接电极,所述第一连接电极位于所述第一信号线的第二信号线部分远离所述衬底基板的一侧;所述多条第一信号线的第一信号线部分和第二信号线部分通过所述第一连接电极电连接;所述第一连接电极的通过第一过孔与所述第一信号线的第一信号线部分电连接,并通过第二过孔与所述第一信号线的第二信号线部分电连接。
在一些示例中,所述第一过孔和所述第二过孔在所述第二方向上并列排布。
在一些示例中,所述显示基板还包括第二补偿电极,所述第二补偿电极包括半导体材料;所述第一补偿电极位于所述第一信号线的第二信号线部分远离所述衬底基板的一侧;所述第二补偿电极位于所述第一信号线的第一信号线部分靠近所述衬底基板的一侧;所述第二补偿电极与所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向上重叠,并与所述第一补偿电极电连接。
在一些示例中,所述显示基板包括多个所述第一补偿电极和多条所述第一信号线,所述多个第一补偿电极与所述多条第一信号线一一对应设置,所述多个第一补偿电极的每个与对应的第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向重叠以形成所述补偿电容。
在一些示例中,所述每个第一补偿电极包括彼此间隔的多个补偿电极部,所述每个第一补偿电极所包括的补偿电极部的数目根据所述每个第一补偿电极所对应的第一信号线所对应的像素行在所述透明区缺失的子像素的数量确定。
在一些示例中,所述多个第一补偿电极的多个补偿电极部沿所述第一方向和所述第二方向排布为阵列,位于同一列的补偿电极部彼此连接为一体的结构。
在一些示例中,所述显示基板还包括沿所述第二方向延伸的多条第二信号线,所述多条第二信号线的每条包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分;所述每条第二信号线的第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部、第二信号线子部和第三信号线子部,所述每条第二信号线的第一信号线子部和第三信号线子部为直线型结构,所述每条第二信号线的第二信号线子部包括曲线型结构;所述多条第二信号线为电源线。
在一些示例中,所述每条第二信号线的第一信号线部分的平均线宽大于所述每条第二信号线的第二信号线部分的第二信号线子部的平均线宽。
在一些示例中,所述多条第二信号线与所述多个第一补偿电极同层设置,所述多条第二信号线的第二信号线部分的第一子部与在所述第二方向上的多列补偿电极部一一对应设置,所述多条第二信号线的每条的第二信号线部分的第二信号子部与对应的一列补偿电极部连接为一体的结构。
在一些示例中,所述显示基板还包括沿所述第二方向延伸的多条第三信号线,所述多条第三信号线的每条包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分,所述第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部、第二信号线子部和第三信号线子部,所述每条第三信号线的第一信号线子部和第三信号线子部为直线型结构,所述每条第三信号线的第二信号线子部包括曲线型结构;所述多条第三信号线为数据线。
在一些示例中,所述多条第三信号线与所述多条第二信号线同层绝缘设置,并在所述第一方向上交替设置。
在一些示例中,所述多个子像素的每个包括像素电路;所述像素电路包括驱动子电路、数据写入子电路、补偿子电路、存储子电路;所述驱动子电路包括控制端、第一端和第二端,且配置为与所述发光元件连接并且控制流经所述发光元件的驱动电流;所述数据写入子电路与所述驱动子电路的第一端连接,且配置为响应于第一扫描信号将数据信号写入所述驱动子电路的第一端;所述补偿子电路包括控制端、第一端和第二端,所述补偿子电路的控制端配置为接收第二扫描信号,所述补偿子电路的第一端和第二端分别与所述驱动子电路的控制端和第二端电连接,所述补偿子电路配置为响应所述第二扫描信号对所述驱动子电路进行阈值补偿;所述存储子电路包括第一端和第二端,所述存储子电路的第一端配置为接收第一电源电压,所述存储子电路的第二端与所述驱动子电路的控制端电连接。
在一些示例中,所述第一信号线与一行子像素的数据写入电路连接以提供所述第一扫描信号。
在一些示例中,所述存储子电路包括存储电容,所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极,所述第一电容电极和所述第二电容电极分别作为所述存储子电路的第一端和第二端;所述第一信号线的第二信号线部分与所述存储电容的第一电容电极同层绝缘设置。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置,包括上述显示基板。
在一些示例中,所述显示装置还包括传感器,所述传感器设置于所述衬底基板远离所述多个子像素的一侧,且配置为接收并检测透过所述透明区的光。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1A是本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之一;
图1B是本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之二;
图1C是本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之三;
图2A为图1C中区域A的放大示意图;
图2B为图2A的局部放大示意图;
图2C为图2B沿剖面线I-I’的剖视图;
图3为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之四;
图4为图1C中区域B的放大示意图;
图5A为本公开至少一实施例提供的像素电路的示意图;
图5B为图5A所示的像素电路的一种具体实现示例的电路图;
图5C为本公开至少一实施例提供的像素电路的时序信号图;
图6A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之五;
图6B为图1A沿剖面线II-II’的剖视图;
图6C为图1A沿剖面线III-III’的剖视图;
图7为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之六;
图8A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之七;
图8B为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之八;
图9为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之九;
图10A为本公开至少一实施例提供的显示装置的示意图;以及
图10B为图10A沿剖面线IV-IV’的剖视图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
在集成有成像元件的显示装置中,将成像元件设置于显示装置的显示区,有助于提高显示屏占比,例如实现全面屏显示。由于显示区中制作有显示器件,会影响成像元件的光透过率,例如,子像素中的发光元件、不透光走线等都可能对成像元件摄取光线形成阻挡从而影响成像品质。例如,可以通过在设置有成像元件的显示区中不设置子像素以及信号线从而提高该区域的透光性,但是这种设置会影响该区域周边的信号线的连接和分布,还会使得一些像素行存在像素的缺失,也即位于不同行的子像素的数量不同,导致连接不同行子像素的信号线的负载不同,进而这些信号线传输信号的速度不同,造成显示不均。
图1A示出了本公开至少一实施例提供的显示基板的平面示意图。如图1A所示,该显示基板20包括显示区21和透明区22。该显示区21为设置子像素的区域,透明区22中并不设置子像素,例如该透明区22中不设置有像素电路,甚至不设置走线,从而透光率较高,近似透明。该显示基板还包括位于显示区21和透明区22之间的周边区23,该周边区23例如为围绕透明区22设置的环状区域。信号线在经过透明区22时会绕着该透明区22延伸以避免对该透明区进行遮挡,该周边区23中也不设置像素电路,该周边区23提供该透明区22周围绕线的空间。
该显示区21包括被该透明区22间隔且在第一方向D1上相对的第一显示区A1和第二显示区A2。例如,该透明区22位于该显示区21中,该显示区21还包括被该透明区22间隔且在第二方向D2上相对的第三显示区A3和第四显示区A4。在另一些示例中,该透明区22也可以在第二方向D2上位于显示区21的外侧,也即显示区21中存在一个凹状区域,该透明区22设置于该凹状区域中,本公开该透明区22与显示区21的相对位置关系不作限制。
该显示基板20包括位于显示区21中的多个子像素,该多个子像素沿第一方向D1和第二方向D2分别为多个像素行和多个像素列。该第一方向D1和第二方向D2不同,例如彼此正交。多个像素行包括被该透明区间隔的多个第一像素行,多个第一像素行中的子像素被该透明区22间隔在该第一显示区A1和第二显示区A2,也即该第一显示区A1包括多行子像素,该第二显示区A2中在对应的像素行上也包括多行子像素。由于该透明区22的存在,该多个第一像素行中的子像素的数量比显示区21中除该第一显示区A1和第二显示区A2的区域(例如第三显示区A3和第四显示区A4)的一行子像素的子像素数量少。
图1A中省略了子像素,仅示意性地示出了一些信号线的分布。如图1A所示,为了提高透明区22的透光率,信号线在经过透明区22时会绕着该透明区22延伸以避免对该透明区进行遮挡。这种绕线使得透明区22周边的周边区23中布线较为密集,不仅对工艺要求较高而且对产品的良率造成了影响。
图1B示出了透明区以及周边区的放大示意图的一种示例。如图1B所示,该显示基板20还包括电压总线210,该电压总线210位于显示区21与透明区22之间的周边区23。该电压总线210至少部分环绕该透明区22设置,并配置为与多个第一像素行中的子像素连接以提供第一电压。例如,该第一电压可以是电源电压(VDD或VSS)或者复位电压(VINT)或其它固定电压信号;相应地,该电压总线210可以是电源电压总线或复位电压总线等。可以理解地,该多个第一像素行中的子像素由于与同一电压总线210连接因而接收相同的第一电压,而由于信号线上电压降的存在,不同位置的子像素所接收到的第一电压的数值可能存在差别,这并不作为对本公开的限制。
本公开实施例提供的显示基板通过设置电压总线210对被该透明区22间隔的多个像素行(也即第一像素行)中的子像素提供电压,不仅将位于同一第一像素行但分别位于第一显示区A1和第二显示区A2的子像素实现连通,从而使得位于同一第一像素行的子像素的负载相同(由于均与电压总线210连接),提高了显示的均一性;此外,该电压总线210同时与多个第一像素行的子像素连接提供电压信号,简化了周边区的布线,从而对工艺进行了优化,并可以提高产品的良率。
例如,如图1B所示,该显示基板10还包括沿第一方向D1延伸的多条第一电压线211和多条第二电压线212,该多条第一电压线211和多条第二电压线212均与该电压总线210电连接。该多条第一电压线211位于所述第一显示区A1,并分别与多个第一像素行中位于第一显示区A1的多行子像素连接以提供第一电压。该多条第二电压线212位于第二显示区A2,并分别与多个第一像素行中位于第二显示区A2的多行子像素连接以提供该第一电压。
