CN114613817A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示面板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板包括：衬底；第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交的侧壁以及与所述衬底接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30°～50°；绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有一凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°；第二金属层，覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，随着AMOLED(英语：Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)技术发展，Top Gate(顶栅)Self-align(自对准)IGZO TFT(铟镓锌氧化物阵列基板)广泛应用于大尺寸OLED背板，该结构通常会先做一层金属遮光层，随后的栅极电极和源/漏电极会在遮光层上有搭接爬坡，搭接处有裂痕风险造成后续制程异常。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以解决现有技术中金属走线对应遮光层处存在搭接异常的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交的侧壁以及与所述衬底接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30°～50°；绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有一凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°；第二金属层，覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层包括第一绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层包括间隔设置的第一金属单元和第二金属单元，所述第二金属层对应设于所述第一金属单元上方。
可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括有源层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面，且对应第二金属单元；栅极，设于所述有源层远离所述第二金属单元的一侧表面，所述栅极的侧壁与所述栅极的底面的夹角为30°～50°；栅极绝缘层，设于所述栅极远离所述有源层的一侧表面，第二绝缘层覆盖所述栅极绝缘层、所述栅极和所述有源层；源漏电极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且部分贯穿所述第二绝缘层并连接至所述有源层。
相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下制备步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上沉积一层金属材料，采用刻蚀液刻蚀所述金属材料后得到第一金属层，第一金属层的侧壁与衬底的夹角为30°～50°；
在所述衬底上沉积绝缘材料，固化后形成绝缘层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°；
在所述绝缘层上沉积一层金属材料，图案化后形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二金属层为叠层结构，其上下两层的材料为钼、钛或其合金材料，中间层材料为铜。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层的厚度为6000A～1000A。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述刻蚀液包括H3PO4、CH3COOH、HNO3中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及其制备方法、显示面板减少第一金属层的侧壁和底面的夹角以及栅极的侧壁和底面的夹角，使得覆盖在第一金属层和栅极上的绝缘层具有爬坡更加平缓的凸起，不会由于段差过大导致覆盖在凸起外表面处的第二金属层和源漏电极断裂，提升了阵列基板的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的；
图2是本申请实施例提供的。
附图标记说明：
阵列基板10； 彩膜基板20；
衬底110； 第一金属层120；
绝缘层130； 第二金属层140；
有源层150； 栅极160；
栅极绝缘层170； 源漏电极180；
钝化层190； 第一金属单元121；
第二金属单元122； 第一绝缘层131；
第二绝缘层132。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。具体说明如下。
实施例
如图1和图2所示，本实施例中，本发明的显示面板包括阵列基板10和彩膜基板20，阵列基板10和彩膜基板20相对设置，阵列基板10包括衬底110、第一金属层120、绝缘层130、第二金属层140、有源层150、栅极160、栅极绝缘层170、源漏电极180以及钝化层190。
衬底110为硬质基板，一般为玻璃基板，用以承接各膜层结构，且能够隔绝水汽和杂质。
第一金属层120设于衬底110的一侧表面，具体的，第一金属层120为遮光金属层，包括第一金属单元121和第二金属单元122，第一金属单元121和第二金属单元122为叠层结构，包括上下层的钼钛层和中间的铜层，第一金属单元121和第二金属单元122用以遮蔽从衬底110方向照射的光线，避免光线直射导致第一金属单元121和第二金属单元122上方的金属结构老化，有效提升了金属结构的使用寿命。
在刻蚀过程中，刻蚀液的浓度和时间不同会导致金属层的taper(锥度)不同，即刻蚀后的金属层侧壁与底面的夹角不同，本实施例中，第一金属单元121和第二金属单元122为同一金属层刻蚀而成，且通过事先调试过的刻蚀液使得刻蚀后的第一金属层120的侧壁和底面的夹角为30°～50°，相比于现有技术，本实施例中第一金属层120的侧壁和底面的夹角明显变小，从而使得后续覆盖在第一金属层120上的各膜层对应第一金属层120侧壁处的爬坡平缓，避免膜层搭接异常。
绝缘层130设于衬底110上，且覆盖第一金属层120，本实施例中，绝缘层130包括叠层设置的第一绝缘层131和第二绝缘层132，其中，第一绝缘层131和第二绝缘层132均为沉积而成，由于第一金属层120的存在，故在绝缘层130远离衬底110的一侧设有一凸起133，凸起133对应第一金属层120的位置，且凸起133的侧壁和底面的夹角也为30°～50°，有效降低了凸起133的坡度，保证了阵列基板10的在凸起133处的走线搭接正常。
有源层150设于第一绝缘层131远离衬底110的一侧表面，且对应第二金属单元122，有源层150为氧化物半导体薄膜，本实施例中，有源层150为铟镓锌氧化物，在本发明的其他优选实施例中，有源层150也可为稀土掺杂的氧化物半导体材料或氧化铟锡锌材料。第二金属单元122用以遮蔽从而衬底110方向照向有源层150方向的光线。