由于该电压总线210的存在,位于第一显示区A1的第一电压线211和位于第二显示区A2的第二电压线212不需要通过绕线实现电连接,而只需要在该电压总线的对应边与该电压总线进行电连接。
例如,如图1A-1B所示,该电压总线210为环状并全部包围该透明区22;在另一些示例中,该电压总线210也可以部分包围该透明区22或者为其它形状,只要该电压总线210可以与两侧的第一电压线211和第二电压线212电连接即可。
例如,如图1A-1B所示,该显示基板20还包括多条第一信号线31,多条第一信号线31分别与多个第一像素行的子像素一一对应连接以提供第一信号,该第一信号线31例如可以是扫描线或控制线,该第一信号例如可以是扫描信号或控制信号(例如复位控制信号或发光控制信号)。
每条第一信号线31包括位于显示区21的第一信号线部分31a和位于周边区23的第二信号线部分31b,该第一信号线部分31a和该第二信号线部分31b彼此电连接。
如图1A所示,该第一信号线部分31a包括位于第一显示区A1的第一信号线子部318以及位于第二显示区A2的第二信号线子部319,每条第一信号线31的第二信号线部分31b位于其第一信号线子部318与第二信号线子部319之间,并将该第一信号线子部318和第二信号线子部319电连接。
如图1B所示,该第一信号线子部318和第二信号线子部319均为直线型结构并沿第一方向D1延伸,该第一信号线子部318与其所属的第一信号线31所对应的第一像素行中位于第一显示区A1的子像素连接,第二信号线子部319与对应的第一像素行中位于第二显示区A2的子像素连接。
图1B仅示出了该第一信号线31的第二信号线部分31b,如图1B所示,该第二信号线部分31b包括沿该透明区22延伸的弯折部313。例如,该弯折部313为弧线状,绕透明区22延伸;例如,如图1B所示,该弯折部313为圆弧的一部分,然而这并不作为对本开的限制,在另一些示例中,该弯折部313可以包括分段连接且形状不同的多个部分。
如图1A和1B所示,多条第一信号线31的第二信号线部分31b中的弯折部313均位于该电压总线210靠近透明区22的一侧。这种设置使得电压总线210避开线路密集的绕线区域,便于电压总线210与第一电压线211或第二电压线212的电连接。
例如,如图1B所示,该第二信号线部分31b还包括位于弯折部313两侧的第一延伸部311和第二延伸部312,该第一延伸部311和第二延伸部312分别与该弯折部313的两端电连接。该第一延伸部311沿第一方向D1延伸至第一显示区A1并与对应的第一信号线子部318电连接,该第二延伸部312沿第一方向D1延伸至第二显示区A2并与对应的第二信号线子部319电连接。例如,该第一延伸部311和第二延伸部312均为直线型结构。
例如,由于该透明区22的存在,该多个第一像素行中的子像素的数量比显示区21中除该第一显示区A1和第二显示区A2的区域(例如第三显示区A3和第四显示区A4)的一行子像素的子像素数量少,与该第一像素行对应连接的信号线(如扫描线)的负载会小于位于第三显示区A3或第四显示区A4中与一个完整的像素行连接的信号线的负载。
例如,可以对于该第一信号线进行负载补偿,从而拉近其负载与其它信号线负载中的差距,例如使得其负载与其它信号线的负载基本相同。一种补偿方式是在该信号线上形成补偿电容,从而提高该信号线的阻容负载。例如,可以根据该第一信号线所对应的第一像素行所缺失的子像素的数目设计补偿电容的电容值。例如,可以选择该信号线的位于周边区的不与子像素直接连接的绕线部分形成该补偿电容。在图1B所示的情形,该第一信号线的弯折部整体为弧线状,不便于计算形成电容的电极面积,因此不便于进行补偿电容的设计。
本公开至少一实施例提供的显示基板,包括沿所述第一方向延伸的第一信号线;所述第一信号线包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分,所述第一信号线部分和所述第二信号线部分彼此电连接;所述第一信号线的第二信号线部分包括依次连接的第一子部、第二子部和第三子部,所述第一子部和所述第三子部均包括曲线型结构,所述第二子部为直线型结构;所述显示基板还包括位于所述周边区的第一补偿电极,所述第一补偿电极与所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠以形成补偿电容。
本公开实施例提供的显示基板通过在该第一信号线的绕线部分设计直线结构,从而便于设计补偿电容的电容值。
图1C示出了图1A透明区以及周边区的放大示意图的另一种示例。如图1C所示,显示基板20包括位于显示区21与透明区22之间的第一补偿区231,例如,该第一补偿区23为该周边区23的一部分。例如,第一信号线31的第二信号线部分31b的弯折部313包括依次连接的第一子部313a、第二子部313b和第三子部313c,也即该第二子部313b位于该第一子部313a和第三子部313c之间并将二者电连接。该第一子部313a位于该第一补偿区231靠近第一显示区A1的一侧并绕该透明区22延伸,该第三子部313c位于该第一补偿区231靠近第二显示区A2的一侧并绕透明区22延伸。该第一子部313a和第三子部313c均包括曲线型结构,也即该第一子部313a和第三子部313c的至少部分或全部为曲线型结构;该第二子部313b为直线型结构。该第二子部313b的至少部分位于第一补偿区231中用于与第一补偿电极耦合形成补偿电容。例如,第二子部313b的延伸方向与第一方向D1平行。如图1C所示,该第一子部313a和第三子部313c分别为弧线型结构。
例如,该第一补偿电极可以为与该第二子部313b在垂直于衬底基板的方向上重叠的信号线的一部分,也可以是额外设置的补偿电极,本公开实施例对此不作限制。
例如,如图1B所示,第一子部313a和第三子部313c分别与该第二子部313b沿第一方向D1的两端直接电连接,该第一子部313a在该第一子部313a与该第二子部313b的连接点处的切线与该第二子部313b所在的直线的夹角α1为锐角;该第三子部313c在该第二第三子部313c与该第二子部313b的连接点处的切线与该第二子部313b所在的直线的夹角为锐角。
图2A示出了图1C在区域A的放大示意图,图中用虚线示出了第一补偿区231的部分轮廓。如图2A所示,该显示基板20包括用于形成补偿电容的第一补偿电极315,该第一补偿电极23位于该第一补偿区231中。该第一补偿电极315与多条第一信号线31中的至少一条第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于衬底基板的方向上重叠以形成补偿电容。
例如,该显示基板20包括多个第一补偿电极315,多个第一补偿电极315分别与多条第一信号线31一一对应设置,每个第一补偿电极315与对应的第一信号线31的第二信号线部分31b的第二子部313b位于第一补偿区231的部分在垂直于衬底基板的方向上重叠以形成补偿电容。例如,该第一补偿电极315位于该第二信号线部分31b远离衬底基板200的一侧。例如,可以根据该第一信号线31所对应的第一像素行缺失的子像素的数量计算出该第一信号线31上需要补偿的电容值,从而确定该第一补偿电极315的总面积。
图2B示出了图2A中的局部放大示意图,图2C示出了图2B沿剖面线I-I’的剖视图。由于篇幅所限,对于每条第一信号线31,图2B和图2C仅示出了第二信号线部分31b的第二子部313b靠近第一子部313a一侧的情形。
如图2A-2B所示,该第二信号线部分31b的第二子部313b的平均线宽(图2A中沿第二方向D2的平均尺寸)大于第一子部313a或第三子部313c。由于该第二子部313b作为补偿电容的一个电容电极,增大该第二子部313b的线宽有利于增大补偿电容的面积,从而获得较大的补偿电容。例如,该第二子部313b包括位于第一补偿区231用于形成补偿电容的第一部分和位于第一补偿区231外的第二部分,该第一部分的平均线宽大于该第二部分的平均线宽,该第二部分的平均线宽例如可以与该第一子部313a的平均线宽一致;也即该第一补偿电极315仅与该第二子部313b部分重叠以形成补偿电容,该第二子部与该第一补偿电极重叠的面积可以根据计算出的需要补偿的电容值确定。
例如,每个第一补偿电极315被划分为彼此间隔的多个补偿电极部315a,这是由于对于每条第一信号线31,其对应的第一补偿电极315可能不能连续设置,例如被其它信号线所间隔。另一方面,将每个第一补偿电极315分隔成多个补偿电极部315a有利于补偿设计。
例如,如图2B-2C所示,每个补偿电极部315a的面积可以相同或基本相同,每个补偿电极部315a和第二子部313b的与该补偿电极部315a重叠的部分分别构成补偿子电容,也即每个补偿电容包括彼此并联的多个补偿子电容。可以根据该第一信号线31所对应的第一像素行缺失的子像素的数量计算出该第一信号线31上需要补偿的电容值以及每个补偿子电容的电容值确定该第一信号线31所需要对应设置的补偿电极部315的数目并进行相应的设置。
例如,该第一补偿电极315上可以加载固定电压,从而有利于提高补偿电容的稳定性。
例如,多个第一补偿电极中的多个补偿电极部沿第一方向D1和第二方向D2排列为阵列,例如,如图2B所示,位于同一列的补偿电极部可以彼此连接为一体的结构,这样可以降低工艺难度。
在第一方向D1上,每个第二子部313b所对应的多个补偿电极部315a彼此电连接,从而保证该第二子部313b上形成的多个补偿子电容可以彼此并联。由于多个补偿电极部315a彼此间隔设置,没有直接电连接,可以借助其它结构形成电连接。
例如,如图2C所示,该显示基板20还包括第二补偿电极317,在垂直于衬底基板的方向上,该第二补偿电极317与第一补偿电极315分别位于第一信号线31的第二信号线部分31b的两侧且彼此电连接,从而形成并联电容的结构,有利于在有限的空间增大该补偿电容的电容值。例如,该第二补偿电极317位于该第二信号线部分31b靠近衬底基板的一侧,该第一补偿电极315位于该第二信号线部分31b远离衬底基板的一侧。
例如,该二补偿电极317包括半导体材料,为导体化的半导体材料,例如重掺杂的半导体材料。例如,该第二补偿电极317与像素电路中的晶体管的有源层同层设置且一体成型。
例如,如图2C所示,第一补偿电极315和第二子部313b构成第一电容C1,第二子部313b与第二补偿电极317构成第二电容C2,每个补偿电极部315a均通过过孔350与该第二补偿电极317电连接。
例如,该显示基板20包括多个第二补偿电极317,该多个第二补偿电极与多条第一信号线31的第二信号线部分31b的第二子部313b一一对应设置,也即与多个第一补偿电极315一一对应设置。
例如,多个第二补偿电极317为一体的结构,从而与该第二补偿电极317电连接的多个补偿电极部315a彼此电连接,使得每个第二子部313b上形成的多个补偿子电容可以彼此形成并联。
例如,透明区22为圆形区域,那么被该透明区22间隔的多个第一像素行中所缺失的子像素的数量存在不同。例如,对应于该圆形区域的直径设置的第一像素行所缺失的子像素最多。
图3示出了该显示基板在透明区22周边的区域布局示意图,为了便于说明,图中信号线仅进行了示意,并且图中四周的空白区域表示显示区21。结合参考图1B,该显示基板20还包括位于显示区21和透明区22之间的第二补偿区232,该第一补偿区231和第二补偿区232在第二方向D2上分别位于透明区22的相对两侧,例如,相对于该透明区22的几何中心对称设置。
该第二补偿区中补偿电极的设置与该第一补偿区类似,此处不再赘述。
如图3所示,第一补偿区和第二补偿区均位于电压总线210靠近透明区22的一侧,也即多个第一补偿电极均位于电压总线210靠近透明区22的一侧。
例如,将被透明区22间隔的多个第一像素行在第二方向D2上分为行数基本相同的第一部分和第二部分(例如沿图3中虚线进行划分),例如图3中被虚线分离的上半部分和下半部分,该第一部分所对应连接的第一信号线由与该第一部分同侧的补偿区,如图3中位于上侧的第一补偿区231进行补偿,该第二部分所对应连接的第一信号线由与该第二部分同侧的补偿区,如图3中位于下侧的第二补偿区232进行补偿。通过在上下两个区域分别设置第一补偿区和第二补偿区,可以避免布线过于集中,从而优化布线和基板的版图布局。
例如,对于第一补偿区231所要补偿的多个第一像素行,在第二方向D2上所缺失的子像素的数目单调变化,因此每个像素行所对应设置的第一补偿电极315的面积单调变化,例如每个第一像素行所对应设置的补偿电极部315a的数目单调变化。例如,在图3所示的方向F上,第一补偿区231所要补偿的多个第一像素行所缺失的子像素的数目时单调变化单调递减,每个第一像素行所对应设置的第一补偿电极315的面积单调递减,每个第一像素行所对应设置的补偿电极部315a的数目单调递减,因此形成如图3所示的半圆形的第一补偿区231。类似地,第二补偿区232也为半圆形区域,此处不再赘述。
例如,在每个补偿区,多条第一信号线31所对应设置的多个补偿电极部315a沿第一方向D1和第二方向D2排列为阵列,在第二方向D2上,位于第一方向D1上每行中的补偿电极部315a的数目单调变化。
结合参考图1A-1C、图2A-2B和图3所示,该显示基板20还包括沿第二方向D2延伸的多条第二信号线32,每条第二信号线32包括位于显示区的第一信号线部分和位于周边区的第二信号线部分;例如,该第一信号线部分和该第二信号线部分同层设置并连接为一体的结构。
图1B-1C和图3中仅示出了该第二信号线32的第二信号线部分,如图1B-1C和图3所示,该第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部321、第二信号线子部322和第三信号线子部323,该第一信号线子部321和第三信号线子部323为直线型结构,该第二信号线子部322包括曲线型结构,例如,该第二信号线子部322为绕透明区22延伸的弧线形结构。将该第二信号线32位于补偿区的第一信号线子部321和第二信号线子部323设计为直线结构便于补偿电容的设计。
例如,该多条第二信号线32的多个第一信号线子部321与多列补偿电极部315a一一对应设置。例如,每列补偿电极部315a与对应的一条第二信号线32的第一信号线子部321彼此电连接。例如,多条第二信号线32与第一补偿电极315同层设置,每条第二信号线32与对应的一列补偿电极部315a为一体的结构。
例如,该多条第二信号线32为电源线,并配置为连接到同一电源电压端,因此,通过与各自对应的第二信号线32电连接,多个补偿电极部315a实现了电连接,从而将一行中的多个补偿子电容进行并联。此外,通过与该第二信号线32电连接,该第一补偿电极上加载了固定的电压,从而提高了补偿电容的稳定性。
例如,如图1A所示,该第二信号线32的第一信号线部分被该透明区间隔为分别位于第三显示区A3和第四显示区A4的两个部分,同一条第二信号线32的两个部分与位于同一列但被透明区间隔的子像素连接以提供电源电压。
结合参考图1A-1C、图2A-2B和图3所示,例如,显示基板20还包括沿第二方向D2延伸的多条第三信号线33,该第三信号线33包括位于显示区的第一信号线部分和位于周边区的第二信号线部分。该第三信号线33的第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部331、第二信号线子部332和第三信号线子部333。如图3所示,该第一信号线子部331和第二信号线子部332均为直线型结构,该第二信号线部分333绕透明区22延伸。
例如,每条第三信号线33的第一信号线子部331、第二信号线子部332和第二信号线部分333同层设置并一体成型。
如图3所示,该第三信号线的第一信号线子部331和第二信号线子部332分别与位于第三显示区A3和第四显示区A4且位于同一列的子像素(第一像素列)连接以提供电信号。例如,多条第三信号线分别与多个第一像素列的子像素一一对应连接,每条第三信号线33的第一信号线部分与对应的第一像素列的子像素电连接。例如,该第三信号线33为数据线。
例如,多条第二信号线32和多条第三信号线33以及第一补偿电极315均同层设置。由于第三信号线33需要与第一补偿电极315绝缘,因此,将第一补偿电极315在第一方向D1上分离为多个间隔的补偿电极部315b有利于布线。
图4示出了图1C中区域B的放大示意图。例如,每个子像素包括发光元件和驱动该发光元件发光的像素电路。例如,该像素电路可以包括驱动子电路、数据写入子电路、补偿子电路和存储子电路,根据需要还可以包括发光控制子电路、复位电路等。图4示出了第一显示区A1中的一个像素电路100。
图5A示出了本公开至少一实施例提供的像素电路的电路示意图。如图5A所示,该像素电路包括驱动子电路122、补偿子电路128、数据写入子电路126、存储子电路127、第一发光控制子电路123、第二发光控制子电路124及第一复位子电路125和第二复位子电路129。
例如,该驱动子电路122包括控制端122a、第一端122b和第二端122c,且配置为与发光元件121连接并且控制流经发光元件121的驱动电流。驱动子电路122的控制端122a和第一节点N1连接,驱动子电路122的第一端122b和第二节点N2连接并配置为接收第一电源电压VDD,驱动子电路122的第二端122c和第三节点N3连接。
例如,该数据写入子电路126包括控制端126a、第一端126b和第二端126c,该控制端126a配置为接收第一扫描信号Ga1,第一端126b配置为接收数据信号Vd,第二端126c与驱动子电路122的第一端122b(也即第二节点N2)连接。该数据写入子电路126配置为响应于该第一扫描信号Ga1将该数据信号Vd写入驱动子电路122的第一端122b。例如,在数据写入及补偿阶段,数据写入子电路126可以响应于第一扫描信号Ga1而开启,从而可以将数据信号写入驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2),并将数据信号存储在存储子电路127中,以在例如发光阶段时可以根据该数据信号生成驱动发光元件121发光的驱动电流。
例如,补偿子电路128包括控制端128a、第一端128b和第二端128c,补偿子电路128的控制端128a配置为接收第二扫描信号Ga2,补偿子电路128的第一端128b和第二端128c分别与驱动子电路122的第二端122c和控制端122a电连接,补偿子电路128配置为响应于该第二扫描信号Ga2对该驱动子电路122进行阈值补偿。
例如,第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2相同。例如第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2连接到相同的信号输出端。例如,第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2通过相同的扫描线传输。
在另一些示例中,第一扫描信号Ga1也可以与第二扫描信号Ga2不同。例如,第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2连接到不同的信号输出端。例如,第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2分别通过不同的扫描线传输。
例如,存储子电路127包括第一端127a和第二端127b,该存储子电路的第一端127a配置为接收第一电源电压VDD,存储子电路的第二端127b与驱动子电路的控制端122a电连接。例如,在数据写入及补偿阶段,补偿子电路128可以响应于该第二扫描信号Ga2而开启,从而可以将数据写入子电路126写入的数据信号存储在该存储子电路127中;同时,补偿子电路128可以将驱动子电路122的控制端122a和第二端122c电连接,从而可以使驱动子电路122的阈值电压的相关信息也相应地存储在该存储子电路中,从而例如在发光阶段可以利用存储的数据信号以及阈值电压对驱动子电路122进行控制,使得驱动子电路122的输出得到补偿。
例如,存储子电路127与驱动子电路122的控制端122a及第一电源电压端VDD电连接,配置为存储数据写入子电路126写入的数据信号。对于位于第一显示区21中的第一像素电路110的像素电路,该第一电源电压端VDD为第一电源电压端103;对于位于第二显示区22中的第二像素电路120的像素电路,该第一电源电压端VDD为第二电源电压端104。例如,在数据写入和补偿阶段,补偿子电路128可以响应于该第二扫描信号Ga2而开启,从而可以将数据写入子电路126写入的数据信号存储在该存储子电路127中。例如,同时在数据写入和补偿阶段,补偿子电路128可以将驱动子电路122的控制端122a和第二端122c电连接,从而可以使驱动子电路122的阈值电压的相关信息也相应地存储在该存储子电路中,从而例如在发光阶段可以利用存储的数据信号以及阈值电压对驱动子电路122进行控制,使得驱动子电路122的输出得到补偿。
例如,第一发光控制子电路123与驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)以及第一电压端VDD连接,且配置为响应于第一发光控制信号EM1将第一电压端VDD的第一电源电压施加至驱动子电路122的第一端122b。例如,如图1B所示,第一发光控制子电路123和第一发光控制端EM1、第一电压端VDD以及第二节点N2连接。
例如,第二发光控制子电路124和第二发光控制端EM2、发光元件121的第一端134以及驱动子电路122的第二端122c连接,且配置为响应于第二发光控制信号使得驱动电流可被施加至发光元件122。
例如,在发光阶段,第二发光控制子电路123响应于第二发光控制端EM2提供的第二发光控制信号EM2而开启,从而驱动子电路122可以通过第二发光控制子电路123与发光元件121电连接,从而驱动发光元件121在驱动电流控制下发光;而在非发光阶段,第二发光控制子电路123响应于第二发光控制信号EM2而截止,从而避免有电流流过发光元件121而使其发光,可以提高相应的显示装置的对比度。
又例如,在初始化阶段,第二发光控制子电路124也可以响应于第二发光控制信号EM2而开启,从而可以结合复位电路以对驱动子电路122以及发光元件121进行复位操作。
例如,第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1相同,例如第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM连接到相同的信号输出端,例如,第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1通过相同的发光控制线传输。