栅极160设于有源层150远离第一绝缘层131的一侧表面，本实施例中，采用刻蚀第一金属层120的方案同样刻蚀栅极160，即本实施例中的栅极160的侧壁与其底面的夹角为30°～50°。
栅极绝缘层170设于栅极160上，第二绝缘层132设于第一绝缘层131上，且覆盖有源层150、栅极160和栅极绝缘层170。具体的，由于栅极160的侧壁与其底面的夹角与第一金属层120的侧壁与其底面的夹角相同，故第二绝缘层132对应栅极160处的凸起133的侧壁与其底面的夹角也为30°～50°。从而使得第二绝缘层132的爬坡平缓，有利于金属走线搭接。
第二金属层140设于第二绝缘层132远离第一绝缘层131的一侧表面，且对应所述第一金属单元121，具体的，第二金属层140覆盖在第二绝缘层132对应第一金属单元121的凸起133上，且两端分别向外延伸，由于本实施例中的凸起133的爬坡比较平缓，故第二金属层140在凸起133处可以正常搭接，不会由于段差过大导致断裂问题，提升了阵列基板10的良品率。
源漏电极180设于第二绝缘层132远离第一绝缘层131的一侧表面，且对应第一金属单元121，源漏电极180部分贯穿第二绝缘层132并连接至有源层150上，本实施例中，由于第二绝缘层132对应栅极160位置的凸起133的爬坡比较平缓，故源漏电极180即使部分覆盖凸起133的外表面，也不会由于段差过大导致源漏电极180断裂。
钝化层190设于第二绝缘层132远离第一绝缘层131的一侧表面，且覆盖第二金属层140和源漏电极180，钝化层190用以避免外界水汽或杂质入侵，有效提升第二金属层140和源漏电极180的使用寿命。
为了更好的解释本发明，本实施例还提供了上述阵列基板的制备方法，具体步骤如下：
S1)提供一衬底110。
S2)在衬底110上沉积一层金属材料，采用刻蚀液刻蚀所述金属材料后得到第一金属层120，第一金属层120包括相间隔的第一金属单元121和第二金属单元122。第一金属层120包括与衬底110相交的侧壁以及与衬底110接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30°～50°，所述刻蚀液包括H3PO4、CH3COOH、HNO3中的至少一种。
S3)在衬底110上沉积绝缘材料，固化后形成绝缘层130，绝缘层130对应第一金属层120处设有凸起133，所述凸起133的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°。
S4)在绝缘层130上沉积一层金属材料，图案化后形成第二金属层140，第二金属层140覆盖凸起133的外表面并延伸至绝缘层130远离所述第一金属层120的一侧表面。
其中，所述步骤S3具体包括以下步骤：
S31)在衬底110上沉积绝缘材料，所述绝缘材料为氮化硅或氧化硅，固化后形成第一绝缘层131，其中，当第一绝缘层131采用氮化硅，则第一绝缘层131的厚度为1000A～2000A，当第一绝缘层131采用氧化硅，则第一绝缘层131的厚度为1000A～3000A。
S32)在第一绝缘层131对应第二金属单元122的位置沉积氧化物半导体薄膜形成有源层150。所述氧化物半导体薄膜包括铟镓锌氧化物、稀土掺杂的氧化物半导体材料或氧化铟锡锌材料。
S33)在有源层150上依次沉积金属材料和无机材料，采用刻蚀液刻蚀所述金属材料和所述无机材料后形成栅极160和栅极绝缘层170，栅极160的侧壁与其底面的夹角为30°～50°，所述无机材料包括氧化硅或氮化硅，栅极160的厚度为4000A～8000A，栅极绝缘层170的厚度为1000A～2000A。
S34)在第一绝缘层131上沉积一层绝缘材料，所述绝缘材料为氮化硅或氧化硅，固化后形成第二绝缘层132，第二绝缘层132的厚度为4000A～5000A，并在第二绝缘层132对应有源层150的位置刻蚀过孔。
S35)在第二绝缘层132上沉积金属材料，图案化所述金属材料后形成源漏电极180，源漏电极180填充所述过孔并连接至有源层150。
本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及其制备方法、显示面板减少第一金属层的侧壁和底面的夹角以及栅极的侧壁和底面的夹角，使得覆盖在第一金属层和栅极上的绝缘层具有爬坡更加平缓的凸起，不会由于段差过大导致覆盖在凸起外表面处的第二金属层和源漏电极断裂，提升了阵列基板的良品率。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交的侧壁以及与所述衬底接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30°～50°；
绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有一凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°；
第二金属层，覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘层包括
第一绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层；
第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一金属层包括间隔设置的第一金属单元和第二金属单元，所述第二金属层对应设于所述第一金属单元上方。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括
有源层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面，且对应第二金属单元；栅极，设于所述有源层远离所述第二金属单元的一侧表面，所述栅极的侧壁与所述栅极的底面的夹角为30°～50°；
栅极绝缘层，设于所述栅极远离所述有源层的一侧表面，第二绝缘层覆盖所述栅极绝缘层、所述栅极和所述有源层；
源漏电极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧表面，且部分贯穿所述第二绝缘层并连接至所述有源层。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上沉积一层金属材料，采用刻蚀液刻蚀所述金属材料后得到第一金属层，第一金属层的侧壁与衬底的夹角为30°～50°；
在所述衬底上沉积绝缘材料，固化后形成绝缘层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30°～50°；
在所述绝缘层上沉积一层金属材料，图案化后形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述第二金属层为叠层结构，其上下两层的材料为钼、钛或其合金材料，中间层材料为铜。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述第一金属层的厚度为6000A～1000A。
8.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述刻蚀液包括H3PO4、CH3COOH、HNO3中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～4中任一项所述阵列基板。
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