在另一些示例中,第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1不同。例如,第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1分别连接到不同的信号输出端。例如,第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1分别通过不同的发光控制线传输。
例如,第一复位子电路125包括第一端125a、第二端125b和第三端125c,该第一端125a配置为接收第一复位控制信号Rst1,第二端125b与第一复位电压端Vinit1连接,该第三端125c与驱动子电路122的控制端122a(第一节点N1)连接,该第一复位子电路125配置为响应于第一复位控制信号Rst1将第一复位电压Vinit1施加至驱动子电路122的控制端122a。
例如,第二复位子电路129(本公开复位子电路的一个示例)包括第一端129a、第二端129b和第三端129c,该第一端129a配置为接收第二复位控制信号Rst2(本公开复位控制信号的一个示例),第二端129b与第二复位电压端Vinit1连接,该第三端129c与发光元件122的第一端122b(第四节点N4)连接,该第二复位子电路129配置为响应于第二复位控制信号Rst2将第二复位电压Vinit2施加至发光元件121的第一端134。
例如,第一复位子电路125和第二复位子电路129可以分别响应于第一复位控制信号Rst1和第二复位控制信号Rst2而开启,从而可以将分别将第二复位电压Vinit2施加至第一节点N1以及将第一复位电压Vinit1施加至发光元件121的第一端134,从而可以对驱动子电路122、补偿子电路128以及发光元件121进行复位操作,消除之前的发光阶段的影响。
例如,每行子像素的第二复位控制信号Rst2可以与该行子像素的第一扫描信号Ga1为相同的信号。例如,每行子像素的第一复位控制信号Rst1可以与上一行子像素的第一扫描信号Ga1或第二复位控制信号Rst2相同。
例如,发光元件121包括第一端134和第二端135,发光元件121的第一端134配置为与驱动子电路122的第二端122c连接,发光元件121的第二端135配置为与第二电压端VSS连接。例如,在一个示例中,如图2A所示,发光元件121的第一端134可以通过第二发光控制子电路124连接至第四节点N4。本公开的实施例包括但不限于此情形。
需要注意的是,在本公开实施例的说明中,第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3和第四节点N4并非一定表示实际存在的部件,而是表示电路图中相关电路连接的汇合点。
需要说明的是,在本公开的实施例的描述中,符号Vd既可以表示数据信号端又可以表示数据信号的电平,同样地,符号Ga1、Ga2既可以表示第一扫描信号、第二扫描信号,也可以表示第一扫描信号端和第二扫描信号端,Rst既可以表示复位控制端又可以表示复位控制信号,符号Vinit1、Vinit2既可以表示第一复位电压端和第二复位电压端又可以表示第一复位电压和第二复位电压,符号VDD既可以表示第一电源电压又可以表示第一电源电压端,符号VSS既可以表示第二电源电压端又可以表示第二电源电压。以下各实施例与此相同,不再赘述。
图5B为图5A所示的像素电路的一种具体实现示例的电路图。如图5B所示,该像素电路包括第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7以及包括存储电容Cst。例如,第一晶体管T1被用作驱动晶体管,其他的第二至第七晶体管被用作开关晶体管。
例如,如图5B所示,驱动子电路122可以实现为第一晶体管T1。第一晶体管T1的栅极作为驱动子电路122的控制端122a,和第一节点N1连接;第一晶体管T1的第一极作为驱动子电路122的第一端122b,和第二节点N2连接;第一晶体管T1的第二极作为驱动子电路122的第二端122c,和第三节点N3连接。
例如,如图5B所示,数据写入子电路126可以实现为第二晶体管T2。第二晶体管T2的栅极和第一扫描线(第一扫描信号端Ga1)连接以接收第一扫描信号,第二晶体管T2的第一极和数据线(数据信号端Vd)连接以接收数据信号,第二晶体管T2的第二极和驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)连接。
例如,如图5B所示,补偿子电路128可以实现为第三晶体管T3。第三晶体管T3的栅极、第一极和第二极分别作为该补偿子电路的控制电极128a、第一电极128b和第二电极128c。第三晶体管T3的栅极配置为和第二扫描线(第二扫描信号端Ga2)连接以接收第二扫描信号,第三晶体管T3的第一极T3s和第一晶体管T1的第二极T1d(第三节点N3)连接,第三晶体管T3的第二极T3d和第一晶体管T1的栅极T1g(第一节点N1)电连接。例如,如图2B所示,存储子电路127可以实现为存储电容Cst,该存储电容Cst包括第一电容电极Ca和第二电容电极Cb,该第一电容电极Ca和第一电源电压端VDD电连接,该第二电容电极Cb和第一晶体管T1的栅极T1g(第一节点N1)电连接。
例如,如图5B所示,第一发光控制子电路123可以实现为第四晶体管T4。第四晶体管T4的栅极和第一发光控制线(第一发光控制端EM1)连接以接收第一发光控制信号,第四晶体管T4的第一极和第一电压端VDD连接以接收第一电源电压,第四晶体管T4的第二极和驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)连接。
例如,发光元件121具体实现为发光二极管(LED),例如可以是有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或者无机发光二极管,例如可以是微型发光二极管(Micro LED)或者微型OLED。例如,发光元件121可以为顶发射结构、底发射结构或双面发射结。该发光元件121可以发红光、绿光、蓝光或白光等。本公开的实施例对发光元件的具体结构不作限制。
例如,发光元件121的第一电极134(例如为阳极)和第四节点N4连接配置为通过第二发光控制子电路124连接到驱动子电路122的第二端122c,发光元件121的第二电极135(例如为阴极)配置为和第二电源电压端VSS连接以接收第二电源电压VSS,从驱动子电路122的第二端122c流入发光元件121的电路决定发光元件的亮度。例如第二电源电压端VSS可以接地,即VSS可以为0V。例如,第二电源电压VSS可以为负电压。
例如,第二发光控制子电路124可以实现为第五晶体管T5。第五晶体管T5的栅极和第二发光控制线(第二发光控制端EM2)连接以接收第二发光控制信号,第五晶体管T5的第一极和驱动子电路122的第二端122c(第三节点N3)连接,第五晶体管T5的第二极和发光元件121的第一端134(第四节点N4)连接。
例如,第一复位子电路125可以实现为第六晶体管T6,第二复位子电路实现为第七晶体管T7。第六晶体管T6的栅极配置为和第一复位控制端Rst1连接以接收第一复位控制信号Rst1,第六晶体管T6的第一极和第一复位电压端Vinit1连接以接收第一复位电压Vinit1,第六晶体管T6的第二极配置为和第一节点N1连接。第七晶体管T7的栅极配置为和第二复位控制端Rst2连接以接收第二复位控制信号Rst2,第七晶体管T7的第一极和第二复位电压端Vinit2连接以接收第二复位电压Vinit2,第七晶体管T7的第二极配置为和第四节点N4连接。
需要说明的是,本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件,本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中,为了区分晶体管除栅极之外的两极,直接描述了其中一极为第一极,另一极为第二极。
此外,按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管。当晶体管为P型晶体管时,开启电压为低电平电压(例如,0V、-5V、-10V或其他合适的电压),关闭电压为高电平电压(例如,5V、10V或其他合适的电压);当晶体管为N型晶体管时,开启电压为高电平电压(例如,5V、10V或其他合适的电压),关闭电压为低电平电压(例如,0V、-5V、-10V或其他合适的电压)。例如,如图5B所示,该第一至第七晶体管T1-T7均为P型晶体管,例如为低温多晶硅薄膜晶体管。然而本公开实施例对晶体管的类型不作限制,当晶体管的类型发生改变时,相应地调整电路中的连接关系即可。
以下结合图5C所示的信号时序图,对图5B所示的像素电路的工作原理进行说明。如图5C所示,每一帧图像的显示过程包括三个阶段,分别为初始化阶段1、数据写入及补偿阶段2、和发光阶段3。
如图5C所示,在本实施例中,第一扫描信号Ga1和第二扫描信号Ga2采用同一信号,第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2采用同一信号;且第二复位控制信号Rst2和第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2的波形相同,也即第二复位控制信号Rst2、第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2可以采用同一信号;本行子像素的第一复位信号Rst1与上一行子像素的第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2的波形相同,也即采用同一信号。然而,这并不作为对本公开的限制,在其它实施例中,可以采用不同的信号分别作为第一扫描信号Ga1、第二扫描信号Ga2、第一复位控制信号Rst1、第二复位控制信号Rst2,采用不同的信号分别作为第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2。
在初始化阶段1,输入第一复位控制信号Rst1以开启第六晶体管T6,将第一复位电压Vinit1施加至第一晶体管T1的栅极,从而对该第一节点N1复位。
在数据写入及补偿阶段2,输入第一扫描信号Ga1、第二扫描信号Ga2以及数据信号Vd,第二晶体管T2和第三晶体管T3开启,数据信号Vd由第二晶体管T2写入第二节点N2,并经过第一晶体管T1和第三晶体管T3对第一节点N1充电,直至第一节点N1的电位变化至Vd+Vth时第一晶体管T1截止,其中Vth为第一晶体管T1的阈值电压。该第一节点N1的电位存储于存储电容Cst中得以保持,也就是说将带有数据信号和阈值电压Vth的电压信息存储在了存储电容Cst中,以用于后续在发光阶段时,提供灰度显示数据和对第一晶体管T1自身的阈值电压进行补偿。
在数据写入及补偿阶段2,还可以输入第二复位控制信号Rst2以开启第七晶体管T7,将第二复位电压Vinit2施加至第四节点N4,从而对该第四节点N4复位。例如,对该第四节点N4的复位也可以在初始化阶段1进行,例如,第一复位控制信号Rst1和第二复位控制信号Rst2可以相同。本公开实施例对此不作限制。
在发光阶段3,输入第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2以开启第四晶体管T4、第五晶体管T5和第一晶体管T1,第五晶体管T5将驱动电流施加至OLED以使其发光。流经OLED的驱动电流Id的值可以根据下述公式得出:
Id=K(VGS-Vth)2=K[(Vdata+Vth-VDD)-Vth]2=K(Vdata-VDD)2,其中,K为第一晶体管的导电系数。
在上述公式中,Vth表示第一晶体管T1的阈值电压,VGS表示第一晶体管T1的栅极和源极(这里为第一极)之间的电压,K为与第一晶体管T1本身相关的一常数值。从上述Id的计算公式可以看出,流经OLED的驱动电流Id不再与第一晶体管T1的阈值电压Vth有关,由此可以实现对该像素电路的补偿,解决了驱动晶体管(在本公开的实施例中为第一晶体管T1)由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压漂移的问题,消除其对驱动电流Id的影响,从而可以改善采用其的显示装置的显示效果。
以下以该电压总线210为复位电压总线,并配置为与第一像素行中的子像素的复位子电路连接以提供复位电压为例对本公开实施例提供的显示基板进行示例性说明,然而本公开实施例对此不作限制。
例如,该第一电压线211或第二电压线212分别配置为与第一像素行中的子像素中的第二复位子电路的第一端连接以提供第二复位电压Vinit2。例如,第一复位电压Vinit1与第二复位电压Vinit2为同一电压,该复位电压线210配置为分别为第一像素行中的子像素中的第一复位子电路提供第一复位电压Vinit1以及为第一像素行中的子像素中的第二复位子电路提供第二复位电压Vinit2。然而本公开实施例并不限于此。
以下以图5B所示像素电路为例、并结合图6A-6C、图7、图5、图6A-图6C、图7、图8A-8C和图9对本公开至少一实施例提供的显示基板的结构进行示例性说明。
图6A示出了本公开至少一个实施例提供的显示基板20的一个子像素的像素电路100的示意图,图6B示出了图1A沿剖面线II-II’的剖视图,图6C示出了图1A沿剖面线III-III’的剖视图,图6B和图6C中省略了一些在剖面线处不存在直接电连接关系的结构;图4和图6A中对应示出了剖面线II-II’和III-III’的位置,也即图6B同时也示出了图4和图6A沿剖面线II-II’的剖视图,图6C同时也示出了图4和图6A沿剖面线III-III’的剖视图。
结合图6A-6C可知,该显示基板20包括依次设置于衬底基板200上的半导体层107、第一绝缘层301、第一导电层201、第二绝缘层302、第二导电层202、第三绝缘层303、第三导电层203。
每个像素电路中的半导体层的图案及第一导电层的图案都是相同的,图7示意性地示出了在第一方向D1上相邻的四个像素电路中晶体管T1-T7的半导体层107和第一导电层(栅极层)201;图8A对应图6A示出了第二导电层202,图8B对应图6A示出了半导体层107、第一导电层201以及该第二导电层202;图9对应图6A示出了第三导电层203。
为了方便说明,在以下的描述中用Tng、Tns、Tnd分别表示第n晶体管Tn的栅极、第一极、第二极,其中n为1-7。
需要说明的是,本公开中所称的“同层设置”是指两种(或两种以上)结构通过同一道沉积工艺形成并通过同一道构图工艺得以图案化而形成的结构,它们的材料可以相同或不同。本公开中的“一体的结构”是指两种(或两种以上)结构由同一膜层经同一道构图工艺得以图案化而形成的彼此连接的结构,它们的材料可以相同或不同。
例如,如图7所示,该第一导电层201包括每个晶体管的栅极以及一些扫描线和控制线。图5中用大虚线框示出了每个像素电路所在的区域,用小虚线框示出了一个像素电路中第一到第七晶体管T1-T7的栅极T1g-T7g。
该半导体层107包括第一到第七晶体管T1-T7的有源层T1a-T7a。如图7所示,该第一到第七晶体管T1-T7的有源层T1a-T7a彼此连接为一体的结构。例如,每一列子像素中的半导体层107为彼此连接的一体的结构,相邻两列子像素中的半导体层彼此间隔。
例如,如图7所示,该第一导电层201包括第一到第七晶体管T1-T7的栅极T1g-T7g。例如,该显示基板20采用自对准工艺,利用第一导电层201作为掩膜对该半导体层107进行导体化处理(例如掺杂处理),使得该半导体层107未被该第一导电层201覆盖的部分被导体化,从而各晶体管的有源层位于沟道区两侧的部分被导体化而分别形成该晶体管的第一极和第二极。
例如,该第一导电层201还包括彼此绝缘的多条扫描线310、多条复位控制线320和多条发光控制线330。例如,每行子像素分别对应连接一条扫描线310、一条复位控制线320和一条发光控制线330。
扫描线210与对应的一行子像素中的第二晶体管T2的栅极电连接(或为一体的结构)以提供第一扫描信号Ga1,复位控制线320与对应的一行子像素中的第六晶体管T6的栅极电连接以提供第一复位控制信号Rst1,发光控制线330与对应一行子像素中的第四晶体管T4的的栅极电连接以提供第一发光控制信号EM1。
例如,如图7所示,本行像素电路的第七晶体管T7的栅极与下一行像素电路(即按照扫描线的扫描顺序,在本行扫描线之后顺序开启的扫描线所在的像素电路行)所对应的复位控制线320电连接以接收第二复位控制信号Rst2。
例如,该第一扫描信号Ga1和第二复位控制信号Rst2可以是同一信号,因此,本行像素电路对应连接的扫描线310可以和下一行像素电路对应连接的复位控制线320连接到同一信号走线或同一信号端,后文将对此进行详细描述。
例如,如图7所示,该扫描线310还与第三晶体管T3的栅极电连接以提供第二扫描信号Ga2,即第一扫描信号Ga1和第二扫描信号Ga2可以为同一信号;该发光控制线330还与第五晶体管T5的栅极电连接以提供第二发光控制信号EM2,也即该第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2为同一信号。
例如,如图8A-8B所示,该第二导电层202包括第一电容电极Ca。该第一电容电极Ca在垂直于衬底基板200的方向上与第一晶体管T1的栅极T1g重叠从而形成存储电容Cst,也即该第一晶体管T1的栅极T1g充当该存储电容Cst的第二电容电极Cb。例如,该第一电容电极Ca包括开口221,该开口221暴露出该第一晶体管T1的栅极T1g的至少部分,以便于该栅极T1g与其它结构电连接。
例如,如图8A-8B所示,该第二导电层202还可以包括沿第一方向D1延伸的多条复位电压线340,该多条复位电压线340与多行子像素一一对应连接。该复位电压线340与对应一行子像素中的第六晶体管T6的第一极电连接以提供第一复位电压Vinit1。
例如,如图8B所示,本行子像素中的第七晶体管T7的第一极与下一行子像素所对应的复位电压线340电连接以接收第二复位电压Vinit2。后文将对此进行详细描述。
例如,如图8A-8B所示,该第二导电层202还可以包括屏蔽电极224。例如,该屏蔽电极224与第二晶体管T2的第一极T2s在垂直于衬底基板200的方向上重叠从而可以保护该第二晶体管T2的第一极T2s中的信号不受其它信号的干扰。由于该第二晶体管T2的第一极T2s配置为接收数据信号Vd,而该数据信号Vd决定了该子像素的显示灰阶,因此该屏蔽电极224提高了数据信号的稳定性,从而提高了显示性能。
例如,结合参考图8B和图6A-6B,该屏蔽电极224还与第六晶体管T6的第二极T6d在垂直于衬底基板200的方向上至少部分重叠,以提高该第二极T6d中信号的稳定性,从而提高第六晶体管T6的稳定性,进一步稳定了第一晶体管T1的栅极电压。
例如,结合参照图6A,该屏蔽电极224包括还延伸至相邻的像素电路的部分224a,该部分224a与相邻的像素电路中的第三晶体管T3的有源层在垂直于衬底基板200的方向上至少部分重叠,以提高第三晶体管T3的稳定性,进一步稳定了第一晶体管T1的栅极电压。
例如,该屏蔽电极224配置为加载固定电压;例如,该屏蔽电极224与第三导电层中的电源线电连接以加载像素电源电压VDD,后文将结合图7和图3对此进行详细描述。
例如,如图9所示,该第三导电层203包括沿第二方向D2延伸的多条电源线270。例如,该多条电源线210与多列像素电路一一对应电连接以提供第一电源电压VDD。
结合参考图6A,该电源线210通过过孔341与所对应的一列像素电路100中的第一电容电极Ca电连接,该电源线270还通过过孔343与第四晶体管T4的第一极T4s电连接;该电源线270还通过过孔344与屏蔽电极224电连接,从而使得屏蔽电极224具有固定电位,提高了该屏蔽电极的屏蔽能力。例如,该过孔341和过孔344均贯穿第三绝缘层303,该过孔343贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如,结合参考图6A和图6C,该第三导电层303还包括沿第二方向D2延伸的多条数据线260,例如,多条数据线260与多列子像素一一对应电连接。例如,数据线260通过过孔354与第二晶体管T2的第一极T2s电连接。
例如,结合参考图9和图6A-6C,该第三导电层203还包括连接电极231,该连接电极231的一端通过第一电容电极Ca中的开口221以及绝缘层中的过孔346与该第一晶体管T1的栅极T1g,即第二电容电极Cb电连接,另一端通过过孔347与该第三晶体管T3的第二极T3d电连接,从而将该第二电容电极Cb与该第三晶体管T3的第二极T3d电连接。例如,该过孔346贯穿第二绝缘层302和第三绝缘层303。例如,该过孔347贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如,结合参考图9和图6A-6C,该第三导电层203还包括连接电极232,该连接电极232通过过孔348与第五晶体管T5的第二极T5d电连接,并用于将该第五晶体管T5的第二极T5d与发光元件的第一电极134电连接。例如,该过孔348贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如,结合参考8C和图6A-6B,该第三导电层203还包括连接电极233,该连接电极233的一端通过过孔351与复位电压线340电连接,另一端通过过孔352与第六晶体管T6的第一极T6s电连接,使得该第六晶体管T6的第一极T6s可以从该复位电压线340接收第一复位电压Vinit1。例如,该过孔351贯穿第三绝缘层303。例如该过孔352贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如,如图6A所示,上一行子像素中的第七晶体管T7的第一极与本行子像素所对应的复位电压线340电连接以接收第二复位电压Vinit2,本行子像素中的第七晶体管T7的第一极与下一行子像素所对应的的复位电压线340电连接以接收第二复位电压Vinit2;也即本行的该第一复位子电路(也即第六晶体管T6)与上一行的第二复位子电路(也即第七晶体管T7)通过同一复位电压线340接收复位电压。
例如,如图6B-6C所示,该显示基板20还可以包括依次位于第三导电层203上的第四绝缘层304和第四导电层204。例如,该第五导电层205包括发光元件121的第一电极134。
例如,结合参考图4和图6B,该显示基板20还包括位于第三导电层203中的连接电极234,该连接电极234位于周边区23中。该第四导电层204还包括该电压总线210。该连接电极234通过过孔353与复位电压线340电连接,并通过过孔354与该电压总线210电连接,从而将复位电压线340与电压总线210电连接;也就是说,在第一显示区A1或第二显示区A2,复位电压线340分离为两部分,该两部分分别作为位于第一显示区A1的第一电压线211和位于第二显示区A2的第二电压线212,该复位电压线340的两部分分别与电压总线210电连接。例如,在第三显示区A3和第四显示区A4,该复位电压线340在一行中连续延伸。
由于第四导电层204主要用于形成发光元件的第一电极,走线密度较低,将电压总线210设置在第四导电层可以便于布线。
例如,参考图6B-6C,该显示基板20还可以包括位于发光元件的第一电极134远离衬底基板200一侧的像素界定层306。像素界定层306中形成开口暴露出第一电极134的至少部分从而界定显示基板各个子像素的开口区(即发光区)600。发光元件121的发光层136至少形成于该开口内(发光层136还可以覆盖部分的像素界定层远离发光元件的第一电极一侧的表面),第二电极135形成于发光层136上从而形成该发光元件121。例如,该第二电极135为公共电极,整面布置于该显示基板20中。例如第一电极134为发光元件的阳极,第二电极135为发光元件的阴极。
例如,衬底基板200可以为刚性基板,例如玻璃基板、硅基板等,也可以由具有优良的耐热性和耐久性的柔性材料形成,例如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚乙二醇对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚砜(PSF)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃聚合物(COP)和环烯烃共聚物(COC)等。
例如,该半导体层107的材料包括但不限于硅基材料(非晶硅a-Si,多晶硅p-Si等)、金属氧化物半导体(IGZO,ZnO,AZO,IZTO等)以及有机物材料(六噻吩,聚噻吩等)。
例如,该第一到第四导电层的材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料;或者透明导电金属氧化物材料,例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
例如,该发光元件121为顶发射结构,第一电极具134有反射性而第二电极135具有透射性或半透射性。例如,第一电极134为高功函数的材料以充当阳极,例如为ITO/Ag/ITO叠层结构;第二电极135为低功函数的材料以充当阴极,例如为半透射的金属或金属合金材料,例如为Ag/Mg合金材料。
例如,第一绝缘层301、第二绝缘层302、第三绝缘层303例如为无机绝缘层,例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物,或者氧化铝、氮化钛等包括金属氮氧化物绝缘材料。例如,第四绝缘层304与像素界定层306例如可以为有机绝缘材料,例如为聚酰亚胺(PI)、丙烯酸酯、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等有机绝缘材料。例如,第四绝缘层304为平坦化层。本公开实施例对此不作限制。
例如,上述第一信号线31位于显示区的部分,也即第一信号线子部318和第二信号线子部319为该扫描线310。
例如,该第二信号线32位于显示区的部分,也即该第一信号线子部321或第二信号线子部322为上述电源线270,也即该第二信号线配置为提供第一电源电压VDD。
例如,该第三信号线33位于显示区的部分,也即该第一信号线子部331或第二信号线子部332位上述数据线260,也即该第三信号线配置为提供数据信号Vd。例如,该第二信号线21与该第三信号线33均位于第三导电层203并彼此绝缘。
参考图7,该第一信号线子部318和第二信号线子部319分别与对应的一行子像素的数据写入子电路的控制端(也即第二晶体管T2的栅极T2g)以及补偿子电路的控制端(也即第三晶体管T3的栅极T3g)电连接。
参考图5,该第一信号线子部318和第二信号线子部319分别与对应的一行子像素的数据写入子电路的控制端(也即第二晶体管T2的栅极T2g)以及补偿子电路的控制端(也即第三晶体管T3的栅极T3g)电连接。
例如,如图4和图6C所示,第一信号线31的第一信号线子部318和第二信号线子部319均位于第一导电层201中,并与第二信号线部分31b位于不同层。例如,第一信号线子部318和第二信号线子部319位于第二信号线部分31b靠近衬底基板200的一侧。
由于第一信号线子部318和第二信号线子部319配置为显示区的扫描线,例如与显示区的晶体管的栅极一体成型,而栅极工艺影响晶体管的沟道宽长比,因此该栅极工艺的调整对晶体管的性能影响较大。通过将第二信号线部分31b设置于与第一信号线子部318和第二信号线子部319不同的导电层中,可以使得第二信号线部分31b的工艺调整更为灵活,该第二信号线部分31b的工艺的调整不会影响到第一信号线子部318和第二信号线子部319的工艺。例如,在第三显示区A3和第四显示区A4,扫描线310连续形成。例如,第一信号线子部318和第二信号线子部319的工艺参数与第三显示区A3和第四显示区A4中扫描线310的工艺参数一致。
例如,如图6C所示,第二信号线部分31b位于第二导电层202中,也即与复位电压线340同层绝缘设置。
例如,结合参考图4和图6C所示,显示基板20还包括连接电极235(本公开第一连接电极的一个示例),该连接电极235例如位于第三导电层203中。该连接电极235通过过孔355(本公开第一过孔的一个示例)与第一信号线31的第一信号线子部318或第二信号线子部319(也即扫描线310)电连接,并通过过孔356(本公开第二过孔的一个示例)与该第一信号线31的第二信号线部分31b(图4中第一延伸部311)电连接。通过设置连接电极235连接第一信号线部分31a和第二信号线部分31b,也即该第一信号线部分31a和第二信号线部分31b并不直接通过贯穿第二绝缘层302的过孔电连接,从而节省一道对第二绝缘层302的构图工艺。
例如,如图4所示,过孔355和过孔356位于电压总线210远离透明区22的一侧,也即靠近显示区21的一侧,且在第二方向D2上并列排布。
如图4所示,电压总线210位于第二信号线部分31b的弯折部313远离透明区22的一侧,电压总线210与该第二信号线部分31b的第一延伸部311在垂直于衬底基板的方向上重叠,并与该第二信号线部分31b的弯折部313在垂直于衬底基板的方向上不重叠。这种设置使得电压总线210避开线路密集的绕线区域,便于电压总线210与第一电压线211或第二电压线212的电连接。
例如,如图4所示,该显示基板还包括位于第三导电层203中的连接电极236,该显示基板还包括位于周边区23的信号线子部316(本公开第四信号线子部的一个示例),该连接电极236位于该信号线子部316远离透明区的一侧,用于将该信号线子部316与显示区中复位控制线320(本公开第三信号线子部的一个示例)电连接。例如,该信号线子部316位于第三导电层203,该连接电极236的设置与连接电极235的效果类似,可以节省一道对第二绝缘层302的构图工艺。例如,如图4所示,在垂直于衬底基板的方向上,该连接电极236与电压总线210部分重叠。
类似地,将显示区中的复位控制线320与信号线子部316不设置在同一层中,可以便于对信号线子部316的工艺进行调整,而避免对显示区中晶体管的工艺造成影响。
例如,如图2C所示,本行像素电路所接收的扫描信号Ga1/Ga2与本行像素电路所接收的第二复位控制信号Rst2可以是同一信号,并与下一行像素电路对应连接第一复位控制信号Rst1是同一信号,因此,本行像素电路所对应连接的扫描线320与本行第二复位子电路所对应连接的复位控制线320(也即下一行第一复位子电路所对应连接的复位控制线320)连接到同一信号端。
结合参考图4,对于第一像素行,本行像素电路所对应连接的扫描线310(也即第一信号线子部318或第二信号线子部319)与第二复位子电路所对应连接的复位控制线320连接到同一绕线(也即弯折部313),也即二者共用一条绕线,这样可以降低周边区23的绕线密度,提高工艺良率。如图4所示,扫描线310经第二信号线部分31b的第一延伸部311连接到其弯折部313,复位控制线320经信号线子部316连接到该弯折部313,也即该信号线子部316的一端与该复位控制线320电连接,另一端与对应的弯折部部313电连接。该信号线子部316与该第一延伸部311同层平行设置,并与弯折部313直接电连接。图4分别示出了该第一信号线的第二信号线部分的第一延伸部311与弯折部313的连接点C1以及该信号线子部316与该弯折部313的连接点C2。该弯折部313包括位于该连接点C1和该连接点C2的部分。
例如,显示基板20包括沿第一方向D1延伸的多个信号线子部316,多条信号线子部316分别与多个第一像素行对应的多条复位控制线320一一对应电连接。
如图4所示,在垂直于衬底基板的方向上,每个信号线子部316均与电压总线210重叠。
例如,如图4和图6A所示,与同一子像素连接的第二信号线32(电源线270)和第三信号线33(数据线260)在第二方向D2上直接相邻,并成对设置。
例如,在显示区和周边区,多条第二信号线32和多条第三信号线33在第一方向上均交替排布。
例如,该第二信号线32的第一信号线部分的平均线宽大于该第二信号线31第二信号线部分的平均线宽;也即该第二信号线32从显示区到周边区进行了收窄设计。例如,该第二信号线32的第一信号线部分的平均线宽大于该第二信号线部分的第二信号线子部322的平均线宽。在显示区中将该第二信号线32设计得较宽有助于降低该第二信号线32的电阻从而降低电源电压在该第二信号线32上的电压降,从而提高显示均一性;而在周边区进行绕线时为了节省空间则将该第二信号线的第二信号线部分的线宽设计得较窄。例如,该第二信号线的第二信号线部分的第二信号线子部322与第三信号线的第二信号线部分的第二信号线子部332的平均线宽相同,从而降低工艺难度。
例如,如图1A-1C所示,该显示基板还包括虚拟电极220,该虚拟电极220为浮置(floating)电极,也即并不加载电信号。例如,该虚拟电极220的至少部分围绕透明区22设置且相较于其它导线最靠近该透明区22,也即该虚拟电极靠近透明区22的一侧没有设置走线,或者说该虚拟电极为该周边区23中最靠近透明区22的导电结构。该虚拟电极220可以屏蔽透明区22中的光电信号对显示区21和周边区23中信号线上的电信号的干扰。例如,该透明区22配置为允许来自显示基板的显示侧的光透射到该显示侧的相对一侧以用于感测,例如该光线为可见光或红外光;该虚拟电极220可以屏蔽经过该透明区22的光线对该虚拟电极外侧的电信号的干扰。例如,该虚拟电极可以为环状,全部包围该透明区22。
例如,该虚拟电极220可以位于第三导电层203,由于数据线260位于第三导电层,将该虚拟电极220设置在第三导电层203,可以拉近虚拟电极220与数据线260的距离,保护数据线260中的数据信号不受干扰。然而,本公开实施例对此不作限制。在另一些示例中,该虚拟电极220也可以位于第二导电层202或者第四导电层204。
例如,该透明区22并不存在导电结构,上述第一到第四绝缘层在该透明区22可以全部保留或部分保留,通过调节该透明区中绝缘层的厚度可以调节经过该透明区22的光线的光程,这可以根据实际需要进行调节。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一显示基板20以及传感器。图10A示出了本公开一些实施例提供的显示装置40的结构示意图,图10B为图10A沿IV-IV’的剖视图。
如图10A-10B所示,该传感器401对应设置于显示基板20的第三显示区23并设置于显示基板的与显示侧相对的一侧,例如设置于衬底基板200远离发光元件的一侧。该传感器401例如为光电传感器,配置为接收来自所述显示基板的第一侧的光并将该光线转换成电信号并用于形成图像。例如,该光线从显示侧经该透明区22到达传感器,例如该光线为可见光或红外光。
例如,该显示装置40还包括设置于显示基板20上的封装层207和盖板208,该封装207配置为对显示基板20中的发光元件进行密封以防止外界的湿气和氧向该发光元件及驱动电路的渗透而造成对器件的损坏。例如,封装层207包括有机薄膜或者包括有机薄膜及无机薄膜交替层叠的结构。例如,该封装层207与显示基板20之间还可以设置吸水层(未示出),配置为吸收发光元件在前期制作工艺中残余的水汽或者溶胶。盖板208例如为玻璃盖板。例如,盖板208和封装层207可以为一体的结构。
例如,传感器401可以贴附于显示基板20的背面(与显示面相对的一面)。如图10B所示,成像元件401贴附在衬底基板200远离发光元件的第二电极135的一侧。该传感器401例如可以实现为摄像头。
该显示装置例如可以数码相框、智能手环、智能手表、手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (19)
1.一种显示基板,包括显示区、透明区以及所述显示区与所述透明区之间的周边区,
其中,所述显示基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上且位于所述显示区的多个子像素,所述多个子像素沿第一方向和第二方向分布为多个像素行和多个像素列,所述第一方向和所述第二方向不同;
所述显示基板还包括沿所述第一方向延伸的第一信号线,所述第一信号线包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分,所述第一信号线部分和所述第二信号线部分彼此电连接;
所述第一信号线的第二信号线部分包括依次连接的第一子部、第二子部和第三子部,
所述第一信号线的第一子部和第三子部均包括曲线型结构,所述第一信号线的第二子部为直线型结构;
所述显示基板还包括位于所述周边区的第一补偿电极,所述第一补偿电极与所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向上重叠以形成补偿电容;
所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部的平均线宽大于所述第一信号线的第二信号线部分的第一子部或第三子部的平均线宽。
2.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一信号线的第一子部和第三子部分别与所述第一信号线的第二子部沿所述第一方向的两端直接电连接,
所述第一子部在所述第一子部与所述第二子部子的连接点处的切线与所述第二子部所在的直线的夹角为锐角;
所述第三子部在所述第三子部与所述第二子部的连接点处的切线与所述第二子部所在的直线的夹角为锐角。
3.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一信号线的第一信号线部分位于所述第一信号线的第二信号线部分靠近所述衬底基板的一侧。
4.如权利要求3所述的显示基板,还包括第一连接电极,其中,
所述第一连接电极位于所述第一信号线的第二信号线部分远离所述衬底基板的一侧;
所述多条第一信号线的第一信号线部分和第二信号线部分通过所述第一连接电极电连接;
所述第一连接电极的通过第一过孔与所述第一信号线的第一信号线部分电连接,并通过第二过孔与所述第一信号线的第二信号线部分电连接。
5.如权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一过孔和所述第二过孔在所述第二方向上并列排布。
6.如权利要求1所述的显示基板,还包括第二补偿电极,
其中,所述第二补偿电极包括半导体材料;
所述第一补偿电极位于所述第一信号线的第二信号线部分远离所述衬底基板的一侧;所述第二补偿电极位于所述第一信号线的第一信号线部分靠近所述衬底基板的一侧;
所述第二补偿电极与所述第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向上重叠,并与所述第一补偿电极电连接。
7.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示基板包括多个所述第一补偿电极和多条所述第一信号线,所述多个第一补偿电极与所述多条第一信号线一一对应设置,所述多个第一补偿电极的每个与对应的第一信号线的第二信号线部分的第二子部在垂直于所述衬底基板的方向重叠以形成所述补偿电容。
8.如权利要求7所述的显示基板,其中,所述每个第一补偿电极包括彼此间隔的多个补偿电极部,
所述每个第一补偿电极所包括的补偿电极部的数目根据所述每个第一补偿电极所对应的第一信号线所对应的像素行在所述透明区缺失的子像素的数量确定。
9.如权利要求8所述的显示基板,其中,所述多个第一补偿电极的多个补偿电极部沿所述第一方向和所述第二方向排布为阵列,位于同一列的补偿电极部彼此连接为一体的结构。
10.如权利要求8所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括沿所述第二方向延伸的多条第二信号线,所述多条第二信号线的每条包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分;
所述每条第二信号线的第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部、第二信号线子部和第三信号线子部,所述每条第二信号线的第一信号线子部和第三信号线子部为直线型结构,所述每条第二信号线的第二信号线子部包括曲线型结构;
所述多条第二信号线为电源线。
11.如权利要求10所述的显示基板,其中,所述每条第二信号线的第一信号线部分的平均线宽大于所述每条第二信号线的第二信号线部分的第二信号线子部的平均线宽。
12.如权利要求10所述的显示基板,其中,所述多条第二信号线与所述多个第一补偿电极同层设置,
所述多条第二信号线的第二信号线部分的第一子部与在所述第二方向上的多列补偿电极部一一对应设置,
所述多条第二信号线的每条的第二信号线部分的第二信号子部与对应的一列补偿电极部连接为一体的结构。
13.如权利要求12所述的显示基板,还包括沿所述第二方向延伸的多条第三信号线,
其中,所述多条第三信号线的每条包括位于所述显示区的第一信号线部分和位于所述周边区的第二信号线部分,所述第二信号线部分包括依次连接的第一信号线子部、第二信号线子部和第三信号线子部,所述每条第三信号线的第一信号线子部和第三信号线子部为直线型结构,所述每条第三信号线的第二信号线子部包括曲线型结构;
所述多条第三信号线为数据线。
14.如权利要求13所述的显示基板,其中,所述多条第三信号线与所述多条第二信号线同层绝缘设置,并在所述第一方向上交替设置。
15.如权利要求1-14任一所述的显示基板,其中,所述多个子像素的每个包括像素电路;所述像素电路包括驱动子电路、数据写入子电路、补偿子电路、存储子电路;
所述驱动子电路包括控制端、第一端和第二端,且配置为与所述发光元件连接并且控制流经所述发光元件的驱动电流;
所述数据写入子电路与所述驱动子电路的第一端连接,且配置为响应于第一扫描信号将数据信号写入所述驱动子电路的第一端;
所述补偿子电路包括控制端、第一端和第二端,所述补偿子电路的控制端配置为接收第二扫描信号,所述补偿子电路的第一端和第二端分别与所述驱动子电路的控制端和第二端电连接,所述补偿子电路配置为响应所述第二扫描信号对所述驱动子电路进行阈值补偿;
所述存储子电路包括第一端和第二端,所述存储子电路的第一端配置为接收第一电源电压,所述存储子电路的第二端与所述驱动子电路的控制端电连接。
16.如权利要求15所述的显示基板,其中,所述第一信号线与一行子像素的数据写入电路连接以提供所述第一扫描信号。
17.如权利要求15所述的显示基板,其中,所述存储子电路包括存储电容,所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极,所述第一电容电极和所述第二电容电极分别作为所述存储子电路的第一端和第二端;
所述第一信号线的第二信号线部分与所述存储电容的第一电容电极同层绝缘设置。
18.一种显示装置,包括如权利要求1-17任一所述的显示基板。
19.如权利要求18所述的显示装置,还包括传感器,
其中,所述传感器设置于所述衬底基板远离所述多个子像素的一侧,且配置为接收并检测透过所述透明区的光。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2020/106577 WO2022027178A1 (zh) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 显示基板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114616613A CN114616613A (zh) | 2022-06-10 |
CN114616613B true CN114616613B (zh) | 2023-12-08 |
Family
ID=80119196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080001425.8A Active CN114616613B (zh) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 显示基板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12004391B2 (zh) |
CN (1) | CN114616613B (zh) |
WO (1) | WO2022027178A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023004539A1 (zh) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
WO2023142305A1 (zh) * | 2022-01-30 | 2023-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2023225865A1 (zh) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN114784082B (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN115224097A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107610636A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-01-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111128080A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008216894A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | アレイ基板 |
US20130328840A1 (en) * | 2011-02-25 | 2013-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, display device provided with display panel, and electronic device provided with display panel |
US9277204B2 (en) | 2013-01-23 | 2016-03-01 | Advanced Scientific Concepts, Inc. | Modular LADAR sensor |
KR20150054210A (ko) * | 2013-11-11 | 2015-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102135935B1 (ko) | 2014-07-01 | 2020-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 네로우 베젤을 갖는 표시장치 |
CN106097962B (zh) * | 2016-08-19 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示设备及区域补偿方法 |
EP3477705B1 (en) | 2017-10-30 | 2021-04-07 | LG Display Co., Ltd. | Display device |
CN108648627A (zh) | 2018-05-14 | 2018-10-12 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其显示装置 |
CN108469697B (zh) | 2018-05-14 | 2021-06-15 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN108831365B (zh) | 2018-06-21 | 2021-07-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR102649144B1 (ko) * | 2018-06-25 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN108878455B (zh) | 2018-06-29 | 2021-01-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
KR102516058B1 (ko) * | 2018-08-17 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR102631254B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
CN109116636B (zh) * | 2018-09-25 | 2021-08-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN109300953B (zh) | 2018-09-30 | 2021-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113097254B (zh) | 2018-11-26 | 2024-05-17 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20200066505A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
CN109801947B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-08-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR20200098742A (ko) | 2019-02-11 | 2020-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110297365A (zh) | 2019-06-27 | 2019-10-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN110264891B (zh) * | 2019-07-18 | 2022-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN110459572B (zh) | 2019-08-19 | 2023-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
CN111123597A (zh) | 2020-01-11 | 2020-05-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111261032A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-09 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种设置摄像头孔的屏幕 |
CN111402716B (zh) | 2020-03-27 | 2022-02-18 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
-
2020
- 2020-08-03 US US17/312,610 patent/US12004391B2/en active Active
- 2020-08-03 CN CN202080001425.8A patent/CN114616613B/zh active Active
- 2020-08-03 WO PCT/CN2020/106577 patent/WO2022027178A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107610636A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-01-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111128080A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US12004391B2 (en) | 2024-06-04 |
CN114616613A (zh) | 2022-06-10 |
WO2022027178A1 (zh) | 2022-02-10 |
US20220328595A1 (en) | 2022-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111128080B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN114616613B (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN112117320B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN114822412B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN113196495B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
EP4113501A1 (en) | Display substrate and display device | |
CN113763883B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
EP4340569A1 (en) | Display substrate and display device | |
US20240153428A1 (en) | Pixel Circuit and Driving Method Therefor, Display Substrate, and Display Apparatus | |
CN114616614B (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN116918489A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
EP4131239A1 (en) | Display panel and display device | |
EP4202901A1 (en) | Pixel circuit and driving method therefor, display substrate, and display device | |
WO2022174404A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN117280887A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
US20240188328A1 (en) | Display panel and display device | |
WO2022227055A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
WO2022232987A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
WO2022232988A1 (zh) | 显示基板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |